KR101613138B1

KR101613138B1 - 아조 안료, 그 아조 안료의 제조 방법, 그 안료를 함유하는 안료 분산물, 착색 조성물 및 잉크젯 기록용 잉크

Info

Publication number: KR101613138B1
Application number: KR1020097027245A
Authority: KR
Inventors: 케이이치 타테이시; 요시아키 나가타; 토모아키 나카무라
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2007-06-29
Filing date: 2008-06-27
Publication date: 2016-04-18
Also published as: AU2008272004A1; EP2173814A2; JP2009235370A; KR20100021493A; CA2691624A1; JP5433173B2; US8118885B2; EP2173814B1; WO2009005137A2; CA2691624C; CN101720342A; AU2008272004B2; US20110030583A1; WO2009005137A3

Abstract

하기 일반식 (1)로 나타내어지는 아조 안료, 그들의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물은 이하에 상세하게 설명된다: 일반식 (1)에 있어서, R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, G는 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, W는 G로 구성되는 헤테로환 기와 연결할 수 있는 치환기를 나타내고, t는 0∼4의 정수를 나타내며, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 특정 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타낸다.

일반식 (1)

아조 안료, 아조 안료의 제조 방법, 안료 분산물, 착색 조성물, 잉크젯 기록용 잉크

Description

아조 안료, 그 아조 안료의 제조 방법, 그 안료를 함유하는 안료 분산물, 착색 조성물 및 잉크젯 기록용 잉크{AZO PIGMENTS, PROCESS FOR PRODUCING THE AZO PIGMENTS, AND PIGMENT DISPERSION, COLORING COMPOSITION AND INK FOR INKJET RECORDING CONTAINING THE PIGMENT}

본 발명은 아조 안료 및 그들의 제조 방법, 및 상기 안료를 함유하는 안료 분산물, 착색 조성물 및 잉크젯 기록용 잉크에 관한 것이다.

최근, 화상 기록 재료로서, 컬러 화상 형성용 재료가 주류로 되어 있고, 구체적으로, 잉크젯 방식의 기록 재료, 감열 전사 방식의 기록 재료, 전자 사진 방식의 기록 재료, 전사식 할로겐화 은 감광 재료, 인쇄 잉크 및 기록 펜이 널리 사용되고 있다. 또한, 촬상 기기용 CCD 등의 촬상 디바이스 및 디스플레이용 LCD 및 PDP에 있어서, 컬러 화상을 기록 또는 재현하기 위해서 컬러 필터가 사용되고 있다. 이들 컬러 화상 기록 재료 및 컬러 필터에 있어서, 풀 컬러 화상을 표시 또는 기록하기 위해서 소위 가법 혼색법 또는 감법 혼색법의 3원 색의 색소(염료 또는 안료)가 사용되고 있다. 그러나, 실제로는 바람직한 색 재현 영역이 실현될 수 있는 흡수 특성을 갖고 각종 사용 조건 및 환경 조건을 견뎌낼 수 있는 견뢰한 색소가 없다. 따라서, 그것의 개선이 강하게 요구되고 있다.

특히, 기록 재료의 사용은 민생 용도에서 공업 용도로 확장되고 있고, 그 결과, 높은 레벨(색상, 착색력 및 광, 가스, 열, 습도 및 약품에 대한 화상 견뢰성)로의 성능이 요구되고 있다.

사용된 착색 재료(예컨대, 잉크젯 기록용 잉크)에 관하여, 염료 잉크는 수용성 잉크에서 유용성 잉크로 변경되는 것이 요구되고, 더 높은 레벨의 성능이 요구될 경우에 있어서(실내 용도에서 야외 용도로), 상기 잉크는 염료 잉크에서 안료 잉크로 변경되는 것이 요구되고 있다.

염료와 안료의 사용 방법의 차이는, 염료는 섬유 또는 용제 등의 중간체에 용해된 상태(분자 분산 상태)로 사용되지만, 안료는 용해됨 없이 중간체에 미세하게 분산된 고체 입자 상태(분자 집합체)로 사용되고 있다.

상술된 용도로 사용되는 염료 또는 안료는 공통으로 이하의 특성을 갖는 것이 요구되고 있다. 즉, 색 재현성의 관점에서 바람직한 흡수 특성을 갖고, 사용되는 환경의 조건하에서 예컨대, 광, 열 및 오존 등의 산화성 가스에 대한 견뢰성이 양호한 것이 요구되고 있다. 또한, 상기 색소가 안료인 경우에 있어서, 상기 안료는 물 또는 유기 용제에 실질적으로 불용이고, 약품에 대한 견뢰성이 양호하고, 입자로서 사용될 때에도 분자 분산 상태에 있어서의 바람직한 흡수 특성을 손상시키지 않는 것이 더 요구되고 있다. 상기 요구된 특성은 분자 간 상호작용의 강도를 조절함으로써 제어할 수 있고, 이들은 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계에 있고, 따라서 그들을 서로 양립시키는 것은 어렵다.

게다가, 색소로서 안료가 사용되는 경우에 있어서, 상기 안료는 소망의 투명 성 또는 은폐성을 발현시키기 위해서 필요한 입자 사이즈 및 입자 형태를 갖고, 사용되는 환경 조건하에서 예컨대, 광, 열, 오존 등의 산화성 가스에 대한 견뢰성이 양호하고, 유기 용제 또는 아황산 가스 등의 약품에 대한 견뢰성이 양호하며, 사용되는 중간체에 미립자의 레벨까지 분산시킬 수 있고, 그 분산 상태가 안정한 것이 추가적으로 요구되고 있다. 이들 특성은 그것의 화학 구조뿐만 아니라, 입자 사이즈, 입자 형태 및 결정성에 의해서 크게 영향을 받고, 그들의 제어는 매우 중요하다(예컨대, JP-A-2004-26930 참조). 특히, 양호한 옐로우 색상을 갖고, 광, 습열 및 환경 중의 활성 가스에 대해 견뢰하고, 특히 높은 착색력 및 광에 대해 견뢰한 안료가 강하게 요구되고 있다.

즉, 염료 분자로서의 특성을 갖는 것이 요구된 염료와 비교하여, 상기 안료는 특성, 즉, 색소 재료 분자로서의 특성뿐만 아니라, 색소 집합체의 고체(미립자 분산물)로서의 상술된 요구 모두를 더욱 만족시키는 것이 요구되고 있다. 그 결과, 안료로서 사용될 수 있는 화합물의 군은 염료와 비교해서 매우 제한된다. 고성능 염료가 안료로 변환되더라도, 미립자의 분산물로서의 요구 특성이 만족될 수 있는 것은 적다. 따라서, 이러한 안료는 개발되기 어렵다. 이것은 컬러 인덱스에 기록된 안료의 수가 염료의 수의 1/10 이하인 사실로부터 확인될 수 있다.

아조 안료는 착색의 특성인 색상 및 착색력이 우수하기 때문에, 인쇄 잉크, 잉크젯 방식용 잉크 및 전자 사진 재료에 널리 사용되고 있다. 상기 안료 중에, 디아릴리드 안료가 가장 전형적으로 사용되는 옐로우 아조 안료이다. 이러한 디아릴리드 안료의 예는 C.I. 피그먼트 옐로우 12, C.I. 피그먼트 옐로우 13 및 C.I. 피 그먼트 옐로우 17을 포함한다. 그러나, 상기 디아릴리드 안료는 견뢰성, 특히 광견뢰성이 열악하기 때문에, 그들에 의해 인쇄된 인쇄물이 광에 노출될 때에 분해되어, 장기간 동안 보관되는 인쇄물에 대해서는 적합하지 않다.

이러한 결점을 해소하기 위해서, 분자량을 증가시키거나 강한 분자간의 상호 작용을 갖는 기를 도입함으로써 개선된 견뢰성을 갖는 아조 안료가 기재되어 있다(예컨대, JP-A-56-38354, 미국특허 제2,936,306 및 JP-A-11-100519 참조). 그러나, 상기 개선된 안료에 있어서도, 예컨대, JP-A-2004-26930에 기재된 안료는 광견뢰성이 어느 정도 향상되지만 여전히 불충분하고, 예컨대, 미국특허 제2,936,306호 및 JP-A-11-100519에 기재된 안료는 초록색을 띤 색상 및 낮은 착색력을 가져, 착색 특성이 열악하다는 결점이 있다.

또한, JP-A-2003-277662에는 우수한 색 재현성의 흡수 특성 및 충분한 견뢰성을 갖는 색소가 기재되어 있다. 그러나, 상기 JP-A-2003-277662에 기재된 특정 화합물의 모두는 물 또는 유기 용제에 용해되고, 따라서 약품에 대한 견뢰성이 불충분하다.

그런데, 미국특허 제7,125,446에는 염료의 색소가 수 매질에 용해되어 잉크젯 기록용 수용성 잉크로서 사용되는 예가 기재되어 있다. 또한, JP-A-61-36362에는 광견뢰성 특성을 갖는 음이온형 모노아조 화합물의 예가 기재되어 있다. 그러나, 이들 예에 의해서 제공된 화상 견뢰성의 레벨은 색소에 대한 요구를 높은 레벨로 만족시키는데 충분하지 않고, 안료를 사용하는 형태를 제공할 수 없다.

옐로우, 마젠타 및 시안의 3색 또는 블랙을 더 포함하는 4색을 사용하는 감 법 혼색법을 기초로 풀 컬러 화상를 표현하는 경우에 있어서, 옐로우 안료로서 열악한 견뢰성을 갖는 안료를 사용하면 인쇄물의 그레이 발란스가 경시로 변경되고, 열악한 착색 특성을 갖는 안료의 사용은 인쇄시 색 재현성이 저하될 수 있다. 따라서, 높은 색 재현성을 장기간 유지할 수 있는 인쇄물을 얻기 위해서, 양호한 착색 특성 및 양호한 견뢰성 둘 모두를 갖는 옐로우 안료 및 안료 분산물이 요구되고 있다.

또한, 일본특허 제4,073,453에는 색 재현성이 우수한 흡수 특성 및 매우 높은 레벨의 견뢰성을 갖는 염료의 색소가 기재되어 있다.

그러나, 일본특허 제4,073,453에 기재된 특정 화합물은 물 또는 유기 용제에 높은 용해성을 갖고, 안료로서 사용될 때, 의도된 안료 미립자의 분산물이 얻어지지 않고, 색소액 또는 에멀젼이 제공된다. 그 결과, 각종 요구된 성능을 높은 레벨로 부여하기 위해서 안료 분산물을 함유하는 착색 재료로서 그들을 사용하는 것은 곤란하다.

본 발명은 착색력 및 색상 등의 우수한 착색 특성 및 광견뢰성 및 오존에 대한 내성 등의 우수한 내구성을 갖는 아조 안료를 제공하고, 상기 안료의 제조 방법, 상기 안료의 분산물, 착색 조성물 및 잉크젯 기록용 잉크를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 언급된 상황을 고려하여 예의 검토한 결과, 신규한 아조 안료를 얻고 우수한 착색 특성 및 우수한 내구성 모두를 갖는 것을 발견함으로써, 본 발명을 완성하였다.

즉, 본 발명은 이하와 같다.

<1> 하기 일반식 (1)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (1)

여기서,

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고,

G는 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고,

W는 G로 구성되는 헤테로환 기와 결합할 수 있는 치환기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 하기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타낸다:

일반식 (2)

여기서,

X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고,

별표(*)는 일반식 (1)의 상기 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

<2> 상기 <1>에 있어서, 상기 아조 안료는 하기 일반식 (3)으로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (3)

여기서,

R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (3)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

<3> 상기 <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 아조 안료는 하기 일반식 (4)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 상기 아조 안료, 상기 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (4)

여기서,

X₁ 및 X₂는 각각 독립적으로 0.2 이상의 헤맷 σp값을 갖는 전자 흡인성 기를 나타내고,

Y₁, Y₂, Z₁ 및 Z₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타낸다.

<4> 상기 <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 아조 안료는 하기 일반식 (5)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (5)

여기서,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (5)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타내고,

W는 s-트리아지닐기 상의 치환기를 나타낸다.

<5> 상기 <1>, <2> 또는 <4> 중 어느 하나에 있어서, 상기 아조 안료는 하기 일반식 (6)으로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (6)

여기서,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (6)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

<6> 상기 <1>, <2>, <4> 또는 <5> 중 어느 하나에 있어서, 상기 아조 안료의 호변이성체는 하기 일반식 (6')∼(6''') 중 어느 하나로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

여기서,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (6)∼(6''')의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

<7> 상기 <1>∼<6> 중 어느 하나에 있어서, 상기 아조 안료는 1620∼1670cm^-1의 범위의 피크 흡수 강도의 1/3 이하인 IR 흡수 스펙트럼에서의 1700∼1730cm^-1의 범위의 피크 흡수 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

<8> 상기 <1>∼<3> 중 어느 하나에 있어서, 상기 아조 안료는 하기 일반식 (7)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (7)

여기서,

Y₁ 및 Y₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고,

G₁는 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고,

W는 G₁로 구성되는 헤테로환 기와 결합할 수 있는 치환기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타내고,

G₁₁ 및 G₁₂는 각각 독립적으로 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, 단, G₁₁ 및 G₁₂로 나타내어지는 상기 헤테로환 기는 각각 독립적으로 무치환이어도 좋고 치환기를 가지고 있어도 좋으며, 모노환상이어도 좋고 축합환을 가져도 좋다.

<9> 상기 <8>에 있어서, G₁₁ 및 G₁₂로 각각 나타내어진 질소 함유 헤테로환 기의 적어도 하나는 하기 일반식 (8)의 (G-1)∼(G-13) 중 어느 하나로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물.

일반식 (8)

여기서,

(G-1)∼(G-13)의 별표(*)는 상기 일반식 (7)의 피라졸환 상의 N 원자와의 부착 지점을 나타내고,

Z₁₁∼Z₁₄는 각각 헤테로환 기와 결합할 수 있는 치환기를 나타내고,

(G-13)의 G'는 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타낸다.

<10> 상기 <1>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 아조 안료의 제조 방법으로서:

하기 일반식 (9)로 나타내어진 헤테로환 아민의 디아조화에 의해서 디아조늄 화합물을 제조하는 공정,

유기 용제에 하기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 용해하는 공정, 및

상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물의 용해 후에 상기 디아조늄 화합물과 상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 커플링하는 공정을 특징으로 하는 아조 안료의 제조 방법.

일반식 (9)

여기서,

Het.는 하기 일반식 (10)으로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 헤테로환 기를 나타낸다:

일반식 (10)

여기서,

별표(*)는 상기 일반식 (9)의 아미노기와의 부착 지점을 나타낸다:

일반식 (11)

여기서,

t는 0∼4의 정수를 나타낸다.

<11> 상기 <1>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 아조 안료의 제조 방법으로서:

하기 일반식 (9)로 나타내어지는 헤테로환 아민의 디아조화에 의해서 디아조늄 화합물을 제조하는 공정, 및

극성 비양자성 용제의 존재하에 상기 디아조늄 화합물과 하기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 커플링하는 공정을 특징으로 하는 아조 안료의 제조 방법.

일반식 (9)

여기서,

일반식 (10)

여기서,

일반식 (11)

여기서,

t는 0∼4의 정수를 나타낸다.

<12> 상기 <1>∼<9> 중 어느 하나에 있어서, 상기 <10> 또는 <11>에 기재된 아조 안료의 제조 방법으로 얻어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료.

<13> 상기 <1>∼<9> 또는 <12> 중 어느 하나에 기재된 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 안료 분산물.

<14> 상기 <1>∼<9> 또는 <12> 중 어느 하나에 기재된 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 착색 조성물.

<15> 상기 <1>∼<9> 또는 <12> 중 어느 하나에 기재된 아조 안료, 그 아조 안료의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 기록용 잉크.

도 1은 실시예 1에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-1)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 2는 실시예 2에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-2)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 3은 실시예 3에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-4)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 4는 실시예 4에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-7)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 5는 실시예 5에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-27)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 6은 실시예 6에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-47)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 7은 실시예 7에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-9)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 8은 실시예 8에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-11)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 9는 실시예 9에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-12)의 적외선 흡수 스펙트럼 을 나타내고;

도 10은 실시예 10에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-13)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 11은 실시예 11에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-16)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 12는 실시예 12에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-25)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 13은 실시예 13에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-28)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 14는 실시예 14에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-29)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 15는 실시예 15에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-30)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 16은 실시예 16에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-31)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 17은 실시예 17에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-32)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 18은 실시예 18에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-37)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 19는 실시예 19에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-39)의 적외선 흡수 스펙트 럼을 나타내고;

도 20은 실시예 20에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-41)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 21은 실시예 21에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-42)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 22는 실시예 22에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-43)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 23은 실시예 23에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-44)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 24는 실시예 24에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-45)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 25는 실시예 25에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-46)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 26은 실시예 26에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-49)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 27은 실시예 27에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-51)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 28은 실시예 28에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-52)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 29는 실시예 29에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-53)의 적외선 흡수 스펙트 럼을 나타내고;

도 30은 실시예 30에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-54)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고;

도 31은 실시예 31에 따라 합성된 아조 안료 (Pig-59)의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타낸다.

본 발명은 이하에 상세하게 설명된다.

본 명세서에 사용된 헤맷 치환 상수 σp가 여기에 기재된다. 헤맷 법칙은 벤젠 유도체의 반응 또는 평형에 대한 치환기의 영향을 정량적으로 다루기 위해서 1935년 L. P. Hammett에 의해서 제창된 경험칙이고, 그것의 타당성은 오늘날 널리 인정된다. 헤맷 법칙으로 결정된 치환 상수로서, σp값 및 σm값이 있다. 이들 상수는 많은 일반적인 문헌에서 발견할 수 있지만, 예컨대, J. A. Dean에 의해서 편찬된 Lange's Handbook of Chemistry, 제2판, 1979년(McGraw-Hill) 및 Kagaku no Ryoiki(Journal of Japanese Chemistry), 증간, 122호, 96∼103쪽(1979), Nankodo에 상세하게 설명된다. 본 발명에 있어서, 치환기는 각각 헤맷 치환 상수 σp에 의해서 제한되거나 설명된다. 그러나, 이것은 상술된 일반적인 문헌에 공지된 상수를 갖는 치환기만으로 제한되는 것을 의미하지는 않는다. 상기 상수가 문헌에 공지되지 않을 경우라도, 헤맷 법칙에 기초하여 측정될 때의 범위 내인 상수를 갖는 치환기도 포함되는 것은 말할 필요도 없다. 또한, 일반식 (1)∼(12)로 나타내어지는 본 발명의 화합물이 벤젠 유도체가 아니라도, 상기 σp값은 상기 치환기의 전자 효과 를 나타내는 척도로서, 상기 치환 위치와 관계없이 사용된다. 본 발명에 있어서, 상기 σp값은 이러한 의미로 이하에 사용된다.

[아조 안료]

본 발명의 아조 안료는 상기 일반식 (1)로 나타내어진다. 상기 일반식 (1)로 나타내어지는 화합물은 그것의 특정 구조 때문에, 물, 유기 용제 등에 대해 낮은 용해성을 가지므로 아조 안료로서 사용될 수 있다. 안료는 물, 유기 용제 등에 용해된 분자 분산의 상태로 사용되는 염료와 달리 용제에 미세하게 분산된 분자 집합체 등의 고체 입자의 상태로 사용된다.

일반식 (1)로 나타내어지는 상기 아조 안료, 그들의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물은 이하에 상세하게 설명된다.

일반식 (1)

(상기 일반식 (1)에 있어서, R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, G는 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, W는 G로 구성되는 헤테로환 기와 결합할 수 있는 치환기를 나타내고, t는 0∼4의 정수를 나타내며, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 하기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타낸다(여기 서, 별표(*)는 일반식 (1)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.)):

일반식 (2)

(상기 일반식 (2)에 있어서, X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.)

상기 일반식 (1)은 이하에 보다 상세하게 설명된다.

상기 일반식 (1)에 있어서, Het-1 또는 Het-2로 나타내어지는 헤테로환 기는 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 헤테로환 상의 치환기는 서로 결합하여 축합환을 형성하여도 좋다. 상기 별표(*)는 일반식 (1)의 상기 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

상기 헤테로환 기의 예는 (1), (2), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11)이 바람직하고, (2), (5), (6), (7), (8), (9) 및 (10)이 보다 바람직하고, (2), (5), (6), (7) 및 (10)이 특히 바람직하고, (2) 및 (7)이 더욱 바람직 하며, (2)가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄로 나타내어지는 치환기의 예는 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 7∼18개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 아랄킬기, 2∼12개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알케닐기, 2∼12개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알키닐기, 3∼12개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 시클로알킬기, 3∼12개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 시클로알케닐기(예컨대, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, sec-부틸, t-부틸, 2-에틸헥실, 2-메틸술포닐에틸, 3-페녹시프로필, 트리플루오로메틸 또는 시클로펜틸), 할로겐 원자(예컨대, 염소 원자 또는 브롬 원자), 아릴기(예컨대, 페닐, 4-t-부틸페닐 또는 2,4-디-t-아밀페닐), 헤테로환 기(예컨대, 이미다졸리닐, 피라졸리닐, 트리아졸리닐, 2-푸릴, 2-티에닐, 2-피리미딜 또는 2-벤조티아졸리닐), 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기(예컨대, 메톡시, 에톡시, 2-메톡시에톡시 또는 2-메틸술포닐에톡시), 아릴옥시기(예컨대, 페녹시, 2-메틸페녹시, 4-t-부틸페녹시, 3-니트로페녹시, 3-t-부틸옥시카르보닐페녹시 또는 3-메톡시카르보닐페녹시), 아실아미노기(예컨대, 아세트아미도, 벤조아미도 또는 4-(3-t-부틸-4-히드록시페녹시)부탄아미도), 알킬아미노기(예컨대, 메틸아미노, 부틸아미노, 디에틸아미노 또는 메틸부틸아미노), 아릴아미노기(예컨대, 페닐아미노 또는 2-클로로아닐리노), 우레이도기(예컨대, 페닐우레이도, 메틸우레이도 또는 N,N-디부틸우레이도), 술파모일아미노기(예컨대, N,N-디프로필술파모일아미노), 알킬티오기(예컨대, 메틸티오, 옥틸티오 또는 2-페녹시에틸티오), 아릴티오기(예컨대, 페닐티오, 2-부톡시-5-옥틸-t-페닐티오 또는 2-카르복시페닐티오), 알킬옥시카르보닐아미노기(예컨대, 메톡시카르보닐아미노), 알킬술포닐아미노기 또는 아릴술포닐아미노기(예컨대, 메틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노 또는 p-톨루엔술포닐아미노), 카르바모일기(예컨대, N-에틸카르바모일 또는 N,N-디부틸카르바모일), 술파모일기(예컨대, N-에틸술파모일, N,N-디프로필술파모일 또는 N-페닐술파모일), 술포닐기(예컨대, 메틸술포닐, 옥틸술포닐, 페닐술포닐 또는 p-톨루엔술포닐), 알킬옥시카르보닐기(예컨대, 메톡시카르보닐 또는 부톡시카르보닐), 헤테로환 옥시기(예컨대, 1-페닐테트라졸-5-옥시 또는 2-테트라히드로피라닐옥시), 아조기(예컨대, 페닐아조, 4-메톡시페닐아조, 4-피발로일아미노페닐아조 또는 2-히드록시-4-프로파노일페닐아조), 아실옥시기(예컨대, 아세톡시), 카르바모일옥시기(예컨대, n-메틸카르바모일옥시 또는 N-페닐카르바모일옥시), 실릴옥시기(예컨대, 트리메틸실릴옥시 또는 디부틸메틸실릴옥시), 아릴옥시카르보닐아미노기(예컨대, 페녹시카르보닐아미노), 이미도기(예컨대, N-숙신이미도 또는 N-프탈이미도), 헤테로환 티오기(예컨대, 2-벤조티아졸릴티오, 2,4-디-페녹시-1,3,5-트리아졸-6-티오 또는 2-피리딜티오), 술피닐기(예컨대, 3-페녹시프로필술피닐), 포스포닐기(예컨대, 페녹시포스포닐, 옥틸옥시포스포닐 또는 페닐술포닐), 아릴옥시카르보닐기(예컨대, 페녹시카르보닐), 아실기(예컨대, 아세틸, 3-페닐프로파노일 또는 벤조일) 및 이온성 친수성기(예컨대, 카르복실기, 술포기, 포스포노기 또는 4차 암모늄기)를 포함한다.

본 발명의 아조 안료가 이온성 친수성기를 치환기로서 함유하는 경우에 있어서, 상기 안료는 다가 금속 양이온과의 염(예컨대, 마그네슘, 칼슘 또는 바륨)이 바람직하고, 레이크 안료가 특히 바람직하다.

상기 일반식 (2)에 있어서, X 및 W₀의 상기 치환기의 바람직한 예는 각각 독립적으로 전자 흡인성 기이고, 0.20 이상의 헤맷 치환 상수 σp값을 갖는 전자 흡인성 기가 특히 바람직하고, 0.30 이상의 헤맷 치환 상수 σp값을 갖는 전자 흡인성 기가 보다 바람직하며, 1.0이 상한값이다.

0.20 이상의 σp값을 갖는 상기 전자 흡인성 기의 구체예는 아실기, 아실옥시기, 카르바모일기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 시아노기, 니트로기, 디알닐포스포노기, 디아릴포스포노기, 디아릴포스피닐기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 술포닐옥시기, 아실티오기, 술파모일기, 티오시아나토기, 티오카르보닐기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 알콕시기, 할로겐화 아릴옥시기, 할로겐화 알킬아미노기, 할로겐화 알킬티오기, 0.20 이상의 σp값을 갖는 다른 전자 흡인성 기로 치환된 아릴기, 헤테로환 기, 할로겐 원자, 아조기 또는 셀레노시아나토기를 포함한다.

X 및 W₀의 상기 치환기의 바람직한 예로서, 각각 독립적으로 2∼12개의 탄소 원자를 함유하는 아실기, 2∼12개의 탄소 원자를 함유하는 아실옥시기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 카르바모일기, 2∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬옥시카르보닐기, 7∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴옥시카르보닐기, 시아노기, 니트로기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술피닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술피닐기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기, 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 할로겐화 알킬기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 할로겐화 알킬옥시기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 할로겐화 알킬티오기, 7∼18개의 탄소 원자를 함유하는 할로겐화 아릴옥시기, 0.20 이상의 σp값을 갖는 2개이상의 전자 흡인성 기로 치환되고 7∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴기 및 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자를 함유하고 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 5∼8원 헤테로환 기가 열거된다.

보다 바람직하게는 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 특히 바람직하게는 시아노기, 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼12개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼8개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기, 메탄술포닐기, 페닐술포닐기 및 술파모일기가 바람직하고, 시아노기 및 메탄술포닐기가 더욱 바람직하며, 시아노기가 가장 바람직하다.

일반식 (2)의 Z의 바람직한 예는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환 의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기, 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기, 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기 및 아실기이다. 특히 바람직한 치환기는 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기, 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기, 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기 및 아실기이다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 특히 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 특히 바람직하며, 치환 또는 무치환의 질소를 함유하는 헤테로환 기가 가장 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일하게 열거할 수 있다.

상기 일반식 (2)의 Y 및 W₁∼W₄의 바람직한 예로서, 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 무치환의 1∼12개의 총 탄소 원자를 함유하는 알킬기, 치환 또는 무치환의 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴기 및 치환 또는 무치환의 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 헤테로환 기가 열거된다. 그 중에서, 수소 원자 및 치환 또는 무치환의 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (1)의 R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W의 바람직한 예는 이하에 상세하게 설명된다.

복수의 W가 존재하는 경우에 있어서, 그들은 각각 독립적으로 치환기를 나타 낸다. R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

각각의 R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W가 1가 치환기를 나타내는 경우에 있어서, 상기 1가 치환기의 예는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기(알킬아미노기 또는 아릴아미노기), 아실아미노기(아미도기), 아미노카르보닐아미노기(우레이도기), 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 및 이미도기를 포함하고, 각각은 치환기를 더 가져도 좋다.

W의 특히 바람직한 예는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 알콕시기, 아미도기, 우레이도기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 술파모일기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 카르바모일기 및 알콕시카르보닐기이다. 그 중에서, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 시아노기, 히드록실기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 헤테로환 기 및 알콕시카르보닐기가 보다 바람직하고, 알킬기, 아릴기, 히드록실기 및 알콕시카르보닐기가 가장 바람직하다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂의 특히 바람직한 예는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 알콕시기, 아미도기, 우레이도기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 술파모일기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 카르바모일기 및 알콕시카르보닐기이다. 그 중에서, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 시아노기, 히드록실기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 헤테로환 기 및 알콕시카르보닐기가 특히 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 히드록실기 및 알콕시카르보닐기가 가장 바람직하다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W는 이하에 더 상세하게 설명한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 할로겐 원자는 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타낸다. 그 중에서, 할로겐 원자 또는 브롬 원자가 바람직하고, 염소 원자가 특히 바람직하다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알킬기는 치환 또는 무치환의 알킬기를 포함한다. 상기 치환 또는 무치환의 알킬기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 그 중에서, 히드록실기, 알콕시기, 시아노기, 할로겐 원자, 술포기(그들의 염 형태라 도 가능) 및 카르복실기(그들의 염 형태라도 가능)가 바람직하다. 상기 알킬기의 예는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, n-옥틸, 에이코실, 2-클로로에틸, 히드록시에틸, 시아노에틸 및 4-술포부틸을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 시클로알킬기는 치환 또는 무치환의 시클로알킬기를 포함된다. 상기 치환기 또는 무치환된 시클로알킬기는 5∼30개의 탄소 원자를 함유하는 시클로알킬기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 시클로알킬기의 예는 시클로헥실, 시클로펜틸 및 4-n-도데실시클로헥실을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아랄킬기는 치환 또는 무치환의 아랄킬기가 포함된다. 상기 치환기 또는 무치환된 아랄킬기는 7∼30개의 탄소 원자를 함유하는 아랄킬기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아랄킬기의 예는 벤질 및 2-페니틸을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 알케닐기는 직쇄상, 분기상 또는 환상의 치환 또는 무치환의 알케닐기를 포함한다. 바람직하게, 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알케닐기, 예컨대, 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 올레일, 2-시클로펜텐-1-일 및 2-시클로헥센-1-일을 열거할 수 있다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알키닐기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알키닐기, 예컨대, 에티닐 및 프로파르길을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아릴기는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 예컨대, 페닐, p-톨릴, 나프틸, m-클로로페닐 및 o-헥사데카노일아미노페닐을 포함한다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 헤테로환 기는 5 또는 6원의 치환 또는 무치환의 방향족 또는 비방향족 헤테로환 화합물로부터 하나의 수소 원자를 제거함으로써 형성된 1가이고, 다른 환과 더 축합되어도 좋다. 보다 바람직하게는, 3∼30개의 탄소 원자를 함유하는 5 또는 6원 방향족 헤테로환 기이다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 치환 위치를 제한함 없이 상기 헤테로환 기를 열거하면, 피리딜, 피라지닐, 피리다지닐, 피리미디닐, 트리아지닐, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 퀴나졸리닐, 신놀리닐, 프탈라지닐, 퀴녹살리닐, 피롤릴, 인돌릴, 푸릴, 벤조푸릴, 티에닐, 벤조티에닐, 피라졸릴, 이미다졸릴, 벤즈이미다졸릴, 트리아졸릴, 옥사졸릴, 벤즈옥사졸릴, 티아졸릴, 벤조티아졸릴, 이소티아졸릴, 벤조이소티아졸릴, 티아디아졸릴, 이소옥사졸릴, 벤즈이소옥사졸릴, 피롤리디닐, 피페리딜, 피페라지닐, 이미다졸릴 및 티아졸릴을 열거할 수 있다.

또한, 피리딜기, 피리미디닐기, 피리다지닐기 및 트리아지닐기가 바람직하다. 그 중에서, 피리딜기, 피리미디닐기 및 트리아지닐기가 바람직하고, 2-피리딜기, 2,4-피리미디닐기 및 s-트리지닐기가 가장 바람직하다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알콕시기는 치환 또는 무치환의 알콕시기를 포함한다. 상기 치환 또는 무치환의 알콕시기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 알콕시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알콕시기의 예는 메톡시, 에톡시, 이소프로폭시, n-옥틸옥시, 메톡시에톡시, 히드록시에톡시 및 3-카르복시프로폭시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아릴옥시기는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아릴옥시기의 예는 페녹시, 2-메틸페녹시, 4-t-부틸페녹시, 3-니트로페녹시 및 2-테트라데카노일아미노페녹시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 실릴옥시기는 3∼20개의 탄소 원자를 함유하는 실릴옥시기가 바람직하고, 그것의 예는 트리메틸실릴옥시 및 t-부틸디메틸실릴옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 헤테로환 옥시기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 헤테로환 옥시기의 예는 1-페닐테트라졸-5-옥시 및 2-테트라히드로피라닐옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아실옥시기는 포르밀옥시기, 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐옥시기 또는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아실옥시기의 예는 포르밀옥시, 아세틸옥시, 피발로일옥시, 스테아로일옥시, 벤조일옥시 및 p-메톡시페닐카르보닐옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 카르바모일옥시기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 카르바모일옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 카르바모일옥시기의 예는 N,N-디메틸카르바모일옥시, N,N-디에틸카르바모일옥시, 모르폴리노카르보닐옥시, N,N- 디-n-옥틸아미노카르보닐옥시 및 N-n-옥틸카르바모일옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알콕시카르보닐옥시기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알콕시카르보닐옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알콕시카르보닐옥시기의 예는 메톡시카르보닐옥시, 에톡시카르보닐옥시, t-부톡시카르보닐옥시 및 n-옥틸카르보닐옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아릴옥시카르보닐옥시기는 7∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아릴옥시카르보닐옥시기 예는 페녹시카르보닐옥시, p-메톡시페녹시카르보닐옥시 및 p-n-헥사데실옥시페녹시카르보닐옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아미노기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬아미노기 또는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아미노기의 예는 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 아 닐린, N-메틸아닐리노, 디페닐아미노, 히드록시에틸아미노, 카르복시에틸아미노, 술포에틸아미노 및 3,5-디카르복시아닐리노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아실아미노는 포르밀아미노기, 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐아미노기 또는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아실아미노의 예는 포르밀아미노, 아세틸아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 벤조일아미노 및 3,4,5-트리-n-옥틸옥시페닐카르보닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아미노카르보닐아미노기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아미노카르보닐아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아미노카르보닐아미노기의 예는 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르보닐아미노 및 모르폴리노카르보닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알콕시카르보닐아미노기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알콕시카르보닐아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄ 에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알콕시카르보닐아미노기의 예는 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노 및 N-메틸-메톡시카르보닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아릴옥시카르보닐아미노기는 7∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아릴옥시카르보닐아미노기의 예는 페녹시카르보닐아미노, p-클로로페녹시카르보닐아미노 및 m-n-옥틸페녹시카르보닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 술파모일아미노기는 0∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 술파모일아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 술파모일아미노기의 예는 술파모일아미노, N,N-디메틸아미노술포닐아미노 및 N-n-옥틸아미노술포닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알킬 또는 아릴술포닐아미노기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬술포닐아미노기 또는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴술포닐아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알킬술포닐아미노기 및 아릴술포닐아미노기의 예는 메틸술포닐아미노, 부틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노, 2,3,5-트리클로로페닐술포닐아미노 및 p-메틸페닐술포닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알킬티오기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬티오기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알킬티오기의 예는 메틸티오, 에틸티오 및 n-헥사데실티오를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아릴티오기는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴티오기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아릴티오기의 예는 페닐티오, p-클로로페닐티오 및 m-메톡시페닐티오를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 헤테로환 티오기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 티오기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 헤테로환 티오기의 예는 2-벤조티아졸릴티오 및 1-페닐테트라졸-5-일티오를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 술파모일기는 0∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 술파모일기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 술파모일기의 예는 N-에틸술파모일, N-(3-도데실옥시프로필)술파모일, N,N-디메틸술파모일, N-아세틸술파모일, N-벤조일술파모일 및 N-(N'-페닐카르바모일)술파모일)을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알킬 또는 아릴술피닐기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬술피닐기 또는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴술피닐기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알킬 및 아릴술피닐기의 예는 메틸술피닐, 에틸술피닐, 페닐술피닐 및 p-메틸페닐술피닐을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알킬 또는 아릴술포닐기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기 또는 6∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것 과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알킬 및 아릴술포닐기의 예는 메틸술포닐, 에틸술포닐, 페닐술포닐 및 p-톨루엔술포닐을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아실기는 포르밀기, 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐기, 7∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐기 또는 4∼30개의 탄소 원자를 함유하는 헤테로환 카르보닐기(여기서, 상기 헤테로환은 탄소 원자를 통하여 상기 카르보닐기와 결합됨)가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아실기의 예는 아세틸, 피발로일, 2-클로로아세틸, 스테아로일, 벤조일, p-n-옥틸옥시페닐카르보닐, 2-피리딜카르보닐 및 2-푸릴카르보닐을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아릴옥시카르보닐기는 7∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 아릴옥시카르보닐기의 예는 페녹시카르보닐, o-클로로페녹시카르보닐, m-니트로페녹시카르보닐 및 p-t-부틸페녹시카르보닐을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 알콕시카르보닐기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알콕시카르보닐기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 알콕시카르보닐기의 예는 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐 및 t-부톡시카르보닐, n-옥타데실옥시카르보닐을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 카르바모일기는 1∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 카르바모일기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 카르바모일기의 예는 카르바모일, N-메틸카르바모일, N,N-디메틸카르바모일, N,N-디-n-옥틸카르바모일 및 N-(메틸술포닐)카르바모일을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 포스피노기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 포스피노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 포스피노기의 예는 디메틸포스피노, 디페닐포스피노 및 메틸페닐포스피노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 포스피닐기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 포스피닐기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동 일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 포스피닐기의 예는 포스피닐, 디옥틸옥시포스피닐 및 디에톡시포스피닐을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 포스피닐옥시기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 포스피닐옥시기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 포스피닐옥시기의 예는 디페녹시포스피닐옥시 및 디옥틸옥시포스피닐옥시를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 포스피닐아미노기는 2∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 포스피닐아미노기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 포스피닐아미노기의 예는 디메톡시포스피닐아미노 및 디메틸아미노포스피닐아미노를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 실릴기는 3∼30개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 실릴기가 바람직하다. 상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다. 상기 실릴기의 예는 트리메틸실릴, t-부틸디메틸실릴 및 페닐디메틸실릴을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아조기의 예는 페닐아조, 4-메톡시페닐아조, 4-피발로일아미노페닐아조 및 2-히드록시-4-프로파노일페닐아조를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 이미도기의 예는 N-숙신이미도 및 N-프탈이미도를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 헤테로환 티오기는 치환 및 무치환의 헤테로환 티오기를 갖는 헤테로환 티오기를 포함한다. 상기 헤테로환 티오기는 5 또는 6원 헤테로환 기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 치환기의 예는 이온성 친수성기를 포함한다. 상기 헤테로환 티오기의 예는 2-피리딜티오기를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 술피닐기는 알킬술피닐기 및 아릴술피닐기를 포함한다. 상기 술피닐기의 예는 3-술포프로필술피닐기 및 3-카르복시프로필술피닐기를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 포스포릴기는 치환 및 무치환의 포스포릴기를 갖는 포스포릴기를 포함한다. 상기 포스포릴기의 예는 페녹시포스포릴기 및 페닐포스포릴기를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 아실기는 치환 및 무치환의 아실기를 갖는 아실기를 포함한다. 상기 아실기로서, 치환기를 제외한 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 아실기가 바람직하다. 상기 아실기의 예는 이온성 친수성기 를 포함한다. 상기 아실기의 예는 아세틸기 및 벤조일기를 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W로 나타내어지는 상기 이온성 친수성기는 술포기, 카르복실기, 포스포노기 및 4급 암모늄기를 포함한다. 상기 이온성 친수성기로서, 카르복실기 및 술포기가 바람직하다. 상기 카르복실기 및 상기 술포기는 그들의 염 형태이어도 좋다. 상기 염을 형성하는 카운터 이온의 예는 암모늄 이온, 알칼리 금속 이온(예컨대, 칼슘 이온 또는 바륨 이온) 및 유기 양이온(예컨대, 테트라메틸구아니듐 이온)을 포함한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W가 각각 2가 기를 나타내는 경우에 있어서, 상기 2가 기는 알킬렌기(예컨대, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌 또는 펜틸렌), 알케닐기(예컨대, 에테닐렌 또는 프로페닐렌), 알키닐렌기(예컨대, 에티닐렌 또는 프로피닐렌), 아릴렌기(예컨대, 페닐렌 또는 나프틸렌), 2가 헤테로환 기(예컨대, 6-클로로-1,3,5-트리아진-2,4-디일기, 피리미딘-2,4-디일기, 피리미딘-4,6-디일기, 퀴녹살린-2,3-디일기, 피리다진-3,6-디일기, -O-, -CO-, -NR'-(여기서, R'은 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타냄), -S-, -SO₂-, -SO- 또는 그들의 조합(예컨대, -NHCH₂CH₂NH- 또는 -NHCONH-)이 바람직하다.

상기 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, 아릴렌기, 2가 헤테로환 기 및 R'의 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 가져도 좋다.

상기 치환기의 예로서, 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다.

상술된 R'의 알킬기 및 아릴기는 R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W가 각각 알킬기 또는 아릴기를 나타내는 경우에 관하여 열거된 치환기의 예와 동일하다.

보다 바람직하게는, 상기 2가 기는 10개 이하의 탄소 원자를 함유하는 알킬렌기, 10개 이하의 탄소 원자를 함유하는 알케닐렌기, 10개 이하의 탄소 원자를 알키닐렌기, 6∼10개의 탄소 원자를 함유하는 아릴렌기, 2가 헤테로환 기, -S-, -SO-, -SO₂- 또는 그들의 조합(예컨대, -SCH₂CH₂S- 또는 -SCH₂CH₂CH₂S-)이다.

상기 2가 연결기는 바람직하게는 총 탄소 원자가 0∼50개, 보다 바람직하게는 0∼30개, 가장 바람직하게는 0∼10개를 함유한다.

R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁, Q₂ 및 W가 3가 기를 나타내는 경우에 있어서, 상기 3가 기는 3가 탄화수소기, 3가의 헤테로환 기, >N- 또는 그것의 2가 기와의 조합(예컨대, >NCH₂CH₂NH- 또는 >NCONH-)이 바람직하다.

상기 3가 연결기는 바람직하게는 총 탄소 원자가 0∼50개, 보다 바람직하게는 0∼30개, 가장 바람직하게는 0∼10개를 함유한다.

일반식 (1)에 있어서, t는 0∼4의 정수를 나타내고, 0∼2가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하며, 1이 가장 바람직하다.

상기 일반식 (1)의 G로 구성되어진 5∼6원 헤테로환 기의 바람직한 예는 5 또는 6원의 치환 또는 무치환의 방향족 또는 비방향족 헤테로환 기이고, 다른 환과 더 축합되어도 좋다. 보다 바람직하게는 3∼30개의 탄소 원자를 함유하는 5 또는 6 원 방향족 헤테로환 기이다.

치환 위치를 제한함 없이 G로 나타내어지는 상기 헤테로환 기를 열거하면, 피리딘, 피라진, 피리다진, 피리미딘, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 신놀린, 프탈라진, 퀴녹살린, 피롤, 인돌, 푸란, 벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 피라졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 티아졸, 벤조티아졸, 이소티아졸, 벤조이소티아졸, 티아디아졸, 이소옥사졸, 벤즈이소옥사졸, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 이미다졸리딘, 티아졸린 및 술포란을 열거할 수 있다.

보다 바람직하게는 피리딘환, 피라진환, 피리다진환, 피리미딘환 및 트리아진환이다. 그들 중에, s-트리아진환, 피리미딘환, 피리다진환 및 피라진환이 바람직하고, 2,3-피리다진환, 2,4-피리미딘환, 2,5-피라진환, 2,6-피리미딘환 및 s-트리아진환이 가장 바람직하다.

G로 구성되어진 헤테로환 기가 치환기를 더 가질 수 있는 기인 경우에 있어서, 상기 치환기의 예로는 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄에 관하여 열거된 것과 동일한 치환기를 열거할 수 있다.

일반식 (1)로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 관하여, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (1)로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 특히 바람직한 기의 조합은 이하의 (a)∼(k)를 포함한다.

(a) G는 5 또는 6원의 질소 함유 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 위치를 한정함 없이 열거하면, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환, 피라진 환, 피리딘 환, 이미다졸 환, 피라졸 환 및 피롤 환이 바람직하다. 그 중에서, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환 및 피라진 환이 바람직하고, 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 및 s-트리아진 환이 가장 바람직하다.

(b) W는 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 무치환의 카르바모일기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴티오기이고, 히드록실기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기 및 치환 또는 무치환의 알킬티오기가 특히 바람직하며, 히드록실기 및 아미노기가 가장 바람직하다.

(c) t는 0∼4의 정수를 나타내고, 0∼2가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하며, 1이 가장 바람직하다.

(d) 바람직하게는, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기이다. 그 중에서, 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 메틸기 및 sec- 또는 tert-알킬기가 바람직하며, 메틸기 및 t-부틸기가 가장 바람직하다.

(e) 바람직하게는, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아실기, 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기를 나타낸다. 특히 바람직하게는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 또는 치환 또는 무치환의 아실기이다. 그 중에서, 수소 원자가 특히 바람직하다.

(f) 바람직하게는, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기 (1)∼(15)로부터 선택된다. 그 중에서, (1), (2), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11)이 바람직하고, (2), (5), (6), (7), (8), (9) 및 (10)이 특히 바람직하고, (2), (5), (6), (7) 및 (10)이 보다 바람직하고, (2) 및 (7)이 더욱 바람직하며, (2)가 가장 바람직하다.

(g) X의 특히 바람직한 예는 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기 및 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(h) Y는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기, 치환 또는 무치환의 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴기, 또는 치 환 또는 무치환의 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(i) Z는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 보다 바람직하고, 치환 또는 무치환의 질소 함유 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

(j) W₀은 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 또는 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기가 특히 바람직하다. 그 중에서, 시아노기, 메탄술포닐기 및 페닐술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(k) W₁∼W₄는 각각 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 더욱 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (1)로 나타내어지는 아조 안료는 하기 일반식 (3)으로 나타내어지는 아조 안료가 바람직하다.

일반식 (3)으로 나타내어지는 아조 안료, 그들의 호변이성체 및 그들의 염 또는 수화물은 이하에 상세하게 설명된다.

상기 일반식 (1)로 나타내어지는 아조 안료 중에서, 하기 일반식 (3)으로 나타내어지는 아조 안료가 바람직하다.

일반식 (3)

일반식 (3)에 있어서, R₁, R₂, G, W, t, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (3)으로 나타내어지는 R₁, R₂, G, W, t, Het-1 및 Het-2와 동일하다. 별표(*)는 일반식 (3)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

R₁, R₂, G, W, t, Het-1 및 Het-2는 이하에 더 상세하게 설명된다.

치환기 R₁ 및 R₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (1)의 R₁ 및 R₂의 것과 동일하고, 그들의 바람직한 예도 설명된 것과 동일하다.

G의 예는 상기 일반식 (1)의 G의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 설명된 것과 동일하다.

치환기 W의 예는 상기 일반식 (1)의 W의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 설명된 것과 동일하다.

t의 예는 상기 일반식 (1)의 t의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 설명된 것과 동일하다.

Het-1 및 Het-2로 나타내어지는 헤테로환 기의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (1)의 Het-1 및 Het-2의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 설명된 것과 동일하다.

일반식 (3)으로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 관하여, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (3)으로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 기의 특히 바람직한 조합은 이하의 (a)∼(j)를 포함한다.

(a) G는 5 또는 6원의 질소 함유 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 위치를 한정함 없이 열거하면, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환, 피라진 환, 피리딘 환, 이미다졸 환, 피라졸 환 및 피롤 환이 바람직하다. 그 중에서, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환 및 피라진 환이 바람직하고, 2,3-피리다진 환, 2,4- 피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 및 s-트리아진 환이 가장 바람직하다.

(b) W는 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 무치환의 카르바모일기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴티오기이고, 히드록실기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기 및 치환 또는 무치환의 알킬티오기가 특히 바람직하며, 수소 원자, 히드록실기 및 아미노기가 가장 바람직하다.

(e) 바람직하게는, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기 (1)∼(15)로부터 선택된다. 그 중에서, (1), (2), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11)이 바람직하고, (2), (5), (6), (7), (8), (9) 및 (10)이 특히 바람직하고, (2), (5), (6), (7) 및 (10)이 보다 바람직하고, (2) 및 (7)이 더욱 바람직하며, (2)가 가장 바람직하다.

(f) X의 특히 바람직한 예는 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기 및 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(g) Y는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기, 치환 또는 무치환의 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(h) Z는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 보다 바람직하고, 치환 또는 무치환의 질소 함유 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

(i) W₀은 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개 의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 또는 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기가 특히 바람직하다. 그 중에서, 시아노기, 메탄술포닐기, 페닐술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(j) W₁∼W₄는 각각 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 또는 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (1) 및 (3)으로 나타내어지는 아조 안료 중에, 하기 일반식 (4)로 나타내어지는 아조 안료가 바람직하다.

일반식 (4)로 나타내어지는 상기 아조 안료, 그들의 호변이성체, 그들의 염 또는 수화물은 이하에 상세하게 설명된다.

일반식 (4)

치환기 R₁, R₂, G, W 및 t의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (3)의 R₁, R₂, G, W 및 t 각각의 것과 동일하다. X₁ 및 X₂는 각각 독립적으로 0.2 이상의 헤맷 σp값을 갖는 전자 흡인성 기를 나타낸다. Y₁, Y₂, Z₁ 및 Z₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

R₁, R₂, G, W, t, Y₁, Y₂, Z₁ 및 Z₂는 이하에 보다 상세하게 설명된다.

치환기 R₁ 및 R₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (3)의 R₁ 및 R₂의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

G의 예는 상기 일반식 (3)의 G의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

치환기 W의 예는 상기 일반식 (3)의 W의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

t의 예는 상기 일반식 (3)의 t의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

X₁ 및 X₂의 치환기의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)의 X의 것과 동일하다.

Y₁ 및 Y₂의 치환기의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)의 Y의 것과 동일하다.

Z₁ 및 Z₂의 치환기의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)의 Z의 것과 동일하다.

일반식 (4)로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 대해서, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (4)로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 기의 특히 바람직한 조합은 이하의 (a)∼(g)를 포함한다.

(a) G는 5 또는 6원 질소 함유 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 위치를 한정함 없이 열거하면, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환, 피라진 환, 피리딘 환, 이미다졸 환, 피라졸 환 및 피롤 환이 바람직하다. 그 중에서, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환 및 피라진 환이 바람직하고, 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 및 s-트리아진 환이 가장 바람직하다.

(b) W는 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 무치환의 카르바모일기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴티오기가 바람직하고, 히드록실기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기 및 치환 또는 무치환의 알킬티오기가 특히 바람직하며, 히드록실기 및 아미노기가 가장 바람직하다.

(e) 특히 바람직하게는, X₁ 및 X₂는 각각 독립적으로 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기 및 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(f) 특히 바람직하게는, Y₁ 및 Y₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(g) 특히 바람직하게는, Z₁ 및 Z₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기이다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 보다 바람직하며, 치환 또는 무치환의 질소 함유 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (1) 및 (3)으로 나타내어지는 아조 안료 중에, 하기 일반식 (5)로 나타내어지는 아조 안료가 바람직하다.

하기 일반식 (5)로 나타내어지는 아조 안료, 그들의 호변이성체, 그들의 염 또는 수화물을 이하에 상세하게 설명한다.

일반식 (5)

일반식 (5)에 있어서, R₁, R₂, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (3)으로 나타내어지는 R₁, R₂, Het-1 및 Het-2와 동일하다. 상기 별표(*)는 일반식 (5)의 상기 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

R₁, R₂, W, Het-1 및 Het-2는 이하에 상세하게 설명된다.

Het-1 및 Het-2로 나타내어지는 헤테로환 기의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (3)의 Het-1 및 Het-2의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

일반식 (5)로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 대해서, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (5)로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 특히 바람직한 기의 조합은 이하의 (a)∼(i)를 포함한다.

(a) W는 히드록실기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴티오기가 바람직하고, 히드록실기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기가 특히 바람직하며, 히드록실기 및 아미노기가 가장 바람직하다.

(b) 바람직하게는, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또 는 무치환의 아릴기 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기이다. 그 중에서, 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 메틸기 및 sec- 또는 tert-알킬기가 바람직하며, 메틸기 및 t-부틸기가 가장 바람직하다.

(c) 바람직하게는, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기 (1)∼(15)로부터 선택된다. 그 중에서, (1), (2), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11)이 바람직하고, (2), (5), (6), (7), (8), (9) 및 (10)이 특히 바람직하고, (2), (5), (6), (7) 및 (10)이 보다 바람직하고, (2) 및 (7)이 더욱 바람직하며, (2)가 가장 바람직하다.

(d) X의 특히 바람직한 예는 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기 및 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(e) Y는 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(f) Z는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로 알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 보다 바람직하고, 치환 또는 무치환의 질소 함유 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

(g) W₀은 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 또는 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기가 특히 바람직하다. 그 중에서, 시아노기, 메탄술포닐기 및 페닐술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(h) W₁∼W₄는 각각 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 또는 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(i) 안료 모핵에 관하여, 아조 안료는 모핵의 주성분이 아조 안료핵 및 히드라존 안료핵 중에 아조 안료 모핵인 것이 바람직하다. 그 중에서, 상기 아조 안료 모핵을 갖고 단일 결정형인 안료가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (5)로 나타내어지는 아조 안료 중에, 하기 일반식 (6)으로 나타 내어지는 아조 안료가 바람직하다.

하기 일반식 (6)으로 나타내어지는 아조 안료, 그들의 호변이성체, 그들의 염 또는 수화물은 이하에 상세하게 설명된다.

일반식 (6)

일반식 (6)에 있어서, R₁, R₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 치환기를 나타내고, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 일반식 (5)의 Het-1 및 Het-2의 것과 동일하다. 상기 별표(*)는 일반식 (6)의 상기 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

R₁, R₂, W, Het-1 및 Het-2는 이하에 상세하게 설명된다.

치환기 R₁및 R₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (5)의 R₁및 R₂의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

Het-1 및 Het-2로 나타내어지는 헤테로환 기의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (5)의 Het-1 및 Het-2 각각의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

일반식 (6)으로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 관하여, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람 직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (6)으로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 기의 특히 바람직한 조합은 이하의 (a)∼(g)를 포함한다.

(a) 바람직하게는, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기이다. 그 중에서, 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 메틸기 및 sec- 또는 tert-알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기 및 t-부틸기가 가장 바람직하다.

(b) 바람직하게는, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기 (1)∼(15)로부터 선택된다. 그 중에서, (1), (2), (3), (4), (5), (6), (7), (8), (9), (10) 및 (11)이 바람직하고, (2), (5), (6), (7), (8), (9) 및 (10)이 특히 바람직하고, (2), (5), (6), (7) 및 (10)이 보다 바람직하고, (2) 및 (7)이 더욱 바람직하며, (2)가 가장 바람직하다.

(c) X의 특히 바람직한 예는 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 및 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기 및 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(d) Y는 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(e) Z는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 특히 바람직하고, 치환 또는 무치환의 질소를 함유하는 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

(f) W₀은 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 또는 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기가 특히 바람직하다. 그 중에서, 시아노기, 메탄술포닐기, 페닐술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(g) W₁∼W₄는 각각 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

본 발명은 일반식 (1), (3), (4) 및 (6)으로 나타내어지는 아조 안료의 호변이성체도 그 범위로 포함한다. 상기 일반식 (1), (3), (4) 및 (6)은 화학적 구조의 관점에서 가능한 몇몇의 호변이성체 중에 제한된 구조의 형태를 나타내지만, 아조 안료는 나타낸 것 이외의 다른 구조의 호변이성체이어도 좋고, 복수의 호변이성체를 함유하는 혼합물로서 사용되어도 좋다. 예컨대, 일반식 (6)으로 나타내어지는 안료는 하기 일반식 (6')∼(6''')으로 나타내어지는 아조-히드라존 호변이성체라고 생각될 수 있다.

일반식 (6')∼(6''')는 이하에 상세하게 설명된다.

일반식 (6')∼(6''')에 있어서, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 치환기를 나타내고, Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (5)로 나타내어지는 Het-1 및 Het-2의 것과 동일하고, 상기 별표(*)는 일반식 (6)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.

R₁, R₂, Het-1 및 Het-2는 이하에 보다 상세하게 설명된다.

치환기 R₁ 및 R₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (5)의 R₁ 및 R₂의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

일반식 (6')∼(6''')으로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 관하여, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (6')∼(6''')으로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 기의 특히 바람직한 조합은 이하의 (a)∼(g)를 포함한다.

(a) 바람직하게는, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기이다. 그 중에서, 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 메틸기 및 sec- 또는 tert-알킬기가 보다 바람직하며, 메 틸기 및 t-부틸기가 가장 바람직하다.

(e) Z는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환 의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 특히 바람직하고, 치환 또는 무치환의 질소 함유 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

상기 일반식 (6)의 아조 안료는 예컨대, 일반식 (6')∼(6''')으로 나타내어지는 그들의 호변이성체를 함유하는 혼합물로서 사용되어도 좋다. 그러나, 바람직하게는 상기 일반식 (6)으로 나타내어지는 아조 안료가 주성분을 이루는 것이 바람직하다.

상기 일반식 (4)로 나타내어지는 아조 안료 중에, 하기 일반식 (7)로 나타내어지는 아조 안료가 바람직하다.

일반식 (7)로 나타내어지는 아조 안료, 그들의 호변이성체, 그들의 염 또는 수화물은 이하에 상세하게 설명된다.

일반식 (7)

일반식 (7)에 있어서, R₁, R₂, X₁, X₂, Y₁ 및 Y₂는 각각 독립적으로 상기 일반식 (4)의 R₁, R₂, X₁, X₂, Y₁ 및 Y₂의 것과 동일하고, G₁은 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, W는 G₁로 구성되어진 헤테로환 기와 결합시킬 수 있는 치환기를 나타내고, t는 0∼4의 정수를 나타내고, G₁₁ 및 G₁₂는 각각 독립적으로 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, G₁₁ 및 G₁₂로 구성되어진 상기 헤테로환 기는 각각 독립적으로 무치환기이거나 치환기를 가져도 좋고, 상기 헤테로환기는 각각 단환이거나 축합환을 가져도 좋다.

R₁, R₂, G₁, W, t, X₁, X₂, Y₁, Y₂, G₁₁ 및 G₁₂는 이하에 보다 상세하게 설명된다.

치환기 R₁ 및 R₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (4)의 R₁ 및 R₂의 것과 동일하다.

G₁의 예는 상기 일반식 (4)의 G의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

치환기 W의 예는 상기 일반식 (4)의 W의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

t의 예는 상기 일반식 (4)의 t의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

치환기 X₁ 및 X₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (4)의 X₁ 및 X₂의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

치환기 Y₁ 및 Y₂의 예는 각각 독립적으로 상기 일반식 (4)의 Y₁ 및 Y₂의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

G₁₁ 및 G₁₂로 각각 나타내어지는 질소 함유 헤테로환 기의 적어도 하나는 하기 일반식 (8)의 (G-1)∼(G-13) 중 어느 하나로 나타내어지는 것이 바람직하다.

일반식 (8)

상기 일반식 (8)에 있어서, (G-1)∼(G-13)의 별표(*)는 상기 일반식 (7)로 나타내어지는 피라졸환 상의 N 원자와의 부착 지점을 나타내고, Z₁₁∼Z₁₄는 각각 헤테로환 기와 결합될 수 있는 치환기를 나타내고, (G-13)의 G'은 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타낸다.

상기 일반식 (8)의 (G-1)∼(G-13)의 Z₁₁, Z₁₂, Z₁₃ 및 Z₁₄는 각각 수소 원자이거나 또는 상기 일반식 (2)의 X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄로 나타내어지는 치환기와 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

상기 일반식 (8)의 (G-13)의 G'로 나타내어지는 헤테로환 기의 예는 축합환을 형성할 수 있는 한, 상기 일반식 (7)의 G₁로 구성되어진 5∼6원 헤테로환 기의 바람직한 예와 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

일반식 (7)로 나타내어지는 본 발명의 안료의 치환기의 바람직한 조합에 관하여, 각종 치환기 중 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (7)로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료의 기의 특히 바람직한 조합은 이하의 (a)∼(g)를 포함한다.

(a) G₁₁은 5 또는 6원 질소 함유 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 위치를 한정함 없이 열거하면, s-트리아지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 피라질기, 피리딜기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기 및 피롤릴기가 바람직하다. 그 중에서, s-트리아지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기 및 피라지닐기가 바람직하고, 2,3-피리다질기, 2,4-피리미디닐기, 2,5-피라질기, 2,6-피리미디닐기 및 s-트리아지닐기가 가장 바람직하다.

(b) W는 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 무치환의 카르바모일기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시기, 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴티오기가 바람직하고, 히드록실기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 알콕시 기 및 치환 또는 무치환의 알킬티오기가 특히 바람직하며, 히드록실기 및 아미노기가 가장 바람직하다.

(d) 바람직하게는, R₁ 및 R₂는 각각 독립적으로 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기이다. 그 중에서, 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 메틸기 및 sec- 또는 tert-알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기 및 t-부틸기가 가장 바람직하다.

(e) 특히 바람직하게는, X₁ 및 X₂는 각각 독립적으로 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기, 또는 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기이다. 그 중에서, 시아노기 및 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

(f) 특히 바람직하게는, Y₁ 및 Y₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개 의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(g) 특히 바람직하게는, G₁₁ 및 G₁₂는 각각 독립적으로 상기 일반식 (8)의 (G-1), (G-2), (G-3), (G-4), (G-5), (G-6), (G-7), (G-9), (G-10) 및 (G-11)이다. 그 중에서, (G-1), (G-2), (G-3), (G-4), (G-5) 및 (G-6)이 특히 바람직하고, (G-1), (G-3), (G-4), (G-5) 및 (G-6)이 보다 바람직하며, (G-1), (G-4) 및 (G-6)이 가장 바람직하다.

상기 일반식 (1), (3), (4), (5), (6) 및 (7)로 나타내어지는 아조 안료에 대해서, 그것의 아조-히드라존 호변이성체가 생각될 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 일반식 (1)로 나타내어지는 아조 안료는 분자 내 수소 결합 또는 분자 내 가교 수소 결합을 형성하는 치환기를 갖는 것이 바람직하다. 1개 이상의 분자 내 수소 결합을 형성하는 치환기를 갖는 것이 바람직하고, 2개 이상의 분자 내 수소 결합을 형성하는 치환기를 갖는 것이 보다 바람직하고, 1개 이상의 분자 내 수소 결합 및 1개 이상의 분자 내 가교 수소 결합을 형성하는 치환기를 갖는 것이 더욱 바람직하며, 2개 이상의 분자 내 수소 결합 및 1개 이상의 분자 내 가교 수소 결합을 형성하는 치환기를 갖는 것이 특히 바람직하다.

상기 일반식 (1), (3), (4), (5), (6) 및 (7)로 나타내어지는 아조 안료 중에, 하기 일반식 (7-1), (7-2) 및 (7-3)으로 나타내어지는 아조 안료가 특히 바람 직한 아조 안료의 예로서 열거될 수 있다.

상기 구조가 바람직한 요인으로서, 일반식 (7-1)로 나타낸 바와 같이, 아조 안료 구조에 함유된 헤테로환을 구성하는 질소 원자, 아미노기의 수소 원자 및 헤테로 원자(아조기 또는 그것의 호변이성체인 히드라존기의 질소 원자 및 카르보닐기의 산소 원자 또는 아미노기의 질소 원자)가 적어도 1개 이상의 분자 내 수소 결합을 용이하게 형성할 수 있다는 것을 열거할 수 있다.

보다 바람직하게는, 하기 일반식 (7-2)로 나타낸 바와 같이, 아조 안료 구조에 함유된 헤테로환을 구성하는 질소 원자, 아미노기의 수소 원자 및 헤테로 원자(아조기 또는 그것의 호변이성체인 히드라존기의 질소 원자 및 카르보닐기의 산소 원자 또는 아미노기의 질소 원자)가 적어도 2개 이상의 분자 내 수소 결합을 용이하게 형성할 수 있다.

특히 바람직하게는, 하기 일반식 (7-3)으로 나타낸 바와 같이, 아조 안료 구조에 함유된 헤테로환을 구성하는 질소 원자, 아미노기의 수소 원자 및 헤테로 원자(아조기 또는 그것의 호변이성체인 히드라존기의 질소 원자 및 카르보닐기의 산소 원자 또는 아미노기의 질소 원자)가 적어도 2개 이상의 분자 내 수소 결합 또한, 적어도 1개 이상의 분자 내 가교 수소 결합을 용이하게 형성할 수 있다.

그 결과, 분자의 평면성은 향상하고, 상기 분자 내 및 분자 간 상호작용이 개선되고, 일반식 (7-1), 보다 일반식 (7-2), 특히 일반식 (7-3)으로 나타내어지는 아조 안료의 결정성이 향상됨으로써(고차 구조의 안료를 형성하기 쉬움), 안료로서 요구 성능, 즉, 광견뢰성, 열안정성, 습열 안정성, 내수성, 내가스성 및/또는 내용 제성이 현저하게 개선될 수 있기 때문에 이러한 안료가 가장 바람직한 예이다.

일반식 (7-1)

일반식 (7-2)

일반식 (7-3)

일반식 (7-1)∼(7-3)에 있어서, R₁, R₂, G₁, Het-1 및 Het-2는 각각 상기 일반식 (1)의 R₁, R₂, G₁, Het-1 및 Het-2와 동일하고, G₁₁, G₁₂, X₁, X₂, Y₁ 및 Y₂는 각각 상기 일반식 (7)의 G₁₁, G₁₂, X₁, X₂, Y₁ 및 Y₂와 동일하다.

안료의 분산성의 관점에서, 상기 일반식 (1), (3), (4), (5), (6) 및 (7)로 나타내어지는 아조 안료에 대해서, IR 흡수 스펙트럼의 1700∼1730cm^-1의 범위의 피 크 흡수 강도가 1620∼1670cm^-1의 범위의 피크 흡수 강도의 1/3 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는, λmax는 400 및 480nm 사이에 존재하고, 가장 바람직하게는 상기 흡수 강도비가 1/5 이하이다.

상기 일반식 (1), (3), (4), (5), (6) 및 (7)로 나타내어지는 아조 안료의 구체예(열거된 아조 안료 Pig-1∼Pig-80)를 이하에 나타내지만, 본 발명에 사용되는 아조 안료는 제한되지 않는다.

또한, 상기 구체예의 이하 구조는 각각 화학 구조의 관점에서 가능한 몇몇의 호변이성체로부터 선택된 한정된 구조식을 나타낸다. 그러나, 상기 안료는 기재된 것 이외의 다른 호변이성체 구조이어도 좋은 것은 말할 필요도 없다.

일반식 (1), (3), (4)∼(7)로 나타내어지는 본 발명의 안료는 일반식 (1), (3), (4)∼(7)의 형태 또는 그것의 호변이성체이어도 좋고, 소위 다형이라 불리는 어느 결정 형태이어도 좋다.

다형은 동일한 화학적 조성을 갖는 결정이 결정의 빌딩 블록(분자 또는 이온)의 배치가 서로 다른 것을 의미한다. 상기 안료의 화학적 및 물리적 특성이 결정 구조에 의해서 결정되고, 동일한 안료의 다형 형태는 레올로지, 색 및 다른 색 특성에 의해서 서로 다르게 구별될 수 있다. 또한, 다른 다형은 X-Ray Diffration(분말 X-ray 회절법의 결과) 또는 X-Ray Analysis(결정 구조의 X-ray 분석 결과)에 의해서 확인할 수 있다.

일반식 (1), (3), (4)∼(7)로 나타내어지는 본 발명의 안료가 다형을 나타내는 경우에 있어서, 어떠한 다형 형태이어도 좋고 2개 이상 다형 형태의 혼합물이어도 좋다.

일반식 (1), (3), (4)∼(7)로 나타내어지는 본 발명의 아조 안료 중에 산 기를 갖는 것들에 대해서, 상기 산 기의 일부 또는 전부가 염 형태이어도 좋고, 또는 상기 염 형태의 안료는 안료 및 유리산 형태의 안료의 혼합물이어도 좋다. 상기 염 형태의 예는 Na, Li 또는 K 등의 알칼리 금속의 염, 알킬기 또는 히드록시알킬기로 선택적으로 치환된 암모늄의 염 및 유기 아민의 염을 포함한다. 상기 유기 아민의 예는 저급 알킬 아민, 히드록실로 치환된 저급 알킬 아민, 카르복시로 치환된 저급 알킬 아민 및 2∼4개의 탄소 원자를 함유하는 2∼10개의 알킬렌아민 유닛을 갖는 폴리아민을 포함한다. 이들 염 형태 안료에 대해서, 이들은 그 종류가 1종으로 제한되지 않고, 2종 이상의 혼합물이어도 좋다.

또한, 본 발명에 사용되는 안료의 구조에 관하여, 1분자에 복수개의 산 기가 존재하는 경우에 있어서, 상기 복수의 산 기는 염 형태 또는 산 형태이어도 좋고, 서로 다른 것이어도 좋다.

상기 일반식 (1), (3), (4)∼(7)로 나타내어지는 아조 안료는 결정 내에 수 분자를 함유하는 수화물이어도 좋다.

예컨대, 상기 일반식 (6)에 의해서 나타내어지는 본 발명의 아조 안료에 대해서, 각종 호변이성체 및/또는 다형 형태가 존재하고, 다른 형태의 아조 안료는 예컨대, IR 흡수 스펙트럼의 다른 흡수 패턴을 나타낸다.

상기 설명을 위하여, 염료(2)에 의한 IR 흡수 스펙트럼의 2종 흡수 패턴을 도 1 및 2에 나타낸다.

1700∼1730cm^-1의 범위의 흡수 강도는 도 1의 흡수 패턴과 도 2의 흡수 패턴 사이에서 크게 다르다.

이하, 1700 및 1730cm^-1 사이의 범위에서 흡수가 없음을 나타내는 결정을 α형이라 언급하고, 1700 및 1730cm^-1 사이의 범위에서 강한 흡수를 나타내는 결정을 β형이라 언급한다.

α형 아조 안료를 사용함으로써 제조된 안료 분산물 및 β형 아조 안료를 사용함으로써 제조된 안료 분산물 모두는 본 발명의 안료 분산물에 포함된다. 그러나, α형 아조 안료를 사용함으로써 제조된 안료 분산물은 분산성이 더욱 우수하여 바람직하다.

상기 일반식 (1)로 나타내어지는 아조 안료는 이하의 공정에 따라 제조할 수 있다. 즉, 하기 일반식 (9)로 나타내어지는 헤테로환 아민을 디아조화한다;

일반식 (9):

여기서, Het는 상기 일반식 (10)으로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 헤테로환 기와 동일하고, 별표(*)는 일반식 (9)의 아미노기와의 부착 지점을 나타내고,

이어서, 얻어진 디아조늄은 하기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물과 커플링됨으로써, 상기 일반식 (1)로 나타내어지는 아조 안료를 제조한다;

일반식 (11):

여기서, R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 치환기를 나타내고, G는 5 또는 6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, W는 G로 구성되어진 헤테로환 기와 결합시킬 수 있는 치환기를 나타내고, t는 0∼4의 정수를 나타낸다.

일반식 (9)에 있어서, Het는 상기 일반식 (1)의 Het-1 및 Het-2와 동일하고, 그것의 바람직한 예도 설명된 것과 동일하다. 상기 별표(*)는 일반식 (9)의 아미노기와의 부착 지점을 나타낸다.

일반식 (11)에 있어서, R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 상기 일반식 (1)의 R₁, R₂, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂와 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

G의 치환기의 예는 상기 일반식 (1)의 G의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

치환기 W의 예는 상기 일반식 (1)의 W의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

t의 예는 상기 일반식 (1)의 t의 것과 동일하고, 그것의 바람직한 예도 동일하다.

일반식 (9) 및 (11)로 나타내어지는 본 발명의 안료의 중간체의 치환기의 바람직한 조합에 관하여, 각종 치환기의 적어도 1개가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 바람직하고, 보다 많은 각종 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 보다 바람직하며, 모든 치환기가 상술되어 있는 바람직한 기인 화합물이 가장 바람직하다.

일반식 (9) 및 (11)로 나타내어지는 본 발명의 안료의 중간체의 특히 바람직한 조합은 이하의 (a)∼(k)를 포함한다.

(a) G는 5 또는 6원 질소 함유 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 위치를 한정함 없이 열거하면, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환, 피라진 환, 피리딘 환, 이미다졸 환, 피라졸 환 및 피롤 환이 바람직하다. 그 중에서, s-트리아진 환, 피리미딘 환, 피리다진 환 및 피라진 환이 바람직하고, 2,3-피리다진 환, 2,4-피리 미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 및 s-트리아진 환이 가장 바람직하다.

(e) 바람직하게는, P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 아실기, 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기를 나타낸다. 특히 바람직하게는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 또는 치환 또는 무치환의 아실기이다. 그 중에 서, 수소 원자가 특히 바람직하다.

(h) Y는 수소 원자, 총 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 알킬기, 총 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 총 4∼12개의 탄소 원자를 함유하는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 수소 원자 및 총 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 및 1∼8개의 탄소 원자를 함유하는 알킬기가 특히 바람직하며, 수소 원자가 가장 바람직하다.

(i) Z는 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 치환 또는 무치환의 알키닐기, 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 치환 또는 무치환의 아릴기, 또는 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 바람직하다. 그 중에서, 치환 또는 무치환의 아릴기 및 치환 또는 무치환 의 헤테로환 기가 바람직하고, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기가 특히 바람직하고, 치환 또는 무치환의 질소 함유 헤테로환 기가 가장 바람직하다.

(j) W₀은 시아노기, 1∼12개의 탄소 원자를 함유하는 알킬술포닐기, 6∼18개의 탄소 원자를 함유하는 아릴술포닐기 또는 0∼12개의 탄소 원자를 함유하는 술파모일기가 특히 바람직하다. 그 중에서, 시아노기, 메탄술포닐기, 페닐술포닐기가 바람직하고, 시아노기가 가장 바람직하다.

본 발명의 아조 안료의 합성은 이하에 상세하게 설명된다.

본 발명의 아조 안료는 예컨대, 종래의 공지 방법으로 일반식 (9)의 디아조 성분의 디아조화에 의해서 제조된 디아조늄염 및 일반식 (11)의 커플링 성분 간의 커플링 반응에 의해서 합성할 수 있다.

상기 디아조늄염 및 상기 커플링 반응의 제조는 종래의 방법으로 행할 수 있다.

상기 일반식 (9)의 디아조늄염 제조에 있어서, 예컨대, 산(예컨대, 염산, 황 산, 인산, 아세트산, 프로피온산, 메탄술폰산 또는 트리플루오로메탄술폰산)을 함유하는 반응 매질에서 니트로소늄 이온원, 예컨대, 아질산, 아질산염 또는 니트로실황산을 사용함으로써, 상기 일반식 (9)의 디아조늄염을 합성하는 종래의 공정을 적용할 수 있다.

상기 산의 보다 바람직한 예로서, 아세트산, 프로피온산, 메탄술폰산, 인산 및 황산을 열거할 수 있고, 이들을 단독 또는 그들의 조합으로 사용되어도 좋다. 그 중에서, 인산을 함유하는 방식 또는 아세트산 및 황산의 조합이 특히 바람직하다.

상기 반응 중간체(용제)로서, 유기산 및 무기산을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 인산, 황산, 아세트산, 프로피온산 및 메탄술폰산이 바람직하다. 그 중에서, 아세트산 및/또는 프로피온산이 바람직하다.

상기 니트로소늄 이온원의 바람직한 예로서, 상기의 바람직한 산을 함유하는 매질에 니트로실술폰산의 사용은 안정적으로 또한 효율적으로 상기 디아조늄염을 제조할 수 있다.

상기 일반식 (9)의 디아조 성분으로 사용된 상기 용제의 양은 디아조 성분에 대하여, 0.5∼50중량배가 바람직하고, 1∼20중량배가 보다 바람직하며, 3∼10중량배가 특히 바람직하다.

본 발명에 있어서, 일반식 (9)의 디아조 성분은 용제에 분산되어도 좋고, 상기 디아조 성분의 종류에 따른 용액의 상태이어도 좋다.

니트로소늄 이온원의 사용량은 디아조 성분에 대하여, 0.95∼5.0당량이 바람 직하고, 1.00∼3.00당량이 보다 바람직하며, 1.00∼1.10당량이 특히 바람직하다.

상기 반응 온도는 -15℃∼30℃가 바람직하고, -10℃∼10℃가 보다 바람직하며, -5℃∼5℃가 더욱 바람직하다. 상기 온도가 -10℃ 미만인 경우에 있어서, 상기 반응 속도는 너무 느리게 되어 상기 합성이 심각하게 오랜 시간이 걸리기 때문에 이러한 온도는 경제적이지 않게 된다. 또한, 상기 합성이 30℃를 초과하는 고온에서 합성되는 경우에 있어서, 부생성물의 양이 증가되기 때문에 이러한 온도는 바람직하지 않다.

상기 반응 시간은 30분∼300분이 바람직하고, 30분∼200분이 보다 바람직하며, 30분∼150분이 더욱 바람직하다.

상기 커플링 반응은 산성에서 염기성 반응 매질에서 행해질 수 있다. 본 발명의 아조 안료에 대해서, 상기 커플링 반응은 산성에서 중성 반응 매질에서 행해지는 것이 바람직하다. 특히, 상기 커플링 반응이 산성 반응 매질에서 행해질 때, 상기 디아조늄염의 분해를 억제하면서 효율적으로 상기 디아조늄염을 아조 안료로 변환할 수 있다.

상기 반응 매질(용제)의 바람직한 예로서, 유기산, 무기산 및 유기 용제가 사용되어도 좋고, 유기 용제가 특히 바람직하다. 그들 용제는 반응시에 액체 분리 현상을 일으키지 않고 균일한 용액을 제공하는 것이 바람직하다. 그것의 예로는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, t-부틸 알콜 및 아밀 알콜 등의 알콜성 유기 용제; 아세톤 및 메틸에틸 케톤 등의 케톤류 유기 용제; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 및 1,3-프로판디올 등의 디올류 유기 용제; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 및 에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르류 유기 용제; 테트라히드로푸란; 디옥산; 및 아세트니트릴을 포함한다. 이들 용제는 그것의 2종 이상의 혼합액으로서 사용되어도 좋다.

바람직하게는 40 이상의 극성 파라메타(ET)를 갖는 유기 용제이다. 그 중에서, 상기 용제 분자에 2개 이상의 히드록실기를 갖는 글리콜류 용제 및 3개 이하의 탄소 원자, 바람직하게는 2개 이하의 탄소 원자를 함유하는 알콜성 용제(예컨대, 메탄올 및 에틸렌글리콜)가 바람직하다. 이들 용제의 혼합 용제도 포함된다.

상기 용제의 사용량은 상기 일반식 (11)로 나타내어지는 커플링 성분에 대하여, 1∼100중량배가 바람직하고, 1∼50중량배가 보다 바람직하며, 2∼10중량배가 더욱 바람직하다.

본 발명에 있어서, 일반식 (7)의 커플링 성분은 용제에 분산되어도 좋고, 커플링 성분의 종류에 따른 용액의 상태이어도 좋다.

상기 커플링 성분의 사용량은 아조-커플링 위치당 디아조 성분의 양이 0.95∼5.0당량이 바람직하고, 1.00∼3.00당량이 보다 바람직하며, 1.00∼1.50당량이 특히 바람직하다.

상기 반응 온도는 -30℃∼30℃가 바람직하고, -15℃∼10℃가 보다 바람직하며, -10℃∼5℃가 더욱 바람직하다. 상기 온도가 -30℃ 미만인 경우에 있어서, 상기 반응 속도가 너무 느리게 되어 상기 합성이 심각하게 오랜 시간이 걸리기 때문에 이러한 온도는 경제적이지 않다. 또한, 상기 합성이 30℃를 초과하는 고온에서 행해지는 경우에 있어서, 부생성물의 양이 증가하기 때문에 바람직하지 않다.

본 발명의 아조 안료의 합성 공정에 있어서, 이들 반응에 의해서 얻어진 생성물(조 아조 안료)은 유기합성 반응의 통상의 후처리를 행한 후에 정제 또는 정제 없이 사용될 수 있다.

즉, 반응계로부터 유리 생성물은 다른 정제 없이 또는 재결정, 염 형성 등의 정제 조작 후에 사용될 수 있고, 이들은 단독으로 또는 그것의 조합으로 행해져도 좋다.

상기 반응 종료 후에, 증류로 상기 반응 용제를 제거하거나 또는 증류 없이 물 또는 얼음물에 상기 반응 생성물을 붓고, 중화 또는 중화 없이 유리된 생성물을 수집하거나, 또는 유기 용제/수용액으로 중화 또는 중화 없이 석출하고, 재결정, 결정화, 염 형성 등의 정제 과정을 행하고, 상기 조작을 단독으로 또는 그것의 2개 이상의 조합으로 행하여 사용되는 생성물을 얻는 것이 가능하다.

본 발명의 아조 안료의 합성 공정은 이하에 상세하게 설명된다.

본 발명의 아조 안료의 합성 공정은 상기 일반식 (11)의 화합물을 유기 용제에 용해한 후에 상기 일반식 (9)로 나타내어지는 헤테로환 아민의 디아조화에 의해서 제조된 상기 디아조늄 화합물 및 상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물 간의 커플링 반응을 행하는 것을 특징으로 한다.

상기 일반식 (9)로 나타내어지는 헤테로환 아민의 디아조화 반응은 예컨대, 황산, 인산 또는 아세트산 등의 산성 용제에 아황산 나트륨 또는 니트로실술폰산 등의 시약으로 15℃ 이하의 온도에서 약 10분∼6시간 동안 반응시킴으로써 행할 수 있다. 상기 커플링 반응은 상술의 공정에 의해서 얻어진 디아조늄염과 상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 40℃ 이하, 바람직하게는 15℃ 이하에서 약 10분∼12시간 동안 반응시킴으로써 행하는 것이 바람직하다.

상기 호변이성체 및 다형은 상기 커플링 반응시에 제조 조건을 통하여 제어할 수 있다. 보다 바람직한 α형태 결정을 제조하는 공정으로서, 예컨대, 본 발명의 공정은 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물이 유기 용제에 한번 용해된 후에, 커플링 반응이 행해지는 것이 바람직하다. 상기 반응에 사용될 수 있는 상기 유기 용제로서, 예컨대, 알콜 용제류가 열거된다. 상기 알콜 용제류의 바람직한 예는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜 및 디에틸렌글리콜을 포함한다. 그 중에서, 메탄올이 특히 바람직하다.

본 발명의 아조 안료의 다른 제조 공정은 상기 일반식 (9)로 나타내어지는 헤테로환 아민의 디아조화에 의해서 제조된 디아조늄 화합물 및 상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물 간의 커플링 반응에 있어서, 상기 커플링 반응은 극성 비양자성 용제의 존재하에서 행해지는 것을 특징으로 한다.

상기 α형태 결정은 상기 비양자성 용제의 존재하에서 커플링 반응을 행하는 공정에 의해서 효율적으로 제조될 수도 있다. 상기 극성 비양자성 용제의 예는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드, 테트라메틸우레아 및 그것의 혼합 용제를 포함한다. 이들 용제를 사용하는 경우에 있어서, 상기 일반식 (11)의 화합물은 완전하게 용해되거나 용해되지 않아도 좋다.

상기 일반식 (1), (3) 및 (4)∼(7)로 나타내어지는 화합물은 상술의 제조 공정에 의해서 조 아조 안료로서 얻어진다. 본 발명의 안료로서 그것을 사용하는 경우에 있어서, 후처리를 행하는 것이 바람직하다. 상기 후처리의 방법으로서, 예컨대, 밀링 처리(예컨대, 솔벤트-솔트 밀링, 솔트 밀링, 드라이 밀링, 솔벤트 밀링 또는 애시드 페이스팅) 또는 용제 가열 처리 등의 안료 입자 제어 공정; 예컨대, 수지, 계면활성제 및 분산제를 사용한 표면 처리 공정을 열거할 수 있다.

일반식 (1), (3) 및 (4)∼(7)로 나타내어지는 본 발명의 화합물은 후처리로서 용제 가열 처리 및/또는 솔벤트-솔트 밀링을 행하는 것이 바람직하다.

상기 용제 가열 처리에 사용되는 용제로서, 예컨대, 물, 톨루엔 및 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용제; 클로로벤젠 및 o-디클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소계 용제; 이소프로판올 및 이소부탄올 등의 알콜성 용제류; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 및 N-메틸-2-피롤리돈 등의 비양자성 유기 용제류; 빙초산; 피리딘; 및 그것의 혼합물을 열거할 수 있다. 무기, 또는 유기 산 또는 염기를 상기 용제에 더 첨가하여도 좋다. 상기 용제 가열 처리의 온도는 안료의 소망하는 일차 입자 사이즈에 따라서 달라지지만, 40∼150℃가 바람직하고, 60∼100℃가 보다 바람직하다. 상기 처리 시간은 30분∼24시간이 바람직하다.

상기 솔벤트-솔트 밀링으로서, 조 아조 안료, 무기염 및 이들을 용해하지 않는 유기 용제를 혼련기에 넣고, 상기 혼합물의 혼련 밀링이 행해지는 조작이 열거 된다. 상기 무기염으로서, 수용성 무기염이 바람직하게 사용될 수 있다. 예컨대, 염화 나트륨, 염화 칼륨 및 황산 나트륨 등의 무기 염이 바람직하게 사용된다. 또한, 0.5∼50㎛의 평균 입자 사이즈를 갖는 무기염을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 상기 무기염의 사용량은 조 안료에 대하여, 3∼20중량배가 바람직하고, 5∼15중량배가 보다 바람직하다. 상기 유기 용제로서, 수용성 유기 용제류가 바람직하게 사용될 수 있고, 상기 용제는 혼련시의 온도 상승 때문에 쉽게 증발되므로, 고비점 용제가 안전성의 관점에서 바람직하다. 이러한 유기 용제의 예는 디에틸렌글리콜, 글리세린, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 액체 폴리에틸렌글리콜, 액체 폴리프로필렌글리콜, 2-(메톡시메톡시)에탄올, 2-부톡시에탄올, 2-(이소펜틸옥시)에탄올, 2-(헥실옥시)에탄올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 디프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 및 그것의 혼합물을 포함한다. 상기 수용성 유기 용제의 사용량은 조 아조 안료에 대하여, 0.1∼5배가 바람직하다. 상기 혼련 온도는 20∼130℃가 바람직하고, 40∼110℃가 특히 바람직하다. 상기 혼련기로서, 예컨대, 니이더(kneader) 및 믹스 물러(mix muller)를 사용할 수 있다.

[안료 분산물]

본 발명의 안료 분산물은 일반식 (1), (3), (4)∼(7)로 나타내어지는 아조 안료를 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 우수한 색 특성, 내구성 및 분산 안정성을 갖는 안료 분산물을 얻을 수 있다.

본 발명의 안료 분산물은 수계 또는 비수계이어도 좋지만, 수계의 안료 분산 물이 바람직하다. 본 발명의 수계 안료 분산물에 안료를 분산시키는 수성 액체로서, 주성분으로서 물을 함유하고, 필요에 따라, 친수성 유기 용제를 함유하는 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 친수성 유기 용제의 예는 예컨대, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, 펜탄올, 헥산올, 시클로헥산올 및 벤질 알콜 등의 알콜류; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, 헥산디올, 펜탄디올, 글리세린, 헥산트리올 및 티오디글리콜 등의 다가 알콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르 및 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등의 글리콜 유도체류; 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, 모르폴린, N-에틸모르폴린, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 폴리에틸렌이민 및 테트라메틸프로필렌디아민 등의 아민류; 포름아미드; N,N-디메틸포름아미드; N,N-디메틸아세트아미드; 디메틸술폭시드; 술포란; 2-피롤리돈; N-메틸-2-피롤리돈; N-비닐-2-피롤리돈; 2-옥사졸리돈; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논; 아세토니 트릴; 및 아세톤을 포함한다.

또한, 본 발명의 수계 안료 분산물은 수성 수지를 함유하여도 좋다. 상기 수성 수지로서, 물에 용해하는 수용성 수지, 물에 분산될 수 있는 수 분산성 수지, 콜로이드 분산 수지 및 그것의 혼합물이 열거된다. 상기 수성 수지의 구체예는 아크릴계 수지, 스티렌-아크릴계 수지, 폴리에스테르 수지류, 폴리아미드 수지류, 폴리우레탄 수지류 및 불소 함유 수지류를 포함한다.

또한, 상기 안료의 분산성 및 화상의 품질을 향상시키기 위해서, 계면활성제 및 분산제가 사용되어도 좋다. 상기 계면활성제로서, 음이온성, 비이온성, 양이온성, 양쪽이온성 계면활성제가 열거되고, 그들 중 어느 것이 사용되어도 좋다. 그러나, 음이온성 또는 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 음이온성 계면활성제의 예는 지방산염, 알킬술페이트염, 알킬벤젠술페이트염, 알킬나프탈렌술페이트염, 디알킬술포숙시네이트염, 알킬디아릴에테르디술포네이트염, 알킬포스페이트염, 폴리옥시에틸렌알킬에테르술페이트염, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르술페이트염, 나프탈렌술폰산-포르말린 축합물류, 폴리옥시에틸렌 알킬포스페이트염류, 글리세롤보레이트 지방산 에스테르류 및 폴리옥시에틸렌글리세롤 지방산 에스테르류를 포함한다.

상기 비이온성 계면활성제의 예는 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌-옥시프로필렌 블록 코폴리머류, 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 소르비톨 지방산 에스테르류, 글리세린 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 알킬아민류, 불소 함유 계면활성제 및 규소 함유 계면활성제를 포함한다.

상기 비수성 안료 분산물은 비수성 비히클이 분산된 상기 일반식 (1)로 나타내어지는 상기 안료를 포함한다. 상기 비히클로서 사용되는 수지의 예는 석유 수지, 카세인, 셀락, 로진 변성 말렌산 수지, 로진 변성 페놀 수지, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 환상 고무, 염화 고무, 산화 고무, 염산 고무, 페놀 수지, 알키드 수지, 폴리에스테르 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 에폭시 수지, 비닐 수지, 염화 비닐, 염화 비닐-아세트산 비닐 코폴리머, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 불소 함유 수지, 건성유, 합성 건성유, 스티렌/말레산 수지, 스티렌/아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 벤조구아나민 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 염화 폴리프로필렌, 부티랄 수지, 염화 비닐리덴 수지를 포함한다. 상기 비수성 비히클로서 광경화성 수지가 사용되는 것이 가능하다.

상기 비수성 비히클에 사용되는 상기 용제의 예는 톨루엔, 자일렌 및 메톡시벤젠 등의 방향족 용제류; 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 및 프로필렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트 등의 아세테이트계 용제류; 에톡시에틸 프로피오네이트 등의 프로피오네이트계 용제류; 메탄올 및 에탄올 등의 알콜 용제류; 부틸 셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르계 용제류; 메틸에틸 케톤, 메틸이소부틸 케톤 및 시클로헥사논 등의 케톤계 용제류; 헥산 등의 지 방족 탄화수소계 용제류; N,N-디메틸포름아미드, γ-부티로락탐, N-메틸-2-피롤리돈, 아닐린 및 피리딘 등의 질소 함유 화합물계 용제류; γ-부티로락톤 등의 락톤계 용제류; 및 메틸 카르바메이트 및 에틸 카르바메이트의 48:52 혼합물 등의 카르밤산 에스테르를 포함한다.

본 발명의 안료 분산물은 아조 안료 및 수성 또는 비수성 매질을 분산 장치를 사용하여 분산시킴으로써 얻어진다. 상기 분산 장치로서, 심플 스터러(simple stirrer), 임펠러 스터링 방식(impeller-stirring system), 인라인 스터링 방식(in-line stirring system), 밀 방식(예컨대, 콜로이드 밀, 볼 밀, 샌드 밀, 비즈 밀, 아트라이터, 롤 밀, 제트 밀, 페인트 쉐이커 또는 아지테이터 밀), 초음파방식, 고압 에멀젼 분산 방식(고압 호모지나이저; 가울린 호모지나이저(Gaulin homogenizer), 마이크로플루이다이저(microfluidizer) 및 DeBEE2000의 특정 시판 장치)을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서, 안료의 체적 평균 입자 사이즈는 10nm∼250nm가 바람직하다. 또한, 상기 안료 입자의 체적 평균 입자 사이즈는 그것의 안료 입자의 입자 사이즈를 의미하고, 분산제 등의 첨가제가 착색 재료에 부착되는 경우에 있어서, 첨가제가 부착된 안료 입자의 입자 사이즈를 의미한다. 본 발명에 있어서, 나노트랙 UPA 입자 사이즈 분포 분석기(UPA-EX150; Nikkiso Co., Ltd에 의해서 제작)는 상기 안료의 체적 평균 입자 사이즈를 측정하는 측정 장치로 사용된다. 상기 측정은 안료 분산물의 3ml를 측정 셀에 위치시켜 소정의 측정 방법을 따라서 행하였다. 또한, 측정시에 입력하는 파라미터로서, 잉크 점도는 점도로서 사용되고, 안료 농도 는 분산된 입자의 농도로서 사용된다.

상기 체적 평균 입자 사이즈는 20nm∼250nm가 보다 바람직하고, 30nm∼230nm가 더욱 바람직하며, 30nm∼150nm가 가장 바람직하다. 안료 분산물의 입자의 체적 평균 입자 사이즈가 20nm 미만인 경우에 있어서, 분산물의 보존 안정성을 확보할 수 없을 경우가 있고, 반면에, 한편, 250nm을 초과하는 경우에 있어서, 광학 농도가 낮아질 경우가 있다.

본 발명의 안료 분산물에 함유된 안료의 농도는 1∼35중량%의 범위가 바람직하고, 2∼25중량%의 범위가 보다 바람직하다. 상기 농도가 1중량% 미만인 경우에 있어서, 상기 안료 분산물이 잉크로서 단독으로 사용될 때 충분한 화상 농도를 얻을 수 없다. 상기 농도가 35중량%를 초과하는 경우에 있어서, 분산 안정성이 저하되는 경우가 있다.

본 발명의 아조 안료의 용도로서, 화상, 특히 컬러 화상을 형성하기 위한 화상 기록 재료가 열거된다. 구체적으로, 이하에 기재된 잉크젯 방식 기록 재료, 감열 기록 재료, 감압 기록 재료, 전자 사진 방식용 기록 재료, 운송 방식 할로겐화 은 감광 재료, 인쇄 잉크 및 기록 펜이 열거되고, 바람직하게는 잉크젯 방식 기록 재료, 감열 기록 재료 및 전자 사진 방식용 기록 재료이며, 더욱 바람직하게는 잉크젯 방식 기록 재료이다.

또한, 상기 안료는 CCD 등의 고체 촬상 디바이스 및 LCD 및 PDP 등의 디스플레이에 사용되는 컬러 화상을 기록 및 재현하기 위한 컬러 필터 및 각종 섬유의 염색하기 위한 염색액에 적용할 수 있음을 발견할 수 있다.

본 발명의 비스아조 안료는 특정 용도에 적합하도록 내용제성, 분산성 및 열전도성 등의 물리적 특성을 치환기의 선택을 통하여 조정함으로써 사용된다. 또한, 본 발명의 비스아조 안료는 사용되는 방식에 따라 에멀젼 분산 상태 또는 고체 분산 상태로 사용되어도 좋다.

[착색 조성물]

본 발명의 착색 조성물은 본 발명의 아조 안료를 적어도 1종 함유하는 착색 조성물을 의미한다. 본 발명의 착색 중간체를 함유할 수 있고, 용제가 중간체로서 사용되는 경우에 있어서, 상기 조성물은 잉크젯 기록용 잉크로서 특히 적합하다. 본 발명의 착색 조성물은 중간체로서, 친유성 중간체 또는 수성 중간체를 사용하고 중간체에 본 발명의 아조 안료를 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 바람직하게는, 상기 수성 중간체가 사용된다. 본 발명의 착색 조성물은 중간체를 제외한 잉크 조성물을 포함한다. 본 발명의 착색 조성물은 필요에 따라서, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 다른 첨가제를 함유하여도 좋다. 상기 다른 첨가제의 예는 건조방지제(습윤제), 퇴색방지제, 유화안정제, 침투촉진제, 자외선흡수제, 방부제, 항진균제, pH조정제, 표면장력 조정제, 소포제, 점도조정제, 분산제, 분산안정제, 방청제 및 킬레이트제 등의 공지의 첨가제(JP-A-2003-306623에 기재)를 포함한다. 수용성 잉크의 경우에 있어서, 이들 각종 첨가제는 잉크액에 직접 첨가된다. 유용성 잉크의 경우에 있어서, 아조 안료 분산물의 제조 후의 분산물에 첨가하는 것이 일반적이지만, 제조시의 유상 또는 수상에 첨가되어도 좋다.

[잉크]

다음에, 본 발명의 잉크에 대해서 설명된다.

본 발명의 잉크는 상술된 본 발명의 안료 분산물을 함유하고, 수용성 용제 또는 물을 혼합함으로써 바람직하게 제조된다. 그러나, 특별한 문제를 수반하지 않는 경우에 있어서, 본 발명의 안료 분산물이 그대로 사용되어도 좋다.

본 발명의 잉크젯 기록용 잉크는 본 발명의 안료 분산물을 함유하고, 잉크젯 기록용 잉크로서 사용될 수도 있다.

또한, 본 발명의 안료를 함유하는 착색 조성물은 잉크젯 기록용 잉크로서 바람직하게 사용될 수 있다.

본 발명의 잉크는 상술된 안료 분산물을 이용하고, 수용성 용제 또는 물을 혼합함으로써 조제되는 것이 바람직하다. 그러나, 특별한 문제를 수반하지 않는 경우에 있어서, 본 발명의 안료 분산물이 그대로 사용되어도 좋다.

[잉크젯 기록용 잉크]

다음에, 본 발명의 잉크젯 기록용 잉크에 대해서 설명된다.

본 발명의 잉크젯 기록용 잉크(이하에, "잉크"라고 하는 경우가 있음)는 상술된 안료 분산물을 이용하고, 수용성 용제 또는 물을 혼합함으로써 조제되는 것이 바람직하다. 그러나, 특별한 문제가 수반되지 않는 경우에 있어서, 본 발명의 안료 분산물이 그대로 사용되어도 좋다.

기록 중간체 상에 형성된 화상의 색상, 색 농도, 채도 및 투명성의 관점에 있어서, 본 발명의 잉크의 안료 분산물의 함유량은 1∼100중량%의 범위가 바람직하고, 3∼20중량%의 범위가 특히 바람직하며, 3∼10중량%의 범위가 가장 바람직하다.

본 발명의 안료는 본 발명의 잉크의 100중량부에 대하여, 0.1중량부∼20중량부를 함유하는 것이 바람직하고, 0.2중량부∼10중량부를 함유하는 것이 보다 바람직하며, 1∼10중량부를 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 본 발명의 잉크는 본 발명의 안료와 함께 조합하여 다른 안료를 더 함유하여도 좋다. 안료의 2종 이상을 사용하는 경우에 있어서, 상기 안료의 총 함유량은 상술된 범위 내가 바람직하다.

본 발명의 잉크는 단색 화상뿐만 아니라, 풀 컬러 화상을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 상기 풀 컬러 화상을 형성하기 위해서, 마젠타톤 잉크, 시안톤 잉크 및 옐로우톤 잉크가 사용될 수 있고, 블랙톤 잉크가 톤을 조절하기 위해서 더 사용될 수 있다.

또한, 본 발명의 잉크는 상기 본 발명의 아조 안료 이외에 다른 안료가 사용되어도 좋다. 적용되는 옐로우 안료로서, 예컨대, C.I. PY-74, C.I. PY-128, C.I. PY-155, C.I. PY-213이 열거된다. 적용되는 마젠타 안료로서, C.I. PV-19 및 C.I. PR-122가 열거된다. 적용되는 시안 안료로서, C.I. PB-15:3 및 C.I. PB-15:4가 열거된다. 이들 안료 이외에, 어떠한 안료가 각각의 안료로서 사용되어도 좋다. 블랙 색 재료로서, 디아조, 트리아조 및 테트라아조 안료뿐만 아니라 카본 블랙 분산물을 열거할 수 있다.

본 발명의 잉크에 사용될 수 있는 수용성 용제로서, 다가 알콜류, 다가 알콜 유도체류, 질소 함유 용제류, 알콜류 및 황 함유 용제류가 사용된다.

상기 다가 알콜류의 구체예는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌류 글리콜, 트리에틸렌글리콜, 1,5-펜탄디올, 1,2,6-헥산트리올 및 글리세린을 포함한다.

상기 다가 알콜 유도체류의 예는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 및 디글리세린의 에틸렌옥시드 첨가물을 포함한다.

또한, 상기 질소 함유 용제류의 예는 피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, 시클로헥실피롤리돈 및 트리에탄올아민을 포함하고, 상기 알콜류의 예는 에탄올, 이소프로필 알콜, 부틸 알콜 및 벤질 알콜을 포함하고, 황 함유 용제의 예는 티오디에탄올, 티오디글리세롤, 술포란 및 디메틸술폭시드를 포함한다. 게다가, 프로필렌 카보네이트 및 에틸렌 카보네이트가 사용되어도 좋다.

본 발명에 사용되는 수용성 용제는 단독 또는 그것의 2종 이상 혼합물이 사용되어도 좋다. 수용성 용제의 함유량으로서, 상기 잉크의 총 중량에 대하여, 1중량%∼60중량%이고, 5중량%∼40중량%가 바람직하게 사용된다. 상기 전체 잉크의 수용성 용제의 함유량이 1중량% 미만인 경우에 있어서, 불충분한 광학 농도가 얻어질 경우가 있고, 반면에, 함유량이 60중량%를 초과하는 경우에 있어서, 상기 액체의 점도가 커지기 때문에 상기 잉크액의 분사 특성이 불안정해질 경우가 있다.

본 발명의 잉크의 바람직한 물성은 이하와 같다.

상기 잉크의 표면장력은, 20mN/m∼60mN/m가 바람직하고, 20mN/m∼45mN/m가 보다 바람직하며, 25mN/m∼35mN/m가 더욱 바람직하다. 상기 표면장력이 20mN/m 미만인 경우에 있어서, 상기 액체가 기록 헤드의 노즐 상으로 오버 플로잉되고, 따라서 정상 인쇄가 행해질 수 없는 경우가 있다. 한편, 상기 표면장력이 60mN/m 초과인 경우에 있어서, 상기 잉크는 상기 기록 중간체로 느리게 침투하고, 따라서 건조 시간이 길어지는 경우가 있다.

또한, 상기 표면장력은 상기와 유사한 방법의 Wilhelmy 표면장력계를 사용함으로써 23℃ 및 55% RH의 환경하에서 측정된다.

상기 잉크의 점도는 1.2mPa·s∼8.0mPa·s가 바람직하고, 1.5mPa·s∼6.0mPa·s가 보다 바람직하며, 1.8mPa·s∼4.5mPa·s가 더욱 바람직하다. 상기 점도가 8.0mPa·s 이상인 경우에 있어서, 잉크 토출성이 저하될 수 있다. 한편, 상기 점도가 1.2mPa·s 이하인 경우에 있어서, 장기 분사성이 저하될 수 있다.

또한, 상기 점도(후술하는 것을 포함)는 23℃ 및 1,400s^-1의 전단 속도에서 회전 점도계 Rheomat 115(Contraves Co.에 의해서 제작)를 사용함으로써 측정된다.

상술된 각각의 성분 이외에, 물은 바람직한 표면장력 및 점도가 제공되는 양 안 내의 잉크에 첨가된다. 물의 첨가량은 특별히 제한되지 않지만, 상기 잉크 총 중량에 대하여, 10중량%∼99중량%가 바람직하고, 30중량%∼80중량%가 보다 바람직하다.

게다가, 토출성의 개선 등의 특성 제어를 위하여, 필요에 따라서, 폴리에틸렌이민, 폴리아민류, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌글리콜, 에틸 셀룰로오스 및 카르복시메틸 셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체류, 다당류 및 그것의 유도체, 수용성 폴리머류, 아크릴의 폴리머에멀젼, 폴리우레탄계 에멀젼 및 친수성 라텍스 등의 폴리머 에멀젼류, 친수성 폴리머겔류, 시클로덱스트린, 대환상 아민류, 덴드리머류, 크라운 에테르류, 우레아 및 그것의 유도체류, 아세트아미드, 규소 계면활성제 및 불소를 함유하는 계면활성제가 사용될 수 있다.

또한, 전기 전도성 및 pH를 조정하기 위하여, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨 및 수산화 리튬 등의 알칼리 금속류의 화합물; 암모늄 히드록시드, 트리에탄올아민, 디에탄올아민, 에탄올아민 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 등의 질소 함유 화합물류; 수산화 칼슘 등의 알칼리 토류 금속류의 화합물류; 황산, 염산 및 질산 등의 산류; 및 황산 암모늄 등의 강산과 약알칼리 사이의 염류가 사용될 수 있다.

게다가, pH 완충제, 산화방지제, 항진균제, 점도조정제, 전기 전도제 및 자외선 흡수제가 필요에 따라 첨가되어도 좋다.

[잉크젯 기록 방법, 잉크젯 기록 장치 및 잉크젯 기록용 잉크 탱크]

본 발명의 잉크젯 기록 방법은 본 발명의 잉크젯 기록용 잉크를 사용함으로써 기록 중간체 상에 화상을 형성하고, 기록 신호에 따라 기록 헤드를 통하여 기록 중간체의 표면 상에 잉크를 토출하는 방법이다.

또한, 본 발명의 잉크젯 기록 장치는 본 발명의 잉크젯 기록용 잉크(필요에 따라 공정액)를 기록 중간체의 표면 상에 토출시킬 수 있는 기록 헤드를 구비하고, 상기 잉크를 기록 중간체의 표면 상에 기록 헤드를 통하여 토출하여 화상을 형성하는 화상을 형성하기 위한 장치이다. 또한, 본 발명의 잉크젯 기록 장치에 있어서, 기록 헤드는 기록 헤드에 잉크를 공급할 수 있고 잉크젯 기록 장치의 본체로부터 탈착할 수 있는 잉크젯 기록용 잉크 탱크(이하에, "잉크 탱크"라고 말하는 경우가 있음)를 구비하여도 좋다. 이 경우에 있어서, 본 발명의 잉크는 잉크젯 기록용 잉크 탱크에 보존된다.

본 발명의 잉크젯 기록 장치로서, 본 발명의 잉크젯 기록용 잉크를 사용할 수 있는 인쇄 방식을 구비한 통상의 잉크젯 기록 장치가 사용될 수 있다. 게다가, 필요에 따라서, 건조 제어용 가열기가 더 장착된 장치 또는 중간체 전사 기구가 더 장착되고 잉크 및 공정액이 중간체 전사 부재 상에 토출(인쇄)된 후에 종이 등의 기록 중간체에 전사되는 장치가 사용되어도 좋다.

또한, 본 발명의 잉크젯 기록용 잉크 탱크로서, 통상의 잉크 탱크는 기록 헤드를 구비한 잉크젯 기록 장치 상에 탈찰가능하게 장착되고 기록 헤드에 잉크를 공급할 수 있는 구성을 갖는 한 사용되어도 좋다.

본 발명의 잉크젯 기록 방법(장치)으로서, 패더링(feathering) 및 색간 블리드(inter-color bleed)의 감소의 관점에서 써멀 잉크젯 기록 방식 또는 압전 잉크젯 기록 방식이 사용되는 것이 바람직하다.

상기 써멀 잉크젯 기록 방식의 경우에 있어서, 상기 잉크는 토출시에 가열되어 잉크의 점도가 감소된다. 기록 중간체 상에서 상기 잉크의 온도가 감소하므로, 상기 점도가 급격히 증가하여 패더링 및 색간 블리드의 감소 효과가 제공된다. 한 편, 상기 압전 잉크젯 기록 방식의 경우에 있어서, 기록 중간체 상에 종이 표면 방향으로 상기 액체의 퍼짐을 억제할 수 있는 고점도 액체의 토출이 가능하기 때문에 패더링 및 색간 블리드의 감소 효과가 얻어진다.

본 발명의 잉크젯 기록 방법(장치)에 있어서, 상기 잉크는 상기 잉크로 채워진 잉크 탱크(공정액 탱크를 포함)로부터 기록 헤드로 보급(공급)되는 것이 바람직하다. 상기 탱크는 상기 장치의 본체에 탈착가능하게 부착될 수 있는 카트리지가 바람직하고, 상기 잉크는 상기 잉크 탱크 카트리지를 교환함으로써 용이하게 보급된다.

[컬러 토너]

본 발명의 비스아조 안료의 함유량은 본 발명의 컬러 토너의 100중량부에 대하여 특별히 제한되지 않지만, 0.1중량부 이상이 바람직하고, 1∼20중량부가 보다 바람직하며, 2∼10중량부가 가장 바람직하다. 본 발명의 비스아조 안료의 도입에 사용된 컬러 토너용 바인더 수지로서, 일반적으로 사용되는 모든 바인더가 사용될 수 있다. 그것의 예는 스티렌계 수지, 아크릴계 수지, 스티렌/아크릴계 수지 및 폴리에스테르 수지류를 포함한다.

무기 미립자 및 유기 미립자는 유동성을 개선하고 대전성을 제어하기 위해서 토너에 첨가되어도 좋다. 알킬기를 함유하는 커플링제로 처리된 표면을 갖는 실리카 미립자 및 티타니아 미립자가 바람직하게 사용된다. 또한, 이들 입자는 10∼500nm의 수평균 일차 입자 사이즈를 갖고, 바람직하게는 0.1∼20중량%의 양으로 상기 토너에 첨가되는 것이 바람직하다.

이형제로서, 종래부터 사용되고 있는 모든 이형제가 사용될 수 있다. 구체적으로는, 저분자량 폴리프로필렌, 저분자량 폴리에틸렌 및 에틸렌프로필렌 코폴리머 등의 올레핀류; 마이크로 크리스탈린 왁스; 카르나우바 왁스; 사졸 왁스; 및 파라핀 왁스가 열거된다. 상기 이형제의 첨가량은 토너의 1∼5중량%가 바람직하다.

선택적으로 첨가해도 좋은 대전 제어제로서, 색 형성 특성의 관점에서 무색의 것이 바람직하다. 예컨대, 4급 암모늄염 구조 및 칼릭스 아렌 구조의 것들이 열거된다.

캐리어로서, 철 또는 페라이트 등의 자성 재료의 입자로만 구성되는 비피복 캐리어 및 수지로 코팅된 자성 재료 입자를 포함하는 수지 피복 캐리어 중 어느 것이 사용되어도 좋다. 상기 캐리어의 평균 입자 사이즈는 체적 평균 입자 사이즈의 관점에서, 30∼150㎛가 바람직하다.

본 발명의 토너가 적용되는 화상 형성 방법은 특별히 제한되지 않지만, 컬러 화상이 포토리셉터 상에 반복적으로 형성된 후에 상기 컬러 화상이 전사되어 화상이 형성되는 방법 및 포토리셉터 상에 형성된 화상이 중간체 전사 부재로 매시간 전사되어 상기 중간체 전사 부재 상에 컬러 화상을 형성한 후에 상기 컬러 화상이 종이 등의 화상 형성 부재로 전사되어 컬러 화상을 형성하는 방법이 예시된다.

[감열 기록(전사) 재료]

상기 감열 기록 재료는 지지체 상에 본 발명의 비스아조 안료를 함유하는 층 및 바인더를 포함하는 잉크 시트; 및 화상 기록 신호에 따라 써멀 헤드로부터 가해진 열 에너지에 상응하여 이동하는 상기 안료를 고정하기 위한 수상 시트로 구성된 다. 본 발명의 비스아조 안료를 바인더와 함께 용제에 분산시켜 잉크액을 제조하고, 상기 잉크액을 지지체 상에 코팅시키고, 상기 코팅된 잉크액을 적절하게 건조시킴으로써 잉크 시트가 형성될 수 있다. 상기 지지체 상의 잉크의 코팅량은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 30∼1000mg/m²이다. 바람직한 바인더 수지류, 잉크 용제, 지지체 및 수상 시트로서, JP-A-7-137466에 기재된 것을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 감열 기록 재료를 풀 컬러 화상을 기록할 수 있는 감열 기록 재료에 적용하기 위해서, 시안 화상을 형성할 수 있는 열확산성 시안 색소를 함유하는 시안 잉크 시트, 마젠타 화상을 형성할 수 있는 열확산성 마젠타 색소를 함유하는 마젠타 잉크 시트 및 옐로우 화상을 형성할 수 있는 열확산성 옐로우 색소를 함유하는 옐로우 잉크 시트를 시트 상에 코팅함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 블랙 화상 형성 물질을 함유하는 잉크 시트가 필요에 따라서 더 형성되어도 좋다.

[컬러 필터]

컬러 필터를 형성하는 방법으로서, 우선, 포토레지스트를 사용함으로써 패턴을 형성한 후에 그것을 염색하는 방법, JP-A-4-163552, JP-A-4-128703 및 JP-A-4-175753에 기재된 바와 같이 색소가 첨가된 포토레지스트에 의해서 패턴을 형성하는 방법이 있다. 본 발명의 색소를 컬러 필터로 도입하는 경우에 이용되는 방법으로서, 이들 방법 중 어느 것을 이용하여도 좋다. 그러나, 바람직한 방법으로서, 열경화성 수지, 퀴논디아지드 화합물, 가교제, 색소 및 용제를 함유하는 포지티브형 레 지스트 조성물을 사용하여, 기판 상에 상기 조성물을 코팅하고 마스크를 통하여 노광하고, 상기 노광부를 현상함으로써 포지티브 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포지티브 레지스트 패턴의 전면을 노광한 후에 상기 노광된 포지티브 레지스트 패턴을 경화시키는 것을 포함하는 JP-A-4-175753 및 JP-A-6-35182에 기재된 컬러 필터를 형성하는 방법을 열거할 수 있다. 또한, RGB 원색류 또는 YMC 보색류 방식의 컬러 필터는 종래의 방법으로 블랙 매트릭스를 형성함으로써 얻어질 수 있다. 상기 컬러 필터에 대해서, 본 발명의 비스아조 안료의 양은 제한되지 않지만, 0.1∼50중량%가 바람직하다.

상기 열경화성 수지, 퀴논디아지드 화합물, 가교제, 용제 및 그것의 사용량으로서, 상술된 특허문헌에 기재된 것이 바람직하게 사용될 수 있다.

(실시예)

본 발명은 실시예를 참조로 보다 상세하게 설명되지만, 본 발명은 이들의 실시예로 제한되지 않는다. 또한, 실시예에 있어서, 「부」는 중량부를 나타낸다.

[실시예 1] 예시된 안료 (Pig-1)의 합성:

5-아미노-3-메틸-1,2,4-티아졸 3.7부를 인산 45부에 첨가하고, 38℃로 가열하여 용해시켰다. 상기 용액을 빙수로 냉각시켜 -3℃로 용액을 유지시키고, 여기에 아질산 나트륨 2.5부를 첨가하고, 상기 혼합물을 1.5시간 동안 교반시켜 디아조늄염 용액을 얻었다. 개별적으로, 하기 일반식 (13)으로 나타내어지는 화합물 4부를 N,N-디메틸아세트아미드 80부에 첨가하여 완전하게 용해된 용액을 제조하였다. 여기에 상술된 디아조늄염 용액을 8℃에서 첨가하였다. 상기 용액은 상기 상태에서 2 시간 동안 유지되어 반응하였다. 상기 용액의 온도가 실온까지 증가된 후에, 여기에 에탄올 100부가 첨가되고 석출된 분말을 여과에 의해서 수집하였다. 상기 분말을 물 200부에 첨가하고, 여분의 산은 탄산수소 나트륨으로 중화되었다. 여과를 다시 행하여 옐로우 분말을 얻었다. 상기 옐로우 분말을 N,N-디메틸에틸아세트아미드 40부 및 물 40부의 혼합 용제에 첨가하고, 이어서 100℃로 4시간 동안 가열하여 숙성시켰다. 상기 숙성액을 열여과하고 메탄올로 세정하여 아조 안료 4.8부를 얻었다.

일반식 (13)

상기 얻어진 아조 안료 (Pig-1)의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 1에 나타낸다. 상기 공정에 따라 합성을 행하는 경우에 있어서, 상기 생성물은 적외선 흡수 스펙트럼의 1700∼1730cm^-1의 범위에서 흡수 피크는 나타나지 않았다.

[실시예 2] 예시된 안료 (Pig-2)의 합성:

5-아미노-3-메틸-1,2,4-티아디아졸의 디아조화 반응은 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 개별적으로, 상기 일반식 (13)으로 나타내어지는 화합물 4부를 메탄올 80부에 첨가하여 현탁시켰다. 상기 현탁액에 상술의 디아조늄염 용액을 8℃ 에서 첨가하였다. 상기 반응을 2시간 동안 지속시키고 석출된 분말을 여과에 의해서 수집하였다. 상기 분말을 물 200부에 첨가하고 여분의 산은 탄산수소 나트륨으로 중화되었다. 여과를 다시 행하여 약간 붉은색을 띤 옐로우 분말을 얻었다. 상기 분말을 N,N-디메틸아세트아미드 40부 및 물 40부의 혼합 용제에 첨가하고, 이어서 100℃로 4시간 동안 가열함으로써 숙성시켰다. 상기 숙성액을 열여과하고 메탄올로 세정하여 아조 안료 6.4부를 얻었다. 상기 얻어진 아조 안료 (Pig-2)의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 2에 나타낸다. 상기 방법에 따라 합성하는 경우에 있어서, 그 생성물은 적외선 흡수 스펙트럼의 1700∼1730cm^-1의 범위에서 큰 흡수 피크를 나타냈다.

[실시예 3] 예시된 안료 (Pig-4)의 합성:

5-아미노-1,2,4-티아졸 1.6부를 인산 20부에 첨가하고, 38℃로 가열하여 용해시켰다. 상기 용액을 빙수로 냉각시켜 -3℃로 용액을 유지시키고, 여기에 아질산 나트륨 1.4부를 첨가하고, 상기 혼합물을 1.5시간 동안 교반시켜 디아조늄염 용액을 얻었다. 개별적으로, 하기 일반식 (13)으로 나타내어지는 화합물 2부를 메탄올 200부에 첨가하여 완전하게 용해된 용액을 제조하였다. 여기에 상술된 디아조늄염 용액을 5℃에서 첨가하였다. 상기 용액은 상기 상태에서 4시간 동안 유지되어 반응하고, 석출된 분말을 여과에 의해서 수집하였다. 상기 분말을 물 200부에 첨가하고, 여분의 산은 탄산수소 나트륨으로 중화되었다. 여과를 다시 행하여 옐로우 분말을 얻었다. 상기 옐로우 분말을 N,N-디메틸에틸아세트아미드 10부 및 물 10부의 혼합 용제에 첨가하고, 이어서 100℃로 4시간 동안 가열하여 숙성시켰다. 상기 숙성액을 열여과하고 메탄올로 세정하여 아조 안료 0.9부를 얻었다. 상기 얻어진 아조 안료 (Pig-4)의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 3에 나타낸다.

[실시예 4] 예시된 아조 안료 (Pig-7)의 합성:

5-아미노-3-메틸-1,2,4-티아졸 1.8부를 인산 22부에 첨가하고, 38℃로 가열하여 용해시켰다. 상기 용액을 빙수로 냉각시켜 -3℃로 상기 용액을 유지시키고, 여기에 아질산 나트륨 1.3부를 첨가하고, 상기 혼합물을 1.5시간 동안 교반시켜 디아조늄염 용액을 얻었다. 개별적으로, 하기 일반식 (14)로 나타내어지는 화합물 1.5부를 N,N-디메틸포름아미드 30부에 첨가하여 현탁액을 제조하였다. 여기에 상술된 디아조늄염 용액을 5℃에서 첨가하였다. 상기 용액은 상기 상태에서 7시간 동안 유지되어 반응하였다. 여기에 메탄올 40부를 첨가하고 석출된 분말을 여과에 의해서 수집하였다. 상기 분말을 물 200부에 첨가하고, 여분의 산은 탄산수소 나트륨으로 중화되었다. 여과를 다시 행하여 옐로우 분말을 얻었다. 상기 옐로우 분말을 N,N-디메틸아세트아미드 30부에 첨가하고, 이어서 100℃로 4시간 동안 가열하여 숙성시켰다. 상기 숙성액을 열여과하고 아세톤으로 세정하여 아조 안료 1.9부를 얻었다.

일반식 (14)

상기 얻어진 아조 안료 (Pig-7)의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 4에 나타낸다.

[실시예 5] 예시된 안료 (Pig-27)의 합성:

5-아미노-4-시아노-1-페닐피라졸 2.1부를 4℃에서 농축 황산 5.1부, 빙초산 22.8부 및 니트로실 황산 2.1부의 혼합 용액에 첨가하였다. 상기 혼합물을 이 상태로 1시간 동안 교반시켜 디아조늄염 용액을 얻었다. 개별적으로, 하기 일반식 (14)로 나타내어지는 화합물 1.5부를 N,N-디메틸아세트아미드 45부에 첨가하여 현탁액을 제조하였다. 여기에 상술된 디아조늄염 용액을 5℃에서 첨가하였다. 상기 용액은 상기 상태에서 6시간 동안 유지되어 반응하였다. 상기 용액의 온도가 실온까지 증가된 후에, 여기에 메탄올 60부를 첨가하고 석출된 분말을 여과에 의해서 수집하였다. 상기 분말을 물 200부에 첨가하고, 여분의 산은 탄산수소 나트륨으로 중화되었다. 여과를 다시 행하여 옐로우 분말을 얻었다. 상기 옐로우 분말을 N,N-디메틸아세트아미드 30부에 첨가하고, 이어서 100℃로 4시간 동안 가열하여 숙성시켰다. 상기 숙성액을 열여과하고 아세톤으로 세정하여 아조 안료 0.9부를 얻었다. 상기 얻어진 아조 안료 (Pig-27)의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 5에 나타낸다.

[실시예 6] 예시된 안료 (Pig-47)의 합성:

2-아미노-5-메틸-1,3,4-티아졸 2.5부를 인산 30부에 첨가하고, 42℃로 가열하여 용해시켰다. 상기 용액을 빙수로 냉각시켜 -3℃로 용액을 유지시키고, 여기에 아질산 나트륨 1.7부를 첨가하고, 상기 혼합물을 1.5시간 동안 교반시켜 디아조늄염 용액을 얻었다. 개별적으로, 하기 일반식 (13)으로 나타내어지는 화합물 2.9부를 N,N-디메틸아세트아미드 60부에 첨가하여 완전하게 용해된 용액을 제조하였다. 여기에 상술된 디아조늄염 용액을 5℃에서 첨가하였다. 상기 용액은 상기 상태에서 3시간 동안 유지되어 반응하였다. 석출된 분말을 여과에 의해서 수집하였다. 상기 분말을 물 200부에 첨가하고, 여분의 산은 탄산수소 나트륨으로 중화되었다. 여과를 다시 행하여 옐로우 분말을 얻었다. 상기 옐로우 분말을 N,N-디메틸아세트아미드 25부 및 물 25부의 혼합 용제에 첨가하고, 이어서 100℃로 4시간 동안 가열하여 숙성시켰다. 상기 숙성액을 열여과하고 메탄올로 세정하여 아조 안료 2.6부를 얻었다. 상기 얻어진 아조 안료 (Pig-47)의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 6에 나타낸다.

[실시예 7∼31]

본 발명의 아조 안료의 합성에 관한 상세한 설명 및 실시예 1∼6에 기재된 조작에 따라서, 상기 예시된 아조 안료 (Pig-9), (Pig-11), (Pig-12), (Pig-13), (Pig-16), (Pig-25), (Pig-28), (Pig-29), (Pig-30), (Pig-31), (Pig-32), (Pig-37), (Pig-39), (Pig-41), (Pig-42), (Pig-43), (Pig-44), (Pig-45), (Pig-46), (Pig-49), (Pig-51), (Pig-52), (Pig-53), (Pig-54) 및 (Pig-59)가 합성될 수 있다. 상기 얻어진 아조 안료의 적외선 흡수 스펙트럼을 도 7∼31에 나타낸다.

[실시예 41]

실시예 1에서 합성된 안료 (Pig-1) 2.5부, 올레산 나트륨 0.5부, 글리세린 5부 및 물 42부를 혼합하고, 지름이 0.1mm인 지르코니아 비즈 100부와 함께 플래너터리 볼 밀(planetary ball mill)을 사용하여 300rpm으로 6시간 동안 분산 조작을 행하였다. 상기 분산 조작의 종료 후에, 지르코니아 비즈를 분리하여 옐로우 안료 분산물 1을 얻었다.

[실시예 42]

실시예 1에서 합성된 안료 (Pig-1) 5부, WO2006/064193, 22쪽에 기재된 분산액(10)으로 나타내어지는 메타크릴산-메타크릴산 에스테르 코폴리머의 고분자 분산제의 수용액 25.5부 및 물 19.5부를 혼합하고, 지름이 0.1mm인 지르코니아 비즈 100부와 함께 플래터터리 볼 밀을 사용하여 300rpm으로 6시간 동안 분산 조작을 행하였다. 상기 분산 조작의 종료 후에, 지르코니아 비즈를 분리하여 옐로우 안료 분산물 2를 얻었다.

[실시예 43∼49]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 (Pig-24), (Pig-26), (Pig-46), (Pig-32), (Pig-70), (Pig-80) 및 (Pig-59)를 사용한 것 이외는 실시예 41과 동일한 조작으로 각각 옐로우 안료 분산물 3, 4, 5, 6, 7, 8 및 9를 얻었다.

[실시예 50∼55]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 (Pig-4), (Pig-6), (Pig-47), (Pig-49), (Pig-51), (Pig-52)를 사용한 것 이외는 실시예 41과 동일한 조작으로 각각 옐로우 안료 분산물 10, 11, 12, 13, 14 및 15를 얻었다.

[실시예 56∼60]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 (Pig-7), (Pig-9), (Pig-11), (Pig-12) 및 (Pig-13)을 사용한 것 이외는 실시예 41과 동일한 조작으로 각각 옐로우 안료 분산물 16, 17, 18, 19 및 20을 얻었다.

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 (Pig-16), (Pig-17) 및 (Pig-18)을 사용한 것 이외는 실시예 41과 동일한 조작으로 각각 옐로우 안료 분산물 21, 22 및 23을 얻었다.

[비교예 1]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 C.I. Pigment Yellow 128(Ciba Specialty Co.에 의해서 제작됨; CROMOPHTAL YELLOW 8GN)을 사용한 것 이외에 실시예 41과 동일한 조작으로 옐로우 비교 안료 분산물 1을 얻었다.

[비교예 2]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 C.I. Pigment Yellow 74(Ciba Specialty Co.에 의해서 제작됨; Iralite YELLOW GO)를 사용한 것 이외에 실시예 41과 동일한 조작으로 옐로우 비교 안료 분산물 2를 얻었다.

[비교예 3]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 C.I. Pigment Yellow 155(Clariant Co.에 의해서 제작됨; INKJET YELLOW 4G VP2532)를 사용한 것 이외에 실시예 41과 동일한 조작으로 옐로우 비교 안료 분산물 3을 얻었다.

[비교예 4]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 이하에 설명된 구조의 비교 화합물 1을 사용한 것 이외에 실시예 41과 동일한 조작으로 옐로우 비교 안료 분산물 4가 제조되도록 시도하였지만, 상기 색소는 상기 용제에 용해되어 색소의 용액을 형성하여 미립자의 분산물이 얻어지지 않았다.

비교 화합물 1

[비교예 5]

실시예 41에서 사용된 안료 (Pig-1) 대신에 이하에 설명된 구조의 비교 화합물 2를 사용한 것 이외에 실시예 41과 동일한 조작으로 옐로우 비교 안료 분산물 5가 제조되도록 시도하였지만, 상기 색소는 상기 용제에 용해되어 상기 색소의 용액을 형성하여 미립자의 분산물이 얻어지지 않았다.

비교 화합물 2

<착색력의 평가>

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 상기 안료 분산물은 각각 No.3 바 코터를 사용하여 Seiko Epson Corporation에 의해서 제작된 Photo mat paper(안료전용) 상에 코팅시켰다. 얻어진 코팅된 생성물의 각각 화상 농도는 반사 농도계(X-Rite Co.에 의해서 제작됨; X-Rite 938)에 의해서 측정되고, 상기 결과는 "착색력(OD:Opical Density)"으로서 표 1에 나타낸다.

<색상의 평가>

색상은 하기 기준에 따라서 평가된다. 육안으로 관찰될 때 색도의 관점에서, 녹색을 적게 띠고 높은 선명함을 갖는 상술된 생성물의 시료는 A(양호); 녹색을 띠거나 낮은 선명함을 갖는 시료는 B; 및 녹색을 띠고 낮은 선명함을 갖는 시료는 C(열악)로 평가되었다. 상기 결과는 표 1에 나타낸다.

<내광성의 평가>

색상의 평가에 사용된 화상 농도의 1.0의 상기 코팅된 생성물은 각각 크세논 광(170,000lux; 325nm 이하의 광을 커트하는 커트 필터의 존재하에서)으로 7일 동안 조사하고 그것의 화상 농도는 반사 농도계를 사용하여 상기 크세논광으로 조사 전후를 측정하였다. 본 발명의 안료 분산물 1∼23 및 비교 안료 분산물 1∼5는 색소 잔존율[(조사 후의 농도/조사 전의 농도)×100%]의 관점에서 평가하였다. 90% 이상의 색소 잔존율을 갖는 시료는 A, 80% 이상의 색소 잔존율을 갖는 시료는 B, 70% 이상의 색소 잔존율을 갖는 시료는 C, 60% 이상의 색소 잔존율을 갖는 시료는 D 및 50% 이상의 색소 잔존율을 갖는 시료는 E로 평가되었다. 상기 결과는 표 1에 나타낸다.

<내용제성>

실시예 및 비교예에 사용된 상기 화합물 각각의 0.05부를 유기 용제 200부에 첨가하고 24시간 동안 방치시켰다. 이와 같이 제조된 시료를 평가하였다. 평가는 이하의 기준에 따라 행해진다. 실시예 또는 비교예의 화합물이 유기 용제에 완전히 용해된 시료는 D; 상기 화합물이 완전히 용해되지 않고 불용물이 남아있지만, 그것의 여과액은 착색되는 시료는 C; 상기 화합물이 완전히 용해되지 않고 불용물이 남아있지만, 그것의 여과액은 약하게 착색되는 시료는 B; 및 불용물이 남아있고 여과액이 착색되지 않는 시료는 A로 평가되었다. 또한, 유기 용제로서, 메탄올 25부, 아세톤 25부, 에틸 아세테이트 25부 및 물 25부의 혼합물이 혼합 용제로서 사용된다.

[실시예 64]

분산물 10으로 나타내어지고 WO2006/064193, 22쪽에 기재된 고분자 분산물 은 수산화 칼륨 수용액으로 중화되었다. 실시에 1에서 합성된 상기 아조 안료 (Pig-1) 30중량부 및 탈이온수 95중량부를 상기 얻어진 분산물 수용액(고체 함량: 20%) 75중량부에 첨가하고, 디스퍼 교반 부재(disper agitating member)로 혼합시켜 조 분산시켰다. 지르코니아 비즈 600중량부는 상기 혼합되어 조 분산된 용액에 첨가되고, 4시간 동안 분산기(샌드 그라인더 밀)로 분산되고, 이어서 상기 비즈로부터 분산물을 분리시켰다. 상기 얻어진 혼합물에 교반하에 25℃에서 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르 2중량부를 점차적으로 첨가하고, 상기 혼합물을 50℃에서 6시간 동안 교반했다. 또한, 불순물은 분자 컷오프로 300K의 한외 여과를 사용하여 제거되고, 상기 얻어진 분산물은 5㎛의 포어 사이즈를 갖는 필터(아세틸셀룰로오스 멤브래인; 외부 지름:25nm; Fuji Photo Film Co., Ltd.에 의해서 제작됨)를 갖는 20ml 용량 시린지를 통하여 여과되어 조대 입자를 제거하였다. 이로써, 고체 성분을 10% 함유하는 안료 분산물 24(평균 입자 사이즈:Mv=약 55nm; Nikkiso Co., Ltd.에 의해서 제작된 Nanotrac 150(UPA-EX150)에 의해서 측정됨)를 얻었다.

[비교예 6]

비교 안료 분산물 6은 실시예 64에서 사용된 아조 안료 (Pig-1) 대신에 옐로우 안료(Ciba Specialty Co.에 의해서 제작된 C.I. Pigment Yellow 128(CROMOPHTAL YELLOW 8GN))를 사용한 것 이외는 실시예 64와 동일한 방법으로 얻었다.

[실시예 65]

실시예 64에서 얻어진 상기 안료 분산물 24의 함유량은 5중량%, 글리세린의 함유량은 10중량%, 2-피롤리돈의 함유량은 5중량%, 1,2-헥산디올의 함유량은 2중량%, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량은 2중량%, 프로필렌글리콜의 함유량은 0.5중량% 및 탈이온수의 함유량은 75.5중량%가 되도록 각각의 성분을 첨가하였다. 얻어진 혼합액을 1㎛의 포어 사이즈를 갖는 필터(아세틸셀룰로오스 멤브래인; 외부 지름: 25nm; Fuji Photo Film Co., Ltd.에 의해서 제작됨)를 갖는 시린지를 통하여 여과시켜 조대 입자를 제거하였다. 이로써, 표 2에 나타낸 안료 잉크액 1을 얻었다.

[비교예 7]

비교 안료 잉크액 1은 실시예 64에서 얻어진 상기 안료 분산물 24 대신에 비교예 6에서 얻어진 비교 안료 분산물 6을 사용한 것 이외는 실시예 65와 동일한 방법으로 얻었다.

실시예 65 및 비교예 7에서 얻어진 상기 잉크액은 옐로우 안료 잉크액으로서 사용되었다.

[비교예 8]

또한, 비교 잉크형으로서, Epson Co.에 의해서 제작된 PX-V630의 옐로우 잉크 카트리지(비교 안료 잉크액 2)를 사용하였다.

또한, 표 2에 있어서, "토출 안정성", "광견뢰성", "열견뢰성", "내오존(가스)성", "금속 광택", "색도" 및 "잉크액 안정성"에 관하여, 잉크는 각각 Seiko Epson Corporation에 의해서 제작된 잉크젯 프린터의 옐로우 잉크 카트리지에 충진되고, PX-V630의 잉크는 다른 색 잉크로 사용되고, 순차적으로 변경된 농도로 옐로우 단색 패턴 및 그린, 레드 및 그레이를 포함하는 화상 패턴은 수상 시트, 즉, 추천 모드 "Kirei" 로 Seiko Epson Corporation에 의해서 제작된 사진 용지 <kotaku> 또는 Seiko Epson Corporation에 의해서 제작된 사진 용지 CRISPIA <Ko-kotaku> 상에 인쇄되어 화상 품질, 잉크 토출성 및 화상 견뢰성을 평가하였다.

잉크액 및 잉크젯 기록에 사용하기 위한 실시예 65(안료 잉크액 1)의 비교예의 비교 잉크액(비교 안료 잉크액 1 및 PX-V630의 옐로우 안료 잉크액, 즉, 비교 안료 잉크액 2)이 이하의 평가가 행해진다. 상기 결과를 표 2에 나타낸다.

(평가 실험)

1) 토출 안정성에 관하여, 프린터에 카트리지를 세팅하고 모든 노즐로부터 잉크의 토출을 확인한 후에, 화상 패턴을 A4 사이즈 용지 20장에 출력하고 이하의 기준으로 평가하였다.

A: 인쇄가 시작부터 종료까지 흐트러지지 않음

B: 인쇄가 몇몇 출력에서 흐트러짐

C: 인쇄가 시작부터 종료까지 흐트러짐

2) 상기 옐로우 화상 보존성에 관하여, 이하의 평가는 인쇄된 시료를 사용함으로써 행해진다.

[1] 광견뢰성의 평가에 있어서, 인쇄 후에 즉시 화상 농도 Ci를 X-rite 310에 의해서 측정하고, 상기 화상은 Atlas에 의해서 제작된 Weathermeter의 사용에 의해서 35일 동안 크세논광(100,000lx)으로 조사된 후에, 상기 화상 농도 Cf를 다시 측정하였다. 상기 옐로우 화상 잔존율 Cf/Ci×100이 측정되고 평가되었다. 상기 옐로우 화상 잔존율은 각각 1, 1.5 및 2의 반사 농도를 갖는 3지점에서 평가되고, 상기 광견뢰성은 상기 옐로우 화상 잔존율이 어떠한 농도에서 80% 이상일 때를 A, 2지점에서 80% 미만일 때를 B 또는 모든 지점에서 80% 미만일 때를 C로 평가되었다.

[2] 열견뢰성의 평가에 있어서, 상기 농도는 80℃ 및 60% RH의 조건하에서 14일 동안 상기 시료가 보관되기 전후에 X-rite 310에 의해서 측정하여, 상기 옐로우 화상 잔존율이 측정되고 평가되었다. 상기 옐로우 화상 잔존율은 1, 1.5 및 2의 반사 농도를 갖는 각각의 3지점에서 평가되고, 상기 열견뢰성은 상기 옐로우 화상 잔존율이 어떠한 농도에서도 95% 이상일 때를 A, 2지점에서 95% 미만일 때를 B 또는 모든 농도에서 95% 미만일 때는 C로 평가되었다.

[3] 내오존성(오존견뢰성)의 평가에 있어서, 상기 시료는 5ppm의 오존 가스 농도로 세팅된 박스 내에 35일 동안 방치되고(23℃, 50%), 상기 오존 가스 분위기에 방치 전후의 화상 농도가 반사 농도계(Photographic Densitometer 310; X-Rite에 제작됨)에 의해서 측정되고 상기 옐로우 화상 잔존율로서 평가되었다. 상기 반사 농도는 1, 1.5 및 2.0의 3지점에서 측정되었다. 상기 박스 내의 오존 가스 농도는 APPLICS에 의해서 제작된 오존 가스 모니터(모델:OZG-EM-01)를 사용하여 세팅되었다. 상기 내오존성은 3단계, 즉, 상기 옐로우 화상 잔존율이 어떠한 농도에서도 80% 이상일 때 A, 1 또는 2점에서 80% 미만일 때 B, 모든 농도에서 70% 미만일 때를 C로 평가되었다.

3) 금속 광택의 발생의 유무: 옐로우 및 그린 및 레드 솔리드 인쇄된 화상부는 반사광에 의해서 육안으로 관찰되고 평가되었다.

금속 광택이 발생하지 않는 시료는 A라고 평가되고, 금속 광택이 발생하는 시료는 B라고 평가되었다.

4) 색도: 순차적으로 농도가 변경된 옐로우 단화상 패턴은 Gretag Macbeth에 의해서 제작된 Spectro Eye에 의해 CIE L*a*b*로 측정하였다. 1.0의 반사 농도에서 상기 a* 및 b*를 이하 표에 나타낸다. 상기 수상 시트로서, Seiko Epson Corporation에 의해서 제작된 사진 용지 CRISPIA <Ko-kotaku>를 사용하였다.

5) 잉크액 안정성: 실시예 및 비교예의 안료 잉크액은 각각 60℃에서 10일 동안 방치되었다. 상기 안료 잉크액의 입자의 입자 사이즈에 변화가 없는 시료는 A, 입자 사이즈 변화가 있는 시료는 B로 평가되었다. 상기 결과는 이하 표 2에 나타낸다.

표 2의 결과로부터 본 발명의 안료를 사용한 안료 잉크액은 우수한 잉크 토출성 및 우수한 내후성을 나타내고, 금속 광택의 발생을 억제하고, 옐로우로서 우수한 색상을 나타내며(a*가 마이너스는 붉은색이 적음을 의미하고, b*가 큼은 높은 색채도를 의미함), 우수한 안료 잉크액 안정성을 갖는다.

표 2의 결과로부터 분명한 것은 본 발명의 잉크가 사용된 방식은 모든 성능에서 우수함을 나타낸다. 특히, 비교예와 비교해서, 본 발명의 잉크는 우수한 광견뢰성 및 우수한 잉크액 안정성을 갖는다.

[실시예 66]

화상을 실시예 65에서 제작된 상기 안료 잉크액을 사용한 Seiko Epson Corporation에 의해서 제작된 PX-V630에 의하여 Fuji Photo Film Co., Ltd.에 의해서 제작된 광택지 "Gasai"의 잉크젯 종이 상에 인쇄하고, 실시예 65과 동일한 방법으로 평가하여 비슷한 결과를 얻었다.

표 1 및 2의 결과로부터 분명한 것은 본 발명의 안료를 사용한 안료 분산물 1∼23 및 본 발명의 안료를 사용한 안료 잉크액 1은 색조가 우수하고 높은 착색력 및 내광성을 나타낸다.

따라서, 본 발명의 안료를 사용한 안료 분산물은 잉크젯 인쇄 등의 인쇄용의 잉크, 전자 사진용 컬러 토너, LCD 및 PDP 등의 디스플레이 및 CCD 등의 촬상 소자에 사용되는 컬러 필터, 페인트 및 착색 플라스틱에 바람직하게 사용될 수 있다.

본 발명에 따라서, 착색력 및 색상 등의 우수한 색채적 특성 및 광견뢰성 및 오존에 대한 내성 등의 우수한 내구성을 갖는 아조 안료가 제공된다. 우수한 색채적 특성, 내구성 및 분산 안전성을 갖는 안료 분산물, 착색 조성물 및 잉크젯 기록 용 잉크 각종 중간체들에 본 발명의 안료를 분산시킴으로써 얻어질 수 있다. 상기 안료 분산물은 잉크젯 인쇄 등의 인쇄용 잉크, 전자 사진용 컬러 토너, LCD 또는 PDP 등의 디스플레이, CCD 등의 촬상 소자에 사용되는 컬러 필터, 페인트, 착색 플라스틱 등에 사용될 수 있다.

각 모든 특허의 설명과 외국 우선권으로부터의 모든 외국 특허 출원은 본 출원에서 참조에 의해 이 문서에 포함하여 청구하였고, 모두 이 문서 중에 설명되었다.

Claims

하기 일반식 (1)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (1)

[여기서,

R₁, R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂은 수소 원자를 나타내고,

G는 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 또는 s-트리아진 환을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 하기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타낸다.]

일반식 (2)

[여기서,

X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 할로겐 원자, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 아실아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 우레이도기, 술파모일아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포닐기, 알킬옥시카르보닐기, 헤테로환 옥시기, 아조기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 실릴옥시기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 이미도기, 헤테로환 티오기, 술피닐기, 포스포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실기 또는 이온성 친수성기를 나타내고,

별표(*)는 일반식 (1)의 상기 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.]
제 1 항에 있어서,

상기 아조 안료는 하기 일반식 (3)으로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (3)

[여기서,

R₁및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

G는 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 또는 s-트리아진 환을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (3)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.]
제 1 항에 있어서,

상기 아조 안료는 하기 일반식 (4)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (4)

[여기서,

R₁및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

X₁및 X₂는 각각 독립적으로 0.2 이상의 헤맷 σp값을 갖는 전자 흡인성 기를 나타내고,

Y₁, Y₂, Z₁및 Z₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 할로겐 원자, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 아실아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 우레이도기, 술파모일아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포닐기, 알킬옥시카르보닐기, 헤테로환 옥시기, 아조기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 실릴옥시기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 이미도기, 헤테로환 티오기, 술피닐기, 포스포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실기 또는 이온성 친수성기를 나타내고,

G는 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 또는 s-트리아진 환을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타낸다.]
제 1 항에 있어서,

상기 아조 안료는 하기 일반식 (5)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (5)

[여기서,

R₁및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (5)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타낸다.]
제 1 항에 있어서,

상기 아조 안료는 하기 일반식 (6)으로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (6)

[여기서,

R₁및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타내고, 단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (6)의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.]
하기 일반식 (6')∼(6''') 중 어느 하나로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료의 호변이성체, 그의 염 또는 그의 수화물.

[여기서,

R₁및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

Het-1 및 Het-2는 각각 독립적으로 하기 일반식 (2)로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 기를 나타낸다.]

일반식 (2)

[여기서,

X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 할로겐 원자, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 아실아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 우레이도기, 술파모일아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포닐기, 알킬옥시카르보닐기, 헤테로환 옥시기, 아조기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 실릴옥시기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 이미도기, 헤테로환 티오기, 술피닐기, 포스포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실기 또는 이온성 친수성기를 나타내고,

단, 상기 일반식 (2)의 별표(*)는 상기 일반식 (6)∼(6''')의 아조 연결기와의 부착 지점을 나타낸다.]
제 1 항에 있어서,

상기 아조 안료는 1620∼1670cm^-1의 범위의 피크 흡수 강도의 1/3 이하인 IR 흡수 스펙트럼에서의 1700∼1730cm^-1의 범위의 피크 흡수 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.
제 1 항에 있어서,

상기 아조 안료는 하기 일반식 (7)로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (7)

[여기서,

R₁및 R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

X₁및 X₂는 각각 독립적으로 0.2 이상의 해멧 σp값을 갖는 전자 흡인성 기를 나타내고,

Y₁및 Y₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 할로겐 원자, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 아실아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 우레이도기, 술파모일아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포닐기, 알킬옥시카르보닐기, 헤테로환 옥시기, 아조기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 실릴옥시기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 이미도기, 헤테로환 티오기, 술피닐기, 포스포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실기 또는 이온성 친수성기를 나타내고,

G₁는 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 또는 s-트리아진 환을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타내고,

G₁₁및 G₁₂는 각각 독립적으로 5∼6원 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타내고, 단, G₁₁및 G₁₂로 나타내어지는 상기 헤테로환 기는 각각 독립적으로 모노환상이어도 좋고 축합환을 가져도 좋다.]
제 8 항에 있어서,

G₁₁및 G₁₂로 각각 나타내어진 질소 함유 헤테로환 기의 하나 이상은 하기 일반식 (8)의 (G-1)∼(G-13) 중 어느 하나로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물.

일반식 (8)

[여기서,

(G-1)∼(G-13)의 별표(*)는 상기 일반식 (7)의 피라졸환 상의 N 원자와의 부착 지점을 나타내고,

Z₁₁∼Z₁₄는 각각 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 할로겐 원자, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 아실아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 우레이도기, 술파모일아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포닐기, 알킬옥시카르보닐기, 헤테로환 옥시기, 아조기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 실릴옥시기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 이미도기, 헤테로환 티오기, 술피닐기, 포스포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실기 또는 이온성 친수성기를 나타내고,

(G-13)의 G'는 헤테로환 기를 완성하는데 필요한 비금속 원자를 나타낸다.]
제 1 항에 기재된 아조 안료의 제조 방법으로서:

하기 일반식 (9)로 나타내어진 헤테로환 아민의 디아조화에 의해서 디아조늄 화합물을 제조하는 공정;

유기 용제에 하기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 용해하는 공정; 및

상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물의 용해 후에 상기 디아조늄 화합물과 상기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 커플링하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 아조 안료의 제조 방법.

일반식 (9)

[여기서,

Het.는 하기 일반식 (10)으로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 헤테로환 기를 나타낸다.]

일반식 (10)

[여기서,

X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 할로겐 원자, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 카르복시기, 아미노기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 아실아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 우레이도기, 술파모일아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포닐기, 알킬옥시카르보닐기, 헤테로환 옥시기, 아조기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 실릴옥시기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 이미도기, 헤테로환 티오기, 술피닐기, 포스포닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아실기 또는 이온성 친수성기를 나타내고,

별표(*)는 상기 일반식 (9)의 아미노기와의 부착 지점을 나타낸다.]

일반식 (11)

[여기서,

R₁, R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂은 수소 원자를 나타내고,

G는 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 또는 s-트리아진 환을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타낸다.]
제 1 항에 기재된 아조 안료의 제조 방법으로서:

하기 일반식 (9)로 나타내어지는 헤테로환 아민의 디아조화에 의해서 디아조늄 화합물을 제조하는 공정; 및

극성 비양자성 용제의 존재하에 상기 디아조늄 화합물과 하기 일반식 (11)로 나타내어지는 화합물을 커플링하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 아조 안료의 제조 방법.

일반식 (9)

[여기서,

Het.는 하기 일반식 (10)으로 나타내어지는 방향족 헤테로환 기로부터 선택된 헤테로환 기를 나타낸다.]

일반식 (10)

[여기서,

X, Y, Z, W₀, W₁, W₂, W₃ 및 W₄는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

별표(*)는 상기 일반식 (9)의 아미노기와의 부착 지점을 나타낸다.]

일반식 (11)

[여기서,

R₁, R₂는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

P₁, P₂, Q₁ 및 Q₂은 수소 원자를 나타내고,

G는 2,3-피리다진 환, 2,4-피리미딘 환, 2,5-피라진 환, 2,6-피리미딘 환 또는 s-트리아진 환을 나타내고,

W는 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로환 기, 시아노기, 히드록실기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로환 티오기, 술파모일기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 아조기 또는 이미도기를 나타내고,

t는 0∼4의 정수를 나타낸다.]
삭제
제 1 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 안료 분산물.
제 1 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 착색 조성물.
제 1 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 아조 안료, 그의 염 또는 그의 수화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯 기록용 잉크.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 일반식 (1), 일반식 (3) 내지 일반식 (7)에서, R₁, R₂는 각각 독립적으로 C1~C12의 알킬기이고,

상기 일반식 (1), 일반식 (3), 일반식 (5), 일반식 (6)에서, Het-1, Het-2는 각각 독립적으로 상기 일반식 (2)의 (2), (5)~(10)으로부터 선택된 기이며,

상기 일반식 (1), 일반식 (3) 내지 일반식 (5), 일반식 (7)에서, W는 히드록실기, C=O, 아미노기, 디메틸아미노기, 수소원자 또는 메톡시기이고,

상기 일반식 (2), 일반식 (10)에서, X는 시아노기 또는 메탄술포닐기이며, Y는 수소원자 또는 알킬기이고, Z는 치환 또는 무치환의 아릴기, 치환 또는 무치환의 헤테로환 기인 것을 특징으로 하는 아조 염료, 그의 염 또는 그의 수화물.