KR101676078B1 - 후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈 - Google Patents

후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101676078B1
KR101676078B1 KR1020127029692A KR20127029692A KR101676078B1 KR 101676078 B1 KR101676078 B1 KR 101676078B1 KR 1020127029692 A KR1020127029692 A KR 1020127029692A KR 20127029692 A KR20127029692 A KR 20127029692A KR 101676078 B1 KR101676078 B1 KR 101676078B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier
contact
perforation
semiconductor cell
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020127029692A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130059346A (ko
Inventor
울리히 샤아프
안드레아스 쿠글러
파트릭 체르러
마르틴 칩펠
파트릭 슈틸러
메틴 코윤쿠
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20130059346A publication Critical patent/KR20130059346A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101676078B1 publication Critical patent/KR101676078B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 접촉측(2)에 접촉 영역(3)이 각각 제공된 후면 접촉식 반도체 셀(1)을 포함하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 것으로서, 다음의 단계들, 즉 적어도 한쪽에 있으며 적어도 섹션별로 전기 전도성을 갖는, 캐리어의 제1 측에 있는 캐리어 코팅(5)을 포함하는 필름형 비전도성 캐리어(4)를 제공하는 단계와, 상기 반도체 셀의 접촉측을 캐리어의 제2 측에 배치하는 단계와, 반도체 셀(1)의 접촉 영역(3)에 천공(10)을 형성하기 위해 상기 캐리어 및 캐리어 코팅을 관통하는 국지적 천공을 실시하는 단계와, 상기 천공(10)을 충진하기 위해 그리고 캐리어의 제1 측 상의 캐리어 코팅과 캐리어의 제2 측 상의 반도체 셀 사이에 접촉부를 형성하기 위해 접촉부 형성 수단(11)을 도포하는 단계를 포함한다.

Description

후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈{METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC MODULE COMPRISING SEMICONDUCTOR CELLS CONTACT-CONNECTED ON THE REAR SIDE, AND PHOTOVOLTAIC MODULE}
본 발명은 후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
반도체를 기반으로 한, 종래 기술에 공지된 태양 전지 모듈은 전체적으로 반도체 셀로 이루어진다. 이들 내에 외부 입사광이 작용하여 전압이 형성된다. 이런 반도체 셀들은 바람직한 방식으로 서로 연결되어 있으므로, 태양 전지 모듈로부터 가능한 한 높은 전류 강도가 얻어질 수 있다. 그러므로 반도체 셀의 접촉부 형성 및 바람직한 라인 가이드가 상기 태양 전지 모듈 내에 필요하다.
공지된 태양 전지 모듈의 경우에 라인 가이드를 위해 소위 작은 밴드가 이용되었다. 이는 일반적으로 밴드 형태로 형성되고 금속, 특히 구리로 이루어진 도체 섹션이다. 작은 밴드와 연결된 반도체 셀과 작은 밴드 사이의 접촉부 형성은 일반적으로 연납 연결에 의해 이루어진다. 이런 경우 반도체 셀의 광 활성화된 상부측의 접촉부는 그 다음 반도체 셀의 광 반대편의 후방측으로 안내된다. 작은 밴드와 반도체 셀 사이 접촉 지점들에는 반도체 셀 위에서 금속화되는 접촉 영역들이 위치하며, 납땜 연결이 상기 접촉 영역에서 이루어진다.
이러한 종류의 태양 전지 모듈의 광효율을 향상하기 위해, 반도체 셀의 광 비활성화 후면에 전술한 접촉부들을 전부 배치하려는 시도가 이루어졌다. 그런 경우 광 비활성화 측이 각각의 반도체 셀의 접촉측을 형성한다. 이때 공동의 접촉측에 배치된 접촉 영역은 상이한 전위로 접촉부 형성되어야 한다. 구현될 연결 및 주어진 기하학적 배치에서 복수의 반도체 셀의 경우에 이런 요구 때문에 접촉부 형성의 정확성이 상당하게 요구되므로, 연결 에러 및 단락 연결이 확실히 억제될 수 있다. 주어진 셀 배치에서 반도체 셀의 정확한 위치 설정이라는 관점에서 이와 관련된 난점이 있기 때문에, 태양 전지 모듈의 에너지 출력 관점에서 유리한 후면 접촉부가 복잡한 제조 공정을 수반하고, 이러한 제조 공정은 무엇보다도 상기 유형의 모듈의 합리적 대량 생산을 방해한다.
접촉측에 각각 제공된 접촉 영역을 포함하는 후면 접촉식 반도체 셀을 갖는 태양 전지 모듈의 제조 방법은 하기의 방법 단계들을 포함한다.
적어도 한쪽에 있으며 적어도 섹션별로 전기 전도성을 갖고, 캐리어의 제1 측에 있는 캐리어 코팅을 포함하는 필름형 비전도성 캐리어가 제공된다. 그 후 상기 반도체 셀의 접촉측은 캐리어의 제2 측에 배치된다. 이어서 반도체 셀의 접촉 영역에 천공을 형성하기 위해 상기 캐리어 및 전도성 캐리어 코팅을 관통하는 국지적 천공이 실시된다. 다음 단계로서, 상기 천공을 충진하기 위해 그리고 캐리어의 제1 측 상의 캐리어 코팅과 캐리어의 제2 측 상의 반도체 셀 사이에 접촉부를 형성하기 위해 접촉부 형성 수단이 도포된다.
그러므로 시작은 적어도 한쪽에 전도성 코팅을 갖는 캐리어 필름에서 한다. 상기 반도체 셀은 다른 캐리어 측에 도포되어 있다. 그러므로 이의 접촉측은 캐리어 바로 위에 있다. 이어서 정확하게는 반도체 셀의 상기 접촉 영역들이 천공을 통해 노출되어 전기적으로 접촉부가 형성될 수 있다. 이런 경우 캐리어 내에 형성된 천공들은 전도성 방식으로 충진되고, 이에 따라 접촉 영역과 캐리어 코팅 사이에 선택적 접촉부가 형성된다.
상기 반도체 셀은 천공 동안에 플라스틱 스트립을 통해, 예를 들어 소위 EVA 테잎을 통해 고정될 수 있다. 바람직하게는 경우에 따라서 태양 전지 모듈 또는 이의 구성 요소의 적층에도 이용되는 플라스틱이 이용된다.
본 발명의 큰 장점으로는 대량 생산 공정에서 종종 나타나는 반도체 셀의 융착 시 위치 부정확성이 문제되지 않는다는 것이다. 반도체 셀과 전도성 캐리어 코팅 사이 접촉부의 실제 위치가, 접촉부 형성이 바로 임박한 경우에야 비로소 결정된다. 그러므로 반도체 셀의 배치 공정은 비교적 넉넉한 제조 공차로도 이루어질 수 있다.
바람직하게는 실시예에서 캐리어 위에 반도체 셀을 배치한 후 반도체 셀의 적층화를 위한 적층 공정이 실시된다. 그러므로 반도체 셀은 상기 캐리어와 고정 연결되고 후속 방법 단계에서 이의 위치를 변경하지 않는다. 게다가 적층된 반도체 셀을 포함하는 캐리어로 이루어진 전체가 복합체를 형성하며, 이러한 복합체는 문제없이 중간 저장되고 후속 방법 단계를 위해 제공될 수 있다.
대안으로서 동일한 적층 공정에서 태양 전지 모듈의 유리 캐리어도 적층될 수 있다.
추가 접촉부 코팅을 형성하는 것이 문제없이 가능하다. 바람직하게는 접촉부 형성 수단의 도포후 하나 이상의 추가 접촉층이 형성되고, 후속 방법 단계들이 실시된다.
접촉부 형성된 캐리어 코팅의 커버가 절연 커버층으로 적어도 섹션별로 이루어진다. 이어서 상기 커버층, 캐리어 및/또는 캐리어 코팅을 관통하는 국지적 천공이 반도체 셀의 접촉 영역에 천공을 형성하기 위해 실시된다. 그 후 접촉부 형성 수단이 천공의 충진을 위해 그리고 커버층 위에서 연장되는 접촉층의 형성을 위해 커버층 위에 도포된다.
각각의 접촉층 내에서 접촉부 형성 수단의 도포를 위해 여러 방법이 이용될 수 있다. 인쇄, 분무 또는 납땜이 가능하다. 상기 납땜을 실시할 때 솔더 캐리어를 통해 납땜 재료가 충진될 천공에 제공되고 천공에서 용융 후 충진된다. 선택적 납땜은 바람직한 실시예에서 레이저 솔더링으로서 실시된다. 이런 경우 상기 용융은 레이저 광이 가해짐으로써 이루어진다.
바람직하게는 국지적 천공을 실시하는 경우, 상기 캐리어 위에 배치되는 반도체 셀의 이미지 인식이 실시되며, 이미지 처리 및/또는 기준점 설정을 통해 천공 장치의 직접적 참고가 각각의 개별 반도체 셀에서 이루어진다.
그러므로 각각의 개별 반도체 셀의 각각의 실제 위치가 제자리에서 검출되고, 접촉부 형성을 위해 제공된 섹션의 노출은 마찬가지로 정확하게 이미지로 인식된 지점에서 이루어진다. 이로 인해 반도체 셀의 배치시의 높은 위치 공차는 고유의 접촉부 형성 공정에 대해 단점으로 작용하지 않는다.
바람직한 실시예에서 X선 장치를 통해 이미지 인식이 이루어진다. 이런 장치는 방사선 투시 이미지를 만든다. 이런 경우 이미지 처리시 각각의 모든 방사선 투시 이미지에서 콘투어 인식이 실시되고 천공 장치는 상기 콘투어 인식의 결과 각각의 천공을 형성하기 위해 상기에서 결정된 위치로 자동으로 이동된다.
바람직한 실시예에서 상기의 국지적 천공은 레이저 천공의 형태로 레이저 천공 장치를 이용하여 실시된다. 그러므로 상기 천공은 매우 정확하게 그리고 비접촉식으로 이루어질 수 있다.
장치 측면에서, 후면 접촉부가 형성된 반도체 셀 전체와 캐리어를 포함하는 태양 전지 모듈이 제공되며 또한 이러한 태양 전지 모듈은 상기 캐리어가 필름 또는 적층물로서 형성되고, 캐리어는 캐리어의 한쪽에 배치된 반도체 셀과, 캐리어의 다른 쪽 위의 전도성 재료로 이루어진 도체 스트립 사이에 접촉부를 형성하기 위해 반도체 셀의 영역에서 전도성 재료로 충진된 천공을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 재료는 바람직하게는 전도성 적층물, 잉크, 페이스트 또는 땜납으로서 형성되어 있다.
본 발명에 따른 방법 및 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 하기에서 실시예들을 참고로 더 상세히 설명될 수 있다. 유의할 것은 도면들은 설명되는 특징만을 가지며 본 발명을 그 어떤 형태로도 제한하려는 것은 아니라는 점이다.
도 1은 캐리어 위에 반도체 셀의 배치 단계에 관한 도면이다.
도 2는 캐리어 위에 배치된 반도체 셀의 적층 단계에 관한 도면이다.
도 3은 캐리어의 국지적 천공에 관한 도면이다.
도 4는 땜납 삽입에 의한 접촉부 형성에 관한 도면이다.
도 5는 국지적 천공의 추가 단계를 포함하는 추가 층 구조체에 관한 도면이다.
도 6은 추가 접촉부 형성 단계에 관한 도면이다.
도 7은 접촉 영역들의 위치 결정을 위한 X선 방법에 관한 도면이다.
도 1에는 캐리어 위에 반도체 셀의 배치 단계가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 반도체 셀(1)은 예를 들어 결정질 태양 전지로서 형성되어 있다. 반도체 셀은 실리콘으로 이루어지거나 이에 비견할만한 반도체 재료로 이루어지며 태양광 에너지를 전기 에너지로 에너지 변환하기 위해 이와 같은 형태의 셀을 위한, 여기에 상세하게 도시되지는 않은 도핑 영역을 갖는다. 각각의 반도체 셀은 접촉 영역(3)이 배치되는 각각 하나의 접촉측(2)을 포함한다. 이러한 접촉 영역은 일반적으로 갈바닉 금속화되어 있다. 이런 융착을 위해 일반적으로 여기에 도시되지 않은 융착 장치가 사용된다.
반도체 셀과, 특히 반도체 셀의 접촉측(2)의 후면 접촉부 형성을 위해 캐리어(4)가 제공된다. 이런 캐리어는 필름형 전기 절연 재료로 이루어지거나 비 전기 전도성 필름의 적층물로 이루어진다. 상기 캐리어 위에 반도체 셀을 고정하는 경우 플라스틱 필름(4a)이 이용된다. 이러한 플라스틱 필름은 예를 들어 테잎 형태를 가지며 띠 형상으로 도포되는 에틸렌 초산 비닐(EVA)로 이루어진다.
대안으로서 반도체 셀은 마찬가지로 비 전기 전도성 방식으로 캐리어에 부착될 수 있다. 그러한 경우에 상기 캐리어는 부착 표면을 가지며, 이는 여기에 별도로 표시되지는 않았다. 이와 관련한 실시예들은 하기에서 도 5 내지 도 7에 도시되어 있다.
캐리어(4)는 여기에서 한쪽만 도포된 전기 전도성 캐리어 코팅(5)을 갖는다. 이런 캐리어 코팅은, 적층물의 형태를 가지며 상기 캐리어와 연결된 증착된 금속층 또는 금속 필름으로서 형성될 수 있다. 상기 캐리어 코팅은 전체 면적에 형성될 수 있거나 섹션별로 형성될 수 있다. 여기에 도시된 예에서 상기 코팅은 넓은 영역들의 형태를 갖도록 형성되어 있으며 이러한 영역들은 일련의 트렌치(6)에 의해 분할되어 있다. 상기 코팅은 예를 들어 구리 또는 비교적 전기 전도성이 우수한 재료로 이루어지고, 이런 재료를 이용하면 접촉부 형성되는 반도체 셀의 직렬 저항이 줄어들 수 있다. 상기 반도체 셀은 이러한 예에서 캐리어의 전기 절연 측에 위치한다.
반도체 셀의 융착 대신에, 여기에 도시되지는 않았지만 유기 전지의 구현을 위해 적절한 재료의 인쇄, 증착 또는 적층이 실시될 수도 있다. 그와 같은 제조 공정의 경우에는 유기 반도체로서 기능하는 고분자, 특히 상응하는 전자 구조를 갖는 공액 고분자 또는 특수하게 합성된 혼성 재료가 필름형 캐리어 위에 도포된다. 이와 같이 형성된 복합체는 유연성이 높고 충분히 얇으며 가공이 매우 용이하고, 하기에 설명되는 방법 단계들 역시 아무런 문제없이 실시될 수 있다.
전기 전도성 캐리어 코팅을 위해 다른 전도성 재료, 특히 예를 들어 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 전도성 고분자나 전도성 산화물이 이용될 수도 있다. 그러나 이들의 전기 전도성은 금속화물에 비해 부분적으로 더 낮다.
도 1에 도시된 배치 공정 다음에는 현 예에서 도 2에 도시된 캡슐화 단계가 이어진다. 이 경우 캐리어 위에 있는 반도체 셀은 적층물(7)로 커버된다. 이와 같은 적층화를 위해 예를 들어 플라스틱 필름이 이용될 수 있으며 진공 적층의 진행 중에 도포된다. 이와 같은 적층화에 특히 에틸렌 초산 비닐(EVA)이 적합하다. 양 재료들은 반도체 셀 전체에 걸쳐 열가소성으로 성형될 수 있다. 만약 상기 적층물이 반도체 셀의 고정에 이용되는 플라스틱 필름 또는 테잎(4a)과 동일 재료로 형성되면 바람직하다.
열가소성 적층물에 대한 대안으로서 반응성 적층 재료가 이용될 수도 있으며 이는 특히 "댐 앤드 필(dam and fill)"이란 이름으로 알려져 있다. 이는 특히 유동성 또는 확장성을 가지며, 전자기 방사선 및/또는 열의 작용하에 투명하게 경화되고 캐리어 위 반도체 셀 전체를 캡슐화해도 투광성을 갖는 재료 또는 재료 혼합물이다. 여기에서 유기 규소 화합물(실리콘)을 기초로 한 플라스틱의 이용도 가능하다.
도 2에 도시된 적층화 및 캡슐화 공정은 필요에 따라서 여기에 도시되지 않은 이후의 태양 전지 모듈의 유리 캐리어 위에 적층화하는 공정과 조합될 수 있다. 이때 유리 캐리어가 적층물 위에 직접 배치되며, 이런 적층물은 동시에 반도체 셀과 필름으로 이루어진 복합체를 유리 캐리어에 연결한다. 그와 같은 경우에 하기의 방법 단계들은 실제 완성된 태양 전지 모듈에서 실시되고, 이러한 경우에만 후면 접촉부가 형성된다.
바람직하게는 그외 방법 단계들을 위해 도 2에 도시된 복합체가 도 3에 도시된 것처럼 회전된다. 캐리어(4), 특히 캐리어의 전도성 캐리어 코팅(5)은 캐리어의 상측을 형성한다.
상기 복합체가 이제 미리 정해진 지점에서 국지적으로 천공된다. 이와 같은 국지적 천공은 여기에 도시된 예에서 레이저 천공 장치(8)를 통해 이루어진다. 레이저 천공 장치는, 반도체 셀 위에 배치되어 캐리어에 의해 커버된 접촉 영역(3)으로 접근하여 각각의 경우에 필요한 지점들에서 레이저 빔(9)을 상기 복합체의 방향으로 발사한다. 이때 명중되는 지점들에서 각각 천공(10)이 형성되고, 이러한 천공에서 접촉 영역(3)이 각각 노출된다. 이런 천공은 점의 형태로 형성될 수도 있고 선이나 면의 형태로도 형성될 수 있다. 양자는 레이저 천공 장치를 통해 매우 간단한 방식으로 달성될 수 있다.
반도체 셀 및 캐리어로 구성된 복합체 위에 있는, 국지적 천공을 위해 제공한 위치들은 하기에서 더 정확하게 설명하는 X선 방법을 통해 영상 인식의 범주에서 사전에 검출된다. 상기 레이저 천공 장치는 이때 검출된 위치 정보를 이용하므로 각각의 개별 위치로 접근한다. 그러므로 제조 공정 상 상기 반도체 셀의 가능한 위치 차이는 중요하지 않으며 완전히 상쇄된다.
도 4에는 후속하는 반도체 셀의 후면 접촉부가 도시되어 있다. 이런 방법 단계에서는 미리 형성된 천공(10)이 전도성 재료로 충진된다. 이때 전도성 캐리어 코팅(5)을 갖는 반도체 셀에서 접촉 영역의 접촉부 형성이 이루어진다.
도면에 도시된 예에서 솔더 페이스트 또는 솔더 범프로 이루어진, 솔더 드롭(10a) 형태인 전도성 재료는 솔더 캐리어(10b)에 의해 이를 위해 제공된 천공(10)에 공급되어 융착된다. 그 후 상기 접촉 영역 및 솔더 페이스트 또는 솔더 범프의 선택적 용융이 이루어지고, 상기 접촉 영역(3)과 전도성 캐리어 코팅(5) 사이에 접촉부(11)가 형성된다. 이를 위해 레이저 솔더링 방법이 이용될 수 있다. 땜납을 통한 습윤(wetting)을 문제없이 보장하기 위해, 천공시 캐리어 내에 만들어진 홀을 미리 별도의 금속화시키는 것이 바람직한 것으로 증명되었다. 이런 금속화는 증착, 인쇄 또는 분무를 통해 실시될 수 있다.
이와 같은 솔더링 대신에 페이스트 또는 전도성 잉크의 인쇄 또는 융착이 점 형태로 또는 선 형태로 이루어질 수도 있다. 모든 접촉부 형성 공정은 영상 제어되어 실시될 수 있으며, 이때 이미 국지적 천공에 이용된 영상 인식 유닛 및/또는 이때 얻어진 위치 데이터가 이용될 수 있다.
그와 같은 경우에 예를 들어 레이저 천공 장치는 이를 위해 정해진 지점에 천공을 제공할 수 있으며, 이때 접근된 위치를 솔더 캐리어의 조정 장치에 전송하고, 그 다음 위치로 이동할 수 있으며 그동안 방금 형성된 천공에 접촉부가 형성된다. 그러므로 이런 공정 흐름의 경우에 상기 천공 형성 및 접촉부 형성은 원칙적으로 단일의 작업 공정 내에서 이루어진다.
이런 점에서 주목되는 것은 기본적으로, 전도성 캐리어 코팅(5)을 포함하는 반도체 셀(1)에 있는 접촉 영역(3)의 신뢰성 있는 전기 접촉부(11)를 보장하는, 전도성 재료로 천공(10)을 충진하는 모든 방법이 제공될 수 있다. 이와 같이, 위에서 설명한 방법들에 대한 대안으로서 그외 적절한 방법, 특히 용사 방법이 상기 접촉부 형성에 이용될 수 있다.
적절한 용사 방법에는 예를 들어 저온 가스 용사, 플라즈마 젯에 의한 플라즈마 용사, 와이어 또는 바아를 이용한 화염 용사, 파우더를 이용한 화염 용사, 플라스틱 화염 용사, 고속 화염 용사(HVOF), 폭발 용사, 레이저 용사, 아크 용사, PTA(Plasma Transferred Arc)도 있으며, 이들 중 몇 가지 방법은 하기에서 더 상세히 설명한다.
저온 가스 용사의 경우에 가열된 공정 가스가 팽창을 통해 용사 헤드의 라발 노즐에서 초음속으로 가속되며 이때 가스 젯으로 형성되고 이러한 가스 젯 내에 용사 재료로서 전도성 재료가 저온 입자의 형태로 주입된다. 그러므로 이러한 입자는 스스로 가속되고, 높은 운동 에너지에 의해, 접촉부가 형성될 지점에 충돌한다. 충돌시 이들이 고정적으로 부착되는 치밀화 층으로서 원하는 접촉부를 형성한다. 다른 열적 용사법과 반대로 바람직하게는 이런 방법에서 융해 또는 용융이 불필요하다. 또한, 상기 공정 가스의 온도는 용사 재료의 융점 아래 있으므로, 용사 재료, 즉 전도성 재료의 조직이 바람직하게 변하지 않는다. 그외에도 캐리어의 열적 부하가 적다. 게다가 분명히 제어 가능한 용사 빔 기하 구조가 대부분의 경우에 마스킹의 필요성 없이도 전도성 재료의 도포를 보장한다. 끝으로 이로 인해 용사 손실이 거의 없다.
만약 그 대신에 상기 접촉부 형성이 플라즈마 용사에 의해 구현되면, 플라즈마 소스를 포함하는 플라즈마 헤드로부터 플라즈마 흐름, 소위 플라즈마 젯이 배출되고, 전도성 재료는 용사 재료로서 분말 입자의 형태로 상기 플라즈마 젯 안에 주입되어 있다. 이러한 플라즈마 젯은 분말 입자를 나르고 접촉부 형성 지점으로 분말 입자를 내던진다. 바람직하게는 플라즈마 용사가 정상 분위기에서, 불활성 분위기에서, 진공에서 또는 필요하면 수중에서도 선택적으로 가능하다.
대안적인 2가지 방법 "저온 가스 용사" 또는 "플라즈마 용사"는 하기의 공통적 장점들을 갖는다. 이러한 2가지 방법은 중온에서 실시될 수 있다. 또한, 그와 같은 전도성 재료, 예를 들어 알루미늄 또는 철이 이용될 수 있으며, 이들은 "솔더링" 공정에서 거의 처리될 수 없다. 게다가 특히 알루미늄은 구리보다 훨씬 더 경제적이므로 접촉부 형성을 위한 합리화 가능성을 제공한다. 그외에도 접촉부 형성될 지점에 납땜가능한 표면을 제공하는 것이 불필요하다. 그러므로 납땜가능한 표면의 제공을 위한 실버 페이스트가 생략될 수 있다. 이런 점으로부터 다시 소위 후면 전계(BSF)를 위한 표면을 더 제공할 수 있는 가능성이 나온다.
저온 가스 용사에서 용사 헤드 또는 플라즈마 용사에서 플라즈마 헤드의 위치 설정은 도 4에서 솔더 캐리어(10b)의 위치 설정에 상응하고, 즉 도 4에서 솔더 드롭(10a)을 포함하는 솔더 캐리어(10b)는 용사 헤드 또는 플라즈마 헤드로 대체된다. 이러한 용사 헤드 또는 플라즈마 헤드는 마찬가지로 현재 위치로부터 다음 위치로 이동할 수 있으며 솔더 캐리어(10b)에 대해 위에서 설명한 것과 동일한 처리 방식이 이용된다.
하나 이상의 추가 접촉 스트립 또는 접촉 평면을 도포하는 것이 기본적으로 가능하다. 이와 관련한 예는 도 5 및 도 6에 도시되어 있다. 각각의 경우 다음 접촉 평면의 도포를 위해 앞서 만들어진 접촉부(11)가 전기 절연 커버층(12)으로 커버된다. 이런 커버층은 예를 들어 적층 공정을 통해 도포될 수 있으며, 이때 일반적인 재료들, 특히 EVA 필름이 이용될 수 있다. 이때 제공되는 복합체 내에서, 앞서 설명하였고 도 3에 도시된 천공의 방법 단계, 특히 레이저 천공의 방법 단계들을 반복적으로 이용할 때 추가 천공(10)이 반도체 셀의 추가 접촉 영역들(3)에 형성된다. 상기 접촉 영역들은 이어서 추가 전도성 재료(13)로 충진되어 서로 연결되며, 이로 인해 제2 도체 배선층이 형성된다.
상기 전도성 재료(13)의 융착 및 도포를 위해 다양한 방법들이 이용될 수 있다. 이미 언급한 레이저 솔더링 방법 외에도 인쇄 방법 역시 이용될 수 있으며, 전도성 재료로서 전도성이 우수한 잉크나 페이스트, 특히 나노 Ag 잉크 또는 페이스트가 이용될 수 있다.
전도성 재료(13)의 융착 및 도포를 위해 전술한 다양한 용사 방법을 이용하는 것도 가능하다. 이를 통해, 충진된 천공(10) 및 제2 도체 배선층이 만들어진다.
마찬가지로 전도성 재료의 증착 또는 플로팅이 이루어질 수 있다. 처음에 상기 형성된 천공이 전도성 드롭의 융착을 통해 채워지는 것이 바람직하다. 이를 위해 필요한 위치 데이터가 전술한 것처럼 레이저 천공 장치의 위치 메모리 또는 제어 유닛에서 얻어질 수 있다. 이어서 개별 접촉점들 사이의 필요한 도체 스트립이 계산된다. 계산된 경로는 제어 펄스로 변환되고 이러한 제어 펄스는 다시 플로팅 펜 또는 증착 노즐을 위한 접근 장치에 전송된다. 이제 이러한 접근 장치는 커버층(12) 위로 상기 플로팅 펜 또는 증착 노즐을 이동시킨다. 상기 플로팅 펜 또는 증착 노즐은 이때 전도성 재료(13)를 상기 제공된 경로들을 따라서 도포한다. 이때 이들은 반도체 셀의 배치를 위한 제2 접촉 평면을 형성한다.
도 5 및 도 6을 참고로 설명한 방법 단계들이 기본적으로 여러 번 실시될 수 있음은 분명하다. 이때 기본적으로 임의 개수의 접촉 평면들을 추가로 도포함으로써 반도체 셀의 복잡한 연결을 달성하는 것이 가능하다. 추가로 전자 소자, 특히 다이오드가 삽입될 수 있으므로, 예를 들어 바이패스 다이오드 회로가 반도체 셀들 사이에 형성될 수 있다.
도 7에는 앞서 이미 언급한 X선 방법이 도시되어 있다. 이를 위해 제공된 X선 장치는 상기 복합체를 관통하는 방사선(15)을 형성하기 위한 이동식 방사선원(14)으로 이루어진다. 방사선원으로서 이때 X선 소스가 이용될 수 있다.
이러한 방사선은 어레이(16)로 검출되고, 어레이는 빔 경로 내에 있는 반도체 셀(1)의 방사선 투시 이미지를 검출한다. 그와 같이 검출된 원데이터는 이미지 처리 장치(17), 특히 이미지 처리 프로그램을 포함하는 컴퓨터에 전송된다.
상기 이미지 처리 장치는 방사선 투시 이미지에서 구조 인식을 실시하고, 이미지 안에 담겨 있는 형상의 위치가 검출되고, 저장되며 접촉 평면의 도포를 위해 레이저 천공 장치 및/또는 솔더 캐리어의 제어 유닛과, 상응하게 다른 장치의 제어 유닛에 전송된다.
이에 대해 보충적으로 반도체 셀의 단면의 개략적인 방사선 투시 이미지(18)가 도시되어 있다. 금속화된 접촉 영역들의 흡수 성능 향상을 통해, 이들은 확실하게 검출가능한 콘투어(19)의 형태를 보이며, 이 콘투어의 위치가 분명하게 확인될 수 있다.
상기 접촉 영역들의 이미지 인식은 기준의 검출로 대체되거나 보충될 수 있다. 이때 X선 이미지 내에서 분명하게 보이는 선명한 기준 구조를 포함하는 반도체 셀이 캐리어 위에 배치되고, 노출되는 각각의 접촉 영역들의 위치는 기준 구조와 관련하여 미리 알고 있으므로 기준 위치로부터 계산될 수 있다. 특히 각각의 개별 반도체 셀에 대해 국부 좌표계를 규정하는 크로스 구조가 기준으로서 이용될 수 있다. 이런 좌표계는 영상 기법을 통해 검출된다. 상기 좌표계 내에서 각각의 개별 접촉 영역들의 위치는 각각의 반도체 셀의 경우에 사전에 알고 있다. 그러므로 상기 접촉 영역들이 방사선 투시 이미지 내에서 콘투어를 보이지 않을지라도, 접촉 영역들은 각각의 경우에 기준 위치로부터 결정될 수 있다.
본 발명에 따른 방법 및 이런 방법에서 형성되는 태양 전지 모듈의 구조가 실시예들을 참고로 설명되었다. 전문가의 업무 내에서 그외 실시예들 및 변형예들이 가능하다. 이들은 특히 종속항들로부터 얻어진다.

Claims (12)

  1. 접촉측(2)에 접촉 영역(3)이 각각 제공된 후면 접촉식 반도체 셀(1)을 포함하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법으로서,
    - 적어도 한쪽에 있으며 적어도 섹션별로 전기 전도성을 갖는, 캐리어의 제1 측에 있는 캐리어 코팅(5)을 포함하는 필름형 비전도성 캐리어(4)를 제공하는 단계와,
    - 상기 반도체 셀의 접촉측을 캐리어의 제2 측에 배치하는 단계와,
    - 반도체 셀(1)의 접촉 영역(3)에서 캐리어 내에 제1 천공(10)을 형성하기 위해 상기 캐리어 및 캐리어 코팅을 관통하는 국지적 천공을 실시하는 단계와,
    - 상기 제1 천공(10)을 충진하기 위해 그리고 캐리어의 제1 측 상의 캐리어 코팅과 캐리어의 제2 측 상의 반도체 셀 사이에 접촉부를 형성하기 위해 제1 접촉부 형성 수단(11)을 도포하는 단계를 포함하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 셀(1)은 캐리어(4) 위에 접촉측(2)을 배치한 후 적층화를 통해 커버되는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    - 절연 커버층(12)으로 접촉부 캐리어 코팅이 적어도 섹션별로 커버되는 단계와,
    - 반도체 셀(2)의 접촉 영역(3) 위에 제2 천공(10)을 형성하기 위해, 커버층, 캐리어, 전도성 캐리어 코팅 중 어느 하나 또는 이들의 둘 이상의 임의의 조합을 관통하는 국지적 천공을 실시하는 단계와,
    - 상기 제2 천공의 충진을 위해 그리고 상기 커버층 위에서 연장되는 추가 접촉층의 형성을 위해 커버층 위에 제2 접촉부 형성 수단(13)을 도포하는 단계를 포함하여 상기 제1 접촉부 형성 수단(11)의 도포 후 하나 이상의 추가 접촉층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 접촉부 형성 수단(11, 13)의 도포는 인쇄, 분무 또는 납땜을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 솔더 캐리어를 통해 납땜하는 경우에는 납땜 재료가, 충진될 천공(10)으로 옮겨져 천공에서 용융 후 충진되는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 납땜은 레이저 솔더링으로서 실시되며, 선택적 용융은 레이저 광이 가해짐으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 접촉부 형성 수단(11, 13)의 도포는 용사 방법을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 용사 방법은 저온 가스 용사, 플라즈마 젯의 플라즈마 용사, 와이어 또는 바아의 화염 용사, 파우더의 화염 용사, 플라스틱 화염 용사, 고속 화염 용사(HVOF), 폭발 용사, 레이저 용사, 아크 용사 또는 PTA(Plasma Transferred Arc)를 통해 구현되는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 국지적 천공을 실시하는 경우에는 캐리어(4) 위에 배치되는 반도체 셀(1)의 이미지 인식이 실시되고, 이미지 처리와 기준점 설정 중 어느 하나 또는 둘 모두를 통해 천공 장치가 각각의 개별 반도체 셀에 직접 참조를 실시하는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, X선 장치(14, 16, 17)를 통한 이미지 인식을 위해 방사선 투시 이미지(18)가 형성되고, 이미지 처리시에는 각각의 모든 방사선 투시 이미지에서 콘투어 인식(19)이 실시되며, 천공 장치(8)는 상기 콘투어 인식의 결과 각각의 천공(10)을 형성하기 위해 결정된 위치로 자동으로 이동되는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 국지적 천공은 레이저 천공의 형태로 레이저 천공 장치를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는, 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  12. 삭제
KR1020127029692A 2010-04-14 2010-10-26 후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈 KR101676078B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010027747.9 2010-04-14
DE102010027747A DE102010027747A1 (de) 2010-04-14 2010-04-14 Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaikmodul
PCT/EP2010/066122 WO2011128001A2 (de) 2010-04-14 2010-10-26 Verfahren zur herstellung eines photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten halbleiterzellen und photovoltaikmodul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130059346A KR20130059346A (ko) 2013-06-05
KR101676078B1 true KR101676078B1 (ko) 2016-11-14

Family

ID=44259584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127029692A KR101676078B1 (ko) 2010-04-14 2010-10-26 후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20130104957A1 (ko)
EP (1) EP2559058A2 (ko)
JP (1) JP5655212B2 (ko)
KR (1) KR101676078B1 (ko)
CN (1) CN102834924A (ko)
DE (1) DE102010027747A1 (ko)
WO (1) WO2011128001A2 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011000418A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-02 Azur Space Solar Power Gmbh Photovoltaik-Baugruppe
DE102011088538A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Anordnung zur Herstellung oder Reparatur eines Solarmoduls
DE102011088476A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-20 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP5876379B2 (ja) * 2012-06-19 2016-03-02 本田技研工業株式会社 ガラス基板の穿孔方法および穿孔補助治具
JP2014067999A (ja) * 2012-09-04 2014-04-17 Toyo Aluminium Kk 太陽電池用リボン線及びそれを用いた太陽電池モジュール
DE102013205094A1 (de) 2013-03-22 2014-09-25 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
CN104183666B (zh) * 2013-05-26 2017-06-16 苏州易益新能源科技有限公司 一种激光焊接联接晶体硅太阳能电池的方法
ITTV20130211A1 (it) * 2013-12-23 2015-06-24 Vismunda Srl "metodo d'assemblaggio di un pannello fotovoltaico di tipo back-contact con prefissaggio delle celle, e stazione combinata di carico e pre-fissaggio".
CN104753600A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 深圳新飞通光电子技术有限公司 一种金属封装的光收发模块
WO2020100528A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 株式会社カネカ 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN110148640A (zh) * 2019-05-30 2019-08-20 江苏欧达丰新能源科技发展有限公司 喷绘烧结制作光伏电池片栅线电极的方法
DE102019122213A1 (de) * 2019-08-19 2021-02-25 Heliatek Gmbh Verfahren zur elektrisch leitenden Kontaktierung eines mindestens eine Schutzschicht aufweisenden optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Kontaktierung
KR102554432B1 (ko) * 2021-05-12 2023-07-11 (주)선진환경 바이패스 핀이 접촉된 태양전지 모듈 및 이의 공정 방법
NL2028545B1 (en) * 2021-06-25 2023-01-02 Atlas Technologies Holding Bv Solar module with improved bonding
KR102639167B1 (ko) * 2021-12-02 2024-02-20 한화솔루션 주식회사 과솔더가 방지되는 태양전지 모듈 제조용 태빙 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009527917A (ja) * 2006-02-22 2009-07-30 セ ソシエテ デネルジー ソレール エスアー 光電池と、その光電池を改良するためのフィルムを結合する方法
DE102008044910A1 (de) 2008-08-30 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit einseitiger Verschaltung

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5584956A (en) * 1992-12-09 1996-12-17 University Of Iowa Research Foundation Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate
JP3168811B2 (ja) * 1994-03-23 2001-05-21 富士電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP3328878B2 (ja) * 1998-10-26 2002-09-30 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
JP4441938B2 (ja) * 1998-12-28 2010-03-31 ソニー株式会社 集積型薄膜素子およびその製造方法
JP2001352084A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池とその製造方法
JP4352644B2 (ja) * 2001-09-26 2009-10-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 Ｘ線画像撮像システム
JP2004261924A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Seiko Precision Inc 板状ワークの穴明け装置および穴明け方法
US20070137692A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
JP2007315834A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Shimadzu Corp Ｘ線透視装置
CA2666363C (en) * 2006-10-17 2018-04-24 Fry's Metals, Inc. Materials for use with interconnects of electrical devices and related methods
DE102006052018A1 (de) * 2006-11-03 2008-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit verbesserten Rückseiten-Elektroden sowie Verfahren und Herstellung
US20100018565A1 (en) * 2007-01-25 2010-01-28 Yasushi Funakoshi Solar cell, solar cell array and solar cell module, and method of fabricating solar cell array
US20080236655A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Baldwin Daniel F Solar module manufacturing processes
WO2008157577A2 (en) * 2007-06-18 2008-12-24 E-Cube Technologies, Inc. Methods and apparatuses for improving power extraction from solar cells
JP4989549B2 (ja) * 2007-08-24 2012-08-01 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
DE102007052971A1 (de) * 2007-11-07 2009-06-10 Solarion Ag Kontaktierung und Modulverschaltung von Dünnschichtsolarzellen auf polymeren Trägern
EP2073269A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-24 Helianthos B.V. Method for providing a series connection in a solar cell system
JP2010062393A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Sharp Corp 多層配線板の孔あけ加工装置
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
DE102008037613A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-02 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Metallkontakts
WO2011105510A1 (ja) * 2010-02-24 2011-09-01 京セラ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009527917A (ja) * 2006-02-22 2009-07-30 セ ソシエテ デネルジー ソレール エスアー 光電池と、その光電池を改良するためのフィルムを結合する方法
DE102008044910A1 (de) 2008-08-30 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit einseitiger Verschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011128001A3 (de) 2011-12-22
JP2013524543A (ja) 2013-06-17
WO2011128001A2 (de) 2011-10-20
JP5655212B2 (ja) 2015-01-21
US20130104957A1 (en) 2013-05-02
KR20130059346A (ko) 2013-06-05
CN102834924A (zh) 2012-12-19
DE102010027747A1 (de) 2011-10-20
EP2559058A2 (de) 2013-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101676078B1 (ko) 후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈
CN102822989B (zh) 用于制造具有背侧接触半导体电池的光生伏打模块的方法
JP2009529805A (ja) 絶縁ビアを備えた高効率太陽電池
US9935224B2 (en) Encapsulating layer adapted to be applied to back-sheets for photovoltaic modules including back-contact cells
US20080236655A1 (en) Solar module manufacturing processes
US20110041890A1 (en) High-efficiency, high current solar cell and solar module
US20090032087A1 (en) Manufacturing processes for light concentrating solar module
US10957615B2 (en) Laser-seeding for electro-conductive plating
JP2008529281A (ja) 化合物伝達性基板を備えた光電子構造
JP2012129461A (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
US20040211460A1 (en) Thin film solar cell thermal radiator
US20190386156A1 (en) Method for manufacturing a solar panel
US8927315B1 (en) High-throughput assembly of series interconnected solar cells
TW201917908A (zh) 製造光伏打模組之方法
CN113871496A (zh) 一种光伏电池的电极结构及制备方法
CN112349794B (zh) 太阳能电池的金属结合部和触点的单步形成
CN112635600A (zh) 一种导电背板及其制作方法、背接触光伏组件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191104

Year of fee payment: 4