TW201329650A - 用於轉換微影裝置中基於向量之所要器件圖案表示之裝置與方法、用於提供資料至可程式化圖案化器件之裝置與方法、微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於轉換用於一曝光裝置之一期望器件圖案之一基於向量之表示的方法、一種微影或曝光裝置、一種用以提供資料至一可程式化圖案化器件之裝置與方法，及一種器件製造方法。在一實施例中，該轉換方法輸出對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案的一經光柵化表示，其中該基於向量之表示包含識別一或多個基元圖案之基元資料及識別該期望器件圖案之至少一部分如何由每一經識別基元圖案之一或多個例項形成的例項資料，該方法包括：形成該基元資料中所識別之每一基元圖案之一經光柵化基元；及藉由與對應於彼經光柵化基元之該例項資料相關聯地儲存每一經光柵化基元來形成該經光柵化表示。

Description

用於轉換微影裝置中基於向量之所要器件圖案表示之裝置與方法、用於提供資料至可程式化圖案化器件之裝置與方法、微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種用於轉換微影或曝光裝置中基於向量之期望劑量圖案表示之方法、一種微影或曝光裝置、一種用以提供資料至可程式化圖案化器件之裝置與方法，及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為施加期望圖案至基板或基板之部件上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)、平板顯示器及具有精細特徵之其他器件或結構之製造中。在習知微影裝置中，可被稱作光罩或比例光罩之圖案化器件可用以產生對應於IC、平板顯示器或其他器件之個別層之電路圖案)。可(例如)經由成像至提供於基板(例如，矽晶圓或玻璃板)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而轉印此圖案於基板(之部件)上。
代替電路圖案，圖案化器件可用以產生其他圖案，例如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化器件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他適用圖案之可個別控制元件陣列。此「無光罩」系統相比於習知基於光罩之系統的優點為：可更快地且成本更少地提供及/或改變圖案。
因此，無光罩系統包括可程式化圖案化器件(例如，空間光調變器、對比器件，等等)。可程式化圖案化器件經程式化(例如，電子地或光學地)以使用可個別控制元件陣 列來形成期望經圖案化光束。可程式化圖案化器件之類型包括微鏡面陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列、自發射對比器件陣列、遮光片元件矩陣，及其類似者。可程式化圖案化器件亦可由電光偏轉器形成，電光偏轉器經組態(例如)以移動投影至基板上之輻射光點或間歇地引導輻射光束遠離基板而(例如)到達輻射光束吸收器。在任一此類配置中，輻射光束可連續。
可使用諸如GDSII之向量設計封裝來界定待形成於基板上之期望器件圖案。來自此設計封裝之輸出檔案可被稱作期望器件圖案之基於向量之表示。在無光罩系統中，基於向量之表示將經處理以提供控制信號來驅動可程式化圖案化器件。控制信號可包含待施加至複數個(例如)自發射對比器件之設定點(例如，電壓或電流)序列。
用以將基於向量之表示轉換成控制信號之處理可包含將基於向量之表示轉換成劑量圖案之經光柵化表示的一或多個步驟。該處理可包含校正基板及/或先前形成於基板上之圖案相對於圖案化器件之對準變化的一或多個步驟。該處理可包含將經光柵化表示轉換成設定點值序列之一或多個步驟。該處理可涉及複雜演算及/或大資料量(data volume)。對於該處理中即時地(例如，與將圖案形成於基板上或中同時地)進行之步驟，應快速地完成該等演算。此情形傾向於增加處理硬體之成本及/或縮減微影或曝光裝置之產出率。
期望器件圖案可具有大程度之重複。可在使用(例如)階層的情況下藉由基於向量之表示來採用此重複，以使基於向量之表示之大小保持相對小。然而，經光柵化表示將傾向於大得多。因此，有效率地處置經光柵化表示係昂貴的及/或具速率限制性。用以移除該階層之資料處理亦可為昂貴的及/或具速率限制性，此係因為該階層使難以按該表示之部分在曝光程序期間將被使用之次序來儲存該等部分。
期望器件圖案之性質可自一個圖案至下一圖案及/或在該圖案自身內顯著地變化。舉例而言，某一區可對應於需要相對低解析度劑量圖案之器件特徵，且另一區可對應於需要較高解析度劑量圖案之器件特徵。難以將光柵化程序組態成對於所有圖案及對於圖案內之所有區最佳地工作。因此，用以(例如)在資料路徑之線上部分中獲得經光柵化表示及/或用以(例如)在資料路徑之線上部分中儲存或處理經光柵化表示之計算資源可能未被最佳地使用，從而引起可能的較低輸出品質、較低產出率及/或增加成本。
舉例而言，需要提供一種增加資料路徑處理被進行之效率之方法及/或裝置。
根據本發明之一實施例，提供一種用於將待使用一曝光裝置而形成於一基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化表示的方法，其中該基於向量之表示包含識別一或多個基元圖案之基元資料及識別該期望器件圖案之 至少一部分如何由每一經識別基元圖案之一或多個例項形成的例項資料，該方法包含：形成該基元資料中所識別之每一基元圖案之一經光柵化基元；及藉由與對應於彼經光柵化基元之該例項資料相關聯地儲存每一經光柵化基元來形成該經光柵化表示。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以投影複數個光束至一基板上；及一資料處理系統，其經組態以將一期望劑量圖案之一經光柵化表示轉換成一設定點資料序列以控制該複數個光束，其中藉由將待形成於該基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化表示來形成該經光柵化表示，該基於向量之表示包含識別一或多個基元圖案之基元資料及識別該期望器件圖案如何由每一經識別基元圖案之例項形成之例項資料，且其中該轉換包含：形成該基元資料中所識別之每一基元圖案之一經光柵化基元；及藉由與對應於彼經光柵化基元之該例項資料相關聯地儲存每一經光柵化基元來形成該經光柵化表示。
根據本發明之一實施例，提供一種曝光裝置，該曝光裝置包含：一投影系統，其經組態以投影複數個光束至一基板上；及一資料處理系統，其經組態以將一期望劑量圖案之一經光柵化表示轉換成一設定點資料序列以控制該複數個光束，該資料處理系統包含複數個處理單元，每一處理單元經組態以轉換該經光柵化表示之一不同部分，每一不 同部分對應於一基板之一不同條帶，每一不同條帶係平行於該基板相對於該投影系統之一掃描方向而對準。
根據本發明之一實施例，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：將待使用一曝光裝置而形成於一基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化表示，其中該基於向量之表示包含識別一或多個基元圖案之基元資料及識別該期望器件圖案如何由每一經識別基元圖案之例項形成之例項資料，且其中該轉換該基於向量之表示包含：形成該基元資料中所識別之每一基元圖案之一經光柵化基元，且藉由與對應於彼經光柵化基元之該例項資料相關聯地儲存每一經光柵化基元來形成該經光柵化表示；將該經光柵化表示轉換成用於該裝置之一設定點資料序列；及使用該裝置以使用該設定點資料來投影一劑量圖案至一目標上。
根據本發明之一實施例，提供一種用以提供資料至一曝光裝置之一可程式化圖案化器件之裝置，該裝置包含：一緩衝記憶體，其經組態以接收複數個資料單元，每一資料單元表示待形成於一期望劑量圖案之一不同部分中之圖案，其中該緩衝記憶體經組態以在需要時輸出該等資料單元以在由該曝光裝置對一基板之曝光期間提供一控制信號至該可程式化圖案化器件；及一流程控制器，其經組態以控制該等資料單元至及/或自該緩衝記憶體之傳送，使得每一資料單元儲存於該緩衝記憶體中歷時短於曝光該完整 期望劑量圖案所必要之時間之一時期。
根據一實施例，提供一種提供資料至一曝光裝置之一可程式化圖案化器件之方法，該方法包含：在一緩衝記憶體中，接收複數個資料單元，每一資料單元表示待形成於一期望劑量圖案之一不同部分中之圖案；在需要時自該緩衝記憶體輸出該等資料單元以在由該曝光裝置對一基板之曝光期間提供一控制信號至該可程式化圖案化器件；及控制該等資料單元至及/或自該緩衝記憶體之傳送，使得每一資料單元儲存於該緩衝記憶體中歷時短於曝光該完整期望劑量圖案所必要之時間之一時期。
根據一實施例，提供一種將待使用一曝光裝置而形成於一基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化或經取樣表示的方法，其中：對應於該期望器件圖案之一區之一劑量圖案係使用該區之一經光柵化或經取樣表示而形成，該區之該經光柵化或經取樣表示係相對於界定該經光柵化或經取樣表示在該區中界定劑量值所處之點或部位之一光柵化或取樣柵格予以界定，該方法包含：分析1)該期望器件圖案之該區以獲得對獲得、儲存或處理該區之該經光柵化或經取樣表示之一計算要求的一量度，或2)由該曝光裝置使用該區之該經光柵化或經取樣表示而產生之一模擬或實際劑量圖案以獲得影像品質之一量度；回應於該分析之結果而修改該光柵化或取樣柵格；及使用該經修改光柵化或取樣柵格以轉換該期望劑量圖案之該基於向量之 表示。
根據一實施例，提供一種用以將待使用一曝光裝置而形成於一基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化或經取樣表示的裝置，其中：對應於該期望器件圖案之一區之一劑量圖案係使用該區之一經光柵化或經取樣表示而形成，該區之該經光柵化或經取樣表示係相對於界定該經光柵化或經取樣表示在該區中界定劑量值所處之點或部位之一光柵化或取樣柵格予以界定，該裝置包含一資料處理器件，該資料處理器件經組態以：分析1)該期望器件圖案之該區以獲得對獲得、儲存或處理該區之該經光柵化或經取樣表示之一計算要求的一量度，或2)由該曝光裝置使用該區之該經光柵化或經取樣表示而產生之一模擬或實際劑量圖案以獲得影像品質之一量度；回應於該分析之結果而修改該光柵化或取樣柵格；及使用該經修改光柵化或取樣柵格以轉換該基於向量之表示。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
本發明之一實施例係關於一種可包括可程式化圖案化器件之裝置，可程式化圖案化器件可(例如)包含一或若干自發射對比器件陣列。可在全文據此以引用方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2010/032224 A2號、美國專利申請公開案第US 2011-0188016號、美國專利申請案第 US 61/473636號及美國專利申請案第61/524190號中找到關於此裝置之另外資訊。然而，本發明之一實施例可與包括(例如)上文所論述之彼等可程式化圖案化器件的任何形式之可程式化圖案化器件一起使用。
圖1示意性地描繪微影或曝光裝置之部件的示意性橫截面側視圖。在此實施例中，該裝置具有在X-Y平面中實質上靜止之可個別控制元件(如下文進一步所論述)，但無需為該狀況。裝置1包含用以固持基板之基板台2，及用以在高達6個自由度中移動基板台2之定位器件3。基板可為抗蝕劑塗佈基板。在一實施例中，基板為晶圓。在一實施例中，基板為多邊形(例如，矩形)基板。在一實施例中，基板為玻璃板。在一實施例中，基板為塑膠基板。在一實施例中，基板為箔片。在一實施例中，裝置適於卷軸式製造(roll-to-roll manufacturing)。
裝置1進一步包含經組態以發射複數個光束之複數個可個別控制自發射對比器件4。在一實施例中，自發射對比器件4為輻射發射二極體，諸如，發光二極體(LED)、有機LED(OLED)、聚合物LED(PLED)，或雷射二極體(例如，固態雷射二極體)。在一實施例中，可個別控制元件4中每一者為一藍紫色雷射二極體(例如，Sanyo型號DL-3146-151)。此等二極體可由諸如Sanyo、Nichia、Osram及Nitride之公司供應。在一實施例中，二極體發射(例如)具有約365奈米或約405奈米之波長之UV輻射。在一實施例中，二極體可提供選自0.5毫瓦特至200毫瓦特之範圍之輸 出功率。在一實施例中，雷射二極體(裸晶粒)之大小係選自100微米至800微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選自0.5平方微米至5平方微米之範圍之發射面積。在一實施例中，雷射二極體具有選自5度至44度之範圍之發散角。在一實施例中，二極體具有用以提供大於或等於約6.4×108 W/(m2.sr)之總亮度之組態(例如，發射面積、發散角、輸出功率，等等)。
自發射對比器件4配置於框架5上且可沿著Y方向及/或X方向而延伸。雖然展示一個框架5，但裝置可具有複數個框架5，如圖2所示。透鏡12進一步配置於框架5上。框架5在X-Y平面中實質上靜止，且因此，自發射對比器件4及透鏡12在X-Y平面中實質上靜止。框架5、自發射對比器件4及透鏡12可由致動器7在Z方向上移動。或者或另外，透鏡12可由與此特定透鏡有關之致動器在Z方向上移動。視情況，每一透鏡12可具備一致動器。
自發射對比器件4可經組態以發射光束，且投影系統12、14及18可經組態以將光束投影至基板之目標部分上。自發射對比器件4及投影系統形成光學柱。裝置1可包含致動器(例如，馬達)11以相對於基板來移動光學柱或其部件。經配置有場透鏡14及成像透鏡18之框架8可用致動器而可旋轉。場透鏡14與成像透鏡18之組合形成可移動光學件9。在使用時，框架8(例如)在由圖2中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線10而旋轉。框架8係使用致動器(例如，馬達)11圍繞軸線10而旋轉。另外，框架8可由馬達7在Z方 向上移動，使得可移動光學件9可相對於基板台2而位移。
具有孔隙之孔隙結構13可在透鏡12與自發射對比器件4之間位於透鏡12上方。孔隙結構13可限制透鏡12、關聯自發射對比器件4及/或鄰近透鏡12/自發射對比器件4之繞射效應。
可藉由旋轉框架8且同時地在光學柱下方移動基板台2上之基板來使用所描繪裝置。當透鏡12、14及18彼此實質上對準時，自發射對比器件4可發射光束通過該等透鏡。藉由移動透鏡14及18，使光束在基板上之影像遍及基板之部分進行掃描。藉由在光學柱下方同時地移動基板台2上之基板，經受自發射對比器件4之影像的基板之部分亦移動。藉由在控制器之控制下以高速度「接通」及「關斷」自發射對比器件4(例如，當自發射對比器件4「關斷」時不具有輸出或具有低於臨限值之輸出，且當自發射對比器件4「接通」時具有高於臨限值之輸出)、控制光學柱或其部件之旋轉、控制自發射對比器件4之強度且控制基板之速度，可將期望圖案成像於基板上之抗蝕劑層中。
圖2描繪具有自發射對比器件4的圖1之裝置的示意性俯視圖。類似於圖1所示之裝置1，裝置1包含：基板台2，其用以固持基板17；定位器件3，其用以在高達6個自由度中移動基板台2；對準/位階感測器19，其用以判定自發射對比器件4與基板17之間的對準，且用以判定基板17是否處於相對於自發射對比器件4之投影之位階。如所描繪，基板17具有矩形形狀，然而，或者或又，可處理圓形基板。
自發射對比器件4配置於框架15上。自發射對比器件4可為輻射發射二極體，例如，雷射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。如圖2所示，自發射對比器件4可經配置成在X-Y平面中延伸之陣列21。
陣列21可為狹長線。在一實施例中，陣列21可為自發射對比器件4之一維陣列。在一實施例中，陣列21可為自發射對比器件4之二維陣列。
可提供可在由箭頭所描繪之方向上旋轉之旋轉框架8。該旋轉框架可具備透鏡14、18(圖1所示)以提供自發射對比器件4中每一者之影像。該裝置可具備致動器以相對於基板來旋轉包含框架8及透鏡14、18之光學柱。
圖3描繪旋轉框架8之高度示意性透視圖，旋轉框架8在其周界處具備透鏡14、18。複數個光束(在此實例中為10個光束)入射至該等透鏡中之一者上且投影至由基板台2固持之基板17之目標部分上。在一實施例中，複數個光束係以直線形式而配置。可旋轉框架可藉由致動器(圖中未繪示)圍繞軸線10而旋轉。由於可旋轉框架8之旋轉，光束將入射於順次透鏡14、18(場透鏡14及成像透鏡18)上，且將在入射於每一順次透鏡上之情況下被偏轉，藉此以便沿著基板17之表面之部分而行進，此將參看圖4予以更詳細地解釋。在一實施例中，每一光束係由一各別源(亦即，自發射對比器件，例如，雷射二極體(圖3中未繪示))產生。在圖3所描繪之配置中，光束係由分段鏡面30偏轉及聚集，以便縮減光束之間的距離、藉此使較大數目個光束能 夠投影通過同一透鏡且達成待在下文論述之解析度要求。
隨著可旋轉框架旋轉，光束入射於順次透鏡上，且每當透鏡受到光束輻照時，光束入射於透鏡之表面上的位置就移動。因為光束取決於光束在透鏡上之入射位置而不同地(以(例如)不同偏轉)投影於基板上，所以光束(當到達基板時)將隨著每次通過一後繼透鏡而進行一掃描移動。參看圖4來進一步解釋此原理。圖4描繪可旋轉框架8之部件的高度示意性俯視圖。第一光束集合係由B1表示，第二光束集合係由B2表示，且第三光束集合係由B3表示。每一光束集合投影通過可旋轉框架8之各別透鏡集合14、18。隨著可旋轉框架8旋轉，光束B1在掃描移動中投影至基板17上，藉此掃描區域A14。相似地，光束B2掃描區域A24，且光束B3掃描區域A34。在由對應致動器對可旋轉框架8之旋轉的同時，基板17及基板台在方向D上移動(其可沿著如圖2所描繪之X軸)，藉此實質上垂直於區域A14、A24、A34中之光束之掃描方向。由於由第二致動器在方向D上之移動(例如，由對應基板台馬達對基板台之移動)，當由可旋轉框架8之順次透鏡投影時光束之順次掃描被投影，以便彼此實質上鄰接，從而引起針對光束B1之每一順次掃描之實質上鄰接區域A11、A12、A13、A14(區域A11、A12、A13先前被掃描且A14當前被掃描，如圖4所示)、引起針對光束B2之區域A21、A22、A23及A24(區域A21、A22、A23先前被掃描且A24當前被掃描，如圖4所示)，且引起針對光束B3之區域A31、A32、A33及A34(區域A31、 A32、A33先前被掃描且A34當前被掃描，如圖4所示)。藉此，在旋轉可旋轉框架8的同時，可隨著在方向D上基板之移動而覆蓋基板表面之區域A1、A2及A3。多個光束通過同一透鏡之投影會允許在較短時間範圍內處理整個基板(以可旋轉框架8之相同旋轉速度)，此係因為：對於對透鏡之每次通過，複數個光束用每一透鏡來掃描基板，藉此允許針對順次掃描在方向D上之位移增加。以不同觀點而言，對於給定處理時間，當多個光束經由同一透鏡而投影至基板上時，可縮減可旋轉框架之旋轉速度，藉此可能地縮減歸因於高旋轉速度之效應，諸如，可旋轉框架之變形、磨損、振動、擾動，等等。在一實施例中，複數個光束經配置為與透鏡14、18之旋轉之切線方向成角度，如圖4所示。在一實施例中，複數個光束經配置成使得每一光束重疊於或鄰接於鄰近光束之掃描路徑。
可在放寬容許度時發現多個光束由同一透鏡同時地投影之態樣之另外效應。歸因於透鏡之容許度(定位、光學投影，等等)，順次區域A11、A12、A13、A14(及/或區域A21、A22、A23及A24，及/或區域A31、A32、A33及A34)之位置可展示相對於彼此的某種程度之定位不準確度。因此，可能需要在順次區域A11、A12、A13、A14之間的某種程度之重疊。在一個光束之(例如)10%作為重疊之狀況下，處理速度將藉此在單一光束同時地通過同一透鏡之狀況下縮減達10%之相同因數。在5個或5個以上光束同時地投影通過同一透鏡之情形中，將針對每5個或5個以上經投 影線提供10%之相同重疊(相似地參考上文之一個光束實例)，因此將總重疊縮減達大約5%或5%以上至2%或2%以下之因數，藉此具有對總處理速度之顯著較低效應。相似地，投影至少10個光束可將總重疊縮減達大約為原先的1/10之因數。因此，容許度對基板之處理時間之效應可因多個光束由同一透鏡同時地投影之特徵而縮減。或者或另外，可允許較多重疊(因此允許較大容許度帶)，此係因為其對處理之效應低(假如多個光束係由同一透鏡同時地投影)。
替代經由同一透鏡而同時地投影多個光束或除了經由同一透鏡而同時地投影多個光束以外，亦可使用交織技術，然而，此情形可能需要在透鏡之間的可比較更嚴格之匹配。因此，經由透鏡中之同一透鏡而同時地投影至基板上之至少兩個光束具有相互間隔，且裝置可經配置以操作第二致動器，以便相對於光學柱來移動基板以具有待投影於該間隔中之光束之後繼投影。
為了在方向D上縮減在群組中之順次光束之間的距離(藉此(例如)在方向D上達成較高解析度)，相對於方向D，可相對於彼此對角地配置該等光束。可藉由在光學路徑中提供分段鏡面30來進一步縮減間隔，每一片段用以反射光束中之一各別光束，該等片段經配置以便相對於在入射於該等鏡面上之光束之間的間隔來縮減在由該等鏡面反射之光束之間的間隔。此效應亦可由複數個光纖達成，光束中每一者入射於該等光纖中之一各別光纖上，該等光纖經配置 以便沿著光學路徑相對於在該等光纖上游之光束之間的間隔來縮減在該等光纖下游之光束之間的間隔。
另外，可使用具有複數個輸入之整合式光學波導電路來達成此效應，每一輸入用於接收光束中之一各別光束。整合式光學波導電路經配置以便沿著光學路徑相對於在整合式光學波導電路上游之光束之間的間隔來縮減在整合式光學波導電路下游之光束之間的間隔。
可提供用於控制投影至基板上之影像之聚焦的系統。可提供用以調整由呈如上文所論述之配置之光學柱之部件或全部投影的影像之聚焦的配置。
在一實施例中，投影系統投影至少一輻射光束至由在待形成有一器件之基板17上方之材料層形成的基板上，以便造成由雷射誘發性材料轉移對材料(例如，金屬)小滴之局域沈積。
參看圖5，描繪雷射誘發性材料轉移之實體機構。在一實施例中，在低於實質上透明材料202(例如，玻璃)之電漿崩潰之強度下聚焦輻射光束200通過材料202。在由上覆於材料202之供體材料層204(例如，金屬膜)形成之基板上發生表面熱吸收。熱吸收會造成供體材料204之熔融。另外，加熱在前向方向上造成誘發性壓力梯度，從而導致供體材料小滴206自供體材料層204且因此自供體結構(例如，板)208之前向加速。因此，自供體材料層204釋放供體材料小滴206且使供體材料小滴206移動(憑藉或不憑藉重力)朝向及到達待形成有一器件之基板17。藉由將光束 200指向於供體板208上之適當位置上，可將供體材料圖案沈積於基板17上。在一實施例中，將光束聚焦於供體材料層204上。
在一實施例中，使用一或多個短脈衝以造成供體材料之轉移。在一實施例中，該等脈衝之長度可為幾皮秒或飛秒以獲得熔融材料之準一維前向熱及質量轉移。此等短脈衝在材料層204中促進很少至無側向熱流，且因此在供體結構208上促進很少或無熱負荷。短脈衝實現材料之快速熔融及前向加速(例如，諸如金屬之汽化材料將損失其前向方向性，從而導致飛濺沈積)。短脈衝使材料能夠加熱至恰好高於加熱溫度但低於汽化溫度。舉例而言，對於鋁，約攝氏900度至攝氏1000度之溫度係理想的。
在一實施例中，經由使用雷射脈衝，將適量材料(例如，金屬)以100奈米至1000奈米之小滴之形式自供體結構208轉移至基板17。在一實施例中，供體材料包含金屬或基本上由金屬組成。在一實施例中，金屬為鋁。在一實施例中，材料層204呈膜之形式。在一實施例中，膜附接至另一本體或層。如上文所論述，本體或層可為玻璃。
可提供構成資料處理系統100(其亦可被稱作「資料路徑」)之硬體及/或軟體以將待形成於基板上之期望器件圖案之基於向量之表示轉換成適於驅動可程式化圖案化器件之控制信號，而使得施加適於形成期望器件圖案之輻射之劑量圖案至目標(例如，基板)。圖6為展示可包括於此資料路徑中之實例處理級100的示意性說明。在一實施例中， 該等級中每一者直接地連接至其相鄰級。然而，無需為此狀況。在一實施例中，可在所示級中任一者之間提供一或多個額外處理級。或者或另外，該等級中之一或多者中每一者可包含多個級。可組合該等級中之一或多者。在一實施例中，使用單一實體處理單元(例如，可進行計算操作之電腦或硬體)或不同處理單元來實施該等級。
在圖6所示之實例中，在儲存級102中提供期望器件圖案之基於向量之表示。在一實施例中，可使用諸如GDSII之向量設計封裝來建構基於向量之表示。將基於向量之表示自儲存級102直接地或經由一或多個中間級轉遞至光柵化級104。中間級之實例包括向量預處理級及低通濾波器級。在一實施例中，舉例而言，低通濾波器級執行抗頻疊處理。
光柵化級104將期望器件圖案之基於向量之表示(或基於向量之表示之經處理版本)轉換成對應於期望器件圖案之期望劑量圖案之經光柵化表示(亦即，適於藉由基板之曝光後處理來形成期望器件圖案)。在一實施例中，經光柵化表示包含位元映像資料(bitmap data)。位元映像資料可被稱作「像素映像(pixelmap)」資料。在一實施例中，位元映像資料包含指示點柵格上之每一點處之期望劑量的值集合。點柵格可被稱作光柵化柵格。
在一實施例中，供應經光柵化表示(如自光柵化級104直接地或在進一步處理之後輸出)至控制信號產生級106。控制信號產生級106可實施為單一級(如圖所示)或實施為複數 個分離級。
在一實施例中，控制信號產生級106在光柵化柵格與界定圖案化器件可在目標(例如，基板)位階處形成光點曝光所處之部位之柵格(其可被稱作「光點曝光柵格」)之間執行映射操作。每一光點曝光包含一劑量分佈。劑量分佈指定由光點施加至基板之每單位面積能量(亦即，每單位面積劑量)如何依據光點內之位置而變化。劑量分佈可被稱作「點散佈函數(point spread function)」。在一實施例中，藉由參考劑量分佈中之特性點來界定光點曝光之位置。在一實施例中，特性點為每單位面積最大劑量之位置。在一實施例中，每單位面積最大劑量之位置係在光點之中心區中。在其他實施例中，每單位面積最大劑量之位置不在光點之中心區中。在一實施例中，劑量分佈成圓形地對稱。在此實施例中，光點可被稱作圓形光點。在此實施例中，每單位面積最大劑量之位置可位於圓圈之中心處。在其他實施例中，劑量分佈不為圓形。在一實施例中，劑量分佈中之特性點為劑量分佈之「質心」(藉由與具有可變密度之平坦物件之質心進行直接類比而界定，其中光點曝光之每單位面積劑量為平坦物件之每單位面積質量之等效者)。因此，劑量分佈之「質心」表示劑量之平均部位。在一實施例中，光點曝光柵格中之每一柵格點表示圖案化器件(及/或投影系統)可施加至基板之光點曝光中之一不同光點曝光的位置(例如，特性點之位置)。
在一實施例中，微影或曝光裝置經組態以產生由離散 「光點」(例如，圓形光點)組成之光點曝光。在此實施例之實例中，在目標之位階處的給定輻射光束之強度在由彼輻射光束對不同光點之曝光之間有時會達到零。在一實施例中，微影或曝光裝置經組態以產生呈連續線形式之光點曝光。連續線可被認為是一光點曝光序列，其中在基板之位階處的給定輻射光束之強度在由彼輻射光束對該序列中之不同光點之曝光之間不會達到零。上文參看圖4描述此類型之一實例實施例。
在一實施例中，舉例而言，每一光點曝光對應於目標上在單一自發射對比器件係以恆定功率被驅動之單一時期期間起源於彼對比器件之輻射劑量區。在一實施例中，映射操作包含在光柵化柵格與光點曝光柵格之間的內插。在一實施例中，映射操作經組態以自度量衡資料儲存級108接收度量衡資料。在一實施例中，度量衡資料指定(例如)已裝配基板及/或先前形成於已裝配基板上之器件圖案相對於圖案化器件之位置及/或定向。在一實施例中，度量衡資料亦指定已裝配基板或先前已形成器件圖案之測定失真。在一實施例中，舉例而言，該等失真包括以下各者中之一或多者：移位、旋轉、偏斜及/或放大。因此，度量衡資料提供關於應如何進行光柵化柵格與光點曝光柵格之間的內插以便確保期望劑量圖案在目標上之適當定位的資訊。
控制信號產生級106可演算待施加於光點曝光柵格中之每一位置處以形成期望劑量圖案之「強度」、「能量」及/ 或「劑量」集合。在本申請案中，在參考「強度」時，其應被理解為涵蓋強度、能量及/或劑量。在一實施例中，舉例而言，對於柵格中之每一位置，強度集合界定待用以產生居中於彼位置處之光點之輻射光束的功率。在一實施例中，舉例而言，輻射光束之功率係由施加至將產生輻射光束之自發射對比器件之電壓或電流的大小界定。此演算可考量光學投影系統之屬性，且因此可被稱作「反向光學(inverse-optics)」演算。在一實施例中，該演算考量個別光點之大小及/或形狀。在一實施例中，個別光點之大小及/或形狀係至少部分地由光學投影系統之一或多個屬性規定。在一實施例中，針對光點之給定可能外加強度集合中之每一強度來界定該大小及/或形狀。在一實施例中，舉例而言，光點大小及/或形狀界定給定光點之外加劑量之位置的變化。在一實施例中，該演算亦考量光點之位置與由理想(亦即，無工程誤差)光點曝光柵格幾何形狀界定之標稱位置的偏差。
在一實施例中，可程式化圖案化器件經組態以產生具有可個別控制曝光時間之複數個輻射光束。每一曝光時間對應於供施加對應於給定光點曝光之輻射的時期。在此實施例之一實例中，控制信號產生級106演算目標曝光時間集合。在一實施例中，使用定位於輻射源(例如，一或多個自發射對比元件)與目標之間的遮光片元件或遮光片元件矩陣來控制曝光時間。在此實施例之一實例中，輻射源可經組態以在不同光點之曝光之間保持「接通」。曝光時間 係由供遮光片元件或遮光片元件矩陣之相關部件「接通」的時間長度判定。或者或另外，藉由控制輻射源(例如，一或多個自發射對比元件)之驅動持續時間來控制曝光時間。
在一實施例中，可程式化圖案化器件經組態以產生具有可個別控制強度及可個別控制曝光時間之複數個輻射光束。在此實施例之一實例中，控制信號產生級106演算適於達成期望劑量圖案的目標強度值及目標曝光時間之組合。
在一實施例中，該等光點在目標(例如，基板)位階處彼此重疊，使得在光點曝光柵格中之參考位置處達成之最終劑量取決於數個相鄰光點處之外加強度。此效應可藉由迴旋(或解迴旋)運算予以數學地描述(處置/模型化)。在一實施例中，控制信號產生級106執行反轉程序以判定待施加於給定期望劑量圖案之每一位置處之強度。因此，在此實施例中，控制信號產生級106執行解迴旋(或迴旋)運算。此運算在下文被稱作迴旋(解迴旋)運算。在一實施例中，迴旋(解迴旋)運算係由迴旋(解迴旋)核心界定。在一實施例中，迴旋(解迴旋)核心係由迴旋(解迴旋)矩陣表示。在一實施例中，此迴旋(解迴旋)矩陣之係數被解譯為界定需要在演算待施加於光點曝光柵格中之對應點(或光點)處之強度時考量期望劑量圖案中之參考點附近的點處之劑量之程度的權重。
圖7及圖8高度示意性地說明此迴旋(解迴旋)運算中之步 驟。
圖7說明高度示意性實例光點曝光柵格120之部分。柵格120中之每一點125表示將由圖案化器件在目標上形成之光點之中心。迴旋(解迴旋)運算旨在判定待施加於點125中每一者處之強度值。光點曝光柵格120將具有對應於圖案化器件能夠在目標上形成之光點曝光圖案之幾何形狀。在一實施例中，因此，光點曝光柵格之幾何形狀不規則。在不規則柵格中，在本申請案之涵義內，柵格點之密度依據位置而變化，使得沒有可能藉由僅使含有單一柵格點之單一單位格成棋盤格狀來完全地建構該柵格。圖7所說明之柵格120之幾何形狀係高度地示意性的，且未必類似於與商業器件相關聯之光點曝光柵格。
圖8說明高度示意性實例光柵化柵格122之實例部分。在此實例中，光柵化柵格122具有規則幾何形狀。在此實例中，規則幾何形狀為矩形。在本申請案之涵義內，規則柵格之柵格點之密度在可藉由僅使包含單一柵格點之單一類型之單位格成棋盤格狀來完全地形成該柵格的意義上「均一」。點線121說明實例單位格。該點線使四分之一的柵格點相交且因此總共含有一個柵格點。在一實施例中，可在柵格122中之點126中每一者處提供期望劑量圖案之一樣本。
圖7中之實心柵格點123表示參考柵格點(被隨機地選擇)。應用迴旋(解迴旋)運算來導出待施加於實心柵格點123處之強度將涉及在對應於參考柵格點123之位置之光點 曝光柵格附近的光點曝光柵格中之複數個柵格點處之期望劑量圖案之樣本的加權貢獻。圖8中之實心柵格點127示意性地表示涉及此迴旋(解迴旋)運算之柵格點。在一實施例中，被表達為矩陣之迴旋(解迴旋)核心將界定哪些柵格點126被涉及(藉由該矩陣中之非零係數之位置)及該等柵格點被涉及之程度(藉由該矩陣中之非零係數之值)。
在一實施例中，迴旋(解迴旋)運算之性質對於光點曝光柵格中之不同點(或甚至在不同點之間)不同。在一實施例中，舉例而言，此變化考量圖案化器件之光學效能之變化。在一實施例中，使用校準量測來獲得光學效能之變化。在一實施例中，在需要時儲存及存取視情況自校準量測而獲得之迴旋(解迴旋)核心庫。
在一實施例中，控制信號產生級106將待施加於光點曝光柵格中之點中每一者處之強度值序列轉換成設定點值，以便產生控制信號。在一實施例中，設定點值考量圖案化器件之性質。舉例而言，在圖案化器件包含複數個自發射對比器件的情況下，此實施例中之設定點值考量該等自發射對比器件之回應之非線性(例如，輸出功率依據外加設定點/電壓/電流之變化之非線性)。在一實施例中，舉例而言，設定點值藉由校準量測來考量標稱等同對比器件之屬性之變化。
控制信號輸出級110自控制信號產生級接收控制信號且供應該信號至圖案化器件。
在圖6所示之實例中，級102及104在資料路徑之離線部 分112中操作，且級106至110在資料路徑之線上(亦即，即時)部分114中操作。然而，此情形並非必需的。在一實施例中，線上進行與級104相關聯之功能性之全部或部分。或者或另外，離線進行級106及/或108之功能性之全部或部分。
圖9說明基板W上之實例器件佈局。舉例而言，該器件佈局可針對平板顯示器或其部分。該佈局包含複數個矩形區域134，複數個矩形區域134包含由邊界區132環繞之像素154陣列(圖10所示)。圖10描繪矩形區域中之一者之隅角區130的近視圖。
所說明之器件佈局含有大量重複。界定像素154中每一者所必要之器件圖案等同。相似地，界定邊界區132之區段138至145所必要之器件圖案中每一者等同。在像素154中每一者內及/或在區段138至145中之一或多者中每一者內亦可存在顯著程度之重複。
在一實施例中，藉由在基於向量之表示中使用階層來採用期望器件圖案內之重複。在一實施例中，提供基元圖案庫，且基於向量之表示藉由指定此等基元圖案之例項在器件圖案中位於何處(例如，藉由指定其部位及定向)來描述該圖案。
圖11描繪兩個實例基元P1及P2。圖12說明自兩個P1基元及一個P2基元建置之目標器件圖案之部分。軸線160及162表示基於向量之表示之座標系統中的軸線(例如，X及Y)。箭頭164、166及168說明指定圖案中之三個基元之位置的 向量。界定此圖案之基於向量之表示包含所使用之兩個基元P1及P2(其可被稱作「基元資料」)及向量164、166、168(其可被稱作「例項資料」)中每一者之定義。在此實例中，例項資料僅包含位置資訊(經由向量164、166及168)。然而，在一實施例中，提供諸如定向資訊之其他資訊。基元P1僅必須被界定一次，而不管存在基元P1之複數個例項的事實。在存在任何給定基元之大數目個例項的情況下，相比於分離地界定每一基元而不管重複之表示(亦即，不具有階層之系統)，將因此存在資料量之大縮減。
資料路徑處理將基於向量之表示轉換成經光柵化表示，以作為形成用於圖案化器件之控制信號之步驟。然而，光柵化程序通常涉及不保持任何階層之位元映像檔案之產生。若重複一特徵，則亦將傾向於重複界定彼特徵之全部位元映像值。因此，光柵化程序之輸出傾向於比基於向量之表示大得多。舉例而言，對於在100奈米柵格上所界定之典型圖案的基於向量之表示，典型資料大小將為約100百萬位元組。此圖案之經完全解壓縮之經光柵化表示(亦即，不具有階層之表示)可為約100萬億位元組。
在資料路徑中難以有效率地處置大資料量，從而增加費用及/或抑制效能。
根據一實施例，藉由延遲期望劑量圖案資料之完全解壓縮直至稍後使其在資料路徑中為止來改良資料路徑之效能。藉由將期望器件圖案之基於向量之表示轉換成維持一定程度之階層(且因此維持一定程度之壓縮)之經光柵化表 示來達成此改良。維持一定程度之階層之經光柵化表示可被稱作階層式經光柵化表示。
在一實施例中，如下產生階層式經光柵化表示。產生用於基於向量之表示中之基元圖案中每一者之經光柵化版本。經光柵化版本可被稱作「經光柵化基元」。接著儲存用於給定期望器件圖案之經光柵化基元，連同描述每一經光柵化基元之每一例項在該圖案中定位於何處之例項資料。在一實施例中，每當將轉換給定基於向量之表示時，就產生經光柵化基元。或者或另外，形成經預光柵化基元庫。在一實施例中，此庫含有對應於用於待轉換之給定基於向量之表示中之基元的經光柵化基元加上可有用於轉換其他基於向量之表示的數個其他經光柵化基元。在一實施例中，該庫含有用於可由給定類型之基於向量之表示使用之全部基元的經光柵化基元。在一實施例中，該庫含有用於可以GDSII格式而使用之每一基元的經光柵化基元。使用此庫可加快產生階層式經光柵化表示之程序。
圖13示意性地說明在一實施例中如何形成分別對應於圖11所示之基元P1及P2之經光柵化基元RP1及RP2。在此實施例中，經光柵化基元包含表示待施加於光柵化柵格之區158集合中之每一區中之劑量的值集合。
圖14說明一實施例中之例項資料如何描述應如何定位經光柵化基元RP1及RP2。軸線170及172界定座標系統。在此實施例中，例項資料包含相對於座標系統而界定之向量174、176及178，其指定RP1經光柵化基元之兩個例項及 RP2經光柵化基元之一個例項的位置。在此實例中，例項資料僅包含位置資訊(經由向量174、176及178)。然而，在一實施例中，提供諸如定向資訊之其他資訊。
基元(基於向量及/或經光柵化)可採取各種形式。在一實施例中，基元包含以下各者中之一或多者：封閉形狀(例如，圓圈)、多邊形(規則或不規則)、形成非封閉形狀之相交線(例如，交叉形狀)、非相交線(例如，單一線、複數個線、平行線、形成隅角或轉彎之線)。在一實施例中，基元包含對應於特定器件特徵的期望器件圖案之部分。在一實施例中，基元中至少一者包含界定單一平板顯示器像素所必要之大多數或全部圖案。在一實施例中，基元中至少一者包含界定平板顯示器之邊界區之片段所必要的大多數或全部圖案。在一實施例中，邊界區之片段包含實質上垂直於基板之掃描方向而對準之邊界區之部分。在此實施例中，邊界區之部分視情況包括實質上平行於掃描方向之邊界區之全部寬度，及實質上垂直於掃描方向之邊界區之長度的部分。在一實施例中，邊界區之片段包含實質上平行於掃描方向而對準之邊界區之部分。在此實施例中，邊界區之部分視情況包括實質上垂直於掃描方向之邊界區之全部寬度，及實質上平行於掃描方向之邊界區之長度的部分。
在一實施例中，形成期望器件圖案之基元中之一或多者可彼此重疊。
在上文參看圖6所描述之實例資料路徑處理序列中，光 柵化級104經組態以離線操作。在光柵化級產生經完全解壓縮之經光柵化表示(亦即，不具有階層)的情況下，因此使用大容量儲存硬體以儲存輸出且傳送該輸出至資料路徑之線上部分。
在一實施例中，光柵化級104經組態以輸出如上文所描述之階層式經光柵化表示，而非經完全解壓縮之經光柵化表示。此途徑縮減經儲存及傳送之資料量且因此節約成本及/或時間。
在一實施例中，藉由控制信號產生區段106執行階層式經光柵化表示之解壓縮(亦即，階層之移除)。在一實施例中，線上執行解壓縮。在一實施例中，舉例而言，執行解壓縮以作為光柵化柵格與光點曝光柵格之間的映射操作之部分。在一實施例中，將解壓縮之程序與在光柵化柵格與光點曝光柵格之間內插之程序進行組合。在一實施例中，進行解壓縮及/或映射及/或內插之至少一部分，同時藉由微影或曝光裝置將圖案形成於基板中或上。在一實施例中，對於光柵化柵格中之每一點，解壓縮包含參考例項資料及經光柵化基元資料以判定該點處之期望劑量值。
圖15說明根據一實施例的資料處理系統100之部分。在此實施例中，經由輸出單元180而輸出設定點資料或用於導出設定點資料之資料。提供複數個輸出單元180。每一輸出單元180對應於待曝光有期望劑量圖案的目標(例如，基板)之區域之部分。在一實施例中，每一部分為實質上平行於基板相對於圖案化器件之掃描方向而對準之條帶。 在一實施例中，每一部分對應於來自單一機械相異圖案化器件或該圖案化器件之部分之光點曝光被接收的區。在一實施例中，條帶中每一者係與來自一圖案化器件之一個以上自發射對比器件中之一者或其群組的光點曝光對準。在一實施例中，條帶中每一者係與來自透鏡12之光點曝光對準，透鏡12經組態以自一個以上自發射對比器件之一特定自發射對比器件或其群組接收輻射且與一個以上自發射對比器件之彼自發射對比器件或彼群組有固定空間關係(例如，透鏡12未如同透鏡14及18一樣經組態成在框架8上旋轉)。在一實施例中，條帶在實質上垂直於掃描方向之方向上彼此重疊以有助於確保所形成之劑量圖案之連續性。
輸出單元180中每一者連接至一處理單元182，處理單元182經組態以演算用於其被連接至之輸出單元180之設定點資料(或用於導出設定點資料之資料)。在一實施例中，演算包含上文關於控制信號產生級106所描述之演算中之一或多者。在一實施例中，演算包括將對應於與處理單元182相關聯之條帶的期望劑量圖案之部分之經光柵化表示轉換成用於產生期望劑量圖案之設定點資料序列。在一實施例中，在處理單元係與圖案化器件之一特定部分相關聯的情況下，設定點資料經組態成適於控制與圖案化器件之彼部分相關聯之一或多個對比器件。
在一實施例中，資料處理系統100包含較高頻寬記憶體區段185及較低頻寬記憶體區段189(較高頻寬記憶體區段185具有高於該較低頻寬記憶體區段之頻寬的頻寬)。在一 實施例中，較高頻寬記憶體區段185包含複數個分離局域記憶體184。在一實施例中，局域記憶體184中每一者連接至處理單元182中之一者。在一實施例中，較低頻寬區段189包含一或多個共用記憶體188。在一實施例中，一或多個共用記憶體188中每一者可選擇性地連接至處理單元182中之兩者或兩者以上。在所示實例中，共用記憶體188中每一者可經由開關186而選擇性地連接至兩個處理單元182。在其他實施例中，共用記憶體可連接至兩個以上處理單元182及/或可連接至彼此不直接地鄰近(亦即，不相鄰)之處理單元182。
在一實施例中，資料處理系統100包含複數個局域記憶體184而不包含共用記憶體188。在一實施例中，資料處理系統100包含複數個共用記憶體188而不包含局域記憶體184。在一實施例中，在具有或不具有局域記憶體184的情況下，提供單一共用記憶體188。
提供具有不同頻寬之分離記憶體區段會使有可能以更加最佳之方式儲存待由處理單元182轉換之經光柵化表示。詳言之，有可能將需要較頻繁地、以較高速率及/或由若干處理單元182同時地存取之資料儲存於較高頻寬記憶體區段185中，且將需要較不頻繁地、以較低速率及/或由較少或無處理單元182同時地存取之資料儲存於較低頻寬記憶體區段189中。此途徑使有可能針對給定效能位準來最小化總記憶體頻寬，因此縮減或最小化成本(及/或針對給定成本來最大化或改良效能)。
在一實施例中，將與期望器件圖案之在實質上垂直於掃描方向之方向上重複而使得可需要由不同處理單元182同時地存取之部分相關聯的資料儲存於較高頻寬區段185中，例如，儲存於呈圖15所示之類型之配置的局域記憶體184中每一者中。在一實施例中，可將在條帶中之兩者或兩者以上中每一者中具有一或多個例項之基元圖案儲存於較高頻寬區段185中。在一實施例中，可將在大部分條帶中每一者中具有一或多個例項之基元圖案儲存於較高頻寬區段185中。在一實施例中，可將在兩個以上條帶中(或在大部分條帶中)具有若干例項且在實質上垂直於掃描方向之方向上彼此重疊之基元儲存於較高頻寬區段185中。
在經組態以應付圖9及圖10所示之類型之器件佈局的實施例中，在掃描方向係水平地自左至右之狀況下，將與像素154相關聯之資料以及與實質上垂直於掃描方向之邊界區之片段138及139相關聯的資料儲存於較高頻寬區段185中。與此對比，將與實質上平行於掃描方向而對準(且將因此很少地為大數目個不同處理單元182同時地需要)之片段140至145相關聯之資料儲存於較低頻寬記憶體區段189中，例如，儲存於呈圖15所示之類型之配置的共用記憶體188中每一者中。
在一實施例中，將與期望器件圖案之相比於器件圖案之平均值在內部具有較低特徵重複位準(及/或較高熵)且在實質上垂直於掃描方向之方向上伸長之部分相關聯的資料儲存於較高頻寬區段185中。此等部分之實例為平板顯示器 件圖案中之邊界區(或其片段)(例如，片段138及139)。用以表示此等部分之圖案的每單位面積資料之量將相對高(即使在使用階層/壓縮的情況下亦如此)。實質上垂直於掃描方向之伸長傾向於意謂將需要以高速率及/或由複數個處理單元同時地存取資料。因此，使用較高頻寬區段189對於此等部分有利。
在一實施例中，將與期望器件圖案之相比於該圖案內之平均值在內部具有較低重複位準(及/或較高熵)但在實質上垂直於掃描方向之方向上不伸長之部分相關聯的資料儲存於較低頻寬區段189中。此等部分之實例為平板顯示器件圖案中之邊界區(或其片段)(例如，片段140至145)。儘管用以表示此等部分之圖案的每單位面積資料之量將高，但缺乏實質上垂直於掃描方向之伸長將傾向於縮減資料針對資料路徑演算將被存取之速率及/或將同時地存取資料之處理單元之數目。
在一實施例中，資料選擇性地儲存於較低頻寬記憶體區段189或較高頻寬記憶體區段185中所針對的器件圖案之重複部分具有大於最小臨限值大小之表面積。在一實施例中，最小臨限值大小為約104×(臨界尺寸)2。此處，可被稱作「CD」之「臨界尺寸」指代所使用裝置之解析度或可由該裝置在基板中或上成像或形成之最小結構之特性長度標度。在一實施例中，臨界尺寸為約1微米。在此實施例之一實例中，最小臨限值大小為約104×(微米)2。在一實施例中，將小於最小臨限值大小的期望器件圖案之部分聚集 在一起以形成大於最小臨限值大小之部分。在一實施例中，此聚集程序係由光柵化單元104執行。在一實施例中，由光柵化單元104輸出以作為階層式經光柵化表示之部分之經光柵化基元包含經聚集圖案之經光柵化版本。
通常不能將具有一階層(經光柵化或未經光柵化)之期望劑量圖案之表示按資料將需要在曝光期間或在曝光之前不久之處理步驟中被存取的次序儲存於記憶體中。若該階層仍存在於資料路徑之線上部分中，則可難以提供及/或昂貴的是提供可足夠快速地處理階層式表示以達成期望產出率之硬體。
在一實施例中，提供用以「適時地(just in time)」實施期望劑量圖案之僅將在某一(例如，預定)時期內形成於基板上之部分之影像重新建構的裝置及方法。在一實施例中，該時期係根據可用記憶體及記憶體頻寬予以設定。
圖16說明根據一實施例的資料路徑之部分。提供資源級190。資源級190在要求時提供資料單元。此等資料單元中每一者表示一期望劑量圖案之一不同部分。在一實施例中，資源級190包含儲存資料單元之記憶體。在一實施例中，資源單元190係與儲存資料單元之記憶體通信。提供自資源級190接收資料單元之緩衝記憶體196。緩衝記憶體196在需要時(例如，「適時地」)輸出(195)資料單元以提供控制信號至可程式化圖案化器件。在一實施例中，緩衝記憶體196具有有限大小，但具有高頻寬。在一實施例中，直接地提供輸出195至可程式化圖案化器件。在一實施例 中，提供輸出195至中間處理器件，中間處理器件將在該輸出用以驅動可程式化圖案化器件之前進一步處理該輸出。在一實施例中，即時地(亦即，在曝光程序之至少一部分期間在資料路徑之線上部分中)提供輸出195。
在一實施例中，提供控制資料單元至及/或自緩衝記憶體196之傳送之流程控制器192。在一實施例中，該控制係使得每一資料單元儲存於緩衝記憶體196中歷時短於曝光完整期望劑量圖案所必要之時間之時期。藉此縮減緩衝記憶體196相對於儲存完整期望劑量圖案之記憶體之大小。
在一實施例中，期望劑量圖案劃分成若干部分。在一實施例中，每一部分係由一個資料單元表示。該等部分可被稱作區塊。在一實施例中，一個區塊具有與至少一其他區塊之大小實質上相同的大小。在一實施例中，所有區塊具有實質上相同大小。在一實施例中，一個區塊具有與至少一其他區塊之形狀實質上相同的形狀。在一實施例中，所有區塊具有實質上相同形狀。在一實施例中，一個區塊具有與至少一其他區塊之定向實質上相同的定向。在一實施例中，所有區塊具有實質上相同定向。在一實施例中，在期望劑量圖案之給定條帶內之所有區塊具有實質上相同形狀及/或定向。在一實施例中，不同條帶中之區塊具有不同形狀及/或定向。在一實施例中，每一條帶係實質上平行於基板相對於圖案化器件之掃描方向而對準。在一實施例中，每一條帶對應於來自單一機械相異圖案化器件或該圖案化器件之部分之光點曝光被接收的區。
在一實施例中，期望劑量圖案之個別結構不限於完全地位於一個區塊內。個別特徵可跨越複數個區塊。在一實施例中，個別結構不與區塊對準及/或不與光柵化柵格對準。在一實施例中，資料處理器件100執行跨越複數個區塊、不對準至該等區塊及/或不對準至光柵化柵格之結構之間的縫合。
在一實施例中，每一區塊包含光柵化柵格中之點之一矩形或正方形柵格。在一實施例中，每一區塊包含32×32個點。在一實施例中，每一區塊包含16×16個點。在一實施例中，每一區塊包含32×16個點。在一實施例中，每一區塊含有除了32×32、16×16或32×16個點以外之數個點。
在一實施例中，每一資料單元包含一區塊中之期望劑量圖案之一階層式經壓縮表示。在一實施例中，階層式表示為經光柵化表示。在一實施例中，經光柵化表示包含一或多個經光柵化基元及例項資料。每一經光柵化基元為一不同基元圖案之一經光柵化版本。例項資料指定區塊中之期望劑量圖案之部分如何由儲存於資料單元中之經光柵化基元中每一者之一或多個例項形成。
在一實施例中，流程控制器192接收指定每一資料單元中所指定之劑量圖案之部分應在目標(例如，基板)上形成所處之一或多個位置的資訊。在一實施例中，此資訊係至少部分地自資料單元自身(例如，自例項資料)導出。
在一實施例中，流程控制器192經組態以自校準單元194接收輸入。在一實施例中，校準單元194提供關於基板之 狀態之資訊。在一實施例中，關於基板之狀態之資訊係自基板之狀態之量測導出。在一實施例中，關於基板之狀態之資訊係由操作者指定。在一實施例中，基板之狀態包括基板之位置及/或速度(例如，相對於可程式化圖案化器件或其他參考框架，其相對於微影裝置之安裝環境而固定)。在一實施例中，基板之狀態包括基板之失真及/或基板之定向。在一實施例中，失真/定向包括選自以下各者之一或多者：放大、平移、旋轉，及/或偏斜。在一實施例中，校準單元194亦提供關於投影系統光學件之狀態之資訊。在一實施例中，提供投影系統光學件(例如)相對於基板之定向的定向。
在一實施例中，流程控制器192依據在將需要資料單元時影響之一或多個因素來控制資料單元至及/或自緩衝記憶體196之傳送。在一實施例中，關於此(此等)因素之資訊係由校準單元194提供。在一實施例中，流程控制器192依據以下各者中之一或多者來控制資料單元至及/或自緩衝記憶體196之傳送：1)基板相對於可程式化圖案化器件之掃描速度；及2)目標(例如，基板)上之期望劑量圖案之放大程度。以此方式，縮減資料單元儲存於緩衝記憶體196中之平均時間。因此，可縮減緩衝記憶體196之大小及/或頻寬要求。
在一實施例中，提供基板調適單元198。在一實施例中，流程控制器192控制資料單元自基板調適單元198至緩衝記憶體196之傳送。在一實施例中，基板調適單元198自 資源單元190接收資料單元。在一實施例中，基板調適單元198將變換(例如，幾何變換)應用於經接收資料單元。在一實施例中，該變換校正該等資料單元以考量基板之幾何狀態(例如，相對於投影系統光學件之幾何狀態(例如，定向))。在一實施例中，關於基板之幾何狀態之資訊係由流程控制器192及/或校準單元194提供。在一實施例中，該變換校正每一資料單元以考量在對應於該資料單元之圖案將被形成之區中的基板之幾何狀態。在一實施例中，基板之幾何狀態包括選自以下各者之一或多者：基板之定向、平移移位、旋轉移位、偏斜，及/或放大。
在資源單元190下游調適/變換資料單元以考量基板之幾何狀態會縮減由資源單元190提供之資料單元需要為基板相依的程度。縮減基板相依性會縮減資料單元需要在基板改變時在資源單元190之位階處被調適的程度，因此潛在地縮減資料處理要求。在基板之幾何形狀被完全地考量之極限情況下，由資源單元190提供之資料單元可為非基板相依的。使資料單元為基板相依的意謂資料單元無需在基板改變時被重新載入，因此縮減基板更迭時之處理負荷及/或加快基板更迭處理及/或改良產出率。
在資源單元190下游調適/變換資料單元以考量基板之定向會使有可能有效率地應付基板之不同定向(例如，一個基板不同於下一基板之定向、不為矩形之定向，及/或在與期望劑量圖案或構成期望劑量圖案之區塊相同的方向上未對準之定向)。可在不改變在資源單元190處或之前的資 料處理操作中任一者的情況下處置不同定向。
考量在資源單元190下游之基板速度會使有可能在不改變在資源單元190處或之前的資料處理操作中任一者的情況下應付不同掃描速度。
在一實施例中，劑量圖案之一或多個區包含空白區。在一實施例中，空白區位於基板邊緣之區中。在一實施例中，此等空白區係由「黑色」區塊或含有均一零強度/劑量之區塊表示。可重複地再用表示此黑色區塊之單一資料單元以形成空白區，因此改良效率。
在一實施例中，資源單元190經組態以處置為非基板相依之一或多個資料單元及為基板相依之一或多個資料單元。在一實施例中，根據以上論述而自資源單元190下游處理非基板相依資料單元及基板相依資料單元(例如，以補償特定基板之掃描速度及/或幾何狀態/定向)。在一實施例中，非基板相依資料單元表示對於複數個不同基板等同的期望劑量圖案之區塊。在一實施例中，基板相依資料單元表示對於所曝光之特定基板獨特的期望劑量圖案之區塊，諸如，表示該基板之序號之全部或部分的區塊。使資源單元190能夠處置基板相依資料及非基板相依資料兩者會使有可能有效率地處置對於一系列基板等同之期望劑量圖案，惟諸如序號之小獨特特徵除外。在(例如)基板交換時僅需要將基板相依資料載入至記憶體中。不必重新載入大半資料。
將期望器件圖案之基於向量之表示轉換成對應劑量圖案 之經光柵化或經取樣表示的程序可涉及顯著計算資源。處置所獲得之經光柵化或經取樣表示可需要顯著儲存要求。傳輸或傳達所獲得之經光柵化或經取樣表示可需要顯著傳輸頻寬。處理所獲得之經光柵化或經取樣表示(例如)以產生用於可程式化圖案化器件之設定點資料可需要顯著處理能力。
在一實施例中，基於光柵化或取樣柵格來執行光柵化程序。光柵化或取樣柵格界定經光柵化或經取樣表示界定期望劑量值(亦即，取樣)所處之點或部位。在一實施例中，光柵化或取樣柵格係由一或多個基底函數界定。在一實施例中，此基底函數包含選自以下各者之一或多者：狄拉克(Dirac)δ函數脈衝、仿樣函數、傅立葉(Fourier)級數，及/或多項式。
在一實施例中，執行期望器件圖案之區之分析，以便獲得對獲得、儲存或處理對應於彼區之經光柵化或經取樣表示之計算要求的量度。在一實施例中，執行使用對應於彼區之經光柵化或經取樣表示而產生之模擬或實際劑量圖案的分析。
在一實施例中，基於該分析來修改光柵化或取樣柵格。在一實施例中，修改光柵化或取樣柵格以改變光柵化或取樣柵格之幾何形狀。在一實施例中，修改光柵化或取樣柵格以改變光柵化或取樣柵格之基底函數。在一實施例中，修改光柵化或取樣柵格以改變光柵化或取樣柵格之密度。
在一實施例中，若分析展現出對處置經光柵化或經取樣 表示之一或多個計算要求未足夠良好地匹配至可用資源，則修改光柵化或取樣柵格以改良匹配。在一實施例中，若分析展現出計算要求太高(使得可用資源將被過度使用)，則減低光柵化或取樣柵格之密度(例如，由每單位面積柵格點之平均數目表示)。在一實施例中，若分析展現出計算要求太低(使得可用資源將未被充分使用)，則增加光柵化或取樣柵格之密度。
在一實施例中，模擬或實際劑量圖案之分析包含模擬或實際劑量圖案之影像品質之分析。接著修改光柵化或取樣柵格以達成影像品質之期望位準。在一實施例中，若影像品質太低，則修改光柵化或取樣柵格以增加影像品質(例如，藉由增加柵格密度)。在一實施例中，若影像品質不必要地高，則修改光柵化或取樣柵格以減低影像品質(例如，藉由減低柵格密度)。在一實施例中，分析影像品質以判定線邊緣粗糙度或正規化影像對數斜率(NILS)或此兩者。
藉此可針對可用資源來最大化劑量圖案之品質。在一實施例中，針對不同區獨立地應用光柵化或取樣柵格之修改，以便針對該等不同區之全部來最佳化影像品質。在一實施例中，不同區中之光柵化柵格具有不同密度、幾何形狀及/或基底函數。
圖17為用以將基於向量之表示轉換成經光柵化或經取樣表示之實例裝置的示意性說明。儲存器件210經組態以儲存基於向量之表示且將基於向量之表示或其部分提供至資 料處理器件220。此實施例之資料處理器件220包含分析器212，分析器212經組態以分析期望器件圖案之區以獲得對處置彼區之計算要求之量度，或分析使用該區之經光柵化或經取樣表示而產生之模擬或實際劑量圖案。分析器212輸出分析之結果至柵格修改單元214。柵格修改單元214判定是否應修改光柵化或取樣柵格，且若是，則判定應如何修改光柵化或取樣柵格。
在一實施例中，資料處理器件220包含低通濾波器215(其亦可被稱作抗頻疊濾波器)及光柵化器216。低通濾波器215經組態以對期望器件圖案進行濾波以移除一或多個高空間頻率分量。在一實施例中，低通濾波器215之特徵為截止頻率或頻率範圍(表示低通濾波器行為自實質上阻擋頻率分量改變至使頻率分量實質上通過所遍及之頻率範圍)。低通濾波器215使低於截止頻率或頻率範圍的輸入信號之頻率分量實質上通過。低通濾波器215實質上阻擋高於截止頻率或頻率範圍的輸入信號之頻率分量。
在一實施例中，光柵化器216經組態以光柵化或取樣已由低通濾波器215濾波之期望器件圖案之版本。
在一實施例中，依據待用以執行光柵化之光柵化或取樣柵格來選擇低通濾波器215之行為(例如，截止頻率或頻率範圍)。在一實施例中，濾波器行為經選擇成使得避免由光柵化或取樣柵格對經濾波劑量圖案之不充分取樣造成之頻疊。
在一實施例中，輸出由柵格修改單元214產生之經修改 光柵化或取樣柵格至低通濾波器215(以使能夠相應地選擇濾波器特性)及光柵化器216(以用於執行光柵化)。
在一實施例中，使用來自光柵化器216之輸出218以產生設定點資料序列來驅動曝光裝置之可程式化圖案化器件。
圖18描繪用以獲得經修改光柵化或取樣柵格之實例程序。在一實施例中，所描繪程序係由圖17之實施例之儲存器件210、分析器212、柵格修改單元214及低通濾波器215執行。在一實施例中，傳遞輸出至圖17所描繪之實施例之光柵化器216。
在步驟222中，提供期望器件圖案之基於向量之表示(例如，自儲存器件210)。
在濾波步驟224中，視情況對期望器件圖案進行低通濾波(例如，使用低通濾波器215)。在一替代實施例中，濾波操作不形成用以獲得經修改光柵化或取樣柵格之程序之部分，且步驟222直接地前進至步驟226而略過步驟224(路徑225)。
在分析步驟226中，分析期望器件圖案之區以獲得為獲得、儲存或處理該區之經光柵化或經取樣表示所需要之計算要求的量度，或分析使用該區之經光柵化或經取樣表示而產生之模擬或實際劑量圖案以獲得影像品質之量度。
在比較步驟228中，比較計算要求或影像品質之所獲得量度與經儲存目標計算要求或目標影像品質230。若該比較展現出所獲得量度太低或太高(分支236)，則修改光柵化或取樣柵格(步驟232)且提供經修改光柵化或取樣柵格至分 析步驟226。分析步驟226基於新光柵化或取樣柵格來重複先前所執行之分析。
若比較步驟228中之比較展現出所獲得量度係在經儲存目標要求230之可接受誤差裕度內，或已執行某一(例如，預定)數目個反覆(通過步驟226、228及232之迴路)，則該程序採取分支238且在輸出步驟234中輸出當前經修改光柵化或取樣柵格(假定比較步驟228第一次未被滿足，在此狀況下，輸出最初未經修改光柵化或取樣柵格)。
在一實施例中，針對複數個相異區個別地執行用以獲得計算要求或影像品質之量度之分析。在一實施例中，個別地修改對應於經個別分析區中每一者之光柵化或取樣柵格之部分。在一實施例中，相對於對應於器件圖案之較不複雜或較低解析度區域之區(或需要較不緻密光柵化或取樣柵格以產生適於形成有器件圖案達某一準確度位準之區)，在對應於器件圖案之較複雜或較高解析度區域之區(或需要較緻密光柵化或取樣柵格以產生適於形成有器件圖案達某一準確度位準之區)中，光柵化或取樣柵格之密度經修改為較高。因此，可空間上變化光柵化或取樣柵格密度以適應於期望器件圖案之一或多個要求(例如，線邊緣粗糙度及/或正規化影像對數斜率)。相對於光柵化或取樣柵格在所有區中具有均一密度之狀況，可縮減光柵化或取樣柵格中之柵格點之總數目。較容易避免圖案應僅需要相對稀疏取樣所處之區之過度取樣。較容易避免圖案應需要相對緻密取樣所處之區之不足取樣。
在一實施例中，上文所提及之計算要求包括選自以下各者之一或多者：儲存要求(例如，實體記憶體大小要求)、頻寬要求(例如，對於經光柵化資料之傳輸)，及/或處理要求(例如，對於經光柵化表示之下游處理，例如，用以產生用於可程式化圖案化器件之設定點資料或可用以產生該設定點資料之中間資料)。
根據器件製造方法，可自已經投影有圖案之基板來製造諸如顯示器、積體電路或任何其他項目之器件。
儘管在本文中可特定地參考微影或曝光裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者，包括折射、繞射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件，或其組合。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1‧‧‧裝置
2‧‧‧基板台
3‧‧‧定位器件
4‧‧‧可個別控制自發射對比器件/可個別控制元件
5‧‧‧框架
7‧‧‧致動器/馬達
8‧‧‧旋轉框架/可旋轉框架
9‧‧‧可移動光學件
10‧‧‧軸線
11‧‧‧致動器
12‧‧‧投影系統/透鏡
13‧‧‧孔隙結構
14‧‧‧投影系統/場透鏡
15‧‧‧框架
17‧‧‧基板
18‧‧‧投影系統/成像透鏡
19‧‧‧對準/位階感測器
21‧‧‧陣列
30‧‧‧分段鏡面
100‧‧‧處理級/資料處理系統/資料處理器件
102‧‧‧儲存級
104‧‧‧光柵化級/光柵化單元
106‧‧‧控制信號產生級/控制信號產生區段
108‧‧‧度量衡資料儲存級
110‧‧‧控制信號輸出級
112‧‧‧離線部分
114‧‧‧線上部分
120‧‧‧光點曝光柵格
121‧‧‧單位格
122‧‧‧光柵化柵格
123‧‧‧參考柵格點
125‧‧‧點
126‧‧‧柵格點
127‧‧‧柵格點
130‧‧‧隅角區
132‧‧‧邊界區
134‧‧‧矩形區域
138‧‧‧區段/片段
139‧‧‧區段/片段
140‧‧‧區段/片段
141‧‧‧區段/片段
142‧‧‧區段/片段
143‧‧‧區段/片段
144‧‧‧區段/片段
145‧‧‧區段/片段
154‧‧‧像素陣列/像素
158‧‧‧區
160‧‧‧軸線
162‧‧‧軸線
164‧‧‧向量
166‧‧‧向量
168‧‧‧向量
170‧‧‧軸線
172‧‧‧軸線
174‧‧‧向量
176‧‧‧向量
178‧‧‧向量
180‧‧‧輸出單元
182‧‧‧處理單元
184‧‧‧局域記憶體
185‧‧‧較高頻寬記憶體區段
186‧‧‧開關
188‧‧‧共用記憶體
189‧‧‧較低頻寬記憶體區段
190‧‧‧資源級/資源單元
192‧‧‧流程控制器
194‧‧‧校準單元
195‧‧‧輸出
196‧‧‧緩衝記憶體
198‧‧‧基板調適單元
200‧‧‧輻射光束
202‧‧‧實質上透明材料
204‧‧‧供體材料層/供體材料
206‧‧‧供體材料小滴
208‧‧‧供體結構/供體板
210‧‧‧儲存器件
212‧‧‧分析器
214‧‧‧柵格修改單元
215‧‧‧低通濾波器
216‧‧‧光柵化器
218‧‧‧輸出
220‧‧‧資料處理器件
225‧‧‧路徑
230‧‧‧目標計算要求/目標影像品質
A1‧‧‧區域
A2‧‧‧區域
A3‧‧‧區域
A11‧‧‧區域
A12‧‧‧區域
A13‧‧‧區域
A14‧‧‧區域
A21‧‧‧區域
A22‧‧‧區域
A23‧‧‧區域
A24‧‧‧區域
A31‧‧‧區域
A32‧‧‧區域
A33‧‧‧區域
A34‧‧‧區域
B1‧‧‧第一光束集合/光束
B2‧‧‧第二光束集合/光束
B3‧‧‧第三光束集合/光束
RP1‧‧‧經光柵化基元
RP2‧‧‧經光柵化基元
P1‧‧‧基元
P2‧‧‧基元
W‧‧‧基板
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置之部件；圖2描繪根據本發明之一實施例的圖1之微影或曝光裝置之部件的俯視圖；圖3描繪根據本發明之一實施例的微影或曝光裝置之部件的高度示意性透視圖；圖4描繪根據本發明之一實施例的由根據圖3之微影或曝光裝置進行至基板上之投影的示意性俯視圖；圖5以橫截面描繪本發明之一實施例之部件；圖6描繪用以將期望器件圖案之基於向量之表示轉換成控制信號的資料路徑之部分； 圖7描繪光點曝光柵格之部分；圖8描繪光柵化柵格之部分；圖9描繪實例器件佈局；圖10為圖9所示之佈局之區的放大圖；圖11描繪兩個實例基元圖案；圖12描繪包含圖11之基元之例項的器件圖案之部分；圖13描繪對應於圖11所描繪之基元之兩個經光柵化基元；圖14描繪包含圖13所示之經光柵化基元之例項的經光柵化表示之部分；圖15描繪用以實施資料路徑之部分之實例硬體組態；圖16描繪資源單元、緩衝記憶體，及經組態以控制資料單元至及/或自緩衝記憶體之傳送之流程控制器；圖17描繪用以將基於向量之表示轉換成經光柵化或經取樣表示之裝置；及圖18描繪用以獲得經最佳化光柵化或取樣柵格之實例程序。
1‧‧‧裝置
2‧‧‧基板台
3‧‧‧定位器件
4‧‧‧可個別控制自發射對比器件/可個別控制元件
5‧‧‧框架
7‧‧‧致動器/馬達
8‧‧‧旋轉框架/可旋轉框架
9‧‧‧可移動光學件
10‧‧‧軸線
11‧‧‧致動器
12‧‧‧投影系統/透鏡
13‧‧‧孔隙結構
14‧‧‧投影系統/場透鏡
15‧‧‧框架
18‧‧‧投影系統/成像透鏡

Claims (15)

  1. 一種用以提供資料至一曝光裝置之一可程式化圖案化器件之裝置，其包含：一緩衝記憶體，其經組態以接收複數個資料單元，每一資料單元表示待形成於一期望劑量圖案之一不同部分中之圖案，其中該緩衝記憶體經組態以在需要時輸出該等資料單元以在由該曝光裝置對一基板之圖案形成期間提供一控制信號至該可程式化圖案化器件；及一流程控制器，其經組態以控制該等資料單元至及/或自該緩衝記憶體之傳送，使得每一資料單元儲存於該緩衝記憶體中歷時短於曝光該完整期望劑量圖案所必要之時間之一時期。
  2. 如請求項1之裝置，其中每一資料單元包含該期望劑量圖案之該部分之一經光柵化表示。
  3. 如請求項2之裝置，其中該經光柵化表示包含：一或多個經光柵化基元，每一經光柵化基元為一不同基元圖案之一經光柵化版本；及例項資料，其指定該期望劑量圖案之該部分如何由儲存於該資料單元中之該等經光柵化基元中每一者之一或多個例項形成。
  4. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該流程控制器經組態以確保該緩衝記憶體儲存僅用於該期望劑量圖案之將在某一時期內形成之彼等部分的資料單元，該時期短於形成該完整期望劑量圖案所需要之時間。
  5. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該流程控制器經組 態以接收指定該期望劑量圖案之該等部分中每一者應在一目標上形成所處之一或多個位置的資訊。
  6. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該期望劑量圖案之每一部分為實質上相同大小及/或形狀。
  7. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該流程控制器經組態以依據該基板相對於該可程式化圖案化器件之掃描速度、一目標上之該期望劑量圖案之一放大程度或該掃描速度及該放大程度兩者而控制該等資料單元傳送至該緩衝記憶體的速率。
  8. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中：該流程控制器經組態以確保該緩衝記憶體儲存僅用於該期望劑量圖案之將在某一時期內形成之彼等部分的資料單元，該時期短於形成該完整期望劑量圖案所需要之該時間；且該流程控制器經組態以依據該基板相對於該可程式化圖案化器件之該掃描速度、一目標上之該期望劑量圖案之一放大程度或該掃描速度及該放大程度兩者而設定該時期。
  9. 如請求項1至3中任一項之裝置，其進一步包含一基板調適單元，該基板調適單元經組態以將一幾何變換應用於該等資料單元中之一或多者中每一者以考量在待形成有由該資料單元表示之該期望劑量圖案之該部分之區中的該基板之一幾何狀態。
  10. 如請求項9之裝置，其中該幾何變換包含選自以下各者 之一或多者：一平移移位、一旋轉移位、一偏斜調整，及/或一放大。
  11. 如請求項1至3中任一項之裝置，其進一步包含一資源單元，該資源單元經組態以提供該等資料單元之全部，其中該資源單元經組態以輸出為非基板相依之一或多個資料單元及為基板相依之一或多個資料單元。
  12. 一種提供資料至一曝光裝置之一可程式化圖案化器件之方法，該方法包含：在一緩衝記憶體中，接收複數個資料單元，每一資料單元表示待形成於一期望劑量圖案之一不同部分中之圖案；在需要時自該緩衝記憶體輸出該等資料單元以在由該曝光裝置對一基板之圖案形成期間提供一控制信號至該可程式化圖案化器件；及控制該等資料單元至及/或自該緩衝記憶體之傳送，使得每一資料單元儲存於該緩衝記憶體中歷時短於曝光該完整期望劑量圖案所必要之時間之一時期。
  13. 一種將待使用一曝光裝置而形成於一基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化或經取樣表示的方法，其中：對應於該期望器件圖案之一區之一劑量圖案係使用該區之一經光柵化或經取樣表示而形成，該區之該經光柵化或經取樣表示係相對於界定該經光柵化或經取樣表示在該區中界定劑量值所處之點或部位之一光 柵化或取樣柵格予以界定，該方法包含：分析1)該期望器件圖案之該區以獲得對獲得、儲存或處理該區之該經光柵化或經取樣表示之一計算要求的一量度，及/或2)由該曝光裝置使用該區之該經光柵化或經取樣表示而產生之一模擬或實際劑量圖案以獲得影像品質之一量度；回應於該分析之結果而修改該光柵化或取樣柵格；及使用該經修改光柵化或取樣柵格以轉換該期望劑量圖案之該基於向量之表示。
  14. 如請求項13之方法，其中修改該光柵化或取樣柵格以改變該光柵化或取樣柵格之一密度。
  15. 一種用以將待使用一曝光裝置而形成於一基板上之一期望器件圖案之一基於向量之表示轉換成對應於該期望器件圖案之輻射之期望劑量圖案之一經光柵化或經取樣表示的裝置，其中：對應於該期望器件圖案之一區之一劑量圖案係使用該區之一經光柵化或經取樣表示而形成，該區之該經光柵化或經取樣表示係相對於界定該經光柵化或經取樣表示在該區中界定劑量值所處之點或部位之一光柵化或取樣柵格予以界定，該裝置包含一資料處理器件，該資料處理器件經組態以：分析1)該期望器件圖案之該區以獲得對獲得、儲存或處理該區之該經光柵化或經取樣表示之一計算要求的一 量度，及/或2)由該曝光裝置使用該區之該經光柵化或經取樣表示而產生之一模擬或實際劑量圖案以獲得影像品質之一量度；回應於該分析之結果而修改該光柵化或取樣柵格；及使用該經修改光柵化或取樣柵格以轉換該基於向量之表示。
TW101144367A 2011-11-29 2012-11-27 用於轉換微影裝置中基於向量之所要器件圖案表示之裝置與方法、用於提供資料至可程式化圖案化器件之裝置與方法、微影裝置及器件製造方法 TWI497232B (zh)

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