KR101647866B1 - 광전 반도체 소자 - Google Patents

광전 반도체 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101647866B1
KR101647866B1 KR1020117019381A KR20117019381A KR101647866B1 KR 101647866 B1 KR101647866 B1 KR 101647866B1 KR 1020117019381 A KR1020117019381 A KR 1020117019381A KR 20117019381 A KR20117019381 A KR 20117019381A KR 101647866 B1 KR101647866 B1 KR 101647866B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scattering
exactly
radiation
conversion
semiconductor chip
Prior art date
Application number
KR1020117019381A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110107384A (ko
Inventor
모릿츠 엔글
요르크 에리히 조르크
토마스 짜일러
요아킴 레일
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20110107384A publication Critical patent/KR20110107384A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101647866B1 publication Critical patent/KR101647866B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

광전 반도체 소자가 제공되며, 상기 광전 반도체 소자는 매트릭스형으로 배치되면서 공통의 캐리어(1)에 적층되며 복사를 방출하는 복수의 반도체칩(2), 상기 반도체칩(2)으로부터 방출된 전자기 복사의 변환을 위해 적어도 하나의 반도체칩(2)보다 뒤에 배치된 적어도 하나의 변환 부재(3), 반도체칩(2)으로부터 방출된 전자기 복사를 확산 산란시키기 위해 상기 각각의 반도체칩(2)보다 뒤에 배치된 적어도 하나의 산란 부재(4)를 포함하고, 이 때 상기 산란 부재(4)는 변환 부재(3)와 직접 접촉한다.

Description

광전 반도체 소자{OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT}
본 발명은 광전 반도체 소자에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2009 005907.5에 대한 우선권을 주장하며, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.
본 발명의 해결하려는 과제는 소자에 걸쳐 균일하게 분포하는 복사 방출이 가능하며, 소자의 외부 관찰자의 밝기차 인지를 줄여주는 광전 반도체 소자를 제공하는 것이다.
반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 소자는 특히 매트릭스형으로 배치된 복수의 복사 방출 반도체칩들을 포함한다. 반도체칩은 공통의 캐리어상에 적층된다. 이와 관련하여 "매트릭스형"이란 복수의 복사 방출 반도체칩들이 바람직하게는 행과 열의 형태로 캐리어상에 적층된 것을 의미한다. 이 때, 반도체칩은 반드시 규칙적 격자로 캐리어상에 적층되지 않아도 된다.
예컨대, 매트릭스형으로 배치된 반도체칩들 사이에 간극들이 형성된다. 바꾸어 말하면, 반도체칩은 상호간에 이격되어 배치된다. 소자의 평면도에서 상기 간극은 각각 상호 인접해있는 2개의 반도체칩들의 측면 및 반도체칩을 향해있는 캐리어의 표면에 의해 한정된다.
복사 방출 반도체칩은 예컨대 냉광성 다이오드칩을 가리킬 수 있다. 냉광성 다이오드칩이란 자외광 내지 적외광의 영역에서 복사를 방출하는 발광다이오드칩 또는 레이저다이오드칩을 가리킬 수 있다. 바람직하게는, 냉광성 다이오드칩은 전자기 복사의 스펙트럼의 가시 영역 또는 자외 영역에서 광을 방출한다. 공통의 캐리어란 도체판 또는 캐리어프레임(리드프레임)을 가리킬 수 있다. 소자는 예컨대 표면실장 가능하다. 캐리어는 열경화성 물질 또는 열가소성 물질 또는 세라믹 물질을 포함하여 형성될 수 있거나, 이러한 물질로 구성될 수 있다. 매트릭스형으로 배치된 복사 방출 반도체칩은 공통의 캐리어상에 적층된다.
반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사의 변환을 위해 적어도 하나의 변환 부재는 적어도 하나의 반도체칩보다 뒤에 배치된다. 적어도 하나의 변환부재는 반도체 소자의 복사 출사 경로를 따라 반도체칩보다 뒤에 배치된다. 복사 출사 경로는 전자기 복사의 방출부터 반도체칩을 통과하여 소자로부터 아웃커플링될 때까지의 복사 경로이다. 적어도 하나의 변환 부재는 일 파장의 광을 다른 파장의 광으로 변환한다. 예컨대, 적어도 하나의 변환 부재는 적어도 하나의 반도체칩으로부터 1차로 방출된 청색광을 일부 황색광으로 변환하고, 상기 황색광은 청색광과 함께 혼합되어 백색광이 될 수 있다. 적어도 하나의 변환 부재는 반도체 소자의 구동 시 광 변환체의 기능을 한다. 바람직하게는, 적어도 하나의 변환 부재는 적어도 하나의 반도체칩의 복사 출사면상에 적층되고, 이 때 적어도 하나의 반도체칩과 직접 접촉한다. 예컨대, 이러한 점은 반도체칩상에 변환 부재가 접착됨으로써 이루어질 수 있다. 또한, 변환 부재가 스크린인쇄 방법을 이용하여 반도체칩의 복사 출사면에 적층되는 경우도 가능하다. 이러한 점은 유리하게는 반도체칩으로부터 1차로 방출된 전자기 복사의 칩 근방 색 변환을 가능하게 한다. 그러나, 적어도 하나의 변환 부재가 간접적으로만 반도체칩과 접촉하는 경우도 가능하다. 즉, 변환 부재/반도체칩간의 경계면 사이에 틈새가 형성되고, 변환 부재 및 반도체칩이 서로 닿지 않을 수 있다. 틈새는 가스, 예컨대 공기로 채워질 수 있다.
변환 부재는 실리콘, 에폭시, 실리콘과 에폭시의 혼합물 또는 투명 세라믹을 포함하여 형성될 수 있고, 상기 변환 부재안에 변환물질의 입자가 삽입되어 있다.
예컨대, 각각의 반도체칩에는 정확히 하나의 변환 부재가 부속한다. 이 때, 각각의 반도체칩에는 변환 부재가 일대일 방식으로 부속할 수 있다.
소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 광전 반도체 소자는 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사의 확산 산란을 위해 각각의 반도체칩보다 뒤에 배치된 적어도 하나의 산란 부재를 포함한다. 산란 부재는 바람직하게는 적어도 하나의 변환 부재와 직접 접촉한다. 산란 부재는 예컨대 매트릭스 물질을 포함하고, 매트릭스 물질안에 추가적으로 복사 산란 입자가 삽입되어 있다. 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사는 복사 산란 입자(확산체 입자라고도 함)에서 산란된다. 마찬가지로, 산란 부재가 예컨대 투명 물질 소재의 거칠어진 판으로서 형성될 수 있다. 산란 부재의 형성 방식에 있어서 적어도 2개의 가능성이 존재한다. 한편으로는, 정확히 하나의 산란 부재가 모든 반도체칩보다 뒤에 배치될 수 있다. 다른 한편으로는, 각각의 반도체칩에 고유의 산란 부재가 수반될 수 있고 따라서 일대일 대응방식으로 부속할 수 있다. 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사가 산란 부재에 의해 매우 균일해져서 소자의 방출 특성에 있어 비균일도가 방지되고 세기 피크가 고르게 되는 것을 확인할 수 있었다. 유리하게는, 외부 관찰자에게 눈부심 효과가 방지되고, 소자의 복사 출사면은 유리하게도 그 밝기에 있어서 더 균일하고 균질하게 보인다.
이와 관련하여 "방출 특성"은 반도체 소자의 광학축과의 편차에 의존하는 세기 및 색상과 같은 광 방출 특성에 관련한다.
소자의 광학축은 예컨대 반도체칩을 향해있는 소자 캐리어의 표면에 대해 수직이다.
소자의 복사 출사면은 예컨대 모든 산란 부재 또는 변환 부재의 테두리에 의해 둘러싸이는 면이다.
이러한 산란 부재가 삽입되는 것에 따른 또 다른 이점은, 외부로부터 입사된 외부광이 산란 부재로부터 확산되면서 반사되어, 확산산란된 외부광이 소자로부터 생성된 전자기 복사와 중첩되지 않는다는 것이다. 그 결과, 유리하게도, 이러한 산란 부재가 이미 언급한 효과 외에도 부가적으로 컬러광 콘트라스트를 증가시킨다.
또한, 산란 부재 및 변환 부재는 바람직하게는 상호간 직접 접촉한다. 즉, 산란부재/변환부재의 경계면은 틈새도 간극도 형성하지 않거나, 불연속부분을 형성하지 않는다. 유리하게는, 변환 부재로부터 방출되거나 변환 부재를 투과한 전자기 복사 중 가능한 한 많은 부분이 산란 부재에 의해 포착되어 확산 산란될 수 있다. 예컨대, 이러한 점은, 산란 부재가 변환 부재상에 접착되거나 스크린 인쇄 공정을 이용하여 산란 부재가 변환 부재상에 스퀴징(squeezing)됨으로써 달성될 수 있다.
적어도 일 실시예에 따르면, 광전 반도체 소자는 매트릭스형으로 배치된 복사 방출 반도체칩을 다수개로 포함하고, 이 때 반도체칩은 공통의 캐리어상에 적층된다. 또한, 광전 반도체 소자는 적어도 하나의 변환 부재를 포함하고, 상기 변환 부재는 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사의 변환을 위해 적어도 하나의 반도체칩보다 뒤에 배치된다. 또한, 각각의 반도체칩 이후에는 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사의 확산 산란을 위한 산란 부재가 수반되고, 이 때 산란 부재는 변환 부재와 직접 접촉한다. 이 때, 단일의 산란 부재 또는 복수의 산란 부재들을 가리킬 수 있다.
본 명세서에 설명한 광전 반도체 소자는 특히, 소자의 복사 출사면의 외부 관찰자에 있어 소자의 캐리어를 간극을 투과하여 인지할 수 있어서, 산란부재가 없는 경우에 소자의 복사 출사면의 관찰 시 밝기차가 발생한다는 인식을 기초로 한다.
외부 관찰자에게는 반도체칩이 위치하여 밝게 발광하는 영역들 및 반도체칩들간의 간극을 나타내며 어둡고 발광하지 않는 영역들간의 비균일한 방출상이 제공된다. 이제 이러한 비균일한 방출상을 방지하기 위해, 본 명세서에 설명된 소자는, 산란 부재를 각각의 반도체칩에 부속시키며 이 때 산란 부재는 변환 부재와 직접 접촉한다는 생각을 활용한다. 외부 관찰자에게 어둡게 보이는 소자의 간극들의 문제는, 소자의 복사 출사면의 평면도에서 어둡게 보이는 간극이 산란 부재에 의해 확산 산란된 전자기 복사와 중첩되면서 해결된다. 소자의 복사 출사면의 관찰 시, 어둡게 보이는 간극들은 적어도 국부적으로, 산란 부재에 의해 간극의 영역들로부터 확산 산란되는 전자기 복사와 중첩된다.
이러한 점은 외부 관찰자에게 균일한 복사 방출 소자라는 인상을 야기하며, 이 때 복사 출사면에 걸쳐 휘도차가 감소한다. 이와 관련하여, "휘도"는 소자의 복사 출사면의 밝기를 위한 척도이며, 면적 당 광 세기로서 정의된다. 이를 통해, 소자는 상기 소자의 복사 출사면에 의해 외부 관찰자에게는 그 밝기가 더 균일하게 보인다.
유리하게는, 적어도 하나의 산란 부재가 반도체칩상에 적층됨으로써 눈부심 효과가 방지되는데, 산란 부재는 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사를 확산 산란시킴으로써, 소자의 방출 특성에서 비균일도 및 세기 피크가 방지되기 때문이다.
적어도 일 실시예에 따르면, 인접한 반도체칩들 사이의 측면 간격은 1과 150 ㎛사이이고, 바람직하게는 10과 150 ㎛사이이다. 즉, 2개의 인접한 칩들간의 2개의 측면간의 간격은 10과 150 ㎛사이이다. 이로써, 훨씬 특히 콤팩트하면서 공간 절약적인 반도체 소자가 구현된다. 또한, 간극을 수용하는 공간이 가능한 한 작게 유지될 수 있다.
광전 반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 산란 부재는 매트릭스 물질을 포함하여 형성되고, 매트릭스 물질안에 복사 산란 입자(확산체 입자라고도 함)가 삽입된다. 매트릭스 물질은 실리콘, 에폭시 또는 실리콘과 에폭시의 혼합물을 가리킬 수 있다. 마찬가지로, 산란 부재는 세라믹 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 매트릭스 물질에는 복사 산란 입자가 삽입되고, 이러한 입자는 매트릭스 물질상에 입사되는 복사를 확산 산란시킨다. 바람직하게는, 매트릭스 물질은 소자로부터의 가능한 한 높은 복사 아웃커플링을 보장하기 위해 반도체칩으로부터 생성된 전자기 복사에 대해 투명한 물질을 가리킨다.
광전 반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 복사 산란 입자는 적어도 규소이산화물(SiO2), ZrO2, TiO2 및/또는 AlxOy 물질로 구성되거나 이러한 물질들 중 적어도 하나를 포함한다. 예컨대 알루미늄산화물은 Al2O3을 가리킬 수 있다. 복사 산란 입자는 반도체 소자안으로 삽입되기 전에 매트릭스 물질과 섞인다. 바람직하게는, 복사 산란 입자는 매트릭스 물질내에 분포하되, 복사 산란 입자의 농도가 경화된 매트릭스 물질내에서 균일하도록 분포한다. 바람직하게는, 산란 부재가 되게끔 경화된 매트릭스 물질은 전자기 복사를 등방성으로 산란시킨다. 방출된 복사가 입자에서 산란됨으로써, 색 균일도가 개선되면서, 이와 마찬가지로 전자기 복사도 그 세기가 고르게 된다. "색균일도"란 산란 부재의 복사 출사면을 통한 공간적 방출에 있어 색조의 안정성을 의미한다.
광전 반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 매트릭스 물질내에서 복사 산란 입자의 농도는 1 중량%를 초과한다. 바람직하게는, 농도는 5 중량%를 초과한다. 산란 부재들에서 복사 산란 입자의 상기 농도로부터 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사는 산란 부재에 의해 확산성으로 산란되고, 복사 출사면상에 위치한 어둡게 보이는 간극들이 외부 관찰자에게 덜 인지된다는 점을 확인할 수 있었다.
반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 산란 부재는 매트릭스 물질로 구성되고, 상기 매트릭스 물질안에 마이크로 구조가 삽입되어 있다. 즉, 마이크로 구조는 예컨대 조대결정립(coarse grained) 마이크로 구조 (미세립)의 형태로 매트릭스 물질안에 삽입된다. 바람직하게는, 조대결정립 마이크로 구조는 상기 마이크로 구조를 둘러싸는 매트릭스 물질과 상이한 굴절률을 가짐으로써, 전자기 복사는 마이크로 구조에서 확산되면서 산란되거나 광학적으로 굴절된다. 조대결정립 마이크로 구조는 실리콘, 에폭시 또는 실리콘과 에폭시의 혼합물로 구성될 수 있다.
반도체 소자의 적어도 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 산란 부재는 광 산란 호일 또는 광 산란 판이다. 즉, 반도체 소자의 복사 출사 경로를 따라 광 산란 호일 또는 판은 직접적으로 변환 부재 이후에 수반되고, 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사를 확산 산란시킨다. 예컨대, 광 산란 호일 또는 판은 반도체칩과 다른 방향을 향해있는 변환 부재의 상측에 접착된다. 바람직하게는, 변환 부재 및 광 산란 호일 또는 판은 상호 직접 접촉하고, 변환 부재/호일 또는 변환부재/판의 경계면에는 틈새도 불연속한 부분도 형성되지 않는다. 바람직하게는, 호일의 두께는 10 내지 50 ㎛이고, 더욱 바람직하게는 30 ㎛이다. 바람직하게는, 판의 두께는 500 ㎛ 내지 1 mm이다. 호일 또는 판은 실리콘과 같이 전자기 복사에 대해 투명한 물질을 포함하여 형성되고, 이러한 물질에는 경화되어 호일이나 판이 되기 전에 복사 산란 입자가 삽입되었다. 바람직하게는, 광 산란 호일은 복사 산란 입자의 농도가 5 중량%를 초과한다.
또는, 광 산란 판은 세라믹 물질을 포함하여 형성될 수도 있다.
매트릭스 물질안에 복사 산란 입자의 삽입에 대해 부가적 또는 대안적으로, 호일뿐만 아니라 판도 외부면이 구조화될 수 있고, 예컨대 러프닝(roughening)을 포함할 수 있다. 호일 또는 판은 경화된 후 반도체칩과 다른 방향을 향해있는 변환 부재의 표면에 접착될 수 있다. 점성 물질도 마찬가지로 직접 적용되고 이후에 경화될 수 있다.
적어도 일 실시예에 따르면, 각각의 반도체칩 다음에 정확히 하나의 산란 부재가 배치되고, 이 때 산란 부재는 반도체칩을 향해있는 변환 부재를 측방향으로 돌출한다. 산란 부재는 접착, 스크린인쇄 또는 유사한 방법을 이용하여 반도체칩에 부속하는 변환 부재의, 상기 반도체칩과 다른 방향을 향해있는 상측에 적용된다. 바람직하게는, 산란 부재는 변환부재뿐만 아니라 반도체칩도 측방향으로 돌출한다. 산란 부재는 반도체칩을 모든 노출된 측방향으로 바람직하게는 적어도 5㎛, 최대 75 ㎛만큼 돌출한다. 산란 부재가 이와 같이 형성됨으로써, 반도체칩상에 적층된 산란 부재들 상호간의 각 간격은 감소하거나 최소화된다. 전자기 복사의 방출 시, 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사는 확산 산란된다.
바람직하게는, 전자기 복사는 산란부재에서의 광 분포에 의해 산란 부재의 영역들에서도 확산 산란되는데, 상기 영역은 광 아웃커플링면의 평면도에서 적어도 국부적으로 간극을 덮는다. 복사 출사면에서는, 적어도 국부적으로, 어둡게 보이는 간극들과, 산란 부재로부터 간극의 영역들을 거쳐 산란된 전자기 복사가 중첩된다. 외부 관찰자에게는 유리하게도 소자의 복사 출사면의 관찰 시 전자기 복사 방출 영역들과 간극들 사이의 휘도차가 더 낮게 보인다. 복사 출사면은 밝기면에서 더 균일하고 균질하게 보임으로써, 관찰자에게는 전체 복사 출사면에 걸쳐 균일하게 복사를 방출하는 소자라는 인상이 발생한다.
적어도 일 실시예에 따르면, 반도체칩 다음에는 정확히 하나의 산란 부재가 배치되고, 상기 산란 부재는 모든 반도체칩을 덮으며, 이 때 산란 부재는 연속한 복사 출사면을 포함한다. 예컨대, 산란 부재는 반도체칩과 다른 방향을 향해있는 변환 부재의 모든 상측에 적층된 호일 또는 판을 가리킬 수 있다. 상기 실시예에서, 산란 부재는 반도체칩뿐만 아니라 반도체칩들 사이의 간극도 마찬가지로 완전히 덮는다. 바람직하게는, 산란 부재는 자체적으로 지지되는 특성이 있다. 즉, 산란 부재는 적층된 후 다른 고정 처리 및 안정화 처리가 필요하지 않다. 바람직하게는, 산란 부재는 간극을 덮는 영역들에서 그 형태를 유지함으로써, 중단부분, 고르지 않은 부분 또는 이와 유사한 부분이 산란부재안에 형성되지 않는다. 어둡게 보이는 간극은 바람직하게는 산란 부재로부터 간극의 영역을 거쳐 확산 산란된 전자기 복사와 완전히 중첩된다. 따라서, 전자기 복사를 방출하는 영역들과 간극의 영역들 사이의 휘도차는 더욱 감소한다. 복사 출사면의 외부 관찰자에게는 전자기 복사의 방출이 더 균질하게 보이고, 전체 복사 출사면에 걸쳐 더 균일하게 분포하는 것으로 보인다. 또한, 유리하게는 외부 관찰자에게 눈부심 효과가 감소하는데, 반도체칩으로부터 방출된 전자기 복사는 산란 부재에 의해 그 세기면에서 고르게 되기 때문이다. 또한, 소자의 전체 복사 출사면에 걸쳐 색조가 균일화되고 안정화된다. 특히, 많은 수의 반도체칩을 포함한 소자를 위해 이러한 산란 부재가 훨씬 적합한데, 소자의 복사 출사면은 대면적이고 이미 언급한 소자의 유리한 발광 특성만 적용될 뿐만 아니라 산란 부재가 예컨대 단일의 방법단계로도 적층될 수 있기 때문이다.
또한, 광전 소자의 제조 방법이 제공된다. 방법을 이용하여 본 명세서에 기술된 소자가 제조될 수 있다. 즉, 소자와 관련하여 개시된 전체 특징은 방법을 위해서도 개시되며 그 반대의 경우도 그러하다.
방법의 적어도 일 실시예에 따르면, 우선 캐리어 부재가 제공된다. 캐리어 부재는 예컨대 호일을 가리킬 수 있다.
제2단계에서 스크린인쇄 공정을 이용하여 우선 변환 부재가 캐리어 부재상에 형성된다. 제1스텐실의 적층 후에 스크린 인쇄 공정을 이용하여 적어도 하나의 변환 부재의 물질이 캐리어 부재상에 적용되고, 예컨대 스퀴징된다. 상기 적용 및 경우에 따른 상기 물질의 경화 후에 제1스텐실이 캐리어 부재로부터 제거된다. 적어도 하나의 변환 부재를 위한 물질은 예컨대 실리콘을 포함하거나 투명 세라믹 소재의 층을 가리킬 수 있고, 상기 층에 변환체 입자가 삽입되어 있다.
제3단계에서는 캐리어 부재상에 적층된 제2스텐실을 사용하고 제2스크린 인쇄 공정을 통해 적어도 하나의 변환 부재의 모든 노출된 외부면에 적어도 하나의 산란 부재를 제2층으로서 적층한다. 산란 부재는 변환 부재를 모든 노출된 측면 및 캐리어 부재와 다른 방향을 향해있는 상측에서 덮는다. 물질은 예컨대 스퀴징되고 이어서 경화될 수 있다.
적어도 하나의 변환 부재 및 제2층으로 구성된 결합물로부터 캐리어 부재 및 제2스텐실이 분리된 후, 상기 결합물은 적어도 하나의 복사 방출 반도체칩상에 적층된다.
이하, 본 명세서에 설명된 소자 및 본 명세서에 설명된 방법은 실시예 및 그에 속한 도면에 의거하여 더 상세히 설명된다.
도 1a, 1b는 본 명세서에 설명된 광전 소자의 실시예의 개략적 단면도이다.
도 2a, 2b, 2c, 2d는 본 명세서에 설명된 적어도 일 실시예에 따른 소자의 제조를 위한 개별 완성 단계이다.
도 3a, 3b, 3c는 본 명세서에 설명된 적어도 일 실시예에 따른 소자의 제조를 위한 개별 완성 단계에 따라 소자를 개략적 평면도로 도시한다.
도 4a, 4b, 4c, 4d, 4e는 본 명세서에 설명된 실시예에 따른 광전 소자의 개략적 평면도이다.
실시예 및 도면에서 동일하거나 동일한 효과를 가진 구성요소는 각각 동일한 참조번호를 가진다. 도시된 요소는 척도에 맞는 것으로 볼 수 없고, 오히려 개별 요소는 더 나은 이해를 위해 과장되어 크게 도시되어 있을 수 있다.
도 1a에는 개략적 단면도에 의거하여 본 명세서에 설명된 광전 반도체 소자가 캐리어(1)를 포함하여 도시되어 있다. 매트릭스형으로 배치된 반도체칩(2)은 공통의 캐리어(1)상에 적층된다.
캐리어(1)는 플라스틱, 세라믹 또는 금속을 포함하여 형성될 수 있다. 캐리어(1)는 도체판으로서 형성되거나, 상기 캐리어(1)가 금속성인 경우 소자의 캐리어프레임(리드프레임)으로서 형성된다.
반도체칩(2)은 캐리어(1)와 도전적으로 결합한다. 반도체칩(2)상에 변환 부재(3)가 적층되고, 변환 부재는 반도체칩(2)으로부터 1차로 방출된 복사를 다른 파장의 복사로 변환한다. 상기 예에서 변환 부재(3)는 각각 하나의 광학적 CLC층(chip level conversion layer)을 가리키고, 이러한 층은 반도체칩(2)으로부터 1차로 방출된 청색광을 부분적으로 황색광으로 변환한다. 변환 부재(3)는 각각 실리콘을 포함하거나 투명 세라믹으로 이루어진 층을 가리킬 수 있고, 상기 층에 변환체 입자가 삽입되어 있다.
변환 부재(3)상에는 각각 확산광을 산란시키는 산란 부재(4)가 광 산란판(41)의 형태로 적층되며, 산란 부재는 각각의 반도체칩(2)을 측방향으로 길이(B)만큼 돌출한다. 본원에서, 광 산란판(41)은 반도체칩(2)을 각각 최대 75 ㎛만큼 돌출한다. 본원에서 광 산란판(41)은 750 ㎛의 두께를 가진다. 광 산란판(41)의 물질은 판(4)이 되기 위해 경화되기 전에 알루미늄산화물로 이루어진 복사 산란 입자들과 섞인 실리콘을 가리킨다. 광 산란판(41)에서 알루미늄산화물 입자의 농도는 5 중량%이다. 이러한 농도로, 소자의 복사 출사면을 따라 휘도차 최소화 및 외부 관찰자를 위한 눈부심 효과 방지와 관련하여 현저한 효과가 얻어질 수 있다. 소자의 복사 출사면은 반도체칩(2)과 다른 방향을 향해있는 광 산란판(41)의 상측으로 형성되고 정해진다. 또한, 전체 복사 출사면에 걸쳐 균일한 색 인상이 얻어질 수 있어서, 외부 관찰자에게는 소정의 색 인상에 맞는 소자로 보여진다. 반도체칩 대 반도체칩간의 개별 측면들의 간격은 A로 정해지고, 10 내지 150 ㎛의 범위에 있다. 상기 예에서 간격(A)은 100 ㎛이다.
도 1b는 산란 부재(4)가 연속한 층으로 형성되는 경우의 광전 반도체 소자를 도시한다. 상기 예에서, 연속적인 광 산란 호일(43)의 형태를 가진 층을 가리킨다. 광 산란 호일(43)은 두께가 10 내지 50 ㎛이고, 본원에서는 30 ㎛이다. 광 산란 호일(43)은 전자기 복사에 대해 투명한 실리콘을 포함하여 형성되고, 상기 실리콘에는 경화 전에 알루미늄산화물로 이루어진 복사 산란 입자가 5 중량%의 농도로 삽입된다. 광 산란 호일(43)은 소자의 평면도에서 모든 반도체칩 및 반도체칩들간의 간극(10)을 완전히 덮는다. 유리하게는, 어둡게 보이는 간극(10)은 광 산란 호일(43)로부터 간극(10)의 영역들을 거쳐 확산 산란된 복사와 중첩된다. 도 1a에 설명된 실시예의 경우에 비해, 광 산란 호일(43)이 틈새 없이 연속적으로 하나의 층으로서 형성됨으로써, 간극(10)은 광 산란 호일(43)로부터 산란된 전자기 복사에 의해 더 완전하고 균질하게 중첩되거나 덮인다. 유리하게는, 외부 관찰자가 반도체칩들 사이에서 어둡게 보이는 간극(10)을 인지할 수 있고 알아차리게 되는 경우가 방지된다. 유리하게는, 이미 도 1a의 실시예를 위한 실시 방식에서 언급한 바와 같은 또 다른 원하는 효과도 얻어진다. 이러한 산란 부재(4)는 복수의 반도체칩(2)을 포함한 소자를 위해 훨씬 더 적합한데, 복사 출사면이 대면적이고, 이미 언급한 소자의 유리한 발광 특성이 적용될 뿐만 아니라 광 산란 호일(43)이 단일의 방법 단계에서만 적층될 수 있기 때문이다. 이러한 형성 방식의 산란 부재(4)는 비용 절약적일 뿐만 아니라 제조에 있어서도 시간 절약적이다.
도 2a, 2b, 2c, 2d와 관련하여, 본 명세서에 설명된 소자의 제조 방법은 예컨대 도 1a에 상응하여 개략적 단면도로 더 상세히 설명된다. 도 2a는 제조 공정을 위한 캐리어 부재(6)로 역할하는 호일을 도시한다. 캐리어 부재(6)상에 제1스텐실(5)이 적층된다. 임프린트 방법을 이용하여 변환 부재(3)의 물질은 스텐실(5)의 개구부안에 삽입되며, 상기 예에서 임프린트 방법은 스퀴지(9)를 가리킨다. 변환 부재(3)의 물질은 실리콘을 포함하거나 세라믹 물질로 구성된 층을 가리킬 수 있고, 이러한 층안에 변환체 입자가 삽입되어 있다. 스크린인쇄를 이용하여 스텐실(5)상에 변환 부재(3)가 적용되고, 경우에 따라서 물질의 경화 이후, 스텐실(5)은 캐리어 부재(6) 및 변환 부재(3)로부터 제거된다. 변환 부재(3)는 캐리어 부재(6)상의 제1층을 형성한다.
제2단계에서, 제2층(7)은 캐리어 부재(6)상에 적층되고, 스퀴지(9)를 사용하는 제2스크린 인쇄 공정에 의해 산란 부재(5)는 제2스텐실(8)상에 제2층(7)으로서 스퀴징된다. 제2층(7)은 변환 부재(3)를 모든 노출된 외부면에서 덮고, 변환 부재(3)와 직접 접촉하는데, 이에 대해 도 2b를 참조한다. 변환 부재(3)상에 제2층(7)을 적층한 후, 제2스텐실(8)은 캐리어 부재(6)로부터뿐만 아니라 변환 부재(3)와 제2층(7)으로 이루어진 결합물로부터도 제거된다. 이 때 예컨대, 변환층을 말하는 것이며, 상기 변환층은 변환 부재(3)로부터 방출된 광을 유색광으로 변환한다.
제2변환층(7a)의 경우, 상기 공정을 반복할 수 있고, 제3 또는 이후의 단계에서 산란 부재가 제2변환층(7a)상에 적층된다.
본 명세서에 설명한 스크린 인쇄 방법에 대해 대안적으로, 점성 물질은 스텐실(5 또는 8)상에 적하될 수 있다. 이어서, 스핀코팅 공정을 이용하여 캐리어 부재(6)의 표면상에 물질이 분포하고, 이후에 경화할 수 있다. 이후, 결합물은 반도체칩(2) 중 각각 하나의 반도체칩상에 적층된다. 적층은 예컨대 판 이송 및/또는 접착을 이용하여 이루어질 수 있다.
마찬가지로, 적합한 스텐실을 이용하여 매트릭스형으로 배치된 복수의 변환 부재들(3)이 개별 제조 공정에 의해, 예컨대 스크린인쇄 공정을 이용하여, 적합한 성질의 스텐실(5)을 이용하여 제조될 수 있다. 예컨대 제2스크린 인쇄 공정을 이용하여, 제2판형 층(7)이 형성되고, 이러한 층은 변환 부재(3)의 모든 노출된 외부면을 덮으면서 연속적이다. 캐리어 부재(6)뿐만 아니라 제2스텐실(8)의 경화 및 제거 후에, 변환 부재(3) 및 변환 부재(3)를 둘러싸는 연속형 제2층(7)으로 이루어진 판형 결합물이 얻어진다. 이후, 상기 판형 결합물은 직접적으로 매트릭스형으로 배치된 반도체칩(2)상에 적층될 수 있다. 결합물은 소자의 평면도에서 볼 때 소자의 모든 반도체칩(2) 및 간극(10)을 덮는다. 유리하게는, 이러한 공정은 훨씬 더욱 비용 효과적이다.
도 3a는 캐리어(1)를 개략적 평면도로 도시하는데, 캐리어상에 반도체칩(2)이 위치하고 적층되어 있다. 반도체칩(2)은 행과 열의 형태로 매트릭스 방식으로 배치된다.
도 3b는 도 3a에 따라 매트릭스형으로 배치된 반도체칩을 도시하며, 상기 반도체칩에서 부가적으로 상기 반도체칩(2)상에 변환 부재(3)가 개별 판들의 형태로 적층된다. 각각의 변환부재에 부속한 하나의 반도체칩상에 변환 부재(3)의 적층은 예컨대 판 이송(픽앤플레이스라고도 함) 및/또는 접착을 이용할 수 있다.
도 3c는 완성된 광전 반도체 소자를 도시하며, 이 때 산란 부재(4)는 연속형 층의 형태로, 예컨대 연속형 광 산란 호일(43)의 형태로 매트릭스형으로 배치된 반도체칩(2)상에 적층된다. 평면도에서 광 산란 호일(43)은 반도체칩(2)의 표면뿐만 아니라 모든 간극(10)도 덮는다.
도 3C에 따른 완성된 광전 반도체 소자를 선분 A-A에 따라 측면도로 볼 때, 도 1b에 따른 광전 반도체 소자가 얻어진다.
도 4a는 이와 같은 광전 반도체 소자의 개략적 평면도를 전원차단된 구동 상태에서 도시한다. 매트릭스형으로 배치된 반도체칩(3) 및 약간 더 밝게 보이는 부분들을 확인할 수 있고, 밝게 보이는 부분은 반도체칩(2)상에 적층된 변환 부재(3)를 나타낸다.
도 4b는 산란 부재가 적층되지 않은 광전 반도체 소자를 전원공급된 구동 상태에서 도시한다. 밝게 발광하는 지점들은 외부 관찰자에게 인지 가능한 반도체칩(2)의 방출면들을 나타낸다. 반도체칩들(2) 사이에 각각 간극(10)이 위치하고, 간극은 더 어둡게 보인다. 반도체칩과 간극간의 휘도차가 현저히 발생하는 것을 알 수 있다.
도 4c는 전원공급된 구동 상태에서 광전 반도체 소자를 도시하는데, 이 때 반도체칩(2)상에 걸쳐 산란 부재(4)가 연속형 호일(43)의 형태로 적층되었다. 산란 부재(4)는 본 명세서에 설명한 위치 종속적 휘도차를 균일화한다. 일부 더 밝게 발광하는 것으로 인지할 수 있는 점들은 외부 관찰자가 인지가능한 반도체칩(2)의 방출면들을 나타낸다. 간극(10)은 산란 부재(4)의 적층 후에 더 이상 인지할 수 없어, 산란 부재(4)에 의해 반도체칩 대 간극간의 휘도차가 방지될 수 있다. 도 4d, 4f는 이러한 광전 소자의 평면도를 도시한다.
도 4d에는 산란 부재(4)를 포함하지 않은 소자가 도시되는데, 매트릭스형으로 배치된 반도체칩(2) 및 반도체칩(2)상에 적층된 변환 부재(3)를 확인할 수 있다. 격자형의 어두운 부분은 소자의 간극(10)이다.
도 4e는 완성된 광전 소자를 평면도로 도시하며, 이 때 산란 부재(4)는 연속형 호일을 형성하고, 상기 호일은 모든 반도체칩뿐만 아니라 모든 간극(10)도 틈새 없이 덮는다. 간극(10)을 인지하기가 현저히 더 어렵다는 것을 알 수 있다.
본 발명은 실시예에 의거한 설명에 의하여 상기 실시예에 한정되어 있지 않다. 오히려, 본 발명은 각각의 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 이러한 점은 특히, 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허청구범위 또는 실시예에 제공되지 않더라도, 특허청구범위에서의 특징들의 각 조합을 포괄한다.

Claims (16)

  1. 광전 반도체 소자에 있어서,
    공통의 캐리어(1)상에 적층되는 복수의 복사 방출 반도체칩들(2);
    상기 반도체칩(2)으로부터 방출된 전자기 복사의 변환을 위해 상기 반도체칩들(2)보다 뒤에 배치되며, 각각의 반도체칩(2)에 정확히 하나씩 일대일로 부속되는 복수의 변환 부재(3); 및
    상기 반도체칩(2)으로부터 방출된 전자기 복사의 확산 산란을 위해 상기 반도체칩들(2)보다 뒤에 배치된 정확히 하나의 산란 부재(4)를 포함하며,
    상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 모든 반도체칩들(2)을 덮으며, 상기 산란 부재(4)는 연속형 복사 출사면을 포함하고,
    상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 상기 변환 부재들(3)과 직접 접촉하고, 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 출사 방향으로 상기 변환 부재들(3) 뒤에 배치되고, 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 광전 반도체 소자의 복사 출사면을 형성하고,
    상기 변환 부재들(3)과 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 결합물을 형성하고, 상기 결합물은 관련 반도체칩(2)상에 접착제에 의해 적층되는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    인접한 상기 반도체칩들(2)간의 측면 간격은 10 내지 150 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 복사 산란 입자들이 삽입되어 있는 매트릭스 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    적어도 하나의 복사 산란 입자는 SiO2, ZrO2, TiO2 또는 AlxOy 중 적어도 하나의 물질로 구성되거나 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 매트릭스 물질에서 상기 복사 산란 입자의 농도는 1 중량%를 초과하는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 마이크로 구조물들이 삽입되어 있는 매트릭스 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 광 산란 호일(43) 또는 광 산란판(41)인 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 광 산란 호일(43)의 두께는 10 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 광 산란판의 두께는 500 ㎛ 내지 1 mm인 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 자체적으로 지지되는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복사 방출 반도체칩들(2)은 발광다이오드칩 또는 레이저다이오드칩인 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 변환 부재들(3)은 변환물질의 입자를 포함하는 투명 세라믹으로 형성되고, 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 세라믹 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자.
  13. 광전 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,
    - 캐리어 부재(6)를 제공하는 단계;
    - 제1스크린 인쇄 공정을 이용하여 상기 캐리어 부재(6)상에 복수의 변환 부재들(3)을 형성하는 단계;
    - 상기 변환 부재들(3)과 정확히 하나의 산란 부재(4)로 이루어진 결합물이 형성되도록, 제2스크린 인쇄 공정을 이용하여 상기 변환 부재들(3)의 노출된 외부면 상에 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)를 형성하는 단계;
    - 상기 캐리어 부재(6)를 결합물로부터 분리하는 단계; 및
    - 후속해서 상기 변환 부재들(3)과 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)로 이루어진 결합물을 복수의 복사 방출 반도체칩(2) 상에 적층하는 단계를 포함하고,
    각각의 반도체칩(2)에는 정확히 하나의 변환 부재(3)가 일대일로 부속하고, 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 모든 반도체칩(2)을 덮으며, 상기 변환 부재들(3)은 상기 반도체칩(2) 뒤에 배치되고, 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 출사 방향으로 상기 변환 부재들(3) 뒤에 배치되고, 상기 정확히 하나의 산란 부재(4)는 광전 반도체 소자의 연속형 복사 출사면을 형성하는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 소자의 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
KR1020117019381A 2009-01-23 2009-12-23 광전 반도체 소자 KR101647866B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009005907A DE102009005907A1 (de) 2009-01-23 2009-01-23 Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102009005907.5 2009-01-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110107384A KR20110107384A (ko) 2011-09-30
KR101647866B1 true KR101647866B1 (ko) 2016-08-11

Family

ID=41862160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117019381A KR101647866B1 (ko) 2009-01-23 2009-12-23 광전 반도체 소자

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8916886B2 (ko)
EP (1) EP2382673B1 (ko)
JP (1) JP5954991B2 (ko)
KR (1) KR101647866B1 (ko)
CN (1) CN102292836B (ko)
DE (1) DE102009005907A1 (ko)
TW (1) TWI420647B (ko)
WO (1) WO2010083929A1 (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010034915A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper
DE102011013369A1 (de) * 2010-12-30 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE102011050450A1 (de) 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102011087614A1 (de) * 2011-12-02 2013-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung
DE102012200973A1 (de) * 2012-01-24 2013-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchte und verfahren zur herstellung einer leuchte
DE102012101892B4 (de) * 2012-03-06 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements
DE102012206970A1 (de) * 2012-04-26 2013-10-31 Osram Gmbh Optische vorrichtung und beleuchtungseinrichtung
JP5960565B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 自動車ヘッドランプ用発光装置及びその製造方法
JP6093611B2 (ja) * 2013-03-18 2017-03-08 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102013207460A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102013214896B4 (de) * 2013-07-30 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Konverterelements und eines optoelektronischen Bauelements, Konverterelement und optoelektronisches Bauelement
DE102013214877A1 (de) 2013-07-30 2015-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements und eines optoelektronischen Bauelements, Abdeckelement und optoelektronisches Bauelement
US10109774B2 (en) 2013-08-20 2018-10-23 Lumileds Llc Shaped phosphor to reduce repeated reflections
JP6079544B2 (ja) * 2013-10-07 2017-02-15 豊田合成株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US9499740B2 (en) 2013-11-22 2016-11-22 Nitto Denko Corporation Light extraction element
DE102014102828A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einer lichtemittierenden Diode
CN106605307B (zh) * 2014-09-02 2020-08-11 亮锐控股有限公司 光源
DE102014112883A1 (de) * 2014-09-08 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102014112973A1 (de) * 2014-09-09 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP6552190B2 (ja) * 2014-12-11 2019-07-31 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
DE102015105474A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102015106865A1 (de) * 2015-05-04 2016-11-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils
JP6217705B2 (ja) 2015-07-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017224867A (ja) * 2017-09-28 2017-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7083647B2 (ja) * 2018-01-16 2022-06-13 スタンレー電気株式会社 発光装置
US11489005B2 (en) * 2019-12-13 2022-11-01 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements
US11680696B2 (en) 2019-12-13 2023-06-20 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022222A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
US20080074032A1 (en) * 2004-04-19 2008-03-27 Tadashi Yano Method for Fabricating Led Illumination Light Source and Led Illumination Light Source
WO2008040315A2 (de) * 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer solchen
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48102585A (ko) 1972-04-04 1973-12-22
JP3114805B2 (ja) 1998-04-15 2000-12-04 日亜化学工業株式会社 面状光源及びそれを用いたディスプレイのバックライト、照光式操作スイッチ
DE19845229C1 (de) * 1998-10-01 2000-03-09 Wustlich Daniel Mit Weißlicht arbeitende Hintergrundbeleuchtung
US6271631B1 (en) 1998-10-15 2001-08-07 E.L. Specialists, Inc. Alerting system using elastomeric EL lamp structure
GB2373368B (en) 2001-03-12 2004-10-27 Arima Optoelectronics Corp Light emitting devices
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003191521A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Kyocera Corp 光プリンタヘッドの組立方法
IES20030388A2 (en) * 2002-05-22 2003-10-01 Plasma Ireland Ltd An illuminator
JP4401681B2 (ja) 2003-05-19 2010-01-20 日東樹脂工業株式会社 光拡散体及びそれを用いた光学部材乃至光学デバイス
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP4360945B2 (ja) 2004-03-10 2009-11-11 シチズン電子株式会社 照明装置
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
JP2006140362A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
JP2006162846A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Asahi Glass Co Ltd 直下型バックライト用拡散板
US20060138938A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Tan Kheng L White LED utilizing organic dyes
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
EP1862035B1 (en) * 2005-03-14 2013-05-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same
KR100593933B1 (ko) * 2005-03-18 2006-06-30 삼성전기주식회사 산란 영역을 갖는 측면 방출형 발광다이오드 패키지 및이를 포함하는 백라이트 장치
US7358543B2 (en) 2005-05-27 2008-04-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device
JP2007067204A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
TWM289865U (en) * 2005-11-08 2006-04-21 Lighthouse Technology Co Ltd Sectional light emitting diode backlight unit
JP4969119B2 (ja) * 2006-03-20 2012-07-04 日本碍子株式会社 発光ダイオード装置
DE102006024165A1 (de) 2006-05-23 2007-11-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Wellenlängenkonversionsstoff sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem solchen Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterchips
US20090256167A1 (en) * 2006-06-08 2009-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device
DE102006051746A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
TWI338380B (en) * 2006-10-11 2011-03-01 Chuan Yu Hung Light emitting diode incorporating high refractive index material
JP5392978B2 (ja) * 2006-10-30 2014-01-22 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した半導体パッケージ
US7902560B2 (en) 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
CN201137827Y (zh) * 2006-12-29 2008-10-22 东莞市科锐德数码光电科技有限公司 高光量led日光灯
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US8177382B2 (en) * 2008-03-11 2012-05-15 Cree, Inc. Apparatus and methods for multiplanar optical diffusers and display panels for using the same
DE102008054029A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000022222A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
US20080074032A1 (en) * 2004-04-19 2008-03-27 Tadashi Yano Method for Fabricating Led Illumination Light Source and Led Illumination Light Source
WO2008040315A2 (de) * 2006-09-27 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer solchen
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2382673B1 (de) 2019-01-30
US8916886B2 (en) 2014-12-23
EP2382673A1 (de) 2011-11-02
KR20110107384A (ko) 2011-09-30
US20120161162A1 (en) 2012-06-28
DE102009005907A1 (de) 2010-07-29
TWI420647B (zh) 2013-12-21
CN102292836A (zh) 2011-12-21
JP5954991B2 (ja) 2016-07-20
JP2012516044A (ja) 2012-07-12
WO2010083929A1 (de) 2010-07-29
CN102292836B (zh) 2016-05-25
TW201044549A (en) 2010-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101647866B1 (ko) 광전 반도체 소자
KR101892593B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
US20110266576A1 (en) Optoelectronic Semiconductor Component
US7315119B2 (en) Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
TWI447450B (zh) 導光板結構、背光模組及其製造方法
JP6215525B2 (ja) 半導体発光装置
KR102510808B1 (ko) 개선된 색 균일성을 갖는 광원 조립체
US10680149B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device
JP5330306B2 (ja) 発光装置
KR101923588B1 (ko) 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치
US8445308B2 (en) Fabrication of phosphor dots and application of phosphor dots to arrays of lighting elements
JP2022107676A (ja) 発光素子及びその製造方法
JP2013175531A (ja) 発光装置
KR20110055744A (ko) 제어된 각도 불균일성을 갖는 ｌｅｄ
JP2020057756A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5345414B2 (ja) 半導体発光装置
US11527686B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, planar light source, and liquid crystal display device
KR20120049699A (ko) Ｌｅｄ 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
US11855242B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP7121298B2 (ja) 線状光源の製造方法
US11664482B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device
JP7148810B2 (ja) 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
KR102421288B1 (ko) 광전자 반도체 부품을 제조하기 위한 방법, 및 광전자 반도체 부품
JP2019192703A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190725

Year of fee payment: 4