KR101671557B1 - 광학 재료의 제조 방법, 광학 재료 및 광학 렌즈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, 및 (e) 화합물로 이루어지는 광학 재료의 제조법으로서, 하기 제 1 공정에서 제 5 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법이다. 제 1 공정 (a) 화합물에 (b) 화합물을 용해시켜 제 1 액을 얻는 공정. 제 2 공정 (d) 화합물의 일부와 (e) 화합물을 균일하게 혼합한 액, 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액에 첨가하고 혼합시켜 제 2 액을 얻는 공정. 제 3 공정 (c) 화합물을 제 2 공정에서 얻어진 제 2 액에 첨가하고, 얻어진 혼합물을 감압하에서 반응시켜 반응 혼합물을 얻는 공정. 제 4 공정 제 2 공정에서의 나머지 (d) 화합물을 제 3 공정에서 얻어진 반응 혼합물에 첨가하고, 균일하게 혼합시켜 광학 재료용 수지 조성물을 얻는 공정. 제 5 공정 제 4 공정에서 얻어진 광학 재료용 수지 조성물을 주형하고 중합시켜 광학 재료를 얻는 공정.

Description

광학 재료의 제조 방법, 광학 재료 및 광학 렌즈 {OPTICAL MATERIAL, OPTICAL LENS, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTICAL MATERIAL}
본 발명은 플라스틱 렌즈, 프리즘, 광 섬유, 정보 기록 기반, 필터 등의 광학 재료, 특히 안경용 플라스틱 렌즈를 제조하는 방법, 광학 재료 및 광학 렌즈에 관한 것이다.
플라스틱 렌즈는 경량 또한 인성 (靭性) 이 풍부하고 염색도 용이하다. 플라스틱 렌즈에 특히 요구되는 성능은 저비중, 고투명성 및 저황색도, 광학 성능으로서 고굴절률과 고아베수, 고내열성, 고강도 등이다. 고굴절률은 렌즈의 박육화를 가능으로 하고, 고아베수는 렌즈의 색 수차를 저감시킨다. 최근, 고굴절률과 고아베수를 목적으로 하여, 황 원자 및/또는 셀렌 원자를 갖는 유기 화합물이 다수 보고되어 있다. 그 중에서도 황 원자를 갖는 폴리에피술파이드 화합물은 굴절률과 아베수의 밸런스가 양호한 것으로 알려져 있다. 이 때문에, 폴리에피술파이드 화합물에, 굴절률을 유지시키기 위해서 황을 도입시키고, 내충격성을 향상시키기 위해서 티오우레탄을 도입시킨 광학 재료가 보고되어 있다 (특허문헌 1).
그러나, 폴리에피술파이드 화합물에 황 및 티오우레탄을 도입시킨 광학 재료에 있어서는, 그 제조시에 있어서 발포나 발열과 같은 문제가 있다. 이 때문에, 이들의 문제를 억제하기 위해서, 에피술파이드 화합물과 황 원자의 예비 중합물과, 이소시아네이트기를 갖는 화합물과 메르캅토기를 갖는 화합물의 예비 중합물을 반응시켜 광학 재료를 제조하는 방법이 보고되어 있다 (특허문헌 2).
일본 공개특허공보 2002-122701호 일본 공개특허공보 2004-339329호
그러나, 상기 광학 재료, 특히 안경용 플라스틱 렌즈의 제조에 있어서는 맥리 (脈理) 나 백탁과 같은 불량 요인에 의한 수율 저하가 있어, 그 개선이 필요하였다.
본 발명의 과제는 고굴절률을 갖는 광학 재료를 제조할 때, 백탁이나 맥리와 같은 불량 요인에 의한 수율 저하를 개선할 수 있는 광학 재료의 제조 방법, 광학 재료 및 광학 렌즈를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 실시한 결과, 하기 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물을 원료로 하는 광학 재료의 제조 방법이, 하기 제 1 공정에서 제 5 공정을 거침으로써, 얻어지는 광학 재료에 있어서 맥리 그리고 백탁과 같은 불량 요인에 의한 수율 저하를 개선할 수 있음을 알아냈다. 즉, 본 발명은 이하와 같다.
1. 하기 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, 및 (e) 화합물을 원료로 하는 광학 재료의 제조법으로서, 하기 제 1 공정에서 제 5 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법.
제 1 공정 (a) 화합물에 (b) 화합물을 용해시켜 제 1 액을 얻는 공정.
제 2 공정 (d) 화합물의 일부를 혼합시킨 (e) 화합물을 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액에 첨가하고 혼합시켜 제 2 액을 얻는 공정.
제 3 공정 (c) 화합물을 제 2 공정에서 얻어진 제 2 액에 첨가하고, 얻어진 혼합물을 감압하에서 반응시켜 반응 혼합물을 얻는 공정.
제 4 공정 나머지 (d) 화합물을 제 3 공정에서 얻어진 상기 반응 혼합물에 첨가하고 혼합시켜, 광학 재료용 수지 조성물을 얻는 공정.
제 5 공정 제 4 공정에서 얻어진 광학 재료용 수지 조성물을 주형 (注型) 하고 중합시켜 광학 재료를 얻는 공정.
(a) 화합물 : 하기 (1) 식으로 나타내는 구조를 갖는 화합물
[화학식 1]
Figure 112012001912730-pct00001
(b) 화합물 : 황
(c) 화합물 : m-자일릴렌디이소시아네이트, p-자일릴렌디이소시아네이트, m-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트, 및 p-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트 중에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 화합물
(d) 화합물 : 비스(2-메르캅토에틸)술파이드, 비스(2,3-디메르캅토프로필)술파이드, 1,2-비스(2-메르캅토에틸티오)에탄, 2-(2-메르캅토에틸티오)-1,3-디메르캅토프로판, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(2-메르캅토에틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1-티안, 2,5-비스(2-메르캅토에틸)-1-티안, 비스(4-메르캅토페닐)술파이드, 비스(4-메르캅토메틸페닐)술파이드, 및 3,4-티오펜디티올 중에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 화합물
(e) 화합물 : 펜타에리트리톨테트라키스메르캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트, 테트라키스(메르캅토메틸)메탄, 테트라키스(메르캅토메틸티오메틸)메탄, 테트라키스(2-메르캅토에틸티오메틸)메탄, 및 테트라키스(3-메르캅토티오메틸)메탄 중에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 화합물
2. 제 2 공정에 있어서, (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물 및 (e) 화합물의 총량을 100 중량부로 했을 때, (d) 화합물의 일부가 2 중량부 이하의 비율로 상기 (e) 화합물과 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 기재된 광학 재료의 제조 방법.
3. 제 3 공정에 있어서, 상기 혼합물 중 (e) 화합물의 5 ∼ 30 ％ 를 (c) 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 제 1 항에 기재된 광학 재료의 제조 방법.
4. 제 3 공정에 있어서, 반응 온도를 10 ℃ 내지 20 ℃, 반응 시간을 2 시간 내지 4 시간으로 하는 것을 특징으로 하는 제 3 항에 기재된 광학 재료의 제조 방법.
5. 제 1 항 ∼ 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어지는 광학 재료.
6. 제 5 항에 기재된 광학 재료로 이루어지는 광학 렌즈.
더욱 구체적인 공정의 흐름은 이하와 같다.
제 1 공정 (b) 화합물을 (a) 화합물에 용해시켜 제 1 액을 얻는다.
제 2 공정 (d) 화합물의 일부와 (e) 화합물과 제 1 액을 균일 혼합하여 제 2 액을 얻는다.
제 3 공정 (c) 화합물을 제 2 액에 첨가하고, 얻어진 혼합물 중 (c) 화합물과 (e) 화합물을 감압하에서 반응시켜 반응 혼합물을 얻는다.
제 4 공정 제 2 공정에서, 미첨가분의 (d) 화합물을 제 3 공정에서 얻어진 반응 혼합물에 첨가하고, 균일하게 혼합하여 광학 재료용 수지 조성물을 얻는다.
제 5 공정 상기 광학 재료용 수지 조성물을 주형하고 중합시켜 광학 재료를 얻는다.
상기 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물을 원료로 하는 광학 재료의 제조 방법이, 상기 제 1 공정에서 제 5 공정을 거침으로써 맥리 그리고 백탁과 같은 불량 요인에 의한 수율 저하의 개선을 도모할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 설명한다.
본 발명은 하기 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, 및 (e) 화합물을 원료로 하는 광학 재료의 제조법으로서, 하기 제 1 공정에서 제 5 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법이다.
제 1 공정 (a) 화합물에 (b) 화합물을 용해시켜 제 1 액을 얻는 공정.
제 2 공정 (d) 화합물의 일부를 혼합시킨 (e) 화합물을 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액에 첨가하고 혼합시켜 제 2 액을 얻는 공정.
제 3 공정 (c) 화합물을 제 2 공정에서 얻어진 제 2 액에 첨가하고, 얻어진 혼합물을 감압하에서 반응시켜 반응 혼합물을 얻는 공정.
제 4 공정 나머지 (d) 화합물을 제 3 공정에서 얻어진 상기 반응 혼합물에 첨가하고 혼합시켜 광학 재료용 수지 조성물을 얻는 공정.
제 5 공정 제 4 공정에서 얻어진 광학 재료용 수지 조성물을 주형하고 중합시켜 광학 재료를 얻는 공정.
이하, 본 발명에 사용하는 원료, 즉 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, 및 (e) 화합물에 대해 상세하게 설명한다.
본 발명에서 사용하는 (a) 화합물은 하기 (1) 식으로 나타내는 구조를 갖는 화합물이다. (a) 화합물의 첨가량은, (a) ∼ (e) 화합물의 합계를 100 중량부로 한 경우, 통상은 60 ∼ 95 중량부이며, 바람직하게는 70 ∼ 90 중량부, 특히 바람직하게는 75 ∼ 85 중량부이다. (a) 화합물의 첨가량이 60 중량부를 밑돌면 내열성이 저하되는 경우가 있고, 95 중량부를 초과하면 강도가 저하되는 경우가 있다.
[화학식 2]
Figure 112012001912730-pct00002
(a) 화합물의 구체예로는, 비스(β-에피티오프로필)술파이드, 비스(β-에피티오프로필)디술파이드, 비스(β-에피티오프로필)트리술파이드, 비스(β-에피티오프로필티오)메탄, 1,2-비스(β-에피티오프로필티오)에탄, 1,3-비스(β-에피티오프로필티오)프로판, 1,2-비스(β-에피티오프로필티오)프로판, 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)부탄, 비스(β-에피티오프로필티오에틸)술파이드 등의 에피술파이드류를 들 수 있다. (a) 화합물은 단독으로 사용하거나, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 그 중에서도 바람직한 화합물은 비스(β-에피티오프로필)술파이드 및/또는 비스(β-에피티오프로필)디술파이드이며, 가장 바람직한 화합물은 비스(β-에피티오프로필)술파이드이다.
본 발명에서 사용하는 (b) 화합물인 황의 첨가량은, (a) ∼ (e) 화합물의 합계를 100 중량부로 한 경우, 통상은 0.1 ∼ 5 중량부이며, 바람직하게는 0.3 ∼ 1 중량부, 특히 바람직하게는 0.45 ∼ 0.55 중량부이다.
본 발명에서 사용하는 황의 형상은 어떠한 형상이어도 상관없다. 구체적으로는, 황은 미분 황, 콜로이드 황, 침강 황, 결정 황, 승화 황 등이지만, 바람직하게는 입자가 가는 미분 황이다.
본 발명에 사용하는 황의 제법은 어떠한 제법이어도 상관없다. 황의 제법은 천연 황광으로부터의 승화 정제법, 지하에 매장하는 황의 용융법에 의한 채굴, 석유나 천연 가스의 탈황 공정 등에서 얻어지는 황화수소 등을 원료로 하는 회수법 등이 있지만, 어느 제법이어도 상관없다.
본 발명에 사용하는 황의 입경은 10 메시보다 작은 것, 즉 황이 10 메시보다 가는 미분인 것이 바람직하다. 황의 입경이 10 메시보다 큰 경우, 황이 완전히 잘 용해되지 않는다. 이 때문에, 제 1 공정에서 바람직하지 않은 반응 등이 일어나 문제가 생기는 경우가 있다. 황의 입경은 30 메시보다 작은 것이 보다 바람직하고, 60 메시보다 작은 것이 가장 바람직하다.
본 발명에 사용하는 황의 순도는 바람직하게는 98 ％ 이상이며, 보다 바람직하게는 99.0 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 99.5 ％ 이상이며, 가장 바람직하게는 99.9 ％ 이상이다. 황의 순도가 98 ％ 이상이면, 98 ％ 미만인 경우에 비해 얻어지는 광학 재료의 색조가 보다 개선된다.
(c) 화합물의 구체예로는, m-자일릴렌디이소시아네이트, p-자일릴렌디이소시아네이트, m-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트, p-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트 등의 폴리이소시아네이트류를 들 수 있다. (c) 화합물은 단독으로 사용하거나, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 이들 중에서 바람직한 구체예는 공업적으로 입수가 용이한 m-자일릴렌디이소시아네이트 및/또는 m-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트이며, 가장 바람직한 화합물은 공업적으로 입수가 가능한 m-자일릴렌디이소시아네이트이다.
(d) 화합물의 구체예로는, 비스(2-메르캅토에틸)술파이드, 비스(2,3-디메르캅토프로필)술파이드, 1,2-비스(2-메르캅토에틸티오)에탄, 2-(2-메르캅토에틸티오)-1,3-디메르캅토프로판, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(2-메르캅토에틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1-티안, 2,5-비스(2-메르캅토에틸)-1-티안, 비스(4-메르캅토페닐)술파이드, 비스(4-메르캅토메틸페닐)술파이드, 3,4-티오펜디티올 등의 티올기를 1 분자 중에 2 개 갖는 화합물을 들 수 있다. (d) 화합물은 단독으로 사용하거나, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 이들 중에서 바람직한 구체예는, 비스(2-메르캅토에틸)술파이드 및/또는 2,5-비스(메르캅토메틸)-1,4-디티안이며, 가장 바람직한 구체예는 공업적으로 입수가 가능한 비스(2-메르캅토에틸)술파이드이다.
(e) 화합물의 구체예로는, 펜타에리트리톨테트라키스메르캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트, 테트라키스(메르캅토메틸)메탄, 테트라키스(메르캅토메틸티오메틸)메탄, 테트라키스(2-메르캅토에틸티오메틸)메탄, 테트라키스(3-메르캅토티오메틸)메탄 등의 티올기를 1 분자 중에 2 개 갖는 화합물을 들 수 있다. (e) 화합물은 단독으로 사용하거나, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 이들 중에서 바람직한 구체예는 펜타에리트리톨테트라키스메르캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트이며, 가장 바람직한 화합물은 공업적으로 입수가 가능한 펜타에리트리톨테트라키스메르캅토프로피오네이트이다.
(b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물의 총량은 이들 화합물의 종류에 따라 얻어지는 경화물의 광학 특성, 강도, 내열성에 의해 변화되기 때문에 일률적으로 결정할 수는 없지만, 통상은 (a) 화합물 60 ∼ 95 중량부에 대해 (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물의 총계가 40 ∼ 5 중량부이며, 바람직하게는 (a) 화합물 70 ∼ 90 중량부에 대해 (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물의 총계가 30 ∼ 10 중량부이고, 특히 바람직하게는 (a) 화합물 75 ∼ 85 중량부에 대해 (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물의 총계가 25 ∼ 15 중량부이다.
또한, (c) 화합물의 NCO 기에 대한 (d) 화합물 및 (e) 화합물 중의 합계의 SH 기의 비율, 즉［(d) 화합물 및 (e) 화합물 중의 합계의 SH 기수/(c) 화합물의 NCO 기수］(SH 기/NCO 기) 는 바람직하게는 1.0 ∼ 2.5 이며, 보다 바람직하게는 1.25 ∼ 2.25 이고, 더욱 바람직하게는 1.5 ∼ 2.0 이다. 상기 비율이 1.0 을 밑돌면 경화물이 누렇게 착색되는 경우가 있고, 2.0 을 웃돌면 내열성이 저하되는 경우가 있다.
(e) 화합물 중의 SH 기에 대한 (d) 화합물 중의 SH 기의 비율, 즉 (d) 화합물 중의 SH 기수/(e) 화합물 중의 SH 기수는 바람직하게는 1.25 ∼ 1.75 의 범위이다. 상기 비율이 1.75 를 웃돌면, 내열성이 저하되는 경우가 있는 한편, 상기 비율이 1.25 이하를 밑돌면, 얻어진 광학 재료가 황변되는 경우가 있다.
본 발명의 제조 방법에 의하면, 광학 재료를 얻을 때, (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물 및 (e) 화합물에 중합 촉매를 첨가하는 것이 바람직하다. 또는 광학 재료용 수지 조성물이 중합 촉매를 함유하는 것이 바람직하다. 중합 촉매로는, 제 4 급 암모늄염, 제 4 급 포스포늄염, 제 3 급 술포늄염, 제 2 급 요오드늄염이 바람직하고, 그 중에서도 광학 재료용 수지 조성물과의 상용성이 양호한 제 4 급 암모늄염 및 제 4 급 포스포늄염이 보다 바람직하고, 제 4 급 포스포늄염이 더욱 바람직하다. 보다 바람직한 중합 촉매로는, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드, 트리에틸벤질암모늄클로라이드, 세틸디메틸벤질암모늄클로라이드, 1-n-도데실피리디늄클로라이드 등의 제 4 급 암모늄염, 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드 등의 제 4 급 포스포늄염을 들 수 있다. 이들 중에서 더욱 바람직한 중합 촉매는 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및/또는 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드이며, 가장 바람직한 중합 촉매는 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드이다.
중합 촉매의 첨가량은 조성물의 성분, 혼합비 및 중합 경화 방법에 의해 변화되기 때문에 일률적으로 결정할 수는 없지만, 통상은 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, (e) 화합물의 합계 100 중량부에 대해, 통상은 0.0001 중량부 ∼ 10 중량부, 바람직하게는 0.001 중량부 ∼ 5 중량부, 보다 바람직하게는 0.01 중량부 ∼ 1 중량부, 가장 바람직하게는 0.01 중량부 ∼ 0.5 중량부이다. 중합 촉매의 첨가량이 10 중량부보다 많으면, 경화물의 굴절률, 내열성이 저하되어 착색이 생기는 경우가 있다. 또, 중합 촉매의 첨가량이 0.0001 중량부보다 적으면, 광학 재료용 수지 조성물이 충분히 경화되지 않아 내열성이 불량이 되는 경우가 있다.
또, 본 발명의 제조 방법으로 광학 재료를 제조할 때, (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물 및 (e) 화합물에 공지된 산화 방지제, 자외선 흡수제, 황변 방지제, 블루잉제, 안료 등의 첨가제를 첨가하여, 얻어지는 광학 재료의 실용성을 보다 향상시키는 것은 물론 가능하다.
산화 방지제의 바람직한 예로는 페놀 유도체를 들 수 있다. 그 중에서도 바람직한 화합물은 다가 페놀류, 할로겐 치환 페놀류이고, 보다 바람직한 화합물은 카테콜, 피로갈롤, 알킬 치환 카테콜류이며, 가장 바람직한 화합물은 카테콜이다.
자외선 흡수제의 바람직한 예로는 벤조트리아졸계 화합물이며, 특히 바람직한 화합물은 2-(2-하이드록시-5-메틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 5-클로로-2-(3,5-디-tert-부틸-2-하이드록시페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-4-옥틸페닐)-2H-벤조트리아졸이다.
이들 산화 방지제 및 자외선 흡수제의 첨가량은 통상 (a) ∼ (e) 화합물의 합계 100 중량부에 대해 각각 0.01 ∼ 5 중량부이다.
또, 본 발명의 제조 방법에 있어서, 중합 후에 형 (型) 으로부터 잘 박리되지 않는 경우에는, 주지의 외부 및/또는 내부 이형제를 사용 또는 첨가하여, 얻어지는 경화물의 형으로부터의 이형성을 향상시키는 것도 가능하다. 이형제로는, 불소계 노니온 계면활성제, 실리콘계 노니온 계면활성제, 인산에스테르, Stephan 사 제조의 산성 인산에스테르, 옥시알킬렌형 산성 인산에스테르, 산성 인산에스테르의 알칼리 금속염, 옥시알킬렌형 산성 인산에스테르의 알칼리 금속염, 고급 지방산의 금속염, 고급 지방족의 에스테르, 파라핀, 왁스, 고급 지방족 아미드, 고급 지방족 알코올, 폴리실록산류, 지방족 아민에틸렌옥사이드 부가물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 이형제의 첨가량은 통상 (a) ∼ (e) 화합물 100 중량부에 대해 0.01 ∼ 0.1 중량부이다.
광학 재료용 수지 조성물을 중합 경화시킬 때, 포트라이프의 연장이나 중합 발열의 분산화 등을 목적으로 하여, 필요에 따라 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물 및 (e) 화합물에 중합 조정제를 첨가할 수 있다. 중합 조정제는 장기 주기율표에 있어서의 제 13 ∼ 16 족의 할로겐화물을 들 수 있다. 이들 중 바람직한 것은 규소, 게르마늄, 주석, 안티몬의 할로겐화물이며, 보다 바람직한 것은 알킬기를 갖는 게르마늄, 주석, 안티몬의 염화물이다. 더욱 바람직한 화합물은 디부틸주석디클로라이드, 부틸주석트리클로라이드, 디옥틸주석디클로라이드, 옥틸주석트리클로라이드, 디부틸디클로로게르마늄, 부틸트리클로로게르마늄, 디페닐디클로로게르마늄, 페닐트리클로로게르마늄, 트리페닐안티몬디클로라이드이며, 가장 바람직한 화합물은 디부틸주석디클로라이드이다. 중합 조정제는 단독으로 사용하거나, 2 종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다.
중합 조정제의 첨가량은 (a) ∼ (e) 화합물의 총계 100 중량부에 대해 0.0001 ∼ 5.0 중량부이고, 바람직하게는 0.0005 ∼ 3.0 중량부이며, 보다 바람직하게는 0.001 ∼ 2.0 중량부이다. 중합 조정제의 첨가량이 0.0001 중량부보다 적은 경우, 얻어지는 광학 재료에 있어서 충분한 포트라이프를 확보할 수 없으며, 중합 조정제의 첨가량이 2.0 중량부보다 많은 경우에는, 광학 재료용 수지 조성물이 충분히 경화되지 않아 얻어지는 광학 재료의 내열성이 저하되는 경우가 있다.
이어서, 상기 제 1 공정 ∼ 제 5 공정에 대해 상세하게 설명한다.
(제 1 공정)
제 1 공정은 (a) 화합물에 (b) 화합물을 용해시켜 제 1 액을 얻는 공정이다. 이 공정에 있어서, 용해 조건은 통상 이하와 같다. 즉, 용해 온도가 10 ∼ 60 ℃ 이고 용해 시간이 0.1 ∼ 12 시간, 보다 바람직하게는 용해 온도가 15 ∼ 50 ℃ 이고 용해 시간이 0.1 ∼ 6 시간, 특히 바람직하게는 용해 온도가 20 ∼ 40 ℃ 이고 용해 시간이 0.1 ∼ 2 시간이다. 용해 온도를 10 ℃ 보다 낮게 하면, 용해 시간이 길어지고, 60 ℃ 보다 높게 하면, 광학 재료의 내열성이 저하된다는 문제가 생긴다. 제 1 공정은 대기, 질소 또는 산소 등의 기체의 존재하, 상압 혹은, 가감압에 의한 밀폐하의 임의의 분위기하에서 실시해도 된다. 또, (b) 화합물 외에, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 중합 촉매 그리고 중합 조정제 등과 같은 고체 성분을 동시에 용해시켜도 상관없다.
(제 2 공정)
제 2 공정은 (d) 화합물의 일부를 혼합시킨 (e) 화합물을 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액에 첨가하고 혼합시켜 제 2 액을 얻는 공정이다. 여기서, (d) 화합물의 일부를 혼합시킨 (e) 화합물과, 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액은 균일하게 혼합시키는 것이 바람직하다.
이 경우, (d) 화합물은 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물 및 (e) 화합물의 총량을 100 중량부로 했을 때, 2 중량부 이하의 비율로 (e) 화합물과 혼합되는 것이 바람직하다. 이 경우, 얻어지는 광학 재료에 있어서 백탁 그리고 맥리가 한결 잘 생기지 않게 되어 광학 재료의 수율이 보다 향상된다.
(d) 화합물과 (e) 화합물을 균일하게 혼합시키는 조건은 (d) 화합물과 (e) 화합물이 균일하게 혼합되는 조건이면 특별히 문제는 없다. 혼합은 대기, 질소 또는 산소 등의 기체의 존재하, 상압 혹은 가감압에 의한 밀폐하의 임의의 분위기하에서 실시해도 된다.
제 2 공정의 (d) 화합물의 일부와 (e) 화합물을 균일하게 혼합한 후에, (d) 화합물의 일부를 균일하게 혼합시킨 (e) 화합물을 제 1 공정에서 얻어진 반응액인 제 1 액에 첨가하여, 균일하게 혼합시키는 조건, 즉 온도 및 시간은 바람직하게는 이하와 같다. 즉 온도가 10 ∼ 20 ℃ 이고 시간이 0.1 ∼ 1 시간이다. 혼합시키는 조건 중 온도가 10 ℃ 보다 낮은 경우, 제 2 액의 점도가 높아진다. 혼합시키는 온도가 20 ℃ 보다 높은 경우, 반응액인 제 1 액의 불필요한 중합이 진행되는 경우가 있다.
제 2 공정의 (d) 화합물과 (e) 화합물을 혼합할 때에, (d) 화합물 및 (e) 화합물 중에 중합 촉매 그리고 중합 조정제를 동시에 용해시켜도 상관없다. 혼합은 대기, 질소 또는 산소 등의 기체의 존재하, 상압 혹은 가감압에 의한 밀폐하의 임의의 분위기하에서 실시해도 된다.
(제 3 공정)
제 3 공정은 (c) 화합물을, 제 2 공정에서 얻어진 제 2 액에 첨가하고, 얻어진 혼합물을 감압하에서 반응시켜 반응 혼합물을 얻는 공정이다. 여기서, 감압하란, 압력이 0.10 ㎪ ∼ 0.27 ㎪ 인 환경하를 의미하고, 혼합물을, 예를 들어 진공 펌프를 이용하여 탈기 처리함으로써 실현할 수 있다.
본 발명에 있어서의 제조 방법은, 제 3 공정에 있어서, (c) 화합물과 (e) 화합물을, 광학 재료용 수지 조성물의 주형 전에 적어도 일부 반응시키는 것이 바람직하다. (c) 화합물과 (e) 화합물을 적어도 일부 반응시켜 얻어지는 광학 재료용 수지 조성물을 주형하고 중합시킨 경우, 경화하여 얻어지는 광학 재료에 있어서는 맥리나 백탁이 잘 생기지 않게 되어 광학 재료의 수율이 보다 향상된다. 여기서, (c) 화합물과 (e) 화합물은 주형 전에 전부를 반응시켜도 되지만, 보다 충분한 포트라이프를 확보하기 위해서는, 일부를 반응시키는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 제 3 공정에 있어서, (e) 화합물의 5 ∼ 30 ％ 를 (c) 화합물과 반응시키는 것이 바람직하다. (e) 화합물의 5 ∼ 30 ％ 를 (c) 화합물과 반응시켜 얻어지는 광학 재료용 수지 조성물을 주형하고 중합시킨 경우, 경화하여 얻어지는 광학 재료에 있어서는 맥리나 백탁이 특히 잘 생기지 않게 되어 광학 재료의 수율이 특히 향상된다.
제 3 공정의 (e) 화합물의 반응률은 광학 재료용 수지 조성물을 액체 크로마토그래피 (GPC 모드, RID 검출기) 로 분석하여 산출한다. 여기서, 반응률이 0 ％ 이면, (e) 화합물은 반응하고 있지 않는 것이 되고, (e) 화합물이 0 ％ 보다 크면, (e) 화합물은 반응하고 있는 것이 된다. 또한, (e) 화합물이 5 ％ 이상 반응한 것을 확인한 후, 제 4 공정에 있어서, 나머지 (d) 화합물을 첨가한다. (e) 화합물의 소비율, 즉 반응률이 5 ％ 이상인 경우, 반응률이 5 ％ 미만인 경우에 비해 백탁 그리고 맥리에 의한 수율 저하가 보다 개선된다. 반응률이 30 ％ 이하이면, 반응률이 30 ％ 보다 많은 경우에 비해 맥리에 의한 수율 저하가 보다 개선된다.
제 3 공정의 (c) 화합물과 (e) 화합물을 반응시키는 조건, 즉 반응 온도 및 반응 시간은 이하와 같다. 즉 반응 온도는 통상 0 ∼ 30 ℃ 이고, 반응 시간은 0.5 ∼ 12 시간, 보다 바람직하게는 반응 온도가 5 ∼ 25 ℃ 이고 반응 시간이 1 ∼ 6 시간, 특히 바람직하게는 반응 온도가 10 ∼ 20 ℃ 이고 반응 시간이 2 ∼ 4 시간이다. 반응 조건 중 반응 온도가 0 ℃ 보다 낮은 경우, 공정 시간이 길어지고, 반응 온도가 30 ℃ 보다 높은 경우에는, (c) 화합물과 (e) 화합물의 반응 제어가 어려워지는 경우가 있다.
본 발명의 광학 재료용 수지 조성물의 제조 방법에 있어서, 미리 탈기 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 탈기 처리는 제 3 공정에서 실시하는데, 처리 조건, 즉 혼합물을 밀폐 상태로 수용하는 용기 내의 공간 압력은 바람직하게는 3.33 ㎪ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.33 ㎪ 이하이며, 특히 바람직하게는 0.27 ㎪ 이하이다. 탈기 처리에 의해 제거되는 성분은 주로 황화수소 등의 용존 가스나 저분자량의 티올 등의 저비점물 등이다. 0.27 ㎪ 보다 높은 진공도로 탈기 처리를 하면, 용존 가스가 잔존하여 광학 재료의 투명성이 저하되어 버리는 경우가 있다.
(제 4 공정)
제 4 공정은 나머지 (d) 화합물을 제 3 공정에서 얻어진 반응 혼합물에 첨가하고 혼합시켜 광학 재료용 수지 조성물을 얻는 공정이다.
이 때, 반응 혼합물에 대한 나머지 (d) 화합물의 첨가는 (e) 화합물이 5 ％ 이상 반응한 것을 확인한 후에 실시하는 것이 바람직하다. 이 경우, (e) 화합물이 5 ％ 도 반응하지 않는 상태에서 (d) 화합물을 반응 혼합물에 첨가하는 경우에 비해, 맥리나 백탁과 같은 불량 요인이 보다 개선된다. (d) 화합물과 반응 혼합물을 혼합시키는 조건, 즉 온도 및 시간은 통상 이하와 같다. 즉 혼합 온도가 10 ∼ 20 ℃ 이고 혼합 시간이 0.1 ∼ 1 시간이다. 혼합 조건 중 혼합 온도가 10 ℃ 보다 낮은 경우, 공정 시간이 길어지고, 혼합 온도가 20 ℃ 보다 높은 경우, (e) 화합물과 (c) 화합물의 반응 제어가 어려워지는 경우가 있다. 이 때, (d) 화합물과 반응 혼합물을 혼합시킴과 동시에 탈기 처리를 실시해도 상관없다.
(제 5 공정)
제 5 공정은 제 4 공정에서 얻어진 광학 재료용 수지 조성물을 주형하고 중합시켜 광학 재료를 얻는 공정이다.
제 5 공정에 있어서의 본 발명의 광학 재료용 수지 조성물의 주형시에, 구멍 직경 0.1 ∼ 5 ㎛ 정도의 마이크로 필터 등으로 불순물을 여과시켜 제거하는 것은 본 발명의 광학 재료의 품질을 높이는 데에 있어서도 바람직하다.
제 5 공정에 있어서의 본 발명의 광학 재료용 수지 조성물의 중합은 통상 이하와 같이 하여 이루어진다. 즉, 경화 시간은 통상 1 ∼ 100 시간이고, 경화 온도는 통상 －10 ℃ ∼ 140 ℃ 이다. 중합은 소정의 중합 온도에서 소정 시간 유지하는 공정, 0.1 ℃ ∼ 100 ℃/h 의 승온을 실시하는 공정, 0.1 ℃ ∼ 100 ℃/h 의 강온을 실시하는 공정에 의해, 또는 이들 공정을 조합하여 실시한다. 또, 경화 종료 후, 얻어진 광학 재료를 50 ∼ 150 ℃ 의 온도에서 10 분 ∼ 5 시간 정도 어닐 처리를 실시하는 것은 본 발명의 광학 재료의 변형을 제거하기 위해서 바람직한 처리이다. 또한, 얻어진 광학 재료에 대해, 필요에 따라, 염색, 하드 코트, 내충격성 코트, 반사 방지, 흐림방지성 부여 등의 표면 처리를 실시해도 된다.
실시예
이하, 본 발명의 내용을 실시예 및 비교예를 들어 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 이하의 실시예 및 비교예 방법에 의해 얻어진 광학 재료에 있어서의 맥리 및 백탁에 대해서는 각각, 이하의 방법에 의해 평가하였다.
(맥리) 암실에서, 경화물 (광학 재료) 에 초고압 수은 램프 250 W (우시오 전기 주식회사 제조, 형식 : USH-250SH) 의 광을 쬐어 경화물에 있어서의 맥리를 육안으로 평가하였다. 맥리가 없는 것을 양품, 맥리가 있는 것을 불량품으로 하였다. 하기 표 1 및 표 2 에 있어서는, 양품/투입 장수 (10 장) 를 수율로서 표기하였다.
(백탁) 암실에서, 경화물 (광학 재료) 에 형광등의 광을 쬐어 육안으로 백탁을 평가하였다. 그리고, 하기 표 1 및 표 2 에 있어서는, 백탁이 없는 것을 「A」, 백탁이 있는 것을 「B」로 하였다.
실시예 1
반응 온도 20 ℃, 반응 시간 2 시간, 반응률 30 ％, 제 2 공정에 있어서의 (d) 화합물 : 2 중량부
제 1 공정 ; 반응 플라스크에서, 비스(β-에피티오프로필)술파이드 (이하 (a1) 화합물이라고 부른다) 79.5 중량부, (b) 화합물인 황 0.5 중량부, 항산화제로서 카테콜 0.05 중량부, 자외선 흡수제로서 2-(2-하이드록시-4-옥틸페닐)-2H-벤조트리아졸 1 중량부를 30 ℃, 60 분 혼합하여, 균일하게 하여 제 1 액을 얻었다. 그 후에, 제 1 액에 대해 20 ℃ 까지 냉각을 실시하였다.
제 2 공정 ; 비스(2-메르캅토에틸)술파이드 2.0 중량부 (이하 (d1) 화합물이라고 부른다), 펜타에리트리톨테트라키스프로피오네이트 (이하 (e1) 화합물이라고 부른다) 6.6 중량부, n-부틸포스포늄브로마이드 0.09 중량부, 디부틸주석디클로라이드 0.01 중량부를 20 ℃ 의 혼합 온도에서 잘 혼합하여 균일하게 한 후, 반응 플라스크 중의 제 1 액에 첨가하고, 20 ℃ 의 혼합 온도에서 1 시간 교반하여 균일하게 하여 제 2 액을 얻었다.
제 3 공정 ; 이형제인 제렉 UN (Stepan 사 제조) 0.01 중량부, m-자일릴렌디이소시아네이트 7.2 중량부 (이하 (c1) 화합물이라고 부른다) 를 20 ℃ 에서 잘 혼합하여 균일하게 한 후, 반응 플라스크 중의 제 2 액에 첨가하여, 얻어진 혼합물에 대해 20 ℃ 의 반응 온도, 0.27 ㎪ 의 진공도로 2 시간 탈기 및 교반을 실시하고, 혼합물을 반응시켜 반응 혼합물을 얻었다. 2 시간 후에 반응 혼합물을 GPC (칼럼, Shodex 사 제조, K-802) 에 세트하여 GPC 로 (e1) 화합물의 반응률을 측정하였다. 그 결과, (e1) 화합물이 30 ％ 반응한 것을 확인하였다.
제 4 공정 ; (d1) 화합물을 4.2 중량부, 반응 플라스크 중의 반응 혼합물에 첨가하여, 15 ℃ 에서 30 분, 0.27 ㎪ 의 진공도로 탈기 및 교반을 실시하여 광학 재료용 수지 조성물을 얻었다.
제 5 공정 ; 제 4 공정에서 얻어진 광학 재료용 수지 조성물을 2 장의 유리판과 테이프로 구성되는, 코바 두께 10 ㎜, 중심 두께 15 ㎜, 몰드 직경이 75 ㎜ 인 몰드에 주입하여, 29 ℃ 에서 30 시간 가열하고, 100 ℃ 까지 10 시간에 걸쳐 일정 속도로 승온시키고, 마지막에 100 ℃ 에서 2 시간 가열하여, 중합 경화시켰다. 방랭 후, 몰드로부터 이형시켜, 경화된 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료는 110 ℃ 에서 60 분 어닐 처리하여, 이형에 의해 생긴 변형을 제거하였다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 1 에 나타냈다.
실시예 2
반응 온도 10 ℃, 반응 시간 4 시간, 반응률 10 ％, 제 2 공정에 있어서의 (d) 화합물 : 1.74 중량부
제 2 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 1.74 중량부 및 혼합 온도를 10 ℃ 로 하고, 제 3 공정의 반응 온도를 10 ℃, 반응 시간 (탈기 및 교반 시간) 을 4 시간, (e1) 화합물의 반응률을 10 ％ 로 하고, 제 4 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 4.46 중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 1 에 나타냈다.
실시예 3
반응 온도 15 ℃, 반응 시간 2 시간, 반응률 5 ％, 제 2 공정에 있어서의 (d) 화합물 : 1.74 중량부
제 2 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 1.74 중량부 및 혼합 온도를 15 ℃ 로 하고, 제 3 공정의 반응 온도를 15 ℃, (e1) 화합물의 반응률을 5 ％ 로 하고, 제 4 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 4.46 중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 1 에 나타냈다.
비교예 1
제 2 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 6.2 중량부로 하고, 제 3 공정의 반응 시간을 0.1 시간, (e1) 화합물의 반응률을 0 ％ 로 하고, 제 4 공정의 (d1) 화합물 첨가량을 0 중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 2 에 나타냈다.
비교예 2
제 2 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 1.74 중량부 및 혼합 온도를 10 ℃ 로 하고, 제 3 공정의 반응 온도를 10 ℃, 반응 시간을 0.1 시간, (e1) 화합물의 반응률을 0 ％ 로 하고, 제 4 공정의 (d1) 화합물의 첨가량을 4.46 중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 2 에 나타냈다.
비교예 3
제 1 공정 반응 플라스크에서, (a1) 화합물 79.5 중량부, (b1) 화합물 0.5 중량부, 항산화제로서 카테콜 0.05 중량부, 자외선 흡수제로서 2-(2-하이드록시-4-옥틸페닐)-2H-벤조트리아졸 1 중량부를 30 ℃, 60 분 혼합하여, 균일하게 하여 제 1 액을 얻었다. 그 후에, 제 1 액에 대해 20 ℃ 까지 냉각을 실시하였다.
다음 공정 (제 2' 공정) 으로서, (d1) 화합물 2.0 중량부, (e1) 화합물 6.6 중량부, n-부틸포스포늄브로마이드 0.09 중량부, 디부틸주석디클로라이드 0.01 중량부를 20 ℃, 상압에서 잘 혼합하여 균일하게 하였다.
다음 공정 (제 3' 공정) 으로서. 제렉 UN (Stepan 사 제조) 0.01 중량부, (c1) 화합물 7.2 중량부를 20 ℃ 에서 잘 혼합하여 균일하게 한 후, 제 2' 공정에서 얻어진 액에 첨가하여, 얻어진 혼합물을 상압하, 20 ℃ 에서 30 분 혼합하였다. 이렇게 하여 얻어진 액에 대해 실시예 1 과 동일하게 하여 (e1) 화합물의 반응률을 측정하였다. 그 결과, (e1) 화합물이 5 ％ 반응한 것을 확인하였다.
다음 공정 (제 4' 공정) 으로서, 제 3' 공정에서 얻어진 액 그리고 (b1) 화합물 4.2 중량부를 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액에 첨가하고, 균일하게 혼합하여 반응 조성물을 얻었다.
제 5 공정으로서, 제 4' 공정에서 얻어진 반응 조성물을 2 장의 유리판과 테이프로 구성되는, 코바 두께 10 ㎜, 중심 두께 15 ㎜, 몰드 직경이 75 ㎜ 인 몰드에 주입하여, 29 ℃ 에서 30 시간 가열하고, 100 ℃ 까지 10 시간에 걸쳐 일정 속도로 승온시키고, 마지막에 100 ℃ 에서 2 시간 가열하여, 중합 경화시켰다. 방랭 후, 몰드로부터 이형시켜, 경화된 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료는 110 ℃ 에서 60 분 어닐 처리하여, 이형에 의해 생긴 변형을 제거하였다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 2 에 나타냈다.
비교예 4
비교예 3 의 제 3' 공정에서 얻어진 혼합물의 혼합 온도 및 혼합 시간을 각각 30 ℃ 및 1 시간으로 하고, (e1) 화합물의 반응률을 30 ％ 로 한 것 이외에는, 비교예 3 과 동일하게 하여 광학 재료를 얻었다. 얻어진 광학 재료의 맥리의 수율 및 백탁의 결과를 표 2 에 나타냈다.
Figure 112012001912730-pct00003
Figure 112012001912730-pct00004

Claims (6)

  1. 하기 (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물, 및 (e) 화합물을 원료로 하는 광학 재료의 제조법으로서, 하기 제 1 공정에서 제 5 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법.
    제 1 공정 (a) 화합물에 (b) 화합물을 용해시켜 제 1 액을 얻는 공정.
    제 2 공정 (d) 화합물의 일부를 혼합시킨 (e) 화합물을 제 1 공정에서 얻어진 제 1 액에 첨가하고 혼합시켜 제 2 액을 얻는 공정.
    제 3 공정 (c) 화합물을 제 2 공정에서 얻어진 제 2 액에 첨가하고, 얻어진 혼합물을 감압하에서 반응시켜 반응 혼합물을 얻는 공정.
    제 4 공정 나머지 (d) 화합물을 제 3 공정에서 얻어진 상기 반응 혼합물에 첨가하고 혼합시켜, 광학 재료용 수지 조성물을 얻는 공정.
    제 5 공정 제 4 공정에서 얻어진 광학 재료용 수지 조성물을 주형 (注型) 하고 중합시켜 광학 재료를 얻는 공정.
    (a) 화합물 : 하기 (1) 식으로 나타내는 구조를 갖는 화합물
    [화학식 1]
    Figure 112012001912730-pct00005

    (b) 화합물 : 황
    (c) 화합물 : m-자일릴렌디이소시아네이트, p-자일릴렌디이소시아네이트, m-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트, 및 p-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트 중에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 화합물
    (d) 화합물 : 비스(2-메르캅토에틸)술파이드, 비스(2,3-디메르캅토프로필)술파이드, 1,2-비스(2-메르캅토에틸티오)에탄, 2-(2-메르캅토에틸티오)-1,3-디메르캅토프로판, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(2-메르캅토에틸)-1,4-디티안, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1-티안, 2,5-비스(2-메르캅토에틸)-1-티안, 비스(4-메르캅토페닐)술파이드, 비스(4-메르캅토메틸페닐)술파이드, 및 3,4-티오펜디티올 중에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 화합물
    (e) 화합물 : 펜타에리트리톨테트라키스메르캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트, 테트라키스(메르캅토메틸)메탄, 테트라키스(메르캅토메틸티오메틸)메탄, 테트라키스(2-메르캅토에틸티오메틸)메탄, 및 테트라키스(3-메르캅토티오메틸)메탄 중에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 화합물
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 2 공정에 있어서, (a) 화합물, (b) 화합물, (c) 화합물, (d) 화합물 및 (e) 화합물의 총량을 100 중량부로 했을 때, (d) 화합물의 일부가 2 중량부 이하의 비율로 상기 (e) 화합물과 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제 3 공정에 있어서, 상기 혼합물 중 (e) 화합물의 5 ∼ 30 중량％ 를 (c) 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    제 3 공정에 있어서, 반응 온도를 10 ℃ 내지 20 ℃, 반응 시간을 2 시간 내지 4 시간으로 하는 것을 특징으로 하는 광학 재료의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
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