CN103135846B - 触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例公开一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置,涉及显示器制造领域,能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,同时提高开口率增加产品附加值。该触控显示电路结构,包括触控单元和显示单元;与所述触控单元连接的数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号采集线及第一信号控制线;与所述显示单元连接的所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线和第二信号控制线;本发明的实施例应用于显示器制造。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
有机发光显示器(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode,AMOLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA(PersonalDigitalAssistant,掌上电脑)、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器)显示屏。目前Incelltouch(像素单元内部触控)技术已经成功应用在LCD显示器上,业内一线生产商都已经成功量产,但是由于专利技术和良率上的限制,仍然不能大规模在市场上彻底取代Addon(在显示装置的出光侧附加一层用于触控的电容薄膜)和OGS(OneGlassSolution,一体化触控)产品,而将AMOLED与Incelltouch相结合的产品还很不成熟,在此类产品的制程工艺中,存在产品制程工艺繁琐,且制成品开口率较低的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置,能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种触控显示电路结构,包括触控单元和显示单元;与所述触控单元连接的数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号采集线及第一信号控制线;与所述显示单元连接的所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线和第二信号控制线;
其中所述触控单元包括:第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、第一触控电极及放大晶体管;
所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线,所述第一开关晶体管的栅极连接所述第一信号控制线;
所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极;
所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极,所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线;
所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极,所述第二开关晶体管的漏极连接所述信号采集线;
所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线,所述第一电容的第二极连接所述触控电极;
所述显示单元包括:发光模块、第二电容、驱动晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管;
所述第三开关晶体管的栅极连接所述第二信号控制线,所述第三开关晶体管的源极连接第一电平端,所述第三开关晶体管的漏极连接所述第二电容的第一极;
所述第四开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第四开关晶体管的源极连接低电平,所述第四开关晶体管的漏极连接所述第二电容的第二极;
所述第五开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第五开关晶体管的源极连接所述第二电容的第二极;
所述第六开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第六开关晶体管的源极连接所述数据线,所述第六晶体管的漏极连接所述第三晶体管的漏极;
所述驱动晶体管的栅极连接所述第六开关晶体管的漏极,所述驱动晶体管的源极连接所述第二电容的第一极;
所述发光模块连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述驱动晶体管的漏极和第二电平端,通过所述第一扫描线或第二扫描线控制所述驱动晶体管的漏极及所述第二电平端驱动所述发光模块。
可选的,所述发光模块还连接所述低电平,所述发光模块包括:第七开关晶体管和发光器件;
所述第七开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第七开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极,所述第七开关晶体管的漏极连接所述低电平;
所述发光器件的一极连接所述驱动晶体管的漏极,所述发光器件的另一极连接第二电平端。
可选的,所述发光模块包括:第七开关晶体管和发光器件;
所述第七开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第七开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极;
所述发光器件的一极连接所述第七开关晶体管的漏极,所述发光器件的另一极连接第二电平端。
可选的,第二开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管为同一类型晶体管,均连接同一条扫描线。
可选的,第四开关晶体管、第六开关晶体管与第五开关晶体管为同一类型晶体管时,第四开关晶体管、第六开关晶体管均连接第一扫描线,第五开关晶体管的栅极连接第二扫描线。
可选的,所述驱动晶体管和所述放大晶体管均为“P”型晶体管。
可选的,所述驱动晶体管、所述放大晶体管和开关晶体管均为“P”型晶体管。
一方面,提供一种触控显示电路结构的驱动方法,包括:
第一阶段,第一开关晶体管和第五开关晶体管导通、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、驱动晶体管和放大晶体管截止,数据线输入高电平重置信号,第一触控电极电压升高;
第二阶段,所述第一开关晶体管和第五开关晶体管截止,所述第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管和所述放大晶体管导通,第一电平端向第二电容充电;
第三阶段,所述第一开关晶体管、第三开关晶体管和第五开关晶体管截止,所述第二开关晶体管、所述第四开关晶体管、第六开关晶体管导通导通,第二扫描线提供高电平耦合脉冲信号,当触控电极受到触摸时,所述第一电容的第二极放电直至所述放大晶体管的栅极和源极的电压差等于所述放大晶体管的阈值电压,所述放大晶体管将所述第二扫描线提供的耦合脉冲信号放大输出至信号采集线上,所述第二电容放电直至所述驱动晶体管的栅极和源极的电压差等于所述驱动晶体管的阈值电压;
第四阶段,所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管和所述放大晶体管截止,所述第三开关晶体管和第五开关晶体管导通,所述第一电平端和第二电平端向发光模块施加发光信号。
可选的,所述发光模块包括第七开关晶体管和发光器件,且所述第七开关晶体管的源极、漏极与所述发光器件的两极并联时,所述方法还包括:
所述第一阶段所述第七开关晶体管截止;
所述第二阶段所述第七开关晶体管导通;
所述第三阶段所述第七开关晶体管导通;
所述第四阶段所述第七开关晶体管截止,所述第一电平端和第二电平端向发光器件施加导通信号。
可选的,所述发光模块包括第七开关晶体管和发光器件,且所述第七开关晶体管的源极、漏极与所述发光器件两极串联时,所述方法还包括:
所述第一阶段所述第七开关晶体管导通;
所述第二阶段所述第七开关晶体管截止;
所述第三阶段所述第七开关晶体管截止;
所述第四阶段所述第七开关晶体管导通,所述第一电平端和第二电平端向发光器件施加导通信号。
可选的,所述驱动晶体管和所述放大晶体管均为“P”型晶体管。
一方面,提供一种阵列基板,其特征在于,包括:
上述的任一触控显示电路结构。
一方面,提供一种显示装置,包括:
上述的阵列基板。
本发明的实施例提供的触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置,将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起,能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构,进而减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种触控显示电路结构的电路示意图;
图2为本发明的另一实施例提供的一种触控显示电路结构的电路示意图;
图3为本发明的实施例提供的如图2所示的触控显示电路结构的信号时序状态示意图;
图4为本发明的实施例提供的一种触控显示电路结构触控电极电压变化示意图;
图5为本发明的实施例提供的显示单元在第二时间段的等效电路示意图;
图6为本发明的实施例提供的显示单元在第三时间段的等效电路示意图;
图7为本发明的实施例提供的显示单元在第四时间段的等效电路示意图;
图8为本发明的又一实施例提供的一种触控显示电路结构的电路示意图;
图9为本发明的实施例提供的如图8所示的触控显示电路结构的信号时序状态示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的开关晶体管、放大晶体管和驱动晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明实施例中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为源极,另一极称为漏极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本发明实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种,其中,P型开关晶体管在栅极为低电平时导通,在栅极为高电平时截止,N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通,在栅极为低电平时截止;放大晶体管和驱动晶体管包括P型和N型,其中P型放大晶体管或驱动晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压),且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态,可以将源极的输入电压放大后在漏极输出;其中N型放大晶体管或驱动晶体管的栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压),且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态,可以将源极的输入电压放大后在漏极输出,当然本发明的实施例只是采用了P型的放大晶体管及驱动晶体管。
参照图1、2所示,一种触控显示电路结构,包括触控单元1和显示单元2;
与触控单元1连接的数据线Dn、第一扫描线S1、第二扫描线S2、信号采集线L1及第一信号控制线K1;
与显示单元2连接的数据线Dn、第一扫描线S1、第二扫描线S2和第二信号控制线K2;
其中触控单元1包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第一电容C1、第一触控电极N1及放大晶体管M1;
第一开关晶体管T1的源极连接数据线Dn,第一开关晶体管T1的栅极连接第一信号控制线K1;
触控电极N1连接第一开关晶体管T1的漏极;
放大晶体管M1的栅极连接触控电极N1,放大晶体管M1的源极连接第二扫描线S2;
第二开关晶体管T2的栅极连接第一扫描线S1(如图1、2所示)或第二扫描线S2(图中未示出),第二开关晶体管T2的源极连接放大晶体管M1的漏极,第二开关晶体管T2的漏极连接信号采集线L1;
第一电容C1的第一极连接第二扫描线S2,第一电容C1的第二极连接触控电极N1;
显示单元2包括发光模块21、第二电容C2、驱动晶体管DTFT、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第五开关晶体管T5、第六开关晶体管T6和第七开关晶体管T7;
第三开关晶体管T3的栅极连接第二信号控制线K2,第三开关晶体管T3的源极连接第一电平端V1,第三开关晶体管T3的漏极连接第二电容C2的第一极;
第四开关晶体管T4的栅极连接第一扫描线S1(如图1、2所示)或第二扫描线S2(图中未示出),第四开关晶体管T4的源极连接低电平VSS,第四开关晶体管T4的漏极连接第二电容C2的第二极;
第五开关晶体管T5的栅极连接第二扫描线S2(如图1、2所示)或第一扫描线S1(图中未所示),第五开关晶体管T5的源极连接第二电容C2的第二极;
第六开关晶体管T6的栅极连接第一扫描线S1(如图1、2所示)或第二扫描线S2(图中未示出),第六开关晶体管T6的源极连接数据线Dn,第六晶体管T6的漏极连接第三开关晶体管T3的漏极;
驱动晶体管DTFT的栅极连接第六开关晶体管T6的漏极,驱动晶体管DTFT的源极连接第二电容的第一极;
发光模块21连接所述第一扫描线S1(如图1、2所示)或第二扫描线S2(图中未示出),驱动晶体管DTFT的漏极和第二电平端V2,通过第一扫描线S1或第二扫描线S2控制驱动晶体管DTFT的漏极及所述第二电平端V2驱动发光模块21。
可选的,参照图1所示发光模块21包括:第七开关晶体管T7和发光器件O1;
第七开关晶体管T7的栅极连接第一扫描线S1(图中未示出)或第二扫描线S2(如图1所示),第七开关晶体管T7的源极连接驱动晶体管DTFT的漏极;
发光器件O1的一极连接第七开关晶体管T7的漏极,发光器件O1的另一极连接第二电平端V2。
可选的,参照图2所示,发光模块21还连接低电平VSS,发光模块21包括:第七开关晶体管T7和发光器件O1;
第七开关晶体管T7的栅极连接第一扫描线S1(如图2所示)或第二扫描线S2(图中未示出),第七开关晶体管T7的源极连接驱动晶体管DTFT的漏极,第七开关晶体管T7的漏极连接低电平VSS;
发光器件O1的一极连接驱动晶体管DTFT的漏极,发光器件O1的另一极连接第二电平端V2。
当然这里图1及图2中的发光器件O1可以为有源发光二极管OLED,当该OLED为底发射型OLED时,第二电平端的电平V2低于第一电平端的电平V1;优选的,低电平为接地端;当然图1和2中是以底发射型OLED为例的。
可选的,第二开关晶体管T2、第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6为同一类型晶体管,均连接同一条扫描线。其中在上述的实施例中由于第五开关晶体管T5与第四开关晶体管T4和第六开关晶体管T6不能同时导通,因此优选的,第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6与第五开关晶体管T5为同一类型晶体管时,第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6均连接第一扫描线S1,第五开关晶体管T5的栅极连接第二扫描线。
进一步的,驱动晶体管DTFT和放大晶体管M1均为“P”型晶体管,优选的驱动晶体管DTFT、放大晶体管M1和开关晶体管(T1~T7)均为“P”型晶体管;这样各个晶体管类型的一致性也有利于减少制程工艺,保证器件性能的统一性。
以上对各个栅极连接有扫描线(第一扫描线S1或第二扫描线S2)的开关晶体管的类型不做限制既可以为N型也可以为P型,图1中以全P型的开关晶体管为例进行说明,当然在适当的变换类型也是可以的,而当改变响应的开关晶体管的类型后也需要调整其栅极所连接的扫描线(在扫描线上的信号相对不改变的情况下,由第一扫描线S1调整为第二扫描线S2或由第二扫描线S2调整为第一扫描线S1)均应在本发明的实施例的保护范围内,第一开关晶体管T1和第三开关晶体管T3均为单独的信号线控制,因此第一开关晶体管T1和第三开关晶体管T3为“P”晶体管或“N”晶体管。
本发明的实施例提供的触控显示电路结构,将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起,能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构,进而减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值;特别是,本发明的实施例将显示单元的AMOLED驱动电路和触控结构(incelltouch)的电路所需的两条信号扫描线和一条数据线(Vdata)兼容到一起,实现了AMOLED显示和incelltouch功能的高效整合;此外显示单元能够通过电压补偿的方式避免驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响,进而提高了显示图像的均匀性。
参照以上各实施例提供的触控显示电路结构本发明实施例还提供了以上各实施例触控显示电路结构的驱动方法:
第一阶段,第一开关晶体管T1和第五开关晶体管T5导通、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第五开关晶体管T5、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7、驱动晶体管DTFT和放大晶体管M1截止,数据线Dn输入高电平重置信号,第一触控电极N1电压升高;
第二阶段,第一开关晶体管T1和第五开关晶体T5管截止,第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7和放大晶体管DTFT导通,第一电平端V1向第二电容C2充电;
第三阶段,第一开关晶体管T1、第三开关晶体管T3和第五开关晶体管T5截止,第二开关晶体管T2、第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6及第七开关晶体管T7导通导通,第二扫描线S2提供高电平耦合脉冲信号,当触控电极N1受到触摸时,第一电容C1的第二极放电直至放大晶体管M1的栅极和源极的电压差等于放大晶体管M1的阈值电压,放大晶体管M1将第二扫描线S2提供的耦合脉冲信号放大输出至信号采集线L1上,第二电容C2放电直至驱动晶体管DTFT的栅极和源极的电压差等于驱动晶体管的阈值电压;
第四阶段,第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7和放大晶体管M1截止,第三开关晶体管T3和第五开关晶体管T5导通,第一电平端V1和第二电平端V2向发光器件O1施加发光信号。
进一步的在采用图1所示的发光模块21时,发光模块21包括第七开关晶体管T7和发光器件O1,且第七开关晶体管T7的源极、漏极与发光器件的两极并联,此时该方法还包括:
第一阶段,第七开关晶体管T7导通;
第二阶段,第七开关晶体管T7截止;
第三阶段,第七开关晶体管T7截止;
第四阶段,第七开关晶体管T7导通,第一电平端V1和第二电平端V2向发光器件O1施加导通信号。
可选的,在采用图2所示的发光模块21时,发光模块21包括第七开关晶体管T7和发光器件O1,且第七开关晶体管T7的源极、漏极与发光器件O1两极串联,此时该方法还包括:
第一阶段,第七开关晶体管T7截止;
第二阶段,第七开关晶体管T7导通;
第三阶段,第七开关晶体管T7导通;
第四阶段,第七开关晶体管T7截止,第一电平端V1和第二电平端V2向发光器件施加导通信号。
进一步的可选的,驱动晶体管DTFT和放大晶体管M1均为“P”型晶体管,第一开关晶体管T1和第三开关晶体管T3为“P”晶体管或“N”晶体管。
这里对第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第五开关晶体管T5、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7及放大晶体管M1和驱动晶体管DTFT均采用“P”型晶体管为例进行说明。参照图2提供的电路图及图3提供的触控显示电路的信号时序状态示意图,对本发明实施例提供一种触控显示电路的驱动方法进行详细说明,具体包括:
第一阶段,即图3中所示的时序状态示意图中的第一时间段,第一信号控制线K1、第二扫描线S2施加低电平信号,第二信号控制线K2、第一扫描线S1和数据线Dn施加高电平信号,触控单元的第一开关晶体管T1导通,此时数据线Dn上施加的高电平重置信号为与触控电极N1连接的第一电容C1充电,此时触控电极N1连接的D节点的电压升高至Vg,该过程为下一阶段做准备。显示单元的第五开关晶体管T5导通,其他晶体管均处于截止状态,显示单元不工作。
第二阶段即图3中所示的时序状态示意图中的第二时间段,第一信号控制线K1、第二扫描线S2及数据线Dn施加高电平信号,第二信号控制线K2、第一扫描线S1施加低电平信号,触控单元的第一开关晶体管截止,第二开关晶体管T2和放大晶体管M1导通,此阶段,在触控单元中第二扫描线S2为第一电容的一极提供高电平,形成耦合电容,参照图4所示,由于在第一阶段为第一电容充电在触控电极上形成电压Vg(即节点D的电压),当手指对触控电极N1上方触摸时,则会导致触控电极上的电压下降,而当放大晶体管M1的栅极电压和源极电压差的绝对值大于晶体管的导通阈值电压时,M1会通过漏极在信号采集线L1输出放大的信号,该阶段为等待触控电极上发生触控事件;该阶段中由于第二扫描线S2需要为放大晶体管M1的源极提供高电平,以便在触控电极N1上发生触摸事件放大晶体管M1的栅极发生电压降后构成放大晶体管M1的导通条件,即栅极和源极电压差的绝对值大于导通阈值电压(源极电压大于栅极电压),因此第二扫描线S2上的信号是相对固定的。
而在该第二阶段,显示单元的第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6和第七开关晶体管T7导通,第五开关晶体管T5截止,此时第七开关晶体管T7导通将有源发光二极管OLED的两端短接,第一电平端向存储电容C1充电;此时形成电路的等效电路图如图5所示,该过程中第二电容C2的第一极即图中A点的电压充至和第一电平端的电压相同,此时A点电压VA等于第一电平端的电压V1;第二电容C2的第二极连接低电平,则第二极电压即B点电压VB=0;同理若采用图1所示的显示模块21,则此时第七开关晶体管T7截止,将有源发光二极管OLED隔离,其作用与图2相同不再赘述。
第三阶段,即图3中所示的时序状态示意图中的第三时间段,第一信号控制线K1、第二扫描线S2、第二信号控制线K2、数据线Dn施加高电平信号,第一扫描线S1施加低电平信号,触控单元的第一开关晶体管T1截止,第二开关晶体管T2导通,当手指对触控电极N1上方触摸时,则会导致触控电极上的电压下降,此时第二扫描线S2为第一电容提供的耦合电压同样会保持放大晶体管M1的源极电压,由于放大晶体管M1的栅极连接触控电极N1,则当触控电极N1上的电压下降至Vd,产生的电压降ΔV满足放大晶体管M1的导通条件时(这里导通条件即栅极电压和源极电压差的绝对值大于晶体管的导通阈值电压,由于采用P型晶体管因此晶体管导通时栅极电压小于源极电压),放大晶体管M1导通并处于放大状态,由于第二开关晶体管T2导通,则放大晶体管M1会将第二扫描线S2上的高电平信号放大后输出至信号采集线L1(参照图3所示的信号采集线L1的时序状态图,即该信号采集线L1上存在一个电压上升的过程),此时通过第一扫描线S1确定第一坐标方向,通过信号采集线L1上输出的信号变化值确定与第一坐标方向垂直的第二坐标方向,便可定位到触摸位置。这里以第一扫描线S1的信号为X轴坐标方向的信号,以信号采集线L1的信号为Y轴坐标方向坐标方向,当第一扫描线S1输入信号时,便确定了X轴方向的坐标,此时由于第二开关晶体管T2导通,则放大晶体管T3会将第二扫描线S2上的高电平信号放大后输出至信号采集线L1,此时当检测到信号采集线L1上的信号变化情况时,便同时确定了X、Y两个坐标轴上的坐标位置,据此便确定了触摸位置,当然在触摸结束后由于触控电极N1不能维持原先的低电压Vd,因此放大晶体管M1便在栅源极的电压差的绝对值小于导通阈值电压后截止,进而信号采集线L1上的电压值迅速下降。
而在该第三阶段,显示单元的第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7导通,第三开关晶体管T3、第五开关晶体管T5截止,此时第七开关晶体管T7导通仍然将有源发光二极管OLED的两端短接,第二电容C2放电直至驱动晶体管DTFT栅极和源极的电压差等于驱动晶体管DTFT的阈值电压;此时形成电路的等效电路图如图6所示,该过程中第二电容C2的第一极即图中A点,开始放电,直到VA-VC=Vth为止,其中VA即A点电压,VC为C点电压即驱动晶体管DTFT的栅极电压,此时VC=Vdata,其中Vdata为数据线提供的电压值,Vth为此时驱动晶体管DTFT的阈值电压,最后A点的电压变为Vdata+Vth,该阶段即为补偿阶段,同时起到缓冲作用为下一个阶段做好准备。同理若采用图1所示的显示模块21,则此时第七开关晶体管T7截止,将有源发光二极管OLED隔离,其作用与图2相同不再赘述。
第四阶段,即图3中所示的时序状态示意图中的第四时间段,第一信号控制线K1、第一扫描线S1施加高电平信号,第二信号控制线K2、第二扫描线S2和数据线Dn施加低电平,触控单元的第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2及放大晶体管M1截止,该阶段触控作用停滞。
而在该第四阶段显示单元的第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7截止,第三开关晶体管T3和第五开关晶体管T5导通,第一电平端V1和第二电平端V2向发光器件O1施加导通信号。同理若采用图1所示的显示模块21,则此时第七开关晶体管T7导通,第一电平端V1和第二电平端V2向发光器件O1施加导通信号,其作用与图2相同不再赘述。此时形成的电路的等效电路图如图7所示,该过程中第二电容C2的第一极电压重新回到和第一电平端相同的电压值V1,第二电容C2的第二极浮接,此时第一极和第二极的电压实现等量跳变,则VB=VC=V1-Vdata-Vth,有源发光器件开始发光,其中驱动电流根据公式:
由以上公式可知驱动电流IOLED只和数据线电压Vdata值有关系,因此驱动电流不受Vth影响,其中,VGS为TFT栅极和源极之间的电压,μ、Cox为工艺常数,W为TFT沟道宽度,L为薄膜晶体管的沟道长度,W、L都为可选择性设计的常数。
以上是以发光器件采用底发射型OLED为例进行说明,即第一电平端的电平高于第二电平端的电平;此外可以想到的是,在发光器件采用底发射型OLED时,第二电平端可以直接和低电平连接,即将OLED的负极连接低电平,这样也可以降低电路的设计难度,更便于电路构图。
以上实施例是以第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第五开关晶体管T5、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管T7、放大晶体管M1和驱动晶体管DTFT均为“P”型开关晶体管为例进行说明的,当然在显示装置的制程工艺中采用全“P”型的晶体管也有利于减少制程工艺,保证器件性能的统一性,这里就体现出了采用LTPS工艺的优势,使用这种工艺形成的晶体管器件,除了载流子迁移速率高以外(可以将晶体管做小,提高开口率),另外,能够使得放大晶体管M1具有较高的击穿电压,同时,放大晶体管M1的栅极信号会随手指的触控而降低,因此使用P型晶体管更容易实现放大晶体管M1栅源之间的压差的绝对值(栅极电压Vg<源极电压Vs)大于Vth。
以上对各个栅极连接有扫描线(第一扫描线S1或第二扫描线S2)的开关晶体管的类型不做限制既可以为N型也可以为P型,图2中以全P型的开关晶体管为例进行说明,当然在适当的变换类型也是可以的,而当改变响应的开关晶体管的类型后也需要通过调整其栅极所连接的扫描线(在扫描线上的信号相对不改变的情况下,由第一扫描线S1调整为第二扫描线S2或由第二扫描线S2调整为第一扫描线S1)均应在本发明的实施例的保护范围内,例如以图8所示的触控显示电路及图9所示的信号时序状态图为例,当将图2中的第二开关晶体管T2、第四开关晶体管T4、第六开关晶体管T6、第七开关晶体管调整为N型开关晶体管时,第一扫描线S1与第二扫描线S2可以采用相同的时序信号,此时可以将栅极连接扫描线(第一扫描线和第二扫描线)的开关晶体管的栅极全部连接至第二扫描线,由第二扫描线的时序信号控制,总之类似的通过调整开关晶体管的类型及栅极与扫描线的连接方式或者结合调整扫描线(第一扫描线和第二扫描线)上时序信号而造成电路连接方式改变的均应在本发明的实施例的保护范围内,此处不再赘述。即本发明的实施例对各个开关晶体管的类型不做限制,在调整开关晶体管的类型时只需要相应的调整对应的信号线或信号线施加的电平信号即可,当然这里以能够实现本发明实施例提供的触控显示电路的驱动方法为准,本领域技术人员在本发明实施例提供的触控显示电路和驱动方法的基础上可轻易想到并实现的任一组合均在本发明的保护范围内。
本发明的实施例提供的图1及图8所示的触控显示电路其工作原理及可参照对图1所示的触控显示电路的详述,具体不再赘述。
本发明的实施例提供的触控显示电路结构驱动方法,将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起,能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构,进而减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值;此外显示单元能够通过电压补偿的方式避免驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响,进而提高了显示图像的均匀性。
一方面,提供一种阵列基板,包括:上述的任一触控显示电路结构。
本发明实施例提供的阵列基板,将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起,能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构,进而减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值;此外显示单元能够通过电压补偿的方式避免驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响,进而提高了显示图像的均匀性。
一方面,提供一种显示装置,包括:上述的阵列基板。另外,显示装置还可以为电子纸、手机、电视、数码相框等等显示设备。
本发明实施例提供的显示装置,将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起,能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构,进而减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺,节约成本,同时能够提高产品开口率增加附加值;此外显示单元能够通过电压补偿的方式避免驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响,进而提高了显示图像的均匀性。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种触控显示电路结构,其特征在于,包括触控单元和显示单元;与所述触控单元连接的数据线、第一扫描线、第二扫描线、信号采集线及第一信号控制线;与所述显示单元连接的所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线和第二信号控制线;
其中所述触控单元包括:第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、第一触控电极及放大晶体管;
所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线,所述第一开关晶体管的栅极连接所述第一信号控制线;
所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极;
所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极,所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线;
所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极,所述第二开关晶体管的漏极连接所述信号采集线;
所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线,所述第一电容的第二极连接所述触控电极;
所述显示单元包括:发光模块、第二电容、驱动晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管;
所述第三开关晶体管的栅极连接所述第二信号控制线,所述第三开关晶体管的源极连接第一电平端,所述第三开关晶体管的漏极连接所述第二电容的第一极;
所述第四开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第四开关晶体管的源极连接低电平,所述第四开关晶体管的漏极连接所述第二电容的第二极;
所述第五开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第五开关晶体管的源极连接所述第二电容的第二极;
所述第六开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第六开关晶体管的源极连接所述数据线,所述第六开关晶体管的漏极连接所述第三开关晶体管的漏极;
所述驱动晶体管的栅极连接所述第六开关晶体管的漏极,所述驱动晶体管的源极连接所述第二电容的第一极;
所述发光模块连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述驱动晶体管的漏极和第二电平端,通过所述第一扫描线或第二扫描线控制所述驱动晶体管的漏极及所述第二电平端驱动所述发光模块;
所述触控显示电路结构位于像素单元中。
2.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述发光模块还连接所述低电平,所述发光模块包括:第七开关晶体管和发光器件;
所述第七开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第七开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极,所述第七开关晶体管的漏极连接所述低电平;
所述发光器件的一极连接所述驱动晶体管的漏极,所述发光器件的另一极连接第二电平端。
3.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述发光模块包括:第七开关晶体管和发光器件;
所述第七开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线或第二扫描线,所述第七开关晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极;
所述发光器件的一极连接所述第七开关晶体管的漏极,所述发光器件的另一极连接第二电平端。
4.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,第二开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管为同一类型晶体管,均连接同一条扫描线。
5.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,第四开关晶体管、第六开关晶体管与第五开关晶体管为同一类型晶体管时,第四开关晶体管、第六开关晶体管均连接第一扫描线,第五开关晶体管的栅极连接第二扫描线。
6.根据权利要求1~5任一项所述的电路结构,其特征在于,所述驱动晶体管和所述放大晶体管均为“P”型晶体管。
7.根据权利要求6所述的电路结构,其特征在于,所述驱动晶体管、所述放大晶体管和开关晶体管均为“P”型晶体管。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的触控显示电路结构的驱动方法,其特征在于,包括:
第一阶段,第一开关晶体管和第五开关晶体管导通、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管、驱动晶体管和放大晶体管截止,数据线输入高电平重置信号,第一触控电极电压升高;
第二阶段,所述第一开关晶体管和第五开关晶体管截止,所述第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管和所述放大晶体管导通,第一电平端向第二电容充电;
第三阶段,所述第一开关晶体管、第三开关晶体管和第五开关晶体管截止,所述第二开关晶体管、所述第四开关晶体管、第六开关晶体管导通导通,第二扫描线提供高电平耦合脉冲信号,当触控电极受到触摸时,所述第一电容的第二极放电直至所述放大晶体管的栅极和源极的电压差等于所述放大晶体管的阈值电压,所述放大晶体管将所述第二扫描线提供的耦合脉冲信号放大输出至信号采集线上,所述第二电容放电直至所述驱动晶体管的栅极和源极的电压差等于所述驱动晶体管的阈值电压;
第四阶段,所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第四开关晶体管、第六开关晶体管和所述放大晶体管截止,所述第三开关晶体管和第五开关晶体管导通,所述第一电平端和第二电平端向发光模块施加发光信号。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述发光模块包括第七开关晶体管和发光器件,且所述第七开关晶体管的源极、漏极与所述发光器件的两极并联时,所述方法还包括:
所述第一阶段所述第七开关晶体管截止;
所述第二阶段所述第七开关晶体管导通;
所述第三阶段所述第七开关晶体管导通;
所述第四阶段所述第七开关晶体管截止,所述第一电平端和第二电平端向发光器件施加导通信号。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述发光模块包括第七开关晶体管和发光器件,且所述第七开关晶体管的源极、漏极与所述发光器件两极串联时,所述方法还包括:
所述第一阶段所述第七开关晶体管导通;
所述第二阶段所述第七开关晶体管截止;
所述第三阶段所述第七开关晶体管截止;
所述第四阶段所述第七开关晶体管导通,所述第一电平端和第二电平端向发光器件施加导通信号。
11.根据权利要求8~10任一项所述的方法,其特征在于,所述驱动晶体管和所述放大晶体管均为“P”型晶体管。
12.一种阵列基板,其特征在于,包括:
权利要求1~7任一项所述的触控显示电路结构。
13.一种显示装置,其特征在于,包括:
权利要求12所述的阵列基板。
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