KR101755762B1 - 몰드재의 처리 방법 및 구조체의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 몰드재로 이루어지는 몰드재층을 가열하여, 당해 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키는 가열 공정을 포함한다.

Description

몰드재의 처리 방법 및 구조체의 제조 방법{METHOD FOR PROCESSING MOLD MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURAL BODY}
본 발명은 몰드재의 처리 방법 및 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1 에는, 반도체 칩이 캐리어 플레이트 상에 유지된 워크를, 수지와 함께 프레스부에 반입하여 수지 몰드하기 위한 수지 몰드 장치가 기재되어 있다.
특허문헌 2 에는, 다이의 패키지에 대해서 기재되어 있다. 구체적으로는 특허문헌 2 에는, 다이를 캐리어 플레이트 상에 배치하여 성형 봉입물을 사용해서 성형한 후, 다이의 이면에서부터 몰드 콤파운드를 제거하고, 다이의 두께를 얇게 하기 위해 다이의 이면을 연마하는 것이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2012-126074호 (2012년 7월 5일 공개) 일본 공개특허공보 2006-287235호 (2006년 10월 19일 공개)
그런데, 몰드재에 칩 등의 디바이스, 다이 등의 소자를 싣고 가공을 하는 경우가 있다. 이 가공 전에 지지체를 몰드재에 가열하여 첩부 (貼付) 시킬 때, 열이 몰드재에 가해짐으로써 당해 몰드재로부터 가스가 발생하여, 충분한 강도로 첩부되지 않는 등의 악영향이 생긴다는 문제가 발생한다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 디바이스, 소자 등의 피가공 부재를 탑재하여 가공을 실시하기 위해서 지지체를 첩부하는 몰드재에 있어서, 첩부시에 가스가 생기는 것으로 인한 악영향을 저감하기 위한 몰드재의 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 몰드재로 이루어지는 몰드재층을 가열하여, 당해 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키는 가열 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 디바이스, 소자 등의 피가공 부재를 탑재하여 가공을 실시하기 위해서 지지체를 첩부하는 몰드재에 있어서, 첩부시에 가스가 생기는 것으로 인한 악영향을 저감할 수 있다는 효과를 나타낸다.
도 1 은 본 발명에 관련된 처리 방법의 일 실시형태에 있어서의 처리의 흐름에 대해서 모식적으로 설명하는 개략적인 단면도이다.
<몰드재의 처리 방법>
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 몰드재로 이루어지는 몰드재층을 가열하여, 당해 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키는 가열 공정을 포함한다.
[몰드재]
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법에 있어서 처리의 대상이 되는 몰드재는 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은 다양한 몰드재에 대해서 적용할 수 있다.
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 지지체를 첩부하기 전에 몰드재로부터 가스를 미리 내보내, 첩부에 대한 악영향을 저감시키는 것이다.
몰드재층이란, 몰드재로 이루어지는 층이다. 본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은 몰드재층만인 것, 예를 들어, 판상의 몰드재에 대해서도 적용할 수 있고, 또한, 유리나 실리콘 등의 기판 상에 몰드재층이 형성된 적층판에 대해서도 적용할 수 있다.
[가열 공정]
가열 공정에서는, 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키도록 몰드재층을 가열하면 된다. 이것에 의해 가스가 방출되기 때문에, 지지체를 첩부할 때에는 가스가 발생되는 것을 방지하여, 첩부시에 생기는 악영향을 저감할 수 있다.
가열하는 온도는 몰드재의 종류에 따라서 적절히 설정하면 되며, 예를 들어, 100 ℃ 이상이고, 또한, 250 ℃ 이하이고, 바람직하게는 220 ℃ 이하이다. 가열 시간은 예를 들어 15 분 이상, 바람직하게는 1 시간 이상이다. 보다 구체적인 예로서, 120 ℃ 이상, 160 ℃ 이하의 범위에서 장시간 (1 시간 이상), 천천히 승온시키면서 가열함으로써 급격한 휨을 발생시키지 않고 가스를 방출할 수 있다. 또한, 215 ℃ 에서 15 분 이상 가열함으로써, 가스의 방출은 거의 없어지는 것을 알 수 있다.
가열 공정을 실시하는 환경은 대기압하여도 되고, 대기압보다 압력이 낮은 감압 환경하이어도 되지만, 대기압보다 압력이 낮은 감압 환경하에서 몰드재를 가열하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 몰드재로부터 가스를 배출하는 효율이 향상된다.
[피가공 부재]
몰드재층의 표면에는, 가공이 행해지는 피가공 부재가 재치 (載置) 되어 있어도 된다.
피가공 부재란, 본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법을 몰드재층에 대하여 실시한 후, 어떠한 가공이 가해지는 부재이다. 피가공 부재의 구체예로는, 칩 등의 디바이스, 다이 등의 소자를 들 수 있다. 예를 들어, 몰드재층이 유리나 실리콘 등의 기판 상에 형성되어 있을 때에는 칩 등의 디바이스를 재치해도 되고, 몰드재층만인 경우에는 다이 등의 소자를 재치해도 된다. 또, 어떠한 가공이란, 예를 들어, 디바이스 및 소자의 박화 (薄化) 등의 가공을 들 수 있다.
[접착층 형성 공정]
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 몰드재층의 표면에 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정을, 가열 공정 후에 포함하여도 된다. 접착층에 있어서의 몰드재층과는 다른 면에 예를 들어 지지체 등을 첩부하고, 다양한 처리를 실시할 수 있다.
접착층의 형성 방법으로는, 몰드재에 접착제를 도포해도 되고, 몰드재에 첩부하는 지지체에 접착제를 도포해도 되고, 접착제가 양면에 도포된 접착 테이프를 기판 또는 몰드재에 첩부해도 된다. 몰드재층에 피가공 부재가 재치되어 있는 경우, 피가공 부재의 위로부터 접착제를 도포해도 된다. 지지체에 접착제를 도포하는 경우로서, 지지체에 분리층이 형성되어 있을 때에는 분리층의 위로부터 접착제를 도포해도 된다. 접착제의 도포 방법으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 스핀 코트법, 딥핑법, 롤러 블레이드법, 닥터 블레이드법, 스프레이법, 슬릿 노즐법에 의한 도포법 등을 들 수 있다. 또한, 접착제를 도포한 후, 가열에 의해 건조시켜도 된다.
접착층의 두께는 첩부의 대상이 되는 지지체의 종류, 첩부 후의 적층체에 행해지는 처리 등에 따라서 적절히 설정하면 되지만, 10 ㎛ 이상, 300 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 70 ㎛ 이상, 200 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
(접착제)
접착제로서, 예를 들어 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머 등의, 당해 분야에서 공지된 각종 접착제가 접착층을 구성하는 접착제로서 사용 가능하다.
접착층이 함유하는 수지로는 접착성을 구비한 것이면 되고, 예를 들어, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지 등, 또는 이들을 조합한 것 등을 들 수 있다.
(탄화수소 수지)
탄화수소 수지는 탄화수소 골격을 갖고, 단량체 조성물을 중합하여 이루어지는 수지이다. 탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」라고 하는 경우가 있다), 그리고, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
수지 (A) 로는, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 수지여도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분의 개환 (공) 중합체, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분을 부가 (공) 중합시킨 수지 등을 들 수 있다.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 함유되는 상기 시클로올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 디하이드록시펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 삼량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 된다.
또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서 시클로올레핀 모노머를 함유하는 것이, 고내열성 (낮은 열분해, 열중량 감소성) 의 관점에서 바람직하다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 5 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 10 몰％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 20 몰％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 경시 (經時) 안정성의 관점에서는 80 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 70 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10 ∼ 90 몰％ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 85 몰％ 인 것이 보다 바람직하고, 30 ∼ 80 몰％ 인 것이 더욱 바람직하다.
또, 수지 (A) 는, 예를 들어, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 가지고 있지 않은 수지인 것이 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는 특별히 제한은 없으며, 통상적인 방법에 따라서 적절히 설정하면 된다.
수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱 주식회사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR」 및 「ZEONEX」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON」 등을 들 수 있다.
수지 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 60 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A) 의 유리 전이 온도가 60 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때에 접착층의 연화를 더욱 억제할 수 있다.
수지 (B) 는, 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜 페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 테르펜페놀 수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진에스테르, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진에스테르, 중합 로진, 중합 로진에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수소 첨가 테르펜 수지, 수소 첨가 석유 수지가 보다 바람직하다.
수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때에 연화되는 것을 억제할 수 있어, 접착 불량을 일으키지 않는다. 한편, 수지 (B) 의 연화점이 160 ℃ 이하이면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다.
수지 (B) 의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3,000 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것으로 되어, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 분자량이 3,000 이하이면, 적층체를 박리할 때의 박리 속도가 양호한 것이 된다. 또한, 본 실시형태에서의 수지 (B) 의 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.
또한 수지로서, 수지 (A) 와 수지 (B) 를 혼합한 것을 사용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성 및 박리 속도가 양호한 것이 된다. 예를 들어, 수지 (A) 와 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B) = 80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이 박리 속도, 고온 환경시의 열내성, 및 유연성이 우수하기 때문에 바람직하다.
(아크릴-스티렌계 수지)
아크릴-스티렌계 수지로는, 예를 들어, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와 (메트)아크릴산에스테르 등을 단량체로서 사용하여 중합한 수지를 들 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-아이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또, 당해 알킬기는 분기형이어도 된다.
탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 사용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.
지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 이소보르닐메타아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는 특별히 한정되는 것이 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 고리는 탄소수 1 ∼ 5 의 사슬형 또는 분기형 알킬기를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.
(말레이미드계 수지)
말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서 N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등을 중합하여 얻어진 수지를 들 수 있다.
예를 들어, 하기 화학식 (8) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (9) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분의 수지로서 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112014042969818-pat00001
(화학식 (9) 중, n 은 0 또는 1 ∼ 3 의 정수이다.)
이러한 시클로올레핀 코폴리머로는, APL 8008T, APL 8009T, 및 APL 6013T (모두 미츠이 화학 주식회사 제조) 등을 사용할 수 있다.
(엘라스토머)
엘라스토머는, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 당해 「스티렌 단위」는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 또한, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 그리고, 엘라스토머는 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위인 것이 바람직하다.
스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위이면, 후술하는 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해되기 때문에, 보다 용이하면서 신속하게 접착층을 제거할 수 있다. 또한, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 범위인 것에 의해, 웨이퍼가 레지스트 리소그래피 공정에 제공될 때에 노출되는 레지스트 용제 (예를 들어 PGMEA, PGME 등), 산 (불화수소산 등), 알칼리 (TMAH 등) 에 대하여 우수한 내성을 발휘한다.
또, 엘라스토머에는, 상기 서술한 (메트)아크릴산에스테르를 추가로 혼합해도 된다.
또, 스티렌 단위의 함유량은 보다 바람직하게는 17 중량％ 이상이며, 또한 보다 바람직하게는 40 중량％ 이하이다.
중량 평균 분자량의 보다 바람직한 범위는 20,000 이상이며, 또한 보다 바람직한 범위는 150,000 이하이다.
엘라스토머로는, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위이면, 여러 가지 엘라스토머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS), 및, 이들의 수소 첨가물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (Septon V9461 (주식회사 구라레 제조)), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 갖는 Septon V9827 (주식회사 구라레 제조)) 등으로서, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 서술한 범위인 것을 사용할 수 있다.
또한, 엘라스토머 중에서도 수소 첨가물이 보다 바람직하다. 수소 첨가물이면 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 잘 일어나지 않는다. 또한, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.
또한, 엘라스토머 중에서도 양단이 스티렌의 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 열 안정성이 높은 스티렌을 양 말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타내기 때문이다.
보다 구체적으로는, 엘라스토머는 스티렌 및 공액 디엔의 블록 코폴리머의 수소 첨가물인 것이 보다 바람직하다. 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 잘 일어나지 않는다. 또한, 열 안정성이 높은 스티렌을 양 말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타낸다. 그리고, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.
또한, 엘라스토머로서 사용될 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 주식회사 구라레 제조 「셉톤 (상품명)」, 주식회사 구라레 제조 「하이브라 (상품명)」, 아사히 가세이 주식회사 제조 「터프텍 (상품명)」, JSR 주식회사 제조 「다이나론 (상품명)」 등을 들 수 있다.
또한, 접착층을 구성하는 접착제 중의 엘라스토머의 함유량으로는, 예를 들어, 접착제 조성물 전량을 100 중량부로 하여 50 중량부 이상, 99 중량부 이하가 바람직하고, 60 중량부 이상, 99 중량부 이하가 보다 바람직하며, 70 중량부 이상, 95 중량부 이하가 가장 바람직하다. 이들 범위로 함으로써, 내열성을 유지하면서, 웨이퍼와 지지체를 바람직하게 첩합 (貼合) 할 수 있다.
또한, 엘라스토머는 복수의 종류를 혼합해도 된다. 복수 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 함유하고 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 복수 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량％ 이상, 50 중량％ 이하의 범위이거나, 또는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 접착제에 있어서, 복수 종류의 엘라스토머를 함유하는 경우, 혼합한 결과, 스티렌 단위의 함유량이 상기 범위가 되도록 조정해도 된다. 예를 들어, 스티렌 단위의 함유량이 30 중량％ 인 주식회사 구라레 제조의 셉톤 (상품명) 의 Septon 4033와, 스티렌 단위의 함유량이 13 중량％ 인 셉톤 (상품명) 의 Septon 2063 을 중량비 1 대 1 로 혼합하면 접착제 조성물에 함유되는 엘라스토머 전체에 대한 스티렌 함유량은 21 ∼ 22 중량％ 가 되고, 따라서 14 중량％ 이상이 된다. 또한, 예를 들어, 스티렌 단위가 10 중량％ 인 것과 60 중량％ 인 것을 중량비 1 대 1 로 혼합하면 35 중량％ 가 되어, 상기 범위 내가 된다. 또한, 접착제에 함유되는 복수 종류의 엘라스토머는 모두 상기 범위로 스티렌 단위를 함유하고, 또한, 상기 범위의 중량 평균 분자량인 것이 가장 바람직하다.
(희석 용제)
후술하는 분리층, 접착층을 형성할 때의 희석 용제로서, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형 탄화수소, 탄소수 4 내지 15 의 분기형 탄화수소, 예를 들어, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등의 고리형 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투우잔, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르복실, 이오논, 투우존, 캠퍼, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.
(그 밖의 성분)
접착층을 구성하는 접착제는, 본질적인 특성을 손상시키지 않는 범위에 있어서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열중합 금지제 및 계면활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 사용할 수 있다.
[지지체]
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 접착층의 표면이면서 상기 몰드재층과는 반대측의 면에, 지지체가 적층되어 있어도 된다. 접착층을 개재하여 몰드재층과 지지체이 적층되어 있기 때문에, 예를 들어, 몰드재층에 피가공 부재를 재치하고 있는 경우, 당해 피가공 부재의 가공이 용이해진다. 요컨대, 몰드재 및 피가공 부재가 지지체에 의해 지지되고 있기 때문에, 몰드재 및 피가공 부재에 힘을 가해도 위치가 어긋나는 등의 폐해를 억제할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 지지체는 광투과성을 갖고 있고, 또한, 후술하는 바와 같이 접착층과 지지체 사이에 분리층이 형성되어 있다. 그 때문에, 지지체를 향하여 광이 조사되었을 때에, 그 광이 지지체를 통과하여 분리층에 도달한다. 또한, 지지체는 반드시 모든 광을 투과시킬 필요는 없으며, 분리층에 흡수되어야 하는 (소정의 파장을 갖고 있는) 광을 투과시킬 수 있으면 된다.
또한, 지지체는 몰드재층을 지지하는 것으로, 몰드재층에 재치한 피가공 부재의 박화, 반송 등의 프로세스시에, 몰드재층 및 피가공 부재의 파손 또는 변형을 막기 위해서 필요한 강도를 갖고 있으면 된다. 이상과 같은 관점에서, 지지체로는 유리, 실리콘, 아크릴 수지로 이루어지는 것 등을 들 수 있다.
지지체를 몰드재층에 적층시키는 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 지지체에 상기 서술한 접착층을 형성하여 몰드재층에 적층시켜도 되고, 몰드재층 위에 상기 서술한 접착층을 형성하여 지지체를 첩부해도 된다.
[분리층]
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법으로는, 접착층과 지지체 사이에 분리층이 형성되어 있어도 된다. 필요한 가공을 피가공 부재에 실시한 후 등, 지지체가 불필요해졌을 때에, 지지체와 몰드재층을 용이하게 분리할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 분리층은, 지지체를 통해서 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되는 재료로 형성되어 있는 층이다. 본 명세서에 있어서, 분리층이 「변질된다」는 것은, 분리층을 약간의 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 분리층과 접하는 층과의 접착력이 저하된 상태로 만드는 현상을 의미한다. 광을 흡수함으로써 생기는 분리층의 변질의 결과로서, 분리층은 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다.
또한, 분리층의 변질은, 흡수한 광의 에너지에 의한 (발열성 또는 비발열성) 분해, 가교, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 (그리고, 이들에 수반되는 분리층의 경화, 탈가스, 수축 또는 팽창) 등일 수 있다. 분리층의 변질은, 분리층을 구성하는 재료에 의한 광의 흡수의 결과로 생긴다. 따라서, 분리층의 변질의 종류는, 분리층을 구성하는 재료의 종류에 따라서 변화할 수 있다.
분리층의 두께는, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상, 1 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 분리층의 두께가 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내로 수렴되어 있으면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해 분리층에 원하는 변질을 발생시킬 수 있다. 또한, 분리층의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위 내로 수렴되어 있는 것이 특히 바람직하다.
또, 분리층과 지지체 사이에 기타 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 당해 기타 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이것에 의해, 분리층으로의 광의 입사를 방해하지 않고, 지지체 등에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을 적절히 추가할 수 있다. 분리층을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라서, 사용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 기타 층을 구성하는 재료는 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다.
분리층은, 광을 흡수하는 구조를 갖는 재료만으로 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 손상시키지 않는 범위에 있어서, 광을 흡수하는 구조를 갖지 않은 재료를 첨가하여 분리층을 형성해도 된다. 또, 분리층에 있어서의 접착층에 대향하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하며, 이로써, 분리층의 형성을 용이하게 실시할 수 있고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.
분리층은, 이하에 나타내는 분리층을 구성하는 재료를 미리 필름상 (狀) 으로 형성한 것을 지지체에 첩합하여 사용해도 되고, 지지체 상에 분리층을 구성하는 재료를 도포하여 필름상으로 고화시킨 것을 사용해도 된다. 지지체 상에 분리층을 구성하는 재료를 도포하는 방법은, 분리층을 구성하는 재료의 종류에 따라서 화학 기상 성장 (CVD) 법에 의한 퇴적 등의 종래 공지된 방법으로부터 적절히 선택할 수 있다.
분리층은, 레이저로부터 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되는 것이어도 된다. 즉, 분리층을 변질시키기 위해서 분리층에 조사되는 광은, 레이저로부터 조사된 것이어도 된다. 분리층에 조사하는 광을 발사하는 레이저의 예로는, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는 비(非)레이저광 등을 들 수 있다. 분리층에 조사하는 광을 발사하는 레이저는, 분리층을 구성하고 있는 재료에 따라서 적절히 선택하는 것이 가능하며, 분리층을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 조사하는 레이저를 선택하면 된다.
(플루오로카본)
분리층은 플루오로카본으로 이루어져 있어도 된다. 분리층은 플루오로카본에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수하는 것에 의해 변질되도록 되어 있고, 그 결과, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 것 등) 으로써 분리층이 파괴되어, 지지체와 몰드재를 분리하기 쉽게 할 수 있다.
또한, 하나의 관점에서 말하자면, 분리층을 구성하는 플루오로카본은, 플라즈마 CVD 법에 의해서 바람직하게 성막될 수 있다. 또, 플루오로카본은, CxFy (퍼플루오로카본) 및 CxHyFz (x, y 및 z 는 정수) 를 포함하며, 이들에 한정되지 않고, 예를 들어, CHF3, CH2F2, C2H2F2, C4F8, C2F6, C5F8 등일 수 있다. 또한, 분리층을 구성하기 위해서 사용하는 플루오로카본에 대하여, 필요에 따라서 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스, 알칸, 알켄 등의 탄화수소, 및 산소, 이산화탄소, 수소를 첨가해도 된다. 또, 이들 가스를 복수종 혼합하여 사용해도 된다 (플루오로카본, 수소, 질소의 혼합 가스 등). 또한, 분리층은 단일종의 플루오로카본으로 구성되어 있어도 되고, 2 종류 이상의 플루오로카본으로 구성되어 있어도 된다.
플루오로카본은, 그 종류에 따라서 고유한 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용된 플루오로카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 플루오로카본을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또, 분리층에 있어서의 광의 흡수율은 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.
분리층에 조사하는 광으로는, 플루오로카본이 흡수 가능한 파장에 따라서, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는 비레이저광을 적절히 사용하면 된다. 플루오로카본을 변질시킬 수 있는 파장으로는 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 600 ㎚ 이하의 범위인 것을 사용할 수 있다.
(광 흡수성을 갖고 있는 구조를 그 반복 단위에 함유하고 있는 중합체)
분리층은, 광 흡수성을 갖고 있는 구조를 그 반복 단위에 함유하고 있는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그 중합체는, 광의 조사를 받아서 변질된다. 그 중합체의 변질은, 상기 구조가 조사된 광을 흡수함으로써 발생한다. 분리층은, 중합체의 변질의 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃었다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 것 등) 으로써 분리층이 파괴되어, 지지체와 몰드재를 분리하기 쉽게 할 수 있다.
광 흡수성을 갖고 있는 상기 구조는, 광을 흡수하여, 반복 단위로서 그 구조를 함유하고 있는 중합체를 변질시키는 화학 구조이다. 그 구조는, 예를 들어, 치환 또는 비치환의 벤젠고리, 축합고리 또는 복소고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 포함하고 있는 원자단이다. 보다 상세하게는, 그 구조는 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭사이드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 또는 디페닐아민 구조일 수 있다.
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 경우, 그 구조는 이하의 식에 의해 나타낼 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112014042969818-pat00002
(식 중, R 은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 할로겐, 수산기, 케톤기, 술폭사이드기, 술폰기 또는 N(R1)(R2) 이고 (여기서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다), Z 는, 존재하지 않거나, 또는 CO-, -SO2-, -SO- 또는 -NH- 이고, n 은 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다.)
또한, 상기 중합체는, 예를 들어, 이하의 식 중 (a) ∼ (d) 중 어느 것에 의해 나타내는 반복 단위를 함유하고 있거나, (e) 에 의해 나타내거나, 또는 (f) 의 구조를 그 주사슬에 함유하고 있다.
[화학식 3]
Figure 112014042969818-pat00003
(식 중, l 은 1 이상의 정수이고, m 은 0 또는 1 ∼ 2 의 정수이고, X 는 (a) ∼ (e) 에 있어서 상기한 "화학식 1" 에 나타낸 식 중 어느 것이고, (f) 에 있어서 상기한 "화학식 1" 에 나타낸 식 중 어느 것이거나, 또는 존재하지 않으며, Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로 -CO- 또는 SO2- 이다. l 은 바람직하게는 10 이하의 정수이다.)
상기한 "화학식 2" 에 나타내는 벤젠고리, 축합고리 및 복소고리의 예로는, 페닐, 치환 페닐, 벤질, 치환 벤질, 나프탈렌, 치환 나프탈렌, 안트라센, 치환 안트라센, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 아크리딘, 치환 아크리딘, 아조벤젠, 치환 아조벤젠, 플루오림, 치환 플루오림, 플루오리몬, 치환 플루오리몬, 카르바졸, 치환 카르바졸, N-알킬카르바졸, 디벤조푸란, 치환 디벤조푸란, 페난트렌, 치환 페난트렌, 피렌 및 치환 피렌을 들 수 있다. 예시한 치환기가 치환을 갖고 있는 경우, 그 치환기는, 예를 들어, 알킬, 아릴, 할로겐 원자, 알콕시, 니트로, 알데히드, 시아노, 아미드, 디알킬아미노, 술폰아미드, 이미드, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 술폰산, 술폰산에스테르, 알킬아미노 및 아릴아미노로부터 선택된다.
상기한 "화학식 2" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 갖고 있는 5 번째 치환기로서, Z 가 -SO2- 인 경우의 예로는, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,6-디하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-하이드록시페닐)술폰, 비스(2-하이드록시페닐)술폰, 및 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.
상기한 "화학식 2" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 갖고 있는 5 번째 치환기로서, Z 가 -SO- 인 경우의 예로는, 비스(2,3-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(5-클로로-2,3-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,4-디하이드록시-6-메틸페닐)술폭사이드, 비스(5-클로로-2,4-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,5-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,3,4-트리하이드록시-6-메틸페닐)-술폭사이드, 비스(5-클로로-2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(5-클로로-2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭사이드 등을 들 수 있다.
상기한 "화학식 2" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 갖고 있는 5 번째 치환기로서, Z 가 -C(=O)- 인 경우의 예로는, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',5,6'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,6-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 4-아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디에틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-4'-메톡시-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2',4'-디하이드록시벤조페논, 및 4-디메틸아미노-3',4'-디하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하고 있는 경우, 상기 구조를 함유하고 있는 반복 단위가 상기 중합체에서 차지하는 비율은, 분리층의 광의 투과율이 0.001 ％ 이상, 10 ％ 이하가 되는 범위에 있다. 그 비율이 이러한 범위로 수렴되도록 중합체가 조제되어 있으면, 분리층이 충분히 광을 흡수하여, 확실하면서 신속하게 변질될 수 있다. 즉, 몰드재층 위로부터 지지체의 제거가 용이하여, 그 제거에 필요한 광의 조사 시간을 단축시킬 수 있다.
상기 구조는, 그 종류의 선택에 의해, 원하는 범위의 파장을 갖고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 ㎚ 이상, 2000 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 중, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은 보다 단파장측이고, 예를 들어, 100 ㎚ 이상, 500 ㎚ 이하이다. 예를 들어, 상기 구조는, 바람직하게는 약 300 ㎚ 이상, 370 ㎚ 이하의 파장을 갖고 있는 자외광을 흡수함으로써, 그 구조를 함유하고 있는 중합체를 변질시킬 수 있다.
상기 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어, 고압 수은 램프 (파장 : 254 ㎚ 이상, 436 ㎚ 이하), KrF 엑시머 레이저 (파장 : 248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚), F2 엑시머 레이저 (파장 : 157 ㎚), XeCl 레이저 (파장 : 308 ㎚), XeF 레이저 (파장 : 351 ㎚) 또는 고체 UV 레이저 (파장 : 355 ㎚) 로부터 발해지는 광, 또는 g 선 (파장 : 436 ㎚), h 선 (파장 : 405 ㎚) 또는 i 선 (파장 : 365 ㎚) 등이다.
상기 서술한 분리층은, 반복 단위로서 상기 구조를 함유하고 있는 중합체를 함유하고 있지만, 분리층은 추가로 상기 중합체 이외의 성분을 함유할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 지지체의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 광의 흡수 및 중합체의 변질을 방해하지 않거나 또는 촉진하는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.
(무기물)
분리층은, 무기물로 이루어져 있어도 된다. 분리층은, 무기물에 의해 구성됨으로써 광을 흡수하는 것에 의해 변질되도록 되어 있고, 그 결과, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 것 등) 으로써 분리층이 파괴되어, 지지체와 몰드재를 분리하기 쉽게 할 수 있다.
상기 무기물은 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 함유하는 화합물을 가리키고, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이러한 무기물의 예시로는 이것에 한정되는 것은 아니지만, 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념으로, 예를 들어, 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다.
상기 무기물은, 그 종류에 따라서 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.
무기물로 이루어지는 분리층에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라서, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 화이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저광, 또는 비레이저광을 적절히 사용하면 된다.
무기물로 이루어지는 분리층은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해 지지체 상에 형성될 수 있다. 무기물로 이루어지는 분리층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막두께이면 되지만, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하의 막두께로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 분리층을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하고, 지지체 및 몰드재층에 첩부해도 된다.
또한, 분리층으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 분리층의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 분리층의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그것들의 대책을 도모하는 것이 바람직하다.
(적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물)
분리층은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물에 의해 형성되어 있어도 된다. 그 화합물은 적외선을 흡수함으로써 변질된다. 분리층은 화합물의 변질의 결과로서, 적외선의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃고 있다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 것 등) 으로써 분리층이 파괴되어, 지지체와 몰드재를 분리하기 쉽게 할 수 있다.
적외선 흡수성을 갖고 있는 구조, 또는 적외선 흡수성을 갖고 있는 구조를 함유하는 화합물로는, 예를 들어, 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 쿠물렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 및 페놀류 (자유 OH, 분자내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥실란고리 에테르, 과산화물에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데히드, 방향족 알데히드, 카르복실산 (이량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족 산 염화물, 방향족 산 염화물, 산 무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 이량체), 메르캅탄 및 티오페놀 및 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭사이드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합 (A1 은, H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합 (A2 는, H, C 또는 O), 또는 Ti-O 결합일 수 있다.
상기 탄소-할로겐 결합을 함유하는 구조로는, 예를 들어, -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 불화아릴, 및 염화아릴 등을 들 수 있다.
상기 Si-A1 결합을 함유하는 구조로는, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2, 및 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 함유하는 구조로는, 특히 실록산 골격 및 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.
상기 P-A2 결합을 함유하는 구조로는, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O (A3 은 지방족 또는 방향족), (A4O)3-P-O (A4 는 알킬), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH, 및 O=P-OH 등을 들 수 있다.
상기 구조는, 그 종류의 선택에 의해서 원하는 범위의 파장을 갖고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하의 범위 내이고, 2 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이하의 범위 내를 보다 바람직하게 흡수할 수 있다. 그리고, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 및 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 범위 내일 수 있다. 또, 각 구조가 흡수할 수 있는 적외선의 파장은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌 : SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제5판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」 (1992년 발행) 제146페이지 ∼ 제151페이지의 기재를 참조할 수 있다.
분리층의 형성에 사용되는, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 갖고 있는 화합물 중, 도포를 위해 용매에 용해할 수 있고, 고화되어 굳은 층을 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것이 아니다. 그러나, 분리층에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 지지체와 몰드재층의 분리를 쉽게 하기 위해서는 분리층에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층에 있어서의 적외선의 투과율이 90 ％ 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 ％ 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.
일례를 들어 설명하면, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지, 또는 하기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 아크릴계 화합물 유래의 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112014042969818-pat00004
(화학식 (2) 중, R3 은 수소, 탄소수 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 10 이하의 알콕시기이다.)
그 중에서도, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 상기 화학식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (3) 으로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 t-부틸스티렌 (TBST)-디메틸실록산 공중합체가 보다 바람직하고, 상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (3) 으로 나타내는 반복 단위를 1 : 1 로 함유하는, TBST-디메틸실록산 공중합체가 더욱 바람직하다.
[화학식 5]
Figure 112014042969818-pat00005
또한, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 화학식 (4) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (5) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112014042969818-pat00006
(화학식 (4) 중, R4 는 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이고, 화학식 (5) 중, R5 는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기, 또는 페닐기이다.)
실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는 이외에도, 일본 공개특허공보 2007-258663호 (2007년 10월 4일 공개), 일본 공개특허공보 2010-120901호 (2010년 6월 3일 공개), 일본 공개특허공보 2009-263316호 (2009년 11월 12일 공개) 및 일본 공개특허공보 2009-263596호 (2009년 11월 12일 공개) 에 있어서 개시되어 있는 각 실세스퀴옥산 수지를 바람직하게 이용할 수 있다.
그 중에서도, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 하기 화학식 (6) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체가 보다 바람직하고, 하기 화학식 (6) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 화학식 (7) 로 나타내는 반복 단위를 7 : 3 으로 함유하는 공중합체가 더욱 바람직하다.
[화학식 7]
Figure 112014042969818-pat00007
실세스퀴옥산 골격을 갖는 중합체로는 랜덤 구조, 래더 구조, 및 농형 (cage type) 구조가 있을 수 있는데, 어느 구조여도 된다.
또한, Ti-O 결합을 함유하는 화합물로는, 예를 들어, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 및 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄 ; (ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄, 및 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트티탄 ; (iii) i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7, 및 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머 ; (iv) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트, 및 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄 ; (v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.
그 중에서도, Ti-O 결합을 함유하는 화합물로는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 (Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2) 이 바람직하다.
상기 서술한 분리층은 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있지만, 분리층은 추가로 상기 화합물 이외의 성분을 함유할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 지지체의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 적외선의 흡수, 및 화합물의 변질을 방해하지 않거나 또는 촉진하는, 종래 공지된 물질 또는 재료로부터 적절히 선택된다.
(적외선 흡수 물질)
분리층은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 분리층은 적외선 흡수 물질을 함유하여 구성됨으로써, 광을 흡수하는 것에 의해 변질되도록 되어 있고, 그 결과로서 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 것 등) 으로써 분리층이 파괴되어, 지지체와 몰드재를 분리하기 쉽게 할 수 있다.
적외선 흡수 물질은, 적외선을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라서 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 바람직하게 변질시킬 수 있다.
[구조체의 제조 방법]
몰드재로 이루어지는 몰드재층을 가열하여, 당해 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키는 가열 공정을 포함하는 구조체의 제조 방법도 본 발명의 범주이다. 당해 구조체는, 예를 들어, 가열 공정에 제공된 몰드재층이, 상기 서술한 기판 위에 실린 것이어도 되고, 또한, 추가로 상기 서술한 지지체 등을 적층시킨 것이어도 된다.
[몰드재 처리 방법의 일 실시형태]
다음으로 도 1 을 사용하여, 본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법의 일 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태에 관련된 몰드재 처리 방법에 있어서의 처리의 흐름에 대해서 모식적으로 설명하는 개략적인 단면도이다. 본 실시형태에서는, 몰드재층에 재치한 칩에 대해 연마를 실시하여 박화시키는 가공을 실시한다.
도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는 몰드재층 (11) 은 기판 (12) 상에 형성되어 있다. 몰드재층 (11) 에는 복수의 칩 (피가공 부재) (20) 이 재치되어 있다.
여기서, 몰드재층 (11), 기판 (12) 및 칩 (20) 을 가열 공정에 제공한다. 이것에 의해, 몰드재층 (11) 으로부터 가스가 발생한다.
다음으로, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 서포트 플레이트 (지지체) (15) 를 적층한다. 서포트 플레이트 (15) 에는 미리 분리층 (14) 및 접착층 (13) 이 형성되어 있다.
서포트 플레이트 (15) 를 몰드재층 (11) 에 적층할 때, 열 압착을 실시한다. 가령 상기 서술한 가열 공정을 실시하지 않았으면, 여기서 가스가 발생하여, 서포트 플레이트 (15) 를 충분히 첩부할 수 없는 등의 악영향이 생긴다. 그러나, 본 발명에서는 가열 공정에 있어서 미리 가스를 몰드재층 (11) 으로부터 방출하고 있기 때문에, 이러한 악영향을 억제할 수 있다.
다음으로, 도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이 기판 (12) 을 박리한다.
다음으로, 도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 몰드재층 (11) 에 있어서의 기판 (12) 이 형성되어 있는 쪽의 면 쪽을 연마한다. 이것에 의해 칩 (20) 이 연마되어, 칩 (20) 을 박화시킬 수 있다.
다음으로, 도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 서포트 플레이트 (15) 의 몰드재층 (11) 과는 반대측의 면을 향하여 레이저광을 조사한다. 이것에 의해 분리층 (14) 이 변질되어 접착층 (13) 과 서포트 플레이트 (15) 의 접착력이 저하된다.
다음으로, 도 1 의 (f) 에 나타내는 바와 같이, 서포트 플레이트 (15) 를 박리한다. 전술한 바와 같이, 분리층 (14) 에 레이저광을 조사하여 변질시키고 있기 때문에, 서포트 플레이트 (15) 를 접착층 (13) 상으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
다음으로, 도 1 의 (g) 에 나타내는 바와 같이, 접착층 (13) 을 구성하는 접착제를 용해하는 용매 등을 사용하여 접착층 (13) 을 제거한다. 이것에 의해, 박화된 칩 (20) 이 재치된 몰드재층 (11) 이 얻어진다. 사용자는, 칩 (20) 을 사용할 때에 몰드재층 (11) 으로부터 취출하여 적절히 사용할 수 있다.
본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것이 아니라 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 상기 서술한 설명에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
[실시예 1 : 열 전도율이 높은 기판에 몰드재가 도포되어 있는 경우]
기판 상에 몰드재층을 형성하였다. 또한, 지지체측에 접착제를 도포하여 몰드재층 상에 첩부하였다. 접착제의 막두께는 200 ㎛ 로 하였다. 도포시의 베이크는 90 ℃, 160 ℃, 220 ℃ 를 각 12 분 동안 실시한 후, 도포막 형성 후의 가열 공정은 215 ℃ 에서 20 분 실시하여, 가스를 방출시켰다. 첩부는 1 t, 215 ℃ 에서 10 분간 누름으로써 실시하였다. 첩부 개시시의 첩부 챔버 내 압력은 1.2 Pa 였다. 첩부 개시 후, 미리 가스를 방출시키고 있었기 때문에 가스가 발생하지 않고, 압력은 0.6 Pa 까지 내려갔다.
[비교예 1]
실시예 1 의 가열 공정 (도포막 형성 후의 215 ℃ 에서 20 분의 가열 공정) 을 생략한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 조작을 실시하였다.
첩부시에 가스가 발생하기 때문에, 첩부 챔버 내의 압력이 1.2 Pa 그대로이거나, 또는 1.2 Pa ∼ 2.4 Pa 의 사이가 되어, 감압하에서 첩부를 실시할 수 없었다.
[실시예 2 : 열 전도율이 낮은 기판에 몰드재가 도포되어 있는 경우]
기판측의 몰드재층 상에 접착제를 도포하고, 접착제층의 막두께는 70 ㎛ 로 하였다. 도포시의 베이크는 90 ℃, 160 ℃, 220 ℃ 를 각 6 분 실시하였다. 도포막 형성 후의 가열 공정은 215 ℃ 에서 15 분 실시하고, 첩부는 4 t, 215 ℃, 10 분 누름으로써 실시하였다. 이것 이외의 조작은 실시예 1 과 동일하게 하였다. 첩부 개시시의 첩부 챔버의 압력은 1.2 Pa 이고, 첩부 개시 후, 가스가 발생하지 않기 때문에 0.6 Pa 까지 내려갔다.
[비교예 2]
실시예 2 의 가열 공정 (도포막 형성 후의 215 ℃ 에서 15 분의 가열 공정) 을 생략한 것 이외에는 실시예 2 와 동일한 조작을 실시하였다. 그 결과, 첩부시에 가스가 발생하기 때문에, 첩부 챔버 내의 압력이 1.2 Pa 그대로이거나, 또는 1.2 Pa ∼ 2.4 Pa 의 사이가 되어, 감압하에서 첩부를 실시할 수 없었다.
본 발명에 관련된 몰드재의 처리 방법은, 예를 들어, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.
11 : 몰드재층
12 : 기판
13 : 접착층
14 : 분리층
15 : 서포트 플레이트 (지지체)
20 : 칩 (피가공 부재)

Claims (9)

  1. 몰드재로 이루어지는 몰드재층을 가열하여, 당해 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키는 가열 공정, 및,
    가열 공정 후, 상기 몰드재층의 표면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정을 포함하고,
    상기 접착층의 표면이면서 상기 몰드재층과는 반대측의 면에, 지지체가 열 압착에 의해 적층되고,
    상기 가열 공정에서는, 몰드재층을 215 ℃ 이상, 250 ℃ 이하에서 15 분 이상 가열하는 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 공정에서는, 대기압보다 압력이 낮은 감압 환경하에서 상기 몰드재를 가열하는 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 몰드재층의 표면에, 가공이 행해지는 피가공 부재가 재치되어 있는 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층이, 탄화수소 수지, 및 엘라스토머 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 탄화수소 수지가, 수지 (A) 및/또는 수지 (B) 이고,
    당해 수지 (A) 는, 시클로올레핀계 폴리머이고,
    당해 수지 (B) 는, 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 수지인 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 엘라스토머 수지가, 수소 첨가물인 엘라스토머, 및, 양단이 스티렌의 블록 중합체인 엘라스토머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 수지인 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층과 상기 지지체 사이에, 분리층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드재층은 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 몰드재의 처리 방법.
  9. 몰드재로 이루어지는 몰드재층을 가열하여, 당해 몰드재층을 구성하는 몰드재로부터 기체를 방출시키는 가열 공정, 및,
    가열 공정 후, 상기 몰드재층의 표면에, 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정을 포함하고,
    상기 접착층의 표면이면서 상기 몰드재층과는 반대측의 면에, 지지체가 적층 되고,
    상기 가열 공정에서는, 몰드재층을 215 ℃ 이상, 250 ℃ 이하에서 15 분 이상 가열하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5756334B2 (ja) * 2010-10-29 2015-07-29 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
JP2012109538A (ja) 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
JP5802106B2 (ja) 2010-11-15 2015-10-28 東京応化工業株式会社 積層体、および分離方法
JP6437805B2 (ja) * 2014-12-03 2018-12-12 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法、封止基板積層体の製造方法及び積層体
JP6446248B2 (ja) * 2014-12-03 2018-12-26 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法、基板の処理方法及び積層体
US9947570B2 (en) * 2015-12-30 2018-04-17 International Business Machines Corporation Handler bonding and debonding for semiconductor dies
JP6612683B2 (ja) * 2016-06-13 2019-11-27 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法、及びその利用
JP7126590B1 (ja) 2021-05-18 2022-08-26 三菱電機株式会社 音響コミュニケーション用送受信装置及び音響コミュニケーションシステム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020159242A1 (en) 2000-03-17 2002-10-31 Seiichi Nakatani Module with built-in electronic elements and method of manufacture thereof
JP2007129077A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法及び脱泡装置
US20110117702A1 (en) 2009-11-17 2011-05-19 Oc Oerlikon Balzers Ag Apparatus and method for processing a substrate
US20110272800A1 (en) 2010-05-10 2011-11-10 Shinko Electric Industries Co,Ltd. Semiconductor package and method of manufacturing same

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB674519A (en) * 1949-10-19 1952-06-25 Badische Anilin & Soda Fabric Improvements in the production of moulded articles from polyethylene
JPS56163438A (en) * 1980-05-21 1981-12-16 Toshiba Corp Method for detecting hardening of resin in resin sealed semiconductor device
WO1992002348A1 (en) * 1990-08-01 1992-02-20 H.B. Fuller Licensing And Financing Inc. Method of packaging an adhesive composition and corresponding packaged article
US5344604A (en) * 1991-12-27 1994-09-06 Kusek Walter K Process for forming a substantially gas free encapsulation
US6027958A (en) * 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
WO1998056578A1 (fr) 1997-06-13 1998-12-17 Nippon Petrochemicals Company, Limited Composite lie et composition adhesive pour ledit composite
JP3967828B2 (ja) * 1997-06-13 2007-08-29 新日本石油株式会社 接着複合体およびそれに用いる封止用樹脂組成物
US6093583A (en) * 1998-06-01 2000-07-25 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor component and method of manufacture
JP2001118965A (ja) * 1999-10-20 2001-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 電気・電子部品
JP3696131B2 (ja) * 2001-07-10 2005-09-14 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
US20060194064A1 (en) * 2002-03-01 2006-08-31 Xiao Allison Y Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application
US20040101688A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Slawomir Rubinsztajn Curable epoxy compositions, methods and articles made therefrom
JP2005183689A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Seiko Epson Corp 支持基板、搬送体、半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、並びに電子機器
US7326592B2 (en) 2005-04-04 2008-02-05 Infineon Technologies Ag Stacked die package
JP4794354B2 (ja) * 2006-05-23 2011-10-19 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
US8084302B2 (en) * 2008-03-07 2011-12-27 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package having semiconductor die with internal vertical interconnect structure and method therefor
JP5053931B2 (ja) * 2008-05-29 2012-10-24 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5224111B2 (ja) * 2008-08-29 2013-07-03 日立化成株式会社 半導体ウェハ加工用接着フィルム
JP5042297B2 (ja) * 2009-12-10 2012-10-03 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP5756334B2 (ja) * 2010-10-29 2015-07-29 東京応化工業株式会社 積層体、およびその積層体の分離方法
TWI523164B (zh) 2010-11-25 2016-02-21 山田尖端科技股份有限公司 樹脂模塑裝置
JP5663785B2 (ja) 2010-12-17 2015-02-04 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
US8980696B2 (en) * 2011-11-09 2015-03-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method of packaging semiconductor die
US20130244377A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for production of semiconductor device and method for producing semiconductor device using the tape

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020159242A1 (en) 2000-03-17 2002-10-31 Seiichi Nakatani Module with built-in electronic elements and method of manufacture thereof
JP2007129077A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Casio Comput Co Ltd 半導体装置の製造方法及び脱泡装置
US20110117702A1 (en) 2009-11-17 2011-05-19 Oc Oerlikon Balzers Ag Apparatus and method for processing a substrate
US20110272800A1 (en) 2010-05-10 2011-11-10 Shinko Electric Industries Co,Ltd. Semiconductor package and method of manufacturing same
JP2011238767A (ja) 2010-05-10 2011-11-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法

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Publication number Publication date
TWI596182B (zh) 2017-08-21
KR20140133456A (ko) 2014-11-19
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US10607876B2 (en) 2020-03-31
US20140332149A1 (en) 2014-11-13
TW201446920A (zh) 2014-12-16

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