KR101695941B1 - 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 - Google Patents

하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101695941B1
KR101695941B1 KR1020150092877A KR20150092877A KR101695941B1 KR 101695941 B1 KR101695941 B1 KR 101695941B1 KR 1020150092877 A KR1020150092877 A KR 1020150092877A KR 20150092877 A KR20150092877 A KR 20150092877A KR 101695941 B1 KR101695941 B1 KR 101695941B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
area
data processing
processing
data
pattern
Prior art date
Application number
KR1020150092877A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160004205A (ko
Inventor
히로노부 마츠모토
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20160004205A publication Critical patent/KR20160004205A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101695941B1 publication Critical patent/KR101695941B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • H01L21/0275Photolithographic processes using lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31762Computer and memory organisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31764Dividing into sub-patterns

Landscapes

  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

본 발명의 일태양의 하전 입자빔 묘화 장치는, 시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 기억하는 기억부와, 묘화 데이터를 판독하고, 묘화 대상 영역을, 패턴이 배치된 제1 영역에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역과, 제1 영역에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 제2 영역에 중복되는 제2 데이터 처리 영역으로 분할하는 분할부와, 소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 제2 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하는 데이터 처리부와, 데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법{CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE AND CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING METHOD}
본 발명은, 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법에 관한 것으로, 예를 들면, 묘화 장치 내에서의 데이터 처리의 고속화를 진행시키는 방법에 관한 것이다.
최근, LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스의 회로 선폭은 한층 미세화되었다. 이들 반도체 디바이스에 회로 패턴을 형성하기 위한 노광용 마스크(레티클이라고도 함.)를 형성하는 방법으로서, 뛰어난 해상성을 가지는 전자빔(EB : Electron beam) 묘화 기술이 이용된다.
도 15는, 가변 성형형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
가변 성형형 전자선 묘화 장치는, 이하와 같이 동작한다. 제1 애퍼처(410)에는, 전자선(330)을 성형하기 위한 직사각형의 개구(411)가 형성되어 있다. 또한, 제2 애퍼처(420)에는, 제1 애퍼처(410)의 개구(411)를 통과한 전자선(330)을 원하는 직사각형 형상으로 성형하기 위한 가변 성형 개구(421)가 형성되어 있다. 하전 입자 소스(430)로부터 조사되고, 제1 애퍼처(410)의 개구(411)를 통과한 전자선(330)은, 편향기에 의해 편향되고, 제2 애퍼처(420)의 가변 성형 개구(421)의 일부를 통과하여, 소정의 일방향(예를 들면, X 방향으로 함)으로 연속적으로 이동하는 스테이지 상에 탑재된 시료(340)에 조사된다. 즉, 제1 애퍼처(410)의 개구(411)와 제2 애퍼처(420)의 가변 성형 개구(421)의 양방을 통과할 수 있는 직사각형 형상이, X 방향으로 연속적으로 이동하는 스테이지 상에 탑재된 시료(340)의 묘화 영역에 묘화된다. 제1 애퍼처(410)의 개구(411)와 제2 애퍼처(420)의 가변 성형 개구(421)의 양방을 통과시켜, 임의 형상을 작성하는 방식을 가변 성형 방식(VSB 방식)이라고 한다(예를 들면, 일본 특허공개공보 제2008-218857호 참조).
전자빔 묘화 장치에서는 데이터의 처리 효율을 높이기 위하여, 일반적으로 패턴이 배치되는 묘화 영역을 복수의 처리 영역마다 데이터를 나눈다. 그리고, 묘화 장치 내에서는, 처리 영역마다 처리 영역 내에 배치되는 패턴의 데이터 처리를 병렬로 행하는 것과 같은 분산 처리가 행해진다. 예를 들면, 1 회의 빔의 샷으로 성형 가능한 사이즈는 한정되어 있으므로, 묘화 데이터에 정의된 도형 패턴은 1 회의 샷으로 성형 가능한 샷 도형으로 분할된다. 이 때의 샷 데이터 생성 처리에 있어서, 각 처리 영역을 동일 사이즈로 분할하면, 처리 영역 간에서 배치되는 패턴의 조밀(粗密)이 상이하므로 처리 시간에 불균일이 컸다. 따라서 종래, 각 처리 영역 내에서의 샷 수가 동일한 정도가 되도록 분할함으로써 처리 시간의 불균일을 작게 하는 것이 행해졌다(예를 들면, 일본 특허공개공보 제2008-218857호 참조).
한편, 전자빔 묘화에서는 근접 효과로 대표되는 치수 변동 현상을, 조사량을 변조함으로써 보정하고 있다. 이 때, 보정된 조사량은 메시 상태로 분할된 조사량 맵으로서 작성된다.
여기서, 묘화 영역 중에 패턴이 존재하지 않는 어느 정도 큰 영역이 존재하는 경우가 있다. 이러한 경우, 샷 수가 동일한 정도가 되도록 처리 영역을 분할하면, 이러한 패턴이 없는 큰 영역도 포함하여 1 개의 처리 영역이 작성된다. 샷 데이터를 생성할 시, 당해 샷 도형을 형성하기 위한 빔의 조사량을 정의하게 되는데, 이를 위하여 상술한 조사량을 조사량 맵으로부터 판독할 필요가 있다. 따라서, 처리 영역이 커지면 이러한 조사량을 판독하는 시간이 길어져, 패턴이 존재하지 않는 영역임에도 불구하고, 결과적으로 이러한 패턴이 존재하지 않는 영역을 포함한 처리 영역의 처리 시간이 그 외의 패턴이 존재하지 않는 영역을 포함하지 않는 처리 영역에 비해 길어진다는 문제가 있었다.
또한, 조사량을 변조하기 위한 근접 효과 등의 보정 계수(보정 조사량)를 계산할 시, 면적 밀도의 계산 처리와, 계산된 면적 밀도를 이용한 근접 효과 등의 보정 계산 처리를 행한다. 면적 밀도의 계산 처리 및 보정 계산 처리에 있어서는, 각 처리용으로 각각 묘화 영역을 복수의 처리 영역으로 분할하여, 각각 처리 영역마다 계산을 행하고 있다. 면적 밀도의 계산 처리에 있어서도, 각 처리 영역을 동일 사이즈로 분할하면, 처리 영역 간에서 배치되는 패턴의 조밀이 상이하므로 처리 시간 불균일이 컸다. 따라서 종래, 각 처리 영역 내에서의 샷 수가 동일한 정도가 되도록 분할함으로써 처리 시간의 불균일을 작게 하는 것이 행해졌다. 면적 밀도의 계산 처리에 있어서도, 샷 수가 동일한 정도가 되도록 처리 영역을 분할하면, 이러한 패턴이 없는 큰 영역도 포함하여 1 개의 처리 영역이 작성된다. 한편, 근접 효과 등의 보정 계산 처리에서는, 패턴의 조밀에 의한 처리 시간의 불균일이 없거나 혹은 작으므로 각 처리 영역을 동일 사이즈로 분할한다. 그러나, 근접 효과 보정 계산 처리에서는, 계산된 면적 밀도를 판독할 필요가 있다. 따라서, 면적 밀도의 계산 처리의 처리 영역이 커지면, 이러한 면적 밀도의 계산 처리의 처리 영역과 일부라도 중첩되는 처리 영역의 근접 효과 보정 계산 처리에서는, 면적 밀도를 판독할 시간이 길어져, 결과적으로 근접 효과 보정 계산의 처리 영역의 처리 시간이 그 외의 패턴이 존재하지 않는 영역을 포함하지 않는 처리 영역에 비해 길어진다는 문제가 있었다.
본 발명은, 패턴이 존재하지 않는 영역에 기인하는 처리 시간의 장기화를 억제하는 것이 가능한 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법을 제공한다.
본 발명의 일태양의 하전 입자빔 묘화 장치는,
시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 기억하는 기억부와,
묘화 데이터를 판독하고, 묘화 대상 영역을, 패턴이 배치된 제1 영역에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역과, 제1 영역에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 제2 영역에 중복되는 제2 데이터 처리 영역으로 분할하는 분할부와,
소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 제2 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하는 데이터 처리부와,
데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 묘화부와,
를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일태양의 하전 입자빔 묘화 방법은,
시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 판독하고, 상기 묘화 대상 영역을, 패턴이 배치된 제1 영역에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역과, 제1 영역에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 제2 영역에 중복되는 제2 데이터 처리 영역으로 분할하고,
소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 제2 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하고,
데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 태양의 하전 입자빔 묘화 장치는,
시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 기억하는 기억부와,
묘화 데이터를 판독하고, 묘화 대상 영역을, 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역으로 분할하는 분할부와,
복수의 스트라이프 영역의 스트라이프 영역마다, 상기 스트라이프 영역 내에 배치되는 패턴의 유무를 판정하는 패턴 유무 판정부와,
복수의 스트라이프 영역 중, 패턴무로 판정된 연속하는 스트라이프 영역군을 1 개의 패턴무 스트라이프 영역으로서 결합하는 결합부와,
소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 패턴무 스트라이프 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 결합되어 있지 않은 그 외의 스트라이프 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하는 데이터 처리부와,
데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 묘화부와,
를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 태양의 하전 입자빔 묘화 방법은,
시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 판독하고, 묘화 대상 영역을, 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역으로 분할하고,
복수의 스트라이프 영역의 스트라이프 영역마다, 상기 스트라이프 영역 내에 배치되는 패턴의 유무를 판정하고,
복수의 스트라이프 영역 중, 패턴무로 판정된 연속하는 스트라이프 영역군을 1 개의 패턴무 스트라이프 영역으로서 결합하고,
소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 패턴무 스트라이프 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 결합되어 있지 않은 그 외의 스트라이프 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하여,
데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 실시 형태 1에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다.
도 2는 실시 형태 1에 있어서의 각 영역을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 실시 형태 1에 있어서의 처리 영역의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 실시 형태 1의 비교예 A에 있어서의 샷 데이터 생성용의 처리 영역의 분할예를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 실시 형태 1의 비교예 A에 있어서의 보정 조사 계수 계산용의 처리 영역의 분할예를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 실시 형태 1에 있어서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다.
도 7은 실시 형태 1에 있어서의 샷 데이터 생성 처리를 위한 처리 영역의 분할예를 나타내는 도이다.
도 8은 실시 형태 1에 있어서의 분할부의 내부 구성을 나타내는 개념도이다.
도 9는 실시 형태 1에 있어서의 DPB(1) 분할 공정의 내부 공정을 나타내는 순서도이다.
도 10은 실시 형태 1에 있어서의 DPB 분할의 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 11은 실시 형태 1에 있어서의 면적 밀도 계산 처리를 위한 처리 영역과 근접 효과 보정 계산 처리를 위한 처리 영역과의 분할예를 나타내는 도이다.
도 12는 실시 형태 2에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다.
도 13은 실시 형태 2에 있어서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다.
도 14는 실시 형태 2에 있어서의 스트라이프 영역의 결합 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 15는 가변 성형형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
이하, 실시 형태에서는, 패턴이 존재하지 않는 영역에 기인하는 처리 시간의 장기화를 억제하는 것이 가능한 장치 및 방법에 대하여 설명한다.
또한, 이하 실시 형태에서는, 하전 입자빔의 일례로서 전자빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되는 것이 아니고, 이온빔 등의 하전 입자를 이용한 빔이어도 상관없다. 또한, 하전 입자빔 장치의 일례로서 가변 성형형(VSB 방식)의 묘화 장치에 대하여 설명한다.
실시 형태 1.
도 1은 실시 형태 1에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다. 도 1에 있어서, 묘화 장치(100)는 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는 하전 입자빔 묘화 장치의 일례이다. 특히, 가변 성형형의 묘화 장치의 일례이다. 묘화부(150)는 전자 경통(102)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 전자 경통(102) 내에는, 전자총(201), 조명 렌즈(202), 제1 애퍼처(203), 투영 렌즈(204), 편향기(205), 제2 애퍼처(206), 대물 렌즈(207), 주편향기(208) 및 부편향기(209)가 배치되어 있다. 묘화실(103) 내에는 XY 스테이지(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는, 묘화 시에는 묘화 대상이 되는 마스크 등의 시료(101)가 배치된다. 시료(101)에는 반도체 장치를 제조할 시의 노광용 마스크가 포함된다. 또한, 시료(101)에는 레지스트가 도포된, 아직 아무것도 묘화되지 않은 마스크 블랭크스가 포함된다.
제어부(160)는, 제어 계산기(110)(전처리 계산기), 메모리(112), 제어 계산기(120), 메모리(122), 제어 회로(130), 및 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(140, 142, 144, 146, 148)를 가지고 있다. 전제어 계산기(110), 메모리(112), 제어 계산기(120), 메모리(122), 제어 회로(130), 및 기억 장치(140, 142, 144, 146, 148)는, 도시하지 않은 버스를 개재하여 서로 접속되어 있다.
제어 계산기(110) 내에는 메시 분할부(60) 및 샷 수 예측부(62)가 배치된다. 메시 분할부(60), 및 샷 수 예측부(62)와 같은 기능은, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들의 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 된다. 메시 분할부(60), 및 샷 수 예측부(62)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(112)에 그때마다 저장된다.
제어 계산기(120) 내에는, 분할부(70, 71, 72, 74), 샷 분할 처리부(76), 면적 밀도 연산부(78), 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82), 조사량 연산부(84), 샷 데이터 생성부(86), 및 묘화 제어부(88)가 배치된다. 분할부(70, 71, 72, 74), 샷 분할 처리부(76), 면적 밀도 연산부(78), 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82), 조사량 연산부(84), 샷 데이터 생성부(86), 및 묘화 제어부(88)와 같은 기능은, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들의 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 된다. 분할부(70, 71, 72, 74), 샷 분할 처리부(76), 면적 밀도 연산부(78), 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82), 조사량 연산부(84), 샷 데이터 생성부(86), 및 묘화 제어부(88)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(122)에 그때마다 저장된다.
또한, 시료(101)의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터가 외부로부터 입력되어, 기억 장치(140)에 저장되어 있다. 예를 들면, 후술하는 스트라이프 영역마다의 묘화 데이터가 기억 장치(140)에 저장되어 있다.
여기서, 도 1에서는 실시 형태 1을 설명함에 있어 필요한 구성을 기재하고 있다. 묘화 장치(100)의 경우, 통상, 필요한 그 밖의 구성을 구비하고 있어도 상관없다. 예를 들면, 위치 편향용으로는, 주편향기(208)와 부편향기(209)의 주부(主副) 2 단의 다단 편향기를 이용하고 있으나, 1 단의 편향기 혹은 3 단 이상의 다단 편향기에 의해 위치 편향을 행하는 경우여도 좋다. 또한, 묘화 장치(100)에는, 마우스 또는 키보드 등의 입력장치, 모니터 장치, 및 외부 인터페이스 회로 등이 접속되어 있어도 상관없다.
도 2는 실시 형태 1에 있어서의 각 영역을 설명하기 위한 개념도이다. 도 2에 있어서, 시료(101)의 묘화 영역(10)은, 분할부(71)에 의해 주편향기(208)의 Y 방향 편향 가능폭인, 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역(20)으로 가상 분할된다. 또한, 각 스트라이프 영역(20)은, 부편향기(209)의 편향 가능 사이즈인 복수의 서브필드(SF)(30)(소영역)로 가상 분할된다. 그리고, 각 SF(30)의 각 샷 위치에 샷 도형(42)이 묘화된다.
도 3은 실시 형태 1에 있어서의 처리 영역의 일례를 설명하기 위한 도이다. 도 3에서는 묘화 단위 영역으로서 스트라이프 영역(20)을 이용하고 있다. 실시 형태 1에서는, 스트라이프 영역(20)마다 묘화 처리를 행한다. 따라서, 데이터 처리에 있어서도 스트라이프 영역(20) 단위로 진행시킨다. 도 3의 예에서는, 어느 스트라이프 영역(20)을 복수의 예측 샷 수 메시(22)로 분할된 상태를 나타내고 있다. 후술하는 바와 같이, 전처리 계산기(110)에서는, 예측 샷 수 메시(22)마다 메시 내의 샷 도형 수를 계측하여, 예측 샷 수 메시(22) 내의 샷 수를 예측하고, 정의한다. 여기서는, 해칭된 예측 샷 수 메시(22)에는 샷 도형(패턴)이 존재하고, 해칭되어 있지 않은 예측 샷 수 메시(22)에는 패턴이 존재하지 않는 경우를 나타내고 있다. 도 3에서는, 스트라이프 영역(20) 중에, 패턴이 배치되지 않은 어느 정도 큰 영역이 존재하지 않는 경우를 나타내고 있다. 이러한 경우에는, 예를 들면 스트라이프 영역(20)의 묘화 개시측(도 3에서는 예를 들면 좌측)단부터 샷 수를 카운트 하여, 임계치를 초과할 때마다 처리 영역(DPB)으로 분할한다. 도 3의 예에서는, 스트라이프 영역(20)의 좌측단부터 샷 수를 카운트 하여, 임계치를 초과한 최초의 위치를 분할점(1)(분할 위치)로 설정하고, 스트라이프 영역(20)의 좌측단부터 분할점(1)까지를 처리 영역(DPB) 1로 한다. 이어서, 스트라이프 영역(20)의 좌측단부터 샷 수를 카운트 하여, 임계치의 2 배의 값을 초과한 위치를 분할점(2)(분할 위치)로 설정하고, DPB1의 우측단(분할점(1))부터 분할점(2)까지를 DPB2로 한다. 마찬가지로, 스트라이프 영역(20)의 좌측단부터 샷 수를 카운트 하여, 임계치의 3 배의 값을 초과한 위치를 분할점(3)(분할 위치)로 설정하고, DPB2의 우측단(분할점(2))부터 분할점(3)까지를 DPB3으로 한다. 그리고, 스트라이프 영역(20)의 좌측단부터 샷 수를 카운트 하여, 임계치의 4 배의 값을 초과하기 전에 스트라이프 영역(20)의 종단까지 왔을 경우에는, DPB3의 우측단(분할점(3))부터 스트라이프 영역(20)의 종단까지를 DPB4로 한다. 이상과 같이 분할함으로써, 스트라이프 영역(20)을 샷 수가 대략 동일한 복수의 처리 영역으로 분할할 수 있다.
도 4는 실시 형태 1의 비교예 A에 있어서의 샷 데이터 생성용의 처리 영역의 분할예를 설명하기 위한 도이다. 도 4에서는, i 번째 및 (i + 1) 번째의 인접하는 2 개의 스트라이프 영역(20a, 20b)을 나타내고 있다. 도 4의 예에서는, 스트라이프 영역(20a)의 양단측에 패턴이 배치된 영역(제1 영역)이 존재하고, 중앙부에 패턴이 배치되어 있지 않은 어느 정도 큰 사이즈의 영역(제2 영역)이 존재하는 경우를 나타내고 있다. 스트라이프 영역(20b)도 마찬가지이다. 비교예 A에서는 종래와 같이, 단순하게 스트라이프 영역(20a)(혹은 스트라이프 영역(20b))의 좌측단부터 샷 수를 카운트 하여, 샷 데이터 생성용의 임계치를 초과한 위치를 분할점(분할 위치)으로 하여 처리 영역을 분할하는 경우를 나타내고 있다. 중앙부의 패턴무 영역이 큰 경우, 스트라이프 영역(20a)의 좌단부터 종단(우단)까지 샷 수를 카운트해도 임계치를 초과하지 않는 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스트라이프 영역(20a) 전체가 1 개의 처리 영역(450a)이 된다. 마찬가지로, 스트라이프 영역(20b) 전체가 1 개의 처리 영역(450b)이 된다. 상술한 바와 같이, 샷 데이터를 생성할 시, 당해 샷 도형을 형성하기 위한 빔의 조사량을 계산할 필요가 있다. 이를 위해 상술한 조사량을 판독할 필요가 있다. 따라서, 처리 영역이 커지면 이러한 조사량을 판독할 시간이 길어지고, 패턴이 존재하지 않는 영역임에도 불구하고, 결과적으로 이러한 패턴이 존재하지 않는 영역을 포함하는 처리 영역(450a)의 처리 시간이, 도 3에 나타낸 DPB1 ~ 3의 어느 하나보다, 혹은 DPB1 ~ 3의 어느 것보다 길어진다고 하는 문제가 있었다.
도 5는 실시 형태 1의 비교예 A에 있어서의 보정 조사 계수 계산용의 처리 영역의 분할예를 설명하기 위한 도이다. 도 5에서는, (i - 1) 번째, i 번째 및 (i + 1) 번째의 인접하는 3 개의 스트라이프 영역(20c, 20a, 20b)을 나타내고 있다. 도 5의 예에서는, 스트라이프 영역(20a)의 양단측에 패턴이 배치된 영역(제1 영역)이 존재하고, 중앙부에 패턴이 배치되어 있지 않은 어느 정도 큰 사이즈의 영역(제2 영역)이 존재하는 경우를 나타내고 있다. 스트라이프 영역(20b, 20c)도 마찬가지이다. 비교예 A에서는 종래와 같이, 단순하게 스트라이프 영역(20a)(혹은 스트라이프 영역(20b, 20c))의 좌측단부터 샷 수를 카운트 하여, 면적 밀도 계산용의 임계치를 초과한 위치를 분할점(분할 위치)으로 하여 처리 영역을 분할하는 경우를 나타내고 있다. 중앙부의 패턴무 영역이 큰 경우, 스트라이프 영역(20a)의 좌단부터 종단(우단)까지 샷 수를 카운트해도 임계치를 초과하지 않는 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 스트라이프 영역(20a) 전체가 1 개의 처리 영역(452a)이 된다. 마찬가지로, 스트라이프 영역(20b) 전체가 1 개의 처리 영역(452b)이 된다. 마찬가지로, 스트라이프 영역(20c) 전체가 1 개의 처리 영역(452c)이 된다. 한편, 근접 효과 등의 보정 계산 처리에서는, 패턴의 조밀에 따른 처리 시간의 불균일이 없거나 혹은 작으므로 각 처리 영역을 동일 사이즈로 분할한다. 이러한 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 스트라이프 영역(20a)에 대하여 동일 폭의 3 개의 처리 영역(454a, 454b, 454c)이 된다. 스트라이프 영역(20b, 20c)에 대해서도 마찬가지이다. 근접 효과 보정 계산 처리에서는, 계산된 면적 밀도를 판독할 필요가 있다. 따라서 예를 들면, 처리 영역(454a)의 근접 효과 보정 계산을 행할 시, 면적 밀도용의 처리 영역(452a) 전체의 데이터를 판독하여, 그 중에서 필요한 면적 밀도를 추출할 필요가 있다. 따라서, 면적 밀도용의 처리 영역(452a)이 커지면, 이러한 면적 밀도의 계산 처리의 처리 영역과 일부라도 중첩되는 처리 영역의 근접 효과 보정 계산 처리에서는, 면적 밀도를 판독할 시간이 길어지고, 결과적으로 근접 효과 보정 계산의 처리 영역의 처리 시간이 길어진다. 또한, 처리 영역(454b)에서는, 종래, 영역 내에 패턴이 전혀 배치되지 않음에도 불구하고 근접 효과 보정 계산을 행했다. 따라서, 그 만큼의 처리 시간이 필요해졌다.
따라서, 실시 형태 1에서는, 패턴이 배치된 영역(제1 영역)의 처리 영역과 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(제2 영역)의 처리 영역으로 나누도록 분할한다. 이에 의해, 소정의 사이즈 이상의 폭을 가지는 패턴무 영역 전체가 1 개의 처리 영역(DPB) 내에 포함되지 않도록 할 수 있다.
도 6은, 실시 형태 1에 있어서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다. 도 6에 있어서, 실시 형태 1에 있어서의 묘화 방법은, 메시 분할 공정(S102)과, 샷 수 예측 공정(S104)과, DPB(1) 분할 공정(S110)과, 샷 분할 공정(S112)과, DPB(2) 분할 공정(S120)과, 면적 밀도 연산 공정(S122)과, DPB(3) 분할 공정(S130)과, 근접 효과 보정 조사 계수 연산 공정(S132)과, 조사량 연산 공정(S134)(조사 시간 연산 공정)과, 샷 데이터 생성 공정(S140)과, 묘화 공정(S142)과 같은 일련의 공정을 실시한다. 또한, 메시 분할 공정(S102)과, 샷 수 예측 공정(S104)과는, 묘화 처리를 개시하기 전의 전처리로서 실시한다.
메시 분할 공정(S102)으로서, 메시 분할부(60)(제2 분할부)는, 시료(101)의 묘화 대상 영역을 소정의 사이즈의 복수의 메시 영역으로 분할한다. 예를 들면, 스트라이프 영역(20)마다 복수의 메시 영역으로 분할한다. 여기서는 샷 수를 예측하기 위하여 메시 분할한다. 따라서, 스트라이프 영역(20)마다, 당해 스트라이프 영역(20)을 상술한 복수의 예측 샷 수 메시(22)로 분할한다. 예측 샷 수 메시(22)의 사이즈는 적절히 설정하면 되는데, 예를 들면, 스트라이프 영역(20)의 분할폭(단변(短邊) 사이즈)의 1 / n의 사이즈로 설정하면 적합하다. 예를 들면, 1 / 10 ~ 1 / 20 정도로 하면 된다. 혹은, 도 2에 나타낸 서브필드(30)와 동일 사이즈로 분할해도 된다.
샷 수 예측 공정(S104)으로서, 샷 수 예측부(62)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 판독하여, 예측 샷 수 메시(22)마다 당해 예측 샷 수 메시(22)로 배치되는 도형 패턴을 할당한다. 그리고, 예측 샷 수 메시(22)마다 할당된 도형 패턴을 샷 도형으로 분할한다. 예를 들면, 미리 설정된 최대 샷 사이즈로 도형 패턴을 직사각형 혹은 직각 이등변 삼각형 등의 묘화 장치(100)로 성형 가능한 도형으로 분할하면 된다. 그리고, 분할된 샷 도형 수를 카운트 하여, 예측 샷 수 메시(22)마다의 샷 도형 수, 즉 샷 수를 예측한다. 이상과 같이 하여, 예측된 각 샷 수를 대응하는 예측 샷 수 메시(22)의 맵 값으로서 샷 수 맵을 작성한다. 샷 수 맵은 기억 장치(142)에 저장된다.
DPB(1) 분할 공정(S110)으로서, 분할부(70)(제1 분할부)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 판독하고, 예를 들면, 스트라이프 영역(20)과 같은 묘화 대상 영역을, 복수의 데이터 처리 영역(DPB)(1)으로 분할한다. 여기서는, 샷 분할 처리(샷 데이터 생성 처리)를 위한 처리 영역(DPB)(1)을 작성한다.
도 7은, 실시 형태 1에 있어서의 샷 데이터 생성 처리를 위한 처리 영역의 분할예를 나타내는 도이다. 실시 형태 1에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 분할부(70)는 예를 들면, 스트라이프 영역(20)과 같은 묘화 대상 영역을, 패턴이 배치된 영역(24a, 24b)(제1 영역 : 패턴유 영역)에 적어도 중복되는 데이터 처리 영역(50a, 50c)(제1 데이터 처리 영역)과, 패턴유의 영역(24a, 24b)에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)(제2 영역 : 패턴무 영역)에 중복되는 데이터 처리 영역(50b)(제2 데이터 처리 영역)으로 분할한다. 도 7의 예에서는, 스트라이프 영역(20)의 양단측에, 샷 수가 0이 아닌(패턴이 배치된) 예측 샷 수 메시(22)(해칭된 메시)가 배열된다. 그 반면, 스트라이프 영역(20)의 중앙부에, 광범위로 샷 수가 0인 (패턴이 배치되어 있지 않은) 예측 샷 수 메시(22)(해칭무의 메시)가 배열된다. 이러한 경우, 실시 형태 1에서는, 영역(24a)에 적어도 중복되고, 영역(26)측에 1 열 혹은 수 열의 예측 샷 수 메시(22)를 마진으로 하여 포함한 위치에서 데이터 처리 영역(50a)을 작성한다. 또한, 영역(24b)에 적어도 중복되고, 영역(26)측에 1 열 혹은 수 열의 예측 샷 수 메시(22)를 마진으로 하여 포함한 위치에서 데이터 처리 영역(50c)을 작성한다. 또한, 영역(24a, 24b)에는 중복되지 않고, 영역(26)에 중복되는 데이터 처리 영역(50b)을 작성한다.
도 7의 예에서는, 스트라이프 영역(20)의 양단측에 패턴이 배치된 영역(24)이 존재하는 경우를 나타냈지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 편측에만, 패턴이 배치된 영역(24)이 존재하는 경우도 있을 수 있다. 그 외, 스트라이프 영역(20)의 중앙부에만 패턴이 배치된 영역(24)이 존재하는 경우도 있을 수 있다. 그 외, 스트라이프 영역(20) 중에서, 복수의 패턴유 영역(24)과 패턴무 영역(26)이 혼재하는 경우도 있을 수 있다. 따라서 분할부(70)는, 패턴이 배치된 영역(24)(제1 영역 : 패턴유 영역)에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 데이터 처리 영역(50a)과, 영역(24)에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)에 중복되는 적어도 1 개의 데이터 처리 영역(50b)으로 분할한다.
도 8은 실시 형태 1에 있어서의 분할부의 내부 구성을 나타내는 개념도이다. 도 8에 있어서, 분할부(70)는, 입력부(90), 판정부(91), 열 합계 샷 수(Sum.row) 연산부(92), 판정부(93, 94, 95, 96), 임계치(th) 연산부(97), 합계 샷 수(Sum) 연산부(98), 판정부(99), 분할 처리부(172), 및 가산부(174)를 가진다. 입력부(90), 판정부(91), 열 합계 샷 수(Sum.row) 연산부(92), 판정부(93, 94, 95, 96), 임계치(th) 연산부(97), 합계 샷 수(Sum) 연산부(98), 판정부(99), 분할 처리부(172), 및 가산부(174)와 같은 기능은, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들의 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 된다. 입력부(90), 판정부(91), 열 합계 샷 수(Sum.row) 연산부(92), 판정부(93, 94, 95, 96), 임계치(th) 연산부(97), 합계 샷 수(Sum) 연산부(98), 판정부(99), 분할 처리부(172), 및 가산부(174)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(122)에 그때마다 저장된다. 여기서는, 도 1의 분할부(70)에 대하여 나타냈지만, 분할부(72, 74)에 대해서도, 분할부(70)와 동일한 내부 구성을 가진다.
도 9는, 실시 형태 1에 있어서의 DPB(1) 분할 공정의 내부 공정을 나타내는 순서도이다. 도 9에 있어서, DPB(1) 분할 공정(S110)은, 그 내부 공정으로서, 입력 공정(S202)과, 판정 공정(S204)과, k 열째 합계 샷 수 연산 공정(S206)과, 판정 공정(S208)과, 판정 공정(S210)과, 판정 공정(S212)과, 임계치 연산 공정(S214)과, 분할 처리 공정(S216)과, 가산 공정(S218)과, 합계 샷 수 연산 공정(S219)과, 판정 공정(S220)과, 판정 공정(S222)과, 임계치 연산 공정(S224)이라는 일련의 공정을 실시한다. 여기서는, 도 6의 DPB(1) 분할 공정(S110)에 대하여 나타냈지만, DPB(2) 분할 공정(S120) 및 DPB(3) 분할 공정(S130)에 대해서도, DPB(1) 분할 공정(S110)과 동일한 내부 공정을 실시한다.
도 10은 실시 형태 1에 있어서의 DPB 분할의 방법을 설명하기 위한 개념도이다. 도 10의 예에서는, 영역(24a) 내의 전체 샷 수의 합계가 처리 영역을 나누기 위한 임계치(th)를 초과하지 않는 경우를 나타내고 있다.
입력 공정(S202)으로서, 입력부(90)는, 기억 장치(140)로부터 대상의 스트라이프 영역(20)의 묘화 데이터(스트라이프 데이터)를 입력한다. 또한, 입력부(90)는 기억 장치(142)로부터 예측 샷 수 메시(22)마다 예측된 샷 수가 정의된 샷 수 맵을 입력한다.
여기서, 샷 수 맵에 있어서의 대상 스트라이프 영역(20)의 좌단으로부터 x 방향으로 k 번째의 예측 샷 수 메시(22) 열을 k 열째의 예측 샷 수 메시(22) 열로 한다. 각 예측 샷 수 메시(22) 열은, 메시 분할 공정(S102)에 있어서, y 방향으로 n 개의 예측 샷 수 메시(22)가 작성되어 있다.
또한, DPB(1) 분할 공정(S110)의 개시 시에는, k에 초기값으로서 1이 설정된다. 마찬가지로, 합계 샷 수(Sum)에는 초기값으로서 0이 설정되어 있다. 또한, 스트라이프 영역(20)을 적어도 1 개의 처리 영역으로 분할할 시의 샷 수의 임계치(th)(샷 분할 처리용 임계치)를 미리 설정한다. 또한, 마진을 설정하기 위한 열 값(m)(샷 분할 처리용 값)을 미리 설정한다.
판정 공정(S204)으로서, 판정부(91)는, 판정 대상이 되는 스트라이프 영역(20)의 예측 샷 수 메시(22) 열의 열 번호(k)가 최종 열(kmax)보다 큰지 여부를 판정한다. 열 번호(k)가 최종 열(kmax)보다 큰 경우에는, 입력 공정(S202)으로 되돌아와, 다음의 스트라이프 데이터를 입력한다. 열 번호(k)가 최종 열(kmax)보다 크지 않은 경우에는, k 열째 합계 샷 수 연산 공정(S206)으로 진행된다.
k 열째 합계 샷 수 연산 공정(S206)으로서, 열 합계 샷 수(Sum.row) 연산부(92)는, 판정 대상이 되는 스트라이프 영역(20)의 좌단으로부터 x 방향으로 k 열째의 예측 샷 수 메시(22) 열에 정의된 샷 수의 합계값이 되는 k 열 합계 샷 수(Sum.row)를 연산한다.
판정 공정(S208)으로서, 판정부(93)는, 연산된 k 열 합계 샷 수(Sum.row)가 제로인지 여부를 판정한다. 도 10의 예에서는, k = 1의 경우, 1 열째의 메시(22) 열에는, 0이 아닌 샷 수가 정의된 2 개의 예측 샷 수 메시(22)가 존재하므로, Sum.row는 0이 되지는 않는다. 예를 들면, k = 4의 경우, 4 열째의 메시(22) 열에는, 0이 아닌 샷 수가 정의된 예측 샷 수 메시(22)와 샷 수가 0으로 정의된 예측 샷 수 메시(22)가 혼재하므로, Sum.row는 0이 되지는 않는다. 한편, k = 6 ~ 23의 경우, 6 ~ 23 열째의 메시(22) 열에는, 각각 샷 수가 0으로 정의된 2 개의 예측 샷 수 메시(22)가 존재하므로, Sum.row는 0이 된다. Sum.row가 0인 경우, 판정 공정(S210)으로 진행된다. Sum.row가 0이 아닌 경우, 합계 샷 수 연산 공정(S219)으로 진행된다.
판정 공정(S210)으로서, 판정부(94)는, (k - (m - 1)) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로인지 여부를 판정한다. 마진용의 열 값(m)을 예를 들면 m = 4로 설정한 경우를 설명한다. 도 10의 예에서는, k = 6에 주목하면, 3 열째부터 5 열째의 메시(22) 열에서는, 모두 Sum.row는 0이 되지는 않는다. K = 7에 주목하면, 4, 5 열째의 메시(22) 열에서는 Sum.row는 0이 되지는 않지만 6 열째의 메시(22) 열에서는 Sum.row가 0이 된다. K = 9에 주목하면, 6 열째부터 8 열째의 메시(22) 열에서는, 모두 Sum.row는 0이다. 마찬가지로, k = 10 ~ 23에 주목하면 (k - (m - 1)) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 된다. (k - (m - 1)) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 아닌 경우에는, 가산 공정(S218)으로 진행된다. (k - (m - 1)) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로인 경우에는, 판정 공정(S212)으로 진행된다.
판정 공정(S212)으로서, 판정부(95)는, (k - m) 열째의 Sum.row가 제로가 아닌지 여부를 판정한다. 도 10의 예에서는, 예를 들면 m = 4로 설정했을 경우, k = 9에 주목하면, 5 열째의 메시(22) 열에서는, Sum.row는 0은 아니다. 한편, k = 10 ~ 23에 주목하면, (k - m) 열째의 Sum.row가 0이 된다. (k - m) 열째의 Sum.row가 제로가 아닌 경우에는, 임계치 연산 공정(S214)으로 진행된다. (k - m) 열째의 Sum.row가 제로인 경우에는, 가산 공정(S218)으로 진행된다.
임계치 연산 공정(S214)으로서, 임계치(th) 연산부(97)는, 합계 샷 수(Sum)에 미리 설정된 임계치(th)를 가산한 새로운 임계치(th)를 연산한다. 여기서는, 아직 합계 샷 수(Sum)가 갱신되어 있지 않으므로, 합계 샷 수(Sum)는 초기값 0의 상태이다. 따라서, 여기서는, 연산 후의 임계치(th)는 미리 설정된 임계치(th)가 된다.
분할 처리 공정(S216)으로서, 분할 처리부(172)는, 판정 공정(S212)에서 (k - m) 열째의 Sum.row가 제로가 아닌 k 열째의 메시(22) 열의 종단(k 열째와 k + 1 열째의 경계)을 분할점(1)으로 하여, 처리 영역을 분할한다. 이에 의해, 1 열째부터 판정 공정(S212)에서 (k - m) 열째의 Sum.row가 제로가 아닌 k 열째까지의 메시(22) 열에 의해, 1 번째의 처리 영역 DPB1이 작성된다. 도 10의 예에서는, 예를 들면 m = 4로 설정했을 경우, 1 열째부터 9 열째까지의 메시(22) 열에 의해, DPB1이 작성된다. 분할 처리 후는, 가산 공정(S218)으로 진행된다.
가산 공정(S218)으로서, 가산부(174)는, 현재 설정되어 있는 k에 1을 가산하여, 새로운 k로 한다. 이러한 처리에 의해, 스트라이프 영역(20) 내에 있어서, 메시(22) 열이 1부터 차례로 진행되게 된다. 그리고, 분할부(70)는 묘화 대상 영역이 되는 스트라이프 영역(20)을 x 방향(소정의 분할 방향)을 향해 순서대로 분할을 진행한다. 그리고, 분할부(70)는 상술한 바와 같이, 주목 열(k)이, 패턴유 영역(24a)(제1 영역)으로부터 패턴무 영역(26)(제2 영역)에 들어갔을 경우에 패턴무 영역(26) 내에 일부가 중복되는 DPB1(제1 데이터 처리 영역)을 작성하도록 패턴무 영역(26) 내에 분할 위치(1)를 설정한다.
합계 샷 수 연산 공정(S219)으로서, 합계 샷 수(Sum) 연산부(98)는, 설정되어 있는 현재의 합계 샷 수(Sum)에 k 열째의 메시(22) 열의 Sum.row를 가산한다.
판정 공정(S220)으로서, 상술한 판정 공정(S208)에 있어서 k 열째의 Sum.row가 0이 아닌 경우, 판정부(96)는 (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로인지 여부를 판정한다. 도 10의 예에서는, 예를 들면 m = 4로 설정한 경우, k = 24에 주목하면, 20 열째부터 23 열째까지의 메시(22) 열에서는, 모두 Sum.row가 0이 된다. K = 25에 주목하면, 21 열째부터 23 열째까지의 메시(22) 열에서는 모두 Sum.row가 0이 되지만, 24 열째의 메시(22) 열에서는 Sum.row가 0이 되지는 않는다. (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로의 경우는 임계치 연산 공정(S214)으로 진행된다. (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row 중 어느 1 개가 제로가 아닌 경우는, 판정 공정(S222)으로 진행된다.
그리고, 임계치 연산 공정(S214)으로서, 임계치(th) 연산부(97)는, 설정되어 있는 현재의 합계 샷 수(Sum)에 미리 설정된 임계치(th)를 가산한 새로운 임계치(th)를 연산한다. 여기서는, 아직 합계 샷 수(Sum)가 갱신되어 있지 않으므로, 합계 샷 수(Sum)는 초기값 0의 상태이다. 따라서, 여기서는 연산 후의 임계치(th)는, 미리 설정된 임계치(th)가 된다.
그리고, 분할 처리 공정(S216)으로서, 분할 처리부(172)는, 판정 공정(S220)에 있어서 (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 되는 k 열째의 메시(22) 열의 시단(始端)(k - 1 열째와 k 열째의 경계)을 분할점(2)으로 하여, 처리 영역을 분할한다. 이에 의해, 분할점(1)의 열부터 판정 공정(S220)에서 (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 되는 k 열째까지의 메시(22) 열에 의해, 2 번째의 처리 영역(DPB2)이 작성된다. 도 10의 예에서는, 예를 들면 m = 4로 설정한 경우, 10 열째부터 19 열째까지의 메시(22) 열에 의해, DPB2가 작성된다. 분할 처리 후는, 가산 공정(S218)으로 진행된다.
상술한 바와 같이, 분할부(70)는, 주목 열(k)이 패턴무 영역(26)(제2 영역)으로부터 패턴유 영역(24b)(제1 영역)에 들어갔을 경우에, 패턴유 영역(24a, 24b)(제1 영역)과는 중복되지 않고, 패턴무 영역(26)(제2 영역)에 중복되는 DPB2(제2 데이터 처리 영역)를 작성하도록 패턴무 영역(26) 내에 분할 위치(2)를 설정한다. 또한 결과적으로, 분할부(70)는, 주목 열(k)이 패턴무 영역(26)(제2 영역)으로부터 패턴유 영역(24b)(제1 영역)에 들어갔을 경우에, 패턴무 영역(26) 내에 일부가 중복되는 DPB3(제1 데이터 처리 영역)을 작성하도록 패턴무 영역(26) 내에 분할 위치(2)를 설정하는 것으로 연결된다.
그리고, 스트라이프 영역(20) 내에 있어서, 열(k)이 진행되면, 판정 공정(S219)에서 (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 되지 않는 k 열째의 메시(22) 열이 된다. 도 10의 예에서는, k = 25에 주목하면, (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 되지는 않는다. 따라서, 판정 공정(S222)으로 진행되게 된다.
판정 공정(S222)으로서, 판정부(99)는, 설정되어 있는 현재의 합계 샷 수(Sum)가 임계치(th)를 초과하고 있는지 여부를 판정한다. 초과하고 있지 않은 경우에는, 가산 공정(S218)으로 진행된다. 초과하고 있는 경우에는, 임계치 연산 공정(S224)으로 진행된다. 도 10의 예에서는, 분할 위치(2) 이후, 스트라이프 영역(20)의 종단까지 합계 샷 수(Sum)가 임계치(th)를 초과하지 않으므로, 분할 위치(2)부터 스트라이프 영역(20)의 종단까지의 메시(22) 열에 의해, DPB3(제1 데이터 처리 영역)이 작성된다. 또한, 도시하지 않지만, 패턴유 영역(24b) 내에 패턴이 조밀한 부분이 있는 경우, 혹은 패턴유 영역(24b)의 폭이 긴 경우에는, 분할 위치(2) 이후에서 임계치(th)를 초과하는 경우가 있다.
임계치 연산 공정(S224)으로서, 임계치(th) 연산부(97)는, 설정되어 있는 현재의 임계치(th)에 미리 설정된 임계치(th)를 가산한 값을 새로운 임계치로서 연산한다.
그리고, 분할 처리 공정(S216)으로서, 분할 처리부(172)는, 판정 공정(S222)에서 설정되어 있는 현재의 합계 샷 수(Sum)가 임계치(th)를 초과한 k 열째의 메시(22) 열의 종단(k 열째와 k + 1 열째의 경계)을 도시하지 않은 분할점(3)으로 하여, 처리 영역을 분할한다. 임계치 연산 공정(S224)에서 연산된 새로운 임계치(th)는, 다음의 도시하지 않은 분할점(4)에 이용한다.
도 10의 예에서는, 패턴유 영역(24a) 내의 샷 수의 합계가 임계치(th)를 초과하지 않은 경우를 나타냈지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 초과하는 경우도 있을 수 있다. 이러한 경우에는, 판정 공정(S219)에서 (k - m) 열째부터 (k - 1) 열째까지의 각 Sum.row가 모두 제로가 아니고, 판정 공정(S222)에서 설정되어 있는 현재의 합계 샷 수(Sum)가 임계치(th)를 초과한 시점에서, 이러한 k 열째의 메시(22) 열의 종단(k 열째와 k + 1 열째의 경계)을 도시하지 않은 분할점으로 하여, 처리 영역을 분할하면 된다.
또한, 패턴유 영역(24a) 내에서 샷 수가 임계치(th)를 초과하여 처리 영역이 분할되는 경우에는, 그 후에 임계치 연산 공정(S214)으로 진행되었을 시, 설정되어 있는 현재의 합계 샷 수(Sum)는, 그 이전의 합계 샷 수 연산 공정(S219)에서 연산된 값이 된다.
이상의 같이, 분할부(70)는, 패턴무 영역(26)(제2 영역) 내에 일부가 중복되는 DPB1, 3(제1 데이터 처리 영역)을 작성하도록 스트라이프 영역(20)(묘화 대상 영역)을 분할하는 경우에, 패턴유 영역(24a, 24b)(제1 영역) 단부부터 패턴무 영역(26) 내에 m 열분의 메시(22) 열(소정의 마진폭)을 가지도록 패턴무 영역(26) 내에 분할 위치(1), (2)를 설정한다.
이상의 같이, 스트라이프 영역(20)(예를 들면, 묘화 대상 영역)은, 데이터 처리 영역(제1 데이터 처리 영역, 상기 제2 데이터 처리 영역)보다 작은 사이즈의 복수의 메시(22)로 분할된다. 그리고, 분할부(70)는 예측된 샷 수를 이용하여, DBP1, 3(제1 데이터 처리 영역)과 DBP2(제2 데이터 처리 영역)로 분할한다. 이 때, DBP1, 3(제1 데이터 처리 영역)은, 예측된 샷 수가 제로가 아닌 메시 영역과 예측된 샷 수가 제로인 메시 영역과의 양방을 포함한다. 한편, DBP2(제2 데이터 처리 영역)는 예측된 샷 수가 제로인 메시 영역을 포함하고, 또한 제로가 아닌 메시 영역은 제외된다.
이상의 같이, 실시 형태 1에서는, 기본적으로는 샷 수가 동일한 정도가 되도록 임계치(th) 도래마다 처리 영역의 분할을 행하는 한편, 마진 열 값(m)의 2 배를 초과하는 열 군의 패턴무 영역(26)이 생겼을 경우에는, 샷 수에 상관없이, 상술한 방법으로 처리 영역을 분할한다.
샷 분할 공정(S112)으로서, 샷 분할 처리부(76)는, DPB(1) 분할 공정(S110)에 의해 분할된 처리 영역마다, 샷 분할 처리를 행한다. 구체적으로는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 처리 영역마다 당해 처리 영역 내에 위치하는 도형 패턴을 묘화 데이터로부터 할당한다. 그리고, 처리 영역마다, 할당된 도형 패턴을 1 회의 빔의 샷으로 조사 가능한 사이즈의 복수의 샷 도형으로 분할한다. 예를 들면, 미리 설정된 최대 샷 사이즈로 도형 패턴의 일단측으로부터 예를 들면 x 방향을 향해 분할하고, 최대 샷 사이즈로 분할할 수 없었던 나머지와 1 개 전의 최대 샷 사이즈를 맞춘 도형을 1 / 2씩으로 분할한다. 이에 의해, 최대 샷 사이즈의 복수의 도형과, 최대 샷 사이즈에 비해 극단적으로 사이즈가 작게 되지 않는 2 개의 샷 도형으로 분할된다. y 방향에 대해서도 마찬가지로 분할되면 된다.
또한, 여기서는, 샷 분할 처리부(76)(데이터 처리부의 일례)는, 샷 분할 처리(소정의 데이터 처리 내용)에 대하여, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)(제2 영역 : 패턴무 영역)에 중복되는 데이터 처리 영역(50b)(제2 데이터 처리 영역)에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않는다. 그리고, 패턴이 배치된 영역(24a, 24b)(제1 영역 : 패턴유 영역)에 적어도 중복되는 데이터 처리 영역(50a, 50c)(제1 데이터 처리 영역)에 있어서의 데이터 처리를 행한다. 이에 의해, 계산이 불필요한 데이터 처리 영역(50b)에서의 계산 처리의 실행을 회피할 수 있고, 자원의 효과적인 이용을 도모할 수 있다. 나아가서는 처리 영역 전체에 소요되는 처리 시간의 단축으로 연결된다.
DPB(2) 분할 공정(S120)으로서, 분할부(72)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 판독하고, 예를 들면, 스트라이프 영역(20)과 같은 묘화 대상 영역을, 복수의 데이터 처리 영역(DPB)(2)으로 분할한다. 여기서는, 면적 밀도 계산 처리를 위한 처리 영역(DPB)(2)을 작성한다. DPB(2) 분할 공정(S120)의 분할 처리 방법은, 임계치(th), 마진 열 값(m)의 설정값이 상이한 것 이외에는, DPB(1) 분할 공정(S110)과 동일해도 상관없다.
도 11은, 실시 형태 1에 있어서의 면적 밀도 계산 처리를 위한 처리 영역과 근접 효과 보정 계산 처리를 위한 처리 영역과의 분할예를 나타내는 도이다. 실시 형태 1에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 분할부(72)는, 예를 들면, 스트라이프 영역(20)과 같은 한 묘화 대상 영역을, 패턴이 배치된 영역(24a, 24b)(제1 영역 : 패턴유 영역)에 적어도 중복되는 데이터 처리 영역(52a, 52c)(제1 데이터 처리 영역)과, 패턴유의 영역(24a, 24b)에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)(제2 영역 : 패턴무 영역)에 중복되는 데이터 처리 영역(52b)(제2 데이터 처리 영역)으로 분할한다. 도 11의 예에서는, 도 7과 마찬가지로, 스트라이프 영역(20)의 양단측에, 샷 수가 0이 아닌(패턴이 배치된) 예측 샷 수 메시(22)(해칭된 메시)가 배열된다. 그 반면, 스트라이프 영역(20)의 중앙부에, 광범위로 샷 수가 0인(패턴이 배치되어 있지 않은) 예측 샷 수 메시(22)(해칭무의 메시)가 배열된다. 이러한 경우, 실시 형태 1에서는, 영역(24a)에 적어도 중복되고, 영역(26)측에 1 열 혹은 수 열의 예측 샷 수 메시(22)를 마진으로서 포함한 위치에서 데이터 처리 영역(52a)을 작성한다. 또한, 영역(24b)에 적어도 중복되고, 영역(26)측에 1 열 혹은 수 열의 예측 샷 수 메시(22)를 마진으로서 포함한 위치에서 데이터 처리 영역(52c)을 작성한다. 또한, 영역(24a, 24b)에는 중복되지 않고, 영역(26)에 중복되는 데이터 처리 영역(52b)을 작성한다. 도 11의 예에서는, i - 1 번째와 i 번째와 i + 1 번째가 연속하는 3 개의 스트라이프 영역(20)을 나타내고 있다. 또한, 이러한 3 개의 스트라이프 영역(20)은, 모두 양단측에 패턴이 배치된 영역(24a, 24b)이, 중앙부에 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)이 존재하는 경우를 나타내고 있다.
도 11의 예에서는, 스트라이프 영역(20)의 양단측에 패턴이 배치된 영역(24)이 존재하는 경우를 나타냈지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 편측에만, 패턴이 배치된 영역(24)이 존재하는 경우도 있을 수 있다. 그 외에, 스트라이프 영역(20)의 중앙부에만 패턴이 배치된 영역(24)이 존재하는 경우도 있을 수 있다. 그 외에, 스트라이프 영역(20) 중에서, 복수의 패턴유 영역(24)과 패턴무 영역(26)이 혼재하는 경우도 있을 수 있다. 따라서, 분할부(72)는, 패턴이 배치된 영역(24)(제1 영역 : 패턴유 영역)에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 데이터 처리 영역(52a)과, 영역(24)에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)에 중복되는 적어도 1 개의 데이터 처리 영역(52b)으로 분할한다.
면적 밀도 연산 공정(S122)으로서, 면적 밀도 연산부(78)는, DPB(2) 분할 공정(S120)에 의해 분할된 처리 영역(DPB)(2)마다, 면적 밀도(ρ(x))의 계산 처리를 행한다. 구체적으로는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 처리 영역(DPB)(2)마다 당해 처리 영역 내에 위치하는 도형 패턴을 묘화 데이터로부터 할당한다. 한편, 스트라이프 영역(20)을 소정의 사이즈의 복수의 메시 영역으로 분할한다. 예를 들면, 근접 효과의 영향 반경의 1 / 10 정도의 사이즈로 메시를 작성하면 적합하다. 예를 들면, 0.5 ~ 2 μm 정도의 사이즈로 작성하면 된다. 그리고, 처리 영역(DPB)(2)마다, 처리 영역 내에 위치하는 메시 영역마다, 메시 영역 내에 배치되는 도형 패턴의 면적 밀도(ρ(x))를 연산한다. 여기서, 위치(x)는 벡터를 나타낸다.
또한, 여기서는, 면적 밀도 연산부(78)(데이터 처리부의 일례)는, 면적 밀도 연산 처리(소정의 데이터 처리 내용)에 대하여, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)(제2 영역 : 패턴무 영역)에 중복되는 데이터 처리 영역(52b)(제2 데이터 처리 영역)에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않는다. 그리고, 패턴이 배치된 영역(24a, 24b)(제1 영역 : 패턴유 영역)에 적어도 중복되는 데이터 처리 영역(52a, 52c)(제1 데이터 처리 영역)에 있어서의 데이터 처리를 행한다. 이에 의해, 계산이 불필요한 데이터 처리 영역(52b)에서의 계산 처리의 실행을 회피할 수 있고, 자원의 효과적인 이용을 도모할 수 있다. 나아가서는 처리 영역 전체에 소요되는 처리 시간의 단축으로 연결된다. 면적 밀도 연산부(78)는, 처리 영역(52)마다, 연산된 면적 밀도(ρ)를 각 메시의 맵 값으로서 이용하여, 면적 밀도(ρ(x)) 맵을 작성한다. 그리고, 작성된 면적 밀도(ρ) 맵은, 기억 장치(144)에 저장된다. 또한, 여기서는, 근접 효과 보정 계산에 이용하는 근접 효과 밀도(U(x))를 추가로 연산해 두어도 된다. 근접 효과 밀도(U(x))는, 처리 영역(52)마다, 분포 함수(gp(x))와 면적 밀도(ρ(x))를 콘벌루션 적분한 값으로서 연산된다. 그리고, 작성된 근접 효과 밀도(U(x)) 맵은, 기억 장치(144)에 저장되면 된다.
DPB(3) 분할 공정(S130)으로서, 분할부(74)는, 예를 들면, 스트라이프 영역(20)과 같은 묘화 대상 영역을, 복수의 데이터 처리 영역(DPB)(3)으로 분할한다. 여기서는, 근접 효과 보정 계산 처리를 위한 처리 영역(DPB)(3)을 작성한다. 근접 효과 보정 계산 처리의 처리 시간은 면적에 영향을 받고, 상술한 바와 같이, 패턴의 조밀에 영향을 받지 않는, 혹은 무시할 수 있는 정도이므로, 예를 들면 도 11에 나타내는 바와 같이, 동일 사이즈의 복수의 처리 영역(54a, 54b, 54c)으로 분할한다. 도 11의 예에서는, i 번째의 스트라이프 영역(20)에 대한 보고 처리 영역(54a, 54b, 54c)을 나타내고 있다.
근접 효과 보정 조사 계수 연산 공정(S132)(근접 효과 보정 계산 처리)으로서, 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82)는, 처리 영역(DPB)(3)마다, 근접 효과에 기인하는 치수 변동을 보정하기 위한 근접 효과 보정 조사 계수(Dp(x))를 연산한다. 미지의 근접 효과 보정 조사 계수(Dp(x))는, 근접 효과 계수 η, 분포 함수(gp(x)), 및 면적 밀도(ρ(x))를 이용하여, 이하의 수학식 (1)로써 구할 수 있다.
(1)
Figure 112015063297119-pat00001
여기서, 근접 효과 보정 조사 계수(Dp(x))를 연산할 때, 대상이 되는 처리 영역(DPB)(3)에 일부라도 중복되는 처리 영역(DPB)(2)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵을 판독한다.
또한 도 11의 예에서는, 처리 영역(54a)에서는, 처리 영역(52a)과 처리 영역(52b)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵을 판독하게 되지만, 처리 영역(52b)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵은 존재하지 않으므로, 처리 영역(52a)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵을 판독하면 충분하다. 마찬가지로, 처리 영역(54c)에서는, 처리 영역(52c)과 처리 영역(52b)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵을 판독하게 되지만, 처리 영역(52b)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵은 존재하지 않으므로, 처리 영역(52c)의 면적 밀도(ρ(x)) 맵을 판독하면 충분하다. 또한, 처리 영역(54b)에서는, 패턴무 영역(26)의 처리 영역(52b) 밖에 중복되지 않으므로, 원래 처리 영역(54b)에서는, 근접 효과 보정 조사 계수(Dp(x))의 연산(근접 효과 보정 계산) 자체를 생략할 수 있다.
이상과 같이, 근접 보정 계산에 있어서의 처리 영역(54b)에 관련하는 면적 밀도 계산용의 처리 영역이, 패턴유의 영역(24a, 24b)에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)에 중복되는 처리 영역(52b) 뿐인 경우, 근접 효과 보정 조사 계수(Dp(x))의 연산(근접 효과 보정 계산) 자체를 생략할 수 있다. 그 결과, 처리 시간을 단축할 수 있다.
조사량 연산 공정(S134)(조사 시간 연산 공정)으로서, 조사량 연산부(84)는, 기준 조사량 DB와 연산된 근접 효과 보정 조사 계수(Dp(x))를 이용하여, 조사량(D(x))를 연산한다. 조사량(D(x))는, 이하의 수학식 (2)로 정의할 수 있다.
(2)
Figure 112015063297119-pat00002
또한 여기서는, 일례로서 근접 효과 보정에 대하여 기재하고 있지만, 조사량 변조 보정은, 이에 한정되는 것은 아니다. 근접 효과 보정 외에, 예를 들면, 포깅 보정, 로딩 효과 보정 등을 동시에 행해도 적합하다. 조사량 연산부(84)는, 연산된 조사량(D(x))를, 예를 들면 면적 밀도 계산용의 각 메시의 맵 값으로서 이용하여, 예를 들면 스트라이프 영역(20) 혹은 묘화 영역(10)에 대한 조사량(D(x)) 맵을 작성한다. 그리고, 작성된 조사량(D(x)) 맵은 기억 장치(146)에 저장된다. 또한, 조사량(D(x))의 조정은, 빔의 조사 시간(t(x))으로 조정되므로, 조사량(D(x))를 전자빔의 전류 밀도(J)로 나눈 조사 시간(t(x))를 연산하여, 조사 시간(t(x)) 맵을 작성해도 적합하다.
샷 데이터 생성 공정(S140)으로서, 샷 데이터 생성부(86)는, 샷 데이터 생성 처리용의 처리 영역(DPB)(1)마다, 조사량(D(x)) 맵(혹은 조사 시간(t(x)) 맵) 중, 당해 처리 영역(DPB)(1)분의 맵을 잘라낸다. 그리고, 잘라낸 조사량(D(x)) 맵(혹은 조사 시간(t(x)) 맵)을 차례로 판독하고, 샷 도형마다의 조사량(혹은 조사 시간)의 데이터를 읽어내, 샷 데이터에 추가 정의한다. 생성된 샷 데이터는 기억 장치(148)에 저장된다.
이러한 경우, 처리 영역(DPB)(1)의 사이즈가 크면, 잘라내는 조사량(D(x)) 맵(혹은 조사 시간(t(x)) 맵)도 커진다. 따라서, 조사량(혹은 조사 시간)의 데이터를 읽어낼 시에 시간이 소요된다. 실시 형태 1에서는, 패턴유의 영역(24a, 24b)에는 중복되지 않고, 패턴이 배치되어 있지 않은 영역(26)에 중복되는 처리 영역(50b)을 작성함으로써, 그 사이즈만큼, 잘라내는 조사량(D(x)) 맵(혹은 조사 시간(t(x)) 맵)을 작게 할 수 있다. 따라서, 조사량(혹은 조사 시간)의 데이터를 읽어내는 처리 시간을 단축할 수 있다.
묘화 공정(S142)으로서, 묘화 제어부(88)의 지령하에, 제어 회로(130)는, 샷 데이터를 읽어내어, 묘화부(150)를 구동 제어한다. 이에 의해, 묘화부(150)는 데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료(101)에 패턴을 묘화한다. 묘화부(150)는 전자빔(200)을 이용하여, 묘화 데이터에 정의된 도형 패턴을 시료(100)에 묘화한다. 구체적으로는, 이하와 같이 동작한다.
전자총(201)(방출부)으로부터 방출된 전자빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의해 직사각형의 홀을 가지는 제1 애퍼처(203) 전체를 조명한다. 여기서, 전자빔(200)을 우선 직사각형으로 성형한다. 그리고, 제1 애퍼처(203)를 통과한 제1 애퍼처상(像)의 전자빔(200)은, 투영 렌즈(204)에 의해 제2 애퍼처(206) 상에 투영된다. 편향기(205)에 의해, 이러한 제2 애퍼처(206) 상에서의 제1 애퍼처상(像)은 편향 제어되고, 빔 형상과 치수를 변화(가변 성형)시킬 수 있다. 그리고, 제2 애퍼처(206)를 통과한 제2 애퍼처상(像)의 전자빔(200)은, 대물 렌즈(207)에 의해 초점을 맞추고, 주편향기(208) 및 부편향기(209)에 의해 편향되어, 연속적으로 이동하는 XY 스테이지(105)에 배치된 시료(101)의 원하는 위치에 조사된다. 도 1에서는, 위치 편향에, 주부 2 단의 다단 편향을 이용한 경우를 나타내고 있다. 이러한 경우에는, 주편향기(208)에서 스트라이프 영역을 추가로 가상 분할한 서브필드(SF)의 기준 위치로 스테이지 이동에 추종하면서 당해 샷의 전자빔(200)을 편향하고, 부편향기(209)에서 SF 내의 각 조사 위치에 이러한 당해 샷의 빔을 편향하면 된다. 또한, 조사량(D(x))의 제어는 전자빔(200)의 조사 시간에 따라 제어하면 된다.
이상과 같이, 실시 형태 1에 의하면, 패턴이 존재하지 않는 영역에 기인하는 처리 시간의 장기화를 억제할 수 있다. 따라서, 샷 생성 처리의 고속화가 가능하다. 또한, 불필요한 근접 효과 보정 계산 처리 등의 조사량 보정 처리를 생략할 수 있다.
실시 형태 2.
실시 형태 1에서는, 스트라이프 영역(20)마다, 당해 스트라이프 영역(20) 내에 있어서, 패턴이 배치된 영역의 처리 영역과 패턴이 배치되어 있지 않은 영역의 처리 영역으로 나누는 경우를 설명했다. 실시 형태 2에서는, 묘화 영역(10)에 대하여, 패턴이 배치된 스트라이프 영역(20)과 패턴이 배치되어 있지 않은 스트라이프 영역(20)으로 나누는 경우를 설명한다.
도 12는, 실시 형태 2에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다. 도 12에 있어서, 제어 계산기(120) 내에, 판정부(73), 및 결합부(75)가 추가된 점 이외는 도 1과 동일하다. 분할부(70, 71, 72, 74), 판정부(73), 결합부(75), 샷 분할 처리부(76), 면적 밀도 연산부(78), 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82), 조사량 연산부(84), 샷 데이터 생성부(86), 및 묘화 제어부(88)와 같은 기능은, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들의 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 된다. 분할부(70, 71, 72, 74), 판정부(73), 결합부(75), 샷 분할 처리부(76), 면적 밀도 연산부(78), 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82), 조사량 연산부(84), 샷 데이터 생성부(86), 및 묘화 제어부(88)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(122)에 그때마다 저장된다.
도 13은 실시 형태 2에 있어서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다. 도 13에 있어서, 실시 형태 2에 있어서의 묘화 방법은, 샷 수 예측 공정(S104)의 이후이고, DPB(1) 분할 공정(S110)과, DPB(2) 분할 공정(S120)과, DPB(3) 분할 공정(S130)의 이전에, 스트라이프 분할 공정(S106)과, 패턴 유무 판정 공정(S107)과, 스트라이프 결합 공정(S108)을 추가한 점, 이외는 도 6과 동일하다. 또한 이하, 특별히 설명하는 점 이외의 내용은 실시 형태 1과 동일하다.
메시 분할 공정(S102)과 샷 수 예측 공정(S104)의 내용은 실시 형태 1과 동일하다.
스트라이프 분할 공정(S106)으로서, 분할부(71)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 판독하고, 묘화 영역(10)(묘화 대상 영역의 일례)을, 도 2에 나타낸 바와 같이, 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역(20)으로 분할한다.
패턴 유무 판정 공정(S107)으로서, 판정부(73)(패턴 유무 판정부)는, 복수의 스트라이프 영역(20)의 스트라이프 영역마다, 당해 스트라이프 영역 내에 배치되는 패턴의 유무를 판정한다. 구체적으로는, 판정부(73)는 기억 장치(142)로부터 스트라이프 영역마다 작성된 샷 수 맵을 읽어내, 샷 수가 제로인 스트라이프 영역(20)과 샷 수가 1 이상인 스트라이프 영역(20)으로 판별하면 된다.
도 14는 실시 형태 2에 있어서의 스트라이프 영역의 결합 방법을 설명하기 위한 도이다. 도 14에서는, 예를 들면 스트라이프 영역(20a ~ 20i)이 나타내져 있다. 이러한 스트라이프 영역(20a ~ 20i) 중, 사선으로 해칭되어 있는 스트라이프 영역(20a, 20b, 20h, 20i)이, 각각 패턴이 배치되는 스트라이프 영역(패턴유 스트라이프 영역)을 나타낸다. 또한, 스트라이프 영역(20c, 20d, 20e, 20f, 20g)이, 각각 패턴이 배치되지 않는 스트라이프 영역(패턴무 스트라이프 영역)을 나타낸다.
스트라이프 결합 공정(S108)으로서, 결합부(75)는, 복수의 스트라이프 영역(20) 중, 패턴무로 판정된 연속하는 스트라이프 영역군(스트라이프 영역(20d, 20e, 20f))을 1 개의 패턴무 스트라이프 영역(21)으로서 결합한다. 또한, 패턴이 배치되지 않는 스트라이프 영역은, 그 외, 스트라이프 영역(20c, 20g)이 존재한다. 그러나, 이러한 패턴무 스트라이프 영역(21)의 전후 1 개씩의 스트라이프 영역(20c, 20g)에 대해서는 마진 영역으로서 결합하지 않게 하면 적합하다.
그리고, DPB(1) 분할 공정(S110)과, DPB(2) 분할 공정(S120)과, DPB(3) 분할 공정(S130)에 있어서는, 상술한 패턴무 스트라이프 영역(21)에 대하여 데이터 처리를 행하지 않고, 패턴무 스트라이프 영역(21) 이외의 스트라이프 영역(20)에 대하여 데이터 처리를 행하면 된다. 환언하면, 분할부(70, 72, 74), 샷 분할 처리부(76), 면적 밀도 연산부(78), 근접 효과 보정 조사 계수 연산부(82), 조사량 연산부(84), 및 샷 데이터 생성부(86)(데이터 처리부의 일례)는, 각각의 데이터 처리 내용에 대하여, 패턴무 스트라이프 영역(21)에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 결합되어 있지 않은 그 외의 스트라이프 영역(20)에 있어서의 데이터 처리를 행한다. 이에 따라, 종래 묘화와 병행하여 행한 DPB 처리 혹은, 관련하는 DPB의 처리의 결과, 어느 DPB에 대해서는 처리 불필요하다라는 판정 자체를 생략할 수가 있다.
그리고, 묘화 공정(S142)으로서, 묘화 제어부(88)의 지령하에, 제어 회로(130)는, 샷 데이터를 읽어내, 묘화부(150)를 구동 제어한다. 이에 의해, 묘화부(150)는, 데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료(101)에 패턴을 묘화한다. 묘화부(150)는, 전자빔(200)을 이용하여, 묘화 데이터에 정의된 도형 패턴을 시료(100)에 묘화한다. 그 외의 내용은 실시 형태 1과 동일하다.
이상과 같이, 실시 형태 2에 의하면, 패턴이 존재하지 않는 스트라이프 영역(20)에 기인하는 처리 시간의 장기화를 억제할 수 있다. 따라서, 실시 형태 1보다 더욱 샷 생성 처리의 고속화가 가능하다. 또한, 실시 형태 1보다 더욱 불필요한 근접 효과 보정 계산 처리 등의 조사량 보정 처리를 생략할 수 있다.
이상, 구체적인 예를 참조하여 실시 형태에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명은, 이들의 구체적인 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 6에서는, 도 13에 있어서의 스트라이프 분할 공정(S106)의 기재를 생략했지만, 실시 형태 1에 있어서도 스트라이프 분할 공정(S106)이 실시되는 것은 말할 필요도 없다. 또한, 상술한 샷 수 맵은 스트라이프 영역(20) 단위로 작성되어도 되고, 묘화 영역(10)(혹은 팁 영역) 전체에 대하여 마진 처리되어, 묘화 영역(10)(혹은 팁 영역) 단위로 작성되어도 된다.
또한, 장치 구성 또는 제어 방법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요로 하지 않는 부분 등에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 장치 구성 또는 제어 방법을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 제어부 구성을 적절히 선택하여 이용하는 것은 말할 필요도 없다.
그 외, 본 발명의 요소를 구비하고, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법은, 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 몇 개의 실시 형태를 설명했지만, 이들 실시 형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규 실시 형태는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 각종 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태 또는 그 변형은, 발명의 범위 또는 요지에 포함되고, 또한 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

Claims (5)

  1. 시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 기억하는 기억부와,
    상기 묘화 데이터를 판독하고, 상기 묘화 대상 영역을, 하나 이상의 임의의 패턴이 배치된 제1 영역에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역과, 상기 제1 영역에는 중복되지 않고, 하나의 패턴도 배치되어 있지 않은 제2 영역에 중복되는 제2 데이터 처리 영역으로 분할하는 제1 분할부와,
    소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 모든 묘화 대상 영역 중 상기 제2 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 상기 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하는 데이터 처리부와,
    데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 묘화부
    를 구비하고,
    상기 제1 분할부는, 상기 묘화 대상 영역을 소정의 분할 방향을 향해 차례로 분할하고, 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역에 들어갔을 경우에 상기 제2 영역 내에 일부가 중복되는 상기 제1 데이터 처리 영역을 작성하도록 상기 제2 영역 내에 분할 위치를 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분할부는, 상기 제2 영역으로부터 상기 제1 영역에 들어갔을 경우에 상기 제2 영역 내에 일부가 중복되는 상기 제1 데이터 처리 영역을 작성하도록 상기 제2 영역 내에 분할 위치를 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분할부는, 상기 제2 영역 내에 일부가 중복되는 상기 제1 데이터 처리 영역을 작성하도록 상기 묘화 대상 영역을 분할하는 경우에, 상기 제1 영역 단부로부터 상기 제2 영역 내에 소정의 마진 폭을 가지도록 상기 제2 영역 내에 분할 위치를 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  5. 시료의 묘화 대상 영역의 묘화 데이터를 판독하고, 상기 묘화 대상 영역을, 하나 이상의 임의의 패턴이 배치된 제1 영역에 적어도 중복되는 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역과, 상기 제1 영역에는 중복되지 않고, 하나의 패턴도 배치되어 있지 않은 제2 영역에 중복되는 제2 데이터 처리 영역으로 분할하고,
    상기 묘화 대상 영역을 소정의 분할 방향을 향해 차례로 분할하고, 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역에 들어갔을 경우에 상기 제2 영역 내에 일부가 중복되는 상기 제1 데이터 처리 영역을 작성하도록 상기 제2 영역 내에 분할 위치를 설정하며,
    소정의 데이터 처리 내용에 대하여, 모든 묘화 대상 영역 중 상기 제2 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하지 않고, 상기 적어도 1 개의 제1 데이터 처리 영역에 있어서의 데이터 처리를 행하고,
    데이터 처리된 데이터에 기초하여 시료에 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
KR1020150092877A 2014-07-02 2015-06-30 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 KR101695941B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014136727 2014-07-02
JPJP-P-2014-136727 2014-07-02
JPJP-P-2015-049580 2015-03-12
JP2015049580A JP6567843B2 (ja) 2014-07-02 2015-03-12 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160004205A KR20160004205A (ko) 2016-01-12
KR101695941B1 true KR101695941B1 (ko) 2017-01-12

Family

ID=55017491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150092877A KR101695941B1 (ko) 2014-07-02 2015-06-30 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9721756B2 (ko)
JP (1) JP6567843B2 (ko)
KR (1) KR101695941B1 (ko)
TW (1) TWI582818B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10186095B2 (en) * 2016-11-30 2019-01-22 JNL Technologies, Inc. Systems and methods related to door control networks
JP7159970B2 (ja) * 2019-05-08 2022-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5537487A (en) * 1991-07-29 1996-07-16 Fujitsu Limited Pattern judging method, mask producing method, and method of dividing block pattern for use in block exposure
JPH06163373A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Fujitsu Ltd 描画データ処理方法
JP3457474B2 (ja) * 1996-07-17 2003-10-20 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置
JP4268233B2 (ja) * 1998-02-25 2009-05-27 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20020104970A1 (en) * 1999-01-06 2002-08-08 Winter Stacey J. Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field
US6415432B1 (en) * 1999-04-21 2002-07-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system
JP2000340492A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Nec Corp 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法
JP3807909B2 (ja) * 2000-09-01 2006-08-09 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP2002170766A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Nikon Corp 転写露光方法及びデバイス製造方法
JP2002246294A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Nikon Corp Lsi設計用スクリーンエディタ
JP2007115999A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Toshiba Corp キャラクタプロジェクション(cp)方式の荷電粒子ビーム露光方法、キャラクタプロジェクション方式の荷電粒子ビーム露光装置及びプログラム
JP2007141880A (ja) * 2005-11-14 2007-06-07 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置
JP2008010547A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Elpida Memory Inc 電子線描画方法、電子線描画装置、及び電子線描画プログラム
US7704653B2 (en) * 2006-10-25 2010-04-27 Kla-Tencor Corporation Method of data encoding, compression, and transmission enabling maskless lithography
JP5305601B2 (ja) 2007-03-07 2013-10-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置内の演算処理装置の割当て方法
JP4945380B2 (ja) 2007-09-05 2012-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5480555B2 (ja) * 2009-08-07 2014-04-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5567802B2 (ja) * 2009-08-19 2014-08-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置
JP5530688B2 (ja) * 2009-09-18 2014-06-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法
US8976929B2 (en) * 2010-07-16 2015-03-10 Duke University Automatic generation of patient-specific radiation therapy planning parameters
JP5636238B2 (ja) * 2010-09-22 2014-12-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012253316A (ja) * 2011-05-12 2012-12-20 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5792513B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5797454B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5767033B2 (ja) * 2011-06-13 2015-08-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2013038297A (ja) * 2011-08-10 2013-02-21 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5819144B2 (ja) * 2011-09-09 2015-11-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置の評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5841819B2 (ja) * 2011-11-30 2016-01-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5977941B2 (ja) * 2011-12-19 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5894856B2 (ja) * 2012-05-22 2016-03-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6057635B2 (ja) * 2012-09-14 2017-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9245714B2 (en) * 2012-10-01 2016-01-26 Kla-Tencor Corporation System and method for compressed data transmission in a maskless lithography system
US9633093B2 (en) * 2012-10-23 2017-04-25 Ip Reservoir, Llc Method and apparatus for accelerated format translation of data in a delimited data format
US9699032B2 (en) * 2013-10-29 2017-07-04 Virtual Instruments Corporation Storage area network queue depth profiler
JP2016001708A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US9852876B2 (en) * 2016-02-08 2017-12-26 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20170309450A1 (en) 2017-10-26
US9721756B2 (en) 2017-08-01
TW201611077A (zh) 2016-03-16
KR20160004205A (ko) 2016-01-12
US20160005569A1 (en) 2016-01-07
US10074516B2 (en) 2018-09-11
JP6567843B2 (ja) 2019-08-28
TWI582818B (zh) 2017-05-11
JP2016027609A (ja) 2016-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10381194B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US8466440B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus and control method thereof
US8563952B2 (en) Charged particle beam writing apparatus
US8878149B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
KR101605356B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔의 조사량 체크 방법
JP6285660B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置
US8471225B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus therefor
KR101477557B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 다중 묘화용의 하전 입자빔의 조사 시간 배분 방법
KR101695941B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP5985852B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9006691B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block
JP5620725B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR101524839B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP6781615B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6171062B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2011077313A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ作成方法
JP6546437B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012243939A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 4