JPH06163373A - 描画データ処理方法 - Google Patents
描画データ処理方法Info
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- JPH06163373A JPH06163373A JP31226592A JP31226592A JPH06163373A JP H06163373 A JPH06163373 A JP H06163373A JP 31226592 A JP31226592 A JP 31226592A JP 31226592 A JP31226592 A JP 31226592A JP H06163373 A JPH06163373 A JP H06163373A
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- pattern
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】荷電粒子ビーム露光装置、例えば、電子ビーム
露光装置を使用した描画を行うために作成された描画デ
ータを近接効果補正を行うことができるように処理する
描画データ処理方法に関し、データ処理時間の短縮化を
図ることができるようにし、しかも、描画時間の長大化
をもたらさないようにする。 【構成】描画データ上、電子ビーム描画領域１を小領域
２に分割して、パターンが存在する小領域２には数値
１、パターンが存在しない小領域２には数値０を割り当
て、パターンが存在する各小領域２について、周囲の隣
接した８つの小領域２に割り付られた数値を加算し、そ
の加算値をドーズ量のランク値として割り当て、このラ
ンク値に応じてドーズ量を決定する。
露光装置を使用した描画を行うために作成された描画デ
ータを近接効果補正を行うことができるように処理する
描画データ処理方法に関し、データ処理時間の短縮化を
図ることができるようにし、しかも、描画時間の長大化
をもたらさないようにする。 【構成】描画データ上、電子ビーム描画領域１を小領域
２に分割して、パターンが存在する小領域２には数値
１、パターンが存在しない小領域２には数値０を割り当
て、パターンが存在する各小領域２について、周囲の隣
接した８つの小領域２に割り付られた数値を加算し、そ
の加算値をドーズ量のランク値として割り当て、このラ
ンク値に応じてドーズ量を決定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム露光装
置、例えば、電子ビーム露光装置を使用した描画を行う
ために作成された描画データを近接効果を補正した描画
を行うことができるように処理する描画データ処理方法
に関する。
置、例えば、電子ビーム露光装置を使用した描画を行う
ために作成された描画データを近接効果を補正した描画
を行うことができるように処理する描画データ処理方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の集積度は、年々、高まってお
り、半導体メモリの分野においては、既に、２５６Ｍビ
ットのＤＲＡＭ（dynamic random access memory）の開
発が進められている。
り、半導体メモリの分野においては、既に、２５６Ｍビ
ットのＤＲＡＭ（dynamic random access memory）の開
発が進められている。
【０００３】この開発には、サブクォータ・ミクロン・
サイズのパターンを描画できる描画装置が必要となる
が、このような描画を行うことができる描画装置の一つ
として電子ビーム描画装置がある。
サイズのパターンを描画できる描画装置が必要となる
が、このような描画を行うことができる描画装置の一つ
として電子ビーム描画装置がある。
【０００４】この電子ビーム描画装置において、高い寸
法精度をだすためには、近接したパターンを描画する場
合における後方散乱のために形状が歪んでしまう近接効
果を考慮し、この近接効果を補正し得る描画方法を採用
する必要がある。
法精度をだすためには、近接したパターンを描画する場
合における後方散乱のために形状が歪んでしまう近接効
果を考慮し、この近接効果を補正し得る描画方法を採用
する必要がある。
【０００５】ここに、従来、近接効果を補正し得る電子
ビーム描画方法として、前方散乱を表わす指数関数と後
方散乱を表わす指数関数との和からなる近接効果関数に
よりパターン内及びパターン間の近接効果の程度を表わ
し、矩形、三角形、平行四辺形等の１つ１つの基本図形
に対しての電子ビームのドーズ量（照射量）を計算した
上で描画するという方法が提案されている（Mihir Pari
kh：“Corrections toproximity effects in electron
beam lithography”，J.Appl.Phys.，Vol.50，NO.6，P4
371-P4377，June 1979）。
ビーム描画方法として、前方散乱を表わす指数関数と後
方散乱を表わす指数関数との和からなる近接効果関数に
よりパターン内及びパターン間の近接効果の程度を表わ
し、矩形、三角形、平行四辺形等の１つ１つの基本図形
に対しての電子ビームのドーズ量（照射量）を計算した
上で描画するという方法が提案されている（Mihir Pari
kh：“Corrections toproximity effects in electron
beam lithography”，J.Appl.Phys.，Vol.50，NO.6，P4
371-P4377，June 1979）。
【０００６】この電子ビーム描画方法が採用する近接効
果補正のためのデータ処理においては、基本図形上にド
ーズ量を評価するためのサンプル点が複数個設定され、
一定領域内に存在する全ての近接のパターンがこれら複
数のサンプル点に及ぼす影響を計算し、複数のサンプル
点の平均値で評価されるドーズ量が全基本図形でほぼ同
等になるように、各基本図形ごとにドーズ量が計算され
る。
果補正のためのデータ処理においては、基本図形上にド
ーズ量を評価するためのサンプル点が複数個設定され、
一定領域内に存在する全ての近接のパターンがこれら複
数のサンプル点に及ぼす影響を計算し、複数のサンプル
点の平均値で評価されるドーズ量が全基本図形でほぼ同
等になるように、各基本図形ごとにドーズ量が計算され
る。
【０００７】この近接効果補正方法は、描画対象がメガ
・ビット級以上のＤＲＡＭのようにパターンが数百万個
を越えるような集積回路の場合、大型計算機を使用した
としても十時間を越えるデータ処理時間が必要となり、
スループットが極めて低い。この傾向は集積度が上がる
につれてますます深刻になり、スーパーコンピュータ、
並列プロセッサ計算機を用いてさえ解決できる問題では
ない。
・ビット級以上のＤＲＡＭのようにパターンが数百万個
を越えるような集積回路の場合、大型計算機を使用した
としても十時間を越えるデータ処理時間が必要となり、
スループットが極めて低い。この傾向は集積度が上がる
につれてますます深刻になり、スーパーコンピュータ、
並列プロセッサ計算機を用いてさえ解決できる問題では
ない。
【０００８】そこで、このような計算の繁雑さを回避す
るようにした電子ビーム描画方法として、ゴースト（Ｇ
ＨＯＳＴ）描画法と称される電子ビーム描画方法（Gera
intOwen and Paul Rissman：“Proximity effect corre
ction for electron beamlithography by equalization
of background dose”，J.Appl.Phys.，Vol.54，NO.
6，P3573-P3581，June 1983）や、縁取り描画法と称さ
れる電子ビーム描画方法（F.Murai，Y.Nakayama，I.Sak
ama，T.Kaga，Y.Nakagome，Y.Kawamoto，andS.Okazak
i：“ELECTRON BEAM DIRECT WRITING TECHNOLOGY FOR 6
4-Mb DRAM LSIS”，JJAP Series４，P172-P173，1990）
が提案されている。
るようにした電子ビーム描画方法として、ゴースト（Ｇ
ＨＯＳＴ）描画法と称される電子ビーム描画方法（Gera
intOwen and Paul Rissman：“Proximity effect corre
ction for electron beamlithography by equalization
of background dose”，J.Appl.Phys.，Vol.54，NO.
6，P3573-P3581，June 1983）や、縁取り描画法と称さ
れる電子ビーム描画方法（F.Murai，Y.Nakayama，I.Sak
ama，T.Kaga，Y.Nakagome，Y.Kawamoto，andS.Okazak
i：“ELECTRON BEAM DIRECT WRITING TECHNOLOGY FOR 6
4-Mb DRAM LSIS”，JJAP Series４，P172-P173，1990）
が提案されている。
【０００９】これらゴースト描画法及び縁取り法は、Ｄ
ＲＡＭのパターンを描画することを目的に開発された電
子ビーム描画方法である。即ち、ＤＲＡＭのパターン
は、比較的大きなまとまり、通常、数Ｍビット分のまと
まり（以下、セルという）が数個（数ビット分）の図形
の集まりを規則正しく繰り返し配置された形であるの
で、セルの外側１〜２μｍ以外の部分における近接効果
の影響は一様であり、そのような領域のパターンに対し
て図形１つ１つのドーズ量を計算するのは、時間の無駄
であり、他方、すべてのパターンのドーズ量を同一にす
る場合には、セルの外側１〜２μｍの部分は露光量不足
となり、パターンが細くなってしまうということを考慮
し、副次的なパターンを新たに発生させることにより近
接効果補正を行うという描画方法である。
ＲＡＭのパターンを描画することを目的に開発された電
子ビーム描画方法である。即ち、ＤＲＡＭのパターン
は、比較的大きなまとまり、通常、数Ｍビット分のまと
まり（以下、セルという）が数個（数ビット分）の図形
の集まりを規則正しく繰り返し配置された形であるの
で、セルの外側１〜２μｍ以外の部分における近接効果
の影響は一様であり、そのような領域のパターンに対し
て図形１つ１つのドーズ量を計算するのは、時間の無駄
であり、他方、すべてのパターンのドーズ量を同一にす
る場合には、セルの外側１〜２μｍの部分は露光量不足
となり、パターンが細くなってしまうということを考慮
し、副次的なパターンを新たに発生させることにより近
接効果補正を行うという描画方法である。
【００１０】確かに、これらゴースト描画法や縁取り描
画法は、近接効果補正に必要な描画データの処理に要す
る時間の短縮化に大きな効果を発揮する電子ビーム描画
方法である。
画法は、近接効果補正に必要な描画データの処理に要す
る時間の短縮化に大きな効果を発揮する電子ビーム描画
方法である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらゴース
ト描画法や縁取り描画法においては、副次的なパターン
を新たに発生させる必要があるため、１つ１つの基本図
形に対してドーズ量を計算した上で描画を行うという電
子ビーム描画方法に比べて、描画そのものに要する時間
が遙に長くなり、電子ビーム描画方法の最大の問題であ
る低スループットの問題を更に悪化させてしまい、現在
開発中の２５６ＭビットのＤＲＡＭ等を製造する場合に
使用できるものではない。
ト描画法や縁取り描画法においては、副次的なパターン
を新たに発生させる必要があるため、１つ１つの基本図
形に対してドーズ量を計算した上で描画を行うという電
子ビーム描画方法に比べて、描画そのものに要する時間
が遙に長くなり、電子ビーム描画方法の最大の問題であ
る低スループットの問題を更に悪化させてしまい、現在
開発中の２５６ＭビットのＤＲＡＭ等を製造する場合に
使用できるものではない。
【００１２】本発明は、かかる点に鑑み、近接効果補正
に必要な描画データ処理に要する時間の短縮化を図るこ
とができ、しかも、描画時間の長大化をもたらすことの
ない電子ビーム描画方法等、荷電粒子ビーム露光方法を
提供することを目的とする。
に必要な描画データ処理に要する時間の短縮化を図るこ
とができ、しかも、描画時間の長大化をもたらすことの
ない電子ビーム描画方法等、荷電粒子ビーム露光方法を
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子ビ
ーム描画方法は、描画データ上、荷電粒子ビーム描画領
域を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が生じ
る規模の小領域に分割し、パターンが存在する各小領域
ごとに、パターンが存在する隣接する小領域との関係を
考慮して、描画データについて近接効果補正処理を行う
というものである。
ーム描画方法は、描画データ上、荷電粒子ビーム描画領
域を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が生じ
る規模の小領域に分割し、パターンが存在する各小領域
ごとに、パターンが存在する隣接する小領域との関係を
考慮して、描画データについて近接効果補正処理を行う
というものである。
【００１４】
【作用】本発明によれば、荷電粒子ビーム描画領域を小
領域に分割し、パターンが存在する各小領域ごとに、パ
ターンが存在する隣接する小領域との関係を考慮して、
描画データについて近接効果補正処理を行うようにして
いるが、小領域は、隣接する領域内のパターンにより近
接効果が生じる規模の大きさとしているので、近接効果
を補正し得る描画を行うことができる。
領域に分割し、パターンが存在する各小領域ごとに、パ
ターンが存在する隣接する小領域との関係を考慮して、
描画データについて近接効果補正処理を行うようにして
いるが、小領域は、隣接する領域内のパターンにより近
接効果が生じる規模の大きさとしているので、近接効果
を補正し得る描画を行うことができる。
【００１５】即ち、本発明は、近接効果補正を行うにつ
き、描画データ上、荷電粒子ビーム描画領域を、隣接す
る領域内のパターンにより近接効果が生じる規模の小領
域に分割し、パターンが存在する各小領域ごとに、パタ
ーンが存在する隣接する小領域との関係を考慮して、描
画データについて近接効果補正処理を行うという簡単な
描画データ処理を行えば足りるようにしたものである。
この結果、近接効果補正に必要な描画データ処理に要す
る時間の短縮化を図ることができる。
き、描画データ上、荷電粒子ビーム描画領域を、隣接す
る領域内のパターンにより近接効果が生じる規模の小領
域に分割し、パターンが存在する各小領域ごとに、パタ
ーンが存在する隣接する小領域との関係を考慮して、描
画データについて近接効果補正処理を行うという簡単な
描画データ処理を行えば足りるようにしたものである。
この結果、近接効果補正に必要な描画データ処理に要す
る時間の短縮化を図ることができる。
【００１６】また、本発明によれば、ゴースト描画法
や、縁取り描画法のように、副次的なパターンを新たに
発生させる必要がなく、１つ１つの基本図形に対してド
ーズ量を計算した上で描画を行うという電子ビーム描画
方法と同様な描画を行えば足りる。したがって、描画時
間の長大化をもたらすこともない。
や、縁取り描画法のように、副次的なパターンを新たに
発生させる必要がなく、１つ１つの基本図形に対してド
ーズ量を計算した上で描画を行うという電子ビーム描画
方法と同様な描画を行えば足りる。したがって、描画時
間の長大化をもたらすこともない。
【００１７】
【実施例】以下、図１〜図３を参照して、本発明の実施
例について、電子ビーム描画装置による描画を行うため
の描画データを処理する場合を例にして説明する。
例について、電子ビーム描画装置による描画を行うため
の描画データを処理する場合を例にして説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施例における描画デー
タ処理手順を示すフローチャート、図２は本発明の一実
施例の内容を説明するための概念図であり、本実施例で
は、まず、階層構造に圧縮されている設計データを展開
し、図２（Ａ）に示すように、電子ビーム描画領域１
を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が生じる
規模の小領域、例えば、一辺の長さを後方散乱の半径程
度の長さ（１〜２μｍ）とする矩形からなる小領域２に
マトリクス状に分割する（ステップＳ１）。
タ処理手順を示すフローチャート、図２は本発明の一実
施例の内容を説明するための概念図であり、本実施例で
は、まず、階層構造に圧縮されている設計データを展開
し、図２（Ａ）に示すように、電子ビーム描画領域１
を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が生じる
規模の小領域、例えば、一辺の長さを後方散乱の半径程
度の長さ（１〜２μｍ）とする矩形からなる小領域２に
マトリクス状に分割する（ステップＳ１）。
【００１９】次に、図２（Ｂ）に示すように、電子ビー
ム描画領域１を分割してなる小領域２からなる列及び行
にそれぞれ連続する番号をし、小領域２を［ｉ（行の位
置）、ｊ（列の位置）］のように表示できるようにし、
パターンが存在する小領域［ｉ、ｊ］には数値１、パタ
ーンが存在しない小領域［ｉ、ｊ］には数値０を割り付
ける（ステップＳ２）。
ム描画領域１を分割してなる小領域２からなる列及び行
にそれぞれ連続する番号をし、小領域２を［ｉ（行の位
置）、ｊ（列の位置）］のように表示できるようにし、
パターンが存在する小領域［ｉ、ｊ］には数値１、パタ
ーンが存在しない小領域［ｉ、ｊ］には数値０を割り付
ける（ステップＳ２）。
【００２０】次に、パターンが存在する各小領域［ｉ、
ｊ］について、周囲の隣接した８個の小領域［ｉ−１、
ｊ−１］、［ｉ−１、ｊ］、［ｉ−１、ｊ＋１］、
［ｉ、ｊ−１］、［ｉ、ｊ＋１］、［ｉ＋１、ｊ−
１］、［ｉ＋１、ｊ］、［ｉ＋１、ｊ＋１］に割り付け
られたパターンの有無を示す数値を加算し、その加算値
をドーズ量のランク値として、図２（Ｃ）に示すように
割り当てる（ステップＳ３）。
ｊ］について、周囲の隣接した８個の小領域［ｉ−１、
ｊ−１］、［ｉ−１、ｊ］、［ｉ−１、ｊ＋１］、
［ｉ、ｊ−１］、［ｉ、ｊ＋１］、［ｉ＋１、ｊ−
１］、［ｉ＋１、ｊ］、［ｉ＋１、ｊ＋１］に割り付け
られたパターンの有無を示す数値を加算し、その加算値
をドーズ量のランク値として、図２（Ｃ）に示すように
割り当てる（ステップＳ３）。
【００２１】例えば、小領域［２、３］の場合、小領域
［１、２］、［１、３］、［１、４］、［２、２］、
［２、４］、［３、２］、［３、３］、［３、４］に割
り付けられたパターンの有無を示す数値は、それぞれ、
０、０、０、０、１、０、１、１であるから、ランク値
は、これらを加算した３となる。なお、図２（Ｃ）にお
いて、空欄はパターンの存在しない領域である。
［１、２］、［１、３］、［１、４］、［２、２］、
［２、４］、［３、２］、［３、３］、［３、４］に割
り付けられたパターンの有無を示す数値は、それぞれ、
０、０、０、０、１、０、１、１であるから、ランク値
は、これらを加算した３となる。なお、図２（Ｃ）にお
いて、空欄はパターンの存在しない領域である。
【００２２】ここに、ランク値が小さい小領域２ほど、
パターンが存在する隣接する小領域２の数が少ないの
で、近接効果の影響が小さく、ランク値が大きい小領域
２ほど、パターンが存在する隣接する小領域２の数が多
いので、近接効果の影響が大きいと言える。なお、この
例の場合、ランク値の最低は０、最高は８である。
パターンが存在する隣接する小領域２の数が少ないの
で、近接効果の影響が小さく、ランク値が大きい小領域
２ほど、パターンが存在する隣接する小領域２の数が多
いので、近接効果の影響が大きいと言える。なお、この
例の場合、ランク値の最低は０、最高は８である。
【００２３】そこで、本実施例では、ランク値が小さい
小領域２ほど大きなドーズ量、ランク値が大きい小領域
２ほど小さなドーズ量となるように、ランク値とドーズ
量とを対応させてなるデータ・テーブルを用意してお
き、このデータ・テーブルを使用して、パターンが存在
する各小領域２内のパターンに対するドーズ量を決定す
る（ステップＳ４）。
小領域２ほど大きなドーズ量、ランク値が大きい小領域
２ほど小さなドーズ量となるように、ランク値とドーズ
量とを対応させてなるデータ・テーブルを用意してお
き、このデータ・テーブルを使用して、パターンが存在
する各小領域２内のパターンに対するドーズ量を決定す
る（ステップＳ４）。
【００２４】このように、本実施例によれば、電子ビー
ム描画領域１を一辺を後方散乱の半径程度の長さとする
矩形からなる小領域２に分割し、パターンが存在する各
小領域２ごとに、パターンが存在する隣接する小領域２
の数を考慮して、描画データについて近接効果補正処理
を行うようにしているが、小領域２は、隣接する領域内
のパターンにより近接効果が生じる規模の大きさである
一辺を後方散乱の半径程度の長さとする矩形としている
ので、近接効果を補正し得る描画を行うことができる。
ム描画領域１を一辺を後方散乱の半径程度の長さとする
矩形からなる小領域２に分割し、パターンが存在する各
小領域２ごとに、パターンが存在する隣接する小領域２
の数を考慮して、描画データについて近接効果補正処理
を行うようにしているが、小領域２は、隣接する領域内
のパターンにより近接効果が生じる規模の大きさである
一辺を後方散乱の半径程度の長さとする矩形としている
ので、近接効果を補正し得る描画を行うことができる。
【００２５】即ち、本実施例によれば、電子ビーム描画
領域１を小領域２に分割し、パターンが存在する小領域
２には数値１、パターンが存在しない小領域２には数値
０を割り当て、パターンが存在する各小領域２につい
て、周囲の隣接した８つの小領域２に割り付けられた数
値を加算し、その加算値をドーズ量のランク値として割
り当て、このランク値に応じてドーズ量を補正するとい
う、極めて簡単なデータ処理を行うことにより、近接効
果補正を行うことができるようにしているので、近接効
果補正を行うに必要な描画データ処理に要する時間の短
縮化を図ることができる。
領域１を小領域２に分割し、パターンが存在する小領域
２には数値１、パターンが存在しない小領域２には数値
０を割り当て、パターンが存在する各小領域２につい
て、周囲の隣接した８つの小領域２に割り付けられた数
値を加算し、その加算値をドーズ量のランク値として割
り当て、このランク値に応じてドーズ量を補正するとい
う、極めて簡単なデータ処理を行うことにより、近接効
果補正を行うことができるようにしているので、近接効
果補正を行うに必要な描画データ処理に要する時間の短
縮化を図ることができる。
【００２６】また、本実施例によれば、ゴースト描画法
や縁取り描画法のように、副次的なパターンを新たに発
生させる必要がなく、１つ１つの基本図形に対してドー
ズ量を計算した上で描画を行うという電子ビーム描画方
法と同様な描画を行えば足りるので、描画時間の長大化
をもたらすこともない。
や縁取り描画法のように、副次的なパターンを新たに発
生させる必要がなく、１つ１つの基本図形に対してドー
ズ量を計算した上で描画を行うという電子ビーム描画方
法と同様な描画を行えば足りるので、描画時間の長大化
をもたらすこともない。
【００２７】なお、上述の実施例においては、描画デー
タの近接効果補正処理としてドーズ量を補正するように
した場合について説明したが、この代わりに、サイズ補
正、あるいは、ドーズ量補正及びサイズ補正を組み合わ
せてなる補正を行うようにしても良い。
タの近接効果補正処理としてドーズ量を補正するように
した場合について説明したが、この代わりに、サイズ補
正、あるいは、ドーズ量補正及びサイズ補正を組み合わ
せてなる補正を行うようにしても良い。
【００２８】また、上述の実施例においては、パターン
が存在している各小領域２について、隣接した周囲の８
つの小領域２に割り付けられたパターンの有無を示す数
値をそのまま加算しているが、この代わりに、四隅の小
領域２と、前後左右の小領域２とでパターンの有無を示
す数値の重みけを変えて加算するようにしても良く、こ
のようにする場合には、近接効果補正の精度を高めるこ
とができる。
が存在している各小領域２について、隣接した周囲の８
つの小領域２に割り付けられたパターンの有無を示す数
値をそのまま加算しているが、この代わりに、四隅の小
領域２と、前後左右の小領域２とでパターンの有無を示
す数値の重みけを変えて加算するようにしても良く、こ
のようにする場合には、近接効果補正の精度を高めるこ
とができる。
【００２９】また、上述の実施例においては、パターン
の繰り返し配置枠に関係なく、電子ビーム描画領域１を
一辺の長さを後方散乱の半径程度とする矩形からなる小
領域２にマトリクス状に機械的に分割するようにした場
合について説明したが、この代わりに、小領域２への分
割をパターンの繰り返し配置枠を利用して行うようにし
ても良い。
の繰り返し配置枠に関係なく、電子ビーム描画領域１を
一辺の長さを後方散乱の半径程度とする矩形からなる小
領域２にマトリクス状に機械的に分割するようにした場
合について説明したが、この代わりに、小領域２への分
割をパターンの繰り返し配置枠を利用して行うようにし
ても良い。
【００３０】このようにする場合には、パターンの存在
しない領域は、初めから排除され、上述の実施例よりも
データ処理が軽くなり、更に、ＤＲＡＭのような場合に
は、同じようなドーズ量がランクけされた繰り返しパタ
ーンに対してパターンマトリクス展開あるいはサブデフ
マトリクス展開後のデータの圧縮が容易となり、例え
ば、１／１０００〜１／１００００程度の圧縮が可能と
なる。
しない領域は、初めから排除され、上述の実施例よりも
データ処理が軽くなり、更に、ＤＲＡＭのような場合に
は、同じようなドーズ量がランクけされた繰り返しパタ
ーンに対してパターンマトリクス展開あるいはサブデフ
マトリクス展開後のデータの圧縮が容易となり、例え
ば、１／１０００〜１／１００００程度の圧縮が可能と
なる。
【００３１】また、設計データの展開、パターンの有無
を示す数値の割り付けまでを電子計算機で行い、ドーズ
量のランク値の計算、ドーズ量の補正計算を専用演算回
路で処理するようにしても良く、図３は、この専用演算
回路の一例を示している。
を示す数値の割り付けまでを電子計算機で行い、ドーズ
量のランク値の計算、ドーズ量の補正計算を専用演算回
路で処理するようにしても良く、図３は、この専用演算
回路の一例を示している。
【００３２】図中、３1〜３8は小領域［ｉ−１、ｊ−
１］、［ｉ−１、ｊ］、［ｉ−１、ｊ＋１］、［ｉ、ｊ
−１］、［ｉ、ｊ＋１］、［ｉ＋１、ｊ−１］、［ｉ＋
１、ｊ］、［ｉ＋１、ｊ＋１］に割り付けられたパター
ンの有無を示す数値１又は０に対応する電圧（数値１に
対応する電圧としては、例えば、５［Ｖ］、数値０に対
応する電圧としては、０［Ｖ］）が入力される端子であ
る。
１］、［ｉ−１、ｊ］、［ｉ−１、ｊ＋１］、［ｉ、ｊ
−１］、［ｉ、ｊ＋１］、［ｉ＋１、ｊ−１］、［ｉ＋
１、ｊ］、［ｉ＋１、ｊ＋１］に割り付けられたパター
ンの有無を示す数値１又は０に対応する電圧（数値１に
対応する電圧としては、例えば、５［Ｖ］、数値０に対
応する電圧としては、０［Ｖ］）が入力される端子であ
る。
【００３３】また、４1〜４8は小領域［ｉ−１、ｊ−
１］、［ｉ−１、ｊ］、［ｉ−１、ｊ＋１］、［ｉ、ｊ
−１］、［ｉ、ｊ＋１］、［ｉ＋１、ｊ−１］、［ｉ＋
１、ｊ］、［ｉ＋１、ｊ＋１］の位置を考慮した重みけ
を行うための抵抗である。
１］、［ｉ−１、ｊ］、［ｉ−１、ｊ＋１］、［ｉ、ｊ
−１］、［ｉ、ｊ＋１］、［ｉ＋１、ｊ−１］、［ｉ＋
１、ｊ］、［ｉ＋１、ｊ＋１］の位置を考慮した重みけ
を行うための抵抗である。
【００３４】また、５は重み付けされた数値１に対応す
る電圧を加算し、ドーズ量のランク値を出力するアナロ
グ加算回路、６はアナログ加算回路５から出力されるラ
ンク値を増幅する増幅器、７は増幅器６から出力される
ランク値をデジタル変換してなるドーズ量データを出力
するＡ／Ｄコンバータである。
る電圧を加算し、ドーズ量のランク値を出力するアナロ
グ加算回路、６はアナログ加算回路５から出力されるラ
ンク値を増幅する増幅器、７は増幅器６から出力される
ランク値をデジタル変換してなるドーズ量データを出力
するＡ／Ｄコンバータである。
【００３５】なお、このような専用演算回路は、電子計
算機に組込むことができ、このような専用演算回路を使
用する場合には、並列処理を容易に行うことができ、上
述の実施例以上のデータ処理の高速化を図ることができ
る。
算機に組込むことができ、このような専用演算回路を使
用する場合には、並列処理を容易に行うことができ、上
述の実施例以上のデータ処理の高速化を図ることができ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、近接効
果補正を行うにつき、描画データ上、荷電粒子ビーム描
画領域を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が
生じる規模の小領域に分割し、パターンが存在する各小
領域ごとに、パターンが存在する隣接する小領域との関
係を考慮して、描画データについて近接効果補正処理を
行うという簡単な描画データ処理を行えば足りるように
しているので、近接効果補正に必要な描画データ処理に
要する時間の短縮化を図ることができ、しかも、ゴース
ト描画法や縁取り描画法のように、副次的なパターンを
新たに発生させる必要がないので、描画時間の長大化を
もたらすこともない。
果補正を行うにつき、描画データ上、荷電粒子ビーム描
画領域を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が
生じる規模の小領域に分割し、パターンが存在する各小
領域ごとに、パターンが存在する隣接する小領域との関
係を考慮して、描画データについて近接効果補正処理を
行うという簡単な描画データ処理を行えば足りるように
しているので、近接効果補正に必要な描画データ処理に
要する時間の短縮化を図ることができ、しかも、ゴース
ト描画法や縁取り描画法のように、副次的なパターンを
新たに発生させる必要がないので、描画時間の長大化を
もたらすこともない。
【図１】本発明の一実施例おける描画データ処理手順を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施例の内容を説明するための概念
図である。
図である。
【図３】ドーズ量のランク値の計算、ドーズ量の補正計
算を専用に行う演算回路の一例を示す回路図である。
算を専用に行う演算回路の一例を示す回路図である。
１ 電子ビーム描画領域 ２ 小領域
Claims (5)
- 【請求項１】描画データ上、荷電粒子ビーム描画領域
を、隣接する領域内のパターンにより近接効果が生じる
規模の小領域に分割し、パターンが存在する各小領域ご
とに、パターンが存在する隣接する小領域との関係を考
慮して、描画データについて近接効果補正処理を行うこ
とを特徴とする描画データ処理方法。 - 【請求項２】前記荷電粒子ビーム描画領域の小領域への
分割は、パターンの繰り返し配置枠に関係なく、一辺の
長さを後方散乱の半径程度とする大きさの矩形を小領域
として、この小領域がマトリクス状に配置されるように
行われることを特徴とする請求項１記載の描画データ処
理方法。 - 【請求項３】前記荷電粒子ビーム描画領域の小領域への
分割は、パターンの繰り返し配置枠を利用して行われる
ことを特徴とする請求項１記載の描画データ処理方法。 - 【請求項４】前記パターンが存在する隣接する小領域と
の関係の考慮は、パターンが存在する小領域には数値
１、パターンが存在しない小領域には数値０をし、隣接
する小領域にされている数値を、そのまま加算した加算
値か、あるいは、パターンが存在する小領域について、
その位置を考慮した重みけを前記数値１に行うことによ
り加算した加算値に基づくことを特徴とする請求項１、
２又は３記載の描画データ処理方法。 - 【請求項５】前記荷電粒子ビーム描画領域の小領域への
分割及び前記数値の割り付けを電子計算機で行い、前記
隣接する小領域にされている数値の加算及びドーズ量の
補正計算を前記隣接する小領域にされている数値に対応
する電圧が並列に入力される加算回路を有してなる専用
演算回路で行うことを特徴とする請求項４記載の描画デ
ータ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31226592A JPH06163373A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 描画データ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31226592A JPH06163373A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 描画データ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163373A true JPH06163373A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18027166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31226592A Withdrawn JPH06163373A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 描画データ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016027609A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-02-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP31226592A patent/JPH06163373A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016027609A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-02-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |