KR101819238B1 - 전기 이중층 캐패시터, 또는 태양광 발전 장치 - Google Patents

전기 이중층 캐패시터, 또는 태양광 발전 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101819238B1
KR101819238B1 KR1020110075762A KR20110075762A KR101819238B1 KR 101819238 B1 KR101819238 B1 KR 101819238B1 KR 1020110075762 A KR1020110075762 A KR 1020110075762A KR 20110075762 A KR20110075762 A KR 20110075762A KR 101819238 B1 KR101819238 B1 KR 101819238B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current collector
light
active material
oxide
electric double
Prior art date
Application number
KR1020110075762A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120024391A (ko
Inventor
유미꼬 사이또
준뻬이 모모
리에 마쯔바라
구니하루 노모또
히로아쯔 도도리끼
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Publication of KR20120024391A publication Critical patent/KR20120024391A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101819238B1 publication Critical patent/KR101819238B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/022Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/035Liquid electrolytes, e.g. impregnating materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/08Structural combinations, e.g. assembly or connection, of hybrid or EDL capacitors with other electric components, at least one hybrid or EDL capacitor being the main component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/26Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H01G11/28Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/54Electrolytes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/54Electrolytes
    • H01G11/56Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/66Current collectors
    • H01G11/68Current collectors characterised by their material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/74Terminals, e.g. extensions of current collectors
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30Electrical components
    • H02S40/38Energy storage means, e.g. batteries, structurally associated with PV modules
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E70/00Other energy conversion or management systems reducing GHG emissions
    • Y02E70/30Systems combining energy storage with energy generation of non-fossil origin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Abstract

투광성을 갖는 도전 재료로 이루어지는 한 쌍의 집전체와, 해당 한 쌍의 집전체 상에 분산된 활물질과, 해당 한 쌍의 집전체 사이에 형성되고, 투광성을 갖는 전해질층과, 해당 한 쌍의 집전체의 각각과 전기적으로 접속된 단자부를 갖는 전기 이중층 캐패시터 및 해당 전기 이중층 캐패시터와, 투광성을 갖는 기판 상에, 투광성을 갖는 제1 도전막, 해당 투광성을 갖는 제1 도전막에 접해서 형성된 광전 변환층, 해당 광전 변환층에 접해서 형성되고, 투광성을 갖는 제2 도전막을 갖는 태양 전지를 갖고, 해당 전기 이중층 캐패시터 및 태양 전지는, 해당 단자부, 해당 투광성을 갖는 제1 도전막 및 해당 투광성을 갖는 제2 도전막을 개재하여 전기적으로 접속되어 있는 태양광 발전 장치에 관한 것이다.

Description

전기 이중층 캐패시터, 또는 태양광 발전 장치{ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR AND SOLAR POWER GENERATION DEVICE}
개시되는 발명의 일 양태는, 전기 이중층 캐패시터, 전기 이중층 캐패시터의 제작 방법, 및 태양광 발전 장치에 관한 것이다.
태양 에너지에는, 현존하는 에너지원에 비해서 수많은 유리한 점이 있다. 예를 들면, 태양 에너지는 사실상 무한이며, 온세계에서 이용이 가능하다.
이러한 태양 에너지는, 다양한 분야에서 유효하게 이용되고 있다. 예를 들면, 빌딩이나 자동차에서는, 일광이 조사되는 부분에 태양 전지를 설치하고, 설치된 태양 전지에 의해 태양 에너지를 전기로 변환한다. 이와 같이 해서 얻어진 전기를, 빌딩의 조명이나 자동차의 동력원의 일부로서 이용할 수 있다.
태양 에너지는 일광이 조사되는 대낮에 얻어지지만, 상기한 바와 같이 해서 얻어진 전기를 축적하면, 일광이 조사되지 않는 밤 사이나 우천시에도 이용하는 것이 가능하다. 따라서 이것을 이용할 수 있으면, 귀중한 자연 자원의 감소나 파괴를 초래하지 않는 에너지원이 된다(특허 문헌 1 참조).
태양 전지에 의해 변환된 전기를 축적하는 축적 장치(축전 디바이스라고도 함)로서, 이차 전지나 전기 화학 캐패시터 등을 들 수 있다.
전기 화학 캐패시터로서, 리튬 이온 캐패시터(특허 문헌 2 참조)와 같은 하이브리드 캐패시터, 전기 이중층 캐패시터(Electric Double Layer Capacitor:EDLC)(특허 문헌 3 및 특허 문헌 4 참조) 등이 개발되고 있다.
특허 공개 2002-170967호 공보
특허 공개 2010-135361호 공보
특허 공개 공보 평성11-260669호 공보
특허 공개 2004-221531호 공보
태양 전지는 광을 흡수해서 발전하는 것으로서, 적어도 가시광은 반도체층에서 흡수되도록 구성되어 있으므로 불투명하다. 다만, 특허 문헌 1에서 개시되는 태양 전지와 같이, 반도체층을 투광성 전극 사이에 끼운 구조로 하면 투광성을 갖게 할 수 있다. 그러나, 이 경우라도 반도체층에서 가시광의 대부분은 흡수되게 되고, 또한 특정한 파장 대역(반도체의 밴드갭 에너지 이하의 파장의 광)의 광밖에 투과하지 않는다고 하는 특성을 갖고 있다.
그러나, 특허 문헌 3에 개시되는 종래의 전기 이중층 캐패시터는, 집전체나 활물질(active material)이 비투광성의 재료로 구성되어 있다. 즉, 종래의 전기 이중층 캐패시터는 비투광성의 축전 장치라고도 할 수 있다.
즉, 이차 전지나 전기 화학 캐패시터 등은, 충전 용량이나 충방전의 사이클 특성 외에, 박형화나 소형화만이 주목받고, 투광성이 문제로 되는 일은 없었다. 이 때문에, 종래의 이차 전지나 전기 화학 캐패시터 등은 광을 차단하기 때문에, 태양 전지와 조합해서 다기능화를 도모하는 것이 곤란하였다.
이상을 감안하여, 개시되는 발명의 일 양태에서는, 충방전 기능을 확보하면서, 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
또한 개시되는 발명의 일 양태에서는, 태양 전지와 축전 장치가 차지하는 면적을 억제하는 것을 과제의 하나로 한다.
개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 투광성을 갖는 축전 장치를 제공한다.
또한 개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 투광성을 갖는 태양 전지 및 축전 장치를 중첩시킨 태양광 발전 장치를 제공한다.
투광성을 갖는 태양 전지 및 축전 장치를 중첩시킴으로써, 태양 전지와 축전 장치가 차지하는 면적을 억제하는 것이 가능하다.
개시되는 발명의 일 양태는, 투광성을 갖는 도전 재료로 이루어지는 한 쌍의 집전체와, 해당 한 쌍의 집전체 상에 분산된 활물질과, 해당 한 쌍의 집전체 사이에 형성되고, 투광성을 갖는 전해질층을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 이중층 캐패시터에 관한 것이다.
개시되는 발명의 일 양태는, 투광성을 갖는 도전 재료로 이루어지는 한 쌍의 집전체와, 해당 한 쌍의 집전체 상에 분산된 활물질과, 해당 한 쌍의 집전체 사이에 형성되고, 투광성을 갖는 전해질층과, 해당 집전체와 전기적으로 접속된 단자부를 갖는 전기 이중층 캐패시터를 갖는다. 또한 개시되는 발명의 일 양태는, 투광성을 갖는 기판 상에, 투광성을 갖는 제1 도전막, 해당 제1 도전막에 접해서 형성된 광전 변환층, 해당 광전 변환층에 접해서 형성되고, 투광성을 갖는 제2 도전막을 갖는 태양 전지를 갖는다. 해당 개시되는 발명의 일 양태는, 해당 전기 이중층 캐패시터 및 태양 전지는, 해당 단자부, 해당 제1 도전막 및 해당 제2 도전막을 개재하여 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 태양광 발전 장치에 관한 것이다.
개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 해당 투광성을 갖는 도전 재료, 및, 해당 투광성을 갖는 제1 도전막 및 제2 도전막의 재료는, 각각, 물 분산성 폴리에스테르, 인듐 주석 산화물, 산화 규소를 포함하는 인듐 주석 산화물, 유기 인듐, 유기 주석, 산화 아연, 산화 아연을 포함하는 인듐 아연 산화물, 갈륨을 도핑한 산화 아연, 산화 주석, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 주석 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양광 발전 장치에 관한 것이다.
개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 해당 활물질은, 활성탄 또는 폴리아센계 재료인 것을 특징으로 한다.
개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 해당 전해질층은, 폴리에틸렌 산화물 또는 폴리프로필렌 산화물인 것을 특징으로 한다.
개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 해당 광전 변환층은, 비정질 반도체층, 다결정 반도체층, 미결정 반도체층 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
개시되는 발명의 일 양태에 있어서, 해당 광전 변환층은, p형 반도체층, 진성 반도체층, 및 n형 반도체층을 갖는 것을 특징으로 한다.
개시되는 발명의 일 양태에 의해, 충방전 기능을 확보하면서, 투광성을 갖는 전기 이중 캐패시터를 제공할 수 있다.
개시되는 발명의 일 양태에 의해, 태양 전지와 축전 장치가 차지하는 면적을 억제할 수 있다.
도 1은 축전 장치의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 축전 장치의 제작 방법을 도시하는 단면도.
도 3은 태양 전지와 축전 장치를 중첩시킨 태양광 발전 장치를 도시하는 단면도.
도 4a 내지 도 4c는 태양광 발전 장치를 전기 자동차의 창에 설치하는 예를 도시하는 도면.
도 5는 태양광 발전 장치를 자동 도어의 문에 설치하는 예를 도시하는 도면.
도 6은 태양광 발전 장치를 빌딩의 창에 설치하는 예를 도시하는 도면.
이하, 본 명세서에 개시된 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 단, 본 명세서에 개시된 발명은 많은 상이한 양태로 실시하는 것이 가능하고, 본 명세서에 개시된 발명의 취지 및 그 범위로부터 일탈하지 않고 그 형태 및 상세를 여러 가지로 변경할 수 있는 것은 당업자이면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 실시 형태의 기재 내용에 한정해서 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 도면에 있어서, 동일 부분 또는 마찬가지의 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 반복되는 설명은 생략한다.
[실시 형태1]
본 실시 형태의 전기 이중층 캐패시터를 도 1에 도시한다. 도 1에 도시하는 전기 이중층 캐패시터(100)는, 한 쌍의 집전체(101), 해당 한 쌍의 집전체(101) 사이에 배치된 전해질층(103), 해당 한 쌍의 집전체(101) 각각에 분산되어 배치된 활물질(102)을 갖는다. 또한 본 실시 형태에서는, 집전체(101) 및 활물질(102)을 대개 전극이라고 부르는 것으로 한다.
해당 한 쌍의 집전체(101)의 각각은, 투광성을 갖는 도전 재료로 형성되어 있다. 이러한 투광성을 갖는 도전 재료로서, 예를 들면, 물 분산성 폴리에스테르, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 산화 규소를 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO), 유기 인듐, 유기 주석, 산화 아연(ZnO), 산화 아연을 포함하는 인듐 아연 산화물(IZO(Indium Zinc Oxide)), 갈륨(Ga)을 도핑한 산화 아연, 산화 주석(SnO2), 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 주석 산화물 등이 적합하다.
활물질(102)로서, 비표면적이 큰 활성탄이나 폴리아센계 재료를 이용한다. 부극 활물질에 한하여, 이들에 추가하여 흑연을 이용할 수 있다. 부극의 활물질(102)로서, 폴리아센계 재료나 흑연을 이용한 경우, 미리 리튬을 프리 도핑하고, 전기 이중층 캐패시터(100)를 리튬 이온 캐패시터로 할 수도 있다. 활물질(102)은, 한 쌍의 집전체(101) 각각의 표면에, 집전체(101)가 투광성을 소실하지 않을 정도로 분산해서 배치한다.
전해질층(103)은, 폴리에틸렌 산화물(polyethylene oxide, 약칭 PE0)이나 폴리프로필렌 산화물(polypropylene oxide, 약칭 PPO)에 대표되는, 투광성을 갖는 폴리머를 이용해서 형성한다.
한 쌍의 집전체(101) 각각에는, 단자부(106)가 접속되어 있다. 단자부(106)는, 집전체(101)와 마찬가지로 투광성을 갖는 도전 재료로 형성해도 되고, 비투광성의 도전 재료를 이용해서 형성해도 된다. 단자부(106)는, 각각 일부가 외장 부재(105)의 외측에 도출되어 있다.
집전체(101), 활물질(102), 및 전해질층(103)은, 투광성을 갖는 외장 부재(105)의 내부에 설치되어 있다. 해당 투광성을 갖는 외장 부재(105)로서, 투광성을 갖는 라미네이트 필름, 투광성을 갖는 고분자 필름, 투광성을 갖는 플라스틱 케이스 등을 이용할 수 있다.
이상 설명한 전기 이중층 캐패시터(100)는, 투광성을 갖는 집전체(101), 집전체(101)가 투광성을 소실하지 않을 정도로 분산해서 배치된 활물질(102), 투광성을 갖는 폴리머로 형성되는 전해질층(103), 및 투광성을 갖는 외장 부재(105)를 갖고 있다. 이상에 의해, 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터(100)를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 전기 이중층 캐패시터(100)의 제작 방법에 대해서, 이하에 설명한다.
우선 집전체(101)를 준비한다(도 2a 참조). 다음으로, 집전체(101) 상에, 집전체(101)가 투광성을 소실하지 않을 정도로 분산해서, 활물질(102)을 배치한다(도 2b 참조).
활물질(102)을 분산해서 배치한 집전체(101)를, 활물질(102)이 배치된 표면을 대향시키고, 대향시킨 표면 사이에 전해질층(103)을 배치한다(도 2c 참조).
다음으로, 집전체(101)에 단자부(106)를 전기적으로 접속한다. 단자부(106)가 접속된 집전체(101), 활물질(102), 및 전해질층(103)을, 투광성을 갖는 외장 부재(105)의 내부에 설치한다. 이 때, 단자부(106)의 일부가 외장 부재(105)의 외측에 도출되도록 단자부(106)를 설치한다. 이상과 같이 해서, 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터(100)를 형성한다(도 1참조).
도 3에, 투광성을 갖는 태양 전지 및 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터(100)를 중첩시킨 태양광 발전 장치의 예를 도시한다.
도 3에 도시하는 태양 전지(200)는, 투광성을 갖는 기판(201) 상에, 투광성을 갖는 도전막(210), 투광성을 갖는 도전막에 접해서 형성된 광전 변환층(211), 광전 변환층(211)에 접해서 형성되고, 투광성을 갖는 도전막(212)을 갖고 있다.
투광성을 갖는 기판(201)으로서, 예를 들면, 청판 글래스, 백판 글래스, 납 글래스, 강화 유리, 세라믹 글래스 등의 글래스판을 사용할 수 있다. 또한, 알루미노 실리케이트산 글래스, 바륨 붕규산 글래스, 알루미노 붕규산 글래스 등의 무알카리 글래스 기판, 석영 기판, 세라믹 기판을 이용할 수 있다.
투광성을 갖는 기판(201)으로서, 가요성을 갖는 합성 수지로 이루어지는 기판(예를 들면, 플라스틱 기판)을 사용하는 경우에는, 상기 가판과 비교해서 내열 온도가 일반적으로 낮은 경향에 있지만, 제작 공정에 있어서의 처리 온도에 견딜 수 있는 것이면 이용하는 것이 가능하다.
플라스틱 기판으로서, 폴리에스테르, 폴리에테르 술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리아미드계 합성 섬유, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리 술폰(PSF), 폴리에테르 이미드(PEI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리이미드, 아크릴로니트릴 부타디엔 스테렌 수지, 폴리염화비닐, 폴리프로필렌, 폴리 아세트산 비닐, 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 폴리에스테르로서, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 들 수 있다.
투광성을 갖는 도전막(210) 및 도전막(212)의 재료로서, 상술한 투광성을 갖는 도전 재료를 이용하면 된다.
광전 변환층(211)은, p형 반도체층, 진성 반도체층 및 n형 반도체층, 또는 n형 반도체층, 진성 반도체층 및 p형 반도체층이 순서대로 적층된 적층막이다. p형 반도체층, 진성 반도체층, n형 반도체층은, 비정질 반도체층, 다결정 반도체층, 미결정 반도체층 등을 사용해서 형성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 광집합 변환층(211)으로서, p형 반도체층(213), 진성 반도체층(214) 및 n형 반도체층(215)을 적층한 적층막을 사용한다.
도전막(212)과 1개의 광전 변환층(211)은, n형 반도체층(215) 측에 있어서 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도전막(210)과 해당 1개의 광전 변환층(211)은, p형 반도체층(213) 측에 있어서 전기적으로 접속되어 있다. 도전막(210)은, 해당 1개의 광전 변환층(211)과는 다른 광전 변환층(211) 상의 도전막(212)과, 전기적으로 접속되어 있다. 이에 의해, 각 셀이 서로 다른 셀과 전기적으로 접속된다. 각 셀이 서로 다른 셀과 직렬로 접속되어 있으면, 출력 전압을 상승시키는 것이 가능하다.
태양 전지(200)의 1개의 단부의 셀의 도전막(212)은, 전기 이중층 캐패시터(100)의 단자부(106)의 한쪽과 전기적으로 접속되어 있고, 태양 전지(200)의 다른 단부의 셀의 도전막(212)은, 전기 이중층 캐패시터(100)의 단자부(106)의 다른 쪽과 전기적으로 접속되어 있다. 단, 단자부(106)가 비투광성을 갖는 재료로 형성되어 있는 경우에는, 태양 전지(200) 및 전기 이중층 캐패시터(100)의 투광성을 저해하지 않도록, 단자부(106)를 배치한다.
또한 도 3에서는 태양 전지(200)와 전기 이중층 캐패시터(100)가 대향하고 있는 측에, 도전막(212)이 배치되어 있으므로, 도전막(212) 및 단자부(106)를 전기적으로 접속하고 있다. 그러나, 태양 전지(200)의 1개의 단부의 셀의 도전막(210)과 전기 이중층 캐패시터(100)의 단자부(106)의 한쪽, 및, 태양 전지(200)의 다른 단부의 셀의 도전막(210)과 전기 이중층 캐패시터(100)의 단자부(106)의 다른 쪽을 전기적으로 접속시켜도 된다.
즉, 태양 전지(200)의 정극과 부극이, 각각 전기 이중층 캐패시터(100)의 전극에 전기적으로 접속되어 있으면 된다. 이에 의해, 태양 전지(200)에 의해 발전된 전기는, 도전막(210), 도전막(212) 및 단자부(106)를 통하여, 전기 이중층 캐패시터(100)에 축적된다.
전기 이중층 캐패시터(100)의 외장 부재(105) 및 단자부(106), 및 태양 전지(200)의 도전막(212) 및 광전 변환층(211) 사이에는, 투광성을 갖는 접착제(109)가 충전되어 있다. 투광성을 갖는 접착제(109)에 의해, 전기 이중층 캐패시터(100) 및 태양 전지(200)는 접착된다.
이상과 같이 하여, 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터(100) 및 태양 전지(200)를 중첩시킨 태양광 발전 장치(300)를 얻을 수 있다. 태양 전지(200) 및 전기 이중층 캐패시터(100)가 투광성을 갖고 있으므로, 태양광 발전 장치(300)도 투광성을 갖는다. 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터(100) 및 태양 전지(200)를 중첩시킴으로써, 전기 이중층 캐패시터(100) 및 태양 전지(200)가 차지하는 면적을 억제하는 것이 가능하다.
또한 도 3에서는 1개의 전기 이중층 캐패시터(100) 및 1개의 태양 전지(200)를 상하로 중첩한 태양광 발전 장치(300)에 대해서 설명하고 있지만, 가능하면, 전기 이중층 캐패시터(100) 및 태양 전지(200)를, 각각 복수개 상하로 중첩해서 형성해도 된다. 이에 의해, 태양광을 보다 효율적으로 이용할 수 있어, 발전량 및 축전량의 증가가 예상된다.
도 4a∼도 4c에, 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)를, 전기 자동차의 창에 설치한 예를 도시한다.
도 4a는 전기 자동차(301)의 사시도이다. 도 4a에 도시하는 전기 자동차(301)에서는, 사이드 윈도우(302)에 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)가 설치되어 있다.
도 4b는 전기 자동차(301)의 다른 사시도이다. 도 4b에 도시하는 전기 자동차(301)에서는, 리어 윈도우(303)에 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)가 설치되어 있다.
도 4c는 전기 자동차(301)의 다른 사시도이다. 도 4c에 도시하는 전기 자동차(301)에서는, 사이드 윈도우(302) 및 리어 윈도우(303)에 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)가 설치되어 있다.
도 4a∼도 4c에 도시되는 바와 같이, 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)는, 전기 자동차(301)의 사이드 윈도우(302), 또는 리어 윈도우(303), 혹은 그 양쪽에 설치 가능하다.
태양광 발전 장치(300)에서 발전 및 축전된 전기는, 전기 자동차(301)의 동력, 혹은 라이트의 전원 등에 이용할 수 있다.
도 5에, 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)를, 자동 도어의 문에 설치한 예를 도시한다.
도 5는 자동 도어(304)의 정면도이다. 도 5의 자동 도어(304)에서는, 도어(305)에 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)가 설치되어 있다.
태양광 발전 장치(300)에서 발전 및 축전된 전기는, 자동 도어(304)의 동력 등에 이용할 수 있다.
도 6에, 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)를, 빌딩의 창에 설치한 예를 도시한다.
도 6은 빌딩(306)의 사시도이다. 도 6에 도시하는 빌딩(306)에서는, 창(307)에 투광성을 갖는 태양광 발전 장치(300)가 설치되어 있다.
태양광 발전 장치(300)에서 발전 및 축전된 전기는, 빌딩(306의) 내부에 설치된 다양한 장치의 동력, 혹은 빌딩(306)의 내부나 외부에 설치된 조명의 전원 등에 이용할 수 있다.
이상 본 실시 형태에 의해, 투광성을 갖는 전기 이중층 캐패시터(100)를 제공할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 의해, 투광성을 갖는 태양 전지(200) 및 전기 이중층 캐패시터(100)를 중첩시킨 태양광 발전 장치(300)를 제공할 수 있다.
투광성을 갖는 태양 전지(200) 및 전기 이중층 캐패시터(100)를 중첩시킴으로써, 태양 전지(200) 및 전기 이중층 캐패시터(100)가 차지하는 면적을 억제하는 것이 가능하다.
100 : 전기 이중층 캐패시터
101 : 집전체
102 : 활물질
103 : 전해질층
105 : 외장 부재
106 : 단자부
109 : 접착제
200 : 태양 전지
201 : 기판
210 : 도전막
211 : 광전 변환층
212 : 도전막
213 : p형 반도체층
214 : 진성 반도체층
215 : n형 반도체층
300 : 장치
301 : 전기 자동차
302 : 사이드 윈도우
303 : 리어 윈도우
304 : 자동 도어
305 : 문
306 : 빌딩
307 : 창

Claims (20)

  1. 전기 이중층 캐패시터로서,
    투광성 도전 재료를 포함하는 제1 집전체와,
    투광성 도전 재료를 포함하는 제2 집전체와,
    상기 제1 집전체의 표면 위에 분산된, 활성탄 또는 폴리아센계 재료를 포함하는 제1 활물질과,
    상기 제2 집전체의 표면 위에 분산된, 활성탄 또는 폴리아센계 재료를 포함하는 제2 활물질과,
    상기 제1 집전체와 상기 제2 집전체 사이에 있는 투광성 전해질층
    을 포함하며,
    상기 전기 이중층 캐패시터가 투광성을 소실하지 않도록, 상기 제1 활물질과 상기 제2 활물질은 각각 상기 투광성 전해질층과 상기 제1 집전체의 사이와 상기 투광성 전해질층과 상기 제2 집전체의 사이에 있고,
    상기 제1 활물질과 상기 제2 활물질이 상기 투광성 전해질층 내에 매립되는, 전기 이중층 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투광성 도전 재료는 물 분산성 폴리에스테르, 인듐 주석 산화물, 산화 규소를 포함하는 인듐 주석 산화물, 유기 인듐, 유기 주석, 산화 아연, 산화 아연을 포함하는 인듐 아연 산화물, 갈륨을 도핑한 산화 아연, 산화 주석, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 산화물, 및 산화 티탄을 포함하는 인듐 주석 산화물 중 어느 하나로부터 선택되는, 전기 이중층 캐패시터.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 투광성 전해질층은 폴리에틸렌 산화물 또는 폴리프로필렌 산화물을 포함하는, 전기 이중층 캐패시터.
  5. 태양광 발전 장치로서,
    투광성 도전 재료를 포함하는 제1 집전체와; 투광성 도전 재료를 포함하는 제2 집전체와; 상기 제1 집전체의 표면 위에 분산된, 활성탄 또는 폴리아센계 재료를 포함하는 제1 활물질과; 상기 제2 집전체의 표면 위에 분산된, 활성탄 또는 폴리아센계 재료를 포함하는 제2 활물질과; 상기 제1 집전체와 상기 제2 집전체 사이에 있는 투광성 전해질층과; 상기 제1 집전체에 전기적으로 접속되는 단자부를 포함하는 전기 이중층 캐패시터와,
    투광성 기판 위의 제1 투광성 도전막과; 상기 제1 투광성 도전막에 접하는 광전 변환층과; 상기 광전 변환층에 접하는 제2 투광성 도전막을 포함하는 태양 전지
    를 포함하고,
    상기 전기 이중층 캐패시터가 투광성을 소실하지 않도록, 상기 제1 활물질과 상기 제2 활물질은 각각 상기 투광성 전해질층과 상기 제1 집전체의 사이와 상기 투광성 전해질층과 상기 제2 집전체의 사이에 있고,
    상기 전기 이중층 캐패시터 및 상기 태양 전지는 상기 단자부, 상기 제1 투광성 도전막 및 상기 제2 투광성 도전막을 통해 전기적으로 서로 접속되고,
    상기 제1 활물질과 상기 제2 활물질이 상기 투광성 전해질층 내에 매립되는, 태양광 발전 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 태양광 발전 장치로서,
    투광성 도전 재료를 포함하는 제1 집전체와; 투광성 도전 재료를 포함하는 제2 집전체와; 상기 제1 집전체의 표면 위에 분산된, 활성탄 또는 폴리아센계 재료를 포함하는 제1 활물질과; 상기 제2 집전체의 표면 위에 분산된, 활성탄 또는 폴리아센계 재료를 포함하는 제2 활물질과; 상기 제1 집전체와 상기 제2 집전체 사이에 있는 투광성 전해질층과; 상기 제1 집전체에 전기적으로 접속되는 단자부를 포함하는 전기 이중층 캐패시터와,
    투광성 기판 위의 제1 투광성 도전막과; 상기 제1 투광성 도전막에 접하는 광전 변환층과; 상기 광전 변환층에 접하는 제2 투광성 도전막을 포함하는 태양 전지
    를 포함하고,
    상기 전기 이중층 캐패시터가 투광성을 소실하지 않도록, 상기 제1 활물질과 상기 제2 활물질은 각각 상기 투광성 전해질층과 상기 제1 집전체의 사이와 상기 투광성 전해질층과 상기 제2 집전체의 사이에 있고,
    상기 전기 이중층 캐패시터는 상기 태양 전지와 중첩되고,
    상기 제1 집전체와 상기 제2 투광성 도전막은 상기 단자부를 통해 전기적으로 서로 접속되어 있고,
    상기 제1 활물질과 상기 제2 활물질이 상기 투광성 전해질층 내에 매립되는, 태양광 발전 장치.
  13. 제5항 또는 제12항에 있어서, 상기 투광성 도전 재료 및 상기 제1 투광성 도전막 및 상기 제2 투광성 도전막의 재료는 물 분산성 폴리에스테르, 인듐 주석 산화물, 산화 규소를 포함하는 인듐 주석 산화물, 유기 인듐, 유기 주석, 산화 아연, 산화 아연을 포함하는 인듐 아연 산화물, 갈륨을 도핑한 산화 아연, 산화 주석, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 티탄을 포함하는 인듐 산화물, 및 산화 티탄을 포함하는 인듐 주석 산화물 중 어느 하나로부터 선택되는, 태양광 발전 장치.
  14. 삭제
  15. 제5항 또는 제12항에 있어서, 상기 투광성 전해질층은 폴리에틸렌 산화물 또는 폴리프로필렌 산화물을 포함하는, 태양광 발전 장치.
  16. 제5항 또는 제12항에 있어서, 상기 광전 변환층은 비정질 반도체층, 다결정 반도체층, 및 미결정(microcrystalline) 반도체층 중 어느 하나인, 태양광 발전 장치.
  17. 제5항 또는 제12항에 있어서, 상기 광전 변환층은 p형 반도체층, 진성 반도체층, 및 n형 반도체층을 포함하는, 태양광 발전 장치.
  18. 제5항 또는 제12항에 있어서, 상기 전기 이중층 캐패시터와 상기 태양 전지는 투광성 접착제에 의해 서로 접착되는, 태양광 발전 장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 제1 집전체, 상기 제2 집전체, 및 상기 투광성 전해질층을 둘러싸는 투광성 외장 부재를 추가로 포함하는, 전기 이중층 캐패시터.
  20. 제5항 또는 제12항에 있어서, 상기 제1 집전체, 상기 제2 집전체, 및 상기 투광성 전해질층을 둘러싸는 투광성 외장 부재를 추가로 포함하는, 태양광 발전 장치.
KR1020110075762A 2010-08-04 2011-07-29 전기 이중층 캐패시터, 또는 태양광 발전 장치 KR101819238B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-174995 2010-08-04
JP2010174995 2010-08-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120024391A KR20120024391A (ko) 2012-03-14
KR101819238B1 true KR101819238B1 (ko) 2018-01-16

Family

ID=45555462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110075762A KR101819238B1 (ko) 2010-08-04 2011-07-29 전기 이중층 캐패시터, 또는 태양광 발전 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8541783B2 (ko)
JP (1) JP5912316B2 (ko)
KR (1) KR101819238B1 (ko)
CN (1) CN102426934B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9812867B2 (en) 2015-06-12 2017-11-07 Black Night Enterprises, Inc. Capacitor enhanced multi-element photovoltaic cell
CN110473930A (zh) * 2018-05-08 2019-11-19 北京汉能光伏投资有限公司 发电机构及其制备方法、发电装置
JP2020191047A (ja) * 2019-05-24 2020-11-26 ホーチキ株式会社 窓監視装置
EP4181218A1 (en) * 2021-11-10 2023-05-17 Soltec Innovations, S.L. Photovoltaic assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116324A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk 複合電池およびこれを含む電子機器
JP2006237357A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Shinshu Univ 透明薄膜電極およびそれを有する電気化学蓄電素子
JP2006309990A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd キャパシタ付色素増感型太陽電池
JP2006332469A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Peccell Technologies Inc 光充電可能な積層型キャパシタ

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02378A (ja) * 1987-12-15 1990-01-05 Sharp Corp 非晶質太陽電池
JPH03126922A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Teijin Ltd エレクトロクロミツクフィルム
JP3360919B2 (ja) * 1993-06-11 2003-01-07 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池
US5419977A (en) * 1994-03-09 1995-05-30 Medtronic, Inc. Electrochemical device having operatively combined capacitor
JPH11260669A (ja) 1998-03-12 1999-09-24 Meidensha Corp 電極及びこれを用いた電気二重層キャパシタ
JP2000057844A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Nippon Mitsubishi Oil Corp 高分子固体電解質
JP2002170967A (ja) 2000-11-20 2002-06-14 Xoptix Pty Ltd 透明太陽電池及びその製造方法
JP2004221531A (ja) 2002-12-26 2004-08-05 Toin Gakuen 光充電可能な積層型電気二重層キャパシタ
AU2003902456A0 (en) * 2003-05-21 2003-06-05 Sustainable Technologies International Pty Ltd Photovoltaic power source for wireless electronic devices
JP4775906B2 (ja) * 2005-11-29 2011-09-21 日東電工株式会社 光起電力装置及びその製造方法
JP4948423B2 (ja) * 2006-01-11 2012-06-06 京セミ株式会社 受光又は発光用半導体モジュール
JP2008112843A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
JP2009146625A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2010034300A (ja) 2008-07-29 2010-02-12 Jfe Chemical Corp 電気二重層キャパシタの分極性電極用炭素材料、その製造方法および電気二重層キャパシタ
JP2010135361A (ja) 2008-12-02 2010-06-17 Mitsubishi Electric Corp 負極、リチウムイオンキャパシタ及びそれらの製造方法
WO2010140522A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR101677076B1 (ko) 2009-06-05 2016-11-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환 디바이스 및 그 제조 방법
CN105719841B (zh) 2009-09-30 2019-05-14 株式会社半导体能源研究所 电化学电容器
JP5613508B2 (ja) 2009-09-30 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 レドックスキャパシタ
KR101740692B1 (ko) 2009-09-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치용 전극의 제작 방법 및 축전 장치의 제작 방법
JP5667823B2 (ja) 2009-09-30 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電デバイス

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116324A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk 複合電池およびこれを含む電子機器
JP2006237357A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Shinshu Univ 透明薄膜電極およびそれを有する電気化学蓄電素子
JP2006309990A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd キャパシタ付色素増感型太陽電池
JP2006332469A (ja) 2005-05-27 2006-12-07 Peccell Technologies Inc 光充電可能な積層型キャパシタ

Also Published As

Publication number Publication date
CN102426934A (zh) 2012-04-25
JP5912316B2 (ja) 2016-04-27
US8541783B2 (en) 2013-09-24
CN102426934B (zh) 2016-06-08
JP2012054537A (ja) 2012-03-15
US20120032170A1 (en) 2012-02-09
KR20120024391A (ko) 2012-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101605765B1 (ko) 이차 전지
US20090084439A1 (en) TCO-based hybrid solar photovoltaic energy conversion apparatus
CN101572510B (zh) 太阳能供电装置及包括该供电装置的照明系统
US20110023959A1 (en) Photovoltaic Cell Substrate And Method Of Manufacturing The Same
JP2014157846A (ja) 太陽電池モジュール
KR101819238B1 (ko) 전기 이중층 캐패시터, 또는 태양광 발전 장치
CN102064213A (zh) 外加电场效应薄膜光伏电池及与电场源集成的光伏电池板
JP2000101122A (ja) 太陽電池モジュール
US20110308588A1 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP5795941B2 (ja) 充電装置
JP2000114572A (ja) 太陽電池モジュ―ル
CN201004465Y (zh) 导光式立体光伏电池
CN102496635A (zh) 太阳能电池模块
CN109585582A (zh) 一种用于太阳能发电的透明导电面板
US9214587B2 (en) Photoelectric conversion module and manufacturing method thereof
KR101325632B1 (ko) 자가충전 복합전지 및 그를 이용한 usn 센서노드 모듈
CN207264710U (zh) 一种显示装置及电子设备
KR20120051972A (ko) 태양 전지 모듈
KR102379143B1 (ko) 태양전지, 태양전지의 제조 방법 및 이를 포함하는 자동차
KR101127054B1 (ko) 박막 태양전지
CN115207147B (zh) 太阳能电池模块与太阳能电池显示装置
CN212542452U (zh) 一种叠层并联的光伏组件
CN218831182U (zh) 一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统
KR101358561B1 (ko) 태양전지 및 태양전지 제조방법
CN212029377U (zh) 一种太阳能oled面板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant