KR101821519B1 - 픽셀 회로, 그 구동 방법 및 디스플레이 디바이스 - Google Patents

픽셀 회로, 그 구동 방법 및 디스플레이 디바이스 Download PDF

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Abstract

복수의 픽셀 구조체들을 포함하는 픽셀 회로로서, 픽셀 구조체는 구동 유닛, 보상 유닛 및 발광 유닛을 포함한다. 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체에서, 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체는 인접하며, 제1 픽셀 구조체는 용량성 터치 유닛을 또한 포함하고, 제2 픽셀 구조체는 광 감지 터치 유닛을 또한 포함하고, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 용량성 터치 유닛 및 광 감지 터치 유닛은 데이터 라인을 공유하고, 용량성 터치 유닛 및 광 감지 터치 유닛은 판독 라인을 공유한다.

Description

픽셀 회로, 그 구동 방법 및 디스플레이 디바이스{PIXEL CIRCUIT, DRIVING METHOD THEREFOR AND DISPLAY DEVICE}
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것이고, 특히, 픽셀 회로, 그 구동 방법, 및 픽셀 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이는 현재 평판-패널 디스플레이들의 연구 분야에서의 핫 토픽들 중 하나이다. 액정 디스플레이(LCD)에 비해, OLED 디스플레이는 낮은 에너지 소모, 낮은 생산 비용, 자체-발광(self-luminescence), 넓은 시야각, 빠른 응답 등의 장점들을 가진다. 현재, OLED 디스플레이는 모바일 폰들, PDA들, 디지털 카메라들 등과 같은, 디스플레이 분야들에 있어서 전통적인 LCD를 점진적으로 대체하기 시작했다.
OLED 디스플레이 기술에서, 픽셀 구동 회로의 설계는 핵심 기법이다. LCD는 전압 구동식, 즉, 안정 전압을 사용함으로써 액정의 투과성 및 밝기를 제어하며; 그리고, LCD와는 상이하게, OLED 디스플레이는 전류 구동식이어서, 안정 전류를 사용함으로써 광을 방출하도록 OLED 디바이스를 제어한다. 전통적인 OLED 디스플레이들에서, 일반적으로, OLED 디바이스의 발광은 2T1C 픽셀 회로를 사용함으로써 제어된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 2T1C 픽셀 회로는 구동 박막 트랜지스터(TFT)(T2), 스위칭 박막 트랜지스터(T1) 및 저장 커패시터(짧게, Cs)로 구성되고, T1은 스캔 라인에 접속되고, 데이터 라인에 또한 접속되며; 스캔 라인이 행을 선택할 때, 스캔 라인의 전압(Vscan)은 로우 레벨에 있고, T1이 턴온(turn on)되며, 데이터 라인의 전압(Vdata)은 T1을 통해 Cs에 기록되고; 이 행에서의 스캔이 종료될 때, Vscan은 하이 레벨로 변경되고, T1이 차단되며, Cs에 저장된 전압은 OLED를 구동하기 위한 전류를 생성하도록 T2를 구동하여, 이에 의해 OLED가 하나의 프레임 시간 내에서 광을 연속적으로 방출함을 보장하고; T2의 포화 전류, 즉, OLED를 통해 흐르는 전류는 IOLED=K(VGS-Vth)2이고, 여기서 VGS는 T2의 소스-게이트 전압이고, Vth는 T2의 임계 전압이다. IOLED가 T2의 임계 전압(Vth)에 관련된다는 것을 알 수 있다. 또한, 디바이스들의 제조 프로세스 및 에이징의 이유로, 각자의 픽셀들 내의 구동 TFT들의 임계 전압(Vth)은 드리프트할 수 있는데, 즉, 각자의 픽셀들 내의 구동 TFT들의 임계 전압은 불일치해서, OLED에 대한 상이한 전류들이 OLED의 구동 TFT들의 상이한 임계 전압들로 인해 각자의 픽셀들을 통해 흐르는 것을 쉽게 초래하고, 따라서, 디스플레이 스크린의 디스플레이 밝기는 균일하지 않으며, 이에 의해, 전체 이미지의 디스플레이 효과에 영향을 준다.
구동 전류에 대한 구동 TFT의 임계 전압의 영향을 추가로 제거하기 위해, 더 많은 TFT들 및 Css들을 포함하는 픽셀 회로가 출현하였는데, 이는 구동 TFT의 임계 전압을 보상하도록 구성되는 보상 회로를 포함한다. 그러나, 종래 기술에서, 하나의 픽셀 회로는 단지 하나의 서브-픽셀 유닛에 제한된다. 도 2는 종래 기술에서의 서브-픽셀 유닛들의 배열 모드를 도시하는데, 각각의 서브-픽셀 유닛은 하나의 픽셀 회로를 가지고, 각각의 픽셀 회로는 배타적 보상 회로를 포함하며, 따라서, 서브-픽셀 유닛들은 모두 데이터 라인들에 접속된다. 구동 요건들을 만족하는 경우, TFT, Cs 및 데이터 라인의 분포 공간과 같은 많은 인자를 고려한다면, 종래 기술의 픽셀 회로는 픽셀 피치들을 압축함으로써 더 미세한 픽셀 해상도를 달성하는 것을 어렵게 한다.
반면, 현재 터치 분야에서, 용량성 터치 및 감광성 터치인 2개 모드들은 소비자들에 의해 가장 쉽게 수용되고 인지되며, 위의 2개 터치 기술들이 OLED 디스플레이로 통합되어 터치의 제조 절차와 OLED 디스플레이의 제조 절차의 통합을 달성할 수 있는 경우, 높은 부가 가치 및 가장 최근의 기술적 기능들을 나타내는 통합은 향후의 디스플레이 기술 분야에서의 확고한 위치를 점유하는 것으로 제한된다. 그러나, 위의 2개의 터치 기능들의 추가는 픽셀 피치를 추가로 증가시키도록 제한되는데, 이는 미세한 픽셀 해상도를 달성하는 것을 더 어렵게 한다.
종래 기술의 결점들을 해소하기 위해, 본 발명에 의해 해결될 기술적 문제점은 픽셀 회로, 픽셀 회로의 구동 방법, 및 픽셀 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스를 제공하는 것이며, 이는 픽셀 회로 내의 보상 회로 내의 트랜지스터들의 수 및 종래 기술에서의 그것의 요구되는 데이터 라인들의 수를 감소시킬 수 있고, 이에 의해 픽셀 피치들을 상당히 압축시키고, IC의 비용을 감소시키며, 이후 각각의 픽셀 내의 OLED를 통해 흐르는 전류가 그것의 구동 트랜지스터의 임계 전압(Vth)에 의해 영향을 받지 않을 수 있도록 하며, 마지막으로 이미지 디스플레이의 균일성을 보장한다.
본 발명에 의해 해결될 기술적 문제점을 해결하도록 채택되는 기술적 해법은, 각각의 픽셀 구조체가 구동 유닛, 보상 유닛 및 발광 유닛을 포함하는 복수의 픽셀 구조체들을 포함하는 픽셀 회로이며, 여기서 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체에서, 제1 픽셀 구조체는 용량성 터치 유닛을 더 포함하고, 제2 픽셀 구조체는 감광성 터치 유닛을 더 포함하고; 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛은 데이터 라인을 공유하고, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛은 판독 라인을 포함하고, 여기서:
보상 유닛은, 발광 유닛을 통해 흐르는 전류에 대한 구동 트랜지스터의 임계 전압의 영향을 제거하기 위해, 구동 유닛 내의 구동 트랜지스터의 구동 전압을 조정하도록 구성되고, 데이터 라인은 구동 트랜지스터에 데이터 신호를 제공하도록 구성되고;
용량성 터치 유닛은 용량성 신호에 따른 대응하는 전기 신호를 생성하도록 구성되고, 데이터 라인은 용량성 터치 유닛에 초기 신호를 제공하도록 구성되고, 판독 라인은 용량성 터치 신호를 판독하도록 구성되고; 그리고
감광성 터치 유닛은 감광성 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록 구성되고, 데이터 라인은 감광성 터치 유닛에 초기 신호를 제공하도록 구성되고, 판독 라인은 감광성 터치 신호를 판독하도록 구성된다.
예를 들어, 용량성 터치 신호는 손가락 터치 신호이고, 감광성 터치 신호는 레이저 포인터 터치 신호이다.
바람직하게는, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 동일한 구조이고 대칭으로 배열되며, 데이터 라인은 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛과 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 사이에 배열되고, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 각자 접속된다.
바람직하게는, 제1 픽셀 구조체 내의 구동 유닛은 제1 구동 트랜지스터를 포함하고, 제2 픽셀 구조체 내의 구동 유닛은 제2 구동 트랜지스터를 포함하고; 제1 구동 트랜지스터 및 제2 구동 트랜지스터는 동일한 구조이고 대칭으로 배열되며; 데이터 라인은 제1 구동 트랜지스터와 제2 구동 트랜지스터 사이에 배열되고, 제1 구동 트랜지스터 및 제2 구동 트랜지스터에 각자 접속된다.
바람직하게는, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 제1 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 제5 트랜지스터, 제7 트랜지스터, 제9 트랜지스터 및 제1 커패시터를 포함하고, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 제2 트랜지스터, 제4트랜지스터, 제6 트랜지스터, 제8 트랜지스터, 제10 트랜지스터 및 제2 커패시터를 포함하고; 픽셀 회로는 제1 스캔 라인, 제2 스캔 라인, 제3 스캔 라인 및 발광 제어 신호 라인을 더 포함하고, 여기서:
제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고, 발광 제어 신호 라인에 또한 접속되고, 제1 트랜지스터의 제1 전극은 제2 트랜지스터의 제1 전극 및 고전압 단자에 각자 접속되고, 제1 트랜지스터의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
제3 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되고, 제3 트랜지스터의 제1 전극은 제1 커패시터의 하나의 단자 및 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 각자 접속되고, 제3 트랜지스터의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
제5 트랜지스터의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되고, 제5 트랜지스터의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 제5 트랜지스터의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고;
제7 트랜지스터의 게이트 전극은 제2 스캔 라인에 접속되고, 제7 트랜지스터의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제7 트랜지스터의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터의 제2 전극 및 제9 트랜지스터의 제1 전극에 각자 접속되고;
제9 트랜지스터의 게이트 전극은 제10 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고, 발광 제어 신호 라인에 또한 접속되고, 제9 트랜지스터의 제1 전극은 제1 구동 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고, 제9 트랜지스터의 제2 전극은 제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛에 접속되고;
제1 커패시터의 하나의 단자는 제1 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고, 제1 커패시터의 다른 단자는 제3 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
제2 트랜지스터의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
제4 트랜지스터의 게이트 전극은 제3 스캔 라인에 접속되고, 제4 트랜지스터의 제1 전극은 제2 커패시터의 하나의 단자 및 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 각자 접속되고, 제4 트랜지스터의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
제6 트랜지스터의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되고, 제6 트랜지스터의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 제6 트랜지스터의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고;
제8 트랜지스터의 게이트 전극은 제3 스캔 라인에 접속되고, 제8 트랜지스터의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제8 트랜지스터의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터의 제2 전극 및 제10 트랜지스터의 제1 전극에 각자 접속되고;
제10 트랜지스터의 제1 전극은 제2 구동 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고, 제10 트랜지스터의 제2 전극은 제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛에 접속되고; 그리고
제2 커패시터의 하나의 단자는 제2 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고, 제2 커패시터의 다른 단자는 제4 트랜지스터의 제1 전극에 접속된다.
바람직하게는, 용량성 터치 유닛은 제1 용량성 트랜지스터, 제2 용량성 트랜지스터, 제3 용량성 트랜지스터 및 제3 커패시터를 포함하고, 여기서:
제1 용량성 커패시터의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되고, 제1 용량성 트랜지스터의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제1 용량성 트랜지스터의 제2 전극은 제2 용량성 트랜지스터의 게이트 전극 및 제3 커패시터의 하나의 단자에 각자 접속되고;
제2 용량성 트랜지스터의 제1 전극은 제3 커패시터의 다른 단자 및 기준 전위 단자에 각자 접속되고, 제2 용량성 트랜지스터의 제2 전극은 제3 용량성 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고; 그리고
제3 용량성 트랜지스터의 게이트 전극은 감광성 터치 유닛에 접속되고, 제3 용량성 트랜지스터의 제1 전극은 판독 라인에 접속된다.
바람직하게는 감광성 터치 유닛은 제1 광 센서, 제2 광 센서, 제3 광 센서, 제4 광 센서 및 제4 커패시터를 포함하고, 여기서:
제1 광 센서의 게이트 전극은 제1 스캔 라인에 접속되고, 제1 광 센서의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 제1 광 센서의 제2 전극은 제2 광 센서의 제2 전극, 제4 광 센서의 게이트 전극 및 제1 전극에 각자 접속되고;
제2 광 센서의 게이트 전극은 용량성 터치 유닛 내의 제3 용량성 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고, 제2 광 센서의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제2 광 센서의 제2 전극은 제4 광 센서의 제1 전극에 접속되고;
제3 광 센서의 게이트 전극은 제3 스캔 라인에 접속되고, 제3 광 센서의 제1 전극은 제4 광 센서의 제2 전극에 접속되고, 제3 광 센서의 제2 전극은 판독 라인에 접속되고; 그리고
제4 커패시터의 하나의 단자는 제4 광 센서의 게이트 전극에 접속되고, 제4 커패시터의 다른 단자는 제4 광 센서의 제2 전극에 접속된다.
바람직하게는, 제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛은 그것의 애노드가 제9 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고 캐소드가 저전위 단자에 접속되는 제1 유기 발광 다이오드를 포함하고; 그리고
제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛은 그것의 애노드가 제10 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고 캐소드가 저전위 단자에 접속되는 제2 유기 발광 다이오드를 포함한다.
바람직하게는, 제1 트랜지스터 내지 제10 트랜지스터, 제1 광 센서 내지 제4 광 센서, 제1 용량성 트랜지스터 내지 제3 용량성 트랜지스터, 제1 구동 트랜지스터 및 제2 구동 트랜지스터는 모두 P 타입 박막 트랜지스터들이고, 제1 전극들은 소스 전극들이고, 제2 전극들은 드레인 전극들이다.
디스플레이 디바이스는 전술된 픽셀 회로를 포함한다.
바람직하게는, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체는 동일한 픽셀 유닛 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들이다.
픽셀 회로의 구동 방법에 있어서, 픽셀 회로는 복수의 픽셀 구조체들을 포함하고, 각각의 픽셀 구조체는 구동 유닛, 보상 유닛 및 발광 유닛을 포함하고, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체에서, 제1 픽셀 구조체는 용량성 터치 유닛을 더 포함하고, 제2 픽셀 구조체는 감광성 터치 유닛을 더 포함하고; 구동 방법은: 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛에 의해 데이터 라인을 시분할 멀티플렉싱하는 것, 및 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛에 의해 판독 라인을 시분할 멀티플렉싱하는 것을 포함한다.
바람직하게는, 하나의 프레임 시간 내에서, 구동 방법은 다음 단계(phase)들:
리셋 단계: 데이터 라인에 의해 리셋 신호를 제공하고, 보상 유닛에 의해 구동 유닛을 리셋하고, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛을 동시에 리셋하는 것;
제1 구동 단계: 데이터 라인에 의해 제1 구동 신호를 제공하고, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하고; 용량성 터치 유닛에 의해 용량성 터치 신호를 증폭하고 취득하고, 판독 라인을 통해 터치 실행 유닛에 용량성 터치 신호를 전송하고, 감광성 터치 유닛에 초기 신호를 주입(implanting)하는 것;
제2 구동 단계: 데이터 라인에 의해 제2 구동 신호를 제공하고, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하고; 용량성 터치 유닛의 터치 제어를 정체(stagnating)시키고; 감광성 터치 유닛에 의해 감광성 터치 신호를 증폭시키고 취득하고, 판독 라인을 통해 터치 실행 유닛에 감광성 터치 유닛을 전송하는 것; 및
발광 단계: 발광 제어 신호 라인에 의해 발광 신호를 제공하고, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛의 터치 제어를 정체시키고; 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체 내의 구동 유닛들 각자에 의해 광을 방출하도록 발광 유닛을 구동하는 것을 포함한다.
본 발명의 유리한 효과들은 다음과 같다: 픽셀 회로는 용량성 터치 기능과 감광성 터치 기능을 전체로 통합함으로써 터치의 유연성을 개선하고; 픽셀 회로는 인접하는 서브-픽셀 유닛들 내의 보상 유닛들을 전체로 결합시키고, 따라서 인접하는 서브-픽셀 유닛들은 하나의 데이터 라인을 공유하고(즉, 하나의 데이터 라인은 2개의 서브-픽셀 유닛들 내의 보상 유닛들을 제어하고), 이에 의해 2개의 서브-픽셀 유닛들을 구동하도록 보상 유닛을 공유한다. 따라서, 보상 회로 내의 트랜지스터들의 수 및 데이터 라인들의 수가 감소될 수 있고, 픽셀 피치는 상당히 압축될 수 있고, IC의 비용이 감소하며, 이에 의해 더 높은 이미지 품질 및 더 높은 PPI(Pixels Per Inch)(인치 당 픽셀들)을 획득한다. 반면, 그것은 픽셀들 내의 OLED를 통해 흐르는 불일치하는 전류들이 제조 프로세스 및 긴 시간의 동작으로 인해 픽셀들 내의 구동 트랜지스터들의 불일치하는 임계 전압들(Vth)에 의해 야기된다는 문제점을 해결하며, 이에 의해 각각의 픽셀 내의 OLED를 통해 흐르는 전류가 구동 트랜지스터의 임계 전압(Vth)에 의해 영향을 받지 않게 할 수 있고, 마지막으로 이미지 디스플레이의 균일함을 보장한다. 또한, 보상 유닛은, 픽셀 회로의 리셋 단계 (reset phase) 및 구동 단계 (drive phase) 내의 OLED를 통해 흐르는 전류가 존재하지 않음을 보장하는데, 이는 OLED의 서비스 수명을 간접적으로 연장한다.
도 1은 종래 기술에서의 2T1C 픽셀 회로의 개략도이다.
도 2는 종래 기술에서의 서브-픽셀 유닛들의 배열 모드의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예의 픽셀 회로의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예의 픽셀 회로의 구동 시퀀스 차트이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제1 실시예의 픽셀 회로의 구동 프로세스들을 예시하는 다이어그램들이다.
도 5a는 리셋 단계에서의 픽셀 회로의 개략도이다.
도 5b는 제1 구동 단계에서의 픽셀 회로의 개략도이다.
도 5c는 커패시터의 하나의 단자의 전위가 제1 구동 단계에서 용량성 터치 유닛 상의 용량성 터치에 의해 낮아짐을 예시하는 개략도이다.
도 5d는 제2 구동 단계에서의 픽셀 회로의 개략도이다.
도 5e는 발광 단계에서의 픽셀 회로의 개략도이다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 제2 실시예에서 서브-픽셀 유닛들의 배열 모드들의 개략도들이다.
[참조 번호들]
1: 구동 유닛; 2: 보상 유닛; 3: 발광 유닛;
4: 용량성 터치 유닛; 및 5: 감광성 터치 유닛
본 기술분야의 통상의 기술자가 본 발명의 기술적 해법들을 더 잘 해결하게 하기 위해, 본 발명의 픽셀 회로, 픽셀 회로의 구동 방법 및 디스플레이 디바이스는 첨부 도면들 및 특정 구현예들에 관해 하기에 상세하게 추가로 후술될 것이다.
제1 실시예
이 실시예는 픽셀 회로 및 픽셀 회로에 대응하는 구동 방법을 제공한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 픽셀 회로는 복수의 픽셀 구조체들을 포함하고, 각각의 픽셀 구조체는 하나의 서브-픽셀 유닛에 대해 사용된다. 구체적으로, 픽셀 회로는 구동 유닛(1), 보상 유닛(2) 및 발광 유닛(3)을 포함하고, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체에서, 구동 유닛(1)은 제1 픽셀 구조체 내의 구동 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 구동 유닛으로 구성되고, 보상 유닛(2)은 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛으로 구성되고, 발광 유닛(3)은 제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛으로 구성되고; 제1 픽셀 구조체는 용량성 터치 유닛(4)을 또한 포함하고, 제2 픽셀 구조체는 감광성 터치 유닛(5)을 또한 포함하고; 그리고 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 용량성 터치 유닛(4) 및 감광성 터치 유닛(5)은 데이터 라인을 공유하고, 용량성 터치 유닛(4) 및 감광성 터치 유닛(5)은 판독 라인을 공유한다.
보상 유닛(2)은 발광 유닛(3)을 통해 흐르는 전류에 대한 구동 트랜지스터의 임계 전압의 영향을 제거하기 위해, 구동 유닛(1) 내의 구동 트랜지스터의 구동 전압을 조정하도록 구성되고, 데이터 라인은 구동 트랜지스터에 데이터 신호를 제공하도록 구성된다.
용량성 터치 유닛(4)은 용량성 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록, 예를 들어, 손가락 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록 구성되고; 데이터 라인은 용량성 터치 유닛(4)에 초기 신호를 제공하도록 구성되고, 판독 라인은 용량성 터치 신호(예를 들어, 손가락 터치 신호)를 판독하도록 구성된다.
감광성 터치 유닛(5)은 감광성 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록, 예를 들어, 레이저 포인터 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록 구성되고; 데이터 라인은 감광성 터치 유닛(5)에 초기 신호를 제공하도록 구성되고, 판독 라인은 감광성 터치 신호(예를 들어, 레이저 포인터 터치 신호)를 판독하도록 구성된다.
바람직하게는, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 동일한 구조이고, 대칭으로 배열되며, (도면의 명료성을 위해 도 3의 한 측에 도시된) 데이터 라인은 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛과 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 사이에 배열되고, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 각자 접속된다.
구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 픽셀 구조체 내의 구동 유닛은 제1 구동 트랜지스터(DT1)를 포함하고, 제2 픽셀 구조체 내의 구동 유닛은 제2 구동 트랜지스터(DT2)를 포함하는데, 즉, DT1 및 DT2는 각자 2개의 서브-픽셀 유닛들의 구동 트랜지스터들이다. 제1 구동 트랜지스터(DT1) 및 제2 구동 트랜지스터(DT2)는 동일한 구조체이고 대칭으로 배열되며; 데이터 라인은 제1 구동 트랜지스터(DT1)와 제2 구동 트랜지스터(DT2) 사이에 배열되고, 제1 구동 트랜지스터(DT1)와 제2 구동 트랜지스터(DT2)에 각자 접속된다.
제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 제1 트랜지스터(T1), 제3 트랜지스터(T3), 제5 트랜지스터(T5), 제7 트랜지스터(T7), 제9 트랜지스터(T9) 및 제1 커패시터(C1)를 포함하고, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 제2 트랜지스터(T2), 제4 트랜지스터(T4), 제6 트랜지스터(T6), 제8 트랜지스터(T8), 제10 트랜지스터(T10) 및 제2 커패시터(C2)를 포함하고; 픽셀 회로는 제1 스캔 라인(스캔[1]), 제2 스캔 라인(스캔[2]), 제3 스캔 라인(스캔[3]) 및 발광 제어 신호 라인(EM)을 더 포함한다. 이 실시예에서, T1 내지 T10은 스위칭 트랜지스터들이고; 스캔[1], 스캔[2] 및 스캔[3] 모두는 스캔 신호들을 입력하고; EM은 광을 방출하도록 발광 유닛(3)을 제어하기 위한 발광 제어 신호를 입력하고; 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 저장 커패시터들이다.
구체적으로, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 접속되고, 발광 제어 신호 라인(EM)에 또한 접속되며, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극 및 고전위 단자(Vdd)에 각자 접속되고, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 제1 전극에 접속된다.
제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(스캔[2])에 접속되고, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제1 커패시터(C1)의 하나의 단자 및 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 각자 접속되고, 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 제1 전극에 접속된다.
제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(스캔[1])에 접속되고, 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속된다.
제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제2 스캔 라인(스캔[2])에 접속되고, 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 제2 전극 및 제9 트랜지스터(T9)의 제1 전극에 각자 접속된다.
제9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극은 제10 트랜지스터(T10)의 게이트 전극에 접속되고, 발광 제어 신호 라인(EM)에 또한 접속되고, 제9 트랜지스터(T9)의 제1 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 제2 전극에 접속되고, 제9 트랜지스터(T9)의 제2 전극은 제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛에 접속된다.
제1 커패시터(C1)의 하나의 단자는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 접속되고, 제1 커패시터(C1)의 다른 단자는 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극에 접속된다.
제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 제1 전극에 접속된다.
제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제3 스캔 라인(스캔[3])에 접속되고, 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제2 커패시터(C2)의 하나의 단자 및 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 각자 접속되고, 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 제1 전극에 접속된다.
제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(스캔[1])에 접속되고, 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 게이트 전극에 접속된다.
제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 제3 스캔 라인(스캔[3])에 접속되고, 제8 트랜지스터(T8)의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 제2 전극 및 제10 트랜지스터(T10)의 제1 전극에 각자 접속된다.
제10 트랜지스터(T10)의 제1 전극은 제2 구동 트랜지스터(DT2)의 제2 전극에 접속되고, 제10 트랜지스터(T10)의 제2 전극은 제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛에 접속된다.
제2 커패시터(C2)의 하나의 단자는 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극에 접속되고, 제2 커패시터(C2)의 다른 단지는 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극에 접속된다.
용량성 터치 유닛(4)은 제1 용량성 트랜지스터(M1), 제2 용량성 트랜지스터(M2), 제3 용량성 트랜지스터(M3) 및 제3 커패시터(C3)를 포함하고; M1은 신호 사전-충전 트랜지스터이고; M2는 전류 신호를 증폭시키는 역할을 수행하는 신호 증폭기 트랜지스터이고; M3는 스위칭 트랜지스터이다.
구체적으로, 제1 용량성 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(스캔[1])에 접속되고, 제1 용량성 트랜지스터(M1)의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제1 용량성 트랜지스터(M1)의 제2 전극은 제2 용량성 트랜지스터(M2)의 게이트 전극 및 제3 커패시터(C3)의 하나의 단자에 각자 접속된다.
제2 용량성 트랜지스터(M2)의 제1 전극은 제3 용량성 트랜지스터(M3)의 제2 전극에 접속되고, 제2 용량성 트랜지스터(M2)의 제2 전극은 제3 커패시터(C3)의 다른 단자 및 (커패시터의 리셋을 커플링시키기 위한) 기준 전위 단자에 각자 접속된다.
제3 용량성 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 감광성 터치 유닛(5)에 접속되고, 제3 용량성 트랜지스터(M3)의 제1 전극은 판독 라인에 접속된다.
감광성 터치 유닛(5)은 제1 광센서(N1), 제2 광 센서(N2), 제3 광 센서(N3), 제4 광 센서(N4) 및 제4 커패시터(C4)를 포함하고; N4는 광 센서인데, 즉, 광이 광 센서 상에 조사될 때, 광 전류가 생성될 것이고, 상이한 강도들을 가지는 광전류들이 상이한 광 강도들에 기초하여 생성될 것이다. N1, N2 및 N3는 스위칭 제어의 역할을 하는 스위칭 트랜지스터들이고, N2는 동시에 판독 광 감지 데이터의 역할을 또한 수행하며; C4는 광 센서들에 의해 생성되는 광전류들을 저장하도록 구성되는 저장 커패시터이다.
구체적으로, 제1 광 센서(N1)의 게이트 전극은 제1 스캔 라인(스캔[1])에 접속되고, 제1 광 센서(N1)의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 제1 광 센서(N1)의 제2 전극은 제2 광 센서(N2)의 제2 전극, 제4 광 센서(N4)의 게이트 전극 및 제1 전극에 각자 접속된다.
제2 광 센서(N2)의 게이트 전극은 용량성 터치 유닛(4) 내의 제3 용량성 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에 접속되고, 제2 광 센서(N2)의 제1 전극은 데이터 라인에 접속되고, 제2 광 센서(N2)의 제2 전극은 제4 광 센서(N4)의 제1 전극에 접속된다.
제3 광 센서(N3)의 게이트 전극은 제3 스캔 라인(스캔[3])에 접속되고, 제3 광 센서(N3)의 제1 전극은 제4 광 센서(N4)의 제2 전극에 접속되고, 제3 광 센서(N3)의 제2 전극은 판독 라인에 접속된다.
제4 커패시터(C4)의 하나의 단자는 제4 광 센서(N4)의 게이트 전극에 접속되고, 제4 커패시터(C4)의 다른 단자는 제4 광 센서(N4)의 제2 전극에 접속된다.
제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛은 그것의 애노드가 제9 트랜지스터(T9)의 제2 전극에 접속되고 캐소드가 저전위 단자에 접속되는 제1 유기 발광 다이오드(OLED1)를 포함한다.
제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛은 그것의 애노드가 제10 트랜지스터(T10)의 제2 전극에 접속되고 캐소드가 저전위 단자에 접속되는 제2 유기 발광 다이오드(OLED2)를 포함한다.
이 실시예에서, 픽셀 회로 내의 트랜지스터들은 예로서 박막 트랜지스터(TFT)를 사용함으로써 모두 기술된다. 이 실시예에서, 제1 트랜지스터(T1) 내지 제10 트랜지스터(T10), 제1 광 센서(N1) 내지 제4 광 센서(N4), 제1 용량성 트랜지스터(M1) 내지 제3 용량성 트랜지스터(M3), 제1 구동 트랜지스터(DT1) 및 제2 구동 트랜지스터(DT2)는 모두 P 타입 박막 트랜지스터들이고, 여기서 제1 전극들은 소스 전극들이고, 제2 전극들은 드레인 전극들이다. 또는, 픽셀 회로 내의 T1 내지 T10, N1 내지 N4 및 M1 내지 M3는 모두 N 타입 박막 트랜지스터들이고, 여기서 제1 전극들은 드레인 전극들이고, 제2 전극들은 소스 전극들이다. 또는 픽셀 회로 내의 T1 내지 T10, N1 내지 N4 및 M1 내지 M3는, 선택된 타입의 박막 트랜지스터들의 단자들이 대응적으로 접속되는 한, 하이브리드 모드로 N 타입 박막 트랜지스터 및 P 타입 박막 트랜지스터를 채택한다. 한편, 이 실시예에서, T1 내지 T10, N1 내지 N4 및 M1 내지 M3가 또한 박막 트랜지스터들에 제한되지 않으며, 본 발명이 요구되는 작업 모드에 따라 작용할 수 있게 하는 전압 제어 능력을 가지는 임의의 제어기가 본 발명에 적용가능하며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 실제 요구들에 따라 선택할 수 있으며, 이는 본원에서 더 이상 기술되지 않는다.
대응적으로, 이 실시예는 픽셀 회로의 구동 방법을 추가로 제공하며, 픽셀 회로는 복수의 픽셀 구조체들을 포함하고, 각각의 픽셀 구조체는 구동 유닛, 보상 유닛 및 발광 유닛을 포함하고, 여기서, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체에서, 제1 픽셀 구조체는 용량성 터치 유닛을 더 포함하고, 제2 픽셀 구조체는 감광성 터치 유닛을 더 포함하고; 구동 방법은 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛에 의해 데이터 라인을 시분할 멀티플렉싱하는 것, 및 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛에 의해 판독 라인을 시분할 멀티플렉싱하는 것을 더 포함한다.
구체적으로, 하나의 프레임 시간 내에, 구동 방법은 다음 단계들:
리셋 단계: 데이터 라인에 의해 리셋 신호를 제공하고, 보상 유닛에 의해 구동 유닛을 리셋하고, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛을 동시에 리셋하는 것;
제1 구동 단계: 데이터 라인에 의해 제1 구동 신호를 제공하고, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하고; 용량성 터치 유닛에 의해 용량성 터치 신호를 증폭하고 취득하고, 판독 라인을 통해 터치 실행 유닛에 용량성 터치 신호를 전송하고; 그리고 감광성 터치 유닛 내에 초기 신호를 주입하는 것;
제2 구동 단계: 데이터 라인에 의해 제2 구동 신호를 제공하고, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전시키고; 용량성 터치 유닛의 터치를 정체시키고; 감광성 터치 유닛에 의해 감광성 터치 신호를 증폭시키고 취득하고, 판독 라인을 통해 터치 실행 유닛에 감광성 터치 신호를 전송하는 것; 및
발광 단계: 발광 제어 신호 라인에 의해 발광 신호를 제공하고, 용량성 터치 유닛의 터치 및 감광성 터치 유닛의 터치를 정체시키고; 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체 내의 구동 유닛들 각자에 의해 광을 방출하도록 발광 유닛들을 구동하는 것을 포함한다.
구체적으로, 구동 방법의 위 단계들은 도 4에 도시된 시퀀스 차트에 관해 상세하게 설명될 것이다.
리셋 단계는 시퀀스 차트의 프로세스 1에 대응하고, 이 프로세스에서, EM은 하이 레벨을 입력하고, 스캔[1]은 로우 레벨을 입력하고, 스캔[2] 및 스캔[3]은 하이 레벨을 입력하고, 데이터 라인 전압(Vdata)은 하이 레벨(V1)이다. 도 5a는 리셋 단계에서 픽셀 회로의 트랜지스터들의 상태들을 예시하는 다이어그램이며, 여기서 'x'는 트랜지스터의 차단 상태(cut-off state)를 나타내고, 'x'의 부재는 트랜지스터의 온-상태(on-state)를 나타내고, 경로들 및 화살표들은 전류들의 방향들을 나타낸다. 도 5b, 도 5d 및 도 5e는 각자 제1 구동 단계, 제2 구동 단계 및 발광 단계인 픽셀 회로의 트랜지스터들의 상태들을 예시하는 다이어그램들이며, 'x'의 의미는 도 5a에서의 의미와 동일하다.
리셋 단계에서, 스캔[1]은 로우 레벨을 입력하는데, 왜냐하면, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극이 스캔[1]에 접속되고, 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극이 저전위 단자에 접속되고, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극이 스캔[1]에 접속되고, 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극이 저전위 단자에 접속되기 때문이며, 따라서 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴온되고, 다른 스위칭 트랜지스터들(T1 내지 T4, T7 내지 T10)은 모두 차단되고; 제1 커패시터(C1)의 하나의 단자에서의 포인트(a1) 및 제2 커패시터(C2)의 하나의 단자에서의 포인트(a2)는 모두 접지되며, 포인트(a1) 및 포인트(a2)의 전위들은 모두 0V이다.
또한, 리셋 단계에서, Vdata는 용량성 터치 유닛에 리셋 신호를 제공하기 위한 하이 레벨(V1)인데, 왜냐하면, 제1 용량성 트랜지스터(M1)의 게이트 전극이 스캔[1]에 접속되고 제1 용량성 트랜지스터(M1)의 제1 전극이 Vdata에 접속되기 때문이며, 따라서, M1은 턴온되고, 포인트(d)의 전위는 V1이고; 제2 용량성 트랜지스터(M2) 및 제3 용량성 트랜지스터(M3)는 이때 모두 차단된다. 이 프로세스는 용량성 터치(예를 들어, 손가락 터치)를 수용하기 위한 준비이다.
추가로, 리셋 단계에서, 제1 광 센서(N1)의 게이트 전극이 스캔[1]에 접속되고, 제1 광 센서(N1)의 제1 전극이 저전위 단자에 접속되기 때문에, 따라서, N1이 턴온되고, 제4 커패시터(C4) 및 제4 광 센서(N4)는 접지되어 리셋되고, 포인트(e)의 전위는 0V이다. 이 프로세스는 다음 단계에서 제4 광 센서(N4)에 의한 광 감지를 위한 준비이며, 이때, N2 및 N3는 차단된다.
제1 구동 단계는 시퀀스 차트에서의 프로세스 2에 대응하며, 이 프로세스에서, EM은 하이 레벨을 입력하고, 스캔[1] 및 스캔[3]은 하이 레벨을 입력하고, 스캔[2]은 로우 레벨을 입력하고, Vdata는 하이 레벨(V1)이다. 이 프로세스는 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하는 프로세스; 용량성 터치 유닛의 용량성 터치 신호들을 증폭시키고 취득하는 프로세스, 및 감광성 터치 유닛 내에 초기 신호를 주입하는 프로세스를 포함하고, 도 5b는 제1 구동 단계에서 픽셀 회로 내의 트랜지스터들의 상태들을 예시하는 다이어그램이다.
제1 구동 단계에서, T3, T7 및 DT1은 턴온되고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 픽셀 구조체는 화살표에 의해 표시되는 방향으로 T7, DT1 및 T3을 통과하는 경로를 따라 방전하고, 따라서, 방전의 최종 결과는: 포인트(a1)의 전위가 V1-Vth1이고, 포인트(b1)의 전위가 Vdd라는 것이며, 여기서, Vth1은 DT1의 임계 전압이다.
또한, 제1 구동 단계에서, M1은 차단되고, M2 및 M3는 턴온된다. 한편으로 이 단계에서의 커플링 펄스 신호(Vcom)가 제3 커패시터(C3)의 하나의 단자 상의 전위를 제공하고, 다른 한편으로 증폭기 트랜지스터(M2)의 소스 전극으로서 간주된다는 것이 이해되어야 한다. 용량성 터치는 직접 M2의 게이트 전극의 전위를 낮추는 것을 초래할 것이며, M2의 소스-게이트 전압(VGS)이 트랜지스터의 온-상태 조건을 만족할 때만, 신호가 M2를 통과할 것이다. 따라서, 이 단계는 용량성 터치 유닛의 버퍼 단계며 즉, M2의 게이트 전극의 전위를 낮추는 것을 기다리는데, 즉, 손가락 터치를 기다린다.
도 5c는 터치 전극(즉, 제3 커패시터(C3))이 손가락에 의해 터치되고 포인트(d)의 전위가 낮아지는 경우를 예시하는 개략도를 도시한다. 손가락 터치(도 5c에서의 Cf와 등가임)는 직접 포인트(d)의 전위를 낮추어, M2의 온-상태 조건을 달성하여, 따라서 M2가 턴온되는 것을 초래하며; M2의 I-V 특성 곡선이 증폭 영역 내에 있을 때, M2는, 터치 신호들의 취득에 유리하도록, 커플링 펄스 신호(Vcom)(도 5c에서의 Va와 등가임)를 증폭시키기 위한 증폭기 트랜지스터로서 간주된다. 손가락 터치 신호들의 취득 프로세스에서, X 방향의 신호들은 스캔 신호 라인(스캔[2])을 통해 수평으로 취득되고, 동시에, Y 방향의 신호들은 판독 라인을 통해 세로로(longitudinally) 취득되고, 따라서, 손가락에 의해 터치된 위치의 X 및 Y 좌표들을 결정한다. 이 단계에서, 손가락이 터치하는 동안, 그것의 위치들의 좌표들은 언제든 취득될 수 있다. 이 단계에서는, 판독 라인을 사용하여 터치 신호들을 취득하기 위한 제1 시간이다.
추가로, 이 실시예에서, N4는 광 센서이고, 제1 구동 단계에서, N4의 게이트 전극 및 소스 전극이 접속되고, N1은 차단되고, N2는 턴온되고, 커플링 전압(V1)이 출력되고, 포인트(e)의 전위는 V1이다.
제2 구동 단계는 시퀀스 차트의 프로세스 3에 대응하고, 이 프로세스에서, EM은 하이 레벨을 입력하고, 스캔[1] 및 스캔[2]은 하이 레벨을 입력하고, 스캔[3]은 로우 레벨을 입력하고, Vdata는 하이 레벨(V2)이다. 이 단계는 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하는 프로세스 ― 용량성 터치 유닛은 데드 상태임 ―, 및 감광성 터치 유닛의 초기 신호를 증폭시키고 취득하는 프로세스를 포함하고, 도 5d는 제2 구동 단계에서 픽셀 회로 내의 트랜지스터들의 상태들을 예시하는 다이어그램이다.
제2 구동 단계에서, T4, T8 및 DT2는 턴온되고, 도 5d에 도시된 바와 같이, 제2 픽셀 구조체는 화살표에 의해 표시된 방향으로 T8, DT2 및 T4를 통과하는 경로를 따라 방전하고, 따라서, 방전의 최종 결과는: 포인트(a2)의 전위가 V2-Vth2이고, 포인트(b2)의 전위가 Vdd라는 것이며, 여기서 Vth2는 DT2의 임계 전압이다.
제2 구동 단계에서, 용량성 터치 유닛 내의 트랜지스터들은 모두 차단되고, 용량성 터치 유닛은 데드 상태이다.
추가로, 제2 구동 단계에서, 제2 광 센서(N2)의 자체 전위 변환 이후, 제4 커패시터(C4)에 저장된 전위차는 이때 고정된 값이며, 광이 픽셀 구조체 상에 조사될 때, 제4 광 센서(N4)에 의해 수신되는 광의 강도는 증가하고, 충전 전류가 증가하고, 전압은 C4의 2개 단자에 일시적으로 저장된다. 이후, 증폭된 저장된 신호가 디스플레이 디바이스 내의 증폭기에 전송되어 추후 증폭되고, 추후 증폭되는 신호는 데이터 계산 및 분석을 위해 판독 라인을 통해 디스플레이 디바이스 내의 프로세서에 전송된다. 이 단계에서 레이저 포인터 터치 동작이 발생하는 경우, 프로세서는 터치 전후의 광전기 신호 강도 사이의 변경 차이 값을 비-터치 임계 값과 비교하여, 터치가 존재하는지의 여부를 판단할 것이고(광전기 신호 강도들 사이의 변경 값이 임계 값보다 더 큰 경우, 터치가 존재함); 터치가 존재하는 경우, X 방향의 신호들은 스캔 신호 라인(스캔[3])에 의해 수평으로 취득되어 X 좌표를 결정하는 반면, Y 방향으로의 신호들은 판독 라인에 의해 길이방향으로 취득되어 Y 좌표를 결정한다. 이 단계에서는, 판독 라인을 사용하여 터치 신호들을 취득하기 위한 제2 시간이다.
발광 단계는 시퀀스 차트의 프로세스 4에 대응하고, 이 프로세스에서, EM은 로우 레벨을 입력하고, 스캔[1], 스캔[2] 및 스캔[3]은 하이 레벨을 입력하고, Vdata는 로우 레벨에 있다. 이 단계에서, 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛들은 광을 방출하고, 용량성 터치 유닛은 데드 상태이며, 감광성 터치 유닛은 데드 상태이고, 도 5e는 발광 단계에서 픽셀 회로 내의 트랜지스터들의 상태들을 예시하는 다이어그램이다.
발광 단계에서, EM은 로우 레벨 신호를 입력하고, 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체는 Vdd에서 모두 스위칭된다. 이때, T1, T9 및 DT1은 턴온되고, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제1 픽셀 구조체는 화살표에 의해 표시되는 방향으로 T1, DT1 및 T9을 통과하는 경로를 따라 OLED1에 구동 전류(IOLED1)를 제공하고, OLED1는 광을 방출하고; T2, T10 및 DT2는 턴온되고, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제2 픽셀 구조체는 화살표에 의해 표시되는 방향으로 T2, DT2 및 T10을 통과하는 경로를 따라 OLED2에 구동 전류(IOLED2)를 제공하고, OLED2는 광을 방출한다.
구동 트랜지스터의 포화 전류에 대한 공식에 따르면, OLED1을 통해 흐르는 전류는:
Figure 112016118704316-pct00001
이다. 유사한 방식으로, OLED2를 통해 흐르는 전류는:
Figure 112016118704316-pct00002
이다.
위의 2가지 공식으로부터, 이때, OLED1 및 OLED2를 통해 흐르는 구동 전류들이 이들의 구동 트랜지스터들의 임계 전압들(Vth)에 의해 영향을 받는 것이 아니라, 오직 Vdata에만 관련되며, 이에 의해, 제조 프로세스 및 긴 시간의 동작으로 인한 트랜지스터들의 임계 전압 드리프트에 의해 야기되는 구동 전류들(IOLED)에 대한 영향의 문제점을 완전히 해결하고, OLED의 정상 동작을 보장함을 알 수 있다.
발광 단계에서, 용량성 터치 유닛 내의 모든 트랜지스터들이 차단되고, 용량성 터치 유닛은 데드 상태이고; 감광성 터치 유닛 내의 모든 트랜지스터들은 차단되고, 감광성 터치 유닛은 데드 상태이다.
즉, 발광 단계에서, 구동 유닛, 보상 유닛 및 발광 유닛만이 동작하며, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛은 데드 상태이고, 따라서, 발광 유닛에 대한 영향이 최소화될 수 있다.
이 실시예의 픽셀 회로에서, 2개의 픽셀 구조체들은 보상 회로를 공유함으로써 구동되고, 따라서, 보상 회로 내의 트랜지스터들의 수는 크게 감소하며, 피치 픽셀의 크기가 상당히 압축되고, IC의 비용이 감소하며, 이에 의해, 더 높은 이미지 품질 및 더 높은 PPI(인치 당 픽셀)를 획득한다.
추가로, 픽셀 회로 내의 데이터 라인을 시분할 멀티플렉싱함으로써, 용량성 터치 기능 및 감광성 터치 기능은 추가로 통합되고, 따라서, 픽셀 회로를 포함하는 디스플레이 스크린 자체가 손가락 터치와 같은 용량성 터치의 요건을 만족할 뿐만 아니라, 레이저 포인터 터치와 같은 감광성 터치의 터치를 위한 더 양호한 식별 기능을 가진다. 반면, 픽셀 회로는 시간 도메인 취득 없이 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛의 길이방향 신호들 상의 스캐닝을 달성한다. 이러한 방식으로, 판독 라인은 시분할 형태로 멀티플렉싱되어 터치 좌표 신호의 취득을 달성할 수 있고, 판독 라인은 픽셀 구조체들 사이에 배치되어, 이에 의해 배선 공간을 절감하고 더 높은 PPI를 추가로 획득할 수 있다.
제2 실시예
이 실시예는 제1 실시예의 픽셀 회로를 포함하는, 디스플레이 디바이스를 제공한다.
디스플레이 디바이스는 행렬 형태로 배열되는 복수의 픽셀 구조체들을 포함하고, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체는 동일한 픽셀 유닛 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들일 수 있거나, 또는 상이한 인접 픽셀 유닛들 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들일 수 있다. 디스플레이 디바이스 내의 픽셀 유닛들에 대한 설계에 따르면, 도 6a에 도시된 바와 같이, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체가 동일한 픽셀 유닛 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들인 픽셀 배열 모드, 또는 도 6b에 도시된 바와 같이, 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체가 상이한 인접하는 픽셀 유닛들 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들인 픽셀 배열 모드가, 실제 요구들에 따라 설계될 수 있다.
위 배열 모드들 중 어느 것에서든, 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛은 데이터 라인을 공유하고, 용량성 터치 유닛 및 감광성 터치 유닛은 판독 라인을 공유하는데, 이는, 구동 요건을 만족시킬 수 있을 뿐만 아니라, 더 작은 픽셀 피치 및 더 미세한 픽셀 해상도를 달성하기 위해, 배선 공간을 절감할 수도 있다.
종래 기술에서의 공통적인 RGB 픽셀 배열 모드에 따라, 도 6a 및 도 6b에 도시된 배열 모드들 중 임의의 하나가 사용될 수 있고, 소위 서브-픽셀은 구동 유닛, 보상 유닛 및 터치 유닛(용량성 터치 유닛)으로 구성되고, 서브-픽셀은 또다른 구동 유닛, 또다른 보상 유닛 및 또다른 터치 유닛(감광성 터치 유닛)으로 구성되고, 여기서 'C'는 용량성 터치 유닛을 나타내고, 'P'는 감광성 터치 유닛을 나타내고, 단지 용이하게 이해되도록 하기 위해, 도면들의 좌측 상에 판독 라인이 도시된다는 것이 이해되어야 한다.
터치 해상도의 요건들에 따르면, 본원에서, 'C' 및 'P'를 가지는 서브-픽셀들은, 시분할 멀티플렉싱을 위한 데이터 라인 및 판독 라인이 동일한 픽셀 유닛에 속하는 한, 자유롭게 주기적 배열 상태에 있을 수 있다. 따라서, 픽셀의 컬러들이 RGB 3-색 배열보다 더 많을 때, 예를 들어, RGBW 4-색 픽셀을 포함할 때, 서브-픽셀들이 배열 순서에 따라 쌍-방식으로 결합되어 쌍으로 배열되는 서브-픽셀 구조체들을 형성하여, 동일한 픽셀 유닛 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들을 제1 실시예의 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체로 형성한다는 것을 이해하기가 용이하다.
디스플레이 디바이스는: 전자 신문, 모바일 폰, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 디스플레이 디바이스, 노트북 컴퓨터, 디지털 포토 프레임 및 내비게이터를 가지는 임의의 제품 또는 컴포넌트일 수 있다.
이 실시예에서의 디스플레이 디바이스는, 다양한 터치 모드들에 적용가능한 제1 실시예에서 예시된 픽셀 회로를 사용하며, 높은 픽셀 해상도, 높은 디스플레이 품질, 작은 부피 및 긴 서비스 수명을 가진다.
본 발명에서의 픽셀 회로는 용량성 터치 기능 및 감광성 터치 기능을 전체로 통합함으로써 터치의 유연성을 개선하고; 픽셀 회로는 인접하는 서브-픽셀 유닛들 내의 보상 유닛들을 전체로 추가로 결합시키고, 따라서, 인접하는 서브-픽셀 유닛들은 하나의 데이터 라인을 공유하고(즉, 하나의 데이터 라인이 2개의 서브-픽셀 유닛들 내의 보상 유닛들을 제어한다), 이에 의해 보상 유닛을 공유하여 2개의 서브-픽셀 유닛들을 구동한다. 따라서, 보상 회로 내의 트랜지스터들의 수 및 데이터 라인들의 수가 감소할 수 있고, 픽셀 피치의 크기가 현저하게 압축될 수 있고, IC의 비용이 감소하며, 이에 의해 더 높은 이미지 품질 및 더 높은 PPI를 획득한다.
본 발명의 픽셀 회로는, 구동 전류가 제조 프로세스 및 긴 시간의 동작으로 인해 픽셀들의 구동 트랜지스터들의 불일치하는 임계 전압들(Vth)에 의해 영향을 받는다는 문제점을 또한 해소하며, 이에 의해, 각각의 픽셀 내의 OLED를 통해 흐르는 전류가 구동 트랜지스터의 임계 전압(Vth)에 의해 영향을 받지 않을 수 있게 하고, 마지막으로 이미지 디스플레이의 균일성을 보장한다. 또한, 보상 유닛은, 픽셀 회로의 리셋 단계 및 구동 단계에서 OLED를 통해 흐르는 전류가 존재하지 않음을 보장하는데, 이는 OLED의 서비스 수명을 간접적으로 연장한다.
전술된 바와 같은 구현예들이 본 발명의 원리들을 기술하기 위해 사용된 단지 예시적인 구현예들이지만, 본 발명이 이에 제한되지 않는다는 것이 이해될 수 있다. 본 기술분야의 통상의 기술자에게 있어, 본 발명의 사상 및 본질로부터의 이탈 없이 다양한 변형들 및 개선들이 이루어질 수 있으며, 이러한 변형들 및 개선들은 또한 본 발명의 보호 범위에 드는 것으로 간주되어야 한다.

Claims (12)

  1. 복수의 픽셀 구조체들을 포함하는 픽셀 회로로서, 각각의 픽셀 구조체는 구동 유닛, 보상 유닛 및 발광 유닛을 포함하고, 인접하는 제1 픽셀 구조체와 제2 픽셀 구조체에서, 상기 제1 픽셀 구조체는 용량성 터치 유닛을 더 포함하고, 상기 제2 픽셀 구조체는 감광성 터치 유닛을 더 포함하고; 상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 상기 용량성 터치 유닛 및 상기 감광성 터치 유닛은 데이터 라인을 공유하고, 상기 용량성 터치 유닛 및 상기 감광성 터치 유닛은 판독 라인을 공유하고,
    상기 보상 유닛은, 상기 발광 유닛을 통해 흐르는 전류에 대한 구동 트랜지스터의 임계 전압의 영향을 제거하기 위해, 상기 구동 유닛 내의 상기 구동 트랜지스터의 구동 전압을 조정하도록 구성되고, 상기 데이터 라인은 상기 구동 트랜지스터에 데이터 신호를 제공하도록 구성되고;
    상기 용량성 터치 유닛은 용량성 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 데이터 라인은 상기 용량성 터치 유닛에 초기 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 판독 라인은 상기 용량성 터치 신호를 판독하도록 구성되고;
    상기 감광성 터치 유닛은 감광성 터치 신호에 따라 대응하는 전기 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 데이터 라인은 상기 감광성 터치 유닛에 초기 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 판독 라인은 상기 감광성 터치 신호를 판독하도록 구성되고,
    상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 동일한 구조체이고 대칭으로 배열되고, 상기 데이터 라인은 상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 사이에 배열되고, 각자 상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛 및 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 접속되고,
    상기 제1 픽셀 구조체 내의 구동 유닛은 제1 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 픽셀 구조체 내의 구동 유닛은 제2 구동 트랜지스터를 포함하고; 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터는 동일한 구조체이며 대칭으로 배열되고; 상기 데이터 라인은 상기 제1 구동 트랜지스터와 상기 제2 구동 트랜지스터 사이에 배열되고, 각자 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터에 접속되고,
    상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 제1 트랜지스터, 제3 트랜지스터, 제5 트랜지스터, 제7 트랜지스터, 제9 트랜지스터 및 제1 커패시터를 포함하고, 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛은 제2 트랜지스터, 제4 트랜지스터, 제6 트랜지스터, 제8 트랜지스터, 제10 트랜지스터 및 제2 커패시터를 포함하고; 상기 픽셀 회로는 제1 스캔 라인, 제2 스캔 라인, 제3 스캔 라인 및 발광 제어 신호 라인을 더 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고, 또한 상기 발광 제어 신호 라인에 접속되고, 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제2 트랜지스터의 제1 전극 및 고전압 단자에 각자 접속되고, 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
    상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 스캔 라인에 접속되고, 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제1 커패시터의 하나의 단자 및 상기 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 각자 접속되고, 상기 제3 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
    상기 제5 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되고, 상기 제5 트랜지스터의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 상기 제5 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고;
    상기 제7 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제2 스캔 라인에 접속되고, 상기 제7 트랜지스터의 제1 전극은 상기 데이터 라인에 접속되고, 상기 제7 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 구동 트랜지스터의 제2 전극 및 상기 제9 트랜지스터의 제1 전극에 각자 접속되고;
    상기 제9 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제10 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고, 상기 발광 제어 신호 라인에 또한 접속되고, 상기 제9 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제1 구동 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고, 상기 제9 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛에 접속되고;
    상기 제1 커패시터의 하나의 단자는 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고, 상기 제1 커패시터의 다른 단자는 상기 제3 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
    상기 제2 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
    상기 제4 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3 스캔 라인에 접속되고, 상기 제4 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제2 커패시터의 하나의 단자 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 각자 접속되고, 상기 제4 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 구동 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고;
    상기 제6 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되고, 상기 제6 트랜지스터의 제1 전극은 저전위 단자에 접속되고, 상기 제6 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고;
    상기 제8 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3 스캔 라인에 접속되고, 상기 제8 트랜지스터의 제1 전극은 상기 데이터 라인에 접속되고, 상기 제8 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 구동 트랜지스터의 제2 전극 및 상기 제10 트랜지스터의 제1 전극에 각자 접속되고;
    상기 제10 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제2 구동 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고, 상기 제10 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛에 접속되고; 그리고
    상기 제2 커패시터의 하나의 단자는 상기 제2 트랜지스터의 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 다른 단자는 상기 제4 트랜지스터의 제1 전극에 접속되는 픽셀 회로.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 용량성 터치 유닛은 제1 용량성 트랜지스터, 제2 용량성 트랜지스터, 제3 용량성 트랜지스터 및 제3 커패시터를 포함하고,
    상기 제1 용량성 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되고, 상기 제1 용량성 트랜지스터의 제1 전극은 상기 데이터 라인에 접속되고, 상기 제1 용량성 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제2 용량성 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제3 커패시터의 하나의 단자에 각자 접속되고;
    상기 제2 용량성 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제3 커패시터의 다른 단자 및 기준 전위 단자에 각자 접속되고, 상기 제2 용량성 트랜지스터의 제2 전극은 상기 제3 용량성 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고; 그리고
    상기 제3 용량성 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 감광성 터치 유닛에 접속되고, 상기 제3 용량성 트랜지스터의 제1 전극은 상기 판독 라인에 접속되는 픽셀 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 감광성 터치 유닛은 제1 광 센서, 제2 광 센서, 제3 광 센서, 제4 광 센서 및 제4 커패시터를 포함하고,
    상기 제1 광 센서의 게이트 전극은 상기 제1 스캔 라인에 접속되고, 상기 제1 광 센서의 제1 전극은 상기 저전위 단자에 접속되고, 상기 제1 광 센서의 제2 전극은 상기 제2 광 센서의 제2 전극, 상기 제4 광 센서의 게이트 전극 및 제1 전극에 각자 접속되고;
    상기 제2 광 센서의 게이트 전극은 상기 용량성 터치 유닛 내의 제3 용량성 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되고, 상기 제2 광 센서의 제1 전극은 상기 데이터 라인에 접속되고, 상기 제2 광 센서의 제2 전극은 상기 제4 광 센서의 제1 전극에 접속되고;
    상기 제3 광 센서의 게이트 전극은 상기 제3 스캔 라인에 접속되고, 상기 제3 광 센서의 제1 전극은 상기 제4 광 센서의 제2 전극에 접속되고, 상기 제3 광 센서의 제2 전극은 상기 판독 라인에 접속되고; 그리고
    상기 제4 커패시터의 하나의 단자는 상기 제4 광 센서의 게이트 전극에 접속되고, 상기 제4 커패시터의 다른 단자는 상기 제4 광 센서의 제2 전극에 접속되는 픽셀 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 픽셀 구조체 내의 발광 유닛은 애노드가 상기 제9 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고 캐소드가 상기 저전위 단자에 접속되는 제1 유기 발광 다이오드를 포함하고; 그리고
    상기 제2 픽셀 구조체 내의 발광 유닛은 애노드가 상기 제10 트랜지스터의 제2 전극에 접속되고 캐소드가 상기 저전위 단자에 접속되는 제2 유기 발광 다이오드를 포함하는 픽셀 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터 내지 상기 제10 트랜지스터, 상기 제1 광 센서 내지 상기 제4 광 센서, 상기 제1 용량성 트랜지스터 내지 상기 제3 용량성 트랜지스터, 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터는 모두 P 타입 박막 트랜지스터들이고, 상기 제1 전극들은 소스 전극들이고, 상기 제2 전극들은 드레인 전극들인 픽셀 회로.
  9. 제1항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 픽셀 회로를 포함하는 디스플레이 디바이스.
  10. 제9항에 있어서, 상기 인접하는 제1 픽셀 구조체 및 제2 픽셀 구조체는 동일한 픽셀 유닛 내의 인접하는 서브-픽셀 유닛들인 디스플레이 디바이스.
  11. 제1항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 회로의 구동 방법으로서,
    상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛, 상기 용량성 터치 유닛 및 상기 감광성 터치 유닛에 의해 데이터 라인을 시분할 멀티플렉싱(time division multiplexing)하는 단계, 및 상기 용량성 터치 유닛과 상기 감광성 터치 유닛에 의해 판독 라인을 시분할 멀티플렉싱하는 단계
    를 포함하는 구동 방법.
  12. 제11항에 있어서, 하나의 프레임 시간 내에서, 상기 구동 방법은 다음의 단계(phase)들:
    리셋 단계: 상기 데이터 라인에 의해 리셋 신호를 제공하고, 상기 보상 유닛에 의해 상기 구동 유닛을 리셋하고, 상기 용량성 터치 유닛 및 상기 감광성 터치 유닛을 동시에 리셋하는 단계;
    제1 구동 단계: 상기 데이터 라인에 의해 제1 구동 신호를 제공하고, 상기 제1 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하고; 상기 용량성 터치 유닛에 의해 용량성 터치 신호를 증폭하고 취득하고, 상기 판독 라인을 통해 터치 실행 유닛에 상기 용량성 터치 신호를 전송하고; 상기 감광성 터치 유닛에 초기 신호를 주입(implanting)하는 단계;
    제2 구동 단계: 상기 데이터 라인에 의해 제2 구동 신호를 제공하고, 상기 제2 픽셀 구조체 내의 보상 유닛에 의해 방전하고; 상기 용량성 터치 유닛의 터치 제어를 정체(stagnating)시키고; 상기 감광성 터치 유닛에 의해 감광성 터치 신호를 증폭시키고 취득하고, 상기 판독 라인을 통해 상기 터치 실행 유닛에 상기 감광성 터치 신호를 전송하는 단계; 및
    발광 단계: 발광 제어 신호 라인에 의해 발광 신호를 제공하고, 상기 용량성 터치 유닛 및 상기 감광성 터치 유닛의 터치 제어를 정체시키고; 상기 제1 픽셀 구조체 및 상기 제2 픽셀 구조체 각자 내의 구동 유닛들에 의해 광을 방출하도록 상기 발광 유닛을 구동하는 단계
    를 포함하는 구동 방법.
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