KR101801919B1 - 폴리에스테르 단층 필름 - Google Patents

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Abstract

본 일실시예에 따른 폴리에스테르 단층 필름은 낮은 헤이즈 및 낮은 올리고머 특성을 가지며, 더 푸른색의 색좌표를 갖고 무기 금속 함량이 적다. 따라서, 상기 폴리에스테르 단층 필름은 최근 터치패널에 사용되는 ITO용 및 비ITO용(Ag 나노와이어용 등) 기재필름을 비롯하여 내열보호 필름 및 비산방지 필름의 기재필름으로 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 불순물이 적어 550 nm 파장대에서의 투과율이 상대적으로 높아 백라이트 유닛(BLU)용 프리즘 및 확산시트의 기재필름으로도 유용하게 사용될 수 있다.

Description

폴리에스테르 단층 필름{MONOLAYER POLYESTER FILM}
본 발명은 올리고머 함량이 적고, 헤이즈가 낮은 폴리에스테르 단층 필름에 관한 것이다.
일반적으로 폴리에스테르 필름은 디스플레이 기기뿐만 아니라 음료충전용 용기 및 의료용, 포장재, 시트(Sheet), 자동차 성형품 등의 여러 산업용 재료로서 이용되고 있다. 그 중에서도 디스플레이 산업의 대부분을 차지하고 있는 PDP(Plasma Display Panel)나 LCD(Liquid Crystal Display)의 경우, 기기의 구성 부품으로 플라스틱 필름이 많이 사용되고 있으며, 광학적인 투명성이 요구되는 경우에는 폴리에스테르 필름을 사용하고, 내구성 및 내열성이 요구되는 경우에는 폴리이미드 필름을 주로 사용하고 있다. 특히, 이축 연신된 폴리에스테르 필름의 경우, 치수안정성, 두께 균일성 및 광학적 투명성이 우수하여 여러 산업분야에서 이용되고 있다.
이러한 디스플레이 분야에 사용되는 기재 필름(base film)은 제조 공정의 용이성 및 제조된 제품의 시인성 등을 개선하기 위해 공정 주행안정성, 투명성, 내스크래치성, 평면성 및 광투과성 등의 여러 가지 특성이 요구된다.
상술한 바와 같은 특성을 만족시키기 위해, 국내 공개특허 제 2016-0002196 호는 단면에 하드코팅층이 형성된 폴리에스테르 필름 및 이를 이용한 투명전도 필름을 개시하고 있다. 상기 폴리에스테르 필름은 레인보우 현상을 발생시키지 않고, 필름 내 올리고머가 표면으로 마이그레이션(migration)되는 것이 차단되며, 고온다습 하에서 접착력이 우수하여 투명 전극층과의 밀착력 및 광학 특성이 우수하다.
국내 공개특허 제 2016-0002196 호
국내 공개특허 제 2016-0002196 호를 비롯하여 기존의 폴리에스테르 중합시에는 주로 안티몬(Sb) 화합물을 촉매로서 사용하였는데, 이 경우 제조된 폴리에스테르 필름의 헤이즈 개선에 한계가 있었다. 또한, 주행성 확보를 위해 폴리에스테르 수지 내에 충진재를 첨가해야 하는데, 상기 충진재에 의한 산란으로 인해 필름의 헤이즈가 상승하는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 낮은 헤이즈 및 낮은 올리고머 특성을 가지며, 무기 금속 함량이 적고, 안티몬 촉매를 사용한 폴리에스테르 필름보다 상대적으로 더 푸른색의 색좌표를 갖는(more bluish) 폴리에스테르 단층 필름을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 일실시예는,
게르마늄 화합물을 촉매로 사용하여 제조된 폴리에스테르 수지를 포함하며,
0.5 % 이하의 헤이즈(haze)를 갖고, 150 ℃에서 3 시간 동안 열처리될 때 1 % 이하의 헤이즈 변화율을 나타내는, 폴리에스테르 단층 필름을 제공한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일실시예는, 상술한 바와 같은 폴리에스테르 단층 필름, 및
상기 폴리에스테르 단층 필름의 일면에 형성된, ITO(indium tin oxide)계 도전층을 적층된 형태로 포함하고,
하드코팅층을 포함하지 않는, 도전성 필름을 제공한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해 본 일실시예는, 상술한 바와 같은 폴리에스테르 단층 필름을 포함하는 내열보호 필름, 비산방지 필름, 및 광학 시트를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 폴리에스테르 단층 필름은 낮은 헤이즈 및 낮은 올리고머 특성을 가지며, 더 푸른색의 색좌표를 갖고 무기 금속 함량이 적다. 따라서, 상기 폴리에스테르 단층 필름은 최근 터치패널에 사용되는 ITO용 및 비ITO용(Ag 나노와이어용 등) 기재필름을 비롯하여 내열보호 필름 및 비산방지 필름의 기재필름으로 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 불순물이 적어 550 nm 파장대에서의 투과율이 상대적으로 높아 백라이트 유닛(BLU)용 프리즘 및 확산시트의 기재필름으로도 유용하게 사용될 수 있다. 나아가, 기재필름으로 사용시 하드코팅층의 형성을 생략할 수 있어 보다 경제적이고 간편한 제조가 가능하다.
본 일실시예의 폴리에스테르 단층 필름은 게르마늄 화합물을 촉매로 사용하여 제조된 폴리에스테르 수지를 포함하며, 0.5 % 이하의 헤이즈(haze)를 갖고, 150 ℃에서 3 시간 동안 열처리될 때 1 % 이하의 헤이즈 변화율을 나타내는 것을 특징으로 한다.
상기 폴리에스테르 수지는 게르마늄 화합물 촉매에 의하여 형성될 수 있다. 즉 게르마늄 화합물 촉매 존재 하에 디올 성분과 디카르복실산 성분을 반응시켜 상기 폴리에스테르 수지를 형성할 수 있다.
상기 폴리에스테르 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다. 구체적으로, 상기 폴리에스테르 수지는 게르마늄 화합물을 촉매로 사용하여 에틸렌 글리콜 및 테레프탈산을 에스테르 교환반응한 후, 중합시켜 얻어진 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다.
상기 폴리에스테르 수지는 0.6 내지 0.8 ㎗/gr의 고유점도(IV)를 가질 수 있다. 구체적으로, 0.65 내지 0.75 ㎗/gr의 고유점도(IV)를 가질 수 있다.
상기 폴리에스테르 수지는 고상 중합 공정에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 용융 중합된 폴리에스테르 수지는 펠렛(pellet)의 형태로 만들어진 후, 다시 150 내지 200 ℃에서 결정화된 다음 200 내지 230 ℃에서 중합될 수 있다.
상기 게르마늄(germanium) 화합물은 (가) 무정형 산화게르마늄, (나) 미세한 결정성 산화게르마늄, (다) 산화게르마늄을 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속 또는 이들의 화합물의 존재하에 글리콜에 용해한 용액, (라) 산화게르마늄을 물에 용해한 용액일 수 있다. 구체적으로, 촉매로 사용할 수 있는 게르마늄 화합물(게르마늄계 촉매)은 게르마늄 옥사이드(germanium oxide)일 수 있다. 또한, 게르마늄계 촉매는 폴리에스테르 수지 총 중량에 대하여 10 내지 10,000 ppm, 구체적으로 10 내지 1,000 ppm으로 포함될 수 있다. 상기 범위 내의 양으로 촉매를 사용할 경우, 폴리에스테르 수지의 중축합 반응이 효과적으로 수행되고, 폴리에스테르 수지의 색상 저하를 방지할 수 있다. 또한, 촉매 사용량 대비 효과면에서 경제적이며, 잔량의 촉매가 생성되지 않을 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 100 ppm 이하의 무기 금속을 포함하고, 상기 무기 금속은 규소(Si)를 포함하지 않을 수 있다. 구체적으로, 40 내지 100 ppm의 무기 금속을 포함할 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 150 ℃에서 9시간 동안 열처리될 때 2 % 이하의 헤이즈 변화율을 나타낼 수 있다. 구체적으로, 150 ℃에서 9시간 동안 열처리될 때 1 내지 2 %의 헤이즈 변화율을 나타낼 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 마그네슘 및 칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 인가제 성분을 포함하지 않을 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 100 ppm 이하의 무기 금속을 포함할 수 있다. 구체적으로, 40 내지 100 ppm의 무기 금속을 포함하고, 마그네슘 및 칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 인가제 성분을 포함하지 않을 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 트리플루오로 아세트산에 용해시켜 측정시 전(total) 올리고머를 0.5 내지 2.2 중량%의 양으로 포함할 수 있다. 구체적으로, 전(total) 올리고머를 0.8 내지 2.0 중량%의 양으로 포함할 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 15 내지 250 ㎛의 평균 두께를 가질 수 있다. 구체적으로, 25 내지 200 ㎛의 평균 두께를 가질 수 있다.
상기 폴리에스테르 단층 필름은 상기 폴리에스테르 수지를 용융 압출시킨 후 냉각시켜 미연신 시트로 제조된 후, 일축 또는 이축 연신되고, 열고정되어 제조될 수 있다.
상기 용융 압출은 Tm+30 내지 Tm+60 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 범위 내에서 용융 압출 공정을 수행할 경우, 수지의 원활한 용융으로 압출물의 점도가 적절하게 조절되어 생산성이 떨어지는 문제가 방지되고, 수지의 열분해가 방지되어 해중합으로 수지의 분자량이 떨어지는 문제 및 올리고머에 의한 문제가 예방될 수 있다.
상기 냉각은 30 ℃ 이하의 온도에서 이루어질 수 있으며, 구체적으로, 10 내지 30 ℃에서 이루어질 수 있다.
상기 미연신 시트는 길이 방향(기계 방향) 및 폭 방향(텐더 방향)으로 적절한 연신비에 의해 연신될 수 있다. 예를 들어, 상기 미연신 시트는 길이 방향으로 2 내지 6 배 연신되고, 폭 방향으로 2 내지 6 배 연신될 수 있다. 구체적으로, 상기 미연신 시트는 길이 방향으로 2 내지 4 배 연신되고, 폭 방향으로 2 내지 4 배 연신될 수 있다. 또한, 상기 길이 방향 및 폭 방향은 서로 수직일 수 있다.
상기 연신은 Tg+5 내지 Tg+50 ℃에서 수행될 수 있다. Tg가 낮을수록 연신성이 좋아지나, 파단이 일어날 수 있다. 구체적으로, 필름의 취성을 개선하기 위해서는 Tg+10 내지 Tg+40 ℃에서 연신될 수 있다.
상기 열고정은 필름을 길이 방향 및 폭 방향으로 이완시키기 위해 수행된다. 구체적으로, 상기 열고정은 120 내지 260 ℃에서 수행될 수 있다.
본 일실시예는 상술한 바와 같은 폴리에스테르 단층 필름, 및 상기 폴리에스테르 단층 필름의 일면에 형성된, ITO(indium tin oxide)계 도전층을 적층된 형태로 포함하고, 하드코팅층을 포함하지 않는 도전성 필름을 제공한다.
상기 폴리에스테르 단층 필름 상에 하드코팅층이 형성되지 않고, ITO계 도전층이 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리에스테르 단층 필름 상에 ITO계 도전층이 직접 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 폴리에스테르 단층 필름과 상기 ITO계 도전층은 직접 접촉될 수 있다.
예를 들어, 상기 폴리에스테르 단층 필름 상에 프라이머층 및 굴절율 매칭층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 적층된 후, 상기 ITO계 도전층이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 폴리에스테르 단층 필름 상에 프라이머층 및 ITO계 도전층이 차례로 적층될 수 있다. 이에 따라, 상기 프라이머층은 상기 폴리에스테르 단층 필름의 일면에 직접 접촉되고, 상기 ITO계 도전층은 상기 프라이머층의 타면에 직접 접촉될 수 있다. 또한, 구체적으로, 상기 폴리에스테르 단층 필름 상에 굴절율 매칭층 및 ITO계 도전층이 차례로 적층될 수 있다. 이에 따라, 상기 굴절율 매칭층은 상기 폴리에스테르 단층 필름의 일면에 직접 접촉되고, 상기 ITO계 도전층은 상기 굴절율 매칭층의 타면에 직접 접촉될 수 있다. 나아가, 구체적으로, 상기 폴리에스테르 단층 필름 상에 프라이머층, 굴절율 매칭층 및 ITO계 도전층이 차례로 적층될 수 있다. 이에 따라, 상기 프라이머층은 상기 폴리에스테르 필름의 일면에 직접 접촉되고, 상기 굴절율 매칭층은 상기 프라이머층의 타면에 직접 접촉되고, 상기 ITO계 도전층은 상기 굴절율 매칭층의 타면에 직접 접촉될 수 있다.
상기 프라이머층은 상기 폴리에스테르 단층 필름과 다른 층 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 프라이머층은 폴리에스테르계 수지 및/또는 우레탄계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 굴절율 매칭층은 상기 폴리에스테르 단층 필름과 상기 ITO계 도전층 사이의 굴절율 차이를 완충할 수 있다. 상기 굴절율 매칭층의 굴절율은 상기 폴리에스테르 단층 필름의 굴절율과 상기 ITO계 도전층의 굴절율 사이의 값일 수 있다.
상기 도전성 필름은 하드코팅층을 포함하지 않아 제조 비용이 저렴하다.
본 일실시예는 상술한 바와 같은 폴리에스테르 단층 필름을 포함하는, 내열보호 필름, 비산방지 필름, 및 광학 시트를 각각 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 폴리에스테르 단층 필름은 낮은 헤이즈 및 낮은 올리고머 특성을 가지며, 더 푸른색의 색좌표를 갖고 무기 금속 함량이 적다. 따라서, 상기 폴리에스테르 단층 필름은 최근 터치패널에 사용되는 ITO용 및 비ITO용(Ag 나노와이어용 등) 기재필름을 비롯하여 내열보호 필름 및 비산방지 필름의 기재필름으로 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 불순물이 적어 550 nm 파장대에서의 투과율이 상대적으로 높아 백라이트 유닛(BLU)용 프리즘 및 확산시트의 기재필름으로도 유용하게 사용될 수 있다. 나아가, 기재필름으로 사용시 하드코팅층의 형성을 생략할 수 있어 보다 경제적이고 간편한 제조가 가능하다.
[ 실시예 ]
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1. 폴리에스테르 필름의 제조
에스테르화 반응관을 200 ℃까지 승온한 후, 에틸렌글리콜 100 몰%와 테레프탈산 100 몰%를 넣고, 이들 원료 100 중량부를 기준으로 촉매로서 게르마늄 디옥사이드 화합물 0.017 중량부를 첨가한 후 교반하였다. 그 다음, 가압승온하여 게이지압 0.34 ㎫, 240 ℃의 조건에서 가압 에스테르화 반응을 수행한 후, 에스테르화 반응관을 상압으로 되돌린 다음, 인산 0.014 중량부를 첨가하였다. 그 후, 15 분에 걸쳐 260 ℃로 승온하고, 안정화제로 인산트리메틸 0.012 중량부를 첨가하였다. 이어서, 15 분 후에 고압 분산기로 분산 처리를 행하고, 다시 15분 후, 얻어진 에스테르화 반응 생성물을 중축합 반응관에 이송하여, 280 ℃에서 감압 하에서 1 시간 동안 중축합 반응을 수행하여 폴리에스테르 수지(고유 점도: 0.7 ㎗/gr, 중량평균분자량: 45,000, 유리전이온도: 80 ℃)를 수득하였다.
중축합 반응 종료 후, 폴리에스테르 수지를 95 % 컷 사이즈가 5 ㎛인 나슬론제 필터로 여과하여 노즐로부터 스트랜드 형상으로 압출하고, 사전에 여과 처리(구멍 크기: 1 ㎛ 이하)를 행한 냉각수를 사용하여 냉각, 고화시켜, 펠릿 형상으로 절단하여 폴리에스테르 수지 칩을 제조하였다.
상기 폴리에스테르 수지 칩을 280 ℃의 압출기를 통하여 용융 압출한 후, 20 ℃의 캐스팅롤에서 냉각하여 미연신 시트를 제조하였다. 이렇게 얻어진 미연신 시트는 78 ℃로 예열하고, 길이 방향으로 3.2 배, 폭 방향으로 4.1 배 연신하였다. 이후, 연신된 시트는 238 ℃에서 30 초 동안 열고정하여 두께 125 ㎛의 폴리에스테르 필름을 제조하였다.
비교예 1
게르마늄 화합물 대신 이들 원료 100 중량부를 기준으로 0.035 중량부의 안티몬을 사용하고, 마그네슘 및 칼륨을 포함하는 인가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 두께 125 ㎛의 폴리에스테르 필름을 제조하였다.
비교예 2
게르마늄 화합물 대신 이들 원료 100 중량부를 기준으로 0.019 중량부의 안티몬을 사용하고, 마그네슘 및 칼륨을 포함하는 인가제를 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법으로 두께 125 ㎛의 폴리에스테르 필름을 제조하였다.
실험예 .
실시예 1, 비교예 1 및 2의 폴리에스테르 필름을 대상으로 하기와 같은 방법으로 각 수지 칩 내 성분함량, 수지 칩의 컬러 b, 필름의 색상각, 필름의 전 올리고머 함량, 고온 방치 후 필름의 헤이즈 변화를 측정하였다. 결과는 표 1에 나타냈다.
(1) 수지 칩 내 성분함량
ICP(Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometer)분석을 통한 무기금속 성분의 정성/정량 분석 가능한 방법으로 폴리에스테르 수지 칩의 각 성분들의 함량을 측정하였다.
(2) 수지 칩의 컬러
계측기로 분광 광도계(Nippon Denshoku社, Spectrophotometer SE2000)를 이용하여 ASTM D 1925, ASTM E 308, JIS Z 8722의 방법으로 폴리에스테르 수지 칩의 컬러를 측정하였다.
(3) 필름의 헤이즈 및 고온 방치 후 필름의 헤이즈
필름의 헤이즈 변화를 알아보기 위해, 폴리에스테르 필름을 150 ℃의 오븐에 3 시간 또는 9 시간 동안 열처리한 후, 계측기로 헤이즈미터(Nippon Denshoku Kogyo社, 모델명: NDH-5000W)로 헤이즈를 측정하였다. 열처리 전 폴리에스테르 필름의 헤이즈도 동일한 방법으로 측정하였다.
(4) 필름의 색상
컬러 계측기(제조사: Hunter Lab社, 모델명: UltraScan PRO)를 이용하여 폴리에스테르 필름의 CIE표색계 col Y, x 및 y를 측정하였다.
(5) 필름의 전(total) 올리고머 함량
폴리에스테르 필름 1 g을 트리플루오로 아세트산(trifluoroactic acid) 10 ㎖에 넣고 실온에서 교반하여 용해시켰다. 이후 필름을 용해시킨 트리플루오로 아세트산을 약 0 ℃로 냉각하면서 클로로포름 20 ㎖를 1 방울씩 서서히 가했다. 이후 물 20 ㎖, 아세톤 5 ㎖ 및 암모니아수 12 ㎖를 순서대로 상기 클로로포름처럼 서서히 가했다. 이후 여과하고 분액 깔때기를 이용하여 올리고머를 포함하는 클로로포름을 추출하였다. 이후 올리고머를 포함하는 클로로포름을 53 ℃로 가열하고 질소가스를 불어주면서 용액을 증발하고, 105 ℃에서 1 시간 동안 건조한 후 데시케이터(desiccator)에서 30 분 동안 방냉하였다. 용액의 증발과 건조 전 후의 무게를 측정하여 증발과 건조 전 및 후의 차이를 올리고머 함량(%)으로 계산하였다.
실시예 1 비교예 1 비교예 2
성분의 함량(ppm) Ge 50 - -
Sb - 440 250
P 70 75 75
Mg - 70 70
K - 10 10
수지 칩의 컬러 b 1 6 3.7
필름의 색상(col. y) 0.3309 0.3311 0.3311
필름의 헤이즈 0.3 % 0.9 % 0.8 %
필름의 전 올리고머 함량 1.02 % 2.23 % 2.15 %
열처리 전과 비교하여, 150 ℃ 3 시간 열처리 후 헤이즈 변화 0.9 % 15.3 % 19.8 %
열처리 전과 비교하여, 150 ℃ 9 시간 열처리 후 헤이즈 변화 1.1 % 20.7 % 21.1 %
표 1에서 보는 바와 같이, 실시예 1의 폴리에스테르 수지 칩은 인가제인 마그네슘 및 칼륨을 포함하지 않아 무기 금속 함량이 낮았다. 또한, 비교예 1 및 2와 비교하여, 실시예 1은 필름의 헤이즈 및 전 올리고머 함량이 낮으며, 150 ℃에서 3 또는 9 시간 동안 열처리한 후에도 헤이즈가 낮게 유지되었다. 나아가, 실시예 1은 비교예 1 및 2에 비해 더 푸른색을 띄었다.

Claims (11)

  1. 게르마늄 화합물을 촉매로 사용하여 제조된 폴리에스테르 수지를 포함하며,
    125 ㎛ 두께의 필름을 대상으로 측정한 헤이즈(haze)가 0.5 % 이하이고, 열처리 전과 비교하여 150 ℃에서 3 시간 동안 열처리 후 1 % 이하의 헤이즈 변화율을 나타내며,
    100 ppm 이하의 무기 금속을 포함하고, 마그네슘 및 칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 인가제 성분을 포함하지 않는, 폴리에스테르 단층 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무기 금속은 규소를 포함하지 않는, 폴리에스테르 단층 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 단층 필름은 125 ㎛ 두께의 필름을 대상으로 측정한 헤이즈가 열처리 전과 비교하여 150 ℃에서 9시간 동안 열처리 후 2 % 이하의 헤이즈 변화율을 나타내는, 폴리에스테르 단층 필름.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지가 폴리에틸렌테레프탈레이트인, 폴리에스테르 단층 필름.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지가 0.6 내지 0.8 ㎗/gr의 고유점도(IV)를 갖는, 폴리에스테르 단층 필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 단층 필름이 트리플루오로 아세트산에 용해시켜 측정시 전(total) 올리고머를 0.5 내지 2.2 중량%의 양으로 포함하는, 폴리에스테르 단층 필름.
  8. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 폴리에스테르 단층 필름, 및
    상기 폴리에스테르 단층 필름의 일면에 형성된, ITO(indium tin oxide)계 도전층을 적층된 형태로 포함하고,
    하드코팅층을 포함하지 않는, 도전성 필름.
  9. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 폴리에스테르 단층 필름을 포함하는, 내열보호 필름.
  10. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 폴리에스테르 단층 필름을 포함하는, 비산방지 필름.
  11. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항의 폴리에스테르 단층 필름을 포함하는, 광학 시트.
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