JPH0540335A - パターン形成用マスク - Google Patents
パターン形成用マスクInfo
- Publication number
- JPH0540335A JPH0540335A JP19755591A JP19755591A JPH0540335A JP H0540335 A JPH0540335 A JP H0540335A JP 19755591 A JP19755591 A JP 19755591A JP 19755591 A JP19755591 A JP 19755591A JP H0540335 A JPH0540335 A JP H0540335A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- light
- pattern
- focus
- present
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造工程におけるリソグラフィー工程に
おいて、デバイス段差に沿って焦点位置を合わせる。 【構成】露光で用いるマスクの石英基板１１に、ｈなる
段差を設け、遮光用クロムパターン１２をｈだけずらせ
て配置することｈより、像面ｈにおける焦点位置もｈ／
Ｍだけ位置をずらすことができる。この手法をもちい
て、デバイス段差に沿った焦点位置を形成する。
おいて、デバイス段差に沿って焦点位置を合わせる。 【構成】露光で用いるマスクの石英基板１１に、ｈなる
段差を設け、遮光用クロムパターン１２をｈだけずらせ
て配置することｈより、像面ｈにおける焦点位置もｈ／
Ｍだけ位置をずらすことができる。この手法をもちい
て、デバイス段差に沿った焦点位置を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造工程のリソ
グラフィー工程で用いるマスクに関する。
グラフィー工程で用いるマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来行われているリソグラフィー工程に
おける露光方法は例えば図４に示されているように
（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．＆Ｔｅｃｈｎｏｌ．ｖｏｌ１
７．Ｎｏ５１１４７頁（１９８０）”Ｏｐｔｉｃａｌ
ｉｍａｇｉｎｇ ｆｏｒｍｉｃｒｏｆｕｂｒｉｃａｔｉ
ｏｎ”）光源４１から出射した光をレンズ４２で集束
し、マスク４３に照射し、マスクを透過した光を対物レ
ンズ４４で集光してウェハ４５上に結像する。ウェハ４
５上にあらかじめ塗布されていた感光性樹脂４６が露光
され、溶解速度差が生じるため現像工程においてパター
ンが形成されると言うものである。ここで用いられるマ
スク４３は図５に示すように、石英基板５７に遮光膜５
８としてクロムをパターン化した物が用いられてきた。
おける露光方法は例えば図４に示されているように
（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．＆Ｔｅｃｈｎｏｌ．ｖｏｌ１
７．Ｎｏ５１１４７頁（１９８０）”Ｏｐｔｉｃａｌ
ｉｍａｇｉｎｇ ｆｏｒｍｉｃｒｏｆｕｂｒｉｃａｔｉ
ｏｎ”）光源４１から出射した光をレンズ４２で集束
し、マスク４３に照射し、マスクを透過した光を対物レ
ンズ４４で集光してウェハ４５上に結像する。ウェハ４
５上にあらかじめ塗布されていた感光性樹脂４６が露光
され、溶解速度差が生じるため現像工程においてパター
ンが形成されると言うものである。ここで用いられるマ
スク４３は図５に示すように、石英基板５７に遮光膜５
８としてクロムをパターン化した物が用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリソグ
ラフィー工程における露光方法は微細パターンの転写に
おいては様々な問題点を抱えている。その一つは露光光
学系の焦点深度である。一般に露光光学系の焦点深度は
λ／ＮＡ2に比例する。パターン寸法の縮小化にともな
い、露光波長λの短波長化、高ＮＡ化がすすみ、必然的
に焦点深度が小さくなっている。従ってフォーカスをウ
ェハ上のチップ領域２０×２０ｍｍ2 全体にわたって、
いかに正確に合わせるかは重要な課題である。ところが
実際のデバイス製造工程ではバターンを形成しようとす
るウェハのチップには様々な段差が存在するため、チッ
プ全体にわたってフォーカスを合わせることは不可能で
あった。
ラフィー工程における露光方法は微細パターンの転写に
おいては様々な問題点を抱えている。その一つは露光光
学系の焦点深度である。一般に露光光学系の焦点深度は
λ／ＮＡ2に比例する。パターン寸法の縮小化にともな
い、露光波長λの短波長化、高ＮＡ化がすすみ、必然的
に焦点深度が小さくなっている。従ってフォーカスをウ
ェハ上のチップ領域２０×２０ｍｍ2 全体にわたって、
いかに正確に合わせるかは重要な課題である。ところが
実際のデバイス製造工程ではバターンを形成しようとす
るウェハのチップには様々な段差が存在するため、チッ
プ全体にわたってフォーカスを合わせることは不可能で
あった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターン形
成用マスクは、半導体製造工程のリソグラフィー工程で
用いるマスカの不透明パターン部を同一平面上に形成せ
ず、像面のデバイス段差に合せた位置に不透明パターン
を形成すると言う特徴を有している。
成用マスクは、半導体製造工程のリソグラフィー工程で
用いるマスカの不透明パターン部を同一平面上に形成せ
ず、像面のデバイス段差に合せた位置に不透明パターン
を形成すると言う特徴を有している。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の微細パターン形成用マスクとこれに
よって形成される像面側での焦点位置を示している。マ
スクはｈ（＝２．５μｍ）なる段差を有する石英ガラス
１１と遮光用クロム１２からなる。マスクにはｈなる段
差が存在するため、像面側で形成される焦点位置もｈ／
Ｍ（２．５／５＝０．５μｍ）なる位置差が生じること
になる。ここでＭ（＝５）は倍率である。但しマスクの
透明部のガラス部分の厚さｄ（約２ｍｍ）は一定である
必要がある。又、マスクで段差が形成する焦点位置はデ
バイスの段差に合わせて設計することはいうまでもな
い。さらに段差がｈ２（＝２．５μｍ），ｈ３（＝１．
２５μｍ）より成る複数個の段差があるマスクについて
も同様の効果が期待できる。
る。図１は本発明の微細パターン形成用マスクとこれに
よって形成される像面側での焦点位置を示している。マ
スクはｈ（＝２．５μｍ）なる段差を有する石英ガラス
１１と遮光用クロム１２からなる。マスクにはｈなる段
差が存在するため、像面側で形成される焦点位置もｈ／
Ｍ（２．５／５＝０．５μｍ）なる位置差が生じること
になる。ここでＭ（＝５）は倍率である。但しマスクの
透明部のガラス部分の厚さｄ（約２ｍｍ）は一定である
必要がある。又、マスクで段差が形成する焦点位置はデ
バイスの段差に合わせて設計することはいうまでもな
い。さらに段差がｈ２（＝２．５μｍ），ｈ３（＝１．
２５μｍ）より成る複数個の段差があるマスクについて
も同様の効果が期待できる。
【０００６】図２は本発明の微細パターン形成用マスク
の製造方法を示す図である。まず合成石英ガラス基板２
１を所望の位置、厚さだけエッチングする（図２
（ａ））。次にクロム膜２２を蒸着する（図２
（ｂ））。最後にクロム膜をパターン化する（図２
（ｃ））。
の製造方法を示す図である。まず合成石英ガラス基板２
１を所望の位置、厚さだけエッチングする（図２
（ａ））。次にクロム膜２２を蒸着する（図２
（ｂ））。最後にクロム膜をパターン化する（図２
（ｃ））。
【０００７】次に第２の実施例について図３を用いて説
明する。遮光用クロム３２のパターンを平坦な石英ガラ
ス３１の表面に部分的に形成し、（図３（ａ））、さら
に遮光用クロムのパターンを形成した面に塗布ＳｉＯ2
膜３３を希望の厚さだけ形成する（図３（ｂ））。最後
に再びクロムパターン３４をＳｉＯ2 膜上に形成する
（図３（ｃ））。
明する。遮光用クロム３２のパターンを平坦な石英ガラ
ス３１の表面に部分的に形成し、（図３（ａ））、さら
に遮光用クロムのパターンを形成した面に塗布ＳｉＯ2
膜３３を希望の厚さだけ形成する（図３（ｂ））。最後
に再びクロムパターン３４をＳｉＯ2 膜上に形成する
（図３（ｃ））。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体製
造工程のリソグラフィー工程において、露光光学系で用
いるマスクの不透明パターン部を同一平面上に形成せ
ず、デバイス段差に合わせた面上に形成することによ
り、デバイス上に正確に焦点位置を合わせることができ
ると言う特徴を有している。
造工程のリソグラフィー工程において、露光光学系で用
いるマスクの不透明パターン部を同一平面上に形成せ
ず、デバイス段差に合わせた面上に形成することによ
り、デバイス上に正確に焦点位置を合わせることができ
ると言う特徴を有している。
【図１】この発明の原理説明図。
【図２】この発明の第１の実施例を示す図。
【図３】この発明の第２の実施例を示す図。
【図４】従来技術を説明する図。
【図５】従来例を示す図。
１１ 石英ガラス １２ 遮光用クロム ２１ 石英ガラス ２２ 遮光用クロム ３１ 石英ガラス ３２ 遮光用クロム ３３ 塗布ＳｉＯ2 ３４ 遮光用クロム ４１ 光源 ４２ レンズ ４３ マスク ４４ 対物レンズ ４５ ウェハ ４６ 感光性樹脂 ５７ 石英基板 ５８ 遮光用クロムパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板に不透明パターンが形成されて
いるマスクにおいて、不透明パターンの一部を異る平面
上に形成したことを特徴とするパターン形成用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19755591A JPH0540335A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | パターン形成用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19755591A JPH0540335A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | パターン形成用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540335A true JPH0540335A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16376445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19755591A Pending JPH0540335A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | パターン形成用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110597010A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-20 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 应用于台阶结构的掩模版及其形成方法 |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP19755591A patent/JPH0540335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110597010A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-20 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 应用于台阶结构的掩模版及其形成方法 |
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