JP5648636B2 - 光学材料の製造方法、光学材料および光学レンズ - Google Patents
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Description
1.下記(a)化合物、(b)化合物、(c)化合物、(d)化合物、および(e)化合物を原料とする光学材料の製造法であって、下記第1工程から第5工程を経ることを特徴とする光学材料の製造方法。
第1工程 (a)化合物に(b)化合物を溶解させて第1液を得る工程。
第2工程 (d)化合物の一部を混合させた(e)化合物を第1工程で得られた第1液に添加し、混合させて第2液を得る工程。
第3工程 (c)化合物を第2工程で得られた第2液に添加し、得られた混合物を減圧下で反応させて反応混合物を得る工程。
第4工程 残りの(d)化合物を第3工程で得られた前記反応混合物に添加し、混合させ、光学材料用樹脂組成物を得る工程。
第5工程 第4工程で得られた光学材料用樹脂組成物を注型し、重合させて光学材料を得る工程。
(a)化合物:下記(1)式で表される構造を有する化合物
(c)化合物:m−キシリレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、およびp−テトラメチルキシリレンジイソシアネートの中から選ばれる少なくとも1種以上の化合物
(d)化合物:ビス(2−メルカプトエチル)スルフィド、ビス(2,3−ジメルカプトプロピル)スルフィド、1,2−ビス(2−メルカプトエチルチオ)エタン、2−(2−メルカプトエチルチオ)−1,3−ジメルカプトプロパン、2,5−ビス(メルカプトメチル)−1,4−ジチアン、2,5−ビス(2−メルカプトエチル)−1,4−ジチアン、2,5−ビス(メルカプトメチル)−1−チアン、2,5−ビス(2−メルカプトエチル)−1−チアン、ビス(4−メルカプトフェニル)スルフィド、ビス(4−メルカプトメチルフェニル)スルフィド、および3,4−チオフェンジチオールの中から選ばれる少なくとも1種以上の化合物
(e)化合物:ペンタエリスリトールテトラキスメルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、テトラキス(メルカプトメチル)メタン、テトラキス(メルカプトメチルチオメチル)メタン、テトラキス(2−メルカプトエチルチオメチル)メタン、およびテトラキス(3−メルカプトチオメチル)メタンの中から選ばれる少なくとも1種以上の化合物
第1工程 (b)化合物を(a)化合物に溶解させて第1液を得る。
第2工程 (d)化合物の一部と(e)化合物と第1液とを均一混合して第2液を得る。
第3工程 (c)化合物を第2液に添加し、得られた混合物中の(c)化合物と(e)化合物を減圧下で反応させて反応混合物を得る。
第4工程 第2工程で、未添加分の(d)化合物を第3工程で得られた反応混合物に添加し、均一に混合して光学材料用樹脂組成物を得る。
第5工程 上記光学材料用樹脂組成物を注型し、重合させ、光学材料を得る。
本発明は、下記(a)化合物、(b)化合物、(c)化合物、(d)化合物、および(e)化合物を原料とする光学材料の製造法であって、下記第1工程から第5工程を経ることを特徴とする光学材料の製造方法である。
第1工程 (a)化合物に(b)化合物を溶解させて第1液を得る工程。
第2工程 (d)化合物の一部を混合させた(e)化合物を第1工程で得られた第1液に添加し、混合させて第2液を得る工程。
第3工程 (c)化合物を第2工程で得られた第2液に添加し、得られた混合物を減圧下で反応させて反応混合物を得る工程。
第4工程 残りの(d)化合物を第3工程で得られた前記反応混合物に添加し、混合させ、光学材料用樹脂組成物を得る工程。
第5工程 第4工程で得られた光学材料用樹脂組成物を注型し、重合させて光学材料を得る工程。
次に、上記第1工程〜第5工程について詳細に説明する。
第1工程は、(a)化合物に(b)化合物を溶解させて第1液を得る工程である。この工程において、溶解条件は通常、以下の通りである。即ち、溶解温度が10〜60℃で、溶解時間が0.1〜12時間、より好ましくは溶解温度が15〜50℃で溶解時間が0.1〜6時間、特に好ましくは溶解温度が20〜40℃で溶解時間が0.1〜2時間である。溶解温度を10℃より低くすると、溶解時間が長くなり、60℃より高くすると、光学材料の耐熱性が低下するといった不具合が生じる。第1工程は、大気、窒素または酸素等の気体の存在下、常圧もしくは、加減圧による密閉下の任意の雰囲気下で行ってよい。また、(b)化合物の他に、酸化防止剤、紫外線吸収剤、重合触媒ならびに重合調整剤などといった固体成分を同時に溶解してもかまわない。
第2工程は、(d)化合物の一部を混合させた(e)化合物を第1工程で得られた第1液に添加し、混合させて第2液を得る工程である。ここで、(d)化合物の一部を混合させた(e)化合物と、第1工程で得られた第1液とは、均一に混合させることが好ましい。
第3工程は、(c)化合物を、第2工程で得られた第2液に添加し、得られた混合物を減圧下で反応させて反応混合物を得る工程である。ここで、減圧下とは、圧力が0.10kPa〜0.27kPaである環境下を意味し、混合物を、例えば真空ポンプを用いて脱気処理することにより実現することができる。
第4工程は、残りの(d)化合物を第3工程で得られた反応混合物に添加し、混合させ、光学材料用樹脂組成物を得る工程である。
このとき、反応混合物への残りの(d)化合物の添加は、(e)化合物が5%以上反応したことを確認した後に行うことが好ましい。この場合、(e)化合物が5%も反応しない状態で(d)化合物を反応混合物に添加する場合に比べて、脈理や白濁といった不良要因がより改善する。(d)化合物と反応混合物とを混合させる条件、即ち温度及び時間は通常、以下の通りである。即ち混合温度が10〜20℃で混合時間が0.1〜1時間である。混合条件のうちの混合温度が10℃より低い場合、工程時間が長くなり、混合温度が20℃より高い場合、(e)化合物と(c)化合物との反応の制御が難しくなる場合がある。このとき、(d)化合物と反応混合物とを混合させると同時に脱気処理を行ってもかまわない。
第5工程は、第4工程で得られた光学材料用樹脂組成物を注型し、重合させて光学材料を得る工程である。
反応温度20℃、反応時間2時間、反応率30%、第2工程における(d)化合物:2重量部
第1工程;反応フラスコで、ビス(β―エピチオプロピル)スルフィド(以下(a1)化合物と呼ぶ)79.5重量部、(b)化合物の硫黄0.5重量部、抗酸化剤として、カテコール0.05重量部、紫外線吸収剤として、2−(2−ヒドロキシ−4−オクチルフェニル)−2H−ベンゾトリアゾール1重量部を30℃、60分混合し、均一として第1液を得た。その後に、第1液について20℃まで冷却を行った。
第2工程;ビス(2−メルカプトエチル)スルフィド2.0重量部(以下(d1)化合物と呼ぶ)、ペンタエリスリトールテトラキスプロピオネート(以下(e1)化合物と呼ぶ)6.6重量部、n−ブチルホスホニウムブロマイド0.09重量部、ジブチルスズジクロライド0.01重量部を20℃の混合温度でよく混合し、均一とした後、反応フラスコ中の第1液に加え、20℃の混合温度で1時間攪拌し、均一として第2液を得た。
第3工程;離型剤のゼレックUN(Stepan社製)0.01重量部、m−キシリレンジイソシアネート7.2重量部(以下(c1)化合物と呼ぶ)を20℃でよく混合し、均一とした後、反応フラスコ中の第2液に加え、得られた混合物について20℃の反応温度、0.27kPaの真空度で2時間脱気および攪拌を行い、混合物を反応させ、反応混合物を得た。2時間後に反応混合物をGPC(カラム、Shodex社製、K−802)にセットしてGPCで(e1)化合物の反応率の測定を行った。その結果、(e1)化合物が30%反応したことを確認した。
第4工程;(d1)化合物を4.2重量部、反応フラスコ中の反応混合物に加え、15℃で30分、0.27kPaの真空度で脱気および攪拌を行い、光学材料用樹脂組成物を得た。
第5工程;第4工程で得られた光学材料用樹脂組成物を2枚のガラス板とテープから構成される、コバ厚さ10mm、中心厚15mm、モールド径が75mmのモールドに注入し、29℃で30時間加熱し、100℃まで10時間かけて一定速度で昇温させ、最後に100℃で2時間加熱し、重合硬化させた。放冷後、モールドから離型し、硬化した光学材料を得た。得られた光学材料は、110℃で60分、アニール処理し、離型により生じた歪を取り除いた。得られた光学材料の脈理の歩留まりおよび白濁の結果を表1に示した。
反応温度10℃、反応時間4時間、反応率10%、第2工程における(d)化合物:1.74重量部
第2工程の(d1)化合物の添加量を1.74重量部および混合温度を10℃とし、第3工程の反応温度を10℃、反応時間(脱気及び撹拌時間)を4時間、(e1)化合物の反応率を10%とし、第4工程の(d1)化合物の添加量を4.46重量部にした以外は、実施例1と同様にして光学材料を得た。得られた光学材料の脈理の歩留まりおよび白濁の結果を表1に示した。
反応温度15℃、反応時間2時間、反応率5%、第2工程における(d)化合物:1.74重量部
第2工程の(d1)化合物の添加量を1.74重量部および混合温度を15℃とし、第3工程の反応温度を15℃、(e1)化合物の反応率を5%とし、第4工程の(d1)化合物の添加量を4.46重量部にした以外は、実施例1と同様にして光学材料を得た。得られた光学材料の脈理の歩留まりおよび白濁の結果を表1に示した。
第2工程の(d1)化合物の添加量を6.2重量部とし、第3工程の反応時間を0.1時間、(e1)化合物の反応率を0%とし、第4工程の(d1)化合物添加量を0重量部とした以外は、実施例1と同様にして光学材料を得た。得られた光学材料の脈理の歩留まりおよび白濁の結果を表2に示した。
第2工程の(d1)化合物の添加量を1.74重量部および混合温度を10℃とし、第3工程の反応温度を10℃、反応時間を0.1時間、(e1)化合物の反応率を0%とし、第4工程の(d1)化合物の添加量を4.46重量部とした以外は、実施例1と同様にして光学材料を得た。得られた光学材料の脈理の歩留まりおよび白濁の結果を表2に示した。
第1工程 反応フラスコで、(a1)化合物79.5重量部、(b1)化合物0.5重量部、抗酸化剤として、カテコール0.05重量部、紫外線吸収剤として、2−(2−ヒドロキシ−4−オクチルフェニル)−2H−ベンゾトリアゾール1重量部を30℃、60分混合し、均一として第1液を得た。その後に、第1液について20℃まで冷却を行った。
次の工程(第2’工程)として、(d1)化合物2.0重量部、(e1)化合物6.6重量部、n−ブチルホスホニウムブロマイド0.09重量部、ジブチルスズジクロライド0.01重量部を20℃、常圧でよく混合し、均一とした。
次の工程(第3’工程)として、ゼレックUN(Stepan社製)0.01重量部、(c1)化合物7.2重量部を20℃でよく混合し、均一とした後、第2’工程で得られた液に加え、得られた混合物を常圧下、20℃で30分混合した。こうして得られた液について実施例1と同様にして(e1)化合物の反応率を測定した。その結果、(e1)化合物が5%反応したことを確認した。
次の工程(第4’工程)として、第3’工程で得られた液ならびに(b1)化合物4.2重量部を第1工程で得られた第1液に添加し、均一に混合し、反応組成物を得た。
第5工程として、第4’工程で得られた反応組成物を2枚のガラス板とテープから構成される、コバ厚さ10mm、中心厚15mm、モールド径が75mmのモールドに注入し、29℃で30時間加熱し、100℃まで10時間かけて一定速度で昇温させ、最後に100℃で2時間加熱し、重合硬化させた。放冷後、モールドから離型し、硬化した光学材料を得た。得られた光学材料は、110℃で60分、アニール処理し、離型により生じた歪を取り除いた。得られた光学材料の脈理の歩留まりおよび白濁の結果を表2に示した。
Claims (4)
- 下記(a)化合物、(b)化合物、(c)化合物、(d)化合物、および(e)化合物を原料とする光学材料の製造法であって、下記第1工程から第5工程を経ることを特徴とする光学材料の製造方法。
第1工程 (a)化合物に(b)化合物を溶解させて第1液を得る工程。
第2工程 (d)化合物の一部を混合させた(e)化合物を第1工程で得られた第1液に添加し、混合させて第2液を得る工程。
第3工程 (c)化合物を第2工程で得られた第2液に添加し、得られた混合物を減圧下で反応させて反応混合物を得る工程。
第4工程 残りの(d)化合物を第3工程で得られた前記反応混合物に添加し、混合させ、光学材料用樹脂組成物を得る工程。
第5工程 第4工程で得られた光学材料用樹脂組成物を注型し、重合させて光学材料を得る工程。
(a)化合物:下記(1)式で表される構造を有する化合物
(c)化合物:m−キシリレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、およびp−テトラメチルキシリレンジイソシアネートの中から選ばれる少なくとも1種以上の化合物
(d)化合物:ビス(2−メルカプトエチル)スルフィド、ビス(2,3−ジメルカプトプロピル)スルフィド、1,2−ビス(2−メルカプトエチルチオ)エタン、2−(2−メルカプトエチルチオ)−1,3−ジメルカプトプロパン、2,5−ビス(メルカプトメチル)−1,4−ジチアン、2,5−ビス(2−メルカプトエチル)−1,4−ジチアン、2,5−ビス(メルカプトメチル)−1−チアン、2,5−ビス(2−メルカプトエチル)−1−チアン、ビス(4−メルカプトフェニル)スルフィド、ビス(4−メルカプトメチルフェニル)スルフィド、および3,4−チオフェンジチオールの中から選ばれる少なくとも1種以上の化合物
(e)化合物:ペンタエリスリトールテトラキスメルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、テトラキス(メルカプトメチル)メタン、テトラキス(メルカプトメチルチオメチル)メタン、テトラキス(2−メルカプトエチルチオメチル)メタン、およびテトラキス(3−メルカプトチオメチル)メタンの中から選ばれる少なくとも1種以上の化合物 - 第2工程において、(a)化合物、(b)化合物、(c)化合物、(d)化合物および(e)化合物の総量を100重量部とした時、(d)化合物の一部が2重量部以下の割合で前記(e)化合物と混合されていることを特徴とする請求項1に記載の光学材料の製造方法。
- 第3工程において、前記混合物中の(e)化合物の5〜30%を(c)化合物と反応させること特徴とする請求項1に記載の光学材料の製造方法。
- 第3工程において、反応温度を10℃から20℃、反応時間を2時間から4時間とすることを特徴とする請求項3に記載の光学材料の製造方法。
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