KR101731694B1 - 임프린트 장치 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

임프린트 장치 및 패턴 형성 방법 Download PDF

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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

실시 형태에 따른 임프린트 장치는, 기판에 설치된 피전사부에 가압되는 패턴부를 갖는 템플릿을 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부에 대치시켜서 설치되고, 상기 기판을 적재하는 적재부와, 상기 보유 지지부 및 상기 적재부 중 적어도 어느 하나에 설치되고, 상기 보유 지지부 및 상기 적재부를 서로 근접하는 방향 또는 서로 이격하는 방향으로 이동시키는 이동부와, 상기 템플릿의 패턴부가 가압된 상기 피전사부를 경화시키는 경화부와, 상기 피전사부에 가압된 상기 템플릿을 상기 템플릿의 가압 방향과 교차하는 방향으로 가압하는 가압부와, 상기 가압부에 의해 가압된 상기 템플릿의 위치를 검출하는 검출부를 구비하고 있다.

Description

임프린트 장치 및 패턴 형성 방법{IMPRINT APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD}
본 출원은 2014년 3월 4일자 일본 특허출원 제2014-041697호를 기초로 그 우선권을 주장하며, 그 출원의 전체 내용은 본 출원에 참고로 인용된다.
후술하는 실시 형태는, 대략, 임프린트 장치 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 등의 전자 디바이스의 제조에 있어서는, 임프린트법을 사용하여 패턴을 형성하고 있다.
예를 들어, 기판 상에 액상의 수지 재료를 적하하고, 패턴이 형성된 템플릿(임프린트형 등으로도 칭해짐)을 수지 재료에 가압한 채 수지 재료를 경화시켜서, 기판 상에 수지 재료를 포함하는 패턴을 형성하도록 하고 있다.
여기서, 임프린트법을 사용하여 패턴을 형성하는 경우에는, 템플릿의 볼록부와 기판 사이에 수지 재료가 잔류하도록 하고 있다. 이 잔류한 수지 재료를 포함하는 막(잔막)의 두께를 잔막 두께(RLT: Residual Layer Thickness)라고 한다.
잔막 두께 치수가 변동하면, 후속 공정에 있어서의 처리(예를 들어, 수지 재료를 포함하는 패턴을 마스크로서 사용하는 에칭 처리)의 처리 조건이 변동하게 되므로, 수지 재료를 포함하는 패턴의 하지층에 대하여 고정밀도의 처리를 실시하는 것이 곤란해진다.
그로 인해, 레이저 간섭계를 사용하여 템플릿의 볼록부와 기판 사이의 거리를 측정하고, 측정값에 기초하여 잔막 두께 치수를 제어하는 기술이 제안되어 있다.
그러나, 잔막 두께 치수를 더욱 고정밀도로 제어할 수 있는 기술의 개발이 요망되고 있었다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 임프린트 장치(1)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 2는 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수의 관계를 예시하기 위한 모식 그래프도이다.
도 3의 (a) 내지 (c)는 잔막 두께 치수가 변화하는 모습을 예시하기 위한 모식도이다.
실시 형태에 따른 임프린트 장치는, 기판에 설치된 피전사부에 가압되는 패턴부를 갖는 템플릿을 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부에 대치시켜서 설치되고, 상기 기판을 적재하는 적재부와, 상기 보유 지지부 및 상기 적재부 중 적어도 어느 하나에 설치되고, 상기 보유 지지부 및 상기 적재부를 서로 근접하는 방향 또는 서로 이격하는 방향으로 이동시키는 이동부와, 상기 템플릿의 패턴부가 가압된 상기 피전사부를 경화시키는 경화부와, 상기 피전사부에 가압된 상기 템플릿을 상기 템플릿의 가압 방향과 교차하는 방향으로 가압하는 가압부와, 상기 가압부에 의해 가압된 상기 템플릿의 위치를 검출하는 검출부를 구비하고 있다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시 형태에 대하여 예시를 한다. 또한, 각 도면중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명은 적절히 생략한다.
도 1은, 본 실시 형태에 따른 임프린트 장치(1)를 예시하기 위한 모식도이다.
임프린트 장치(1)는 UV(Ultraviolet) 임프린트법을 사용하여 전사를 행하는 임프린트 장치이다.
템플릿(100)은 판 형상을 나타내는 기초부(100b)와, 기초부(100b)의 한쪽 면에 설치된 패턴부(100a)를 갖는다. 패턴부(100a)는 기판(110)에 설치된 피전사부(111)에 가압된다.
템플릿(100)은, 예를 들어 석영 등의 자외선을 투과시킬 수 있는 재료로 형성되어 있다.
또한, 평판 형상을 나타내는 기초부(100b)를 예시했지만, 패턴부(100a)가 설치되는 영역의 두께가 얇게 되어 있는 것으로 할 수도 있다.
기판(110)은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등으로 할 수 있다.
기판(110)의 한쪽 면에는, 피전사부(111)가 설치되어 있다.
피전사부(111)는 자외선 경화 수지를 포함하는 것으로 할 수 있다.
경화되기 전의 피전사부(111)는 액상으로 되어 있다.
막 형상의 피전사부(111)를 예시했지만, 예를 들어 액적 형상의 자외선 경화 수지가 복수 설치된 형태로 할 수도 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 임프린트 장치(1)에는, 보유 지지부(2), 이동부(3), 적재부(4), 경화부(5), 측정부(6) 및 제어부(7)가 설치되어 있다.
또한, 도 1 중의 화살표X, Y, Z는 서로 직교하는 3 방향을 나타내고 있어, 예를 들어 화살표X, Y는 수평 방향, 화살표Z는 연직 방향을 나타내고 있다.
보유 지지부(2)는 완충부(2b)를 개재하여 템플릿(100)의 기초부(100b)를 보유 지지한다. 보유 지지부(2)는, 예를 들어 기초부(100b)를 기계적으로 보유 지지하는 척을 가진 것으로 할 수 있다.
완충부(2b)는 유기 재료 등의 유연성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 유연성을 갖는 완충부(2b)를 설치하도록 하면, 기판(110)의 표면 형상에 템플릿(100)을 모방하게 할 수 있다. 그로 인해, 전사 불량을 저감시킬 수 있다.
또한, 완충부(2b)는 템플릿(100)에 설치하도록 할 수도 있다. 또한, 보유 지지부(2)는 두께 방향을 관통하는 구멍부(2a)를 갖는다. 구멍부(2a)는 템플릿(100)의 패턴부(100a)에 대치하는 위치에 설치되어 있다.
이동부(3)는 보유 지지부(2)를 적재부(4)에 접근하는 방향 또는 보유 지지부(2)를 적재부(4)로부터 멀어지는 방향으로 이동시킨다. 예를 들어, 이동부(3)는 보유 지지부(2)를 승강시킨다. 이동부(3)는, 예를 들어 서보 모터 등의 제어 모터를 가진 것으로 할 수 있다.
또한, 이동부(3)는 위치 검출부(3a)를 갖고 있다. 위치 검출부(3a)는 보유 지지부(2)의 위치, 나아가서는, 패턴부(100a)의 선단면(100a1)의 위치를 검출한다.
또한, 보유 지지부(2)를 이동시키는 이동부(3)를 예시했지만, 보유 지지부(2) 및 적재부(4) 중 적어도 어느 하나에 설치되고, 보유 지지부(2) 및 적재부(4)를 서로 근접하는 방향 또는 서로 이격하는 방향으로 이동시키는 이동부로 하면 된다.
적재부(4)는 보유 지지부(2)와 대치하고 있다. 적재부(4)는 적재된 기판(110)을 보유 지지한다. 적재부(4)는, 예를 들어 진공 척을 가진 것으로 할 수 있다. 또한, 적재부(4)는 기계적인 척이나 정전 척 등을 가진 것으로 할 수도 있다.
또한, 적재부(4)는 적재된 기판(110)의 위치를 변화시키는 것으로 할 수도 있다. 적재부(4)는, 예를 들어 XY 테이블 등으로 할 수도 있다.
경화부(5)는 보유 지지부(2)의 구멍부(2a)를 끼우고, 템플릿(100)의 패턴부(100a)와 대치하는 위치에 설치되어 있다.
경화부(5)는 템플릿(100)의 패턴부(100a)가 가압된 피전사부(111)를 경화시킨다.
경화부(5)는, 예를 들어 자외선을 조사한다. 경화부(5)는, 예를 들어 자외선 램프를 가진 것으로 할 수 있다.
경화부(5)로부터 조사된 자외선은, 구멍부(2a) 및 템플릿(100)을 투과하여, 템플릿(100)에 의해 가압된 피전사부(111)에 조사된다.
측정부(6)는 가압부(6a) 및 검출부(6b)를 갖는다.
가압부(6a)는 소정의 압력으로 템플릿(100)의 측면을 X방향으로 가압한다.
가압부(6a)는 가압력을 제어할 수 있는 것으로 할 수 있다.
가압부(6a)는, 예를 들어 에어 실린더와, 기압의 제어 기기를 가진 것으로 할 수 있다. 이 경우, 기압의 제어 기기에 의해 에어 실린더에 공급되는 공기의 압력을 제어하여, 가압력을 제어할 수 있다.
또한, 가압부(6a)는 서보 모터 등의 제어 모터와, 변형 게이지 등의 응력 측정 기기를 가진 것으로 할 수도 있다. 이 경우, 응력 측정 기기로부터의 출력에 기초하여 제어 모터를 제어하여, 가압력을 제어할 수 있다.
검출부(6b)는 가압부(6a)에 의해 가압된 템플릿(100)의 X방향의 위치를 검출한다.
검출부(6b)는, 예를 들어 레이저 간섭계 등으로 할 수 있다.
또한, 템플릿(100)의 측면을 X방향으로 가압하는 가압부(6a)와, 템플릿(100)의 X방향의 위치를 검출하는 검출부(6b)를 예시했지만, 템플릿(100)의 측면을 Y방향으로 가압하는 가압부(6a)와, 템플릿(100)의 Y방향의 위치를 검출하는 검출부(6b)로 할 수도 있다.
또한, 가압부(6a)는 X방향 또는 Y방향에 대하여 기운 방향으로부터 템플릿(100)의 측면을 가압하는 것이어도 된다.
즉, 가압부(6a)는 피전사부(111)에 가압된 템플릿(100)을 템플릿(100)의 가압 방향과 교차하는 방향으로 가압하는 것이면 된다.
여기서, 검출부(6b)로부터의 출력에 기초하여, 피전사부(111)의 전단력(패턴부(100a)의 선단면(100a1)과 기판(110) 사이에 있어서의 피전사부(111)의 전단력)을 구하면, 잔막 두께 치수를 연산할 수 있다.
또한, 잔막 두께 치수의 연산에 관한 상세는 후술한다.
제어부(7)는 임프린트 장치(1)에 설치된 요소의 동작을 제어한다.
제어부(7)는, 예를 들어 이하의 동작을 제어한다.
제어부(7)는 보유 지지부(2)를 제어하여, 보유 지지부(2)에 템플릿(100)을 보유 지지시킨다.
제어부(7)는 이동부(3)를 제어하여, 보유 지지부(2)의 승강 위치, 나아가서는 템플릿(100)의 승강 위치를 변화시킨다.
제어부(7)는 적재부(4)를 제어하여, 적재부(4)에 기판(110)을 보유 지지시킨다.
제어부(7)는 경화부(5)를 제어하여, 템플릿(100)에 의해 가압된 피전사부(111)를 향해서, 경화부(5)에 자외선을 조사시킨다.
제어부(7)는 가압부(6a)를 제어하여, 가압부(6a)에 템플릿(100)의 측면을 가압시킨다.
또한, 제어부(7)는 검출부(6b)로부터의 출력에 기초하여, 피전사부(111)의 전단력을 연산한다. 이 경우, 제어부(7)는 검출된 템플릿(100)의 위치와, 미리 구해진 템플릿(100)의 위치와 피전사부(111)의 전단력의 관계로부터 피전사부(111)의 전단력을 연산한다.
제어부(7)는 연산된 피전사부(111)의 전단력과, 미리 구해진 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수의 관계로부터 잔막 두께 치수를 연산한다.
제어부(7)는 연산된 잔막 두께 치수가 소정의 범위 내에 있는지 여부를 판정한다.
연산된 잔막 두께 치수가 소정의 범위 내에 없다고 판정된 경우에는, 제어부(7)는 보유 지지부(2)의 위치 보정값을 연산하고, 연산된 보정값에 기초하여 패턴부(100a)의 선단면(100a1)의 위치를 제어한다.
즉, 제어부(7)는 이동부(3)를 제어하여, 연산된 잔막 두께 치수가 소정의 범위 내가 되도록, 보유 지지부(2)의 승강 위치(템플릿(100)의 승강 위치)의 보정, 나아가서는 잔막 두께 치수의 보정을 행한다.
기타, 기판(110) 상에 피전사부(111)를 형성하기 위한 도포 장치 등을 설치할 수도 있다.
도포 장치는, 예를 들어 잉크젯 장치 등으로 할 수 있다.
이어서, 잔막 두께 치수의 연산에 대하여 설명한다.
피전사부(111)는 자외선이 조사되기 전(경화 전)에는 액상으로 되어 있다.
그로 인해, 템플릿(100)과 기판(110)에 접촉하고 있지 않은 피전사부(111)의 부분은, 벌크 액체(bulk liquid)가 된다.
여기서, 잔막 두께 치수(패턴부(100a)의 선단면(100a1)과 기판(110) 사이의 거리)는 나노미터 오더가 된다. 예를 들어, 잔막 두께 치수는 10nm(나노미터) 내지 몇십nm 정도로 할 수 있다.
잔막 두께 치수가 긴(예를 들어, 잔막 두께 치수가 수㎛(마이크로미터) 정도) 경우에는, 벌크 액체를 구성하는 재료의 분자가 비교적 자유롭게 운동할 수 있기 때문에, 벌크 액체는 질서 구조를 갖지 않는다.
그로 인해, 피전사부(111)의 전단력은 작은 것이 된다.
그런데, 잔막 두께 치수가 나노미터 오더가 되면, 피전사부(111)의 점성이 상승되고, 나아가서는 피전사부(111)의 전단력이 커진다.
본 발명자들이 얻은 지견에 의하면, 임프린트법에 사용되는 수지에 있어서는, 잔막 두께 치수가 나노미터 오더가 되면, 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수의 관계에 규칙성이 생긴다.
그로 인해, 피전사부(111)의 전단력을 측정하면, 잔막 두께 치수를 연산할 수 있다.
도 2는, 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수의 관계를 예시하기 위한 모식 그래프도이다.
도 3의 (a) 내지 (c)는 잔막 두께 치수가 변화하는 모습을 예시하기 위한 모식도이다. 도 3의 (a)는 템플릿(100)을 피전사부(111)에 가압하기 전의 상태를 도시하고 있다.
전술한 바와 같이, 템플릿(100)을 피전사부(111)에 가압하기 전이나, 잔막 두께 치수가 긴 경우에는, 피전사부(111)의 전단력은 작은 것이 된다.
예를 들어, 도 2 중의 영역 A에 도시한 바와 같이, 피전사부(111)의 전단력은 작은 것이 된다.
도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 템플릿(100)을 기판(110)측으로 이동시키고, 잔막 두께 치수 T를 짧게 하면, 피전사부(111)의 전단력이 커진다.
또한, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 잔막 두께 치수 T를 더욱 짧게 하면, 피전사부(111)의 전단력은 더욱 커진다.
이 경우, 도 2 중의 영역 B에 도시한 바와 같이, 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수 T의 관계에 규칙성이 발생한다.
그러나, 잔막 두께 치수 T가 너무 짧아지면, 도 2 중의 영역 C에 도시한 바와 같이, 피전사부(111)의 전단력은 큰채로 변동하지 않게 된다.
예를 들어, 도 2 중의 영역 C는, 가압부(6a)로 템플릿(100)의 측면을 가압한 정도로는 템플릿(100)의 위치가 변화하지 않는 영역이다.
임프린트법에 사용되는 수지에 있어서의 도 2 중의 영역 B(피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수 T의 관계에 규칙성이 생기는 영역)는, 통상 사용되는 잔막 두께 치수(10nm 내지 몇십nm 정도)가 포함되는 영역이다.
그로 인해, 피전사부(111)의 전단력을 측정함으로써, 그 때의 잔막 두께 치수 T를 특정할 수 있으므로, 잔막 두께 치수 T를 고정밀도로 제어하는 것이 가능하게 된다.
또한, 도 2 중의 영역 B에 있어서는, 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수 T의 관계가 선형인 경우를 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수 T의 관계는, 피전사부(111)의 재료, 점도, 성분비 등의 영향을 받을 수 있다.
그로 인해, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써, 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수 T의 관계를 미리 구해 두도록 하는 것이 바람직하다.
이어서, 피전사부(111)의 전단력은 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
가압부(6a)가 템플릿(100)의 측면을 소정의 압력으로 가압하면, 템플릿(100)의 위치가 변화한다.
이 경우, 템플릿(100)의 위치 변화는, 피전사부(111)의 전단력, 템플릿(100)의 탄성이나 완충부(2b)의 탄성 등의 영향을 받을 수 있다.
전술한 바와 같이, 피전사부(111)의 전단력은, 잔막 두께 치수 T의 변화에 따라 변화한다. 이에 비해, 템플릿(100)의 탄성이나 완충부(2b)의 탄성 등은 잔막 두께 치수 T가 변화해도 거의 일정하다고 생각된다.
그로 인해, 템플릿(100)의 탄성이나 완충부(2b)의 탄성 등의 영향은 제거할 수 있다.
그리고, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써, 소정의 가압력을 가했을 때의 템플릿(100)의 위치와, 피전사부(111)의 전단력과의 관계를 미리 구해 두도록 하면, 검출부(6b)로부터의 출력에 기초하여 피전사부(111)의 전단력을 연산할 수 있다.
이어서, 임프린트 장치(1)의 작용과 함께, 본 실시 형태에 따른 패턴 형성 방법에 대하여 예시를 한다.
먼저, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 피전사부(111)를 갖는 기판(110)이 적재부(4)에 적재된다.
피전사부(111)는, 예를 들어 잉크젯 장치 등을 사용하여, 기판(110)의 한쪽 면에 형성할 수 있다.
이어서, 이동부(3)에 의해, 보유 지지부(2)가 적재부(4)에 근접하는 방향으로 이동한다.
이때, 위치 검출부(3a)로부터의 출력에 기초하여, 보유 지지부(2)의 위치, 나아가서는, 패턴부(100a)의 선단면(100a1)의 위치가 소정의 위치가 되도록 제어된다.
즉, 원하는 잔막 두께 치수 T가 되도록, 패턴부(100a)의 선단면(100a1)의 위치가 제어된다.
이어서, 가압부(6a)가 템플릿(100)의 측면을 가압한다.
이때, 가압력이 소정의 값이 되도록 제어된다.
계속해서, 검출부(6b)가 템플릿(100)의 위치를 검출한다.
그리고, 제어부(7)가 검출부(6b)로부터의 출력에 기초하여 피전사부(111)의 전단력을 연산한다.
또한, 제어부(7)가 연산된 피전사부(111)의 전단력에 기초하여, 잔막 두께 치수 T를 연산한다.
제어부(7)가 연산된 잔막 두께 치수 T가 소정의 범위 내에 있다고 판정한 경우에는, 후술하는 경화를 행한다.
한편, 제어부(7)가 연산된 잔막 두께 치수 T가 소정의 범위 내에 없다고 판정한 경우에는, 제어부(7)는 잔막 두께 치수 T의 보정을 행한다.
잔막 두께 치수 T의 보정을 행하는 경우에는, 먼저, 제어부(7)가 보유 지지부(2)의 위치 보정값을 연산한다. 예를 들어, 잔막 두께 치수 T가 너무 짧을 경우에는, 제어부(7)는 보유 지지부(2)의 적절한 상승 방향의 위치를 연산한다. 잔막 두께 치수 T가 너무 길 경우에는, 제어부(7)는 보유 지지부(2)의 적절한 하강 방향의 위치를 연산한다.
계속해서, 제어부(7)는 연산된 보유 지지부(2)의 위치 보정값에 기초하여 보유 지지부(2)의 위치, 나아가서는, 패턴부(100a)의 선단면(100a1)의 위치를 제어한다.
계속해서, 전술한 경우와 마찬가지로 하여, 제어부(7)가 잔막 두께 치수 T를 다시 연산한다.
이후, 필요에 따라, 상술한 수순을 반복함으로써, 잔막 두께 치수 T가 소정의 범위 내에 수용되도록 한다.
이어서, 경화부(5)가 템플릿(100)에 의해 가압된 피전사부(111)에 자외선을 조사한다.
피전사부(111)는 자외선이 조사됨으로써 경화하고, 피전사부(111)에 패턴부(100a)의 패턴이 전사된다.
이어서, 이동부(3)에 의해, 보유 지지부(2)가 적재부(4)로부터 멀어지는 방향으로 이동한다.
이어서, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 패턴이 전사된 피전사부(111)를 갖는 기판(110)이 반출된다.
이후, 이상의 수순을 반복함으로써, 피전사부(111)에 패턴부(100a)의 패턴을 연속적으로 전사할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 따른 패턴 형성 방법은, 이하의 공정을 갖는 것으로 할 수 있다.
기판(110) 상에 피전사부(111)를 형성하는 공정.
피전사부(111)에 템플릿(100)의 패턴부(100a)를 가압하는 공정.
피전사부(111)에 가압된 템플릿(100)을 템플릿(100)의 가압 방향과 교차하는 방향으로 가압하는 공정.
가압된 템플릿(100)의 위치를 검출하는 공정.
템플릿(100)의 패턴부(100a)가 가압된 피전사부(111)를 경화시키는 공정.
또한, 본 실시 형태에 따른 패턴 형성 방법은, 이하의 공정을 더 갖는 것으로 할 수 있다.
검출된 템플릿(100)의 위치와, 미리 구해진 템플릿(100)의 위치와 피전사부(111)의 전단력과의 관계로부터 피전사부(111)의 전단력을 연산하는 공정.
연산된 피전사부(111)의 전단력과, 미리 구해진 피전사부(111)의 전단력과 잔막 두께 치수 T의 관계로부터 잔막 두께 치수 T를 연산하는 공정.
연산된 잔막 두께 치수 T가 소정의 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 공정.
연산된 잔막 두께 치수 T가 소정의 범위 내에 없다고 판정된 경우에는, 템플릿(100)의 가압 방향의 위치를 변화시키고, 잔막 두께 치수 T의 보정을 행하는 공정.
또한, 각 공정의 내용은 전술한 것과 마찬가지로 할 수 있으므로, 각 공정의 내용 설명은 생략한다.
또한, 이상에 있어서는, UV 임프린트법의 경우를 예시했지만, 열 임프린트법의 경우도 마찬가지로 하여, 잔막 두께 치수 T의 연산이나 잔막 두께 치수 T의 제어를 행할 수 있다. 예를 들어, 임프린트 장치(1)가 열 임프린트법을 사용하여 전사를 행하는 임프린트 장치인 경우에는, 경화부(5)는 원적외선을 조사하는 것으로 할 수 있다.
또한, 가열 방법은, 원적외선의 조사에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변경할 수 있다.
이제까지 몇 가지 실시예들이 기술되었으나, 그러한 실시예들은 단지 예로서만 나타내어진 것으로서, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 실제로, 본 명세서에 기술된 신규 실시예들은 다양한 다른 형태로 실시될 수 있고; 또한, 본 명세서에 기술된 실시예들의 형태에 있어서, 다양한 생략, 치환, 변환이, 본 발명의 정신을 벗어남 없이 이루어질 수 있다. 첨부된 특허청구범위 및 그의 등가물들은 본 발명의 범위 및 정신에 수속되는 그러한 형태 또는 변경을 포함하는 것이다. 또한 상기 언급한 실시예들은 서로 조합하여 수행될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 기판에 설치된 피전사부에 가압되는 패턴부를 갖는 템플릿을 보유 지지하는 보유 지지부와,
    상기 보유 지지부에 대치시켜서 설치되고, 상기 기판을 적재하는 적재부와,
    상기 보유 지지부 및 상기 적재부 중 적어도 어느 하나에 설치되고, 상기 보유 지지부 및 상기 적재부를 서로 근접하는 방향 또는 서로 이격하는 방향으로 이동시키는 이동부와,
    상기 템플릿의 패턴부가 가압된 상기 피전사부를 경화시키는 경화부와,
    상기 피전사부에 가압된 상기 템플릿을 상기 템플릿의 가압 방향과 교차하는 방향으로 가압하는 가압부와,
    상기 가압부에 의해 가압된 상기 템플릿의 위치를 검출하는 검출부와,
    상기 검출된 템플릿의 위치와, 미리 구해진 상기 템플릿의 위치와 상기 피전사부의 전단력의 관계로부터 상기 피전사부의 전단력을 연산하는 제어부를 구비한, 임프린트 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는 또한, 상기 연산된 피전사부의 전단력과, 미리 구해진 상기 피전사부의 전단력과 잔막 두께 치수의 관계로부터 상기 잔막 두께 치수를 연산하는, 임프린트 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 연산된 잔막 두께 치수가 소정의 범위 내에 있는지 여부를 판정하는, 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 연산된 잔막 두께 치수가 상기 소정의 범위 내에 없다고 판정한 경우에는, 상기 이동부를 제어하여, 상기 잔막 두께 치수의 보정을 행하는, 임프린트 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 연산된 잔막 두께 치수가 상기 소정의 범위 내에 없다고 판정한 경우에는, 상기 보유 지지부의 위치 보정값을 연산하고, 상기 연산된 보정값에 기초하여 상기 이동부를 제어하여, 상기 패턴부의 선단면의 위치를 변화시키는, 임프린트 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 잔막 두께 치수는 나노미터 오더인, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 피전사부의 전단력은, 상기 패턴부의 선단면과 상기 기판 사이에서의 상기 피전사부의 전단력인, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 피전사부는 수지를 포함하고,
    상기 템플릿과 상기 기판에 접촉하고 있지 않은 상기 피전사부의 부분은 벌크 액체로 되어 있는, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 피전사부는 자외선이 조사됨으로써 경화하는, 임프린트 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 경화부는 상기 템플릿의 패턴부가 가압된 상기 피전사부에 자외선을 조사하는, 임프린트 장치.
  12. 기판 상에 피전사부를 형성하는 공정과,
    상기 피전사부에 템플릿의 패턴부를 가압하는 공정과,
    상기 피전사부에 가압된 상기 템플릿을 상기 템플릿의 가압 방향과 교차하는 방향으로 가압하는 공정과,
    상기 가압된 템플릿의 위치를 검출하는 공정과,
    상기 템플릿의 패턴부가 가압된 상기 피전사부를 경화시키는 공정과,
    상기 검출된 템플릿의 위치와, 미리 구해진 상기 템플릿의 위치와 상기 피전사부의 전단력의 관계로부터 상기 피전사부의 전단력을 연산하는 공정
    을 구비한, 패턴 형성 방법.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서, 상기 연산된 피전사부의 전단력과, 미리 구해진 상기 피전사부의 전단력과 잔막 두께 치수의 관계로부터 상기 잔막 두께 치수를 연산하는 공정을 더 구비한, 패턴 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 연산된 잔막 두께 치수가 소정의 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 공정을 더 구비한, 패턴 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 연산된 잔막 두께 치수가 상기 소정의 범위 내에 없다고 판정된 경우에는, 상기 템플릿의 가압 방향의 위치를 변화시키고, 상기 잔막 두께 치수의 보정을 행하는 공정을 더 구비한, 패턴 형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 잔막 두께 치수의 보정을 행하는 공정에서, 상기 템플릿의 가압 방향의 위치 보정값을 연산하고, 상기 연산된 보정값에 기초하여 상기 템플릿의 가압 방향의 위치를 변화시키는, 패턴 형성 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 잔막 두께 치수는 나노미터 오더인, 패턴 형성 방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 피전사부의 전단력은, 상기 패턴부의 선단면과 상기 기판 사이에서의 상기 피전사부의 전단력인, 패턴 형성 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 피전사부는 수지를 포함하고,
    상기 템플릿과 상기 기판에 접촉하고 있지 않은 상기 피전사부의 부분은 벌크 액체로 되어 있는, 패턴 형성 방법.
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