JP2007129077A - 半導体装置の製造方法及び脱泡装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去すること。
【解決手段】封止樹脂層形成工程において、先ずウエハ２の上面全体に封止樹脂を印刷する（印刷封止工程）。続いて、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する（脱泡工程）。すなわち、封止樹脂が印刷されたウエハ２を真空チャンバ１１０内に載置する。この真空チャンバ１１０内に遠赤外線ヒータ１４０が設けられており、遠赤外線ヒータ１４０により遠赤外線を照射（輻射）してウエハ２を加熱しながら真空チャンバ１１０内を真空引きすることで、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び脱泡装置に関する。

半導体装置における封止樹脂層２０を形成する方法としてスクリーン印刷法がある。図２３は、この場合の封止樹脂層形成工程を説明するための説明図である。

先ず、ウエハ２の上面全体に封止樹脂を印刷する（印刷封止工程）。具体的には、図２３（ａ）に示すように、ウエハ２上にメタルマスク３２を重ね合わせ、このメタルマスク３２上に封止樹脂３４を供給する。そして、スキージ３６を摺動させ、封止樹脂３４をメタルマスク３２の開口部３３に充填することによりウエハ２の表面を樹脂封止する。

続いて、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する（脱泡工程）。すなわち、図２３（ｂ）に示すように、封止樹脂が印刷されたウエハ２を真空チャンバ４０内に載置する。そして、図示しない真空装置により真空チャンバ４０内を真空引きすることにより、封止樹脂中の気泡を除去する。この作用は脱泡といわれるが、封止樹脂に含まれる細かい気泡がその表面に浮き上がっては破泡する作用が繰り返され、この破泡が終了した時点で封止樹脂中の脱泡が完了する。この脱泡工程は、所定時間が経過して表面に気泡が浮き上がってこなくなった場合に、完了となる。

そして、この脱泡工程の後に封止樹脂を硬化させる（硬化工程：図示略）。

この封止樹脂層形成工程については、特許文献１に記載がある。特許文献１によれば、封止樹脂層が形成されたウエハを０．６７ｋＰａの真空下で脱泡し、１２０℃×１６時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成している。
特開２００２−１２１２６０号公報

ところで、封止樹脂層形成工程では、前述のように封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡により除去する（脱泡工程）が、封止樹脂の粘性が高いために、気泡が封止樹脂層の表面に浮き上がるまでに時間がかかるという問題があった。また、封止樹脂中の気泡を完全に脱泡できない場合があり、信頼性を低下させるという問題があった。

また、特許文献１の技術を利用し、真空度を一気に上げて真空脱泡を行うと気泡が大きくなる場合があり、脱泡工程後のウエハ２の表面の平滑度が保てないという問題があった。

そこで、気泡が大きくならないように段階的に真空度を上げていき、封止樹脂中の気泡を真空脱泡したところ、脱泡工程を完了するまでに時間がかかるという不都合が生じた。脱泡工程に係る具体的な所要時間例は次の通りである。すなわち、常温下で先ず２０（Ｔｏｒｒ）の真空度を３分間保持し、続いて１０（Ｔｏｒｒ）の真空度を５分間保持し、続いて０（Ｔｏｒｒ）の真空度を１分間保持することにより、計１２分で脱泡を完了した。

本発明は、上記した従来の問題に鑑みて為されたものであり、ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去することを目的とする。

以上の課題を解決するための請求項１に記載の発明は、ウエハ上に複数の突起状電極を形成し、前記ウエハ上の前記突起電極間に封止層を形成する半導体装置の製造方法において、
前記封止層を形成する工程として、封止樹脂を印刷する印刷封止工程と、遠赤外線を照射しながら若しくは超音波振動を与えながら前記印刷された封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する脱泡工程と、この脱泡工程の後に前記封止樹脂を硬化させる硬化工程とを含むことを特徴としている。

請求項２に記載の発明は、
前記遠赤外線を照射する遠赤外線照射装置は、円筒状であり、真空チャンバ本体に固定されている、若しくは前記遠赤外線照射装置の一部が真空チャンバ本体から引き出し自在な側面部の内側に固定されており、前記遠赤外線照射装置によって区画された内側の空洞内にウエハ収納カセットが収容されることを特徴としている。

請求項３に記載の発明は、
前記超音波振動を与える超音波振動源は、真空チャンバ内に設けられており、前記超音波振動源上にウエハ収納カセットが載置されることを特徴としている。

請求項４に記載の発明の脱泡装置は、
封止樹脂が印刷されたウエハを載置する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に載置されたウエハに遠赤外線を照射する遠赤外線照射装置若しくは超音波振動を与える超音波振動源と、前記真空チャンバ内を真空引きする真空装置とを備え、前記遠赤外線照射装置により前記ウエハに遠赤外線を照射しながら若しくは前記超音波振動源により前記ウエハに超音波振動を与えながら前記真空装置により前記真空チャンバ内を真空引きすることで、前記封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡することを特徴としている。

請求項５に記載の発明の脱泡装置は、
前記遠赤外線照射装置は、円筒状であり、真空チャンバ本体に固定されている、若しくは前記遠赤外線照射装置の一部が真空チャンバ本体から引き出し自在な側面部の内側に固定されており、前記遠赤外線照射装置によって区画された内側の空洞内にウエハ収納カセットが収容されることを特徴としている。

請求項６に記載の発明の脱泡装置は、
前記超音波振動を与える超音波振動源は、真空チャンバ内に設けられており、前記超音波振動源上にウエハ収納カセットが載置されることを特徴としている。

請求項１に記載の発明によれば、封止樹脂を印刷する印刷封止工程の後に行う脱泡工程において、遠赤外線を照射してウエハを加熱しながら若しくは超音波振動を与えながら封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡するので、封止樹脂の粘性を低下させる若しくは封止樹脂中の気泡の脱泡を促進させることができる。したがって、ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去することができる。

請求項４に記載の発明によれば、遠赤外線を照射してウエハを加熱しながら若しくは超音波振動を与えながら真空チャンバ内を真空引きするので、封止樹脂の粘性を低下させる若しくは当該封止樹脂に含まれる気泡の脱泡を促進させることができる。したがって、ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去することができる。

以下、図１〜図２２を参照し、本発明を適用したＷ−ＣＳＰの製造方法及び脱泡装置について詳細に説明する。

〔第１実施形態〕
先ず、第１実施形態について説明する。

第１実施形態では、ウエハプロセス（前工程）にてウエハを作製する。そして、後工程に移り、スクリーン印刷法により封止樹脂層を形成し、ウエハの表面を樹脂封止する（封止樹脂層形成工程）。

半導体パッケージの小型化を実現するパッケージング技術として、ウエハ上に半導体素子や集積回路を形成するウエハプロセス（前工程）の後、ウエハ状態のままでパッケージング工程等の後工程を行うウエハレベルＣＳＰ（Wafer-level Chip Size Package：以下、「Ｗ−ＣＳＰ」と略す。）と呼ばれる技術が実用化されている。

図８（ａ）はＷ−ＣＳＰの構造を説明するための斜視図、（ｂ）はその要部断面図である。このＷ−ＣＳＰは、例えばアルミニウムパッド等である電極４が形成されたシリコンウエハ（以下、「ウエハ」と略す。）２上に、電極４を露出させる開口部６ａを有するパッシベーション膜６及び絶縁膜８と、シード層１０を介して電極４と接続される再配線層１４と、ウエハ２上を覆う封止樹脂層２０とが形成され、この封止樹脂層２０を貫通して再配線層１４と接続される銅ポスト（突起状電極）１８上に半田バンプ２２が形成されて構成されている。

ここで、Ｗ−ＣＳＰの製造方法について、図９〜図２２を参照して説明する。図９〜図２２は、Ｗ−ＣＳＰの製造工程順にその断面図を示したものである。本製造工程では、図９に示すように、図示しない集積回路や電極４が形成され、電極４上に開口を有するパッシベーション膜６で覆われたウエハ２を用意する。そして先ず、絶縁膜８を形成する。具体的には、例えば感光性ポリイミドを用い、現像時に電極４上を露出させ、焼成硬化させて形成する。

続いて、図１０に示すように、ウエハ２の上面全体に、例えばチタン及び銅を順次スパッタ形成して、電解めっき用のシード層１０を成膜する。

次に、図１１に示すように、シード層１０の上面にレジスト１２をパターン形成し、次工程で再配線層１４を形成する領域部分を開口させる。そして、図１２に示すように、レジスト１２をマスクとし、露出したシード層１０上に例えば銅の電解めっきを行うことにより再配線層１４を形成する。そして、図１３に示すように、レジスト１２を剥離する。

続いて、図１４に示すように、再配線層１４を含むシード層１０の上面に、ドライフィルム１６をパターン形成し、次工程で銅ポスト１８を形成する領域部分を開口させる。そして、図１５に示すように、ドライフィルムをマスクとし、露出した再配線層１４上に銅の電解めっきを行うことにより銅ポスト１８を形成する。そして、図１６に示すように、ドライフィルム１６を剥離した後、図１７に示すように、再配線層１４をマスクとし、露出したシード層１０をウエットエッチングにて除去する。

続いてパッケージング工程等の後工程に移り、先ず、図１８に示すように、銅ポスト１８を覆うようにしてウエハ２の上面全体に封止樹脂層２０を形成し、表面を樹脂封止する（封止樹脂層形成工程）。

図１は、封止樹脂層形成工程を説明するための図である。封止樹脂層形成工程では、先ずウエハ２の上面全体に封止樹脂を印刷する（印刷封止工程）。具体的には、図１（ａ）に示すように、ウエハ２上にメタルマスク３２を重ね合わせ、このメタルマスク３２上に封止樹脂３４を供給する。そして、スキージ３６を摺動させ、封止樹脂３４をメタルマスク３２の開口部３３に充填することにより表面を樹脂封止する。

続いて、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する（脱泡工程）。すなわち、図１（ｂ）に示すように、封止樹脂が印刷されたウエハ２を真空チャンバ１１０内に載置する。第１実施形態では、この真空チャンバ１１０内に遠赤外線ヒータ１４０が設けられており、遠赤外線ヒータ１４０により遠赤外線を照射（輻射）してウエハ２を加熱しながら真空チャンバ１１０内を真空引きすることで、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する。

脱泡の完了を確認したならば、真空チャンバ１１０内からウエハ２を取り出し、封止樹脂を硬化させる硬化工程（図示略）に移る。実験による一例によれば、常温下で真空（０（Ｔｏｒｒ））にし、４分間保持することにより脱泡を完了した。

次に、図２を参照して、上記した第１実施形態の脱泡工程を行う脱泡装置１００ａの具体的な構成について説明する。図２（ａ）は、真空チャンバ１１０ａの上面を切り欠いてその内部構成を示した脱泡装置１００ａの平面図である。また図２（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ同図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。

第１実施形態では、脱泡装置１００ａは、真空チャンバ１１０ａと、真空チャンバ１１０ａ内を真空引きする真空ポンプ１３０とが排気管１２０を介して連通されて構成されている。また、真空チャンバ１１０ａの内部には、遠赤外線を照射する円筒状の遠赤外線ヒータ１４０ａが配設されており、この遠赤外線ヒータ１４０ａによって区画された内側の空洞内に、ウエハ収納カセット１５０が収容されるようになっている。この遠赤外線ヒータ１４０ａは、内周面側から遠赤外線の輻射を行って、ウエハ２全体に均一に遠赤外線を照射する。

この脱泡装置１００ａを用いて封止樹脂中の気泡を脱泡するに際しては、先ず、真空チャンバ１１０ａ本体と離隔自在な底部１１３を引き出してウエハ２，２，・・・を収納したウエハ収納カセット１５０を載置し、真空チャンバ１１０ａ内に収容する。そして、遠赤外線ヒータ１４０ａにより遠赤外線を照射してウエハ２，２・・・を加熱しながら真空チャンバ１１０ａ内を真空ポンプ１３０で排気し、真空引きを行う。

この第１実施形態によれば、遠赤外線の照射による加熱を行いながら真空チャンバ１１０ａ内を真空引きするので、封止樹脂の粘性を低下させて脱泡し易くすることができ、ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去することができる。また封止樹脂の粘性が下がることにより、封止樹脂の表面に浮き上がってきた気泡が大きくならずに破泡するため、真空度を段階的に上げていくことなく一気に上げて真空脱泡を行うことができる。また、樹脂の粘性が下がることで気泡の破泡跡を埋めるレべリング性（平滑性）を向上させることができる。

［変形例］
図３は、第１実施形態の脱泡装置の変形例について説明するための図であり、図３（ａ）は、真空チャンバ１１０ｂの上面を切り欠いてその内部構成を示した脱泡装置１００ｂの平面図である。また図３（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ同図（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図である。

この脱泡装置１００ｂは、上記した第１実施形態の脱泡装置１００ａと同様に、真空チャンバ１１０ｂと、真空チャンバ１１０ｂ内を真空引きする真空ポンプ１３０とが排気管１２０を介して連通されるとともに、真空チャンバ１１０ｂの内部に、遠赤外線を照射する円筒状の遠赤外線ヒータ１４０ｂが配設されて構成されている。本変形例では、遠赤外線ヒータ１４０ｂの一部が、真空チャンバ１１０ｂ本体から引き出し自在な側面部１１５の内側に固定されており、側面部１１５が引き出された場合には、側面部１１５とともに引き出されて露出するようになっている。

この脱泡装置１００ｂを用いて封止樹脂中の気泡を脱泡するに際しては、先ず、真空チャンバ１１０ｂの側面部１１５を引き出してウエハ２，２，・・・を収納したウエハ収納カセット１５０を真空チャンバ１１０ｂ内に載置し、収容する。そして、遠赤外線ヒータ１４０ｂにより遠赤外線を照射してウエハ２，２・・・を加熱しながら真空チャンバ１１０ｂ内を真空ポンプ１３０で排気し、真空引きを行う。脱泡工程に係る具体的な所要時間例は次の通りである。すなわち、常温常圧下から１分間で４０〜６０℃、０（Ｔｏｒｒ）の真空度にして４分間保持した後、１分間で常温常圧に戻し、計６分で脱泡を完了した。

続いて、図１９に示すように、封止樹脂層２０の表面を研削して銅ポスト１８を露出させるとともに、図２０に示すように、必要に応じてウエハ２の裏面を適宜研削する。次いで、図２１に示すように、銅ポスト１８上に例えば半田ボールを搭載し、リフローする等して半田バンプ２２を形成する。そして、図２２に示すように、ダイシングによりウエハ２を個片化すると、図８に示したＷ−ＣＳＰが完成する。

〔第２実施形態〕
次に、第２実施形態について説明する。

第２実施形態では、第１実施形態と同様のウエハプロセス（前工程）にてウエハを作製する。そして、後工程に移り、スクリーン印刷法により封止樹脂層を形成し、ウエハの表面を樹脂封止する（封止樹脂層形成工程）。

図４は、第２実施形態における封止樹脂層形成工程を説明するための図である。封止樹脂層形成工程では、先ずウエハ２の上面全体に封止樹脂を印刷する（印刷封止工程）。具体的には、図４（ａ）に示すように、ウエハ２上にメタルマスク３２を重ね合わせ、このメタルマスク３２上に封止樹脂３４を供給する。そして、スキージ３６を摺動させ、封止樹脂３４をメタルマスク３２の開口部３３に充填することにより表面を樹脂封止する。

続いて、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する（脱泡工程）。すなわち、図４（ｂ）に示すように、封止樹脂が印刷されたウエハ２を真空チャンバ１１０ｃ内に載置する。第２実施形態では、この真空チャンバ１１０ｃ内に超音波振動源１６０が設けられており、超音波振動源１６０によりウエハ２に超音波振動を与えながら真空ポンプ１３０により真空チャンバ１１０ｃ内を真空引きすることで、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する。

所定時間が経過し、脱泡の完了を確認したならば、真空チャンバ１１０ｃ内からウエハ２を取り出し、封止樹脂を硬化させる硬化工程（図示略）に移る。

次に、図５を参照して、上記した第２実施形態の脱泡工程を行う脱泡装置の具体的な構成について説明する。図５は、真空チャンバ１１０ｃの縦断面図である。

第２実施形態では、脱泡装置１００ｃは、真空チャンバ１１０ｃと、真空チャンバ１１０ｃ内を真空引きする真空ポンプ１３０とが排気管１２０を介して連通されて構成されている。また、真空チャンバ１１０ｃの底部には、超音波振動を与える超音波振動源１６０が配設されている。そして、この超音波振動源１６０上に、ウエハ２，２，・・・を収納したウエハ収納カセット１５０が載置されており、ウエハ２を保持する爪部１５１を介して、超音波振動がウエハ２，２，・・・に伝わるようになっている。

この第２実施形態によれば、超音波振動を与えながら真空チャンバ１１０ｃ内を真空引きするので、封止樹脂に含まれる気泡が移動しやすくなり、脱泡を促進させることができる。したがって、ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去することができる。

〔第３実施形態〕
次に、第３実施形態について説明する。

第３実施形態では、第１実施形態と同様のウエハプロセス（前工程）にてウエハを作製する。そして、後工程に移り、スクリーン印刷法により封止樹脂層を形成し、ウエハの表面を樹脂封止する（封止樹脂層形成工程）。

図６は、第３実施形態における封止樹脂層形成工程を説明するための図である。封止樹脂層形成工程では、先ずウエハ２の上面全体に封止樹脂を印刷する（印刷封止工程）。具体的には、図６（ａ）に示すように、ウエハ２上にメタルマスク３２を重ね合わせ、このメタルマスク３２上に封止樹脂３４を供給する。そして、スキージ３６を摺動させ、封止樹脂３４をメタルマスク３２の開口部３３に充填することにより表面を樹脂封止する。

続いて、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する（脱泡工程）。すなわち、図６（ｂ）に示すように、封止樹脂が印刷されたウエハ２を真空チャンバ１１０ｄ内に載置する。第３実施形態では、この真空チャンバ１１０ｄ内に遠赤外線ヒータ１４０及び超音波振動源１６０が設けられており、遠赤外線ヒータ１４０により遠赤外線を照射してウエハ２を加熱し、且つ超音波振動源１６０によりウエハ２に超音波振動を与えながら真空ポンプ１３０により真空チャンバ１１０ｄ内を真空引きすることで、封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する。

所定時間が経過し、脱泡の完了を確認したならば、真空チャンバ１１０ｄ内からウエハ２を取り出し、封止樹脂を硬化させる硬化工程（図示略）に移る。

次に、図７を参照して、上記した第３実施形態の脱泡工程を行う脱泡装置の具体的な構成について説明する。図７（ａ）は、真空チャンバ１１０ｄの上面を切り欠いてその内部構成を示した脱泡装置１００ｄの平面図である。また図７（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ同図（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図である。

第３実施形態では、脱泡装置１００ｄは、真空チャンバ１１０ｄと、真空チャンバ１１０ｄ内を真空引きする真空ポンプ１３０とが排気管１２０を介して連通されて構成されている。また、真空チャンバ１１０ｄの内部には、遠赤外線を照射する円筒状の遠赤外線ヒータ１４０ａが配設されており、この遠赤外線ヒータ１４０ａによって区画された内側の空洞内に、ウエハ収納カセット１５０が収容されるようになっている。この遠赤外線ヒータ１４０ａは、内周面側から遠赤外線の輻射を行って、ウエハ２全体に均一に遠赤外線を照射する。

より詳細には、前述のウエハ収納カセット１５０は、真空チャンバ１１０ｄの底部に配設された超音波振動源１６０上に載置されるようになっており、ウエハ２を保持する爪部１１５を介して、超音波振動がウエハ２，２，・・・に伝わるようになっている。この超音波振動源１６０は、真空チャンバ１１０ｄ本体から引き出し自在な底面部１１３に固定されており、底面部１１３が引き出された場合には、底面部１１３とともに引き出されて露出するようになっている。

この脱泡装置１００ｄを用いて封止樹脂中の気泡を脱泡するに際しては、先ず、真空チャンバ１１０ｄ本体と離隔自在な底面部１１３を引き出す。そして、底面部１１３とともに引き出された超音波振動源１６０上にウエハ２，２，・・・を収納したウエハ収納カセット１５０を載置し、真空チャンバ１１０ｄ内に収容する。そして、遠赤外線ヒータ１４０ａにより遠赤外線を照射してウエハ２，２・・・を加熱し、且つ超音波振動源１６０によりウエハ２，２・・・に超音波振動を与えながら真空チャンバ１１０ｄ内を真空ポンプ１３０で排気し、真空引きを行う。

この第３実施形態によれば、遠赤外線の輻射による加熱を行いながら真空チャンバ１１０ｄ内を真空引きするので、封止樹脂の粘性を低下させて脱泡し易くすることができる。また、超音波振動を与えながら真空チャンバ１１０ｄ内を真空引きするので、封止樹脂に含まれる気泡が移動しやすくなり、脱泡を促進させることができる。したがって、ウエハ上に印刷された封止樹脂に含まれる気泡を短時間で確実に除去することができる。

第１実施形態における封止樹脂層形成工程を説明するための図。 第１実施形態の脱泡工程を行う脱泡装置の構成例を示す図。 第１実施形態の脱泡装置の構成の変形例を示す図。 第２実施形態における封止樹脂層形成工程を説明するための図。 第２実施形態の脱泡工程を行う脱泡装置の構成例を示す図。 第３実施形態における封止樹脂層形成工程を説明するための図。 第３実施形態の脱泡工程を行う脱泡装置の構成例を示す図。 （ａ）はＷ−ＣＳＰの構造を説明するための斜視図、（ｂ）はその要部断面図。 絶縁膜形成工程を説明するための断面図。 シード層成膜工程を説明するための断面図。 レジストパターン形成工程を説明するための断面図。 再配線層形成工程を説明するための断面図。 レジスト剥離工程を説明するための断面図。 ドライフィルムパターン形成工程を説明するための断面図。 銅ポスト形成工程を説明するための断面図。 ドライフィルム剥離工程を説明するための断面図。 シード層除去工程を説明するための断面図。 封止樹脂層形成工程を説明するための断面図。 表面研削工程を説明するための断面図。 裏面研削工程を説明するための断面図。 バンプ形成工程を説明するための断面図。 ダイシング工程を説明するための断面図。 従来の封止樹脂層形成工程を説明するための説明図。

符号の説明

Ｗ−ＣＳＰ ウエハレベルＣＳＰ
２ ウエハ
４ 電極
６ パッシベーション膜
８ 絶縁膜
１０ シード層
１４ 再配線層
２０ 封止樹脂層
１８ 銅ポスト
２２ 半田バンプ
１００ａ 脱泡装置
１１０ａ 真空チャンバ
１４０ａ 遠赤外線ヒータ
１２０ 排気管
１３０ 真空ポンプ

Claims (6)

1. ウエハ上に複数の突起状電極を形成し、前記ウエハ上の前記突起電極間に封止層を形成する半導体装置の製造方法において、
   前記封止層を形成する工程として、封止樹脂を印刷する印刷封止工程と、遠赤外線を照射しながら若しくは超音波振動を与えながら前記印刷された封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡する脱泡工程と、この脱泡工程の後に前記封止樹脂を硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記遠赤外線を照射する遠赤外線照射装置は、円筒状であり、真空チャンバ本体に固定されている、若しくは前記遠赤外線照射装置の一部が真空チャンバ本体から引き出し自在な側面部の内側に固定されており、前記遠赤外線照射装置によって区画された内側の空洞内にウエハ収納カセットが収容されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記超音波振動を与える超音波振動源は、真空チャンバ内に設けられており、前記超音波振動源上にウエハ収納カセットが載置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 封止樹脂が印刷されたウエハを載置する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に載置されたウエハに遠赤外線を照射する遠赤外線照射装置若しくは超音波振動を与える超音波振動源と、前記真空チャンバ内を真空引きする真空装置とを備え、前記遠赤外線照射装置により前記ウエハに遠赤外線を照射しながら若しくは前記超音波振動源により前記ウエハに超音波振動を与えながら前記真空装置により前記真空チャンバ内を真空引きすることで、前記封止樹脂に含まれる気泡を真空脱泡することを特徴とする脱泡装置。
5. 前記遠赤外線照射装置は、円筒状であり、真空チャンバ本体に固定されている、若しくは前記遠赤外線照射装置の一部が真空チャンバ本体から引き出し自在な側面部の内側に固定されており、前記遠赤外線照射装置によって区画された内側の空洞内にウエハ収納カセットが収容されることを特徴とする請求項４に記載の脱泡装置。
6. 前記超音波振動を与える超音波振動源は、真空チャンバ内に設けられており、前記超音波振動源上にウエハ収納カセットが載置されることを特徴とする請求項４に記載の脱泡装置。

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