KR101633758B1 - 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101633758B1
KR101633758B1 KR1020147016574A KR20147016574A KR101633758B1 KR 101633758 B1 KR101633758 B1 KR 101633758B1 KR 1020147016574 A KR1020147016574 A KR 1020147016574A KR 20147016574 A KR20147016574 A KR 20147016574A KR 101633758 B1 KR101633758 B1 KR 101633758B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
substrate
pattern
rasterized
patterning device
Prior art date
Application number
KR1020147016574A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140101814A (ko
Inventor
패트리시우스 알로이시우스 제이코부스 티네만스
마셀 본테코
페트러스 알베르터스 아놀디노 피터스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20140101814A publication Critical patent/KR20140101814A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101633758B1 publication Critical patent/KR101633758B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
    • G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
    • G06K15/18—Conditioning data for presenting it to the physical printing elements
    • G06K15/1835—Transforming generic data
    • G06K15/1836—Rasterization
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

리소그래피 또는 노광 장치를 위한 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현(vector-based representation)을 전환하는 방법과, 리소그래피 또는 노광 장치와, 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법을 제공한다. 일실시예에서, 전환 방법은 원하는 디바이스 패턴에 대응하는 방사선의 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 표현을 출력하며, 벡터-기반 표현은, 하나 이상의 프리미티브 패턴을 식별하는 프리미티브 데이터와, 원하는 디바이스 패턴의 적어도 일부분이 각각의 식별된 프리미티브 패턴의 하나 이상의 인스턴스로부터 어떻게 형성되는지를 식별하는 인스턴스 데이터를 포함하며, 본 발명의 방법은, 프리미티브 데이터에서 식별된 각각의 프리미티브 패턴의 래스터화된 프리미티브를 형성하는 단계와, 그 래스터화된 프리미티브에 대응하는 인스턴스 데이터에 연관하여 각각의 래스터화된 프리미티브를 저장함으로써 래스터화된 표현을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING DATA TO A PROGRAMMABLE PATTERNING DEVICE, A LITHOGRAPHY APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD}
관련 출원에 대한 교차 참조
본 출원은 2011년 11월 29일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/564,661호와, 2012년 1월 27일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/591,647호와, 2012년 4월 26일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/638,843호의 이점을 청구하며, 이들 특허 출원은 그 전체 내용이 원용에 의해 본 명세서에 통합된다.
발명의 분야
본 발명은 리소그래피 또는 노광 장치를 위한 원하는 도즈 패턴(dose pattern)의 벡터-기반 표현(vector-based representation)을 전환(conversion)하는 방법과, 리소그래피 또는 노광 장치와, 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 또는 기판의 일부분 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC), 평판 디스플레이, 및 미세한 특징부(feature)를 갖는 기타 디바이스 또는 구조의 제조에 사용될 수 있다. 종래의 리소그래피 장치에서는, 마스크 또는 레티클(reticle)로 지칭될 수도 있는 패터닝 디바이스가 집적회로, 평판 디스플레이, 또는 기타 디바이스의 개별 층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)의 층 위에의 이미징(imaging)을 통해 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼 또는 글래스 플레이트) 상에 또는 기판의 일부분 상에 전사될 수 있다.
회로 패턴 대신, 패터닝 디바이스는 기타 패턴 예컨대 컬러 필터 패턴 또는 도트의 매트릭스를 생성하기 위해 이용될 수도 있다. 종래의 마스크 대신, 패터닝 디바이스는 회로 또는 기타 적용 가능한 패턴을 발생하는 개별 제어 가능한 요소의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수도 있다. 종래의 마스크 기반 시스템에 비교되는 이러한 "마스크없는(maskleess)" 시스템의 장점은, 패턴이 보다 신속하고 보다 저렴한 비용으로 제공되거나 및/또는 변경될 수 있다는 점이다.
그러므로, 마스크없는 시스템은 프로그래머블 패터닝 디바이스(예컨대, 공간 광 변조기, 콘트라스트 디바이스 등)를 포함한다. 프로그래머블 패터닝 디바이스는 개별 제어 가능한 요소의 어레이를 이용하여 원하는 패터닝된 빔을 형성하도록 프로그래밍된다(예컨대, 전자적으로 또는 광학적으로). 프로그래머블 패터닝 디바이스의 타입은 마이크로-미러 어레이, 액정 디스플레이(LCD) 어레이, 격자 광 밸브 어레이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 어레이, 셔터 요소 매트릭스(shutter element matrix) 등을 포함한다. 프로그래머블 패터닝 디바이스는 또한 예컨대 기판 상에 투영되는 방사선의 스팟을 이동시키거나 또는 방사 빔을 기판으로부터 멀어지도록 예컨대 방사 빔 흡수기에 단속적으로 지향시키도록 구성된 전기 광학 편향기(electro-optical deflector)로 형성될 수 있다. 어느 쪽의 이러한 구성에서도, 방사 빔은 연속적인 것으로 될 수 있다.
기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴은 GDSII와 같은 벡터 설계 패키지를 이용하여 정의될 수 있다. 이러한 설계 패키지로부터의 출력 파일은 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현으로서 지칭될 수 있다. 마스크없는 시스템에서, 벡터-기반 표현은 프로그래머블 패터닝 디바이스를 구동하기 위해 제어 신호를 제공하도록 처리될 것이다. 제어 신호는 예컨대 복수의 자기 발광 콘트라스트 디바이스에 적용된 일련의 세트포인트(예컨대, 전압 또는 전류)를 포함할 수 있다.
벡터-기반 표현을 제어 신호로 전환하는 처리는 벡터-기반 표현을 도즈 패턴의 래스터화된 표현(rasterized representation)으로 전환하는 하나 이상의 단계를 포함할 수 있다. 이 처리는 기판 및/또는 기판 상에 이전에 형성된 패턴의 정렬 변동을 패터닝 디바이스에 관련하여 정정하는 하나 이상의 단계를 포함할 수 있다. 이 처리는 래스터화된 표현을 일련의 세트포인트 값으로 전환하는 하나 이상의 단계를 포함할 수 있다. 이 처리는 복잡한 계산 및/또는 커다란 데이터 용량을 수반할 수 있다. 실시간으로(예컨대, 기판 상에 또는 기판에 패턴이 형성되고 있는 것과 동일한 시간에) 수행되는 처리에서의 단계들을 위해, 계산이 신속하게 완료되어야 한다. 이것은 처리 하드웨어의 비용을 증가시키거나 및/또는 리소그래피 또는 노광 장치의 처리량을 감소시키는 경향이 있다.
원하는 디바이스 패턴은 커다란 정도의 반복을 가질 수도 있다. 이러한 반복은 예컨대 벡터-기반 표현의 크기를 비교적 작게 유지하기 위해 계층을 이용하여 벡터-기반 표현에 의해 활용될 수 있다. 그러나, 래스터화된 표현은 훨씬 더 크게 되는 경향이 있을 것이다. 따라서, 래스터화된 표현을 효율적으로 핸들링하는 것은 비용이 많이 소요되거나 및/또는 전송률을 제한(rate limiting)한다. 계층은 노광 공정 동안 사용될 순서로 표현의 일부분을 저장하는 것을 곤란하게 하기 때문에, 계층을 제거하기 위한 데이터 처리 또한 비용이 많이 소요되거나 및/또는 전송률이 제한될 수 있다.
원하는 디바이스 패턴의 성질은 하나의 패턴과 다음 패턴 간에 및/또는 패턴 자체 내에서 현저하게 변경될 수도 있다. 예컨대, 어떠한 영역은 비교적 낮은 분해능 도즈 패턴을 요구하는 디바이스 특징부에 대응할 수 있으며, 또 다른 영역은 더 높은 분해능 도즈 패턴을 요구하는 디바이스 특징부에 대응할 수 있다. 모든 패턴에 대해 그리고 패턴 내의 모든 영역에 대해 최적으로 작동하도록 래스터화 프로세스를 구성하는 것은 곤란하다. 따라서, 예컨대 데이터-경로의 온라인 부분에서 래스터화된 표현을 획득하거나 및/또는 래스터화된 표현을 저장하거나 처리하기 위한 컴퓨터 처리 자원(computational resource)이 최적으로 이용되지 않을 수도 있으며, 이로써 출력 품질이 낮아지게 하거나, 처리량을 낮추거나, 및/또는 비용이 증가되게 할 수 있다.
예컨대, 데이터-경로 처리가 수행되는 효율을 증가시키는 방법 및/또는 장치를 제공하는 것이 요망된다.
본 발명의 실시예에 따라, 노광 장치를 이용하여 기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 원하는 디바이스 패턴에 대응하는 방사선의 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 표현으로 전환하는 방법이 제공되며, 상기 벡터-기반 표현은, 하나 이상의 프리미티브 패턴(primitive pattern)을 식별하는 프리미티브 데이터와, 원하는 디바이스 패턴의 적어도 일부분이 각각의 식별된 프리미티브 패턴의 하나 이상의 인스턴스(instance)로부터 어떻게 형성되는지를 식별하는 인스턴스 데이터를 포함하며, 상기 방법은, 프리미티브 데이터에서 식별된 각각의 프리미티브 패턴의 래스터화된 프리미티브를 형성하는 단계와, 그 래스터화된 프리미티브에 대응하는 인스턴스 데이터에 연관하여 각각의 래스터화된 프리미티브를 저장함으로써 래스터화된 표현을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 노광 장치가 제공되며, 상기 노광 장치는, 기판 상으로 복수의 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템과, 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 표현을 복수의 빔을 제어하기 위해 일련의 세트포인트 데이터로 전환하도록 구성된 데이터 처리 시스템을 포함하며, 상기 래스터화된 표현은 기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 원하는 디바이스 패턴에 대응하는 방사선의 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 표현으로 전환함으로써 형성되며, 상기 벡터-기반 표현은, 하나 이상의 프리미티브 패턴을 식별하는 프리미티브 데이터와, 원하는 디바이스 패턴이 각각의 식별된 프리미티브 패턴의 인스턴스로부터 어떻게 형성되는지를 식별하는 인스턴스 데이터를 포함하며, 상기 전환은, 프리미티브 데이터에서 식별된 각각의 프리미티브 패턴의 래스터화된 프리미티브를 형성하는 단계와, 그 래스터화된 프리미티브에 대응하는 인스턴스 데이터에 연관하여 각각의 래스터화된 프리미티브를 저장함으로써 래스터화된 표현을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 노광 장치가 제공되며, 상기 노광 장치는, 기판 상으로 복수의 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템과, 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 표현을 복수의 빔을 제어하기 위해 일련의 세트포인트 데이터로 전환하도록 구성된 데이터 처리 시스템을 포함하며, 상기 데이터 처리 시스템은 복수의 처리 유닛을 포함하고, 각각의 처리 유닛은 래스터화된 표현의 상이한 부분을 전환하도록 구성되며, 각각의 상이한 부분이 기판의 상이한 스트립에 대응하고, 각각의 상이한 스트립이 투영 시스템에 관련하여 기판의 스캐닝 방향에 평행하게 정렬된다.
본 발명의 실시예에 따라, 디바이스 제조 방법이 제공되며, 상기 디바이스 제조 방법은, 노광 장치를 이용하여 기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 원하는 디바이스 패턴에 대응하는 방사선의 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 표현으로 전환하는 단계로서, 상기 벡터-기반 표현은, 하나 이상의 프리미티브 패턴을 식별하는 프리미티브 데이터와, 원하는 디바이스 패턴이 각각의 식별된 프리미티브 패턴의 인스턴스로부터 어떻게 형성되는지를 식별하는 인스턴스 데이터를 포함하며, 상기 벡터-기반 표현을 전환하는 단계가, 프리미티브 데이터에서 식별된 각각의 프리미티브 패턴의 래스터화된 프리미티브를 형성하는 단계와, 그 래스터화된 프리미티브에 대응하는 인스턴스 데이터에 연관하여 각각의 래스터화된 프리미티브를 저장함으로써 래스터화된 표현을 형성하는 단계를 포함하는, 상기 전환하는 단계와; 상기 래스터화된 표현을 노광 장치를 위한 일련의 세트포인트 데이터로 전환하는 단계와; 상기 세트포인트 데이터를 이용하여 타겟 상으로 도즈 패턴을 투영하도록 노광 장치를 이용하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치가 제공되며, 상기 장치는, 각각의 데이터 유닛이 원하는 도즈 패턴의 상이한 부분에 형성될 패턴을 표현하는 복수의 데이터 유닛을 수신하도록 구성되고, 상기 노광 장치에 의한 기판의 노광 동안 상기 프로그래머블 패터닝 디바이스에 대한 제어 신호를 제공하도록 요구될 때에 상기 데이터 유닛을 출력하도록 구성되는 버퍼 메모리와; 각각의 데이터 유닛이 완전한 원하는 도즈 패턴을 노광하기 위해 필요한 시간보다 짧은 시간 간격 동안 상기 버퍼 메모리에 저장되도록, 상기 버퍼 메모리에의 상기 데이터 유닛의 전달 및/또는 상기 버퍼 메모리로부터의 상기 데이터 유닛의 전달을 제어하도록 구성되는 흐름 컨트롤러를 포함한다.
일실시예에 따라, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 버퍼 메모리에서, 각각의 데이터 유닛이 원하는 도즈 패턴의 상이한 부분에 형성될 패턴을 표현하는 복수의 데이터 유닛을 수신하는 단계와; 상기 노광 장치에 의한 기판의 노광 동안 상기 프로그래머블 패터닝 디바이스에 제어 신호를 제공하도록 요구될 때에 상기 버퍼 메모리로부터 상기 데이터 유닛을 출력하는 단계와; 각각의 상기 데이터 유닛이 완전한 원하는 도즈 패턴을 노광하기 위해 필요한 시간보다 짧은 시간 간격 동안 상기 버퍼 메모리에 저장되도록, 상기 버퍼 메모리에의 상기 데이터 유닛의 전달 및/또는 상기 버퍼 메모리로부터의 상기 데이터 유닛의 전달을 제어하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 노광 장치를 이용하여 기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을, 원하는 디바이스 패턴에 대응하는 방사선의 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 또는 샘플링된 표현으로 전환하는 방법이 제공되며, 상기 방법에서는, 원하는 디바이스 패턴의 영역에 대응하는 도즈 패턴이 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 형성되며, 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현은, 래스터화된 또는 샘플링된 표현이 그 영역 내의 도즈 값을 정의하는 점 또는 지점을 정의하는 래스터화 또는 샘플링 그리드에 관련하여 정의되며, 상기 방법은, 1) 원하는 디바이스 패턴의 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 획득하거나 저장하거나 처리하기 위한 컴퓨터 처리 요구량의 측정치를 획득하기 위하여 원하는 디바이스 패턴의 영역과, 2) 이미지 품질의 측정치를 획득하기 위하여 상기 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 노광 장치에 의해 발생되는 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴을 분석하는 단계와; 상기 분석하는 단계의 결과에 응답하여 래스터화 또는 샘플링 그리드를 수정하는 단계와; 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드를 이용하여, 원하는 도즈 패턴의 벡터-기반 표현을 전환하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 노광 장치를 이용하여 기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을, 원하는 디바이스 패턴에 대응하는 방사선의 원하는 도즈 패턴의 래스터화된 또는 샘플링된 표현으로 전환하는 장치가 제공되며, 상기 장치에서는, 원하는 디바이스 패턴의 영역에 대응하는 도즈 패턴이 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 형성되며, 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현은, 래스터화된 또는 샘플링된 표현이 그 영역 내의 도즈 값을 정의하는 점 또는 지점을 정의하는 래스터화 또는 샘플링 그리드에 관련하여 정의되며, 상기 장치는 데이터 처리 장치를 포함하며, 상기 데이터 처리 장치는, 1) 원하는 디바이스 패턴의 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 획득하거나 저장하거나 처리하기 위한 컴퓨터 처리 요구량의 측정치를 획득하기 위하여 원하는 디바이스 패턴의 영역과, 2) 이미지 품질의 측정치를 획득하기 위하여 상기 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 노광 장치에 의해 발생되는 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴을 분석하고; 분석의 결과에 응답하여 래스터화 또는 샘플링 그리드를 수정하고; 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드를 이용하여 벡터-기반 표현을 전환하도록 구성된다.
본 발명의 실시예를 대응하는 도면 부호가 대응하는 부분을 나타내고 있는 첨부의 개략 도면을 참조하여 단지 예로써 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 1의 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분에 대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분에 대한 매우 개략적인 투시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 도 3에 따른 리소그래피 장치 또는 노광 장치에 의한 기판 상에의 투영의 개략 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예의 일부분을 횡단면도로 도시하는 도면이다.
도 6은 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 제어 신호로 전환하기 위한 데이터-경로의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 7은 스팟 노광 그리드(spot exposure grid)의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 8은 래스터화 그리드(rasterization grid)의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 9는 일례의 디바이스 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 레이아웃의 영역의 확대도이다.
도 11은 2개의 예의 프리미티브 패턴(primitive pattern)을 도시하는 도면이다.
도 12는 도 11의 프리미티브의 인스턴스를 포함하는 디바이스 패턴의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 13은 도 11에 도시된 프리미티브에 대응하는 2개의 래스터화된 프리미티브를 도시하는 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 래스터화된 프리미티브의 인스턴스를 포함하는 래스터화된 표현의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 15는 데이터-경로의 일부분을 구현하기 위한 일례의 하드웨어 구성을 도시하는 도면이다.
도 16은 리소스 유닛, 버퍼 메모리, 및 버퍼 메모리에의 데이터 유닛의 전달 및/또는 버퍼 메모리로부터의 데이터 유닛의 전달을 제어하도록 구성된 흐름 컨트롤러를 도시하는 도면이다.
도 17은 벡터-기반 표현을 래스터화된 표현 또는 샘플링된 표현으로 전환하기 위한 장치를 도시하는 도면이다.
도 18은 최적화된 래스터화 그리드 또는 샘플링 그리드를 획득하기 위한 일례의 프로세스를 도시하는 도면이다.
본 발명의 실시예는 예컨대 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 어레이 또는 어레이들로 구성될 수 있는 프로그래머블 패터닝 디바이스를 포함할 수 있는 장치에 관한 것이다. 이러한 장치에 관한 더 많은 정보는 PCT 특허 출원 공개 번호 WO 2010/032224 A2, 미국 특허 출원 공개 번호 US 2011-0188016, 미국 특허 출원 번호 US 61/473,636, 및 미국 특허 출원 번호 61/524,190에서 찾아볼 수 있으며, 이들 공개 특허 또는 특허 출원은 그 전체 내용이 원용에 의해 본 명세서에 통합된다. 그러나, 본 발명의 실시예는 예컨대 위에서 설명한 것을 포함한 어떠한 형태의 프로그래머블 패터닝 디바이스와 함께 이용될 수 있다.
도 1은 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분에 대한 개략 횡단면도를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서, 리소그래피 장치 또는 노광 장치는 반드시 그러할 필요는 없지만 아래에 추가로 설명되는 바와 같이 X-Y 평면에서 실질적으로 정지 상태인 개별 제어 가능한 요소를 갖는다. 리소그래피 장치 또는 노광 장치(1)는 기판을 유지하기 위한 기판 테이블(2) 및 기판 테이블(2)을 6까지의 자유도로 이동시키기 위한 위치설정 장치(3)를 포함한다. 기판은 레지스트 코팅된 기판이어도 된다. 일실시예에서, 기판은 웨이퍼이다. 일실시예에서, 기판은 다각형(예컨대, 직사각형) 기판이다. 일실시예에서, 기판은 유리판이다. 일실시예에서, 기판은 플라스틱 기판이다. 일실시예에서, 기판은 호일(foil)이다. 일실시예에서, 본 장치는 롤-투-롤 제조(roll-to-roll manufacturing)에 적합하다.
리소그래피 장치 또는 노광 장치(1)는 또한 복수의 빔을 방출하도록 구성된 개별 제어 가능한 복수의 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 포함한다. 일실시예에서, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 폴리머 LED(PLED), 또는 레이저 다이오드(예컨대, 솔리드 스테이트 레이저 다이오드)와 같은 방사선 방출 다이오드이다. 일실시예에서, 개별 제어 가능한 요소(4)의 각각은 청색-자색(blue-violet) 레이저 다이오드(예컨대, Sanyo 모델 번호 DL-3146-151)이다. 이러한 다이오드는 Sanyo, Nichia, Osram, 및 Nitride와 같은 회사에 의해 공급될 수 있다. 일실시예에서, 다이오드는 예컨대 약 365 nm 또는 약 405 nm의 파장을 갖는 UV 방사선을 방출한다. 일실시예에서, 다이오드는 0.5∼200 mW의 범위에서 선택된 출력 파워를 제공할 수 있다. 일실시예에서, 레이저 다이오드(네이키드 다이)의 크기는 100∼800 마이크로미터의 범위에서 선택된다. 일실시예에서, 레이저 다이오드는 0.5∼5 ㎛2의 범위에서 선택된 발광 면적을 갖는다. 일실시예에서, 레이저 다이오드는 5∼44 도의 범위에서 선택된 발산각(divergence angle)을 갖는다. 일실시예에서, 다이오드는 약 6.4×108 W/(㎡·sr)보다 크거나 동일한 총 밝기를 제공하기 위한 구성(예컨대, 발광 면적, 발산각, 출력 파워 등)을 갖는다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(5) 상에 배치되고, Y-방향 및/또는 X-방향을 따라 연장할 수 있다. 하나의 프레임(5)이 도시되어 있지만, 본 장치는 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 프레임(5)을 가질 수도 있다. 프레임(5) 상에는 렌즈(12) 또한 배치되어 있다. 프레임(5)과 그에 따라 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 렌즈(12)는 X-Y 평면에서 실질적으로 정지 상태이다. 프레임(5), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 렌즈(12)는 액추에이터(7)에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 이와 달리 또는 이에 부가하여, 렌즈(12)는 이 특정 렌즈에 관련된 액추에이터에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 필요한 경우, 각각의 렌즈(12)에 액추에이터가 제공될 수도 있다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 빔을 방출하도록 구성될 수 있으며, 투영 시스템(12, 14, 18)은 빔을 기판의 타겟 부분 상에 투영하도록 구성될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 투영 시스템은 광학 컬럼(optical column)을 형성한다. 리소그래피 장치 또는 노광 장치(1)는 광학 컬럼(optical column) 또는 그 일부분을 기판에 대하여 이동시키기 위해 액추에이터(예컨대, 모터)(11)를 포함할 수 있다. 필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18)가 배치되어 있는 프레임(8)은 액추에이터로 회전 가능하게 될 수도 있다. 필드 렌즈(14)와 이미징 렌즈(18)의 조합은 이동 가능 광학장치(9)를 형성한다. 사용 시에, 프레임(8)은 예컨대 도 2에 화살표로 나타낸 방향으로 자신의 축(10)을 중심으로 회전한다. 프레임(8)은 액추에이터(예컨대, 모터)(11)를 이용하여 축(10)을 중심으로 회전된다. 또한, 프레임(8)은 이동 가능 광학장치(9)가 기판 테이블(2)에 관련하여 변위될 수 있도록 모터(7)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다.
애퍼처를 갖는 애퍼처 구조(13)가 렌즈(12)와 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 사이에서 렌즈(12) 위에 위치될 수 있다. 애퍼처 구조(13)는 렌즈(12), 연관된 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4), 및/또는 인접한 렌즈(12)/자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 회절 작용을 제한할 수 있다.
도시된 장치는 프레임(8)을 회전시키고 이와 동시에 기판 테이블(2) 상의 기판을 광학 컬럼 아래로 이동시킴으로써 이용될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 렌즈가 서로 실질적으로 정렬되는 때에 렌즈(12, 14, 18)를 통해 빔을 방출할 수 있다. 렌즈(14, 18)를 이동시킴으로써 기판 상의 빔의 이미지가 기판의 일부분에 걸쳐 스캐닝된다. 이와 동시에 기판 테이블(2) 상의 기판을 광학 컬럼 아래로 이동시킴으로써, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지를 받게 되는 기판의 부분 또한 이동한다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 컨트롤러의 제어 하에서 고속으로 "온"과 "오프"(예컨대, "오프"인 때에는 출력을 갖지 않거나 또는 임계치 아래의 출력을 갖고, "온"인 때에는 임계치 위의 출력을 가짐)로 스위칭하고, 광학 컬럼 또는 광학 컬럼의 일부분의 회전을 제어하고, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 세기를 제어하고, 기판의 속도를 제어함으로써, 기판 상의 레지스트층에 원하는 패턴이 이미징될 수 있다.
도 2는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 갖는 도 1의 장치의 개략 평면도를 도시하고 있다. 도 1에 도시된 장치(1)와 같이, 장치(1)는 기판(17)을 유지하기 위한 기판 테이블(2), 기판 테이블(2)을 6까지의 자유도로 이동시키기 위한 위치설정 장치(3), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)와 기판(17) 간의 정렬을 판정하고, 기판(17)이 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 투영에 대한 레벨에 있는지를 판정하기 위한 정렬/레벨 센서(19)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 기판(17)은 직사각 형상을 갖지만, 이에 추가하여 또는 이와 달리 둥근 기판이 처리될 수도 있다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(15) 상에 배치된다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 방사선 방출 다이오드, 예컨대 청색-자색 레이저 다이오드와 같은 레이저 다이오드이어도 된다. 또한 도 2에 도시된 바와 같이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 X-Y 평면으로 연장하는 어레이(21)로 배치될 수 있다.
어레이(21)는 기다란 라인이어도 된다. 일실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 1차원 어레이이어도 된다. 일실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 2차원 어레이이어도 된다.
화살표로 나타낸 방향으로 회전할 수도 있는 회전 프레임(8)이 제공될 수 있다. 회전 프레임은 각각의 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지를 제공하기 위해 렌즈(14, 18)(도 1에 도시된)가 제공될 수 있다. 장치는 기판에 대해 프레임(8) 및 렌즈(14, 18)를 포함하는 광학 컬럼을 회전시키기 위해 액추에이터가 제공될 수 있다.
도 3은 프레임(8)의 둘레에 렌즈(14, 18)가 제공된 회전 프레임(8)에 대한 매우 개략적인 투시도이다. 복수의 빔, 이 예에서는 10개의 빔이 렌즈 중의 하나에 입사되고, 기판 테이블(2)에 의해 유지된 기판(17)의 타겟 부분 상에 투영된다. 일실시예에서, 복수의 빔은 일직선으로 배열된다. 회전 가능 프레임은 액추에이터(도시하지 않음)를 통해 축(10)을 중심으로 회전할 수 있다. 회전 가능 프레임(8)의 회전의 결과, 빔은 연속 렌즈(14, 18)(필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18)) 상에 입사될 것이며, 도 4를 참조하여 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 각각의 연속 렌즈에의 입사 시에 기판(17)의 표면의 일부분을 따라 진행하도록 렌즈에 의해 편향될 것이다. 일실시예에서, 각각의 빔은 각각의 소스, 즉 자기 발광 콘트라스트 디바이스, 예컨대 레이저 다이오드(도 3에 도시되지 않음)에 의해 생성된다. 도 3에 도시된 배열에서, 빔은 빔들 사이의 간격을 감소시켜 더 많은 수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 투영되도록 하고 아래에 설명되는 해상도 요건(resolution requirement)을 달성할 수 있도록 하기 위해 세그먼트화된 미러(30)에 의해 편향되고 함께 모아진다.
회전 가능 프레임이 회전함에 따라, 빔이 연속 렌즈 상에 입사되며, 렌즈가 빔에 의해 조사(irradiation)될 때마다, 빔이 렌즈의 표면 상에 입사되는 장소가 이동한다. 렌즈 상의 빔의 입사 장소에 따라 빔이 상이하게(예컨대, 상이한 편향으로) 기판 상에 투영되므로, 빔(기판에 도달할 때의)은 후속 렌즈의 각각의 통과로 스캐닝 이동(scanning movement)을 이룰 것이다. 이 원리는 도 4를 참조하여 추가로 설명된다. 도 4는 회전 가능 프레임(8)의 일부분에 대한 매우 개략적인 평면도이다. 제1 세트의 빔은 B1으로 표시되고, 제2 세트의 빔은 B2로 표시되며, 제3 세트의 빔은 B3로 표시된다. 각각의 세트의 빔은 회전 가능 프레임(8)의 각각의 렌즈 세트(14, 18)를 통해 투영된다. 회전 가능 프레임(8)이 회전함에 따라, 빔 B1은 스캐닝 이동으로 기판(17) 상에 투영되며, 이에 의해 영역 A14를 스캐닝한다. 유사하게, 빔 B2는 영역 A24를 스캔하고, 빔 B3는 영역 A34를 스캔한다. 대응하는 액추에이터에 의한 회전 가능 프레임(8)의 회전과 동시에, 기판(17) 및 기판 테이블은 도 2에 도시된 바와 같이 X-축을 따르는 것일 수도 있는 D 방향으로 이동되며, 이에 의해 영역 A14, A24, A34에서의 빔의 스캐닝 방향에 실질적으로 수직을 이루게 된다. 제2 액추에이터에 의한 D 방향으로의 이동(예컨대, 대응하는 기판 테이블 모터에 의한 기판 테이블의 이동)의 결과, 회전 가능 프레임(8)의 연속 렌즈에 의해 투영될 때의 빔의 연속 스캔은 실질적으로 서로 연접하도록 투영되어, 빔 B1의 각각의 연속 스캔에 대해서는 실질적으로 연접하는 영역 A11, A12, A13, A14(영역 A11, A12, A13은 이전에 스캐닝되었고, A14는 도 4에 도시된 바와 같이 현재 스캐닝되고 있음)를 발생하고, 빔 B2에 대해서는 영역 A21, A22, A23, A24(영역 A21, A22, A23은 이전에 스캐닝되었고, A24는 도 4에 도시된 바와 같이 현재 스캐닝되고 있음)를 발생하고, 빔 B3에 대해서는 영역 A31, A32, A33, A34(영역 A31, A32, A33은 이전에 스캐닝되었고, A34는 도 4에 도시된 바와 같이 현재 스캐닝되고 있음)를 발생한다. 이에 의해, 기판 표면의 영역 A1, A2 및 A3는 회전 가능 프레임(8)을 회전시키면서 방향 D로 기판을 이동시킴으로써 커버될 수 있다. 동일한 렌즈를 통한 복수의 빔의 투영은, 렌즈의 각각의 통과 동안, 복수의 빔이 각각의 렌즈로 기판을 스캔하고, 이에 의해 연속 스캔 동안 방향 D로의 증가된 변위를 허용하기 때문에, 더 짭은 기간 내에서(회전 가능 프레임(8)의 동일한 회전 속도에서) 전체 기판의 처리를 가능하게 한다. 달리 말하면, 소정의 처리 시간에 대해서, 복수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 기판 상에 투영될 때에, 회전 가능 프레임의 회전 속도가 감소될 수 있으며, 이에 의해 높은 회전 속도로 인한 회전 가능 프레임의 변형, 마모, 진동, 요동(turbulence) 등과 같은 작용을 감소시키는 것이 가능하다. 일실시예에서, 복수의 빔은 도 4에 도시된 바와 같이 렌즈(14, 18)의 회전의 접선에 대해 각을 이루며 배열된다. 일실시예에서, 복수의 빔은 각각의 빔이 인접한 빔의 스캐닝 경로에 연접하거나 중첩하도록 배열된다.
복수의 빔을 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영하는 특징의 추가의 효과는 공차의 완화에서 찾을 수 있다. 렌즈의 공차(위치설정, 광 투영 등)로 인해, 연속 영역 A11, A12, A13, A14(및/또는 영역 A21, A22, A23, A24 및/또는 영역 A31, A32, A33, A34)의 위치는 서로에 대하여 어느 정도의 위치설정 부정확도를 나타낼 수도 있다. 따라서, 연속 영역 A11, A12, A13, A14들 간의 어느 정도의 중첩이 필요할 수 있다. 하나의 빔의 예컨대 10%가 중첩되는 경우에, 처리 속도는 한번에 하나의 빔이 동일한 렌즈를 통과하는 경우보다 10%의 동일한 비율로 감소될 것이다. 동일한 렌즈를 통해 한번에 5개 이상의 빔이 투영되는 상황에서는, 5개 이상의 투영된 라인마다 10%의 동일한 중첩(위의 예에서 하나의 빔에 대해 언급한 것과 마찬가지로)이 제공될 것이며, 그러므로 전체 중첩이 대략 5 이상의 비율로 2% 또는 그 미만으로 감소됨으로써, 전체적인 처리 속도에 대한 영향이 현저하게 낮아지게 된다. 유사하게, 적어도 10개의 빔을 투영하는 것은 전체 중첩을 대략 10의 비율로 감소시킬 수 있다. 그러므로, 기판의 처리 시간에 대한 공차의 영향은, 복수의 빔이 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영되는 특징에 의해 감소될 수 있다. 이에 추가하여 또는 이와 달리, 복수의 빔을 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영하는 경우 처리에 미치는 영향이 낮기 때문에, 중첩이 보다 많이 허용될 수 있다(그러므로, 더 큰 공차 범위가 허용됨).
복수의 빔을 동일한 렌즈를 통해 한번에 투영하는 것에 추가하여 또는 복수의 빔을 동일한 렌즈를 통해 한번에 투영하는 것과는 달리, 인터레이싱 기술이 이용될 수 있지만, 인터레이싱 기술은 렌즈들 간의 비교적 더욱 엄격한 정합을 요구할 수 있다. 그러므로, 렌즈들 중의 동일한 렌즈를 통해 한번에 기판 상에 투영된 적어도 2개의 빔은 상호 간격(mutual spacing)을 가지며, 본 장치는 빔의 후속 투영이 그 간격으로 투영되도록 광학 컬럼에 대하여 기판을 이동시키기 위해 제2 액추에이터를 작동하도록 배치될 수 있다.
하나의 그룹의 연속 빔들 간의 D 방향에서의 거리를 감소시키기 위해(이에 의해 예컨대 D 방향에서 더 높은 분해능을 달성함), 빔들은 D 방향에 대하여 서로에 대해 대각으로 배열될 수도 있다. 이 간격은 광 경로에 세그먼트화된 미러(30)를 제공함으로써 추가로 감소될 수 있으며, 이때 각각의 세그먼트는 빔들 중의 각각의 빔을 반사시키고, 이러한 세그먼트는 미러 상에 입사될 때의 빔들 사이의 간격에 대하여 미러에 의해 반사될 때의 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 배열된다. 이러한 작용은 또한 각각의 빔이 각각의 광섬유 상에 입사되는 복수의 광섬유에 의해 달성될 수도 있는데, 이러한 광섬유는, 광 경로를 따라 광섬유의 상류에서의 빔들 사이의 간격에 대하여 광섬유의 하류에서의 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 배열된다.
또한, 이러한 작용은 각각의 입력이 각각의 빔을 수신하는 복수의 입력을 갖는 통합된 광 도파관 회로를 이용하여 달성될 수도 있다. 통합된 광 도파관 회로는, 광 경로를 따라, 통합된 광 도파관 회로의 상류에서의 빔들 사이의 간격에 대하여, 통합된 광 도파관 회로의 하류에서의 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 배치된다.
기판 상에 투영되는 이미지의 초점을 제어하기 위한 시스템이 제공될 수 있다. 전술한 배치에서 광학 컬럼의 일부 또는 전부에 의해 투영된 이미지의 초점을 조정하기 위한 구성이 제공될 수 있다.
일실시예에서, 투영 시스템은 레이저 유기 재료 전사(laser induced material transfer)에 의한 재료(예컨대, 금속)의 드롭플릿(droplet)의 국소적인 침적을 야기하기 위해 디바이스가 위에 형성될 기판(17) 위의 재료의 층으로 형성된 기판 상에 하나 이상의 방사 빔을 투영한다.
도 5를 참조하면, 레이저 유기 재료 전사의 물리적인 메카니즘이 도시되어 있다. 일실시예에서, 방사 빔(200)은 재료(202)의 플라즈마 브레이크다운(plasma breakdown) 아래의 세기에서 실질적으로 투명한 재료(202)(예컨대, 글래스)를 통해 포커싱된다. 재료(202) 위에 가로놓여져 있는 도너 재료층(204)(예컨대, 금속막)으로 형성된 기판 상에서 표면 열 흡수가 발생한다. 열 흡수는 도너 재료(204)의 용융을 야기한다. 또한, 발열은 도너 재료층(204) 및 그에 따라 도너 구조체(예컨대, 플레이트)(208)로부터 도너 재료 드롭플릿(206)의 전방 가속(forward acceleration)을 야기하는 전방 방향으로의 유기 압력 기울기(induced pressure gradient)를 초래한다. 그러므로, 도너 재료 드롭플릿(206)은 도너 재료층(204)으로부터 릴리즈되고, 디바이스가 형성될 기판(17)을 향해 기판 상으로 이동된다(중력의 도움으로 또는 중력의 도움없이). 빔(200)을 도너 플레이트(208) 상의 적절한 위치로 향하도록 함으로써, 도너 재료 패턴이 기판(17) 상에 침적될 수 있다. 일실시예에서는, 빔은 도너 재료층(204) 상에 포커싱된다.
일실시예에서, 도너 재료의 전달을 야기하기 위해 하나 이상의 단펄스(short pulse)가 이용된다. 일실시예에서, 펄스는 준일차원 전방 가열(quasi one dimensional forward heat) 및 용융된 재료의 물질 이동(mass transfer)을 획득하기 위해 수 피코초(picosecond) 또는 펨토초(femtosecond) 길이로 될 수 있다. 이러한 단펄스는 재료층(204)에서의 측방의 열 흐름을 거의 없게 하거나 전혀 없게 하고, 그에 따라 도너 구조체(208) 상의 열 부하를 거의 없게 하거나 전혀 없게 한다. 단펄스는 재료의 신속한 용융 및 전방 가속을 가능하게 한다(예컨대, 금속과 같은 기화된 재료는 자신의 전방 지향성을 상실하여 스플래터링 침적(splattering deposition)을 야기할 것이다). 단펄스는 재료를 기화 온도 아래이지만 가열 온도 바로 위까지 가열할 수 있다. 예컨대, 알루미늄에 대해, 약 900 내지 1000 ℃의 온도가 바람직하다.
일실시예에서, 레이저 펄스의 사용을 통해, 일정량의 재료(예컨대, 금속)가 100 내지 1000 nm 드롭플릿의 형태로 도너 구조체(208)로부터 기판(17)으로 전달된다. 일실시예에서, 도너 재료는 금속을 포함하거나 근본적으로 금속으로 이루어진다. 일실시예에서, 금속은 알루미늄이다. 일실시예에서, 금속층(204)은 막의 형태로 된다. 일실시예에서, 막은 또 다른 몸체 또는 층에 부착된다. 전술한 바와 같이, 몸체 또는 층은 글래스이어도 된다.
원하는 디바이스 패턴을 형성하기에 적합한 방사선의 도즈 패턴이 타겟(예컨대, 기판)에 부여되는 것과 같은 방법으로, 기판 상에 형성될 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 프로그래머블 패터닝 디바이스를 구동하기에 적합한 제어 신호로 전환하기 위해, "데이터-경로"로서 지칭될 수도 있는 데이터 처리 시스템(100)을 구성하는 하드웨어 및/또는 소프트웨어가 제공될 수도 있다. 도 6은 이러한 데이터-경로에 포함될 수 있는 일례의 처리 스테이지(100)를 도시하는 개략적인 예시이다. 일실시예에서, 스테이지의 각각은 자신의 이웃하는 스테이지에 직접 연결된다. 그러나, 반드시 그러할 필요는 없다. 일실시예에서, 하나 이상의 추가의 처리 스테이지가 도시된 스테이지들 중 임의의 스테이지들 사이에 제공될 수도 있다. 이에 부가하여 또는 이와 달리, 스테이지들의 하나 이상의 스테이지의 각각이 복수의 스테이지를 포함할 수도 있다. 스테이지들 중의 하나 이상이 조합될 수도 있다. 일실시예에서, 스테이지는 하나의 물리적 처리 유닛(예컨대, 컴퓨터 또는 컴퓨팅 연산을 수행할 수 있는 하드웨어) 또는 상이한 처리 유닛을 이용하여 구현된다.
도 6에 도시된 예에서, 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현이 저장 스테이지(102)에 제공된다. 일실시예에서, 벡터-기반 표현은 GDSII와 같은 벡터 디자인 패키지를 사용하여 구성된다. 벡터-기반 표현은 저장 스테이지(102)로부터 래스터화 스테이지(104)에 직접 포워딩되거나 또는 하나 이상의 중간 스테이지를 통해 포워딩된다. 중간 스테이지의 예는 벡터 전-처리 스테이지(vector pre-processing stage) 및 저역-통과 필터 스테이지를 포함한다. 일실시예에서, 저역-통과 필터 스테이지는 예컨대 안티-에일리어싱 처리(anti-aliasing processing)를 수행한다.
래스터화 스테이지(104)는 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현(또는 벡터-기반 표현의 처리된 버전)을 원하는 디바이스 패턴에 대응하는(즉, 원하는 디바이스 패턴을 기판의 후-노광 처리에 의하여 형성하기에 적합한) 원하는 도즈 패턴(dose pattern)의 래스터화된 표현으로 전환한다. 일실시예에서, 래스터화된 표현은 비트맵 데이터를 포함한다. 비트맵 데이터는 "픽셀맵(pixelmap)" 데이터로서 지칭될 수 있다. 일실시예에서, 비트맵 데이터는 포인트들의 그리드 상의 각각의 포인트에서의 원하는 도즈를 표시하는 값들의 세트를 포함한다. 포인트들의 그리드는 래스터화 그리드(rasterization grid)로서 지칭될 수도 있다.
일실시예에서, 래스터화된 표현(래스터화 스테이지(104)로부터 직접 출력되거나 또는 추가의 처리 후에 출력된)은 제어 신호 생성 스테이지(106)에 공급된다. 제어 신호 생성 스테이지(106)는 단일 스테이지(도시된 바와 같이)로서 구현될 수도 있고 또는 복수의 별개의 스테이지로서 구현될 수도 있다.
일실시예에서, 제어 신호 생성 스테이지(106)는, 래스터화 그리드와, 패터닝 디바이스가 타겟(예컨대, 기판) 레벨에서 스팟 노광을 형성할 수 있는 위치를 정의하는 그리드("스팟 노광 그리드"로 지칭될 수도 있음) 간의 맵핑 연산을 수행한다. 각각의 스팟 노광은 도즈 분포를 포함한다. 도즈 분포는 스팟에 의해 기판에 가해지는 단위 면적당의 에너지(즉, 단위 면적당의 도즈)가 스팟 내의 위치를 함수로 하여 어떻게 변화되는지를 특정한다. 도즈 분포는 "점 확산 함수(point spread function)"로서 지칭될 수도 있다. 일실시예에서, 스팟 노광의 위치는 도즈 분포에서의 특성 점(characteristic point)을 기준으로 하여 정해진다. 일실시예에서, 특성 점은 단위 면적당의 도즈가 최대인 위치이다. 일실시예에서, 단위 면적당의 도즈가 최대인 위치는 스팟의 중심 영역에 있다. 다른 실시예에서, 단위 면적당의 도즈가 최대인 위치는 스팟의 중심 영역에 있지 않다. 일실시예에서, 도즈 분포는 원형 대칭(circularly symmetric)을 이룬다. 이러한 실시예에서, 스팟은 원형 스팟으로서 지칭될 수도 있다. 이러한 실시예에서, 단위 면적당의 도즈가 최대인 위치는 원의 중심에 위치될 수 있다. 다른 실시예에서, 도즈 분포는 원형이 아니다. 일실시예에서, 도즈 분포에서의 특성 점은 도즈 분포의 "질량 중심(center of mass)"(가변 밀도를 갖는 평탄한 물체의 질량 중심으로 직접적인 유추(direct analogy)에 의해 정해지며, 여기에서 스팟 노광의 단위 면적당의 도즈는 평탄한 물체의 단위 면적당의 질량과 등가임)이다. 따라서, 도즈 분포의 "질량 중심"은 도즈의 평균 위치를 나타낸다. 일실시예에서, 스팟 노광 그리드에서의 각각의 그리드 포인트는 패터닝 디바이스(및/또는 투영 시스템)가 기판에 가할 수 있는 스팟 노광들 중의 상이한 스팟 노광의 위치(예컨대, 특성 점의 위치)를 나타낸다.
일실시예에서, 리소그래피 또는 노광 장치는 별개의 "스팟"(예컨대, 원형 스팟)으로 이루어지는 스팟 노광을 발생하도록 구성된다. 이러한 실시예의 일례에서, 타겟의 레벨에서의 소정의 방사 빔의 세기는 그 방사 빔에 의해 상이한 스팟들의 노광 사이에서는 가끔은 영(0)에 도달한다. 일실시예에서, 리소그래피 또는 노광 장치는 스팟 노광을 연속 라인으로 발생하도록 구성된다. 연속 라인은 기판의 레벨에서의 소정의 방사 빔의 세기가 그 방사 빔에 의한 일련의 스팟 노광에서의 상이한 스팟들의 노광 사이에서 영(0)에 도달하지 않는 일련의 스팟 노광으로서 간주될 수 있다. 이 타입의 일례의 실시예가 도 4를 참조하여 위에 설명되어 있다.
일실시예에서, 각각의 스팟 노광은 예컨대 일정한 파워로 구동되고 있는 하나의 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 단일 주기 동안 그 콘트라스트 디바이스로부터 기원하는 타겟 상의 방사선 도즈의 영역에 대응한다. 일실시예에서, 맵핑 연산은 래스터화 그리드와 스팟 노광 그리드 간의 내삽(interpolation)을 포함한다. 일실시예에서, 팹핑 연산은 계측 데이터 저장 스테이지(108)로부터 계측 데이터를 수신하도록 구성된다. 일실시예에서, 계측 데이터는 예컨대 탑재된 기판 및/또는 탑재된 기판 상의 이전에 형성된 디바이스 패턴의 위치 및/또는 지향방향(orientation)을 패터닝 디바이스에 관련하여 특정한다. 일실시예에서, 계측 데이터는 또한 탑재된 기판 또는 이전에 형성된 디바이스 패턴의 측정된 왜곡을 특정한다. 일실시예에서, 왜곡은 예컨대 시프트, 회전, 스큐(skew) 및/또는 확대 중의 하나 이상을 포함한다. 따라서, 계측 데이터는 래스터화 그리드와 스팟 노광 그리드 간의 내삽이 타겟 상의 원하는 도즈 패턴의 적합한 위치설정을 보장하기 위하여 어떻게 수행되어야 하는지에 대한 정보를 제공한다.
제어 신호 생성 스테이지(106)는 원하는 도즈 패턴을 형성하기 위해 스팟 노광 그리드 내의 각각의 위치에 적용될 "세기", "에너지" 및/또는 "도즈"들의 세트를 계산할 수 있다. "세기"를 참조하여 이루어지는 본 출원에서, 세기는 세기, 에너지 및/또는 도즈를 포괄하는 것으로 이해된다. 일실시예에서, 세기들의 세트는, 그리드 내의 각각의 위치에 대하여, 예컨대 그 위치를 중심으로 하는 스폿을 발생하기 위해 이용될 방사 빔의 파워를 정의할 수 있다. 일실시예에서, 방사 빔의 파워는 예컨대 방사 빔을 발생할 자기 발광 콘트라스트 디바이스에 인가되는 전압 또는 전류의 크기에 의해 결정된다. 이 계산은 광 투영 시스템의 특성을 설명하며, 따라서 "역-광학(inverse-optics)" 계산으로 지칭될 수도 있다. 일실시예에서, 계산은 개별 스팟의 크기 및/또는 형상을 설명할 수 있다. 일실시예에서, 개별 스팟의 크기 및/또는 형상은 적어도 부분적으로는 광 투영 시스템의 하나 이상의 특성에 의해 좌우된다. 일실시예에서, 크기 및/또는 형상은 스팟에 대해 가능한 적용된 세기의 소정의 세트의 각각에 대하여 정해진다. 일실시예에서, 스팟 크기 및/또는 형상은 예컨대 소정의 스팟에 대해 적용된 도즈의 위치에 따른 변동을 규정한다. 일실시예에서, 계산은 또한 이상적인(즉, 공학적인 오류(engineering error)가 없는) 스팟 노광 그리드 기하학적 구조에 의하여 정해진 공칭 위치(nominal position)로부터의 그 스팟의 위치에서의 편차들을 고려한다.
일실시예에서, 프로그래머블 패터닝 디바이스는 개별 제어 가능한 노광 시간을 갖는 복수의 방사 빔을 발생하도록 구성된다. 각각의 노광 시간은 소정의 스팟 노광에 대응하는 방사선이 가해지는 시간 간격(time period)에 해당한다. 이러한 실시예의 일례에서, 제어 신호 생성 스테이지(106)는 타겟 노광 시간의 세트를 계산한다. 일실시예에서, 노광 시간은 방사 소스(들)(예컨대, 하나 이상의 자기 발광 콘트라스트 요소)와 타겟 사이에 위치된 셔터 요소 또는 셔터 요소의 매트릭스를 이용하여 제어된다. 이러한 실시예의 일례에서, 방사 소스(들)는 상이한 스팟의 노광 사이에서 "온"을 유지하도록 구성될 수도 있다. 노광 시간은 셔터 요소 또는 셔터 요소의 매트릭스의 관련 부분이 "개방" 상태인 동안의 시간 길이에 의해 결정된다. 이와 달리 또는 이에 부가하여, 노광 시간은 방사 소스(들)(예컨대, 하나 이상의 자기 발광 콘트라스트 요소)의 구동 지속기간을 조절함으로써 제어된다.
일실시예에서, 프로그래머블 패터닝 디바이스는 개별 제어 가능한 세기 및 개별 제어 가능한 노광 시간을 갖는 복수의 방사 빔을 발생하도록 구성된다. 이러한 실시예의 일례에서, 제어 신호 생성 스테이지(106)는 원하는 도즈 패턴을 달성하는데 적합한 타겟 세기 값 및 타겟 노광 시간의 조합을 계산한다.
일실시예에서, 스팟들은 스팟 노광 그리드에서의 기준 위치에서 달성된 최종 도즈가 다수의 이웃 스팟에서의 적용된 세기에 좌우되도록 타겟(예컨대, 기판) 레벨에서 서로 중첩한다. 그 영향은 콘볼루션(convolution)(또는 디콘볼루션) 연산에 의하여 수학적으로 설명(핸들링/모델링)될 수 있다. 일실시예에서, 제어 신호 생성 스테이지(106)는 소정의 원하는 도즈 패턴을 위해 각각의 위치에 적용될 세기를 결정하기 위해 반대의 프로세스(reverse process)를 수행한다. 따라서, 이러한 실시예에서, 제어 신호 생성 스테이지(106)는 디콘볼루션(또는 콘볼루션) 연산을 수행한다. 이 연산은 아래에서는 (디-)콘볼루션 연산으로서 지칭된다. 일실시예에서, (디-)콘볼루션 연산은 (디-)콘볼루션 커널에 의하여 정의된다. 일실시예에서, (디-)콘볼루션 커널은 (디-)콘볼루션 매트릭스에 의하여 표현된다. 일실시예에서, 이러한 (디-)콘볼루션 매트릭스의 계수들은 원하는 도즈 패턴 내의 기준점의 영역 내에 있는 점들에서의 도즈가 스팟 노광 그리드 내의 대응하는 점(또는 스팟)에 적용될 세기를 계산할 때에 어느 정도까지 고려될 필요가 있는지를 정의하는 가중치로서 해석된다.
도 7 및 도 8은 이러한 (디-)콘볼루션 연산에서의 단계를 매우 개략적으로 도시한다.
도 7은 매우 계략적인 일례의 스팟 노광 그리드(120)의 일부를 도시한다. 그리드(120) 내의 각각의 점(125)은 패터닝 디바이스에 의하여 타겟 상에 형성될 스팟의 중앙을 표현한다. (디-)콘볼루션 연산은 점(125)의 각각에서 적용할 세기 값을 결정하는 것을 목표로 한다. 스팟 노광 그리드(120)는 패터닝 디바이스가 타겟 상에 형성할 수 있는 스팟 노광의 패턴에 대응하는 기하학적 구조를 가질 것이다. 일실시예에서, 스팟 노광 그리드의 기하학적 구조는 그에 따라 불규칙하다. 불규칙한 그리드에서는, 본 출원의 의미에서는, 그리드 포인트의 밀도가 위치를 함수로 하여 변화되므로, 단일 그리드 포인트만을 포함하는 단일의 단위 셀을 이어붙임(tessellating)으로써 그리드를 완전하게 구성하는 것이 가능하지 않게 된다. 도 7에 예시되어 있는 그리드(120)의 기하학적 구조는 크게 간략화되어 있으며, 상업적 디바이스와 연관된 스팟 노광 그리드와 반드시 유사할 필요는 없다.
도 8은 래스터화 그리드(122)의 매우 개략적인 예의 일례의 부분을 도시한다. 이 예에서, 래스터화 그리드(122)는 규칙적인 기하학적 구조를 갖는다. 이 예에서, 규칙적인 기하학적 구조는 직사각이다. 규칙적인 그리드의 그리드 포인트의 밀도는, 본 출원의 의미에서는, 그리드가 단일 그리드 포인트만을 포함하는 단일 유형의 단위 셀을 이어붙임으로써 완전하게 형성될 수 있다는 점에서 "균일"하다. 점선(121)은 일례의 단위 셀을 예시한다. 점선은 4개의 그리드 포인트의 1/4을 교차하고, 따라서 총 1개의 그리드 포인트를 포함한다. 일실시예에서, 원하는 도즈 패턴의 샘플은 그리드(122) 내의 각각의 포인트(126)에서 제공될 수 있다.
도 7에서의 속이 채워진(solid) 그리드 포인트(123)는 기준 그리드 포인트(랜덤하게 선택되는)를 나타낸다. 속이 채워진 그리드 포인트(123)에서 적용될 세기를 구하기 위한 (디-)콘볼루션 연산의 적용은, 기준 그리드 포인트(123)의 위치에 대응하는 스팟 노광 그리드의 영역에서의 스팟 노광 그리드 내의 복수의 그리드 포인트에서의 원하는 도즈 패턴의 샘플의 가중된 기여(weighted contribution)를 수반할 것이다. 도 8에서의 속이 채워진 그리드 포인트(127)는 이러한 (디-)콘볼루션 연산에 수반되는 그리드 포인트를 개략적으로 나타낸다. 일실시예에서, 매트릭스로서 표현되는 (디-)콘볼루션 커널은 어느 그리드 포인트(126)가 수반될지를 정의하고(매트릭스에서의 비-제로 계수의 위치에 의해), 그리드 포인트가 어느 정도까지 수반될지를 정의할 것이다(매트릭스에서의 비-제로 계수의 값에 의해).
일실시예에서, (디-)콘볼루션 연산의 성질은 스팟 노광 그리드 내의 상이한 점들에 대하여 상이하다(또는 심지어는 상이한 점들 간에도 상이하다). 일실시예에서, 이러한 변동은 예컨대 패터닝 디바이스의 광 성능에서의 변동을 고려한다. 일실시예에서, 광 성능에서의 변동은 교정 측정치(calibration measurements)를 사용하여 획득된다. 일실시예에서, 필요한 경우 교정 측정치로부터 획득되는 (디-)콘볼루션 커널의 라이브러리가 저장되고, 필요 시에 액세스된다.
일실시예에서, 제어 신호 생성 스테이지(106)는 제어 신호를 생성하기 위하여 스팟 노광 그리드 내의 각각의 점에 적용될 일련의 세기 값을 세트포인트 값(setpoint value)으로 전환한다. 일실시예에서, 세트포인트 값은 패터닝 디바이스의 성질을 고려한다. 예컨대, 패터닝 디바이스가 복수의 자기 발광 콘트라스트 디바이스를 포함하는 경우, 이러한 실시예에서의 세트포인트 값은 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 응답에서의 비선형성(예컨대, 적용된 세트포인트/전압/전류를 함수로 하는 출력 파워의 변동에서의 비선형성)을 설명한다. 일실시예에서, 세트포인트 값은 공칭적으로 동일한 콘트라스트 디바이스의 특성에서의 변동을 예컨대 교정 측정치에 의하여 고려한다.
제어 신호 출력 스테이지(110)는 제어 신호 생성 스테이지로부터 제어 신호를 수신하고 이 신호를 패터닝 디바이스에 공급한다.
도 6에 도시된 예에서, 저장 스테이지(102) 및 래스터화 스테이지(104)는 데이터-경로의 오프라인 부분(112)으로 동작하며, 제어 신호 생성 스테이지(106) 내지 제어 신호 출력 스테이지(110)는 데이터-경로의 온라인(즉, 실시간) 부분(114)으로 동작한다. 그러나, 이것은 필수적이지 않으며, 일실시예에서는, 래스터화 스테이지(104)와 연관된 기능의 전부 또는 일부가 온라인으로 수행된다. 이와 달리 또는 이에 부가하여, 제어 신호 생성 스테이지(106) 및/또는 계측 데이터 저장 스테이지(108)의 기능의 전부 또는 일부가 오프라인으로 수행된다.
도 9는 기판(W) 상의 일례의 디바이스 레이아웃을 도시한다. 디바이스 레이아웃은 예컨대 평판 디스플레이 또는 평판 디스플레이의 일부분에 대한 것일 수도 있다. 레이아웃은 경계 영역(132)에 의해 둘러싸인 픽셀(154)(도 10에 도시됨)의 어레이를 포함하는 복수의 직사각 영역(134)을 포함한다. 도 10은 직사각 영역 중의 하나의 영역의 코너 영역(130)의 확대도이다.
예시된 디바이스 레이아웃은 다량의 반복을 포함하고 있다. 각각의 픽셀(154)을 정의하기 위해 필요한 디바이스 패턴은 동일하다. 유사하게, 경계 영역(132)의 섹션(138∼145)을 정의하기 위해 필요한 각각의 디바이스 패턴은 동일하다. 각각의 픽셀(154) 내에 및/또는 각각의 하나 이상의 섹션(138∼145) 내에도 상당한 정도의 반복이 있을 수 있다.
일실시예에서, 원하는 디바이스 패턴 내의 반복은 벡터-기반 표현에서의 계층(hierarchy)을 이용함으로써 활용된다. 일실시예에서, 프리미티브 패턴의 라이브러리가 제공되며, 벡터-기반 표현은 이들 프리미티브 패턴의 인스턴스가 패턴 내에 위치되는 곳을 특정함으로써(예컨대, 이들의 위치 및 지향방향을 특정함으로써) 디바이스 패턴을 묘사한다.
도 11은 일례의 2개의 프리미티브 P1 및 P2를 도시한다. 도 12는 2개의 P1 프리미티브와 1개의 P2 프리미티브로 구축된 타겟 디바이스 패턴의 일부분을 도시한다. 축(160, 162)은 벡터-기반 표현의 좌표계에서의 축(예컨대, X 및 Y)을 나타낸다. 화살표(164, 166, 168)는 패턴에서의 3개의 프리미티브의 위치를 특정하는 벡터를 예시한다. 이 패턴을 정의하는 벡터-기반 표현은 이용되는 2개의 프리미티브 P1 및 P2의 각각에 대한 정의("프리미티브 데이터"로서 지칭될 수도 있음) 및 벡터(164, 166, 168)("인스턴스 데이터"로서 지칭될 수도 있음)를 포함한다. 이 예에서, 인스턴스 데이터는 단지 위치 정보를 포함한다(벡터 164, 166, 168을 통해). 그러나, 일실시예에서, 지향방향 정보와 같은 기타 정보가 제공된다. 프리미티브 P1은 프리미티브 P1의 복수의 인스턴스가 있다는 사실에도 불구하고 한 번만 정의되어야 한다. 임의의 소정의 프리미티브의 다수의 인스턴스가 있는 경우, 그에 따라 각각의 프리미티브를 반복에 상관없이 별도로 정의하는(즉, 계층을 갖지 않는 시스템) 표현에 비하여 데이터 용량에서의 커다란 감소가 있을 것이다.
데이터-경로 처리는 패터닝 디바이스를 위한 제어 신호를 형성하기 위한 단계로서 벡터-기반 표현을 래스터화된 표현으로 전환한다. 그러나, 래스터화 프로세스는 통상적으로 어떠한 계층도 유지하지 않는 비트맵 파일의 생성을 수반한다. 특징부가 반복되면, 그 특징부를 정의하는 비트맵 값의 전부가 또한 반복되는 경향이 있을 것이다. 따라서, 래스터화 프로세스의 출력은 벡터-기반 표현보다 훨씬 더 크게 되는 경향이 있다. 예컨대, 100 nm 그리드에 대해 정의된 전형적인 패턴의 벡터-기반 표현의 경우, 전형적인 데이터 크기는 약 100 MByte일 것이다. 이러한 패턴의 완전히 압축해제된 래스터화된 표현(즉, 계층을 갖지 않는 표현)은 약 100 TByte일 것이다.
커다란 데이터 용량은 데이터-경로를 효율적으로 핸들링하는 것을 곤란하게 하므로, 비용을 증가시키거나 및/또는 성능을 억제한다.
일실시예에 따라, 데이터-경로의 성능은 데이터-경로의 이후까지 원하는 도즈 패턴 데이터의 완전한 압축해제를 지연시킴으로써 향상된다. 이것은 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 어느 정도의 계층(및 그에 따라 압축)을 유지하는 래스터화된 표현으로 전환함으로써 달성된다. 어느 정도의 계층을 유지하는 래스터화된 표현은 계층적 래스터화된 표현으로서 지칭될 수도 있다.
일실시예에서, 계층적 래스터화된 표현은 다음과 같이 생성된다. 벡터-기반 표현에서 사용되는 각각의 프리미티브 패턴의 래스터화된 버전이 생성된다. 래스터화된 버전은 "래스터화된 프리미티브"로서 지칭될 수도 있다. 그 후, 소정의 원하는 디바이스 패턴에 대한 래스터화된 프리미티브는, 각각의 래스터화된 프리미티브의 각각의 인스턴스가 패턴에서 위치되는 곳을 기술하는 인스턴스 데이터와 함께 저장된다. 일실시예에서, 래스터화된 프리미티브는 소정의 벡터-기반 표현이 전환될 때마다 생성된다. 이와 달리 또는 이에 부가하여, 사전에 래스터화된 프리미티브(pre-rasterized primitive)의 라이브러리가 형성된다. 일실시예에서, 이러한 라이브러리는, 전환될 소정의 벡터-기반 표현에서 사용된 프리미티브에 대응하는 래스터화된 프리미티브에, 다른 벡터-기반 표현을 전환하는데 유용할 수도 있는 다수의 다른 래스터화된 프리미티브를 더한 것을 포함하고 있다. 일실시예에서, 라이브러리는 소정의 타입의 벡터-기반 표현에 의해 사용될 수 있는 프리미티브의 전부에 대한 래스터화된 프리미티브를 포함하고 있다. 일실시예에서, 라이브러리는 GDSII 포맷에서 사용될 수 있는 각각의 프리미티브에 대한 래스터화된 프리미티브를 포함한다. 이러한 라이브러리의 사용은 계층적 래스터화된 표현을 생성하는 프로세스의 속도를 빠르게 할 수 있다.
도 13은 일실시예에서 도 11에 도시된 프리미티브 P1 및 P2에 각각 대응하는 래스터화된 프리미티브 RP1 및 RP2를 형성하는 방법을 개략적으로 도시한다. 본 실시예에서, 래스터화된 프리미티브는 래스터화 그리드의 영역(158)의 세트의 각각에 적용될 도즈를 표현하는 값들의 세트를 포함한다.
도 14는 래스터화된 프리미티브 RP1 및 RP2가 어떻게 위치되어야 하는지를 일실시예에서의 인스턴스 데이터가 어떻게 기술하는지를 예시하고 있다. 축(170, 172)은 좌표계를 정의한다. 본 실시예에서, 인스턴스 데이터는 좌표계에 관련하여 정의된 벡터(174, 176, 178)를 포함하며, 이들 벡터는 RP1 래스터화된 프리미티브의 2개의 인스턴스 및 RP2 래스터화된 프리미티브의 하나의 인스턴스의 위치를 특정한다. 이 예에서, 인스턴스 데이터는 위치 정보만을 포함한다(벡터 174, 176 및 178을 통해). 그러나, 일실시예에서, 지향방향 정보와 같은 기타 정보가 제공된다.
프리미티브(벡터-기반 및/또는 래스터화된)는 다양한 형태를 취할 수도 있다. 일실시예에서, 프리미티브는 폐쇄된 형상(예컨대, 원), 다각형(규칙적 또는 불규칙적), 비폐쇄 형상을 형성하는 교차 라인(예컨대, 십자 형상), 비교차 라인(예컨대, 단일 라인, 복수의 라인, 평행 라인, 코너 또는 엘보(elbow)를 형성하는 라인) 중의 하나 이상을 포함한다. 일실시예에서, 프리미티브는 특정한 디바이스 특징부에 대응하는 원하는 디바이스 패턴의 일부분을 포함한다. 일실시예에서, 프리미티브 중의 적어도 하나가 하나의 평판 디스플레이 픽셀을 정의하는데 필요한 패턴의 대부분 또는 전부를 포함한다. 일실시예에서, 프리미티브 중의 적어도 하나가 평판 디스플레이의 경계 영역의 세그먼트를 정의하는데 필요한 패턴의 대부분 또는 전부를 포함한다. 일실시예에서, 경계 영역의 세그먼트는 기판의 스캐닝 방향에 실질적으로 직각으로 정렬되는 경계 영역의 일부분을 포함한다. 이러한 실시예에서, 경계 영역의 일부분은 필요한 경우 스캐닝 방향에 실질적으로 평행한 경계 영역의 폭의 전부 및 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 경계 영역의 길이의 일부분을 포함한다. 일실시예에서, 경계 영역의 세그먼트는 스캐닝 방향에 실질적으로 평행하게 정렬되는 경계 영역의 일부분을 포함한다. 이러한 실시예에서, 경계 영역의 일부분은 필요한 경우 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 경계 영역의 폭의 전부 및 스캐닝 방향에 실질적으로 평행한 경계 영역의 길이의 일부분을 포함한다.
일실시예에서, 원하는 디바이스 패턴을 형성하는 프리미티브 중의 하나 이상이 서로 중첩할 수도 있다.
도 6을 참조하여 위에 설명된 일례의 데이터-경로 처리 시퀀스에서, 래스터화 스테이지(104)는 오프라인으로 작동하도록 구성된다. 래스터화 스테이지가 완전히 압축해제된 래스터화된 표현(즉, 계층을 갖지 않는)을 발생하는 경우, 그에 따라 출력을 저장하고 그 출력을 데이터-경로의 온라인 부분에 전달하기 위해 대용량 저장장치 하드웨어가 이용된다.
일실시예에서, 래스터화 스테이지(104)는 전술한 바와 같이 완전히 압축해제된 래스터화된 표현 대신 계층적 래스터화된 표현을 출력하도록 구성된다. 이 방식은 저장되고 전달되는 데이터의 용량을 감소시키고, 그에 따라 비용 및/또는 시간을 절감한다.
일실시예에서, 계층적 래스터화된 표현의 압축해제(즉, 계층의 제거)는 제어 신호 생성 스테이지(106)에 의해 수행된다. 일실시예에서, 압축해제는 온라인으로 수행된다. 일실시예에서, 압축해제는 예컨대 래스터화 그리드와 스팟 노광 그리드 간의 맵핑 연산의 일부로서 수행된다. 일실시예에서, 압축해제의 프로세스는 래스터화 그리드와 스팟 노광 그리드 간의 내삽 프로세스와 조합된다. 일실시예에서, 패턴이 리소그래피 장치 또는 노광 장치에 의해 기판에 또는 기판 상에 형성되는 동안, 압축해제, 맵핑, 및/또는 내삽의 적어도 일부분이 수행된다. 일실시예에서, 압축해제는, 래스터화 그리드에서의 각각의 점에 대해, 그 점에서의 원하는 도즈 값을 결정하기 위해 인스턴스 데이터 및 래스터화된 프리미티브 데이터를 참조하는 것을 포함한다.
도 15는 일실시예에 따른 데이터 처리 시스템(100)의 일부분을 예시한다. 본 실시예에서, 세트포인트 데이터 또는 세트포인트 데이터를 구하는데 사용하기 위한 데이터가 출력 유닛(180)을 통해 출력된다. 복수의 출력 유닛(180)이 제공된다. 각각의 출력 유닛(180)은 원하는 도즈 패턴이 노광될 타겟(예컨대, 기판)의 영역의 일부분에 대응한다. 일실시예에서, 각각의 일부분은 패터닝 디바이스에 관련하여 기판의 스캐닝의 방향에 실질적으로 평행하게 정렬된 스트립(strip)이다. 일실시예에서, 각각의 일부분은 하나의 기계식으로 분리된 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스의 일부분으로부터의 스팟 노광이 수신되는 영역에 대응한다. 일실시예에서, 각각의 스트립은 패터닝 디바이스의 하나의 자기 발광 콘트라스트 디바이스 또는 하나보다 많은 그룹의 자기 발광 콘트라스트 디바이스로부터의 스팟 노광과 정렬된다. 일실시예에서, 각각의 스트립은 렌즈(12)로부터의 스팟 노광과 정렬되며, 이 렌즈(12)는 특정한 하나의 자기 발광 콘트라스트 디바이스 또는 하나보다 많은 그룹의 자기 발광 콘트라스트 디바이스로부터 방사선을 수신하도록 구성되고, 그 하나의 자기 발광 콘트라스트 디바이스 또는 하나보다 많은 그룹의 자기 발광 콘트라스트 디바이스와의 고정된 공간적 관계를 갖는다(예컨대, 렌즈 12가 렌즈 14 및 18과 같이 프레임(8) 상에서 회전하도록 구성되지 않는다). 일실시예에서, 스트립은 형성된 도즈 패턴에서의 연속성을 보장하는데 도움을 주기 위해 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 방향으로 서로 중첩한다.
각각의 출력 유닛(180)은 처리 유닛(182)에 접속되며, 이 처리 유닛은 이 처리 유닛에 접속되는 출력 유닛(180)에 대한 세트포인트 데이터(또는 세트포인트 데이터를 얻는데 사용하기 위한 데이터)를 계산하도록 구성된다. 일실시예에서, 계산은 제어 신호 생성 스테이지(106)에 관련하여 전술한 계산 중의 하나 이상을 포함한다. 일실시예에서, 계산은, 처리 유닛(182)에 연관된 스트립에 대응하는 원하는 도즈 패턴의 일부분의 래스터화된 표현을, 원하는 도즈 패턴을 생성하기 위한 일련의 세트포인트 데이터로 전환하는 것을 포함한다. 일실시예에서, 처리 유닛이 패터닝 디바이스의 특정 부분에 연관되는 경우, 세트포인트 데이터는 패터닝 디바이스의 그 부분에 연관된 하나 이상의 콘트라스트 디바이스를 제어하기에 적합하도록 구성된다.
일실시예에서, 데이터 처리 시스템(100)은 상위 대역폭 메모리부(185) 및 하위 대역폭 메모리부(189)를 포함한다(상위 대역폭 메모리부(185)가 하위 대역폭 메모리부의 대역폭보다 높은 대역폭을 가짐). 일실시예에서, 상위 대역폭 메모리부(185)는 복수의 별도의 국부 메모리(local memory)(184)를 포함한다. 일실시예에서, 각각의 국부 메모리(184)는 처리 유닛(182) 중의 하나에 접속된다. 일실시예에서, 하위 대역폭 메모리부(189)는 하나 이상의 공유 메모리(188)를 포함한다. 일실시예에서, 각각의 하나 이상의 공유 메모리(188)는 처리 유닛(182) 중의 2개 이상에 선택적으로 접속 가능하다. 도시된 예에서, 각각의 공유 메모리(188)는 스위치(186)를 통해 처리 유닛(182)에 선택적으로 접속할 수 있다. 다른 실시예에서, 공유 메모리는 2개보다 많은 처리 유닛(182) 및/또는 서로 직접 인접하지 않은(즉, 이웃하고 있지 않은) 처리 유닛(182)에 접속할 수 있다.
일실시예에서는, 데이터 처리 시스템(100)이 복수의 국부 메모리(184)를 포함하지만 공유 메모리(188)를 포함하지 않는다. 일실시예에서는, 데이터 처리 시스템(100)이 복수의 공유 메모리(188)를 포함하지만 국부 메모리(184)를 포함하지 않는다. 일실시예에서는, 국부 메모리(184)와 함께 하나의 공유 메모리(188)가 제공되거나, 또는 국부 메모리(184) 없이 하나의 공유 메모리(188)가 제공된다.
상이한 대역폭을 갖는 별도의 메모리부를 제공하는 것은 처리 유닛(182)에 의해 전환될 래스터화된 표현을 더욱 최적의 방식으로 저장하는 것을 가능하게 한다. 구체적으로, 더욱 빈번하게 더 높은 전송률(rate)로 액세스될 필요가 있거나 및/또는 여러 개의 처리 유닛(182)에 의해 동시에 액세스될 필요가 있는 데이터를 상위 대역폭 메모리부(185)에 저장하고, 덜 빈번하게 더 낮은 전송률로 액세스될 필요가 있거나 및/또는 보다 소수의 처리 유닛(182)에 의해 동시에 액세스되거나 또는 처리 유닛(182)에 의해 동시에 액세스될 필요가 없는 데이터를 하위 대역폭 메모리부(189)에 저장하는 것이 가능하다. 이러한 방식은 소정의 레벨의 성능을 위한 총 메모리 대역폭을 최소화하는 것을 가능하게 하므로, 비용을 감소시키거나 최소화한다(및/또는 소정의 비용에 대한 성과를 최대화하거나 향상시킨다).
일실시예에서, 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 방향에서 반복되는 원하는 디바이스 패턴의 일부분에 연관된 데이터는, 이들이 상이한 처리 유닛(182)에 의해 동시에 액세스될 필요가 있도록, 상위 대역폭 메모리부(185)에, 예컨대 도 15에 도시된 타입의 구성에서의 국부 메모리(184)의 각각에 저장된다. 일실시예에서, 2개 이상의 스트립의 각각에서의 하나 이상의 인스턴스를 갖는 프리미티브 패턴은 상위 대역폭 메모리부(185)에 저장될 수 있다. 일실시예에서, 대부분의 스트립의 각각에서의 하나 이상의 인스턴스를 갖는 프리미티브 패턴은 상위 대역폭 메모리부(185)에 저장될 수 있다. 일실시예에서, 2개보다 많은(또는 대부분의) 스트립에서의 인스턴스를 갖고, 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 방향에서 서로 중첩하는 프리미티브는, 상위 대역폭 메모리부(185)에 저장될 수도 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 타입의 디바이스 레이아웃을 처리하도록 구성된 실시예에서, 스캐닝 방향이 좌측에서 우측으로 수평으로 이루어지는 경우, 픽셀(154)에 연관된 데이터와 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 경계 영역의 세그먼트(138, 139)에 연관된 데이터는 상위 대역폭 메모리부(185)에 저장된다. 반대로, 스캐닝 방향에 실질적으로 평행하게 정렬되는(그리고 그에 따라 다수의 상이한 처리 유닛(182)에 의해 좀처럼 동시에 요구되지 않을) 세그먼트(140∼145)에 연관된 데이터는 하위 대역폭 메모리부(189)에, 예컨대 도 15에 도시된 타입의 구성에서의 공유 메모리(188)의 각각에 저장된다.
일실시예에서, 디바이스 패턴의 평균보다 낮은 레벨의 원하는 디바이스 패턴의 일부분 내에서의 특징부 반복(및/또는 더 높은 엔트로피)을 갖고, 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 방향으로 길게 늘어져 있는, 원하는 디바이스 패턴의 일부분에 연관된 데이터는, 상위 대역폭 메모리부(185)에 저장된다. 이러한 부분의 예는 평판 디스플레이 디바이스 패턴(예컨대, 세그먼트 138 및 139)에서의 경계 영역(또는 경계 영역의 세그먼트)이다. 이러한 부분을 표현하기 위한 패턴의 단위 면적당의 데이터의 양은 비교적 높다(계층/압축을 이용하여도). 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루며 길게 늘어져 있다는 것은, 데이터가 높은 전송률로 및/또는 복수의 처리 유닛에 의해 동시에 액세스될 필요가 있을 것이라는 것을 의미한다. 따라서, 이러한 부분에 대해서는 상위 대역폭 메모리부(185)의 사용이 이롭다.
일실시예에서, 패턴 내의 평균보다 낮은 레벨의 원하는 디바이스 패턴의 일부분 내에서의 반복(및/또는 더 높은 엔트로피)을 갖지만, 스캐닝 방향에 실질적으로 직각을 이루는 방향으로 길게 늘어져 있지 않은, 원하는 디바이스 패턴의 일부분에 연관된 데이터는, 하위 대역폭 메모리부(189)에 저장된다. 이러한 부분의 예는 평판 디스플레이 디바이스 패턴(예컨대, 세그먼트 140∼145)에서의 경계 영역(또는 경계 영역의 세그먼트)이다. 이러한 부분을 표현하기 위한 패턴의 단위 면적당의 데이터의 양이 높을 것이지만, 스캐닝 방향에 실질적으로 직각으로 길게 늘어져 있지 않다는 것은, 데이터-경로 계산을 위해 데이터가 액세스될 전송률 및/또는 데이터를 동시에 액세스할 처리 유닛의 개수를 감소시킬 것이다.
일실시예에서, 데이터가 하위 대역폭 메모리부(189) 또는 상위 대역폭 메모리부(185)에 선택적으로 저장되는 디바이스 패턴의 반복 부분은, 최소 임계 크기보다 큰 표면적을 갖는다. 일실시예에서, 최소 임계 크기는 약 104×(크리티컬 디멘전)2이다. 여기서, "CD"로도 지칭될 수 있는 "크리티컬 디멘전"은 사용되고 있는 장치의 분해능을 지칭하거나 또는 장치에 의해 기판에 또는 기판 상에 이미징되거나 형성될 수 있는 최소 구조체의 특징적 길이 규모(length scale)를 지칭한다. 일실시예에서, 크리티컬 디멘전은 약 1 미크론이다. 이러한 실시예의 예에서, 최소 임계 크기는 약 104×(미크론)2이다. 일실시예에서, 최소 임계 크기보다 작은 원하는 디바이스 패턴의 일부분은 최소 임계 크기보다 큰 부분을 형성하기 위해 함께 종합된다(aggregated). 일실시예에서, 이 종합 처리는 래스터화 유닛(104)에 의해 수행된다. 일실시예에서, 계층적 래스터화된 표현의 일부로서 래스터화 유닛(104)에 의해 출력된 래스터화된 프리미티브는 종합된 패턴의 래스터화된 버전을 포함한다.
계층(래스터화된 또는 래스터화되지 않은)을 갖는 원하는 도즈 패턴의 표현은 일반적으로 노광 동안에 또는 노광 직전의 처리 단계에서 데이터가 액세스될 필요가 있을 순서로 메모리에 저장될 수 없다. 계층이 여전히 데이터 경로의 온라인 부분에 존재하면, 원하는 처리량을 달성하기 위해 충분히 신속하게 계층적 표현을 처리할 수 있는 하드웨어를 제공하는 것은 곤란하거나 및/또는 비용이 많이 소요될 수 있다.
일실시예에서, 특정한(예컨대, 사전에 정해진) 시간 간격 내에서 기판 상에 형성될 원하는 도즈 패턴의 일부만의 "적시(just in time)" 이미지 재구성을 구현하기 위한 장치 및 방법이 제공된다. 일실시예에서, 시간 간격은 이용 가능한 메모리 및 메모리 대역폭에 따라 설정된다.
도 16은 일실시예에 따른 데이터 경로의 일부분을 예시한다. 리소스 스테이지(190)가 제공된다. 리소스 스테이지(190)는 요구 시에 데이터 유닛을 제공한다. 이들 데이터 유닛의 각각은 원하는 도즈 패턴의 상이한 부분을 표현한다. 일실시예에서, 리소스 스테이지(190)는 데이터 유닛을 저장하는 메모리를 포함한다. 일실시예에서, 리소스 유닛(190)은 데이터 유닛을 저장하는 메모리와 소통된다. 리소스 스테이지(190)로부터 데이터 유닛을 수신하는 버퍼 메모리(196)가 제공된다. 버퍼 메모리(196)는 프로그래머블 패터닝 디바이스에 대한 제어 신호를 제공하기 위해 필요 시에(예컨대, "적시에") 데이터 유닛을 출력(195)한다. 일실시예에서, 버퍼 메모리(196)는 제한된 크기이지만 높은 대역폭을 갖는다. 일실시예에서, 출력(195)은 프로그래머블 패터닝 디바이스에 직접 제공된다. 일실시예에서, 출력(195)은 중간 처리 디바이스에 제공되며, 이 중간 처리 디바이스는 프로그래머블 패터닝 디바이스를 구동하기 위해 출력이 사용되기 전에 출력을 추가로 처리할 것이다. 일실시예에서, 출력(195)은 실시간으로(즉, 노광 공정의 적어도 일부 동안, 데이터 경로의 온라인 부분에) 제공된다.
일실시예에서, 버퍼 메모리(196)에의 데이터 유닛의 전달 및/또는 버퍼 메모리(196)로부터의 데이터 유닛의 전달을 제어하는 흐름 컨트롤러(192)가 제공된다. 일실시예에서, 제어는 각각의 데이터 유닛이 완전한 원하는 도즈 패턴을 노광시키는데 필요한 시간보다 짧은 시간 간격 동안 버퍼 메모리(196)에 저장되도록 하는 것이다. 이에 의해, 버퍼 메모리(196)의 크기는 완전한 원하는 도즈 패턴을 저장하는 메모리에 비하여 감소된다.
일실시예에서, 원하는 도즈 패턴은 일부분들로 분할된다. 일실시예에서, 각각의 일부분은 하나의 데이터 유닛에 의해 표현된다. 일부분은 블록으로서 지칭될 수도 있다. 일실시예에서, 하나의 블록은 적어도 하나의 다른 블록과 실질적으로 동일한 크기를 갖는다. 일실시예에서, 블록의 전부는 실질적으로 동일한 크기를 갖는다. 일실시예에서, 하나의 블록은 적어도 하나의 다른 블록과 실질적으로 동일한 형상을 갖는다. 일실시예에서, 블록의 전부는 실질적으로 동일한 형상을 갖는다. 일실시예에서, 하나의 블록은 적어도 하나의 다른 블록과 실질적으로 동일한 지향방향을 갖는다. 일실시예에서, 블록의 전부는 실질적으로 동일한 지향방향을 갖는다. 일실시예에서, 원하는 도즈 패턴의 소정의 스트립 내에 있는 모든 블록은 실질적으로 동일한 형상 및/또는 지향방향을 갖는다. 일실시예에서, 상이한 스트립에서의 블록은 상이한 형상 및/또는 지향방향을 갖는다. 일실시예에서, 각각의 스트립은 패터닝 디바이스에 관련한 기판의 스캐닝의 방향에 실질적으로 평행하게 정렬된다. 일실시예에서, 각각의 스트립은 단일의 기계적으로 분리된 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스의 일부분으로부터의 스팟 노광이 수신되는 영역에 대응한다.
일실시예에서, 원하는 도즈 패턴의 개별 구조는 전체적으로 하나의 블록 내에 위치되도록 제한되지 않는다. 개개의 특징부가 복수의 블록에 걸쳐 있을 수도 있다. 일실시예에서, 개개의 구조가 블록 및/또는 래스터화 그리드와 정렬되지 않는다. 일실시예에서, 데이터 처리 장치(100)는 복수의 블록에 걸쳐 있거나, 블록에 대해 정렬되지 않거나, 및/또는 래스터화 그리드에 대해 정렬되지 않는 구조들 간의 스티칭(stitching)을 수행한다.
일실시예에서, 각각의 블록은 래스터화 그리드 내의 점들의 직사각 또는 정사각 그리드를 포함한다. 일실시예에서, 각각의 블록은 32×32 점을 포함한다. 일실시예에서, 각각의 블록은 16×16 점을 포함한다. 일실시예에서, 각각의 블록은 32×16 점을 포함한다. 일실시예에서, 각각의 블록은 32×32, 16×16, 또는 32×16 점 이외의 다수의 점을 포함한다.
일실시예에서, 각각의 데이터 유닛은 블록 내의 원하는 도즈 패턴의 계층적 압축된 표현을 포함한다. 일실시예에서, 계층적 표현은 래스터화된 표현이다. 일실시예에서, 래스터화된 표현은 하나 이상의 래스터화된 프리미티브 및 인스턴스 데이터를 포함한다. 각각의 래스터화된 프리미티브는 상이한 프리미티브 패턴의 래스터화된 버전이다. 인스턴스 데이터는 블록 내의 원하는 도즈 패턴의 일부분이 데이터 유닛으로 저장된 각각의 래스터화된 프리미티브의 하나 이상의 인스턴스로부터 형성되는 방법을 특정한다.
일실시예에서, 흐름 컨트롤러(192)는 각각의 데이터 유닛에 특정된 도즈 패턴의 일부분이 타겟(예컨대, 기판) 상에 형성되어야 하는 하나 이상의 위치를 특정하는 정보를 수신한다. 일실시예에서, 이 정보는 적어도 부분적으로는 데이터 유닛 자체로부터(예컨대, 인스턴스 데이터로부터) 얻어진다.
일실시예에서, 흐름 컨트롤러(192)는 교정 유닛(194)으로부터 입력을 수신하도록 구성된다. 일실시예에서, 교정 유닛(194)은 기판의 상태에 대한 정보를 제공한다. 일실시예에서, 기판의 상태에 대한 정보는 기판의 상태의 측정치로부터 구해진다. 일실시예에서, 기판의 상태에 대한 정보는 오퍼레이터에 의해 특정된다. 일실시예에서, 기판의 상태는 기판의 위치 및/또는 속도(예컨대, 리소그래피 장치의 설치 환경에 관련하여 고정되는 기타 기준 프레임 또는 프로그래머블 패터닝 디바이스에 관련하여)를 포함한다. 일실시예에서, 기판의 상태는 기판의 왜곡 및/또는 기판의 지향방향을 포함한다. 일실시예에서, 왜곡/지향방향은 확대, 병진운동, 회전 및/또는 스큐로부터 선택된 하나 이상을 포함한다. 일실시예에서, 교정 유닛(194)은 또한 투영 시스템 광학장치의 상태에 대한 정보를 제공한다. 일실시예에서, 예컨대 기판의 지향방향에 관련한 투영 시스템 광학 장치의 지향방향이 제공된다.
일실시예에서, 흐름 컨트롤러(192)는 데이터 유닛이 언제 요구될지에 영향을 주는 하나 이상의 요인을 함수로 하여 버퍼 메모리(196)로의 데이터 유닛의 전달 및/또는 버퍼 메모리(196)로부터의 데이터 유닛의 전달을 제어한다. 일실시예에서, 이러한 요인(들)에 대한 정보는 교정 유닛(194)에 의해 제공된다. 일실시예에서, 흐름 컨트롤러(192)는 이하의 것들 중의 하나 이상을 함수로 하여 버퍼 메모리(196)로의 데이터 유닛의 전달 및/또는 버퍼 메모리(196)로부터의 데이터 유닛의 전달을 제어한다: 1) 프로그래머블 패터닝 디바이스에 관련한 기판의 스캐닝 속도와, 2) 타겟(예컨대, 기판) 상의 원하는 도즈 패턴의 확대의 정도. 이로써, 데이터 유닛이 버퍼 메모리(196)에 저장되는 평균 시간이 감소된다. 그러므로, 버퍼 메모리(196)의 크기 및/또는 대역폭 요구가 감소될 수 있다.
일실시예에서, 기판 적합화 유닛(substrate adaptation unit)(198)이 제공된다. 일실시예에서, 흐름 컨트롤러(192)는 기판 적합화 유닛(198)으로부터 버퍼 메모리(196)에의 데이터 유닛의 전달을 제어한다. 일실시예에서, 기판 적합화 유닛(198)은 리소스 유닛(190)으로부터 데이터 유닛을 수신한다. 일실시예에서, 기판 적합화 유닛(198)은 수신된 데이터 유닛에 변환(예컨대, 기하학적 변환)을 적용한다. 일실시예에서, 변환은 기판의 기하학적 상태(예컨대 투영 시스템 광학장치의 예컨대 지향방향과 같은 투영 시스템 광학장치의 기하학적 상태에 관련한)를 고려하도록 데이터 유닛을 정정한다. 일실시예에서, 기판의 기하학적 상태에 대한 정보는 흐름 컨트롤러(192) 및/또는 교정 유닛(194)에 의해 제공된다. 일실시예에서, 변환은 데이터 유닛에 대응하는 패턴이 형성될 영역에서의 기판의 기하학적 상태를 설명하도록 각각의 데이터 유닛을 정정한다. 일실시예에서, 기판의 기하학적 상태는 기판의 지향방향, 병진운동 시프트(translational shift), 회전 시프트, 스큐, 및/또는 확대로부터 선택된 하나 이상을 포함한다.
기판의 기하학적 상태를 고려하기 위해 리소스 유닛(190)의 하류에서 데이터 유닛을 적합화/변환하는 것은, 리소스 유닛(190)에 의해 제공된 데이터 유닛이 기판 종속적(substrate dependent)이 될 필요가 있는 정도를 감소시킨다. 기판 종속성을 감소시키는 것은 기판이 변화되는 때에 데이터 유닛이 리소스 유닛(190)의 레벨에서 적합화될 필요가 있는 정도를 감소시키며, 그러므로 가능하게는 데이터 처리 요구량을 감소시킨다. 기판의 기하학적 상태가 완전히 설명된다는 점에서, 리소스 유닛(190)에 의해 제공되는 데이터 유닛은 기판 독립적(substrate independent)이 될 수 있다. 데이터 유닛을 기판 독립적으로 만든다는 것은, 기판이 변화될 때에 데이터 유닛이 리로딩(reload)될 필요가 없어서, 기판 교체 시의 처리 부하를 감소시키거나, 및/또는 기판 교체 처리의 속도를 높이거나, 및/또는 처리량을 향상시킨다.
기판의 지향방향을 고려하도록 리소스 유닛(190)의 하류에서 데이터 유닛을 적합화/변환하는 것은, 기판의 상이한 지향방향(예컨대, 하나의 기판과 다음 기판에서 상이하게 되는 지향방향, 직사각이 아닌 지향방향, 및/또는 원하는 도즈 패턴 또는 원하는 도즈 패턴을 구성하는 블록과 동일한 방향으로 정렬되지 않은 지향방향)을 효율적으로 처리할 수 있도록 한다. 상이한 지향방향은 리소스 유닛(190)에서의 또는 리소스 유닛(190) 이전의 데이터 처리 동작 중의 임의의 동작을 변경시키지 않고서도 핸들링될 수 있다.
리소스 유닛(190)의 하류에서 기판 속도를 고려하는 것은, 리소스 유닛(190)에서의 또는 리소스 유닛(190) 이전의 데이터 처리 동작 중의 임의의 동작을 변경시키지 않고서도 상이한 스캐닝 속도를 처리할 수 있도록 한다.
일실시예에서, 도즈 패턴의 하나 이상의 영역은 빈 영역(blank region)을 포함한다. 일실시예에서, 빈 영역은 기판 에지의 영역에 위치된다. 일실시예에서, 이러한 빈 영역은 "흑색" 블록 또는 균일하게 제로 세기/도즈를 포함하고 있는 블록에 의해 표현된다. 이러한 흑색 블록을 표현하는 단일 데이터 유닛은 빈 영역을 형성하기 위해 반복하여 재사용될 수 있으며, 이에 의해 효율이 향상된다.
일실시예에서, 리소스 유닛(190)은 기판 독립적인 하나 이상의 데이터 유닛 및 기판 종속적인 하나 이상의 데이터 유닛을 핸들링하도록 구성된다. 일실시예에서, 기판 독립적 데이터 유닛 및 기판 종속적 데이터 유닛은 위의 논의에 따라 리소스 유닛(190)으로부터 하류측에서 처리된다(예컨대, 특정 기판의 스캔 속도 및/또는 기하학적 상태/지향방향을 보상하기 위해). 일실시예에서, 기판 독립적 데이터 유닛은 복수의 상이한 기판에 대해 동일한 원하는 도즈 패턴의 블록을 표현한다. 일실시예에서, 기판 종속적 데이터 유닛은, 기판의 시리얼 넘버의 전부 또는 일부를 표현하는 블록과 같은, 노광되고 있는 특정 기판의 고유의 것인 원하는 도즈 패턴의 블록을 표현한다. 리소스 유닛(190)을 기판 종속적 및 기판 독립적 데이터 둘 모두를 핸들링할 수 있도록 하는 것은, 시리얼 넘버와 같은 작은 고유의 특징부를 제외한, 일련의 기판들에 대해 동일한 원하는 도즈 패턴을 효과적으로 핸들링하는 것이 가능하다. 단지 기판 종속적 데이터만이 예컨대 기판 교환 시에 메모리에 로딩될 필요가 있다. 대량의 데이터가 리로딩될 필요는 없다.
원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현을 대응하는 도즈 패턴의 래스터화된 또는 샘플링된 표현으로 전환하는 프로세스는 상당한 컴퓨팅 리소스를 수반할 수 있다. 획득된 래스터화된 또는 샘플링된 표현의 핸들링은 상당한 저장장치 요구량을 필요로 할 수도 있다. 획득된 래스터화된 또는 샘플링된 표현의 전송 또는 통신은 상당한 전송 대역폭을 요구할 수도 있다. 예컨대 프로그래머블 패터닝 디바이스를 위한 세트포인트 데이터를 발생하기 위해, 획득된 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 처리하는 것은 상당한 처리 파워를 요구할 수도 있다.
일실시예에서, 래스터화 프로세스는 래스터화 또는 샘플링 그리드에 기초하여 수행된다. 래스터화 또는 샘플링 그리드는 래스터화된 또는 샘플링된 표현이 원하는 도즈 값(즉, 샘플링)을 정의하는 점 또는 지점을 정의한다. 일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드는 하나 이상의 기저 함수(basis function)에 의해 정의된다. 일실시예에서, 이러한 기저 함수는 이하의 것들 중에서 선택된 하나 이상을 포함한다: 디랙 델타 함수 펄스(Dirac delta function pulse), 스플라인(spline), 퓨리에 급수(Fourier series), 및/또는 다항식(polynomial).
일실시예에서, 그 영역에 대응하는 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 획득하거나 저장하거나 처리하기 위한 컴퓨터 처리 요구량의 측정치(a measure of a computational requirement)를 획득하기 위해 원하는 디바이스 패턴의 영역의 분석이 수행된다. 일실시예에서, 그 영역에 대응하는 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 발생된 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴의 분석이 수행된다.
일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드는 분석에 기초하여 수정된다. 일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드는 래스터화 또는 샘플링 그리드의 기하학적 구조를 변화시키도록 수정된다. 일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드는 래스터화 또는 샘플링 그리드의 기저 함수를 변화시키도록 수정된다. 일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드는 래스터화 또는 샘플링 그리드의 밀도를 변화시키도록 수정된다.
일실시예에서, 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 핸들링하기 위한 하나 이상의 컴퓨터 처리 요구량이 이용 가능 자원에 충분히 잘 부합되지 않는 것으로 분석에 의해 밝혀지면, 래스터화 또는 샘플링 그리드는 부합(match)을 향상시키도록 수정된다. 일실시예에서, 컴퓨터 처리 요구량이 너무 높은 것으로(이용 가능 자원이 남용될 정도로) 분석에 의해 밝혀지게 되면, 래스터화 또는 샘플링 그리드의 밀도(예컨대, 단위 면적당의 그리드 포인트의 평균 개수에 의해 표현된)는 감소된다. 일실시예에서, 컴퓨터 처리 요구량이 너무 낮은 것으로(이용 가능 자원이 충분히 이용되지 않을 정도로) 분석에 의해 밝혀지게 되면, 래스터화 또는 샘플링 그리드의 밀도는 증가된다.
일실시예에서, 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴의 분석은 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴의 이미지 품질의 분석을 포함한다. 그리고나서, 원하는 레벨의 이미지 품질을 달성하기 위해 래스터화 또는 샘플링 그리드가 수정된다. 일실시예에서, 이미지 품질이 너무 낮으면, 이미지 품질을 증가시키기 위해(예컨대, 그리드 밀도를 증가시킴으로써) 래스터화 또는 샘플링 그리드가 수정된다. 일실시예에서, 이미지 품질이 불필요하게 높으면, 이미지 품질을 낮추기 위해(예컨대, 그리드 밀도를 감소시킴으로써) 래스터화 또는 샘플링 그리드가 수정된다. 일실시예에서, 라인 에지 거칠기(line edge roughness), 또는 정규화된 이미지 로그 슬로프(normalized image log slope, NILS), 또는 둘 모두를 결정하기 위해 이미지 품질이 분석된다.
이에 의해, 도즈 패턴의 품질은 이용 가능한 자원에 대해 최대화될 수도 있다. 일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드의 수정은 상이한 영역의 전부에 대한 이미지 품질을 최적화하기 위해 상이한 영역에 대해 독립적으로 적용된다. 일실시예에서, 상이한 영역에서의 래스터화 그리드는 상이한 밀도, 기하학적 구조, 및/또는 기저 함수를 갖는다.
도 17은 벡터-기반 표현을 래스터화된 또는 샘플링된 표현으로 전환하기 위한 일례의 장치의 개략적인 예시도이다. 저장 장치(210)는, 벡터-기반 표현을 저장하고, 벡터-기반 표현 또는 그 일부분을 데이터 처리 장치(220)에 제공하도록 구성된다. 본 실시예의 데이터 처리 장치(220)는 분석기(212)를 포함하며, 이 분석기는 원하는 디바이스 패턴의 영역을 분석하여, 그 영역을 핸들링하기 위한 컴퓨터 처리 요구량의 측정치를 획득하거나, 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 발생되는 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴을 분석하도록 구성된다. 분석기(212)는 분석의 결과를 그리드 수정 유닛(214)에 출력한다. 그리드 수정 유닛(214)은 래스터화 그리드 또는 샘플링 그리드를 수정해야하는지의 여부와 그러한 경우에 래스터화 그리드 또는 샘플링 그리드를 어떻게 수정해야하는지를 결정한다.
일실시예에서, 데이터 처리 장치(220)는 저역 통과 필터(215)(안티-에일리어싱 필터로도 지칭될 수 있음) 및 래스터화기(rasterizer)(216)를 포함한다. 저역 통과 필터(215)는 하나 이상의 높은 공간 주파수 성분을 제거하기 위해 원하는 디바이스 패턴을 필터링하도록 구성된다. 일실시예에서, 저역 통과 필터(215)는 차단 주파수 또는 주파수의 대역(저역 통과 필터 작동이 주파수 성분을 실질적으로 차단하는 것으로부터 주파수 성분을 실질적으로 통과시키는 것으로 변화되는 주파수 대역을 나타냄)을 특징으로 한다. 저역 통과 필터(215)는 차단 주파수 또는 주파수의 대역 아래에 있는 입력 신호의 주파수 성분을 실질적으로 통과시킨다. 저역 통과 필터(215)는 차단 주파수 또는 주파수의 대역 위에 있는 입력 신호의 주파수 성분을 실질적으로 차단한다.
일실시예에서, 래스터화기(216)는 저역 통과 필터(215)에 의해 필터링된 원하는 디바이스 패턴의 버전을 래스터화하거나 샘플링하도록 구성된다.
일실시예에서, 저역 통과 필터(215)의 작동(예컨대, 차단 주파수 또는 주파수의 대역)은 래스터화를 수행하기 위해 이용될 래스터화 또는 샘플링 그리드를 함수로 하여 선택된다. 일실시예에서, 필터 작동은 래스터화 또는 샘플링 그리드에 의해 필터링된 도즈 패턴의 충분하지 않은 샘플링에 의해 야기된 에일리어싱이 방지되도록 선택된다.
일실시예에서, 그리드 수정 유닛(214)에 의해 발생한 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드는 저역 통과 필터(215)(그에 따라 필터 특성이 선택될 수 있도록 하기 위해) 및 래스터화기(216)(래스터화를 수행하는데 사용하기 위해)에 출력된다.
일실시예에서, 래스터화기(216)로부터의 출력(218)은 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스를 구동하기 위해 일련의 세트포인트 데이터를 생성하기 위해 이용된다.
도 18은 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드를 얻기 위한 일례의 프로세스를 도시한다. 일실시예에서, 도시된 프로세스는 도 17의 실시예의 저장 장치(210), 분석기(212), 그리드 수정 유닛(214), 및 저역 통과 필터(215)에 의해 수행된다. 일실시예에서, 출력은 도 17에 도시된 실시예의 래스터화기(216)에 통과된다.
단계 222에서, 원하는 디바이스 패턴의 벡터-기반 표현이 제공된다(예컨대, 저장 장치(210)로부터).
단계 224에서, 원하는 디바이스 패턴은 필요한 경우 저역 통과 필터링된다(예컨대, 저역 통과 필터(215)를 이용하여). 대안의 실시예에서, 필터링 동작은 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드를 획득하기 위한 프로세스의 일부를 형성하지 않으며, 단계 222가 단계 224를 우회함으로써(경로 225를 통해) 곧바로 단계 226으로 진행한다.
분석 단계 226에서, 원하는 디바이스 패턴의 영역이 분석되어, 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 획득하거나 저장하거나 처리하기 위해 요구되는 컴퓨터 처리 요구량의 측정치를 획득하거나, 또는 그 영역의 래스터화된 또는 샘플링된 표현을 이용하여 발생된 시뮬레이션된 또는 실제의 도즈 패턴이 분석되어, 이미지 품질의 측정치를 획득한다.
비교 단계 228에서는, 컴퓨터 처리 요구량 또는 이미지 품질의 획득된 측정치가, 저장된 타겟 컴퓨터 처리 요구량 또는 타겟 이미지 품질(230)과 비교된다. 획득된 측정치가 너무 낮거나 너무 높은 것으로 비교에 의해 밝혀지면(분로 방향 236), 래스터화 또는 샘플링 그리드가 수정되고(단계 232), 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드가 분석 단계 226에 제공된다. 분석 단계 226은 새로운 래스터화 또는 샘플링 그리드에 기초하여 이전에 수행된 분석을 반복한다.
획득된 측정치가 저장된 타겟 요구량(230)의 수용 가능한 오차 범위 내에 있는 것으로 비교 단계 228에서의 비교에 의해 밝혀지거나, 또는 특정한(예컨대, 사전에 정해진) 개수의 반복(단계 226, 228 및 230을 통과하는 루프)이 수행되면, 프로세스는 분로 방향 238로 진행하고, 현재 수정된 래스터화 또는 샘플링 그리드를 출력 단계 234에 출력한다(비교 단계 228이 최초에 충족되지 않은 것으로 가정하면, 그 경우 초기의 수정되지 않은 래스터화 또는 샘플링 그리드가 출력됨).
일실시예에서, 컴퓨터 처리 요구량 또는 이미지 품질의 측정치를 획득하기 위한 분석은 복수의 분리된 영역에 대해 개별적으로 수행된다. 일실시예에서, 래스터화 또는 샘플링 그리드의 밀도는, 디바이스 패턴의 덜 복잡하거나 또는 더 낮은 분해능의 영역에 대응하는 영역(또는 그 영역 내의 디바이스 패턴을 특정한 레벨의 정확도로 형성하기에 적합한 도즈 패턴을 발생하기 위해 덜 조밀한 래스터화 또는 샘플링 그리드를 요구하는 영역)에 비하여, 디바이스 패턴의 더욱 복잡하거나 또는 더 높은 분해능의 영역에 대응하는 영역(또는 그 영역에서의 디바이스 패턴을 특정한 레벨의 정확도로 형성하기에 적합한 도즈 패턴을 발생하기 위해 더 조밀한 래스터화 또는 샘플링 그리드를 요구하는 영역)에서는 더 높게 되도록 수정된다. 그러므로, 래스터화 또는 샘플링 그리드 밀도는 원하는 디바이스 패턴의 하나 이상의 요구량(예컨대, 라인 에지 거칠기 및/또는 정규화된 이미지 로그 슬로프)에 적합화되도록 공간적으로 변화될 수 있다. 래스터화 또는 샘플링 그리드에서의 그리드 포인트의 총수는 래스터화 또는 샘플링 그리드가 모든 영역에서 균일한 밀도를 갖는 경우에 비하여 감소될 수 있다. 패턴이 단지 상대적으로 드문드문한 샘플링을 요구하여야 하는 영역의 오버샘플링이 보다 용이하게 방지된다. 패턴이 상대적으로 조밀한 샘플링을 요구하여야 하는 영역의 언더샘플링 또한 보다 용이하게 방지된다.
일실시예에서, 전술한 컴퓨터 처리 요구량은 이하의 것들 중에서 선택된 하나 이상을 포함한다: 저장장치 요구량(예컨대, 물리적 메모리 크기 요구량), 대역폭 요구량(예컨대, 래스터화된 데이터의 전송을 위한), 및/또는 처리 요구량(예컨대, 프로그래머블 패터닝 디바이스를 위한 세트포인트 데이터 또는 세트포인트 데이터를 발생하기 위해 이용될 수 있는 중간 데이터를 생성하기 위해, 래스터화된 표현의 하류측에서의 처리를 위한).
디바이스 제조 방법에 따라, 디스플레이, 집적회로 또는 임의의 다른 아이템과 같은 디바이스는 그 위에 패턴이 투영되는 기판으로부터 제조될 수 있다.
본 명세서에서는 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 장치는 집적된 광 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 부분"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 곳에서, 이러한 기판 처리 장치와 기타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 복수회 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
문맥이 허용하는 곳에서의 "렌즈"라는 용어는 굴절성, 회절성, 반사성, 자기성, 전자기성, 및 정전성 광 콤포넌트 또는 이들의 조합을 포함하는 다양한 타입의 광 콤포넌트들 중의 어느 하나를 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 이러한 기계 판독가능한 명령어는 둘 이상의 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수 있다. 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수도 있다.
전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 하기 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치에 있어서,
    각각의 데이터 유닛이 미리 정해진 도즈 패턴(dose pattern)의 상이한 부분에 형성될 패턴을 표현하는 복수의 데이터 유닛을 수신하도록 구성되며, 상기 노광 장치에 의한 기판의 패턴 형성 동안 상기 프로그래머블 패터닝 디바이스에 대한 제어 신호를 제공하도록 요구될 때에 상기 데이터 유닛을 출력하도록 구성되는 버퍼 메모리; 및
    각각의 데이터 유닛이 완전한 미리 정해진 도즈 패턴을 노광하기 위해 필요한 시간보다 짧은 시간 간격 동안 상기 버퍼 메모리에 저장되도록, 상기 버퍼 메모리로의 상기 데이터 유닛의 전달 및 상기 버퍼 메모리로부터의 상기 데이터 유닛의 전달 중 하나 또는 양자 모두를 제어하도록 구성되는 흐름 컨트롤러
    를 포함하는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 데이터 유닛은 상기 미리 정해진 도즈 패턴의 일부분의 도즈 패턴의 래스터화된 표현(rasterized representation)을 포함하는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 래스터화된 표현은, 각각의 래스터화된 프리미티브(rasterized primitive)가 상이한 프리미티브 패턴의 래스터화된 버전인 하나 이상의 래스터화된 프리미티브와, 상기 미리 정해진 도즈 패턴의 일부분이 상기 데이터 유닛에 저장된 각각의 상기 래스터화된 프리미티브의 하나 이상의 인스턴스(instance)로부터 어떻게 형성되는지를 특정하는 인스턴스 데이터(instance data)를 포함하는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흐름 컨트롤러는 상기 버퍼 메모리가 특정한 시간 간격 내에 형성될 상기 미리 정해진 도즈 패턴의 부분만에 대한 데이터 유닛을 저장하게 하도록 구성되며, 상기 시간 간격은 완전한 미리 정해진 도즈 패턴을 형성하기 위해 요구되는 시간보다 짧은, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흐름 컨트롤러는 미리 정해진 도즈 패턴의 일부분의 각각이 타겟 상에 형성되어야 하는 하나 이상의 위치를 특정하는 정보를 수신하도록 구성되는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미리 정해진 도즈 패턴의 각각의 부분이 동일한 크기 및 형상 중 하나 또는 양자 모두인, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흐름 컨트롤러는, 상기 데이터 유닛이 상기 버퍼 메모리에 전달되는 전송률(rate)을, 상기 프로그래머블 패터닝 디바이스에 관련한 기판의 스캐닝 속도, 또는 타겟 상의 미리 정해진 도즈 패턴의 확대의 정도, 또는 상기 스캐닝 속도와 상기 확대의 정도 둘 모두를 함수로 하여 제어하도록 구성되는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흐름 컨트롤러는 상기 버퍼 메모리가 특정한 시간 간격 내에 형성될 상기 미리 정해진 도즈 패턴의 부분만에 대한 데이터 유닛을 저장하게 하도록 구성되며, 상기 시간 간격은 완전한 미리 정해진 도즈 패턴을 형성하기 위해 요구되는 시간보다 짧으며,
    상기 흐름 컨트롤러는, 상기 시간 간격을, 상기 프로그래머블 패터닝 디바이스에 관련한 기판의 스캐닝 속도, 또는 타겟 상의 미리 정해진 도즈 패턴의 확대의 정도, 또는 상기 스캐닝 속도와 상기 확대의 정도 둘 모두를 함수로 하여 설정하도록 구성되는,
    노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 데이터 유닛에 의해 표현된 상기 미리 정해진 도즈 패턴의 일부분이 형성될 영역에서의 기판의 기하학적 상태를 설명하기 위해 상기 데이터 유닛의 하나 이상의 데이터 유닛의 각각에 기하학적 변환(geometric transformation)을 적용하도록 구성된 기판 적합화 유닛(substrate adaptation unit)을 더 포함하는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기하학적 변환은 병진운동 시프트(translational shift), 회전 시프트, 스큐 조정(skew adjustment), 및 확대로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 데이터 유닛의 전부를 제공하도록 구성된 리소스 유닛을 더 포함하며, 상기 리소스 유닛은 기판 독립적인 하나 이상의 데이터 유닛 및 기판 종속적인 하나 이상의 데이터 유닛을 출력하도록 구성되는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치.
  12. 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 방법에 있어서,
    버퍼 메모리에서, 각각의 데이터 유닛이 미리 정해진 도즈 패턴의 상이한 부분에 형성될 패턴을 표현하는 복수의 데이터 유닛을 수신하는 단계;
    상기 노광 장치에 의한 기판의 패턴 형성 동안 상기 프로그래머블 패터닝 디바이스에 제어 신호를 제공하도록 요구될 때에 상기 버퍼 메모리로부터 상기 데이터 유닛을 출력하는 단계; 및
    각각의 상기 데이터 유닛이 완전한 미리 정해진 도즈 패턴을 노광하기 위해 필요한 시간보다 짧은 시간 간격 동안 상기 버퍼 메모리에 저장되도록, 상기 버퍼 메모리로의 상기 데이터 유닛의 전달 및 상기 버퍼 메모리로부터의 상기 데이터 유닛의 전달 중 하나 또는 양자 모두를 제어하는 단계
    를 포함하는, 노광 장치의 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020147016574A 2011-11-29 2012-11-13 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법 KR101633758B1 (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161564661P 2011-11-29 2011-11-29
US61/564,661 2011-11-29
US201261591647P 2012-01-27 2012-01-27
US61/591,647 2012-01-27
US201261638843P 2012-04-26 2012-04-26
US61/638,843 2012-04-26
PCT/EP2012/072497 WO2013079316A2 (en) 2011-11-29 2012-11-13 Apparatus and method for converting a vector-based representation of a desired device pattern for a lithography apparatus, apparatus and method for providing data to a programmable patterning device, a lithography apparatus and a device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140101814A KR20140101814A (ko) 2014-08-20
KR101633758B1 true KR101633758B1 (ko) 2016-06-27

Family

ID=47257769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147016574A KR101633758B1 (ko) 2011-11-29 2012-11-13 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10346729B2 (ko)
JP (1) JP5886979B2 (ko)
KR (1) KR101633758B1 (ko)
NL (1) NL2009797A (ko)
TW (1) TWI497232B (ko)
WO (1) WO2013079316A2 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
EP3358599B1 (en) 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6892214B2 (ja) * 2014-07-10 2021-06-23 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
CN110039329B (zh) * 2015-06-22 2022-02-15 伊雷克托科学工业股份有限公司 多轴工具机
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
TWI734799B (zh) * 2016-06-20 2021-08-01 日商尼康股份有限公司 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
US10761430B2 (en) * 2018-09-13 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스
JP2022052530A (ja) * 2020-09-23 2022-04-04 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置の制御方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
EP4095882A1 (en) 2021-05-25 2022-11-30 IMS Nanofabrication GmbH Pattern data processing for programmable direct-write apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003081338A1 (en) 2002-03-21 2003-10-02 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for printing large data flows
US20060221320A1 (en) 2005-04-05 2006-10-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate
US20060269116A1 (en) 2005-05-31 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US20090161173A1 (en) 2005-09-29 2009-06-25 Fujifilm Corporation Frame Data Producing Apparatus, Method and Plotting Apparatus

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2631850C2 (de) 1976-07-15 1984-11-22 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Verfahren sowie Vorrichtung zum zeilenweisen Belichten punktförmiger Flächenelemente eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsträgers
JPS57152273A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Ricoh Co Ltd Electronic photograph type printer
JPS58145916A (ja) 1982-02-24 1983-08-31 Hitachi Ltd デイスク型レンズ光走査器
US4447126A (en) 1982-07-02 1984-05-08 International Business Machines Corporation Uniformly intense imaging by close-packed lens array
US4520472A (en) 1983-02-07 1985-05-28 Rca Corporation Beam expansion and relay optics for laser diode array
US4525729A (en) 1983-04-04 1985-06-25 Polaroid Corporation Parallel LED exposure control system
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
US4780730A (en) 1986-04-11 1988-10-25 Itek Graphix Corp. Led-array image printer
KR920002820B1 (ko) 1987-05-27 1992-04-04 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 주사형 투영 노광장치
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US4864216A (en) 1989-01-19 1989-09-05 Hewlett-Packard Company Light emitting diode array current power supply
GB8923709D0 (en) 1989-10-20 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Production of images using an array of light emmiting diodes
US4952949A (en) 1989-11-28 1990-08-28 Hewlett-Packard Company LED printhead temperature compensation
DE59105735D1 (de) 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5216247A (en) 1992-02-07 1993-06-01 Ying Wang Optical scanning method with circular arc scanning traces
US5216534A (en) 1992-04-24 1993-06-01 E-Systems, Inc. Read-write head for an optical tape recorder
JPH06275936A (ja) 1993-03-23 1994-09-30 Oki Electric Ind Co Ltd 回路パターン形成方法
US5457488A (en) 1993-04-12 1995-10-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and apparatus for controlling array of light-emitting elements
DE4315580A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung aus Laserdioden und einem Kühlsystem sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE4315581A1 (de) 1993-05-11 1994-11-17 Fraunhofer Ges Forschung Laserdioden mit Kühlsystem
DE59403740D1 (de) 1993-05-19 1997-09-18 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur materialbearbeitung mit diodenstrahlung
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5481392A (en) 1993-12-21 1996-01-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Axial mirror scanner system and method
JPH07276706A (ja) 1994-03-04 1995-10-24 Xerox Corp ディジタルプリンタ及びｌｅｄプリントバーにおけるｌｅｄ画素非均一性補正方法
US5589973A (en) 1994-05-16 1996-12-31 Agfa Division, Bayer Corporation Optical enclosure for high speed rotating beam deflector
US5610754A (en) 1994-08-09 1997-03-11 Gheen; Gregory Method and apparatus for photolithography by rotational scanning
US5568320A (en) 1994-11-30 1996-10-22 Xerox Corporation Multiple row lens array alignable with multiple row image bar
IL115864A (en) 1995-11-02 1999-05-09 Orbotech Ltd Method and apparatus for delivering laser energy to an object
JP3318171B2 (ja) 1995-11-10 2002-08-26 株式会社リコー 発光ダイオードアレイおよび光書込装置
AU1975197A (en) 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US5840451A (en) 1996-12-04 1998-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
JP4126096B2 (ja) 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
DE19813127A1 (de) 1997-03-27 1998-10-01 Fraunhofer Ges Forschung Laservorrichtung
US6313862B1 (en) 1997-05-14 2001-11-06 URSULA LüSCHER Method for transferring data and use thereof
US6137105A (en) 1998-06-02 2000-10-24 Science Applications International Corporation Multiple parallel source scanning device
US6268613B1 (en) 1999-03-02 2001-07-31 Phormax Corporation Multiple-head phosphor screen scanner
US6204875B1 (en) 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
KR20010089453A (ko) 1998-11-18 2001-10-06 시마무라 테루오 노광방법 및 장치
JP2002541513A (ja) 1999-03-31 2002-12-03 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー．ファオ． レーザダイオードの２次元アレイの照射を対称化するための光学配列
US6310710B1 (en) 1999-04-23 2001-10-30 Arie Shahar High-resolution reading and writing using beams and lenses rotating at equal or double speed
US6466352B1 (en) 1999-04-23 2002-10-15 Arie Shahar High-resolution reading and writing scan system for planar and cylindrical surfaces
US6531681B1 (en) 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
US7453486B2 (en) 2000-12-13 2008-11-18 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
US20020115021A1 (en) 2001-02-01 2002-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Configurable patterning device and a method of making integrated circuits using such a device
US20020126479A1 (en) 2001-03-08 2002-09-12 Ball Semiconductor, Inc. High power incoherent light source with laser array
US20020171047A1 (en) 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
US6812474B2 (en) * 2001-07-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Pattern generation method and apparatus using cached cells of hierarchical data
GB2395799B (en) 2001-07-27 2005-06-15 Tesa Scribos Gmbh Lithograph having a moving cylindrical lens system
US20030043582A1 (en) 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
US20030091277A1 (en) 2001-11-15 2003-05-15 Wenhui Mei Flattened laser scanning system
JP2003220484A (ja) 2002-01-23 2003-08-05 Fine Device:Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
GB2389457B (en) 2002-06-07 2006-07-26 Microsaic Systems Ltd Microengineered optical scanner
WO2004013692A2 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
US20050042390A1 (en) 2003-01-09 2005-02-24 Siegel Stephen B. Rotary UV curing method and apparatus
US7175712B2 (en) 2003-01-09 2007-02-13 Con-Trol-Cure, Inc. Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives
EP1835347A4 (en) 2003-07-15 2008-09-10 Natalia Viktorovna Ivanova IMAGE FORMING METHODS AND ASSOCIATED DEVICES
US6967711B2 (en) 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060108508A1 (en) 2004-03-12 2006-05-25 Najeeb Khalid Method and apparatus for high speed imaging
US8063398B2 (en) 2004-06-30 2011-11-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Light-emitting diode matrix and method for producing a light-emitting diode matrix
US7116404B2 (en) 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101095084A (zh) 2004-12-14 2007-12-26 拉多韦有限公司 形成用于光刻转印的准直uv光线的方法和设备
WO2006076151A2 (en) 2004-12-21 2006-07-20 Carnegie Mellon University Lithography and associated methods, devices, and systems
US7202939B2 (en) 2004-12-22 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1843204A1 (en) 2005-01-25 2007-10-10 Nikon Corporation Exposure device, exposure method, and micro device manufacturing method
US8163580B2 (en) 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
US20070182808A1 (en) 2005-10-26 2007-08-09 Lars Stiblert Writing apparatuses and methods
TWI479271B (zh) * 2005-11-15 2015-04-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
JP2009528561A (ja) 2006-02-28 2009-08-06 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法
US8896808B2 (en) 2006-06-21 2014-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9001028B2 (en) 2006-08-19 2015-04-07 David James Baker Projector pen
EP1892576B1 (de) 2006-08-25 2013-06-12 XPOSE Holding AG Belichtungsvorrichtung zur Herstellung von Siebdruckschablonen
DE102006059818B4 (de) 2006-12-11 2017-09-14 Kleo Ag Belichtungsanlage
US7930653B2 (en) 2007-04-17 2011-04-19 Micronic Laser Systems Ab Triangulating design data and encoding design intent for microlithographic printing
JP4473297B2 (ja) 2007-09-20 2010-06-02 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ直描装置
US8531648B2 (en) 2008-09-22 2013-09-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
KR101657056B1 (ko) 2008-12-05 2016-09-13 마이크로닉 마이데이타 에이비 가공물 상에 이미지를 기록 또는 판독하는 회전 아암
US20100265557A1 (en) 2009-04-21 2010-10-21 Jesper Sallander Optical Systems Configured to Generate More Closely Spaced Light Beams and Pattern Generators Including the Same
JP5801289B2 (ja) 2009-05-20 2015-10-28 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． リソグラフシステムのためのパターンデータ変換
EP2267534A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system
WO2011026610A2 (en) 2009-09-01 2011-03-10 Micronic Mydata AB Pattern generation systems and high bandwidth focus control systems with suppressed reaction forces and noise
KR101538414B1 (ko) 2011-04-08 2015-07-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스 및 리소그래피 방법
KR101616761B1 (ko) 2011-08-16 2016-04-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 프로그램가능한 패터닝 디바이스 및 리소그래피 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003081338A1 (en) 2002-03-21 2003-10-02 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for printing large data flows
US20060221320A1 (en) 2005-04-05 2006-10-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate
US20060269116A1 (en) 2005-05-31 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US20090161173A1 (en) 2005-09-29 2009-06-25 Fujifilm Corporation Frame Data Producing Apparatus, Method and Plotting Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201329650A (zh) 2013-07-16
KR20140101814A (ko) 2014-08-20
WO2013079316A3 (en) 2013-07-25
NL2009797A (en) 2013-05-30
TWI497232B (zh) 2015-08-21
JP2015513208A (ja) 2015-04-30
WO2013079316A2 (en) 2013-06-06
US20140240732A1 (en) 2014-08-28
JP5886979B2 (ja) 2016-03-16
US10346729B2 (en) 2019-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101633758B1 (ko) 프로그래머블 패터닝 디바이스에 데이터를 제공하는 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP5731063B2 (ja) リソグラフィ装置、プログラマブル・パターニングデバイス、及びリソグラフィ方法
JP5753320B2 (ja) リソグラフィ装置
JP2012510085A (ja) 複雑な２次元インターレーススキームを使用した画像読出し／書込み方法
JP5969496B2 (ja) クリスクロス書き込み戦略
KR101633759B1 (ko) 리소그래피 장치, 세트포인트 데이터를 제공하는 장치, 디바이스 제조 방법, 세트포인트 데이터를 제공하는 방법, 및 컴퓨터 프로그램
US9488921B2 (en) Lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program
KR101616764B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 컴퓨터 프로그램
KR101675044B1 (ko) 리소그래피 장치 및 시스템, 리소그래피 장치를 캘리브레이션하는 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
NL2010020A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant