KR101707898B1 - 임프린트 리소그래피 시스템에서 경화를 위한 에너지원 - Google Patents

임프린트 리소그래피 시스템에서 경화를 위한 에너지원 Download PDF

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Abstract

임프린트 리소그래피 시스템에서 경화를 위한 에너지원 및 방법이 기술되어 있다. 에너지원은 임프린트 리소그래피 시스템의 소자들을 모니터하는 이미징 유닛의 시야 범위의 밖에 위치된 하나 이상의 에너지 소자들을 포함할 수 있다. 각 에너지원은 경로를 따라 에너지를 제공하여 기판 위의 중합성 재료를 고화하도록 구성된다.

Description

임프린트 리소그래피 시스템에서 경화를 위한 에너지원{ENERGY SOURCES FOR CURING IN AN IMPRINT LITHOGRAPHY SYSTEM}
관련출원의 참고
이 출원은 2008년 10월 10일에 출원된 미국 가출원 No. 61/104,331, 2009년 7월 29일에 출원된 미국 출원 No. 12/511,593의 우선권을 주장하며, 이들은 둘다 여기에 참고로 포함된다.
나노제작은 100 나노미터 이하의 크기의 피처(feature)들을 갖는 매우 작은 구조물의 제작을 포함한다. 나노제작이 꽤 큰 영향을 준 한가지 이용분야는 집적회로의 가공처리에서이다. 반도체 가공처리 산업은 기판 위에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 노력하기를 계속하며, 따라서 나노제작은 더욱더 중요해지고 있다. 나노제작은 형성된 구조물의 최소 피처 치수의 계속된 감소를 허용하면서 더 큰 공정제어를 제공한다. 나노제작이 사용된 다른 개발 영역은 생명공학, 광학기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
오늘날 사용 중인 예가 되는 나노제작 기술은 통상 임프린트 리소그래피로 언급된다. 예가 되는 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065976, 미국 특허출원 공개 No. 2004/0065252, 및 미국 특허 No. 6,936,194와 같은 수많은 간행물에 상세히 기술되어 있는데, 이것들은 모두 여기에 참고문헌으로 포함된다.
상기한 미국 특허출원 공개 및 특허의 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 중합성 층에 양각 패턴의 형성과 양각 패턴에 대응하는 패턴을 하부(underlying) 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 원하는 위치를 얻기 위해 모션 스테이지에 결합시켜 패턴형성 공정을 용이하게 할 수 있다. 추가로, 기판은 기판 척에 결합될 수도 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 템플레이트 그리고 템플레이트와 기판 사이에 가해진 성형성 액체를 사용한다. 성형성 액체는 고화되어 성형성 액체와 접촉하는 템플레이트의 표면의 형상에 일치하는 패턴을 갖는 단단한 층을 형성한다. 고화 후, 템플레이트는 단단한 층으로부터 분리되어 템플레이트와 기판이 이격된다. 다음에 기판과 고화된 층은 고화된 층의 패턴에 대응하는 양각 이미지를 기판에 전사하기 위한 추가의 공정을 거치게 된다.
본 발명의 특징 및 이점이 더 상세히 이해될 수 있도록 본 발명의 구체예의 보다 구체적인 설명은 첨부 도면에 예시된 구체예를 참고하였다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 단지 전형적인 구체예를 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 생각되지 않아야 하며, 본 발명에 대해 다른 동등하게 효과적인 구체예를 인정할 수 있음을 주목해야한다.
도 1은 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성 층이 위에 있는, 도 1에 예시된 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3은 템플레이트에 에너지를 제공하는 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 4a 및 도 4b는 템플레이트에 에너지를 제공하는 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 5a는 링 형성물에서 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 위에서 본 도면을 예시한다.
도 5b는 피라미드 형성물에서 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 위에서 본 도면을 예시한다.
도 5c는 원추 형성물에서 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 위에서 본 도면을 예시한다.
도 6은 템플레이트에 에너지를 제공하는 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 7은 템플레이트에 에너지를 제공하는 다수의 에너지원의 예시적인 구체예의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 8은 임프린트 리소그래피 시스템을 사용하는 임프린팅의 예시적 방법의 흐름도를 예시한다.
도면, 및 특히 도 1을 참고하면, 기판(12) 위에 양각 패턴을 형성하기 위해 사용된 리소그래피 시스템(10)이 예시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수도 있다. 예시하는 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 기타를 포함하나, 이에 제한되지 않는 어떤 척도 될 수 있다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 6,873,087에 기술되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x-, y-, 및 z-축에 따라 움직임을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시않음)에 위치될 수도 있다.
기판(12)으로부터 이격되어 템플레이트(18)가 있다. 템플레이트(18)는 일반적으로 그로부터 기판(12)을 향하여 연장되는 메사(20)를 포함하고, 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 갖는다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)로도 언급된다. 템플레이트(18) 및/또는 몰드(20)는 용융 실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하며 이들에 제한되지 않는 이러한 재료로부터 형성될 수 있다. 예시한 바와 같이, 패턴형성 표면(22)은 다수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 규정된 피처를 포함하나, 본 발명의 구체예는 이러한 구성들에 제한되지 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12)에 형성시킬 패턴의 토대를 형성하는 어떤 원래의 패턴도 규정할 수 있다.
템플레이트(18)는 척(28)에 결합될 수도 있다. 척(28)은 진공, 핀형, 홈형, 전자기, 및/또는 다른 유사한 척 유형들로서 구성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예가 되는 척들은 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 6,873,087에 또한 기술되어 있다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합되어 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플레이트(18)의 이동을 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함한다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 위에 중합성 재료(34)를 부착시키기 위해 사용될 수도 있다. 중합성 재료(34)는 드롭 분배, 스핀-코팅, 침지 코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막 부착, 후막 부착 및/또는 기타와 같은 기술들을 사용하여 기판(12)에 위치될 수 있다. 중합성 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 몰드(20)와 기판(12) 사이에 원하는 공간이 규정되기 전 및/또는 후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 중합성 재료(34)는, 모두 여기에 참고문헌으로 포함되는 미국 특허 No. 7,157,036 및 미국 특허출원 공개 No. 2005/0187339에 기술된 것과 같은 단량체를 포함할 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면,시스템(10)은 각각 하나 이상의 경로(42)(여기서 일반적으로 경로(42)로 언급함)를 따라 에너지(40)를 향하게 하도록 결합된 하나 이상의 에너지원(38a 및 38b)(여기서 일반적으로 에너지원(38)으로 언급함)을 더 포함한다. 예를 들어서, 도 1에 예시된 시스템(10)은 각각 경로(42)를 따라 에너지(40)를 향하게 하도록 결합된 에너지원(38)을 포함한다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 경로(42)와 겹쳐서 템플레이트(18)와 기판(12)을 위치시키도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 및/또는 에너지원(38)과 통신되어 있는 프로세서(54)에 의해 조정될 수 있고, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 작동할 수 있다.
시스템(10)은 또한 이미징 유닛(58)을 포함할 수 있다. 이미징 유닛(58)은 템플레이트(18), 중합성 재료(34), 패턴형성된 층(46), 및/또는 기판(12)의 광학적 검출 및/또는 모니터링을 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 이미징 유닛(58)은 설계 고려사항에 따라 증가 또는 감소될 수 있는 시야 범위(60)를 갖는다. 예가 되는 이미징 유닛(58)은 미국 출원 No. 10/923,628, 미국 출원 No. 11/000,321 , 미국 출원 No. 11/000,331, 및 미국 출원 No. 11/347,198에 또한 기술되어 있다.
나타낸 바와 같이, 이미징 유닛(58)은 프로세서(54)에 결합될 수 있으나, 이미징 유닛(58)은 또한 템플레이트(18), 임프린트 헤드(30), 척(14), 스테이지(16), 및 에너지원(38)을 포함하나, 이에 제한되지 않는 시스템(10)의 어떤 소자에도 또한 결합될 수 있다. 또한, 시스템(10)은 어떤 수의 이미징 유닛(58)도 포함할 수 있다. 예가 되는 이미징 유닛(58)은 미국 출원 No. 10/923,628, 미국 출원 No. 11/000,321, 미국 출원 No. 1 1/000,331, 미국 출원 No. 11/347,198, 및 미국 출원 No. 11/565,350에 또한 기술되어 있고, 이것들은 모두 그 전체가 여기에 참고로 포함된다. 이미징 유닛(58)은 템플레이트(18), 기판(12), 척(14), 스테이지(16), 및/또는 기타와 겹쳐서 위치될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16), 또는 둘다는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 다양하게 하여 그것들 사이에 중합성 재료(34)가 채워지는 원하는 공간을 규정한다. 예를 들면, 임프린트 헤드(30)는 템플레이트(18)에 힘을 가하여 몰드(20)가 중합성 재료(34)와 접촉하도록 할 수도 있다. 원하는 공간이 중합성 재료(34)로 채워진 후에, 에너지원(38)은 에너지(40), 예를 들면, 광대역 자외선 복사선을 내어, 중합성 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합되도록 일으켜 기판(12)의 표면(44)과 패턴형성 표면(22)의 형상에 일치하게 하여 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)을 규정한다. 예를 들면, 도 1에 예시된 에너지원(38)은 경로(42)를 따라 에너지를 내어 중합성 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합시켜 패턴형성된 층(46)을 규정한다. 패턴형성된 층(46)은 잔류 층(48)과, 돌출부(50)와 오목부(52)와 같은 다수의 피처를 포함할 수도 있고, 돌출부(50)는 두께(t₁)를 갖고 잔류 층은 두께(t₂)를 갖는다.
상기한 시스템 및 방법은 미국 특허 No. 6,932,934, 미국 특허 No. 7,077,992, 미국 특허 No. 7,179,396, 및 미국 특허 No. 7,396,475에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에서 또한 사용될 수 있고, 이들 모두는 그 전체가 여기에 참고문헌으로 포함된다.
어떤 상황에서는, 고출력 복사선을 제공하여 중합성 재료(34)를 고화 및/또는 가교결합하여 중합성 재료(34)를 접촉하는 기판(12)과 템플레이트(18)의 형상에 일치하도록 할 수 있다. 예를 들면, 자외선 복사선은 Hg 램프, Hg/Xe 램프, UV LEDs, 및/또는 레이저에 의해 제공될 수 있다. 그러나 이러한 고출력 복사선은 임프린팅 필드(예를 들면 기판의 개별적으로 임프린팅된 소부분들)에 큰 열 영향을 유발할 수도 있다. 열 영향은 기판(12) 위에 정렬 오차 및/또는 크기 오차를 가져올 수도 있다.
열 영향으로부터의 오차를 최소화하기 위해, 에너지원(38)은 기판(12) 및/또는 임프린팅 필드로부터 떨어진 거리에 위치될 수 있다. 그러나, 기판(12) 및/또는 임프린팅 필드에 도달하기 위해, 에너지원(38)에 의해 제공된 에너지(40)가 다수의 공기 갭, 렌즈, 거울 등을 통해 이동하여 임프린팅 영역에 도달한다면 광출력은 상당히 감소될 수도 있다. 추가로, 고출력 복사선을 갖는 에너지원(38)은 임프린팅 공정의 비용을 또한 증가시킬 수도 있는 광원의 정규적인 교체를 요할 수도 있다. 또한, 에너지원(38)의 선택에 따라, 에너지(40)를 제공하는 에너지원(38)은 사용 동안에 상당한 양의 열을 낼 수도 있다. 이러한 에너지(40)는 에너지원(38)이 기판(12)에 가깝게 근접하여 놓인다면 기판(12)의 온도가 증가하는 것을 야기할 수도 있다. 온도의 증가로, 기판(12)은 팽창하여 피처(50 및 52)의 정확도에 영향을 미칠 수도 있다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 도 1 및 도 2와 관련하여 기술된 바와 같이, 임프린트 공정은 에너지원(38)으로부터 에너지(40)의 강도의 변동을 다룰 수도 있다. 이런 이유로, 에너지원(38)은 에너지(40)를 제공하는 다수의 소자들(64)을 갖는 누적 에너지원일 수도 있다. 대안으로는, 에너지원(38)은 에너지(40)를 제공하는 단일 소자(64)를 갖는 단일 에너지원일 수도 있다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 경로(42)를 따라 에너지(40)를 제공하는 단일 에너지 소자(64)를 갖는 에너지원(38)의 예시적 구체예를 거기에 예시한다. 일반적으로, 에너지원(38) 및/또는 소자(64)의 배치는 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)가 방해받지 않도록 한다. 예를 들면, 도 3에 예시된 바와 같이, 에너지원(38a)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)로부터 거리(DA)를 두고 위치될 수 있다. 유사한 방식으로, 에너지원(38b)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)로부터 거리(DB)를 두고 위치될 수 있다. 거리(DA) 및 거리(DB)는 에너지원(38) 및/또는 소자(64)가 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)의 밖에 있도록 결정될 수 있다. 에너지의 경로(42)는 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)를 방해하지 않고 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60) 내에 있을 수 있음을 주목해야 한다.
각 소자(64)는 기판(12)의 영역(r)으로부터 거리(d)에 위치될 수 있다. 거리(d)는 기판(12)의 영역(r) 상에 에너지(40)의 실질적으로 균일한 분포를 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 도 4a에 예시하는 바와 같이, 에너지원(38c)의 각 소자(64c, 64d, 및 64e)는 기판(12)의 영역(r1)으로부터 거리(d1, d2, 및 d3)를 두고 위치될 수 있다. 거리(d1, d2, 및 d3)는 기판(12)의 영역(r1)을 가로질러 에너지(40)의 실질적으로 균일한 분포를 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들면, 거리(d1, d2, 및 d3)는 예시적 구체예에서 대략 55-110 mm 크기일 수 있다.
에너지원(38)은 보충 에너지원과 연관하여 사용될 수도 있음을 주목해야 한다. 예를 들면, 에너지원(38)은 Hg 램프, Hg/Xe 램프 및/또는 레이저와 같은 보충 에너지원과 연관하여 사용될 수 있다. 보충 에너지원은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60) 내에 위치될 수 있고 및/또는 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)가 방해받지 않도록 이미징 유닛(58)의 시야 범위로부터 거리를 두고 위치될 수도 있다.
에너지원(38)은 단일 또는 다수의 에너지 소자(64)(예를 들면, UV LEDs)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 3은 단일 에너지 소자(64a 및 64b)를 갖는 에너지원(38a 및 38b)을 예시한다. 대안으로, 도 4a 및 4b는 다수의 에너지 소자(64c-h)를 갖는 에너지원(38c 및 38d)을 예시한다. 어떤 수의 에너지 소자(64)도 설계 고려사항에 따라 사용될 수 있음을 주목해야 한다. 예를 들면, 에너지원(38)은 낮은 단위 출력(예를 들면, 1 ㎠ 구체예에서 대략 200 mW/㎠의 강도를 제공하기 위해 대략 3-20 mW/㎠)을 각각 갖는 다량의 LEDs를 포함할 수 있다.
에너지원(38) 내에서, 에너지 소자(64)는 각 Θ로 경사질 수 있다. 한 구체예에서, 에너지원(38) 내의 에너지 소자(64)는 실질적으로 유사한 각들로 경사질 수 있다. 예를 들면, 도 3은 경로(42a)를 통해 에너지(40)를 제공하기 위해 각 Θ1으로 경사진 에너지 소자(64a)를 갖는 에너지원(38a)을 예시한다. 그러나, 에너지원(38) 내의 에너지 소자(64)는 다른 각들로 경사질 수 있다는 것을 주목해야 한다. 예를 들면, 도 4a는 각각 각 Θ1-3으로 경사진 에너지 소자(64c-64e)를 갖는 에너지원(38c)을 예시한다. 경사진 각 Θ1-3의 크기는 다른 값들일 수 있다. 예를 들면, 경사진 각 Θ1-3의 크기는 대략 35°-50°의 범위 내에서 다른 값들일 수 있다. 경사진 에너지 소자(64)는 시야 범위(60)를 방해하지 않고 임프린팅 영역에 충분한 에너지(40)를 제공할 수 있다. 추가로, 경사진 에너지 소자(64)는 에너지(40)의 빔들을 적당히 조합하여 기판(12)의 영역(r) 내에/위에 실질적으로 균일한 에너지를 제공하도록 한다(도 3에 예시한 바와 같음).
도 4b는 광학 소자(65)를 추가로 갖는 도 4a의 에너지원(38c)의 또 다른 예시적 구체예를 예시한다. 광학 소자(65)는 에너지 소자(64)로부터 에너지(40)를 내보낸다. 추가로, 광학 소자(65)는 빔 경로(42)를 함유하여 에너지(40)의 실질적으로 균일한 분포를 제공한다. 광학 소자(65)는 렌즈, 광학 도파관(들), 및/또는 기타를 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다. 개개의 광학 소자(65)가 각 에너지원(38)에 대해 제공될 수 있고 및/또는 단일 광학 소자(65)가 다수의 에너지원(38)을 위해 제공될 수도 있음을 주목해야 한다.
에너지원(38)은 추가로 열 관리 시스템(도시않음)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 에너지원(38)은 에너지원(38)과 열 소통하여 및/또는 거기에 부착된 열 배출 시스템을 포함할 수 있다.
도 5a 내지 도 5b는 다른 형성물들로 다수의 에너지원(38)의 예시적 구체예를 예시한다. 다수의 에너지원(38)은 설계 고려사항에 따라 다른 구성들이 사용될 수 있기 때문에 예시된 형성물들에만 국한되지 않음을 주목해야 한다.
도 5a는 링 형성물(70)로 다수의 에너지원(38)의 예시적 구체예를 예시한다. 링 형성물(70)은 내부 직경(DR)에 의해 규정될 수 있다. 일반적으로, 링 형성물(70)의 내부 직경(DR)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)(도시않음)가 방해받지 않는 크기 및 구성으로 되어 있다.
도 5b는 피라미드 형성물(71)로 다수의 에너지원(38)의 예시적 구체예를 예시한다. 피라미드 형성물(71)은 내부 주변(P)를 형성하는 다수의 측면(73)에 의해 규정될 수 있다. 일반적으로, 피라미드 형성물(71)의 내부 주변(P)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)(도시않음)가 방해받지 않는 크기 및 구성으로 되어 있다.
도 5c는 원추 형성물(75)로 다수의 에너지원(38)의 예시적 구체예를 예시한다. 원추 형성물(75)은 내부 직경(DC)에 의해 규정될 수 있다. 일반적으로, 원추 형성물(75)의 내부 직경(DC)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)(도시않음)가 방해받지 않는 크기 및 구성으로 되어 있다.
도 6은 다수의 에너지원(38)을 갖는 시스템(10)의 또 다른 예시적 구체예를 예시한다. 각 에너지원(38)은 일반적으로 임프린팅 영역에 에너지(40)를 제공하도록 광학 라인(72)으로 광통신하여 적어도 하나의 에너지 소자(64)를 포함한다. 이런 이유로, 광학 라인(72)은 에너지 소자(64)로 하여금 임프린팅 영역으로부터 원격 위치되도록 허용한다. 예시적 광학 라인(72)은 섬유 번들, 도파관, 및/또는 기타를 포함하나 이에 제한되지 않는다. 광학 라인(72)은 용융 실리카 기재 섬유, 액체 광통로, 및/또는 기타를 포함하나 이에 제한되지 않는 재료로 만들어질 수 있다.
임프린팅 영역으로부터 원격의 에너지 소자(64)의 배치는 설계 고려사항에 기초할 수 있다. 예를 들면, 에너지 소자(64)는 광학 라인(72)에 결합될 수 있고 거리를 둔 에너지 소자(64)의 배치는 임프린팅을 위해 적당한 에너지를 제공한다. 한 구체예에서, 에너지 소자(64)는 임프린팅 영역으로부터 대략 2 m 보다 멀리 위치될 수 있다.
일반적으로, 광학 라인(72)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)를 실질적으로 차단하지 않고 에너지 소자(64)로부터 임프린팅 영역으로 에너지(40)를 내보낸다. 예를 들면, 도 6에 예시한 바와 같이, 광학 라인(72)은 경로(42)를 통해 에너지 소자(64)로부터의 에너지(40)를 임프린팅 영역으로 보내기 위해 각 Θ으로 경사질 수 있다. 경사진 광학 라인(72)은 시야 범위(60)를 방해하지 않고 임프린팅 영역에 충분한 에너지(40)를 제공할 수 있다.
도 7은 다수의 에너지원(38)을 갖는 시스템(10)의 또 다른 예시적 구체예를 예시한다. 에너지원(38)은 광학 라인(72)으로 광통신하여 적어도 하나의 에너지 소자(64)를 포함한다. 예를 들면, 에너지 소자(64)는 광학 라인(72)에 결합될 수 있다. 시스템(10)은 에너지원(38)으로부터의 에너지(40)를 임프린팅 영역에 집중시키는 반사 소자(74)(예를 들면, 거울)를 추가로 포함할 수 있다. 에너지(40)는 경로(42)를 따라 광학 라인(72)으로부터 반사 소자(74)로, 그리고 또한 임프린팅 영역(예를 들면, 기판(12) 위의 필드)으로 보내질 수 있다. 일반적으로, 반사 소자(74)의 재료는 실질적으로 반투명이다. 반투명 재료는 반사 소자(74)로 하여금 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)를 실질적으로 차단하지 않고 광학 라인(72)으로부터 임프린팅 영역으로 에너지(40)를 내보내도록 허용한다.
도 8은 기판(12) 위에 중합성 재료(34)를 고화시키는 예시적 방법의 흐름도(100)를 예시한다. 단계 102에서, 이미징 유닛(58)을 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)가 템플레이트(18)와 겹쳐 있도록 위치시킨다. 단계 104에서, 소자(들)(64)을 갖는 에너지원(들)(38)은 이미징 유닛(58)의 시야 범위(60)의 밖에 위치시킨다. 에너지원의 각 소자(64)는 기판(12)의 영역(r)으로부터 거리(d)에서 위치된다. 소자(64)는 중합성 재료(34)의 고화의 동안에 기판(12)의 영역(r)에 에너지(40)의 실질적으로 균일한 분포를 제공하도록 조절될 수 있다. 단계 106에서, 기판(12)은 템플레이트(18)의 아래에 위치시킨다. 단계 108에서, 중합성 재료(34)를 기판(12) 위에 부착시킨다. 단계 110에서, 템플레이트(18)를 이미징 유닛(58)을 사용하여 기판(12)과 정렬시킨다. 단계 112에서, 템플레이트(18)를 기판(12) 위의 중합성 재료(34)와 접촉시킨다. 단계 114에서, 에너지원(들)(38)은 경로(42)에서 에너지(40)를 제공하여 기판(12) 위의 중합성 재료(34)를 고화시킨다. 단계 116에서, 템플레이트(18)를 고화된 중합성 재료(34)로부터 분리하여 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)을 제공한다.

Claims (19)

  1. 템플레이트와 기판을 모니터하도록 구성된 시야 범위를 갖는 이미징 유닛을 포함하고, 상기 이미징 유닛은 템플레이트와 기판과 겹쳐 위치되며, 기판은 중합성 재료가 부착되는 복수의 영역을 가지는 표면을 가지며;
    상기 이미징 유닛의 시야 범위의 밖에 위치된 적어도 하나의 에너지 소자를 각각 가지는 복수의 에너지원을 포함하고, 상기 복수의 에너지원 각각은 에너지 경로를 따라 에너지를 제공하고, 상기 복수의 에너지원 각각의 상기 적어도 하나의 에너지 소자는 소정 각도로 경사져 있고, 적어도 하나의 에너지원은 템플레이트의 상부 표면의 제1 영역을 에너지로 조사하도록 구성된 제1 에너지 소자 및 상기 제1 에너지 소자와는 다른 높이의 위치에 배치되고, 상기 템플레이트의 상부 표면의 제2 영역을 에너지로 조사하도록 구성된 제2 에너지 소자를 포함하여, 상기 기판의 각각의 영역에 있는 상기 중합성 재료를 고화시키기 위해 상기 기판의 영역내에 균일한 에너지를 제공하도록 하고, 상기 제1 에너지 소자 및 상기 제2 에너지 소자는 서로 상이한 각도로 상기 템플레이트의 상부 표면을 광으로 조사하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원 중 적어도 하나는 한 개의 에너지 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원 중 적어도 하나는 복수 개의 에너지 소자를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에너지 소자는 UV LED인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원은 링 형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원은 원추 형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원은 피라미드 형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이미징 유닛의 시야 범위의 밖에 위치된 보충 에너지원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 보충 에너지원은 arc 램프인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원 각각의 상기 적어도 하나의 에너지 소자 각각은 각도를 가지고 경사지고, 상기 각도의 경사는 기판 위의 중합성 재료에 균일한 에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 에너지원 각각의 상기 적어도 하나의 에너지 소자 각각은 상기 기판의 영역으로부터 거리를 두고 위치되고, 각각의 에너지 소자의 위치는 기판 위의 중합성 재료에 균일한 에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에너지 소자 각각은 중합성 재료에 에너지를 제공하기 위해 광학 라인으로 광통신되어 있는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에너지 소자 각각은 상기 기판 위의 중합성 재료로부터 2 m 보다 먼 거리에 위치되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  14. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 에너지원의 적어도 두개의 에너지 소자와 광통신하여 위치된 적어도 하나의 반사 소자를 더 포함하고, 상기 반사 소자는 적어도 두개의 에너지 소자로부터의 에너지를 기판 위의 중합성 재료에 집중시키는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 반사 소자는 반투명인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  16. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에너지 소자는 3-20 mW/㎠의 단위 출력을 갖는 LED인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  17. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에너지 소자의 에너지를 기판으로 향하게 하도록 에너지원에 인접하여 위치된 적어도 하나의 광학 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  18. 삭제
  19. 삭제
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