JP5198071B2 - インプリントリソグラフィ・プロセスにおける熱管理のための露光方法 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、Ｓｉｄｌｇａｔａ Ｖ．Ｓｒｅｅｎｉｖａｓａｎ及びＢｙｕｎｇ−Ｊｉｎ Ｃｈｏｉを発明者として記載した、２００４年１２月１日に出願された名称「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｐｕｒｐｏｓｅ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｆｏｒ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ（インプリントリソグラフィ・プロセスにおける熱管理のための露光方法）」の米国特許仮出願６０／６３２，１２５に対する優先権を主張し、該特許は引用により全体が本明細書に組み込まれる。

（連邦政府による資金提供を受けた研究又は開発の記載）
合衆国政府は本発明において一括払いライセンスを有し、国立標準技術研究所（ＮＩＳＴ）ＡＴＰ助成金により助成された７０ＮＡＮＢ４Ｈ３０１２の条件により定められている通り、適切な条件で他者にライセンスすることを特許権者に要求する限定状況での権利を有する。

（技術分野）
本発明の分野は、全体的には構造体のナノファブリケーションに関する。より詳細には、本発明は、ナノスケールファブリケーションの間に形成されるパターンのオーバーレイ・アラインメントを行うための技法に関する。

ナノファブリケーションは、例えば、およそナノメートル又はそれよりも小さいフィーチャを有する極小構造体の作製を伴う。ナノファブリケーションがかなりの影響を及ぼしてきた１つの領域は、集積回路の加工においてである。半導体加工業界では、基板上に形成される単位面積当たりの回路が増大すると同時に、生産歩留まりを更に向上させる努力が継続的になされるにつれて、ナノファブリケーションはますます重要になっている。ナノファブリケーションはより優れたプロセス制御を提供すると同時に、形成される構造体の最小フィーチャ寸法を更に小さくすることが可能である。ナノファブリケーションが採用されている他の開発領域としては、バイテクノロジー、光学技術、機械システム、同様のものが挙げられる。

例示的なナノファブリケーション技法は、一般に、インプリントリソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリントリソグラフィ・プロセスは、全て本発明の譲受人に譲渡された、名称「Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ａ Ｍｏｌｄ ｔｏ Ａｒｒａｎｇｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｏｎ ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｏ Ｒｅｐｌｉｃａｔｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｈａｖｉｎｇ Ｍｉｎｉｍａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｖａｒｉａｂｉｌｉｔｙ（寸法変動が僅かなフィーチャを複製するように基板上のフィーチャを構成する方法及びモールド）」の米国特許出願１０／２６４，９６０として出願された米国特許出願公開２００４／００６５９７６、；名称「Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ ａ Ｌａｙｅｒ ｏｎ ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｏ Ｆａｃｉｌｉｔａｔｅ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ（計測標準の作製を容易にするために基板上に層を形成する方法）」の米国特許出願１０／２６４，９２６として出願された米国特許出願公開２００４／００６５２５２；名称「Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ ｆｏｒ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ（インプリントリソグラフィ・プロセス用の機能的パターン形成材料）」の米国特許第６，９３６，１９４号などの多くの公報において詳細に説明されている。

前述の米国特許出願公開や米国特許の各々において開示された基礎的なインプリントリソグラフィ技法は、重合可能な層内のレリーフパターンの形成や、下にある基板へのレリーフパターンに対応するパターンの転写を含む。パターン形成を行うための望ましい位置を得るために、基板を可動ステージ上に位置付ける。このために、基板から間隔を置いて配置したテンプレートを利用し、該テンプレートと基板との間に成形可能液体が存在する状態にする。液体は固化されて、そこに記録されるパターンを有する固化層を形成する。そのパターンは、液体と接触するテンプレートの表面形状に一致する。そして、テンプレートと基板が離されるように、テンプレートが固化層から隔てられる。次いで、基板と固化層は、固化層内のパターンに対応するレリーフ像を基板内に転写するためのプロセスを受ける。

米国特許仮出願６０／６３２，１２５公報 米国特許出願１０／２６４，９６０（米国特許出願公開２００４／００６５９７６）公報 米国特許出願１０／２６４，９２６（米国特許出願公開２００４／００６５２５２）公報 米国特許第６，９３６，１９４号公報

従って、インプリントリソグラフィ・プロセスの改良されたアラインメント技法を可能にする必要性が存在する。

本発明は、インプリントリソグラフィ・プロセスを受ける基板の加熱とこれに伴う悪影響を回避できないとしても軽減する方法に関する。そのため、本発明は、化学線エネルギーに応答して固化するポリマー材料を用いて基板のあるフィールドをパターン形成する方法を含み、当該フィールドの小部分が、その小部分内のポリマー材料を硬化させるのに十分に曝露され、その後、全フィールドに関するポリマー材料の全ての包括的曝露を行い、当該ポリマー材料を硬化／固化する。これら及び他の実施形態を以下で考察する。

図１を参照すると、基板１２上にレリーフパターンを形成するためのシステム８は、基板１２が支持されるステージ１０と、パターン形成面１８を備えたモールド１６を有するテンプレート１４とを含む。別の実施形態において、基板１２は基板チャック（図示せず）に結合される。該基板チャック（図示せず）は、限定ではないが真空式や電磁式を含む何らかのチャックである。

テンプレート１４及び／又はモールド１６は、限定ではないが、溶融シリカ、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウ珪酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、硬化サファイアを含む材料から形成される。図示のように、パターン形成面１８は、複数の離間した陥凹部１７と突起部１９により定められたフィーチャを備える。しかしながら、別の実施形態においては、パターン形成面１８は実質的に平坦及び／又は平面とすることができる。パターン形成面１８は、基板１２上に形成されることになるパターンの基礎となる原パターンを決める。

テンプレート１４は、テンプレート１４及び従ってモールド１６を移動させるインプリントヘッド２０に結合されている。別の実施形態において、テンプレート１４はテンプレートチャック（図示せず）に結合される。該テンプレートチャック（図示せず）は、限定ではないが、真空式及び電磁式を含む何れかのチャックである。液体ディスペンスシステム２２は、基板上にポリマー材料２４を堆積させるために、基板１２と流体連通状態に選択的に配置されるように結合されている。例えば滴下ディスペンス、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）、同様のものである、何れかの公知の技法を用いて、ポリマー材料２４を堆積することができる点を理解されたい。

エネルギー２８の線源２６が、経路３０に沿ってエネルギー２８を導くように結合されている。インプリントヘッド２０とステージ１０は、モールド１６と基板１２が重なった状態になって、経路３０内に配置されように構成される。インプリントヘッド２０、又はステージ１０、或いはその両方が、モールド１６と基板１２との間の距離を変化させて、これらの間の所要の容積を定める。その容積はポリマー材料２４によって充填される。

通常、ポリマー材料２４は、モールド１６と基板１２との間に所要の容積が定められる前に基板１２上に配置される。しかしながら、ポリマー材料２４は、所要の容積が得られた後に該容積に充填されてもよい。所要の容積をポリマー材料２４で充填した後、線源２６は、例えば広帯域紫外線であるエネルギー２８を発生させる。基板１２の表面２５とパターン形成面１８の形状に一致するように、紫外線によりポリマー材料２４が固化され及び／又は架橋される。このプロセスの制御は、メモリ３４内に格納されたコンピュータ可読プログラムに基づき動作する、ステージ１０、インプリントヘッド２０、流体ディスペンスシステム２２、線源２６などとデータ通信状態にあるプロセッサ３２によって調整される。

エネルギー２８をポリマー材料２４上に衝突させるためには、モールド１６は、エネルギーの波長に対して実質的に透明であり、エネルギー２８がそれを通過して伝播することができるようになるのが望ましい。加えて、モールド１６を通過して伝播するエネルギー束２８を最大にするために、エネルギー２８は、経路３０中に障害物がない状態でモールド１６の全域を覆う十分な断面積を有する。

図１及び図２を参照すると、モールド１６によって生成されるパターンは、既存のパターンが存在する基板１１２上に形成される場合が多い。そのため、基板１１２内に形成されたパターン形成フィーチャ（陥凹部３８と突起部４０として示される）の上に通常はプライマー層３６が堆積されて、平面でないとしても平坦な表面４２とされ、この上に、表面４２上に配置されるパターン形成インプリント層（図示せず）をポリマー材料２４で形成する。そのため、モールド１６と基板１１２は、パターン形成フィーチャの小部分を含むアラインメントマークを含む。例えば、モールド１６は、フィーチャ４４、４６によって定められるモールドアラインメントマークと呼ばれるアラインメントマークを有する。基板１１２は、フィーチャ４８、５０によって定められる、基板アラインメントマークと呼ばれるアラインメントマークを含む。

基板１１２上のパターンとモールド１６によって生成されたパターンとの間の正確なアラインメントを確保するためには、モールドと基板アラインメントマーク間の正確なアラインメントを確保することが求められる。このことは通常、例えばモールド１６と基板１２の双方に同時に光学的に連通して選択的に配置されたアラインメント・システム５３である補助視覚を用いて行われる。例示的なアラインメント・システムは、接眼マイクロスコープ又は他のイメージングシステムを含んでいる。アラインメント・システム５３は通常、経路３０に平行な情報を取得する。次いで、アラインメントが、操作者によって手動で、或いは視覚システムを用いて自動で行われる。

図１を参照すると、上述のように線源２６はエネルギー２８を発生させ、これによりポリマー材料２４が、基板１２の表面２５やターン形成面１８の形状に一致するように、固化及び／又は架橋される。そのため、多くの場合、ポリマー材料２４からモールド１６を分離させる前に、ポリマー材料２４の固化及び／又は架橋を完了させることが望ましい。ポリマー材料２４の固化及び／又は架橋を完了するのに必要な時間は、とりわけ、ポリマー材料２４に衝突するエネルギー２８の強度と、ポリマー材料２４及び／又は基板１２の化学的及び／又は光学的特性とに依存する。そのため、何らかの増感剤すなわち光学リソグラフィ促進の化学増感フォトレジストが無い場合、ポリマー材料２４を固化及び／又は架橋させるのに必要とされるエネルギー２８の強度は、光学リソグラフィ・プロセスに比べてインプリントリソグラフィ・プロセスの方が実質的により大きい。その結果、ポリマー材料２４の固化及び架橋の間、エネルギー２８が、基板１２、テンプレート１４、モールド１６に衝突し、従って、基板１２、テンプレート１４、モールド１６を加熱する。エネルギー２８の実質的に均一な強度は、基板１２、テンプレート１４、モールド１６の実質的に均一な加熱を与える。しかしながら、エネルギー２８の特異的な強度及び／又は基板１２、テンプレート１４、モールド１６に関連付けられた特異的なＣＴＥ（熱膨張係数）は、ポリマー材料２４の固化及び／又は架橋中の基板１２とモールド１６との間のアラインメント不良を生じる可能性があり、これは望ましくない。そのため、基板１２、テンプレート１４、モールド１５に対する熱的作用を防止できないとしても最小にする方法を以下で説明する。

図３を参照すると、システム８の一部が示されている。より詳細にはモールド１６のパターン形成面１８がポリマー層２４に接触した状態で示されている。基板１２の表面２５全体にエネルギー２８を曝露すると、その表面温度が上昇し、従って基板１２のサイズが線形的に増大する可能性があり、これは場合によっては望ましくない。そのため、以下で説明するように、基板１２の一部をエネルギー２８に曝露することができる。

図４を参照すると、複数の領域ａ−ｐを有する基板１２の一部が示されている。図示のように、基板１２は１６の領域を含むが、基板１２はどのような数の領域を含んでもよい。これにより、前述した基板１２のサイズの線形的増大を防ぐことはできないとしても最小にするために、図１に示すように基板１２の領域ａ−ｐのサブセットをエネルギー２８に曝露させる。より詳細には、基板１２の領域ｆ、ｇ、ｊ、ｋをエネルギー２８に曝露し、基板１２の領域ａ−ｄ、ｅ、ｈ、ｉ、ｌ−ｐは、エネルギー２８への曝露が実質的に無いようにする。結果として、基板１２の領域ａ−ｄ、ｅ、ｈ、ｉ、ｌ−ｐは、基板１２の領域ｆ、ｇ、ｊ、ｋのサイズが増大するのを防ぐことはできないとしても最小にすることができ、すなわち、基板１２の領域ａ−ｄ、ｅ、ｈ、ｉ、ｌ−ｐは、基板１２の領域ｆ、ｇ、ｊ、ｋのサイズ増大を防ぐための物理的制約として機能する。基板１２の領域ｆ、ｇ、ｊ、ｋは各々、エネルギー２８に順次的又は同時に曝露することができる。

そのため、第１の実施形態において、基板１２の領域ｆ、ｇ、ｊ、ｋをエネルギー２８に曝露した後、基板１２の領域ａ−ｄ、ｅ、ｈ、ｉ、ｌ−ｐをエネルギー２８に曝露し、これらを固化又は架橋する。別の実施形態においては、基板１２のｆ、ｇ、ｊ、ｋをエネルギー２８に曝露した後、基板１２の全ての領域（ａ−ｐ）をエネルギー２８に曝露し、すなわち包括的曝露を行い、ポリマー材料２４の固化及び／又は架橋を完了する。

図３を参照すると、別の実施形態において、エネルギー２８への曝露前の基板１２とモールド１６との間の位置が、エネルギー２８への曝露後の基板１２とモールド１６との間の位置と実質的に同じであるように、基板１２の一部、従ってポリマー材料２４の一部をエネルギー２８に曝露することが望ましい。より詳細には、基板１２、モールド１６、ポリマー材料２４のエネルギー２８に曝露する前と後で、ポリマー材料２４を介した基板１２とモールド１６との間の境界面を維持する。その結果、熱誘起のスケーリングにより生じる基板１２、テンプレート１４、モールド１６のサイズの増大を防止できないとしても最小にすることができる。

図３、図５、図６を参照すると、上述の第１の例において、ポリマー材料２４の外側部分６２が、ポリマー材料２４の内側部分６４よりも前にエネルギー２８に曝露され、ポリマー材料の外側部分６２がエネルギー２８に応答して固化及び／又は架橋される。結果として、外側部分６２は、基板１２とモールド１８との間の境界面を維持することができ、従って、要求どおりに基板１２のサイズの増大を防止できないとしても最小にすることができる。別の実施形態においては、ポリマー材料２４の外側部分６２をエネルギー２８に曝露した後、引き続きポリマー材料２４の内側部分６４をエネルギー２８に曝露して、固化及び／又は架橋する。更に別の実施形態においては、ポリマー材料２４の外側部分６２をエネルギー２８に曝露した後、ポリマー材料２４の内側部分６２と外側部分６４とをエネルギー２８に曝露し、すなわち包括的曝露を行い、ポリマー材料２４の固化及び／又は架橋を完了する。

図７−図９を参照すると、所望のように基板１２のサイズ増大を防止できないとしても最小にするためにポリマー材料２４の所要の領域を曝露する別の例が示されている。図７は、内側領域６８が図１に示されるエネルギー２８に曝露される前に、外側領域６６が図１に示されるエネルギー２８に曝露されることを示している。図８は、ポリマー材料２４のグレーティング型曝露を示し、領域７２が図１に示されるエネルギー２８に曝露される前に、領域７０が図１に示されるエネルギー２８に曝露される。図９は、ポリマー材料２４の孤立領域曝露を示しており、領域７が図１に示されるエネルギー２８に曝露される前に、領域７６が図１に示されるエネルギー２８に曝露される。

図１を参照すると、エネルギー２８は、エネルギー２８に曝露されることになる所要領域、すなわち図４に示される基板１２の領域ａ−ｐよりも大きい可能性がある断面積を有する。そのため、基板１２の所要領域をエネルギー２８に曝露するために、エネルギー２８が基板１２の上記の所要領域を透過して伝播し、所要領域にエネルギー２８を曝露するために該領域に相応する大きさを備えるように、マスク（図示せず）を経路３０内に位置付ける。更に、このマスク（図示せず）は、基板１２の実質的に全ての領域がエネルギー２８に曝露されるように、経路３０から除去される。上記に類似した別の実施形態においては、第１のマスク（図示せず）を、エネルギー２８が基板１２の第１のサブセットを通って伝播しこれを曝露するように経路３０内に位置付け、第２のマスク（図示せず）を、エネルギー２８が基板１２の第２のサブセットを通って伝播してこれを曝露するように経路３０内に位置付けることができる。

更に、図４に関して記載されているように、基板１２の複数の領域ａ−ｐの所要サブセット（以下、小さいフィールド）を、基板１２のサイズの線形的増大を防止できないとしても最小にするように処理することができる。上述の方法は、大型基板のインプリント、すなわち全ウェーハのインプリント又はディスプレイ基板インプリント（以下、大きいフィールド）に適用することができる。より詳細には、大きいフィールドに関連付けられるオーバーレイ誤差は、小さいフィールドに関連付けられるオーバーレイ誤差よりも大きい可能性があるが、大きいフィールドに関連付けられる許容誤差は、小さいフィールドに関連付けられる許容誤差と同等か又は小さい。大型基板のインプリントを用いる基板１２のサイズ増大を最小にする例において、図３、図５、図６に関して上述されたものに類似して、基板１２とモールド１６との間の所要の位置を維持するために多重リング型曝露を用いて、基板１２とポリマー材料２４を図１に示されるようにエネルギー２８に曝露させることができる。引き続いて、図１に示されるエネルギー２８にこれまで曝露されていない基板１２の部分をエネルギー２８に曝露させて、ポリマー材料２４の固化及び／又は架橋を完了することができる。

別の実施形態においては、エネルギー２８は、基板１２の所要領域をエネルギー２８に曝露することができるように、図１０に示す走査ビームを含むことができる。図示のように、基板１２の領域７８は、基板１２の領域８０がエネルギー２８に曝露される前にエネルギー２８に曝露される。更に別の実施形態においては、図１に示されるモールド１６とポリマー材料２４との間の接触部と走査ビームの経路の両方が、実質的に同じ方向で基板１２とポリマー材料２４を横断して移動することができる。

図１を参照すると、更に別の実施形態において、上述のように基板１２は基板チャック（図示せず）に結合されている。そのため、基板チャック（図示せず）がエネルギー２８を吸収することができる場合には、基板１２とポリマー材料２４を上述の方法に比べてより長い時間期間にわたって強度が低いエネルギー２４に曝露することが望ましい。結果として、基板１２の温度のばらつきは、要望どおり防止できないとしても最小にすることができる。

上述の本発明の実施形態は例示的なものである。本発明の範囲を逸脱することなく、上述の開示事項に対して多くの変更及び修正を行うことができる。従って、本発明の範囲は、上記明細書によって限定されず、添付の請求項並びに均等物の全範囲を参照して決定付けられるものとする。

基板から間隔を置いて配置されたモールドを有するインプリントリソグラフィ・システムの単純化された図である。 図１に示すモールドを重畳して配置された複数の層を有するパターン形成基板の断面図である。 モールドが基板上のポリマーと接触した状態の図１に示すシステムの一部の簡易側面図である。 複数の領域を伴う、図１に示す基板の一部の上面図である。 ポリマー層の一部が固化及び／又は架橋された、図３に示すモールドとポリマー層の一部の側面図である。 ポリマー層の一部が固化及び／又は架橋された、図３に示すモールドとポリマー層の一部の側面図である。 ポリマーの外側領域が固化及び／又は架橋されている、図１に示す基板上に位置付けられたポリマー層材料の上面図である。 ポリマーのグレーティング領域は固化及び／又は架橋されている、図１に示す基板上に位置付けられたポリマー層材料の上面図である。 ポリマー材料の孤立領域が固化及び／又は架橋されている、図１に示された基板上に位置付けられたポリマー層材料の上面図である。 ポリマー材料の一部が走査ビームに曝露されている、図１に示す基板上に位置付けられたポリマー材料の上面図である。

符号の説明

１２ 基板、１４ テンプレート、１６ モールド、１８ パターン形成面、２４ ポリマー材料、２５ 表面、２６ 線源、２８ エネルギー、３０ 経路

Claims (10)

1. 化学線エネルギーに応答して固化するポリマー材料を用いてインプリントリソグラフィ・プロセスを受ける基板のあるフィールドをパターン形成する方法であって、
   前記フィールドの小部分を前記化学線エネルギーに曝露する段階と、
   前記フィールドの全てを前記化学線エネルギーに曝露する段階と、
   を含み、前記化学線エネルギーによる前記基板の加熱に起因するオーバーレイ・アラインメント不良を低減させることを特徴とする方法。
2. 前記全てを曝露する段階が、前記フィールドの全てを前記化学線エネルギーに同時に曝露する段階を更に含む請求項１に記載の方法。
3. 前記基板が半導体ウェーハであり、前記フィールドが、前記ウェーハの片側の全域と同一の広がりを有する請求項１に記載の方法。
4. 前記基板が半導体ウェーハであり、前記フィールドが前記ウェーハの片側の全域の下位要素である請求項１に記載の方法。
5. 前記小部分を曝露する段階が、前記小部分よりも大きな断面積を有する前記化学線の流束を経路に沿って伝播させる段階と、
   前記経路内に空間フィルタを配置して、前記フィールドに衝突する前記流束を前記小部分に相応する寸法に縮小させる段階と
   を更に含む請求項１に記載の方法。
6. 前記小部分を曝露する段階が、前記小部分よりも大きな断面積を有する前記化学線の流束を経路に沿って伝播させる段階と、
   前記経路内に空間フィルタを配置して、前記領域に衝突する前記流束を前記小部分に相応する大きさに縮小させる段階と、
   を更に含み、
   前記フィールドの全てを曝露する段階が前記空間フィルタを前記経路から除去する段階を更に含む請求項１に記載の方法。
7. 前記基板を支持体と熱的に連通して配置することによって、前記基板内に蓄積する熱エネルギーを前記基板から移動させる段階を更に含む請求項１に記載の方法。
8. 化学線エネルギーに応答して固化するポリマー材料を用いてインプリントリソグラフィ・プロセスを受ける基板のあるフィールドをパターン形成する方法であって、
   前記フィールドの第１の小部分を前記化学線エネルギーに曝露する段階と、
   前記フィールドの第２の小部分を前記化学線に曝露する段階と、
   を含み、
   前記第１及び第２の小部分を合わせた広がりは前記フィールドの広がりと同一であり、
   前記第１の小部分に関連付けられる前記フィールドの領域が、前記第２の小部分に関連付けられる前記フィールドの領域とは異なり、前記化学線による前記基板の加熱に起因するオーバーレイ・アラインメント不良を低減することを特徴とする方法。
9. 前記フィールドよりも大きな断面積を有する前記化学線の流束を経路に沿って伝播させる段階と、を含み、前記第１の小部分を曝露する段階が、前記経路内に第１の空間フィルタを配置して、前記領域に衝突する前記流束を前記第１の小部分に相応する大きさに縮小させる段階を更に含み、前記第２の小部分を曝露する段階が、前記経路内に第２の空間フィルタを配置して、前記領域に衝突する前記流束を前記第２の小部分に相応する大きさに縮小させる段階を更に含む請求項８に記載の方法。
10. 前記フィールドと同一の広がりを有する断面積を有する前記化学線の流束を経路に沿って伝播させる段階と、を含み、前記第１の小部分を曝露する段階が、前記経路内に第１の空間フィルタを配置して、前記領域に衝突する前記流束を前記第１の小部分に相応する大きさに縮小させる段階を更に含み、前記第２の小部分を曝露する段階が、前記経路内に第２の空間フィルタを配置して、前記領域に衝突する前記流束を前記第２の小部分に相応する大きさに縮小させる段階を更に含む請求項８に記載の方法。

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