JP2012129461A - 太陽電池および太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池および太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012129461A
JP2012129461A JP2010281773A JP2010281773A JP2012129461A JP 2012129461 A JP2012129461 A JP 2012129461A JP 2010281773 A JP2010281773 A JP 2010281773A JP 2010281773 A JP2010281773 A JP 2010281773A JP 2012129461 A JP2012129461 A JP 2012129461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
porous electrode
adhesive
electrode
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010281773A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5231515B2 (ja
Inventor
Koji Fukuda
晃司 福田
Tomoo Imataki
智雄 今瀧
Yasushi Sainoo
泰史 道祖尾
Tomohiro Nishina
友宏 仁科
Shinsuke Naito
真介 内藤
Akiko Tsunefuka
安紀子 常深
Tomoyo Shiraki
朋代 白木
Takayuki Yamada
隆行 山田
Masatomo Tanahashi
正朝 棚橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2010281773A priority Critical patent/JP5231515B2/ja
Priority to CN201180059541.6A priority patent/CN103250261B/zh
Priority to US13/995,067 priority patent/US20130298988A1/en
Priority to PCT/JP2011/078893 priority patent/WO2012081613A1/ja
Priority to TW100146950A priority patent/TWI473285B/zh
Publication of JP2012129461A publication Critical patent/JP2012129461A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5231515B2 publication Critical patent/JP5231515B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Abstract

【課題】長期信頼性を高めることができる太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面に設けられた多孔質電極を含む太陽電池セルと多孔質電極に電気的に接続された導線と多孔質電極と導線との間に設けられた接着材とを備え、接着材の一部が多孔質電極の内部に入り込んでいる太陽電池とその製造方法である。
【選択図】図1

Description

本発明は、太陽電池および太陽電池の製造方法に関する。
近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池セルは次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池セルの種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池セルが主流となっている。
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池セルは、太陽光が入射する側の面(受光面)にn電極が形成されており、受光面と反対側の面(裏面)にp電極が形成された構成の両面電極型太陽電池セルである。
また、太陽電池セルの受光面には電極を形成せず、太陽電池セルの裏面のみにn電極およびp電極を形成した裏面電極型太陽電池セルの開発も進められている。
太陽電池セルの電極としては、銀ペーストを印刷した後に焼成して形成される銀電極が一般的に用いられている(たとえば、特許文献1の段落[0038]参照)。
銀ペーストを焼成する際の温度を高温にすることが焼成後の銀電極の強度を確保することができる点で好ましいが、太陽電池セルの製造プロセスにおいて高温下に基板を曝すことは太陽電池セルの発電特性を低下させる可能性がある。
また、太陽電池セルが発電した電力を外部に取り出すために銅リード線などで構成されたインターコネクタを電極に接続する技術も一般的に用いられている(たとえば、特許文献1の段落[0033]参照)。
また、太陽電池セルの電極とインターコネクタとを半田などの導電性接着材を介して接続する技術も一般的に用いられている(たとえば、特許文献1の段落[0033]参照)。さらに、近年では環境への配慮から鉛に代えてビスマスなどを使用した鉛フリーはんだも一般的となっている(たとえば、特許文献1の段落[0033]参照)。
鉛フリーはんだを構成する錫は銀と結合しやすいため、銀ペーストを焼成して形成された銀電極を鉛フリーはんだ浴に浸すと、銀電極の銀が鉛フリーはんだ浴に取り込まれるという、いわゆる銀食われの現象が発生し、銀電極が脆くなったり、銀電極が太陽電池セルから剥がれ落ちることがあった。
そこで、特許文献1には、鉛フリーはんだに銀を一定量含有させることによって、太陽電池セルの銀電極中に含まれる銀の溶出を著しく遅らせることができる技術が記載されている(たとえば、特許文献1の段落[0034]参照)。
しかしながら、鉛フリーはんだに銀を一定量含有させた場合には、鉛フリーはんだのコストが増加する。
特開2002−217434号公報
上記のように、太陽電池の技術分野においては、太陽電池セルの電極の信頼性を向上することによって、太陽電池の長期信頼性を高めることが求められている。
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、長期信頼性を高めることができる太陽電池および太陽電池の製造方法を提供することにある。
本発明は、基板と基板の少なくとも一方の表面に設けられた多孔質電極とを含む太陽電池セルと、多孔質電極に電気的に接続された導線と多孔質電極と導線との間に設けられた接着材とを備え、接着材の一部が多孔質電極の内部に入り込んでいる太陽電池である。
ここで、本発明の太陽電池においては、接着材の一部が、多孔質電極の周囲に位置する基板の表面と接しており、接着材が、多孔質電極の内部と外部と多孔質電極の周囲に位置する基板の表面と導線とにまたがって配置されていることが好ましい。
また、本発明の太陽電池においては、多孔質電極の内部に入り込んだ接着材が基板と接していることが好ましい。
また、本発明の太陽電池において、接着材は導電性接着材と絶縁性接着材とを含み、導電性接着材は多孔質電極の外表面と導線の外表面との間で多孔質電極と導線とを電気的に接続しており、絶縁性接着材は多孔質電極の内部に入り込んで多孔質電極と導線とを機械的に接続していることが好ましい。
さらに、本発明は、上記のいずれかの太陽電池を製造する方法であって、多孔質電極および導線の少なくとも一方に接着材を設置する工程と、多孔質電極と導線とを重ね合わせる工程と、多孔質電極の内部に接着材の一部を入り込ませる工程と、接着材を硬化する工程と、を含み、硬化する工程は、接着材の一部を入り込ませる工程よりも後の工程である太陽電池の製造方法である。
また、本発明の太陽電池の製造方法において、接着材は導電性接着材と絶縁性接着材とを含み、導電性接着材は多孔質電極の外表面と導線の外表面との間で多孔質電極と導線とを電気的に接続し、絶縁性接着材は多孔質電極と導線とを機械的に接続し、接着材の一部を入り込ませる工程において、導電性接着材が溶融するよりも前に絶縁性接着材が多孔質電極の内部に入り込むことが好ましい。
本発明によれば、長期信頼性を高めることができる太陽電池および太陽電池の製造方法を提供することができる。
本実施の形態の太陽電池の模式的な断面図である。 (a)〜(g)は、本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。 本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。 本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セルの裏面の他の一例の模式的な平面図である。 本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セルの裏面のさらに他の一例の模式的な平面図である。 本実施の形態で用いられる配線シートの一例の配線の設置側の表面の模式的な平面図である。 (a)〜(d)は、本実施の形態で用いられる配線シートの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。 (a)〜(d)は、本実施の形態の太陽電池の製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。 (a)および(b)は、本実施の形態の太陽電池の製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な拡大断面図である。 本実施の形態の太陽電池を封止材中に封止した構成の一例の模式的な断面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、後述する各工程の間にはその他の工程が含まれていてもよいことは言うまでもない。
<太陽電池>
図1に、本発明の太陽電池の一例である本実施の形態の太陽電池の模式的な断面図を示す。図1に示すように、本実施の形態の太陽電池は、裏面電極型太陽電池セル8と、配線シート10と、を含んでいる。
裏面電極型太陽電池セル8は、基板1を有するとともに、基板1の裏面のn型不純物拡散領域2上に設けられたn型用多孔質電極6と、p型不純物拡散領域3上に設けられたp型用多孔質電極7とを有している。ここで、n型用多孔質電極6は、その外表面から内部に通じる孔6aを複数有しており、p型用多孔質電極7は、その外表面から内部に通じる孔7aを複数有している。なお、基板1の裏面のn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7の形成領域以外の領域にはパッシベーション膜4が形成されている。また、基板1の受光面にはテクスチャ構造が形成されるとともに反射防止膜5が形成されている。
配線シート10は、絶縁性基材11を有するとともに、絶縁性基材11の一方の表面に設けられたn型用配線12とp型用配線13とを有している。ここで、n型用配線12は、n型用多孔質電極6に対応する配線であり、n型用多孔質電極6に対向して設けられている。また、p型用配線13は、p型用多孔質電極7に対応する配線であり、p型用多孔質電極7に対向して設けられている。
裏面電極型太陽電池セル8のn型用多孔質電極6の外表面と、配線シート10のn型用配線12の外表面と、の間には導電性接着材53が設置されており、導電性接着材53は、n型用多孔質電極6とn型用配線12とを電気的に接続している。
裏面電極型太陽電池セル8のp型用多孔質電極7の外表面と、配線シート10のp型用配線13の外表面と、の間にも導電性接着材53が設置されており、導電性接着材53は、p型用多孔質電極7とp型用配線13とを電気的に接続している。
裏面電極型太陽電池セル8のn型用多孔質電極6の孔6aからn型用多孔質電極6の内部に絶縁性接着材52の一部が入り込み、n型用多孔質電極6の内部からn型用配線12にかけて絶縁性接着材52が一体的に硬化していることによって、n型用多孔質電極6とn型用配線12とを機械的に接続している。
裏面電極型太陽電池セル8のp型用多孔質電極7の孔7aからp型用多孔質電極7の内部に絶縁性接着材52の一部が入り込み、p型用多孔質電極7の内部からp型用配線13にかけて絶縁性接着材52が一体的に硬化していることによって、p型用多孔質電極7とp型用配線13とを機械的に接続している。
さらに、絶縁性接着材52は、裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10との間の多孔質電極−配線間以外の領域にも設置されて、裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを機械的に接続している。
本実施の形態の太陽電池においては、絶縁性接着材52が、多孔質電極の外部を覆うだけでなく内部にも入り込んでいることから、多孔質電極が補強されて多孔質電極の強度が向上する。
また、本実施の形態の太陽電池においては、多孔質電極の内部の絶縁性接着材52と多孔質電極の外部の絶縁性接着材52とが一体的に硬化して裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを強固に接合していることから、裏面電極型太陽電池セル8からの多孔質電極の剥がれも防止することができる。
以上の理由により、本実施の形態の太陽電池においては、多孔質電極の信頼性を向上することができるため、太陽電池の長期信頼性を高めることができる。
ここで、本実施の形態の太陽電池においては、多孔質電極の内部に入り込んだ絶縁性接着材52が基板1と接していることが好ましい。この場合には、多孔質電極の内部に入り込んだ絶縁性接着材52によって多孔質電極と基板1との境界部分をも補強することができるため、多孔質電極と基板1との機械的な接続強度をさらに高めることができ、さらに多孔質電極と基板1との電気的な接続の安定性を確保することができる。そのため、多孔質電極の信頼性をさらに向上することができるため、太陽電池の長期信頼性をさらに高めることができる。
<裏面電極型太陽電池セル>
裏面電極型太陽電池セル8としては、たとえば以下のようにして製造した裏面電極型太陽電池セル8を用いることができる。以下、図2(a)〜(g)の模式的断面図を参照して、本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セル8の製造方法の一例について説明する。
まず、図2(a)に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、基板1の表面にスライスダメージ1aが形成された基板1を用意する。基板1としては、たとえば、n型またはp型のいずれかの導電型を有する多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどからなるシリコン基板を用いることができる。
次に、図2(b)に示すように、基板1の表面のスライスダメージ1aを除去する。ここで、スライスダメージ1aの除去は、たとえば基板1が上記のシリコン基板からなる場合には、上記のスライス後のシリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。
スライスダメージ1aの除去後の基板1の大きさおよび形状も特に限定されないが、基板1の厚さをたとえば50μm以上400μm以下とすることができる。
次に、図2(c)に示すように、基板1の裏面に、n型不純物拡散領域2およびp型不純物拡散領域3をそれぞれ形成する。n型不純物拡散領域2は、たとえば、n型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができ、p型不純物拡散領域3は、たとえば、p型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができる。
n型不純物拡散領域2およびp型不純物拡散領域3はそれぞれ図2の紙面の表面側および/または裏面側に伸びる帯状に形成されており、n型不純物拡散領域2とp型不純物拡散領域3とは基板1の裏面において交互に所定の間隔をあけて配置されている。
n型不純物拡散領域2はn型不純物を含み、n型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、n型不純物としては、たとえばリンなどのn型不純物を用いることができる。
p型不純物拡散領域3はp型不純物を含み、p型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、p型不純物としては、たとえばボロンまたはアルミニウムなどのp型不純物を用いることができる。
n型不純物を含むガスとしては、たとえばPOCl3のようなリンなどのn型不純物を含むガスを用いることができ、p型不純物を含むガスとしては、たとえばBBr3のようなボロンなどのp型不純物を含むガスを用いることができる。
次に、図2(d)に示すように、基板1の裏面にパッシベーション膜4を形成する。ここで、パッシベーション膜4は、たとえば、熱酸化法またはプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などの方法により形成することができる。
パッシベーション膜4としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
パッシベーション膜4の厚みは、たとえば0.05μm以上1μm以下とすることができ、特に0.2μm程度とすることが好ましい。
次に、図2(e)に示すように、基板1の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜5を形成する。
テクスチャ構造は、たとえば、基板1の受光面をエッチングすることにより形成することができる。たとえば、基板1がシリコン基板である場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば70℃以上80℃以下に加熱したエッチング液を用いて基板1の受光面をエッチングすることによって形成することができる。
反射防止膜5は、たとえばプラズマCVD法などにより形成することができる。なお、反射防止膜5としては、たとえば、窒化シリコン膜などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
次に、図2(f)に示すように、基板1の裏面のパッシベーション膜4の一部を除去することによってコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bを形成する。ここで、コンタクトホール4aは、n型不純物拡散領域2の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成され、コンタクトホール4bは、p型不純物拡散領域3の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成される。
なお、コンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bはそれぞれ、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜4上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜4をエッチングなどにより除去する方法、またはコンタクトホール4aおよびコンタクトホール4bの形成箇所に対応するパッシベーション膜4の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜4をエッチングして除去する方法などにより形成することができる。
次に、図2(g)に示すように、コンタクトホール4aを通してn型不純物拡散領域2に接するn型用多孔質電極6と、コンタクトホール4bを通してp型不純物拡散領域3に接するp型用多孔質電極7と、を形成することによって、裏面電極型太陽電池セル8を作製する。
n型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7は、たとえば、以下のようにして形成することができる。
まず、従来から公知の銀ペーストをコンタクトホール4aから露出しているn型不純物拡散領域2およびコンタクトホール4bから露出しているp型不純物拡散領域3にそれぞれスクリーン印刷する。
次に、銀ペーストがスクリーン印刷された後の基板1を加熱することにより、銀ペーストが焼成されて、多孔質の銀電極であるn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7をそれぞれ形成することができる。銀ペーストの加熱温度は他の太陽電池セルの製造プロセスにおける加熱温度に比べて高い場合があり、この銀ペーストの加熱温度を下げることで太陽電池セルの発電効率が向上することがある。しかしながら、銀ペーストの加熱温度を下げると焼成後の多孔質の銀電極の結合強度が低くなり脆くなってしまう。本発明は、このように、焼成後の多孔質の銀電極が脆い場合に有効な発明である。
図3に、本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セル8の裏面の一例の模式的な平面図を示す。図3に示すように、n型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7はそれぞれ櫛形状に形成されており、櫛形状のn型用多孔質電極6の櫛歯に相当する部分と櫛形状のp型用多孔質電極7の櫛歯に相当する部分とが1本ずつ交互に噛み合わさるようにn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7が配置されている。その結果、櫛形状のn型用多孔質電極6の櫛歯に相当する部分と櫛形状のp型用多孔質電極7の櫛歯に相当する部分とはそれぞれ1本ずつ交互に所定の間隔を空けて配置されることになる。
図4に、本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セル8の裏面の他の一例の模式的な平面図を示す。図4に示すように、n型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7はそれぞれ同一方向に伸長(図4の上下方向に伸長)する帯状に形成されており、基板1の裏面において上記の伸長方向と直交する方向にそれぞれ1本ずつ交互に配置されている。
図5に、本実施の形態で用いられる裏面電極型太陽電池セル8の裏面のさらに他の一例の模式的な平面図を示す。図5に示すように、n型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7はそれぞれ点状に形成されており、点状のn型用多孔質電極6の列(図5の上下方向に伸長)および点状のp型用多孔質電極7の列(図5の上下方向に伸長)がそれぞれ基板1の裏面において1列ずつ交互に配置されている。
裏面電極型太陽電池セル8の裏面のn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7のそれぞれの形状および配置は、図3〜図5に示す構成に限定されず、配線シート10のn型用配線12およびp型用配線13にそれぞれ電気的に接続可能な形状および配置であればよい。
<配線シート>
図6に、本実施の形態で用いられる配線シートの一例の配線の設置側の表面の模式的な平面図を示す。図6に示すように、配線シート10は、絶縁性基材11と、絶縁性基材11の表面上に設置されたn型用配線12、p型用配線13および接続用配線14を含む配線16と、を有している。
n型用配線12、p型用配線13および接続用配線14はそれぞれ導電性であり、n型用配線12およびp型用配線13はそれぞれ複数の長方形が長方形の長手方向に直交する方向に配列された形状を含む櫛形状とされている。一方、接続用配線14は帯状とされている。また、配線シート10の終端にそれぞれ位置しているn型用配線12aおよびp型用配線13a以外の隣り合うn型用配線12とp型用配線13とは接続用配線14によって電気的に接続されている。
配線シート10においては、櫛形状のn型用配線12の櫛歯(長方形)に相当する部分と櫛形状のp型用配線13の櫛歯(長方形)に相当する部分とが1本ずつ交互に噛み合わさるようにn型用配線12およびp型用配線13がそれぞれ配置されている。その結果、櫛形状のn型用配線12の櫛歯に相当する部分と櫛形状のp型用配線13の櫛歯に相当する部分とはそれぞれ1本ずつ交互に所定の間隔を空けて配置されることになる。
絶縁性基材11の材質としては、電気絶縁性の材質であれば特に限定なく用いることができ、たとえば、ポリエチレンテレフタレート(PET:Polyethylene terephthalate)、ポリエチレンナフタレート(PEN:Polyethylene naphthalate)、ポリフェニレンサルファイド(PPS:Polyphenylene sulfide)、ポリビニルフルオライド(PVF:Polyvinyl fluoride)およびポリイミド(Polyimide)からなる群から選択された少なくとも1種の樹脂を含む材質を用いることができる。
絶縁性基材11の厚さは特に限定されず、たとえば25μm以上150μm以下とすることができる。
絶縁性基材11は、1層のみからなる単層構造であってもよく、2層以上からなる複数層構造であってもよい。
配線16の材質としては、導電性の材質のものであれば特に限定なく用いることができ、たとえば、銅、アルミニウムおよび銀からなる群から選択された少なくとも1種を含む金属などを用いることができる。
配線16の厚さも特に限定されず、たとえば10μm以上50μm以下とすることができる。
配線16の形状も上述した形状に限定されず、適宜設定することができるものであることは言うまでもない。
配線16の少なくとも一部の表面には、たとえば、ニッケル(Ni)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、錫(Sn)、SnPb半田、およびITO(Indium Tin Oxide)からなる群から選択された少なくとも1種を含む導電性物質を設置してもよい。この場合には、配線シート10の配線16と後述する裏面電極型太陽電池セル8の電極との電気的接続を良好なものとし、配線16の耐候性を向上させることができる傾向にある。
配線16の少なくとも一部の表面には、たとえば防錆処理や黒化処理などの表面処理を施してもよい。
配線16も、1層のみからなる単層構造であってもよく、2層以上からなる複数層構造であってもよい。
以下、図7(a)〜図7(d)の模式的断面図を参照して、本実施の形態で用いられる配線シート10の製造方法の一例について説明する。
まず、図7(a)に示すように、絶縁性基材11の表面上に導電性部材からなる導電層71を形成する。絶縁性基材11としては、たとえば、ポリエステル、ポリエチレンナフタレートまたはポリイミドなどの樹脂からなる基板を用いることができるが、これに限定されるものではない。
絶縁性基材11の厚みは、たとえば10μm以上200μm以下とすることができ、特に25μm程度とすることが好ましい。
導電層71としては、たとえば、銅などの金属からなる層を用いることができるが、これに限定されるものではない。
次に、図7(b)に示すように、絶縁性基材11の表面の導電層71上にレジストパターン72を形成する。ここで、レジストパターン72は、n型用配線12、p型用配線13および接続用配線14の形成箇所以外の箇所に開口を有する形状に形成する。レジストパターン72を構成するレジストとしてはたとえば従来から公知のものを用いることができ、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布される。
次に、図7(c)に示すように、レジストパターン72から露出している箇所の導電層71を矢印73の方向に除去することによって導電層71のパターンニングを行ない、導電層71の残部からn型用配線12、p型用配線13および接続用配線14を形成する。
導電層71の除去は、たとえば、酸やアルカリの溶液を用いたウエットエッチングなどによって行なうことができる。
次に、図7(d)に示すように、n型用配線12、p型用配線13および接続用配線14の表面からレジストパターン72をすべて除去することによって、配線シート10が作製される。
<太陽電池の製造方法>
以下、図8(a)〜図8(d)の模式的断面図を参照して、本実施の形態の太陽電池の製造方法の一例について説明する。
まず、図8(a)に示すように、裏面電極型太陽電池セル8のn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7のそれぞれの表面に半田樹脂51を設置する工程が行なわれる。半田樹脂51は、絶縁性接着材52と、導電性接着材53と、を含んでおり、絶縁性接着材52中に導電性接着材53が分散した構成を有している。半田樹脂51としては、たとえば、タムラ化研(株)製のTCAP−5401−27などを用いることができる。
絶縁性接着材52としては、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂およびウレタン樹脂からなる群から選択された少なくとも1種を樹脂成分として含む熱硬化型の絶縁性樹脂などを用いることができる。
導電性接着材53としては、たとえば、Sn−Pb系半田、Sn−Bi系半田およびSn−Al系半田からなる群から選択された少なくとも1種を含む半田粒子またはその半田粒子に他の金属を添加した半田粒子などを用いることができる。
半田樹脂51の設置方法としては、たとえば、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法を用いることができるが、なかでも、スクリーン印刷を用いることが好ましい。スクリーン印刷を用いた場合には、簡易に、低コストで、かつ短時間で半田樹脂51を設置することができる。
導電性接着材53は、後述する裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを重ね合わせる工程においては、粒状や粉末状などの固体状であることが好ましい。また、絶縁性接着材52は、後述する裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを重ね合わせる工程においては適度の流動性を有する液体状であることが好ましい。導電性接着材53および絶縁性接着材52にこのような材質のものを用いることによって、後述する工程において、固体状の導電性接着材53が溶融して多孔質電極の孔から多孔質電極の内部に入り込む前に絶縁性接着材52を多孔質電極の内部に入り込ませることができる。これにより、絶縁性接着材52は、多孔質電極の内外から多孔質電極を補強することができる。そして、多孔質電極の孔から多孔質電極の内部に入り込んだ絶縁性接着材52によって導電性接着材53の侵入を抑制することができ、仮に多孔質電極が半田と合金化して脆くなったとしても、その部分を覆うように導電性接着材53が配置されて形状を保持することができるため、太陽電池の長期信頼性を向上させることができる。
次に、図8(b)に示すように、裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを重ね合わせる工程が行なわれる。
裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10とを重ね合わせる工程は、たとえば、裏面電極型太陽電池セル8のn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7がそれぞれ配線シート10の絶縁性基材11上に設けられたn型用配線12およびp型用配線13と対向するように位置合わせして行なうことができる。ここで、1枚の配線シート10上に1枚の裏面電極型太陽電池セル8を重ね合わせてもよく、1枚の配線シート10上に複数枚の裏面電極型太陽電池セル8を重ね合わせてもよい。
次に、図8(c)に示すように、絶縁性接着材52の一部をn型用多孔質電極6の孔6aおよびp型用多孔質電極7の孔7aからn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7のそれぞれの内部に入り込ませる工程が行なわれて、その後に、図8(d)に示すように、絶縁性接着材52を硬化する工程が行なわれる。
絶縁性接着材52の一部を多孔質電極の内部に入り込ませる工程においては、導電性接着材53が溶融する温度未満の温度に絶縁性接着材52を加熱してもよい。これによって、加熱された絶縁性接着材52の粘度が下がり流動性が上がることで、絶縁性接着材52が多孔質電極の内部に入り込むのを促進することができる。また、絶縁性接着材52を硬化する工程は、たとえば、直前の絶縁性接着材52の一部を多孔質電極の内部に入り込ませる工程に引き続いて、裏面電極型太陽電池セル8と配線シート10との間の絶縁性接着材52および導電性接着材53をさらに加熱することなどにより行なうことができる。
この場合には、たとえば図9(a)および図9(b)に示すように、絶縁性接着材52がn型用多孔質電極6の孔6aおよびp型用多孔質電極7の孔7aからn型用多孔質電極6およびp型用多孔質電極7のそれぞれの内部に入り込み、その後、導電性接着材53が溶融してn型用多孔質電極6の外表面とn型用配線12の外表面とに濡れ拡がってn型用多孔質電極6とn型用配線12とを電気的に接続するとともに、p型用多孔質電極7の外表面とp型用配線13の外表面とに濡れ拡がってp型用多孔質電極7とp型用配線13とを電気的に接続する。そして、絶縁性接着材52はさらに加熱されることによって多孔質電極の外表面の孔から多孔質電極の内部に入り込んだ状態で硬化し、導電性接着材53はその後の冷却によって固化する。
これにより、n型用多孔質電極6の外表面とn型用配線12の外表面との間に導電性接着材53を配置することによってn型用多孔質電極6とn型用配線12とを電気的に接続することができるとともに、p型用多孔質電極7の外表面とp型用配線13の外表面との間に導電性接着材53を配置することによってp型用多孔質電極7とp型用配線13とを電気的に接続することができる。
また、n型用多孔質電極6の内部に絶縁性接着材52の一部を入り込ませて絶縁性接着材52によりn型用多孔質電極6とn型用配線12とを機械的に接続することができるとともに、p型用多孔質電極7の内部に絶縁性接着材52の一部を入り込ませて絶縁性接着材52によりp型用多孔質電極7とp型用配線13とを機械的に接続することができる。
また、n型用多孔質電極6の内部に入り込んだ絶縁性接着材52および/またはp型用多孔質電極7の内部に入り込んだ絶縁性接着材52を基板1に接するようにして硬化させることが好ましい。これにより、多孔質電極と基板1との境界部分も補強することができるため、多孔質電極と基板1との機械的な接続強度をさらに高めるとともに多孔質電極と基板1との電気的な接続の安定性を確保することができ、多孔質電極の信頼性をさらに向上することができるため、太陽電池の長期信頼性をさらに高めることができる。
なお、多孔質電極の形成条件および/または絶縁性接着材52の形成条件を適宜調整することによって、多孔質電極の内部の絶縁性接着材52が基板1に接した状態で絶縁性接着材52を硬化させることができる。
以上により、本実施の形態の太陽電池を作製することができる。
なお、上記においては、裏面電極型太陽電池セル8の多孔質電極上に半田樹脂51を設置する場合について説明したが、配線シート10の配線上に半田樹脂51を設置してもよく、裏面電極型太陽電池セル8の多孔質電極上および配線シート10の配線上の双方に半田樹脂51を設置してもよい。
また、上記においては、半田樹脂51を用いる場合について説明したが、半田樹脂51以外にも半田ペースト(フラックス中に半田粒子を分散した構成のもの)などを用いることもできる。半田ペーストを用いた場合には、多孔質電極と配線との間に別途絶縁性接着材52を配置することにより、半田粒子が溶融するよりも前に絶縁性接着材52を多孔質電極の内部に入り込ませることができる。なお、半田粒子は絶縁性接着材52が多孔質電極の内部に入り込んだ後に溶融して多孔質電極の外表面と配線とに濡れ拡がり、導電性接着材53による多孔質電極と配線との電気的な接続を確保することができる。
また、上記においては、絶縁性接着材52と、導電性接着材53と、をそれぞれ別々に設置してもよい。また、導電性接着材53としては、半田にフラックスおよび/または溶剤を混ぜて塗布および/または印刷しやすい状態にしたものを設置してもよい。
なお、導電性接着材53は設置しなくてもよい。導電性接着材53を設置しない場合であっても、脆い多孔質電極を補強し、多孔質電極と配線との機械的な接続を補強し確保することができる。
上記のようにして作製された本実施の形態の太陽電池は、図10の模式的断面図に示すように、透光性基板17と保護基材19との間に位置する封止材18中に封止されてもよい。
本実施の形態の太陽電池は、たとえば、ガラスなどの透光性基板17に備えられたエチレンビニルアセテート(EVA)などの封止材18と、ポリエステルフィルムなどの保護基材19に備えられたEVAなどの封止材18との間に挟み込まれた状態で、透光性基板17と保護基材19との間を加圧しながら加熱して封止材18を溶融した後に硬化させることにより封止材18中に封止される。
なお、上記においては、太陽電池セルとして裏面電極型太陽電池セルを用い、導線として配線を用いた場合について説明したが、太陽電池セルとして両面電極型太陽電池セルを用い、導線として従来から公知のインターコネクタを用いてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、太陽電池および太陽電池の製造方法に利用することができる。
1 基板、1a スライスダメージ、2 n型不純物拡散領域、3 p型不純物拡散領域、4 パッシベーション膜、5 反射防止膜、6 n型用多孔質電極、6a 孔、7 p型用多孔質電極、7a 孔、8 裏面電極型太陽電池セル、10 配線シート、11 絶縁性基材、12,12a n型用配線、13,13a p型用配線、14 接続用配線、16 配線、17 透光性基板、18 封止材、19 保護基材、52 絶縁性接着材、53 導電性接着材、71 導電層、72 レジストパターン、73 矢印。
本発明は、基板の一方の面側にp型不純物拡散領域およびn型不純物拡散領域が形成されると共にp型用およびn型用の電極がペースト材料の焼成により形成された裏面電極型太陽電池セルと、絶縁性基材の一方の面側にp型用およびn型用の配線が形成された配線シートとを備える太陽電池の製造方法であって、電極および配線の少なくとも一方に絶縁性接着材および導電性接着材を含む接着材を設置する工程と、電極と配線との間に接着材が介在するように裏面電極型太陽電池セルと配線シートとを重ね合わせる工程と、重ね合わせた裏面電極型太陽電池セルと配線シートとを加熱することによって電極の内部に絶縁性接着材を入り込ませた後に硬化させる工程と、重ね合わせた裏面電極型太陽電池セルと配線シートとを加熱することによって導電性接着材を溶融させる工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。
ここで、本発明の太陽電池の製造方法においては、電極の内部に絶縁性接着材を入り込ませた後に硬化させる工程においては、絶縁性接着材が、隣り合う電極に対応する導電性接着材の間の位置で、裏面電極型太陽電池セルと配線シートとを機械的に接続するように移動した後に硬化することが好ましい。
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、電極の内部に絶縁性接着材を入り込ませた後に硬化させる工程において、電極の内部に入り込んだ絶縁性接着材が基板に接して硬化することが好ましい。
また、本発明は、基板の一方の面側にp型不純物拡散領域およびn型不純物拡散領域が形成されると共にp型用およびn型用の電極がペースト材料の焼成により形成された裏面電極型太陽電池セルと、絶縁性基材の一方の面側にp型用およびn型用の配線が形成された配線シートとを備える太陽電池であって、電極と配線との間に設けられた絶縁性接着材と、を備え、絶縁性接着材が電極の内部に入り込んでいる太陽電池である
また、本発明の太陽電池において、絶縁性接着材は、隣り合う電極に対応する導電性接着材の間の位置で、裏面電極型太陽電池セルと配線シートとを機械的に接続していることが好ましい。
また、本発明の太陽電池において、電極の内部に入り込んだ絶縁性接着材が基板に接していることが好ましい。

Claims (6)

  1. 基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に設けられた多孔質電極と、を含む太陽電池セルと、
    前記多孔質電極に電気的に接続された導線と、
    前記多孔質電極と前記導線との間に設けられた接着材と、を備え、
    前記接着材の一部が、前記多孔質電極の内部に入り込んでいる、太陽電池。
  2. 前記接着材の一部が、前記多孔質電極の周囲に位置する前記基板の表面と接しており、
    前記接着材が、前記多孔質電極の内部と外部と前記多孔質電極の周囲に位置する前記基板の表面と前記導線とにまたがって配置されている、請求項1に記載の太陽電池。
  3. 前記多孔質電極の内部に入り込んだ前記接着材が前記基板と接している、請求項1または2に記載の太陽電池。
  4. 前記接着材は、導電性接着材と、絶縁性接着材と、を含み、
    前記導電性接着材は、前記多孔質電極の外表面と、前記導線の外表面との間で、前記多孔質電極と前記導線とを電気的に接続しており、
    前記絶縁性接着材は、前記多孔質電極の内部に入り込んで前記多孔質電極と前記導線とを機械的に接続している、請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池を製造する方法であって、
    前記多孔質電極および前記導線の少なくとも一方に前記接着材を設置する工程と、
    前記多孔質電極と前記導線とを重ね合わせる工程と、
    前記多孔質電極の内部に前記接着材の一部を入り込ませる工程と、
    前記接着材を硬化する工程と、を含み、
    前記硬化する工程は、前記接着材の一部を入り込ませる工程よりも後の工程である、太陽電池の製造方法。
  6. 前記接着材は、導電性接着材と、絶縁性接着材と、を含み、
    前記導電性接着材は、前記多孔質電極の外表面と、前記導線の外表面との間で、前記多孔質電極と前記導線とを電気的に接続し、
    前記絶縁性接着材は、前記多孔質電極と前記導線とを機械的に接続し、
    前記接着材の一部を入り込ませる工程において、前記導電性接着材が溶融するよりも前に前記絶縁性接着材が前記多孔質電極の内部に入り込む、請求項5に記載の太陽電池の製造方法。
JP2010281773A 2010-12-17 2010-12-17 太陽電池の製造方法 Expired - Fee Related JP5231515B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010281773A JP5231515B2 (ja) 2010-12-17 2010-12-17 太陽電池の製造方法
CN201180059541.6A CN103250261B (zh) 2010-12-17 2011-12-14 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
US13/995,067 US20130298988A1 (en) 2010-12-17 2011-12-14 Solar battery and method of manufacturing solar battery
PCT/JP2011/078893 WO2012081613A1 (ja) 2010-12-17 2011-12-14 太陽電池および太陽電池の製造方法
TW100146950A TWI473285B (zh) 2010-12-17 2011-12-16 Manufacture of solar cells and solar cells

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010281773A JP5231515B2 (ja) 2010-12-17 2010-12-17 太陽電池の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012280741A Division JP5756453B2 (ja) 2012-12-25 2012-12-25 太陽電池の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012129461A true JP2012129461A (ja) 2012-07-05
JP5231515B2 JP5231515B2 (ja) 2013-07-10

Family

ID=46244710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010281773A Expired - Fee Related JP5231515B2 (ja) 2010-12-17 2010-12-17 太陽電池の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130298988A1 (ja)
JP (1) JP5231515B2 (ja)
CN (1) CN103250261B (ja)
TW (1) TWI473285B (ja)
WO (1) WO2012081613A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013058808A (ja) * 2012-12-25 2013-03-28 Sharp Corp 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP2014090160A (ja) * 2012-10-04 2014-05-15 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2014195013A (ja) * 2013-03-29 2014-10-09 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2015106714A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
KR20150100148A (ko) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
JP2016186968A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社カネカ 光電変換装置及びその製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5974300B2 (ja) * 2010-08-24 2016-08-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池及びその製造方法
US20160056308A1 (en) * 2013-03-22 2016-02-25 3M Innovative Properties Company Solar cells and modules including conductive tapes and methods of making and using the same
CN103437510B (zh) * 2013-09-05 2016-02-10 慈溪市附海镇界诺电器厂 一种幕墙用单晶硅玻璃复合的发电结构
KR102319721B1 (ko) * 2013-10-29 2021-11-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR20150100140A (ko) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지와 그 제조 방법 및 태양 전지 모듈
KR102175893B1 (ko) 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
CN103943704A (zh) * 2014-03-18 2014-07-23 连云港神舟新能源有限公司 一种指叉背接触太阳电池组件及其制备方法
WO2016016916A1 (ja) * 2014-07-29 2016-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体部品とそれを用いた半導体実装品、半導体実装品の製造方法
WO2016194690A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 株式会社村田製作所 圧電フィルムセンサおよび保持状態検出装置
TWI602310B (zh) * 2015-09-11 2017-10-11 財團法人工業技術研究院 太陽能電池用封裝膜及其製造方法、與太陽光電模組封裝結構
WO2017171287A2 (en) * 2016-03-28 2017-10-05 Lg Electronics Inc. Solar cell panel
CN106169513A (zh) * 2016-08-17 2016-11-30 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法和系统
TWI714127B (zh) * 2018-06-26 2020-12-21 日商亞特比目有限公司 太陽能電池及太陽能電池的製造方法
CN115172535B (zh) * 2022-09-05 2023-01-20 晶科能源(海宁)有限公司 一种光伏组件的制备方法及光伏组件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235387A (ja) * 1992-02-24 1993-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
JP2007277526A (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性樹脂組成物とこれを用いた電極間の接続方法及び電子部品と回路基板の電気接続方法
WO2009025147A1 (ja) * 2007-08-23 2009-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP2010092981A (ja) * 2008-10-06 2010-04-22 Sharp Corp 太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法
WO2011001883A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 シャープ株式会社 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール
WO2011001837A1 (ja) * 2009-07-02 2011-01-06 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シート付き太陽電池セルの製造方法
WO2011034103A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127987A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
US7537961B2 (en) * 2006-03-17 2009-05-26 Panasonic Corporation Conductive resin composition, connection method between electrodes using the same, and electric connection method between electronic component and circuit substrate using the same
JP5252472B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
WO2009134939A2 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Advent Solar, Inc. Photovoltaic modules manufactured using monolithic module assembly techniques
JP5449849B2 (ja) * 2009-04-30 2014-03-19 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235387A (ja) * 1992-02-24 1993-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
JP2007277526A (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性樹脂組成物とこれを用いた電極間の接続方法及び電子部品と回路基板の電気接続方法
WO2009025147A1 (ja) * 2007-08-23 2009-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP2010092981A (ja) * 2008-10-06 2010-04-22 Sharp Corp 太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法
WO2011001883A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 シャープ株式会社 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール
WO2011001837A1 (ja) * 2009-07-02 2011-01-06 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シート付き太陽電池セルの製造方法
WO2011034103A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014090160A (ja) * 2012-10-04 2014-05-15 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2013058808A (ja) * 2012-12-25 2013-03-28 Sharp Corp 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP2014195013A (ja) * 2013-03-29 2014-10-09 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2015106714A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びその製造方法
KR20150062789A (ko) * 2013-11-29 2015-06-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US10170647B2 (en) 2013-11-29 2019-01-01 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR102132940B1 (ko) * 2013-11-29 2020-07-10 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20150100148A (ko) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102233882B1 (ko) * 2014-02-24 2021-03-30 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
JP2016186968A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社カネカ 光電変換装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130298988A1 (en) 2013-11-14
TWI473285B (zh) 2015-02-11
CN103250261A (zh) 2013-08-14
CN103250261B (zh) 2015-11-25
WO2012081613A1 (ja) 2012-06-21
TW201244135A (en) 2012-11-01
JP5231515B2 (ja) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5231515B2 (ja) 太陽電池の製造方法
US9691925B2 (en) Light receiving element module and manufacturing method therefor
EP3203530B1 (en) Solar cell and method for producing thereof
US9349882B2 (en) Silicon solar cell module using conductive npaste as electrode and method for manufacturing same
US9224880B2 (en) Method for manufacturing solar cell with interconnection sheet, method for manufacturing solar cell module, solar cell with interconnection sheet, and solar cell module
EP2439784A1 (en) Solar battery cell with wiring sheet, solar battery module, and method for producing solar battery cell with wiring sheet
JP5726303B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP2015506108A (ja) 光起電力電池及びその形成方法
WO2010110083A1 (ja) 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法
WO2014117216A1 (en) Solar cell metallisation and interconnection method
EP2302689A1 (en) Photovoltaic system and manufacturing method thereof
WO2016152481A1 (ja) 太陽電池装置及びその製造方法
JP5140132B2 (ja) 配線基板付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法
JP5756453B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP4780953B2 (ja) 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール
JP6444268B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP5376590B2 (ja) 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2010150749A1 (ja) 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP2009302274A (ja) 光発電素子、cis系光発電素子の製造方法
JP5410397B2 (ja) 半導体装置の製造方法、配線基板付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、半導体装置、配線基板付き裏面電極型太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP6455099B2 (ja) 太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法
JP2013016845A (ja) 配線付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線付き太陽電池セルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130321

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5231515

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees