TWI697884B - 畫素電路 - Google Patents
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Abstract
一種畫素電路,包括發光元件、第一電晶體、第二電晶體、第一電容、第三電晶體、第四電晶體及第五電晶體。第一電晶體及第四電晶體受控於一發光信號。第三電晶體及第五電晶體受控於一掃描信號。發光元件、第一電晶體、第二電晶體、第四電晶體及第五電晶體串接於一系統高電壓與一系統低電壓之間。第三電晶體耦接於一資料信號與第一電晶體的控制端之間。第一電容耦接於第二電晶體的控制端與下游端之間。第五電晶體耦接於第二電晶體的下游端與充電參考電壓之間。充電參考電壓的電流小於系統低電壓的電流。
Description
本發明是有關於一種畫素電路,且特別是有關於一種自發光顯示面板的畫素電路。
在顯示面板中,因面板內部走線的線路阻抗在通過之電流會產生不同的電壓衰減,導致面板內的系統高電壓及系統低電壓皆不同,影響畫素電路中控制發光電流的電晶體所通過電流,進而影響發光件所產生之亮度。雖然,控制發光電流的電晶體操作在飽和區,以降低線路阻抗的影響,但線路阻抗在不同位置導致不同壓降仍影響著顯示面板的亮度均勻度。因此,需要一種新穎的畫素電路來改善或抑制線路阻抗的影響。
本發明提供一種畫素電路,可以改善或抑制線路阻抗對畫素電路的影響,以提高顯示面板的亮度均勻度。
本發明的畫素電路,包括發光元件、第一電晶體、第二電晶體、第一電容、第三電晶體、第四電晶體及第五電晶體。發
光元件具有接收一系統高電壓的一陽極、及一陰極。第一電晶體具有耦接發光元件的陰極的一第一端、一第二端、及接收一發光信號的一控制端。第二電晶體具有耦接第一電晶體的第二端的一第一端、一第二端及一控制端。第一電容具有耦接第二電晶體的控制端的一第一端及耦接第二電晶體的第二端的一第二端。第三電晶體具有接收一第一資料信號的一第一端、耦接第二電晶體的控制端的一第二端及接收一第一掃描信號的一控制端。第四電晶體具有耦接第二電晶體的第二端的一第一端、接收一系統低電壓的一第二端及接收發光信號的一控制端。第五電晶體具有耦接第二電晶體的第二端的一第一端、接收一充電參考電壓的一第二端及接收第一掃描信號的一控制端。充電參考電壓於第五電晶體導通時提供至第五電晶體的一第一電流值小於系統低電壓於第四電晶體導通時提供至第四電晶體的一第二電流值。
基於上述,本發明實施例的畫素電路,是透過低電流的充電參考電壓來進行資料電壓的寫入(亦即第一電容的充電),以可改善資料電壓寫入第一電容時受線路阻抗的影響,藉此提高顯示面板的亮度均勻度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300:畫素電路
C1、Ca:第一電容
Cb:第二電容
Cc:第三電容
Data、Data_a:第一資料信號
Data_b:第二資料信號
Data_c:第三資料信號
EM:發光信號
GMI:間隔灰階亮度
GMX:最大顯示亮度
I1:第一電流值
I2:第二電流值
LED1:微型發光二極體
S210、S220:曲線
SN:第一掃描信號
SN+1:第二掃描信號
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
T8:第八電晶體
T9:第九電晶體
T10:第十電晶體
Vdd:系統高電壓
Vg、Vga、Vgb、Vgc:電壓
Vref:充電參考電壓
Vss:系統低電壓
圖1A是根據本發明第一實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖1B是根據本發明第一實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。
圖2A是根據本發明第二實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖2B是根據本發明第二實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。
圖2C是根據本發明第二實施例的畫素電路的第一資料信號及第二資料信號的電壓分佈示意圖。
圖3A是根據本發明第三實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖3B是根據本發明第三實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
應當理解,儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分,但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅
用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此,下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非內容清楚地指示,否則單數形式”一”、”一個”和”該”旨在包括複數形式,包括”至少一個”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的,術語”及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解,當在本說明書中使用時,術語”包括”及/或”包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
圖1A是根據本發明第一實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1A,在實施例中,畫素電路100包括發光元件(例如微型發光二極體LED1及/或有機發光二極體)、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、及第一電容C1。其中,第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、及第五電晶體T5可以為薄膜電晶體(Thin-Film Transistor,TFT),但本發明實施例不以此為限。
發光元件(在此以微型發光二極體LED1為例)具有接收系統高電壓Vdd的陽極、及陰極。第一電晶體T1具有耦接微型發光二極體LED1的陰極的第一端、第二端、及接收發光信號EM
的控制端。第二電晶體T2具有耦接第一電晶體T1的第二端的第一端、第二端及控制端。第一電容C1具有耦接第二電晶體T2的控制端的第一端及耦接第二電晶體T2的第二端的一第二端。
第三電晶體T3具有接收第一資料信號Data的第一端、耦接第二電晶體T2的控制端的第二端及接收第一掃描信號SN的控制端。第四電晶體T4具有耦接第二電晶體T2的第二端的第一端、接收系統低電壓Vss的第二端及接收發光信號EM的控制端。第五電晶體T5具有耦接第二電晶體T2的第二端的第一端、接收充電參考電壓Vref的第二端及接收第一掃描信號SN的控制端。
在本實施例中,充電參考電壓Vref可以為零伏特的直流電壓,並且充電參考電壓Vref於第五電晶體T5導通時提供至第五電晶體T5的第一電流值I1小於系統低電壓Vss於第四電晶體T4導通時提供至第四電晶體T4的第二電流值I2。其中,充電參考電壓Vref可以透過限流電路及/或走線佈局技術來限制/降低電流值,且本發明實施例不以此為限。
圖1B是根據本發明第一實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。請參照圖1A及圖1B,在本實施例中,圖1B可視為繪示一個畫面期間的部份的驅動波形,詳細來說,圖1B主要是繪示與畫素電路100相關的第一掃描信號SN及發光信號EM的驅動波形。其中,第一掃描信號SN的致能期間早於發光信號EM的致能期間,並且第一掃描信號SN的致能期間不重疊於發光信號EM的致能期間(亦即第一掃描信號SN的致能期間與發光信號EM的致
能期間之間具有間隔)。
進一步來說,在第一掃描信號SN的致能期間(即畫素電路100的掃描期間),第三電晶體T3及第五電晶體T5會導通,第一電晶體T1及第四電晶體T4則受控於禁能的發光信號EM呈現截止,並且第二電晶體T2的導通狀態是反應電壓Vg。此時,第一資料信號Data傳送的資料電壓會寫入到第一電容C1,以致於第一電容C1會儲存第一資料信號Data的資料電壓與充電參考電壓Vref之間的電壓差。
接著,在第一掃描信號SN的致能期間之後且在發光信號EM的致能期間之前,禁能的第一掃描信號SN及發光信號EM控制第一電晶體T1、第三電晶體T3、第四電晶體T4及第五電晶體T5呈現截止。此時,第二電晶體T2的控制端的電壓Vg(亦即第一電容C1的第一端的電壓)會因為第三電晶體T3由導通切換至截止所導致的饋通(feedthrough)電壓而下降,並且第一電容C1的第二端的電壓同樣會因為第五電晶體T5的饋通電壓而下降,以致於第一電容C1的跨壓保持不變(亦即不受饋通電壓的影響)。
在發光信號EM的致能期間中(即畫素電路100的發光期間),第一電晶體T1及第四電晶體T4會導通,第三電晶體T3及第五電晶體T5則受控於禁能的第一掃描信號SN呈現截止,並且第二電晶體T2的導通狀態是反應電壓Vg,以對應第一資料信號Data的資料電壓控制流經微型發光二極體LED1的電流,藉此控制畫素100的發光亮度(即灰階值)。
藉此,畫素電路100通過第三電晶體T3及第五電晶體T5同時導通或截止,來消除/抑制饋通電壓對第一電容C1的影響;通過利用較低電流的充電參考電壓Vref進行資料電壓的寫入(即對第一電容C1充電),以降低線路的阻抗所帶來的壓降,進而消除/抑制線路的阻抗對資料電壓的寫入的影響;通過第一電晶體T1及第四電晶體T4同時導通或截止,來控制發光二極體LED1的發光期間,並且消除/抑制漏電流(leakage current)的發生。
圖2A是根據本發明第二實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1A及圖2A,在實施例中,畫素電路200包括發光元件(例如微型發光二極體LED1及/或有機發光二極體)、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第一電容Ca、及第二電容Cb。其中,微型發光二極體LED1、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、及第一電容Ca的耦接關係可參照圖1A所示,在此則不再贅述,並且第三電晶體T3的第一端接收第一資料信號Data_a。第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6、及第七電晶體T7可以為薄膜電晶體,但本發明實施例不以此為限。
第六電晶體T6具有耦接第一電晶體T1的第二端的第一端、耦接第四電晶體T4的第一端的第二端、及控制端。第二電容Cb具有耦接第六電晶體T6的控制端的第一端及耦接第六電晶體
T6的第二端的第二端。第七電晶體T7具有接收第二資料信號Data_b的第一端、耦接第六電晶體T6的控制端的第二端及接收第一掃描信號SN的控制端。
圖2B是根據本發明第二實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。請參照圖2A及圖2B,在本實施例中,圖2B可視為繪示一個畫面期間的部份的驅動波形,詳細來說,圖2B主要是繪示與畫素電路200相關的第一掃描信號SN及發光信號EM的驅動波形。其中,第一掃描信號SN的致能期間早於發光信號EM的致能期間,並且第一掃描信號SN的致能期間不重疊於發光信號EM的致能期間(亦即具有間隔)。
進一步來說,在第一掃描信號SN的致能期間(即畫素電路200的掃描期間),第三電晶體T3、第五電晶體T5及第七電晶體T7會導通,第一電晶體T1及第四電晶體T4則受控於禁能的發光信號EM呈現截止,第二電晶體T2的導通狀態是反應電壓Vga,並且第六電晶體T6的導通狀態是反應電壓Vgb。此時,第一資料信號Data_a傳送的資料電壓會寫入到第一電容Ca,以致於第一電容Ca會儲存第一資料信號Data_a的資料電壓與充電參考電壓Vref之間的電壓差;第二資料信號Data_b傳送的資料電壓會寫入到第二電容Cb,以致於第二電容Cb會儲存第二資料信號Data_b的資料電壓與充電參考電壓Vref之間的電壓差。
接著,在第一掃描信號SN的致能期間之後且在發光信號EM的致能期間之前,禁能的第一掃描信號SN及發光信號EM控
制第一電晶體T1、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6及第七電晶體T7呈現截止。此時,第二電晶體T2的控制端的電壓Vga(亦即第一電容Ca的第一端的電壓)會因為第三電晶體T3由導通切換至截止所導致的饋通電壓而下降,並且第一電容Ca的第二端的電壓同樣會因為第五電晶體T5的饋通電壓而下降,以致於第一電容Ca的跨壓保持不變(亦即不受饋通電壓的影響)。並且,第六電晶體T6的控制端的電壓Vgb(亦即第二電容Cb的第一端的電壓)會因為第七電晶體T7的饋通電壓而下降,並且第二電容Cb的第二端的電壓同樣會因為第五電晶體T5的饋通電壓而下降,以致於第二電容Cb的跨壓保持不變(亦即不受饋通電壓的影響)。
在發光信號EM的致能期間中(即畫素電路200的發光期間),第一電晶體T1及第四電晶體T4會導通,第三電晶體T3、第五電晶體T5及第七電晶體T7則受控於禁能的第一掃描信號SN呈現截止。並且,第二電晶體T2的導通狀態是反應電壓Vga,第六電晶體T6的導通狀態是反應電壓Vgb,以對應第一資料信號Data_a的資料電壓及第二資料信號Data_b的資料電壓控制流經微型發光二極體LED1的電流,藉此控制畫素200的發光亮度(即灰階值)。
藉此,畫素電路200通過第三電晶體T3、第五電晶體T5及第七電晶體T7同時導通或截止,來消除/抑制饋通電壓對第一電容Ca及第二電容Cb的影響;通過利用較低電流的充電參考電
壓Vref進行資料電壓的寫入(即對第一電容Ca及第二電容Cb充電),以降低線路的阻抗所帶來的壓降,進而消除/抑制線路的阻抗對資料電壓的寫入的影響;通過第一電晶體T1及第四電晶體T4同時導通或截止,來控制微型發光二極體LED1的發光期間,並且消除/抑制漏電流的發生。
在本發明實施例中,第二電晶體T2的通道的長寬比可相同於第六電晶體T6的通道的長寬比,或者第二電晶體T2的通道的長寬比可不同於第六電晶體T6的通道的長寬比;並且,在同一掃描期間,第一資料信號Data_a的資料電壓可相同於第二資料信號Data_b的資料電壓,亦即第一資料信號Data_a的電壓範圍可相同於第二資料信號Data_b的電壓範圍;或者,第一資料信號Data_a的資料電壓可不同於第二資料信號Data_b的資料電壓,亦即第一資料信號Data_a的電壓範圍可不同於第二資料信號Data_b的電壓範圍。
圖2C是根據本發明第二實施例的畫素電路的第一資料信號及第二資料信號的電壓分佈示意圖。請參照圖2A及圖2C,在本發明實施例中,第二電晶體T2的通道的長寬比可大於第六電晶體T6的通道的長寬比,亦即第二電晶體T2及第六電晶體T6接收同樣的閘極電壓(如Vga、Vgb)時,第二電晶體T2提供的汲極電流大於第六電晶體T6提供的汲極電流。此時,低汲極電流的第六電晶體T6可用來控制微型發光二極體LED1顯示低灰階的部份,高汲極電流的第二電晶體T2可用來微型發光二極體LED1
顯示高灰階的部份。
依據電路運作,流經發光二極體LED1的電流為流經第二電晶體T2的電流及第六電晶體T6的電流的總和,亦即第二電晶體T2的汲極電流及第六電晶體T6的汲極電流的總和。因此,當第六電晶體T6的汲極電流於畫素電路200中的總和可使微型發光二極體LED1發光的亮度為間隔灰階亮度GMI時,可透過設定第一資料信號Data_a的資料電壓使第二電晶體T2的汲極電流在對應於大於等於間隔灰階亮度GMI的灰階範圍中變化,並且透過設定第二資料信號Data_b的資料電壓使第六電晶體T6的汲極電流在對應於小於等於間隔灰階亮度GMI的灰階範圍中變化。其中,間隔灰階亮度GMI不對應於微型發光二極體LED1的顯示亮度範圍的最大顯示亮度GMX(例如灰階亮度255)及最小顯示亮度(例如灰階亮度0)。
進一步來說,如曲線S220所示,第二電晶體T2受控於第一資料信號Data_a於微型發光二極體LED1顯示小於等於間隔灰階亮度GMI時於發光信號EM的致能期間呈現截止,並且第二電晶體T2受控於第一資料信號Data_a於微型發光二極體LED1顯示大於間隔灰階亮度GMI時於發光信號EM的致能期間呈現導通。如曲線S210所示,第六電晶體T6受控於第二資料信號Data_b於微型發光二極體LED1顯示小於等於間隔灰階亮度GMI時於發光信號EM的致能期間呈現不同的導通狀態,並且第六電晶體T6受控於第二資料信號Data_b於微型發光二極體LED1顯示大於時
於發光信號EM的致能期間呈現最大導通狀態。
換言之,第一資料信號Data_a的第一最大灰階電壓對應微型發光二極體LED1的顯示亮度範圍的最大顯示亮度GMX,並且第二資料信號Data_b的第二最大灰階電壓對應間隔灰階亮度GMI。其中,第一最大灰階電壓可以等於第二最大灰階電壓。藉此,透過第一資料信號Data_a及第二資料信號Data_b分別對應不同的灰階亮度範圍,可實現微型發光二極體LED1的高位元伽瑪曲線,亦即微型發光二極體LED1即使在低灰階亮度範圍中也可顯示更細的灰階亮度。
在本實施例中,間隔灰階亮度GMI可依據電路需求而定,更明確來說,間隔灰階亮度GMI可依據電晶體的長寬比的比值而定。換言之,間隔灰階亮度GMI可相關於第二電晶體T2的通道的長寬比對第六電晶體T6的通道的長寬比的第一比值。以此為例,當第一比值越高,間隔灰階亮度GMI越低;當第一比值越低,間隔灰階亮度GMI越高。
在本實施例中,第六電晶體T6、第七電晶體T7及第二電容Cb可視為接收單一資料信號的電流支路,並且在圖2A中僅繪示單一電流支路,但在其他實施例中,畫素電路可具有更多的電流支路,以接收不同的資料信號,藉此可提高控制微型發光二極體LED1的伽瑪曲線的位元數。
圖3A是根據本發明第三實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1A及圖2A,在實施例中,畫素電路200包括發光
元件(例如微型發光二極體LED1及/或有機發光二極體)、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第八電晶體T8、第九電晶體T9、第十電晶體T10、第一電容Ca、及第三電容Cc。其中,微型發光二極體LED1、第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、及第一電容Ca的耦接關係可參照圖1A所示,在此則不再贅述,並且第三電晶體T3的第一端接收第一資料信號Data_a。第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第八電晶體T8、第九電晶體T9及第十電晶體T10可以為薄膜電晶體,但本發明實施例不以此為限。
第八電晶體T8具有耦接微型發光二極體LED1的陰極的第一端、第二端、及接收第二掃描信號SN+1的控制端。第九電晶體T9具有耦接第八電晶體T8的第二端的一第一端、耦接第四電晶體T4的第一端的第二端、及控制端。第三電容Cc具有耦接第九電晶體T9的控制端的第一端及耦接第九電晶體T9的第二端的第二端。第十電晶體T10具有接收第三資料信號Data_c的第一端、耦接第九電晶體T9的控制端的第二端及接收第一掃描信號SN的控制端。
圖3B是根據本發明第三實施例的畫素電路的驅動波形示意圖。請參照圖3A及圖3B,在本實施例中,圖3B可視為繪示一個畫面期間的部份的驅動波形,詳細來說,圖3B主要是繪示與畫素電路200相關的第一掃描信號SN、第二掃描信號SN+1及發
光信號EM的驅動波形。其中,第一掃描信號SN的致能期間早於發光信號EM的致能期間,第一掃描信號SN的致能期間不重疊於發光信號EM的致能期間(亦即具有間隔),並且第二掃描信號SN+1的致能期間重疊於發光信號EM的致能期間(亦即被發光信號EM的致能期間所圍繞)。
進一步來說,在第一掃描信號SN的致能期間(即畫素電路300的掃描期間),第三電晶體T3、第五電晶體T5及第十電晶體T10會導通,第一電晶體T1及第四電晶體T4則受控於禁能的發光信號EM呈現截止,第八電晶體T8則受控於禁能的第二掃描信號SN+1呈現截止,第二電晶體T2的導通狀態是反應電壓Vga,並且第九電晶體T9的導通狀態是反應電壓Vgc。此時,第一資料信號Data_a傳送的資料電壓會寫入到第一電容Ca,以致於第一電容Ca會儲存第一資料信號Data_a的資料電壓與充電參考電壓Vref之間的電壓差;第三資料信號Data_c傳送的資料電壓會寫入到第三電容Cc,以致於第二電容Cc會儲存第三資料信號Data_c的資料電壓與充電參考電壓Vref之間的電壓差。
接著,在第一掃描信號SN的致能期間之後且在發光信號EM的致能期間之前,禁能的第一掃描信號SN、第二掃描信號SN+1及發光信號EM控制第一電晶體T1、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第八電晶體T8、第九電晶體T9及第十電晶體T10呈現截止。此時,第二電晶體T2的控制端的電壓Vga(亦即第一電容Ca的第一端的電壓)會因為第三電晶體T3
由導通切換至截止所導致的饋通電壓而下降,並且第一電容Ca的第二端的電壓同樣會因為第五電晶體T5的饋通電壓而下降,以致於第一電容Ca的跨壓保持不變(亦即不受饋通電壓的影響)。並且,第九電晶體T9的控制端的電壓Vgc(亦即第三電容Cc的第一端的電壓)會因為第十電晶體T10的饋通電壓而下降,並且第三電容Cc的第二端的電壓同樣會因為第五電晶體T5的饋通電壓而下降,以致於第二電容Cb的跨壓保持不變(亦即不受饋通電壓的影響)。
在發光信號EM的致能期間中(即畫素電路300的發光期間),第一電晶體T1及第四電晶體T4會導通,第三電晶體T3、第五電晶體T5及第十電晶體T10則受控於禁能的第一掃描信號SN呈現截止,第八電晶體T8則受控於致能的第二掃描信號SN+1呈現局部期間導通。並且,第二電晶體T2的導通狀態是反應電壓Vga,第九電晶體T9的導通狀態是反應電壓Vgc,以對應第一資料信號Data_a的資料電壓及第三資料信號Data_c的資料電壓控制流經微型發光二極體LED1的電流,藉此控制畫素300的發光亮度(即灰階值)。
藉此,畫素電路300通過第三電晶體T3、第五電晶體T5及第十電晶體T10同時導通或截止,來消除/抑制饋通電壓對第一電容Ca及第三電容Cc的影響;通過利用較低電流的充電參考電壓Vref進行資料電壓的寫入(即對第一電容Ca及第三電容Cc充電),以降低線路的阻抗所帶來的壓降,進而消除/抑制線路的阻抗
對資料電壓的寫入的影響;通過第一電晶體T1及第四電晶體T4同時導通或截止,來控制微型發光二極體LED1的發光期間,並且消除/抑制漏電流的發生。
在本發明實施例中,第二電晶體T2的通道的長寬比可相同於第九電晶體T9的通道的長寬比,或者第二電晶體T2的通道的長寬比可不同於第九電晶體T9的通道的長寬比;並且,在同一掃描期間,第一資料信號Data_a的資料電壓可相同於第三資料信號Data_c的資料電壓,亦即第一資料信號Data_a的電壓範圍可相同於第三資料信號Data_c的電壓範圍;或者,第一資料信號Data_a的資料電壓可不同於第三資料信號Data_c的資料電壓,亦即第一資料信號Data_a的電壓範圍可不同於第三資料信號Data_c的電壓範圍。
舉例來說,第二電晶體T2的通道的長寬比可大於第九電晶體T9的通道的長寬比。此時,第二電晶體T2受控於第一資料信號Data_a於微型發光二極體LED1顯示小於等於間隔灰階亮度時於發光信號EM的致能期間呈現截止,並且第二電晶體T2受控於第一資料信號Data_a於微型發光二極體LED1顯示大於間隔灰階亮度時於發光信號EM的致能期間呈現導通,其中間隔灰階亮度不對應於微型發光二極體LED1的顯示亮度範圍的最大顯示亮度及最小顯示亮度。
在本發明實施例中,第一資料信號Data_a的第一最大灰階電壓對應最大顯示亮度,並且第三資料信號Data_c的第三最大
灰階電壓對應該間隔灰階亮度。其中,第一最大灰階電壓可等於第三最大灰階電壓。並且,間隔灰階亮度可相關於第二電晶體T2的通道的長寬比與發光信號EM的致能期間的第一乘積對第九電晶體的通道的長寬比與第二掃描信號SN+1的致能期間的第二乘積的第二比值。此時,當第二比值越高,間隔灰階亮度越低;當第二比值越低,間隔灰階亮度越高。上述可參照圖2C的實施例示,在此則不再贅述。
綜上所述,本發明實施例的畫素電路通過利用較低電流的充電參考電壓進行資料電壓的寫入(即對第一電容充電),以降低線路的阻抗所帶來的壓降,進而消除/抑制線路的阻抗對資料電壓的寫入的影響。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:畫素電路
C1:第一電容
Data:第一資料信號
EM:發光信號
I1:第一電流值
I2:第二電流值
LED1:微型發光二極體
SN:第一掃描信號
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
Vdd:系統高電壓
Vg:電壓
Vref:充電參考電壓
Vss:系統低電壓
Claims (18)
- 一種畫素電路,包括: 一發光元件,具有接收一系統高電壓的一陽極、及一陰極; 一第一電晶體,具有耦接該發光元件的該陰極的一第一端、一第二端、及接收一發光信號的一控制端; 一第二電晶體,具有耦接該第一電晶體的該第二端的一第一端、一第二端及一控制端; 一第一電容,具有耦接該第二電晶體的該控制端的一第一端及耦接該第二電晶體的該第二端的一第二端; 一第三電晶體,具有接收一第一資料信號的一第一端、耦接該第二電晶體的該控制端的一第二端及接收一第一掃描信號的一控制端; 一第四電晶體,具有耦接該第二電晶體的該第二端的一第一端、接收一系統低電壓的一第二端及接收該發光信號的一控制端;以及 一第五電晶體,具有耦接該第二電晶體的該第二端的一第一端、接收一充電參考電壓的一第二端及接收該第一掃描信號的一控制端; 其中,該充電參考電壓於該第五電晶體導通時提供至該第五電晶體的一第一電流值小於該系統低電壓於該第四電晶體導通時提供至該第四電晶體的一第二電流值。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素電路,其中該第一掃描信號的致能期間早於該發光信號的致能期間,並且該第一掃描信號的致能期間不重疊於該發光信號的致能期間。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素電路,更包括: 一第六電晶體,具有耦接該第一電晶體的該第二端的一第一端、耦接該第四電晶體的該第一端的一第二端、及一控制端; 一第二電容,具有耦接該第六電晶體的該控制端的一第一端及耦接該第六電晶體的該第二端的一第二端;以及 一第七電晶體,具有接收一第二資料信號的一第一端、耦接該第六電晶體的該控制端的一第二端及接收該第一掃描信號的一控制端。
- 如申請專利範圍第3項所述的畫素電路,其中該第二電晶體的通道的長寬比大於該第六電晶體的通道的長寬比。
- 如申請專利範圍第4項所述的畫素電路,其中該第二電晶體受控於該第一資料信號於該發光元件顯示小於等於一間隔灰階亮度時於該發光信號的致能期間呈現截止,該第二電晶體受控於該第一資料信號於該發光元件顯示大於該間隔灰階亮度時於該發光信號的致能期間呈現導通,其中該間隔灰階亮度不對應於該發光元件的一顯示亮度範圍的一最大顯示亮度及一最小顯示亮度。
- 如申請專利範圍第5項所述的畫素電路,其中該第一資料信號的一第一最大灰階電壓對應該最大顯示亮度,並且該第二資料信號的一第二最大灰階電壓對應該間隔灰階亮度。
- 如申請專利範圍第6項所述的畫素電路,其中該第一最大灰階電壓等於該第二最大灰階電壓。
- 如申請專利範圍第5項所述的畫素電路,其中該間隔灰階亮度相關於該第二電晶體的通道的長寬比對該第六電晶體的通道的長寬比的一第一比值。
- 如申請專利範圍第8項所述的畫素電路,其中當該第一比值越高,該間隔灰階亮度越低,當該第一比值越低,該間隔灰階亮度越高。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素電路,更包括: 一第八電晶體,具有耦接該發光元件的該陰極的一第一端、一第二端、及接收一第二掃描信號的一控制端; 一第九電晶體,具有耦接該第八電晶體的該第二端的一第一端、耦接該第四電晶體的該第一端的一第二端、及一控制端; 一第三電容,具有耦接該第九電晶體的該控制端的一第一端及耦接該第九電晶體的該第二端的一第二端;以及 一第十電晶體,具有接收一第三資料信號的一第一端、耦接該第九電晶體的該控制端的一第二端及接收該第一掃描信號的一控制端。
- 如申請專利範圍第10項所述的畫素電路,其中該第二電晶體的通道的長寬比大於該第九電晶體的通道的長寬比。
- 如申請專利範圍第11項所述的畫素電路,其中該第二電晶體受控於該第一資料信號於該發光元件顯示小於等於一間隔灰階亮度時於該發光信號的致能期間呈現截止,該第二電晶體受控於該第一資料信號於該發光元件顯示大於該間隔灰階亮度時於該發光信號的致能期間呈現導通,其中該間隔灰階亮度不對應於該發光元件的一顯示亮度範圍的一最大顯示亮度及一最小顯示亮度。
- 如申請專利範圍第12項所述的畫素電路,其中該第一資料信號的一第一最大灰階電壓對應該最大顯示亮度,並且該第三資料信號的一第三最大灰階電壓對應該間隔灰階亮度。
- 如申請專利範圍第13項所述的畫素電路,其中該第一最大灰階電壓等於該第三最大灰階電壓。
- 如申請專利範圍第12項所述的畫素電路,其中該間隔灰階亮度相關於該第二電晶體的通道的長寬比與該發光信號的致能期間的一第一乘積對該第九電晶體的通道的長寬比與該第二掃描信號的致能期間的一第二乘積的一第二比值。
- 如申請專利範圍第15項所述的畫素電路,其中當該第二比值越高,該間隔灰階亮度越低,當該第二比值越低,該間隔灰階亮度越高。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素電路,其中該發光元件包括一有機發光二極體或一微型發光二極體。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素電路,其中該充電參考電壓為零伏特。
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