KR101617231B1 - 전류 흐름에 대한 가요성 접속부의 불연속성을 검출하는 장치 및 그 방법 - Google Patents

전류 흐름에 대한 가요성 접속부의 불연속성을 검출하는 장치 및 그 방법 Download PDF

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Abstract

가동 하부 전극을 갖는 플라즈마 처리 챔버 내의 검출 회로 장치가 제공된다. 본 장치는 제 1 가요성 커넥터 단부, 제 2 가요성 커넥터 단부 및 적어도 슬릿을 갖는 가요성 커넥터를 포함한다. 슬릿의 적어도 일부는 두개의 가요성 커넥터 단부 사이에 형성된 라인과 평행한 방향으로 배치된다. 일단부가 가동 하부 전극에 연결되고 타단부가 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트에 연결된다. 가요성 컨덕터는 가동 하부 전극과 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트 사이에 저 임피던스 전류 경로를 제공한다. 본 장치는 또한 슬릿의 일측상에 배치된 커넥터 재료를 통하여 흐르는 전류를 검출하는 수단을 포함한다. 이 검출 수단은 적어도 컨덕터 재료에 권취되는 코일 및 마모로 인한 전류 흐름 인터럽션을 검출하기 위하여 코일에 연결된 검출기 회로를 포함한다.

Description

전류 흐름에 대한 가요성 접속부의 불연속성을 검출하는 장치 및 그 방법{ARRANGEMENTS FOR DETECTING DISCONTINUITY OF FLEXIBLE CONNECTIONS FOR CURRENT FLOW AND METHODS THEREOF}
플라즈마 처리에서의 발전은 반도체 산업에서의 성장을 제공해왔다. 기판 처리 동안에, 챔버의 상태는 기판 처리에 영향을 줄 수 있다. 기판의 플라즈마 처리에 영향을 줄 수 있는 중요한 파라미터가 무선 주파수 (RF) 전류의 흐름이다.
설명의 용이화를 위하여, 도 1 은 조정가능한 갭을 갖는 처리 챔버 (102) 를 갖는 용량 결합형 플라즈마 처리 시스템 (100) 의 간단한 블록도를 나타낸다. 조정가능한 갭 처리 챔버 (102) 에서, 정전 척 (104) 과 같은 하부 전극은 상부 전극 (114) 과 하부 전극 (104) 사이 (즉, 갭 (106)) 에 생성될 수 있는 플라즈마가 필요에 따라 변경될 수 있도록 조정가능하게 구성될 수 있다.
예를 들어, 기판 처리 동안에 RF 서플라이 (108) 로부터의 RF 전류가 RF 정합부 (110) 를 통하여 처리 챔버 (102) 로 흐르는 상황을 고려하여 본다. RF 전류는 정전 척 (104) 상에 배치된 기판 (112) 을 처리하기 위한 플라즈마를 생성하기 위해 가스 반응물과 결합하도록 경로 (116) 를 따라 진행할 수 있다.
당해 기술 분야의 당업자는 플라즈마 처리 시스템 (100) 으로 흐르는 RF 전류가 자신의 RF 소스로 통상 회귀하려 시도한다는 것을 알고 있다. 그러나, RF 전류는 자신의 RF 소스로 회귀하기 위해 의도된 경로를 따라 흐를 수 없다. 자신의 RF 소스로 돌아가는 RF 전류의 제어되지 않은 흐름은 처리 조건들이 설계 윈도우의 범위를 벗어나게 할 수 있다. 일례에서, RF 전류의 제어되지 않은 흐름은 기판 (112) 이 기판 처리 동안에 불균일성을 경험하게 할 수 있고 더 많은 수의 결함있는 디바이스를 가져올 수 있다.
RF 전류가 저 임피던스를 가진 경로로 향하려는 경향이 있기 때문에, 저 임피던스 경로는 RF 전류의 흐름을 안내하도록 제공될 수 있다. 저 임피던스 경로를 제공하는 한 방법은 스트랩들의 세트 (118) 를 채택함에 의한 것이다. 일례에서, 8개의 스트랩이 처리 챔버 (102) 의 정전 척 (104) 및/또는 내부 라이닝 (inner lining) 에 대칭적으로 접속될 수 있다. 8개의 스트랩은 RF 전류가 기판 (112) 에 대하여 방사 방향으로 흐르게 함으로써 불균일성을 최소화하고 RF 전류에 더 많은 결정적인 경로를 제공하게 한다.
스트랩들의 세트 (118) 는 RF 전류에 대한 결정적인 회귀 경로를 제공하도록 채택되기 때문에, 스트랩들의 세트 (118) 의 무결성을 유지하는 것이 필요하다. 즉, 스트랩들의 세트 (118) 는 RF 전류의 결정적 경로가 이용가능한 것을 보장하기 위한 양호한 작업 상태에 있어야 한다. 그러나, 스트랩들의 세트 (118) 가 자신들의 무결성을 손실하게 하고 일관성이 없는 RF 회귀 임피던스를 생성하게 하여 웨이퍼 처리 결과에서의 변동 (shift) 을 가져오는 상태들이 존재할 수 있다.
상술한 바와 같이, 하부 전극 (104) 은 기판 플라즈마 처리 동안에 생성된 플라즈마를 변경하도록 상승 및 하강되어진다. 스트랩들의 세트 (118) 가 정전 척 (104) 에 부착되기 때문에, 스트랩들의 세트 (118) 도 또한 정전 척 (104) 과 함께 이동하도록 구성된다. 시간이 지나면 재료 피로도 (예를 들어, 금속 피로도) 가 (스트랩들 중 하나에서의 마모와 같이) 스트랩들의 세트 (118) 를 파단 (break) 시킬 수 있다. 일단 스트랩 내에 파단이 발생하면, 스트랩의 단면적이 변화하여 스트랩의 임피던스를 증가시킨다. 그 결과, RF 전류가 의도된 대로 흐르지 않을 수도 있다.
다른 예에서, 스트랩들의 세트 (118) 의 스트랩과, 처리 챔버 (102) 의 하부 전극 (104) 및/또는 내부 라이닝과의 사이의 접속이 파단될 수 있다. 그 결과, RF 전류가 변경될 수 있다.
상술한 이유들에 더하여, 스트랩들의 설계는 또한 스트랩의 강도, 가요성 및 내구성에도 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 스트랩을 생성하는데 이용되어 왔던 재료가 불량으로 선택되면, 스트랩은 부식성 플라즈마 처리 상태를 견딜 수 없을 수도 있고 급전(power delivery) 시스템의 효율성에 영향을 줄 수 있는 손실성 전류 경로를 제공할 수 있다. 불량의 기본 재료 선택으로 인한 전력 손실은 스트랩을 가열시킬 수 있고 조기 장애를 야기할 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 가동 하부 전극을 갖는 플라즈마 처리 챔버 내의 검출 회로 장치에 관한 것이다. 검출 회로 장치는 제 1 가요성 커넥터 단부, 제 2 가요성 커넥터 단부 및 적어도 슬릿을 갖는 가요성 커넥터를 포함한다. 슬릿의 적어도 일부분은 제 1 가요성 커넥터 단부와 제 2 가요성 단부 사이에 형성된 라인과 평행한 방향으로 배치된다. 제 1 가요성 커넥터 단부는 가동 하부 전극에 연결되고 제 2 가요성 커넥터 단부는 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트에 연결되며, 가요성 컨덕터가 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트와 가동 하부 전극 사이에 저 임피던스 전류 경로를 제공하도록 구성된다. 검출 회로 장치는 또한 슬릿의 일측 상에 배치된 커넥터 재료를 통하여 흐르는 전류를 검출하는 수단을 포함한다. 검출 수단은 적어도 슬릿의 일측 상에 배치된 적어도 컨덕터 재료에 권취된 코일, 및 전류 흐름을 검출하기 위하여 코일에 결합된 검출기 회로를 포함한다.
상기 요약 부분은 본 명세서에 개시된 본 발명의 많은 실시형태들의 단지 하나에 대한 것이며, 여기에서의 청구항에 기재된 본 발명의 범위를 제한하려 하는 것은 아니다. 본 발명의 이들 특징 및 다른 특징은 다음 도면과 함께 본 발명의 상세한 설명 하에서 보다 자세히 설명될 것이다.
본 발명은 첨부한 도면들의 그림으로 비제한적으로 그리고 예시적으로 설명되며, 도면 중에 동일한 도면 부호는 동일한 요소를 나타낸다.
도 1 은 조정가능한 갭 처리 챔버를 가진 용량 결합형 플라즈마 처리 시스템의 간단한 블록도를 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c 는 본 발명의 다양한 실시형태에서 하나 이상의 스트랩을 통하여 흐르는 RF 전류에서의 변화를 검출하기 위한 일체형 검출 회로 장치에 대한 여러가지 구성들의 예들을 나타낸다.
도 2d 는 일 실시형태에서 다층 가요성 회로에서 커넥터에 권취되는 일체형 코일의 예시적인 구현을 나타낸다.
도 2e는 도 2d 의 실시형태의 예시적인 기계적 구현을 나타낸다.
도 3a 내지 도 3d 는 본 발명의 다양한 실시형태에서 라미네이트된 검출 회로 장치에 대한 여러가지 구성예들을 나타낸다.
도 3e 및 도 3f 는 본 발명의 일 실시형태에서 회로와 저항기들의 세트를 가진 라미네이트된 검출 회로 장치에 대한 여러가지 구성예들을 나타낸다.
도 3g 는 본 발명의 일 실시형태에서, 회로를 가진 라미네이트된 검출 회로 장치의 간략도를 나타낸다.
도 4a 는 본 발명의 일 실시형태에서, 처리 챔버 내에 커넥터를 탑재한 간략도를 나타낸다.
도 4b 는 본 발명의 일 실시형태에서, 커넥터를 탑재하기 위한 위치가 식별되어 있는 커넥터의 간략도를 나타낸다.
이하, 본 발명은 첨부된 도면에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 수개의 실시형태를 참조로 자세하게 설명될 것이다. 다음 설명에서, 수개의 특정 세부 내용들은 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위하여 기술된 것이다. 그러나, 당해 기술 분야의 당업자에게는, 이들 특정 세부 내용 전부 또는 모두 없이도 본 발명이 실시될 수 있음이 명백할 것이다. 다른 경우에, 잘 알려진 프로세스 단계 및/또는 구조는 본 발명의 불필요한 모호함을 피하기 위하여 자세하게 설명하지 않았다.
방법 및 기술을 포함하는 다양한 실시형태들을 아래에 설명한다. 본 발명은 또한, 진보된 기술의 실시형태들을 수행하기 위한 컴퓨터 판독가능 명령이 저장되어 있는 컴퓨터 판독가능 매체를 포함한 제조 물품을 포함할 수 있음을 유념해야 한다. 예를 들어, 컴퓨터 판독가능 매체는 컴퓨터 판독가능 코드를 저장하기 위한, 반도체, 자기, 광자기, 광학 또는 다른 형태의 컴퓨터 판독가능 매체를 포함할 수 있다. 추가로, 본 발명은 본 발명의 실시형태를 실시하기 위한 장치들도 또한 포함할 수 있다. 이러한 장치는 본 발명의 실시형태들에 관련된 테스크들을 수행하기 위한 전용 및/또는 프로그래밍가능 회로들을 포함할 수 있다. 이러한 장치의 예들은 적절하게 프로그래밍될 때 범용 컴퓨터 및/또는 전용 컴퓨팅 디바이스를 포함하며, 본 발명의 실시형태들에 관련된 다양한 테스크들을 위해 적응되는 컴퓨터/컴퓨팅 디바이스 및 전용/프로그래밍가능 회로의 조합을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 종래 기술에서, 스트랩에서의 마모 또는 파단은 RF 전류가 비결정적 방식으로 흐르게 할 수 있고 기판 처리가 설계 윈도우 범위를 벗어나 발생하게 할 수 있다. 본 발명의 일 양상에서, 본 발명의 발명자들은 RF 전류 흐름에 대한 접속부의 불연속성 또는 변동을 적시에 식별하는 장치를 가짐으로써, 너무 많은 기판이 결함 상태로 처리되기 전에 마모 또는 파단을 식별할 수 있기 때문에 폐기품 (waste) 이 최소화될 수 있는 것을 실현하였다.
그러나, 스트랩에서의 마모 또는 파단은 쉽게 검출되지 않는다. 현재, 모니터링 절차들은 챔버 내에서 처리 상태에 대한 비정상적인 변화를 식별하도록 실시되어 왔다. 그러나, 스트랩 내의 마모 또는 파단은 2% 미만일 수 있는 전류 흐름에서의 변동을 야기할 수 있기 때문에, 표준의 모니터링 절차들은 특히, 비교적 높은 주파수에서, 예를 들어, 200 KHz 이상의 범위에서 처리 챔버가 동작중인 경우에 변화를 검출할 수 없다.
본 발명의 실시형태들에 따르면, 플라즈마 처리 챔버들 내에 스트랩 (또는 다른 가요성 커넥터) 과 같은 커넥터의 불연속성을 식별하는 하나 이상의 검출 회로 장치들이 제공된다. 본 발명의 실시형태들은 커넥터의 마모 또는 파단으로 인해 RF 전류 흐름에서의 변화를 식별하기 위한 일체형 검출 회로 장치를 포함한다. 본 발명의 실시형태들은 또한 커넥터의 변경을 필요로 하지 않고도 RF 전류 흐름의 불연속성의 검출을 가능하게 하기 위해 커넥터에 부착될 수 있는 라미네이트된 검출 회로 장치를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에서, RF 전류 흐름에서의 변화를 식별하기 위한 일체형 검출 회로 장치가 제공된다. 일체형 검출 회로 장치는 스트랩과 같은 커넥터를 포함한다. 커넥터는 처리 챔버 내의 처리 상태를 여전히 견디어 낼 수 있으면서 RF 전류에 저 임피던스를 제공하는 임의의 재료로 형성될 수 있다. 당해 기술 분야의 당업자는 현재, 종래 기술이 RF 전류의 흐름을 안내하기 위해 처리 챔버 내에 커넥터들을 채택하고 있음을 알고 있다.
일 실시형태에서 각각의 커넥터는 슬릿을 포함할 수 있다. 슬릿은 커넥터로부터 전기적으로 절연되어 있는 회로 장치에 접속될 수 있다. RF 전류가 커넥터를 통해 흐를 때, RF 전류는 슬릿에 접속된 회로 장치의 코일 상의 전류를 포함한다. 일 실시형태에서, (검출기 회로를 통하는 것과 같이) 회로 장치는 전류 흐름에서의 변화를 식별하기 위하여 전류 흐름의 공진 주파수 및/또는 임피던스를 측정하도록 구성된다. RF 전류가 변하지 않는 한, 코일을 통하여 흐르는 전류는 실질적으로 안정한 레이트로 유지되고 이에 따라, 공진 주파수 및/또는 임피던스는 실질적으로 일정하게 유지된다.
그러나, 접속부가 파단 (예를 들어, 마모) 되면, RF 전류의 흐름은 중단 및/또는 변경되어, 코일을 통하여 흐르는 전류에서의 변화를 야기한다. 변동은 회로 장치에 의해 공진 주파수 및/또는 임피던스의 변화로서 캡쳐될 수 있다. 일 실시형태에서, 회로 장치는 오퍼레이터에게 경보를 전송하여 커넥터 내의 마모 또는 파단을 오퍼레이터에게 통지하도록 구성된다.
당해 기술 분야의 당업자는 처리 챔버 내의 처리 상태로 인해 처리 챔버 내의 RF 전류 흐름이 항상 일정한 레이트에 있는 것은 아닐 수도 있음을 알고 있다. 그 대신에, 전류를 전달하는 컨덕터가 결함이 없는 경우에도 RF 전류 흐름은 미세한 변동들을 경험할 수 있다. 기판 처리 동안에 예상될 수 있는 미세한 변동들을 고려하기 위하여, 일 실시형태에서, 코일을 통하여 흐르는 전류에서의 변동이 허용가능한 소정의 임계값 또는 범위 밖에 있다면 회로 장치는 오퍼레이터에게 경보만을 전송하도록 구성될 수도 있다.
일 실시형태에서, 커넥터 상의 슬릿의 수 및/또는 슬릿의 위치 결정은 선호도에 따라 변할 수 있다. 일 실시예에서, 일체형 검출 회로 장치는 커넥터의 에지부를 따라 위치된 슬릿들의 세트를 포함할 수 있다. 다른 장치에서, 슬릿들의 세트는 커넥터를 따라 무작위로 위치결정될 수도 있다. 최대 플렉싱 (flexing) 이 발생할 수 있는 위치에서 커넥터 내의 마모가 통상 발생하기 때문에, 슬릿(들) 은 통계적으로 마모 또는 파단하기 보다 쉬울 수 있는 커넥터 상의 위치(들) 에 또는 그 위치에 가깝게 위치결정될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 슬릿들의 세트는 대부분의 마모가 통계적으로 커넥터의 에지를 향하여 발생해 왔기 때문에 커넥터의 외부 에지들을 따라 위치 결정될 수도 있다. 그러나, 본 발명은 커넥터 상의 슬릿의 수 및 슬릿의 위치 결정에 의해 제한되지 않는다.
일 실시형태에서, 다수의 슬릿들을 가진 일체형 검출 회로 장치는 복수의 스트랩들 중 어느 하나에서 또는 단일 스트랩 상의 복수의 위치들 중 어느 하나에서 전류 흐름의 변화를 검출하기 위한 하나 이상의 회로 장치를 포함한다. 오직 하나의 회로 장치가 전류 흐름의 변동들을 측정하도록 구성되기 때문에, 커넥터를 통한 RF 전류 흐름에서의 변화가 마모의 위치와 무관하게 단일의 회로 장치로 측정될 수도 있다. 대안의 실시형태에서, 각각의 슬릿이 데이터 수집에서의 세분화도를 제공하기 위하여 각각의 회로 장치에 개별적으로 부착될 수도 있다. 코일을 통한 전류의 흐름을 모니터링하도록 채택될 수 있는 회로 장치의 수가 선호도에 따라 변할 수 있는 경우에도, 공간 제약 및 복잡성은 일체형 검출 회로 장치를 설계하는데 있어 고려될 필요가 있을 수 있는 인자들 중 일부일 수 있다.
상술한 회로 장치는 수동 장치이다. 그러나, 특히 처리 챔버가 매우 높은 주파수에서 동작중에 있다면 챔버 상태는 마모 또는 파단으로 인한 RF 전류 흐름에서의 변화를 검출하는 것을 어렵게 할 수 있다. 이들 경우에 검출을 개선하기 위하여, 회로 장치는 또한 AC (교류) 신호와 같은 파워가 코일에서 유도될 수 있는 능동 장치일 수도 있다.
일 실시형태에서, 코일을 통하여 진행하는 파워는 처리 챔버를 통하여 흐르는 RF 전류와 연관된 주파수와는 상이한 주파수에서 구동될 수도 있다. 챔버 주파수와 코일 주파수를 차별시킴으로써, 컨덕터에서의 마모 또는 파단으로 인한 코일을 통한 전류 흐름에서의 변화가 보다 쉽게 검출될 수 있다. 추가로, 특정 주파수가 코일에 적용되기 때문에, 전류 흐름에서의 변화를 검출하도록 채택되는 회로는 코일 상에 유도되고 있는 공지의 주파수로 간략화될 수 있다. 또한, 회로 장치가 특정 주파수를 모니터링하도록 사전 프로그래밍될 수 있기 때문에, 회로 장치가 과도한 주파수를 더 이상 모니터링할 필요가 없어, 더 많은 데이터 세분화도를 실현할 수 있다.
상술한 바와 같이, RF 전류에 대한 보다 결정적인 회귀 경로를 제공하기 위하여, 다수의 커넥터들이 챔버의 하부 전극 및/또는 (내부 라이닝과 같은) 컴포넌트 사이에 부착될 수 있다. 커넥터들은 하부 전극 상에 배치된 기판으로부터 대칭적 방사 방향으로 RF 전류가 흐르도록 허용하는 방식으로 배치된다. 일 실시형태에서, 언급한 바와 같이 회로 장치는 각각의 커넥터가 회로 장치에 접속되는 일대일 관계를 가질 수 있다. 따라서, 특정 커넥터에서의 마모 또는 파단은 커넥터와 일체화된 회로 장치에 의해 식별된다. 그 결과, 오퍼레이터는 "불량" 커넥터를 신속하게 식별 및 교체할 수 있다.
일대일 회로 장치 대신에, 일 실시형태에서, 일체형 검출 회로 장치는 다수의 커넥터들에 대하여 단일 회로 장치만을 포함하도록 간략화될 수도 있다. (신속한 물리적 검사와 같은) 다른 방법을 용이하게 채택하여, 커넥터들 중 하나에서의 파단이 식별되었다면 어떤 커넥터를 교체할 필요가 있을 수 있는지를 쉽게 결정할 수 있는 경우에는, 단일 회로 장치를 채택할 수도 있다. 또한, 커넥터 모두를 교체하는 비용이 각각의 커넥터를 모니터링하는 추가 회로 장치를 추가하는 비용보다 더 저렴하다면, 단일 회로 장치가 바람직할 수도 있다.
일체형 검출 회로 장치에서 설명된 커넥터는 슬릿을 간단하게 형성하고 및/또는 코일을 제공함으로써 회로 장치를 수용하도록 용이하게 변경될 수도 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시형태에서, 커넥터를 변경할 필요가 없이 라미네이트된 검출 회로 장치를 채택할 수도 있다. 그 대신에, 라미네이트된 검출 회로 장치는 커넥터의 일측 상에 부착될 수도 있다. 일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치는 하부 전극이 상승 또는 하강함에 따라 커넥터가 위와 아래로 이동하기 때문에, 라미네이트된 검출 회로가 (탄성과 같은) 커넥터의 상태를 따라갈 수 있도록 사전연신될 수도 있다.
일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치는 간단한 검출 루프이다. 라미네이트된 검출 회로 장치는 커넥터의 다이 길이를 따라 연신될 수도 있다. 일 실시형태에서, 검출 루프는 포크형 또는 톱니형 구성으로 분기될 수 있다. 포크/톱니의 수는 제조자의 선호도에 따라 변할 수 있다. 최대 가요성 관점에서 커넥터가 파단하기 쉽기 때문에 포크/톱니의 위치는 가장 파단이 일어나기 쉬운 것으로 통계적으로 식별되었던 위치들에 위치 결정될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치는 저항기들의 세트를 가진 DC (직류) 회로이다. 저항기 자체에서는, 라미네이트된 검출 회로 장치의 코일을 통하여 흐르는 정상 전류가 통상 매우 낮은 값을 갖는다. 그러나, 커넥터에 파단이 발생하면, RF 전류 경로가 저항기로부터 멀리 안내될 수 있기 때문에, 코일을 통하여 흐르는 전류는 상당히 더 높은 전류 값을 갖게 된다. 일부 상황에서, 플렉싱에 의해, 마모된 커넥터의 두개의 측면이 간헐적으로 접촉할 수 있게 되는 점에서 마모가 발생할 수도 있다. 일 실시형태에서, 검출 회로는 전류 흐름에서의 변화로서 간헐 신호들을 식별하도록 사전프로그래밍될 수도 있다.
일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치는 AC 파워가 검출 회로에 제공되어지는 능동 회로일 수 있다. 상술한 일체형 검출 회로 장치와 유사하게, 구동된 AC 파워는 코일 주파수가 처리 챔버 주파수와 상이하도록 하여 모니터링 프로세스를 간략화한다. 그 결과, 특정 주파수 데이터만을 모으기 때문에, 데이터 세분화도가 개선될 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점은 다음에 오는 도면 및 설명을 참조로 보다 잘 이해될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c 는 본 발명의 다양한 실시형태에서 하나 이상의 스트랩을 통하여 흐르는 RF 전류에서의 변화를 검출하기 위한 일체형 검출 회로 장치에 대한 여러가지 구성들의 예들을 나타낸다. 일체형 검출 회로 장치는 일체형 검출 회로 장치를 구현하기 위하여 간단한 방식으로 바람직하게 커넥터가 변경될 필요가 있는 장치이다.
일 실시형태에서, 도 2a의 커넥터 (200) 는 검출 회로 장치 (204) 에 연결된 슬릿 (202) 을 포함한다. 검출 회로 장치 (204) 는 코일 (210) 을 포함할 수 있는 검출 회로 루프 (208) 에 부착된 모니터링 디바이스 (206) 를 포함할 수 있다.
예를 들어, 챔버에 공급되는 RF 전류가 커넥터 (200) 를 통하여 자신의 RF 소스로 되돌아 흐르고 있는 상황을 고려하여 본다. RF 전류가 A 에서 B로 흐를 때, 예를 들어, RF 전류 흐름은 코일 (210) 에 전류를 유도한다. 커넥터 (200) 에서의 마모 또는 파단으로 인하여 RF 전류에 불연속성이 존재하는지 여부를 결정하는데 있어 RF 전류의 흐름의 방향은 관련되지 않는다.
코일 (210) 에 유도된 전류에 대한 데이터는 모니터링 디바이스 (206) 에 의해 수집 및 분석된다. 모니터링 디바이스 (206) 는 수집된 데이터로부터, 공진 주파수 및 임피던스와 같은 여러가지 파라미터들을 분석가능할 수 있다. 예를 들어, "양호한 상태"에 있는 커넥터에 대하여, 유도된 전류는 기판 처리 동안에 실질적으로 안정된 공지의 레이트로 흐른다. 따라서, 공진 주파수 및/또는 임피던스도 또한 실질적으로 일정하다. 그러나, 파단 또는 마모가 발생하면 RF 전류 흐름은 차단되고 코일 (210) 에 유도된 전류는 파단 또는 마모 전에 발생할 수 있는 유도 전류와 다르게 검출가능하게 된다.
당해 기술 분야의 당업자는 전류 전달 컨덕터가 결함이 없는 경우에도 처리 챔버 내의 처리 상태로 인해 RF 전류 흐름이 미세한 변동을 경험할 수 있게 됨을 알고 있다. 따라서, 변동은 항상 커넥터 내의 파단을 나타내는 것은 아닐 수도 있다. 양의 오류 전위가 발생하는 것을 최소화하기 위하여, 일 실시형태에서, 모니터링 디바이스 (206) 는 검출 회로 루프 (208) 를 통하여 흐르는 전류에서의 변화가 허용가능한 소정의 임계값 또는 범위 밖에 있다면 오퍼레이터에게 경보를 전송하도록 구성될 수도 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 커넥터 (200) 는 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이 다수의 슬릿들을 포함할 수 있다. 상기 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 커넥터 상의 슬릿의 수 및/또는 슬릿의 위치결정은 선호도에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 슬릿들의 세트가 커넥터의 에지부를 따라 위치결정될 수도 있다. 다른 장치에서, 슬릿들의 세트는 커넥터를 따라 무작위로 위치결정될 수도 있다. 최대 플렉싱 (flexing) 이 발생할 수 있는 위치에서 마모가 통상 발생하기 쉽다고 가정하면, 슬릿(들)은 통계적으로 마모 또는 파단하기 보다 쉬울 수 있는 커넥터 상의 위치(들)에 또는 그 위치에 가깝게 위치결정될 수 있다. 그러나, 본 발명은 커넥터 상의 슬릿의 수 및 슬릿의 위치결정에 의해 제한되지 않는다.
일 실시형태에서, 슬릿들 (220 및 222) 은 도 2b 에 도시된 바와 같이 단일의 모니터링 디바이스 (224) 와 직렬로 접속될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 각각의 슬릿 (230 및 232) 은 도 2c 에 도시된 바와 같이 각자 자신의 모니터링 디바이스 (234 및 236) 에 접속될 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 복수의 커넥터 내의 슬릿들 (커넥터 당 하나의 슬릿이 있든 커넥터 마다 다수의 슬릿이 있든지 간에) 이 단일의 모니터링 디바이스에 연결될 수도 있다. 검출 회로 장치의 복잡성은 변할 수 있다. 코일을 통한 전류의 흐름을 모니터링하도록 채택될 수 있는 회로 장치의 수가 선호도에 따라 변할 수 있는 경우에도, 공간 제약 및 복잡성은 일체형 검출 회로 장치를 설계하는데 있어 고려될 필요가 있을 수 있는 인자들 중 일부일 수 있다.
커넥터 내의 어디에서나 마모가 코일 상에서의 상이한 레벨의 유도 전류로 해석되기 때문에 커넥터 내의 마모 또는 파단이 슬릿 상에 발생할 필요가 없다. 따라서, 커넥터 내의 임의의 마모 또는 파단이 코일 상의 유도 전류에서의 변화에 궁극적으로 반영된다. 그러나, 마모가 슬릿에 또는 슬릿 근처에 발생한다면, 변화 진폭이 더 높을 수 있는 높은 가능성이 존재하기 때문에, 이에 의해 보다 쉽게 검출가능하게 될 수 있다. 따라서, 다수의 슬릿 설계가 바람직할 수 있다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c 는 하나 이상의 슬릿(들) 에 권취되는 (코일 (210) 과 같은) 각각의 코일을 나타내고 있지만, 코일은 커넥터의 비슬릿 영역에 권취될 수도 있다. 일 실시형태에서, 코일은 도 2d 에 도시된 바와 같이, 전체 커넥터 폭에 권취될 수도 있다. 커넥터 (240) 는 검출 회로 루프 (244) 에 부착된 모니터링 디바이스 (242) 를 포함할 수 있는 검출 회로 장치에 연결된다. 검출 회로 루프 (244) 의 코일 (246) 은 커넥터 (240) 에 권취된다. 커넥터 (240) 에 코일 (246) 을 둘러싸게 함으로써, 커넥터 (240) 를 통한 풀 전류 흐름(full current flow)이 측정될 수 있다.
일 실시형태에서, 검출 회로 루프 (244) 는 가요성 (예를 들어, 플렉스) 회로일 수 있다. 도 2e 는 도 2d 의 실시형태의 예시적인 기계적 구현을 나타낸다. 도 2e 에서, 플렉스 커넥터를 포함하는 4개의 층이 있으며, 4개 층 모두는 서로 절연되어 있다 (절연은 도시되지 않음). 제 1 층 (250) 은 RF 전류가 회귀되는 층이다. 층들 2-4 (252, 254, 및 256) 및 비아들은 모니터링 디바이스에 코일 및 회귀 컨덕터 (도 2d의 검출 회로 루프 (244)) 를 구현하는데 이용된다. 플렉스 회로는 당해 기술 분야에 잘 알려져 있으며, 추가 설명은 제공하지 않는다. 알 수 있는 바와 같이, 플렉스 회로 예는 가요성 회로의 일 구현예에 불과하다. 본 발명은 이 예로 제한되지 않는다.
상술한 일체형 검출 회로 장치는 수동 장치이다. 언급한 바와 같이, 일 실시형태에서, AC 파워가 코일에 제공되는 능동 장치가 제공될 수도 있다. 예를 들어, AC 파워가 도 2a 에서 특정 주파수에서 검출 회로 루프 (208) 에 제공되는 상황을 고려하여 본다. 과도한 주파수가 모니터링되어야 될 수 있는 수동 장치와 달리, 능동 장치의 모니터 디바이스는 AC 파워가 코일에 제공되는 주파수만을 모니터링해야 한다. 즉, 모니터 디바이스는 과도한 주파수 대신에 특정 주파수에서의 변화를 검출하도록 튜닝될 수 있다. 그 결과, 특정 주파수 데이터만을 모아서 분석하기 때문에, 데이터 세분화도가 개선될 수 있다.
일 실시형태에서, AC 파워는 챔버 주파수와 다른 주파수에서 구동될 수 있다. RF 전류 흐름에서의 변동이 검출되기 어려울 수 있기 때문에, 특히 비교적 높은 주파수에서 (예를 들어, 200 KHz 이상의 범위에서) 동작중일 수 있는 챔버 내에서, 챔버와 다른 코일에 유도 AC 파워를 제공하는 것은 모니터링 디바이스가 보다 쉽게 변동을 검출할 수 있도록 한다.
도 3a 내지 도 3d 는 본 발명의 다양한 실시형태에서 라미네이트된 검출 회로 장치에 대한 여러가지 구성예들을 나타낸다. 도 2a 내지 도 2c 의 일체형 검출 회로 장치와 달리, 라미네이트된 검출 회로 장치는 표준 커넥터 설계와 호환가능하다. 즉, 커넥터 설계는 검출 회로 장치를 수용하기 위하여 변경되어야 할 필요가 없다. 그 대신에, 라미네이트된 검출 회로 장치는 RF 전류 회귀 경로를 모니터링하기 위해 커넥터의 적어도 일측에 (예를 들어 적절한 접착제를 이용하여) 부착될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치가 커넥터의 상태를 따라가도록 사전연신될 수도 있다. 따라서, 하부 전극이 기판 처리 동안에 상승 또는 하강할 때 커넥터가 플렉싱하기 때문에, 라미네이트된 검출 회로 장치도 또한 커넥터와 함께 플렉싱한다.
일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치는 간단한 검출 회로 루프이다. 검출 회로 루프의 구성은 변할 수 있다. 일 실시형태에서, 검출 회로 루프는 포크형 설계 (300; 도 3a), 톱니형 설계 (302; 도 3b), 2개 측의 포크형 설계 (304; 도 3c), 다수의 포크형 설계 (306; 도 3d) 등을 가질 수 있다. 상술한 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 장치 내의 포크/톱니의 수 또는 위치 결정으로 제한되지 않는다. 그러나, 최대 가요성 관점에서 커넥터가 파단하기 쉽기 때문에 포크/톱니는 가장 파단이 일어나기 쉬운 것으로 통계적으로 식별되었던 위치들에 위치 결정될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치 (310) 는 저항기들의 세트를 갖는 회로이다 (도 3e). 일 실시형태에서, 회로는 DC 회로이다. 일 실시형태에서, 회로는 AC 회로이다. 라미네이트된 검출 회로 장치 (310) 는 컨덕터 (314) 에 접속된 모니터 디바이스 (312) 를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 컨덕터 (314) 의 구성은 동작 주파수를 선택하기 위해 검출 루프의 감도를 증가시키도록 변경할 수 있다. 일례에서, 도 3f의 컨덕터 (314b) 의 구성은 동작 주파수에서의 RF 전류 흐름에서의 변화에 보다 민감한 검출 루프를 제공한다.
일 실시형태에서, 저항기들의 세트 (316 및 318) 또는 수동 컴포넌트는 컨덕터 (314) 에 흐르는 전류의 값을 낮추도록 컨덕터 (314) 에서 구현될 수도 있다. 따라서, 마모 (320) 가 발생하여 모니터링 RF 전류 흐름에서 차단을 야기하면, 컨덕터 (314) 가 본질적으로 개방 회로로 되기 때문에 컨덕터 (314) 를 통해 흐르는 전류값이 상당히 감소할 수 있다. 파단이 발생한 후 전류 값이 상당히 낮아지기 때문에 모니터 디바이스 (312) 에 의해 마모 (320) 로 인한 모니터링 RF 전류 흐름에서의 변동이 보다 쉽게 검출될 수 있다.
일 실시형태에서, 라미네이트된 검출 회로 장치 (330) 는 능동 회로로서 구성된다. 라미네이트된 검출 회로 장치 (330) 는 전압 또는 전류를 생성가능한 모니터 디바이스 (334) 에 접속된 컨덕터 (332) 를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서 파워 (DC 또는 AC) 가 특정 주파수에서 컨덕터 (332) 에 제공될 수도 있다. 상이한 주파수가 모니터링되어야 될 수 있는 라미네이트된 검출 회로 장치 (310) 와 달리, 모니터 디바이스 (334) 는 파워가 컨덕터 (332) 에 제공되는 주파수만을 측정하도록 튜닝될 수 있다. 그 결과, 특정 주파수에 대한 데이터만을 모으기 때문에, 데이터 세분화도가 개선될 수 있다.
일 실시형태에서, 파워가 컨덕터 (332) 에 제공되고 있는 주파수는 처리 챔버 내에 존재할 수 있는 주파수와 다를 수 있어, 모니터링 프로세스를 간략화할 수 있다. 컨덕터 (332) 에서의 주파수와 챔버 주파수를 차별시킴으로써, 특히, 매우 높은 주파수에서 예를 들어, 200 KHz 이상의 범위에서 동작하고 있는 처리 챔버 내에서 (마모 (336) 와 같은) 마모로 인한 RF 전류 흐름에서의 변동이 보다 쉽게 검출된다.
도 4a 는 본 발명의 일 실시형태에서, 처리 챔버 (400) 내에 커넥터 (402) 를 탑재한 간략도를 나타낸다. 커넥터 (402) 는 마운트 블록들의 세트를 통하여 처리 챔버 (400) 의 하부 전극 (404) 및/또는 내부 라이닝 (412) 에 탑재될 수도 있다. 커넥터 (402) 의 제 1 가요성 커넥터 단부는 마운트 블록 장치 (406; 406a 및 406b) 를 통하여 하부 전극 (404) 에 탑재될 수 있다. 일 실시형태에서, 커넥터 (402) 는 마운트 블록 (406a) 과 마운트 블록 (406b) 사이에 클램프될 수도 있다. 커넥터 (402) 의 제2 가요성 커넥터 단부는 마운트 블록 장치 (408; 408a 및 408b) 를 통하여 (내부 라이닝 (412) 과 같은) 처리 챔버의 컴포넌트에 탑재될 수 있다. 일 실시형태에서, 커넥터 (402) 는 마운트 블록 (408a) 과 마운트 블록 (408b) 사이에 클램프될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 처리 챔버 (400) 의 하부 전극 (404) 및/또는 내부 라이닝 (412) 과 커넥터 (402) 사이에 불량 커넥터가 존재하면 비결정적 RF 전류 회귀 경로가 생성될 수 있다. 잠재적인 불량 접속을 고려하기 위하여, 검출 회로의 회로 포크형 패턴이 (도 4b 의 마운트 블록 (450) 으로 도시된 바와 같이) 마운트 블록에 또는 그 근처에 위치결정될 수 있다. 또한, 파단은 통계적으로 (위치 452와 같은) 응력을 받는 영역 근처에 보다 발생하기 쉽기 때문에, 마운트 블록 근처에 회로 포크형 패턴을 갖거나 또는 블록 경계에 걸쳐 있는 것은 커넥터 (402) 에서의 파단 또는 단락 회로 횡단 (452) 을 검출하는 더 큰 가능성을 허용한다.
커넥터 (402) 만이 도시되어 있지만, RF 소스로의 RF 전류가 되흘러가도록 하기 위한 보다 결정적인 루트를 제공하는데 채택될 수 있는 다른 커넥터들을 탑재하느데 유사한 장치가 이용될 수 있다. 일반적으로, 커넥터들은 하부 전극 상에 배치된 기판으로부터 대칭적 방사 방향으로 RF 전류가 흐르도록 허용하는 방식으로 배치된다.
일 실시형태에서 각각의 커넥터는 회로 장치와 일체화된다. 커넥터와 회로 장치간의 일대일 관계에서는 커넥터 내의 마모 또는 파단이 커넥터에 접속된 회로 장치에 의해 식별된다.
다른 실시형태에서, 단일의 회로 장치가 하나 보다 많은 커넥터를 모니터하도록 채택될 수 있다. 일대다 회로 장치는 검출 장치를 간략화할 수 있지만, 오퍼레이터는 마모를 가진 실제 커텍터를 식별하기 위해 추가적인 시험 (예를 들어, 물리적인 검사) 을 수행해야 할 수 있다. 그러나 커넥터를 교체하는 비용이 비교적 저렴하다면, 마모를 가진 커넥터를 식별해야 하는 것 대신에 전체 커넥터 그룹을 교체할 수도 있다. 추가로, "불량" 커넥터를 커넥터 그룹으로부터 식별해내는데 요구되는 중단 비용이 전체 커넥터 그룹을 교체하는 비용보다 상당히 더 크다면, 어떤 커넥터가 불량인 것으로 확인될 때 플라즈마 처리 시스템 오프라인을 연장된 기간 동안에 취하는 것 대신에 전체 커넥터 그룹을 교체할 수도 있다.
상술한 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 처리 챔버 내의 RF 전류 흐름에서의 변동 또는 접속부의 불연속성을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 검출 회로 장치와 하나 이상의 커넥터를 일체화함으로써, 처리 챔버 내의 RF 전류 흐름에서의 변동으로 인하여 커넥터 상의 마모 또는 파단을 식별할 수 있다. 검출 회로 장치로, 적시의 방식으로 처리 챔버 내의 불균일성을 식별할 수 있고 프로세스 윈도우의 범위를 벗어난 기판 처리로 인한 비용 낭비를 최소화할 수 있다.
본 발명은 수개의 바람직한 실시형태로 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에 드는 수정, 변경 및 등가물이 존재한다. 여러 실시예가 제공되지만, 이들 실시예는 본 발명에 대하여 예시적인 것이고 비제한적인 것으로 의도된다.
또한, 본 명세서에서 명칭 및 개요는 편의를 위하여 제공되며, 발명의 범위를 해석하는데 이용되어서는 안된다. 추가로, 요약은 매우 축약된 형태로 쓰여져 있으며, 편의를 위해 제공되며 청구범위에 표현된 전체적인 발명을 해석 또는 제한하는데 채택되어서는 안된다. 용어 "세트"가 여기서 채택된다면, 이러한 용어는 0, 1 또는 1 보다 큰 수를 포함하는 통상 이해되는 수학적 의미를 갖는 것으로 의도된다. 또한, 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 변경 방식이 있음을 주지해야 한다. 따라서, 다음에 오는 청구범위는 본 발명의 범위 및 사상 내에 오는 이러한 모든 수정, 변경 및 등가물을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 가동 하부 전극을 갖는 플라즈마 처리 챔버에서의 검출 회로 장치로서,
    제 1 가요성 커넥터 단부, 제 2 가요성 커넥터 단부 및 적어도 슬릿을 갖는 가요성 커넥터로서, 상기 슬릿의 적어도 일부분은 상기 제 1 가요성 커넥터 단부와 상기 제 2 가요성 커넥터 단부 사이에 형성된 (drawn) 라인과 평행한 방향으로 배치되고, 상기 제 1 가요성 커넥터 단부는 상기 가동 하부 전극에 연결되고, 상기 제 2 가요성 커넥터 단부는 상기 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트에 연결되고, 상기 가요성 커넥터는 상기 플라즈마 처리 챔버의 상기 가동 하부 전극과 상기 컴포넌트 사이에 저 임피던스 전류 경로 (low impedance current path) 를 제공하도록 구성되는, 상기 가요성 커넥터; 및
    상기 슬릿의 일측 상에 배치된 커넥터 재료를 통한 전류 흐름을 검출하는 수단으로서, 상기 검출 수단은 적어도 상기 슬릿의 상기 일측 상에 배치된 상기 커넥터 재료에 권취되는 코일 및 상기 전류 흐름을 검출하기 위하여 상기 코일에 연결된 검출기 회로를 적어도 포함하는, 상기 검출 수단을 포함하고,
    상기 검출기 회로는 상기 전류 흐름에 대한 변화가 소정의 임계값 밖에 있는 때를 결정하기 위하여 상기 전류 흐름에 대하여 수집된 파라미터들의 세트를 분석하도록 구성되고, 상기 파라미터들의 세트는 공진 주파수 및 임피던스 중 적어도 하나를 포함하는, 검출 회로 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 커넥터는 다수의 슬릿을 포함하며, 상기 다수의 슬릿은 단일 검출기 회로에 접속되는, 검출 회로 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 커넥터는 다수의 슬릿을 포함하며, 상기 다수의 슬릿 각각은 개별 검출기 회로에 접속되는, 검출 회로 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 코일에 교류 (AC) 신호가 인가되는, 검출 회로 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 AC 신호는 상기 전류 흐름과 연관된 주파수와 상이한 주파수에 있는, 검출 회로 장치.
  8. 가동 하부 전극을 갖는 플라즈마 처리 챔버에서의 검출 회로 장치로서,
    제 1 가요성 커넥터 단부 및 제 2 가요성 커넥터 단부를 갖는 가요성 커넥터로서, 상기 제 1 가요성 커넥터 단부는 상기 가동 하부 전극에 연결되고, 상기 제 2 가요성 커넥터 단부는 상기 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트에 연결되고, 상기 가요성 커넥터는 상기 플라즈마 처리 챔버의 상기 가동 하부 전극과 상기 컴포넌트 사이에 저 임피던스 전류 경로를 제공하도록 구성되는, 상기 가요성 커넥터; 및
    상기 가요성 커넥터를 통한 전류 흐름을 검출하는 수단으로서, 상기 전류 흐름을 검출하는 수단은 검출기 회로에 부착된 코일을 적어도 포함하는, 상기 전류 흐름을 검출하는 수단을 포함하고,
    상기 검출기 회로는 상기 전류 흐름에 대한 변화가 소정의 임계값 밖에 있는 때를 결정하기 위하여 상기 전류 흐름에 대하여 수집된 파라미터들의 세트를 분석하도록 구성되고, 상기 파라미터들의 세트는 공진 주파수 및 임피던스 중 적어도 하나를 포함하는, 검출 회로 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부 전극이 상승 및 하강함에 따라, 상기 전류 흐름을 검출하는 수단이 상기 가요성 커넥터의 상태를 따라가도록 (mimic) 상기 전류 흐름을 검출하는 수단이 사전 연신 (pre-stretch) 되는, 검출 회로 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 전류 흐름을 검출하는 수단은 포크형(prong) 구성을 갖는, 검출 회로 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 포크형 구성은 적어도 2개의 포크부를 포함하는, 검출 회로 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 전류 흐름을 검출하는 수단은 수동 컴포넌트들의 세트를 포함하며, 상기 수동 컴포넌트들의 세트는 저항기들의 세트, 인덕터들의 세트 및 커패시터들의 세트 중 하나를 포함하는, 검출 회로 장치.
  13. 삭제
  14. 제 8 항에 있어서,
    교류 (AC) 신호 및 직류 (DC) 신호 중 적어도 하나가 상기 코일 상에서 유도되는, 검출 회로 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 AC 신호 및 상기 DC 신호 중 상기 적어도 하나는 상기 가요성 커넥터를 통한 상기 전류 흐름과 연관된 주파수와 상이한 주파수에 있는, 검출 회로 장치.
  16. 플라즈마 처리 동안에 전류 경로에서의 불연속성을 식별하는 방법으로서,
    가동 하부 전극을 갖는 플라즈마 처리 챔버를 제공하는 단계;
    제 1 가요성 커넥터 단부 및 제 2 가요성 커넥터 단부를 갖는 가요성 커넥터를 제공하는 단계로서, 상기 가요성 커넥터는 적어도 검출기 회로에 연결된 코일을 가지며, 상기 검출기 회로에 연결된 상기 코일은 적어도 상기 가요성 커넥터를 통한 전류 흐름을 검출하기 위하여 구성되는, 상기 가요성 커넥터의 제공 단계;
    상기 가동 하부 전극에 상기 제 1 가요성 커넥터 단부를 부착하고 상기 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트에 상기 제 2 가요성 커넥터 단부를 부착하는 단계로서, 상기 가요성 커넥터는 상기 플라즈마 처리 챔버의 상기 가동 하부 전극과 상기 컴포넌트 사이에 저 임피던스 전류 경로를 제공하도록 구성되는, 상기 부착 단계; 및
    상기 전류 흐름에 대한 파라미터들의 세트에 대한 데이터를 수집하고, 상기 전류 흐름에서의 변화가 소정의 임계값 밖에 있을 때를 결정하기 위해 상기 검출기 회로를 통하여 상기 파라미터들의 세트를 적어도 분석하는 단계를 포함하고,
    상기 파라미터들의 세트는 공진 주파수 및 임피던스 중 적어도 하나를 포함하는, 전류 경로에서의 불연속성을 식별하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 가요성 커넥터는 적어도 슬릿을 포함하며, 상기 코일은 적어도 상기 슬릿에 권취되고, 상기 슬릿의 적어도 일부분은 상기 제 1 가요성 커넥터 단부와 상기 제 2 가요성 커넥터 단부 사이에 형성된 라인과 평행한 방향으로 배치되는, 전류 경로에서의 불연속성을 식별하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 검출기 회로에 연결된 상기 코일은 접착제를 이용하여 상기 가요성 커넥터에 접착되고, 상기 하부 전극이 상승 및 하강함에 따라, 상기 검출기 회로에 연결된 상기 코일이 상기 가요성 커넥터의 상태를 따라가도록 상기 검출기 회로에 연결된 상기 코일이 사전 연신되는, 전류 경로에서의 불연속성을 식별하는 방법.
  19. 삭제
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 코일 상에서 교류 (AC) 신호 및 직류 (DC) 신호 중 적어도 하나를 유도하는 단계를 더 포함하고, 상기 AC 신호 및 상기 DC 신호 중 상기 적어도 하나는 상기 가요성 커넥터를 통한 상기 전류 흐름과 연관된 주파수와 상이한 주파수에 있는, 전류 경로에서의 불연속성을 식별하는 방법.
KR1020117025584A 2009-04-28 2010-04-26 전류 흐름에 대한 가요성 접속부의 불연속성을 검출하는 장치 및 그 방법 KR101617231B1 (ko)

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