JP5801289B2 - リソグラフシステムのためのパターンデータ変換 - Google Patents
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Description
以下、図面を参照して例示のみにより与えられる本発明の種々の実施形態を説明する。
図1は3つの高レベルのサブシステム、即ちデータパス101、リソグラフマシンコラム102、ウエハ位置付けシステム103へ分割されるマスクレスリソグラフシステム100を示している概念図である。リソグラフマシンコラム102はデータパスにより与えられるパターンデータにしたがってウエハを露光するための光学的または荷電粒子ビームを発生する。ウエハ位置付けシステム103はコラム102により発生される露光ビームによってウエハの走査を可能にするためコラム102の下にウエハを移動する。
データパス101の1実施形態の簡単なブロック図が図3に示されており、データパスの一部が図2にも見られる。ビームレットブランカアレイ117の切換えはデータパスを介して制御される。処理装置140はリソグラフマシンにより製造される、典型的にはベクトルファイルフォーマットで与えられる装置のレイアウトを示す情報を受信する。(オフライン処理システム104、インライン処理システム105、パターンストリーミングシステム106を含むことができる)処理装置はビームレットブランカアレイ117を制御するための制御信号を発生するため一連の情報の変換を行う。
データパスは複数のチャンネルに分割されることができる。チャンネルは前処理装置からリソグラフシステムまでの(ターゲットまで及ぶと考えられることができる)データパスである。図4は多数のチャンネルを有するシステムの1例の概念図を示している。パターンデータファイル202はターゲット上で露光されるパターンの部分に関する部分202a、202b、202c等へ分割される。1実施形態では、各部分はウエハ上で露光されるフィールドのストライプについてのパターンデータを含んでいる。パターンデータ202は処理および通信チャンネル204を介して送信され、これはこの例ではパターンデータの各部分についてパターンデータを送信する別々のチャンネル204a、204b、204c等を有する。1実施形態では、チャンネルは電子−光変換器(例えばレーザダイオード)、ビームレット制御信号を送信するための光ファイバ、光−電気変換器(例えばフォトダイオード)を具備している。通信チャンネル204はパターンデータをリソグラフマシンのビームレットブランカアレイ206へ送信する。1実施形態では、ビームレットブランカアレイはそれぞれ単一のチャンネルにより送信されるパターンデータにしたがってビームレットのグループを変調するためのブランカ素子206a、206b、206c等のグループを含んでいる。ビームレットブランカアレイ206はターゲット上のフィールド208を露光するためにパターンデータにしたがってビームレットを変調する。1実施形態ではブランカ素子206a、206b、206c等の各グループにより変調されたビームレットはターゲット上のフィールドの対応するストライプ208a、208b、208c等を露光する。
データパス101はリソグラフマシンのビームレットを制御するためベクトルパターンデータを出力パターンデータへ変換する。出力パターンデータはここでは画素値の空間的にマップされたアレイとして規定されているビットマップフォーマットであり、通常はウエハの露光期間中にリソグラフマシンへ流れる。データパスおよびリソグラフシステムは同時係属出願の米国特許出願第61/179,761号、第61/179,762号、第61/179,765号、第61/179,766号号明細書に記載されており、これらは全て本願の所有者に譲渡されており、ここでそれらの全体において全て参考文献とされている。
前処理ステップは標準化されたベクトルデータフォーマットをベクトルデータおよび線量マップへ変換する。前処理は平坦化、近接効果補正および/またはレジスト加熱補正、その他の操作及び補正を含むことができる。
図6はベクトルフォーマットの入力パターンデータを、マスクレスリソグラフマシンのビームレットの変調に適している、画素値の空間的にマップされたアレイの形態の出力パターンデータへ変換するプロセスを示す簡単なフローチャートである。前処理された入力パターンデータ310はレンダリングされた入力パターンデータ314を生成するためにステップ312でレンダリングされ、これはその後中間パターンデータ318を生成するために第1の量子化ステップ316で量子化される。量子化は最も近い中間パターンレベルへ四捨五入し、量子化エラーを廃棄するかエラー分散ディザーリングを使用して近隣の画素にわたってエラーを再分配することにより行われることができる。次のステップで、中間パターンデータ318は再度サンプルされたパターンデータ322を発生するためにステップ320で再度サンプルされ、これは出力パターンデータ326を発生するために第2の量子化ステップ324で(ここでは再度の量子化と呼ぶ)再度量子化をされ、随意選択的に(ここでは再度のディザーリングと呼ぶ)ディザーリングをされ、これはターゲットを露光するようにビームレットを制御するためリソグラフマシンへ送信される。
中間パターンデータのデータサイズは好ましくは設計で一定に維持され、それによって画素当りのビット数が増加するならば、画素のサイズも対応して増加し、その逆も可能である。例えば二レベルB/W中間パターンデータについて2.5nmの画素サイズが十分な正確度を与えるならば、画素当り4ビットの多レベルの中間パターンデータ使用されると画素サイズは5nmまで増加されよう。例えば26×33mmのウエハフィールドでは、2.5nmの二レベル(画素当り1ビット)パターンデータは(隣接ストライプ間でオーバーラップを含まない)記憶スペースの約137テラビットを必要とする。
図6を再度参照すると、入力パターンデータ310はレンダリングされた入力パターンデータ314を発生するためにステップ312でレンダリングされる。レンダリングプロセスはベクトルフォーマットで記述されている形状情報をグリッドの正方形、アレイの面積または各画素のデータのような画像の面積当りの画像データを有するフォーマットへ変換する。
図6のフローチャートを再度参照すると、レンダリングステップにより決定された中間パターンデータ314はその後あるビット数により規定される予め定められた解像度を有する各値の記憶を可能にするために量子化される。量子化は通常、最も近いnビットの中間パターンレベルへの四捨五入により行われる。例えば各値が4つのビットにより表されるならば、量子化された値は例えば16のグレースケール値を表す16個の異なる値のうちの1つを取る。量子化エラーがこのステップで発生され、これは廃棄されるか、エラー拡散ディザーリングを使用して近隣の画素にわたって随意選択的に再度分配される。第1のディザーリングを含む第1の量子化ステップ316は図8Dに示されているようにnビットの中間パターンデータ318を発生するために量子化とエラー拡散を行うのに使用される。量子化後、1つの画素値の量子化エラーは量子化エラーの損失を防止し中間パターンデータの正確性を改良するために第1のディザーリングプロセスによって近隣の画素へ伝播される。
図6に戻り参照すると、次のステップでは、中間パターンデータ318は再度のサンプリング動作320を受けて再度サンプルされたパターンデータ322を発生する。再度サンプルされたパターンデータ322はさらに座標変換を必要とせずにリソグラフマシンのビームレット解像度に一致されることが好ましい。例えば再度サンプルされたパターンデータの画素サイズは好ましくはターゲット表面上のビームレットの所望の画素サイズに一致する。
ストライプ内のシフトが出力グリッドの原点を入力パターンデータの原点に関して移動することによってx方向(機械的な走査方向)、y方向(機械的な走査方向に対して垂直)または両方向で適用されることができる。各再度サンプルされた/出力画素のグレーレベルの値はその後前述したように決定される。
スケーリングはビームレットの走査偏向における変化を補正するために使用されることができる。ビームレットはy方向における各走査期間中に偏向され、ストライプの1面から他の面へパターンを書込む。偏向距離は好ましくは両ストライプ幅をカバーし、オーバースキャン距離の2倍である。リソグラフマシンにより発生されたビームの偏向が全てのビームにわたって完全に均一ではない場合、ビームレットの1グループは他よりも強く偏向され、それ故、偏向距離はビームレットのグループ間で異なる。走査偏向の強度における差は、アレイを横切って生じる電圧降下のために走査偏向アレイの表面上にわたって生じる。これらの電圧降下はアレイの遠端で弱い偏向フィールドを生じ、偏向距離は弱い偏向フィールドが作用するビームレットではより短い。
補正はターゲット上で形成される先のパターン層に関してパターンの回転又は歪みを補正するために行われることもできる。これは出力グリッド410を回転又は歪ませることにより行われることができる。歪み及び回転はオーバーレイ性能または異なるリソグラフツールにより露光または発生された別の層との一致を改良するために使用されることができる。歪みは例えば、フィールドサイズの調節、フィールド位置調節、フィールドの回転、非対称的なフィールドサイズの調節、非対称的な回転を含むことができる。より高次の補正も可能である。このプロセスの使用によって、ウエハのフィールドの任意の歪みは出力グリッド410を適切に歪みすることにより補償されることができる。
最大(前景)線量と最小(背景)線量は前述したようにレンダリングステップで使用されることができる。ビームレット毎の線量補正はストライプ当りのしきい値(または等価量)を個々に調節することにより第2のディザーリングステップで適用されることができる。リソグラフマシンにおける製造公差の変化のために、効率的な線量はビームレット毎に変化する。ビームレット走査偏向強度の変化も線量強度の変化を生じる可能性がある。これらの変化は例えば計算された出力パターンデータ値を線量補正係数により乗算することによって、線量補正係数の適用により補正されることができる。線量補正は画素の白値および/またはしきい値を調節することにより第2のディザーリングプロセスでも適用されることができる。例えばビームレットが90%の線量係数で較正されるとき、その強度は100%/90%=111.1%である。したがって100がデフォルトであるならば、ディザーリングに使用される白値は111.1であり、デフォルトが50であるならばディザーリングしきい値は55.6である。線量補正は好ましくはビームレット毎に行われ、線量補正係数は好ましくはウエハ毎に更新される。線量補正の典型的な要求/値は50%−100%の線量マップ、0.2%のステップサイズのパターン線量正確度、80%−100%のビーム線量補正係数、0.2%のステップサイズのビーム線量正確度である。結果的な線量レートは最も近い値に四捨五入されるべきである。
図6に戻り参照すると、出力パターンデータ322は出力パターンデータ326を発生するために第2の量子化ステップ324で量子化される。出力データは好ましくは画素当り1ビット値に量子化される画素線量値を有する黒/白ビットマップである。エラー量子化の拡散は随意選択的に再度のディザーリングとも呼ばれる第2のディザーリングステップで行われることができる(第1のディザーリングステップが必ずしも行われるわけではないが、これはここでは再度のディザーリングと呼ばれ、それによって変換プロセスは唯一のディザーリングステップとして再度のディザーリングを含むことができる)。図8Hは二レベルの出力パターンデータへ変換される図8Gの出力パターンデータを示している。
おり、これは当業者に知られるように、ここで説明した任意の実施形態と共に使用される
ことができることに注意すべきである。さらに、これらの実施形態は本発明の技術的範囲
を逸脱せずに当業者によく知られた種々の変形及び代替の形態を受けることができること
が認識されよう。したがって特別な実施形態について説明したが、これらは単なる例示で
あり、請求項に規定されている本発明の技術的範囲を限定するものではない。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]ターゲットを露光するための複数の露光ビームレットを発生するマスクレスリソグラフマシンのパターンデータにしたがってターゲットを露光するための方法において、前記方法は、
ベクトルフォーマットの入力パターンデータを与え、
画素値の空間的にマップされたアレイの形態の中間パターンデータを生成するために前記入力パターンデータをレンダリングし、量子化し、
出力パターンデータを生成するために前記中間パターンデータを再度サンプリングし、再度量子化し、
前記出力パターンデータを前記リソグラフマシンへ供給し、
前記リソグラフマシンにより生成される前記ビームレットを前記出力パターンデータに基づいて変調するステップを含んでいる方法。
[2]前記出力パターンデータは二レベルのビットマップデータを含んでいる前記[1]記載の方法。
[3]前記出力データパターンはB/Wビットマップデータからなる前記[1]または[2]記載の方法。
[4]前記中間パターンデータは多レベルビットマップデータを含んでいる前記[1]乃至[3]のいずれか1つに記載の方法。
[5]パターンのある部分を表す前記中間パターンデータは前記パターンの同じ部分を表す前記出力パターンデータよりも多量のデータを有している前記[1]乃至[4]のいずれか1つに記載の方法。
[6]さらに、前記入力パターンデータを発生するためにベクトルパターンデータを前処理するステップを含んでいる前記[1]乃至[5]のいずれか1つに記載の方法。
[7]前記前処理は近接効果補正を含んでいる前記[1]乃至[6]のいずれか1つに記載の方法。
[8]前記前処理はレジスト加熱補正を含んでいる前記[6]又は[7]記載の方法。
[9]前記ベクトルパターンデータのレンダリングは画素セルのアレイを規定し、前記入力パターンデータにより規定される特徴による前記画素セルの相対的なカバー範囲に基づいて前記画素セルに値を割当てるステップを含んでいる前記[1]乃至前記[8]のいずれか1つに記載の方法。
[10]前記量子化は前記レンダリングされた入力パターンデータにおけるエラー拡散の適用によりディザーリングするステップを含んでいる前記[1]乃至[9]のいずれか1つに記載の方法。
[11]前記エラー拡散は前記レンダリングされた入力パターンデータの画素の量子化エラーを前記中間パターンデータの1以上の近隣の画素へ拡散するステップを含んでいる前記[1]乃至前記[10]のいずれか1つに記載の方法。
[12]前記入力パターンデータはさらに線量マップデータを含み、前記中間パターンデータは前記ベクトルフォーマット入力パターンデータと線量マップデータとに基づいて形成される前記[1]乃至前記[11]のいずれか1つに記載の方法。
[13]前記再度のサンプリングは出力画素セルのアレイを規定する出力グリッドを規定し、前記出力画素セル内に入る中間パターンデータ値およびこれらの中間値により占有される前記出力画素セルの部分に基づいて各出力画素セルへ値を割当てるステップを含んでいる前記[1]乃至[12]のいずれか1つに記載の方法。
[14]前記出力画素セルの値は前記出力画素セル内に入る平均中間パターンデータ値を計算することにより決定される前記[13]記載の方法。
[15]前記再度のサンプリングは、前記中間パターンデータの画素サイズの変形を含んでいる前記[1]乃至[14]のいずれか1つに記載の方法。
[16]前記中間パターンデータの画素サイズは前記出力パターンで他の画素サイズよりも大きい前記[1]乃至[15]のいずれか1つに記載の方法。
[17]さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含んでおり、前記パターンシフトは前記出力グリッドにおけるシフトを含んでいる前記[13]記載の方法。
[18]さらに、ビームレット誤整列を補正するために前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含んでいる前記[1]乃至前記[18]のいずれか1つに記載の方法。
[19]さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含み、前記パターンシフトは前記リソグラフマシンの機械的な走査方向と前記機械的な走査方向に対して垂直な方向との両者におけるパターンシフトを含んでいる前記[1]乃至[18]のいずれか1つに記載の方法。
[20]さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含み、前記パターンシフトは前記パターンデータの全体的なストライプに対する前記パターンデータのシフトを含んでいる前記[1]乃至[19]のいずれか1つに記載の方法。
[21]さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンスケーリング調節を含み、前記パターンスケーリングは前記出力グリッドのスケーリングを含んでいる前記[13]記載の方法。
[22]さらに、ビームレット走査偏向の変化を補正するために前記中間パターンデータで行われるパターンスケーリング調節を含んでいる前記[1]乃至[21]のいずれか1つに記載の方法。
[23]さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンスケーリング調節を含んでおり、前記パターンスケーリングは前記パターンデータの全体的なストライプに対するパターンデータのスケーリングを含んでいる前記[1]乃至[22]のいずれか1つに記載の方法。
[24]さらに、前記中間パターンデータで行われる線量補正を含んでいる前記[1]乃至23のいずれか1つに記載の方法。
[25]前記線量補正は、ビームレット毎に行われる前記[1]乃至[24]のいずれか1つに記載の方法。
[26]前記線量補正は、ビームレット当りの線量係数と前記パターンデータのストライプのスケーリングファクタに基づいて決定される前記[24]または[25]記載の方法。
[27]さらに、1以上の前記ビームレットの位置の変化を補償するために前記中間パターンデータで行われる補正を含んでいる前記[1]乃至前記[26]のいずれか1つに記載の方法。
[28]ウエハは前記ウエハの露光期間中に機械的な走査方向で移動され、前記補正は前記入力パターンデータの調節を含み、それは前記機械的な走査方向と前記機械的な走査方向に対して実質的に垂直な方向との両者の成分を有する前記中間パターンデータのシフトを生じる前記[27]記載の方法。
[29]さらに、前記リソグラフマシンへの前記二レベル出力パターンデータの送信時間における変化を補償するために前記中間パターンデータで行われる補正を含んでいる前記[24]乃至[28]のいずれか1つに記載の方法。
[30]さらに、前記中間データパターンで行われるフィールド歪み調節を含み、この歪み調節は前記出力グリッドに歪みを与えるステップを含んでいる前記[13]記載の方法。
[31]前記歪みはオーバーレイ性能を改良するためのものである前記[30]記載の方法。
[32]前記歪みは異なるリソグラフツールによるマッチングを改良するためのものである前記[31]記載の方法。
[33]前記歪みはフィールドサイズ調節、フィールド位置調節、フィールドの回転、非対称フィールドサイズ調節および/または非対称回転のうちの少なくとも1つを含んでいる前記[30]記載の方法
[34]前記歪みは付加的に高次の歪みを含んでいる前記[33]記載の方法。
[35]前記再度の量子化は、前記再度サンプルされた中間パターンデータにおいてエラー拡散を適用することによる再度のディザーリングを含んでいる前記[1]乃至前記[34]のいずれか1つに記載の方法。
[36]前記量子化はディザーリングプロセスを含み、前記再度の量子化は再度のディザーリングプロセスを含み、前記ディザーリングおよび前記再度のディザーリングは反対方向で行われる前記[1]乃至[35]のいずれか1つに記載の方法。
[37]前記入力パターンデータは中間パターンデータの2つのセットを発生するために二度ディザーリングされ、前記各セットは反対方向でディザーリングされる前記[36]記載の方法。
[38]中間パターンデータの前記2つのセットは前記ターゲットの交番する露光レーンを露光するために使用され、中間パターンデータの各セットは使用前に、前記ディザーリングに対して反対方向で再度ディザーリングされる前記[37]記載の方法。
[39]前記ターゲットは前記ターゲットの各露光レーンが同じ方向で露光されるように移動される前記[36]記載の方法。
[40]前記エラー拡散は前記再度サンプルされたパターンデータの画素の量子化エラーを前記出力パターンデータの1以上の近隣の画素へ分配するステップを含んでいる前記[35]記載の方法。
[41]エラー拡散の適用は、
画素のアレイを規定し、
画素アレイを異なるビームレットにより露光されるように割当てられている各部分へ分割し、
各部分についてのエラー拡散パラメータ値を決定し、
エラー拡散パラメータ値を使用して各部分内の画素へ値を割当てるステップを含んでいる前記[40]記載の方法。
[42]前記エラー拡散パラメータ値は、しきい値と、二レベル出力パターンデータ値のより高いレベルについての加重値とを含んでいる前記[41]記載の方法。
[43]前記エラー拡散パラメータ値は、さらに前記二レベル値の低いレベルについての加重値を含んでいる前記[42]記載の方法。
[44]前記エラー拡散パラメータ値はしきい値であり、ここで二レベル値を1部分内の画素セルに割当てることは前記部分について決定されたしきい値との比較に基づいている前記[42]又は[43]記載の方法。
[45]前記エラー拡散の適用は、さらに別のしきい値に等しいかそれよりも低い多レベル値を有する1以上の画素の方向への拡散を許可しないことにより制限される前記[39]乃至[44]のいずれか1つに記載の方法。
[46]前記エラー拡散の適用は、前記入力パターンデータで記述されている特徴外に位置されている1以上の画素への拡散を許可しないことにより制限される前記[39]乃至[45]のいずれか1つに記載の方法。
[47]前記エラー拡散の適用は処理されている前記画素とはある量を超えて異なる値を有する1以上の画素方向の拡散を許可しないことにより制限される前記[39]乃至[46]のいずれか1つに記載の方法。
[48]各画素はラベルを有し、前記エラー拡散の適用は処理されている前記画素とは異なるラベルを有する1以上の画素方向への拡散を許可しないことにより制限される前記[39]乃至[47]のいずれか1つに記載の方法。
[49]前記ラベルは前記中間パターンデータと共に記憶されているコードからなる前記[48]記載の方法。
[50]前記ラベルは前処理期間中に規定され、前記ベクトルフォーマットの特徴によりカバーされる全ての画素は第1のラベル値を割当てられ、全ての他の画素は第2のラベル値を割当てられる前記[49]記載の方法。
[51]画像データは第1のステップで前記マシンへベクトルフォーマットで供給され、前記ベクトルフォーマットは第2のステップでレンダリングされ、画素値の空間的にマップされたアレイの形態のビットマップデータフォーマットへ量子化され、前記ビットマップデータは前記データにおいて実時間補正を行うために第3のステップで再度サンプルされ、この再度サンプルされたデータは第4のステップで再度量子化され、その後第5のステップで出力ビットマップとしてマシンの撮像ハードウェアへ供給されるリソグラフマシンの動作方法。
[52]前記第1の量子化ステップを行うために使用される前記データの量は前記再度のサンプリングを行うことにより生じる前記データ量よりも大きい前記[51]記載の方法。
[53]前記再度のサンプリングはパターンシフト、パターンスケーリングまたはフィールド歪み補正のうちの1以上を含んでいる前記[51]または[52]記載の方法。
[54]前記再度の量子化は線量補正を行うことを含んでいる前記[51]乃至[53]のいずれか1つに記載の方法。
[55]ディザーリングプロセスは前記量子化ステップと共に行われ、ディザーリングしきい値を適合することにより行われる線量補正を含んでいる前記[51]乃至[54]のいずれか1つに記載の方法。
[56]さらに前記再度のサンプリングと共に中間パターンデータの画素サイズを変形することによって出力ビットマップの画素サイズを変更することにより露光線量を制御するステップを含んでいる前記[51]乃至[55]のいずれか1つに記載の方法。
[57]ベクトルフォーマットの入力パターンデータを画素値の空間的にマップされたアレイの形態の出力パターンデータへ変換するためのデータパスにおいて、
画素値の空間的にマップされたアレイの形態の中間パターンデータを生成するために前記入力パターンデータをレンダリングし量子化する第1の処理装置と、
前記中間パターンデータを記憶するための第1の記憶装置と、
出力パターンデータを生成するために前記中間パターンデータを再度サンプリングし再度量子化する第2の処理装置とを具備しているデータパス。
[58]前記第1の処理装置はレンダリングされた入力パターンデータをディザーリングするソフトウェアおよび/またはハードウェアを具備している前記[57]記載のデータパス。
[59]前記第2の処理装置は再度サンプルされたパターンデータを再度ディザーリングするソフトウェアおよび/またはハードウェアを具備している前記[57]または[58]記載のデータパス。
[60]前記第1の記憶装置の容量は前記パターンデータのフィールド全体に対する前記中間パターンデータを記憶するのに十分である前記[57]乃至前記[59]のいずれか1つに記載のデータパス。
[61]さらに前記出力パターンデータを記憶するための第2の記憶装置を具備している前記[57]乃至[60]のいずれか1つに記載のデータパス。
[62]パターンデータにしたがってターゲットを露光するシステムにおいて、
前記ターゲットを露光し出力パターンデータに基づいてビームレットを変調するための複数の露光ビームレットを生成するマスクレスリソグラフマシンと、
入力パターンデータを受信し、前記出力パターンデータを発生するための前記[57]乃至[61]のいずれか1つに記載のデータパスと、
前記出力パターンデータを前記リソグラフマシンへ供給するためのパターンストリーミングシステムとを具備しているシステム。
Claims (14)
- ターゲットを露光するための複数の露光ビームレットを生成するマスクレスリソグラフマシンにおいてパターンデータにしたがってターゲットを露光するための方法であって、
前記方法は、
ベクトルフォーマットで入力パターンデータを与え、
前記入力パターンデータをレンダリングし、量子化し、画素値の空間的にマップされたアレイの形態で中間パターンデータを生成し、
前記中間パターンデータを再度サンプリングし、再度量子化し、出力パターンデータを生成し、
前記出力パターンデータを前記マスクレスリソグラフマシンへ供給し、
前記マスクレスリソグラフマシンにより生成される前記複数の露光ビームレットを前記出力パターンデータに基づいて変調すること、
を含み、
前記再度サンプリングすることは、前記中間パターンデータの画素サイズを変えることを含み、
前記中間パターンデータの画素サイズは、前記出力パターンデータの画素サイズよりも大きい、方法。 - 前記出力パターンデータは、2レベルのビットマップデータ又は多レベルのビットマップデータを含んでいる請求項1記載の方法。
- パターンを表す前記中間パターンデータは、前記パターンを表す前記出力パターンデータよりも多くのデータを含んでいる請求項1又は2のいずれか1項記載の方法。
- 前記入力パターンデータを生成するために、ベクトルパターンデータを前処理することをさらに含んでいる請求項1乃至3のいずれか1項記載の方法。
- 前記前処理することは、近接効果補正とレジスト加熱補正とのうちの少なくとも一方を含んでいる請求項4記載の方法。
- 前記入力パターンデータをレンダリングすることは、
画素セルのアレイを規定することと、
前記入力パターンデータにより規定される特徴による前記画素セルの相対的なカバー範囲に基づいて、前記画素セルに値を割当てることと、
を含んでいる請求項1乃至5のいずれか1項記載の方法。 - 前記量子化することは、前記レンダリングされた入力パターンデータに対するエラー拡散の適用によりディザーリングすることを含んでいる請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法。
- 前記エラー拡散は、前記レンダリングされた入力パターンデータの画素の量子化エラーを、前記中間パターンデータの1以上の近隣画素へ拡散することを含んでいる請求項7記載の方法。
- 前記入力パターンデータは、線量マップデータをさらに含み、
前記中間パターンデータは、前記ベクトルフォーマットの入力パターンデータと前記線量マップデータとに基づいて形成される請求項1乃至8のいずれか1項記載の方法。 - 前記再度サンプリングすることは、
出力画素セルのアレイを規定する出力グリッドを規定すること、
前記出力画素セル内に入る中間パターンデータ値と、前記中間パターンデータ値により占有される前記出力画素セルの部分とに基づいて、各出力画素セルへ値を割当てることと、
を含んでいる請求項1乃至9のいずれか1項記載の方法。 - ビームレットの誤整列を補正するために、前記中間パターンデータに対して行われるパターンシフトをさらに含んでいる請求項1乃至10のいずれか1項記載の方法。
- リソグラフマシンを操作する方法であって、
第1のステップにおいて、画像データをベクトルフォーマットで前記リソグラフマシンに供給し、
第2のステップにおいて、前記ベクトルフォーマットを、レンダリングし、画素値の空間的にマップされたアレイの形態のビットマップデータのフォーマットへ量子化し、
第3のステップにおいて、前記ビットマップデータに対して実時間補正を行うために、前記ビットマップデータを再度サンプリングし、
第4のステップにおいて、前記再度サンプリングされたデータを再度量子化し、
その後で第5のステップにおいて、出力ビットマップとして前記リソグラフマシンの画像化ハードウェアへ供給し、
前記第3のステップは、前記第2のステップにおいて形成された画素値の空間的にマップされたアレイの画素サイズを変えることを含み、
前記画素値の空間的にマップされたアレイの画素サイズは、前記出力ビットマップの画素サイズよりも大きい、方法。 - ベクトルフォーマットの入力パターンデータを、画素値の空間的にマップされたアレイの形態の出力パターンデータへ変換するためのデータパスであって、
前記入力パターンデータをレンダリングし量子化し、画素値の空間的にマップされたアレイの形態の中間パターンデータを生成する第1の処理装置と、
前記中間パターンデータを記憶する第1の記憶装置と、
前記中間パターンデータを再度サンプリングし再度量子化し、出力パターンデータを生成する第2の処理装置と、
を具備し、
前記再度サンプリングすることは、前記中間パターンデータの画素サイズを変えることを含み、
前記中間パターンデータの画素サイズは、前記出力パターンデータの画素サイズよりも大きい、データパス。 - パターンデータにしたがってターゲットを露光するシステムであって、
前記ターゲットを露光する複数の露光ビームレットを生成し、出力パターンデータに基づいて前記露光ビームレットを変調するマスクレスリソグラフマシンと、
入力パターンデータを受信し、前記出力パターンデータを生成する請求項13記載のデータパスと、
前記出力パターンデータを前記マスクレスリソグラフマシンへ供給するパターンストリーミングシステムと、
を具備している、システム。
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