KR101571205B1 - 고체 상태 조명 장치들을 위한 질화 갈륨 웨이퍼 기판, 및 관련된 시스템들 및 방법들 - Google Patents

고체 상태 조명 장치들을 위한 질화 갈륨 웨이퍼 기판, 및 관련된 시스템들 및 방법들 Download PDF

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안소니 로치테펠드
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마이크론 테크놀로지, 인크
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Abstract

고체 상태 조명 장치들을 위한 질화 갈륨 웨이퍼 기판, 및 관련된 시스템들 및 방법들. 발명의 일 실시예에 따라 SSL 장치 기판을 제조하는 방법은 지지 부재에 의해 수용되는 다수의 결정들을 형성하는 단계를 포함하고, 결정들은 질화 갈륨의 형성을 용이하게 하도록 선택된 배향을 가진다. 상기 방법은 결정들에 의해 수용되는 소정 체적의 질화 갈륨을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고, 결정들의 선택된 배향은 질화 갈륨을 하나의 유닛(unit)으로서 지지 부재에 접합하지 않고, 질화 갈륨의 배향을 적어도 부분적으로 제어한다. 다른 실시예들에서는, 결정들이 존재하는 영역을 어닐링하는 단계, 선택된 배향 이외의 배향을 가지는 결정들을 제거하기 위하여 영역을 에칭하는 단계, 및/또는 선택된 배향을 가지는 결정들을 성장시키는 단계를 포함하는 처리에 의해 결정들의 수가 증가 될 수 있다.

Description

고체 상태 조명 장치들을 위한 질화 갈륨 웨이퍼 기판, 및 관련된 시스템들 및 방법들{GALLIUM NITRIDE WAFER SUBSTRATE FOR SOLID STATE LIGHTING DEVICES, AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS}
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 제조에 관한 것이고, 더욱 구체적으로, 고체 상태 조명 장치들에서 이용하기에 적당한 질화 갈륨(gallium nitride)을 성장시키기 위한 기판, 시스템 및 방법에 관한 것이다.
이동 전화, 개인 정보 단말("PDA : personal digital assistant"), 디지털 카메라, MP3 플레이어(player), 및 다른 휴대용 전자 장치들은 배경 조명을 위하여 고체 상태 조명("SSL : solid state lighting") 장치들(예를 들어, LED)을 사용한다. 또한, SSL 장치들은 신호 체계(signage), 실내 조명, 실외 조명, 및 다른 유형의 일반적인 조명에 이용된다. 도 1a는 측방향 컨택(lateral contact)들을 갖는 기존의 SSL 장치(10a)의 단면도이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, SSL 장치(10a)는 예를 들어, N형 GaN(15) 및 P형 GaN(16) 사이에 위치된 질화 갈륨(gallium nitride)/질화 인듐 갈륨(indium gallium nitride)(GaN/InGaN) 다중 양자 우물("MQW : multiple quantum well")들을 함유하는 활성 영역(active region)(14)을 가지는 LED 구조체(11)를 수용(carry)하는 기판(20)을 포함한다. 또한, SSL 장치(10a)는 P형 GaN(16) 상의 제 1 컨택(17) 및 N형 GaN(15) 상의 제 2 컨택(19)을 포함한다. 제 1 컨택(17)은 광이 LED 구조체(11)로부터 탈출하도록 허용하는 투명한 전도성 물질(예를 들어, 인듐 주석 옥사이드("ITO : indium tin oxide")을 전형적으로 포함한다. 도 1b는 예를 들어, 측방향이 아니라 수직형 구성에서 제 1 및 제 2 컨택들(17 및 19)이 서로 반대인 또 다른 기존의 LED 장치(10b)의 단면도이다. LED 장치(10b)를 형성하는 동안에, 도 1a에 도시된 기판(20)과 유사한 기판(20)은 처음에 N형 GaN(15), 활성 영역(14) 및 P형 GaN(16)을 수용한다. 제 1 컨택(17)은 P형 GaN(16) 위에 배치되고, 캐리어(21)는 제 1 컨택(17)에 부착된다. 기판(20)은 제거되고, 이것은 제 2 컨택(19)이 N형 GaN(15) 위에 배치되도록 한다. 다음으로, 구조체는 도 1b에 도시된 배향(orientation)을 만들기 위하여 반전된다. LED 장치(10b)에서, 제 1 컨택(17)은 광을 N형 GaN(15)을 향해 보내기 위하여 반사 및 전도성 물질(예를 들어, 알루미늄)을 전형적으로 포함한다.
이하에서 더욱 구체적으로 논의되는 바와 같이, 전형적으로, SSL 장치들의 다양한 구성요소들은 상이한 열 팽창 계수(CTE : coefficient of thermal expansion)를 가진다. 제조 처리 및/또는 이용 도중에 발생하는 온도 변화 동안, 장치 구성요소들의 CTE에서의 차이는 구성요소들이 균열되거나 디라미네이트(delaminate)되도록 할 수 있다. SSL 제조를 위해 이용되는 웨이퍼들을 형성하는 다양한 원소(element)들에 대한 열 팽창 계수(CTE), 및 특히, GaN의 CTE에 대한 사파이어(sapphire)의 CTE의 차이로 인해, 직경이 4인치(inch)를 초과하는 웨이퍼들을 높은 수율을 야기하는 방식으로 탄화 규소하는 것이 어려울 수 있다. 따라서, 결과적인 장치의 성능 및 신뢰성을 향상시키고, 이러한 장치들의 제조와 관련된 비용 및 시간을 절감하는 기판들에 대한 필요성이 남아 있다.
본 발명의 여러 측면들은 다음의 도면들을 참조하여 더욱 양호하게 이해될 수 있다. 도면들에서의 부품들은 반드시 축적을 조정해야 하는 것은 아니다. 그 대신에, 본 발명의 원리들을 명확하게 예시하는 것을 강조하고 있다. 또한, 도면들에서는, 유사한 참조 번호들이 몇몇 도면들에 걸쳐 대응하는 부분들을 가리킨다.
도 1a는 선행 기술에 따른 SSL 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1b는 선행 기술에 따른 또 다른 SSL 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 구성되는 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 시드 물질(seed material) 및 적어도 부분적으로 결정 배향된 물질(crystal-oriented material)을 갖는 도 2에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따라 어닐링되는 적어도 부분적으로 결정 배향된 물질을 갖는 도 3에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 선택 에칭 이후의 도 4a에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 실시예에 따라 재성장되는 적어도 부분적으로 결정 배향된 물질의 결정들을 갖는 도 4b에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 형성되는 질화 갈륨 층을 갖는 도 4c에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 도 2 내지 도 5에 도시된 지지 부재를 형성하는 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예들에 따라 수직 LED 구조체를 구성하는 동안에 도 5에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따라 수직 LED 구조체를 구성하는 동안에 도 5에 도시된 지지 부재의 부분적으로 개략적인 단면 예시도이다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 질화 갈륨을 성장시키기 위한 기판들, 및 그 관련된 시스템들 및 방법들에 관한 것이다. 질화 갈륨은 고체 상태 조명("SSL") 장치들을 형성하기 위하여 이용될 수 있다. 이하에서 이용되는 바와 같이, 용어 "SSL 장치"는 발광 다이오드들("LEDs"), 유기 발광 다이오드들("OLEDs"), 레이저 다이오드들("LDs"), 폴리머 발광 다이오드들("PLEDs"), 및/또는 전기 필라멘트들, 플라즈마, 또는 가스 이외의 다른 적당한 조명 소스들을 갖는 장치들을 일반적으로 나타낸다. 한마디로 말하면, 시스템의 일 실시예는 지지 기판, 지지 기판 위에 형성된 중간 구조체, 및 중간 구조체 위에 형성된 시드 물질을 포함한다. 비정질(amorphous) 또는 적어도 부분적으로 결정 배향된 물질(예를 들어, (111) 결정 배향을 갖는 실리콘)은 예를 들어, 플라즈마 증강 화학 기상 증착(PECVD : plasma-enhanced chemical vapor deposition)에 의해 시드 물질 위에 증착된다. 비정질 및/또는 적어도 부분적으로 결정 배향된 물질은 (111) 결정 배향을 갖는 결정들의 수를 증가시키기 위하여 어닐링되고 선택적으로 에칭될 수 있다. 이때, 물질이 어닐링되기 이전에 비정질이더라도, 그 물질은 적어도 부분적으로 결정 배향된다. 시스템은 결정들 위에 에피택시 방식으로 성장된 질화 갈륨(GaN) 물질(예를 들어, GaN 층)을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 실리콘-함유 및/또는 질화 갈륨-함유 기판을 질화 알루미늄 함유 기판 또는 GaN을 지지하도록 열적으로 설계되는 다른 기판에 접합할 필요성을 제거함으로써 기존의 방법들에 비해 장점들을 제공할 수 있을 것으로 예상된다. 그 대신에, 실리콘 및/또는 질화 갈륨은 단일 기판 위에서 원 위치에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 시스템들, 방법들, 특징들, 및 장점들은 당업자에게 명백하거나 명백해질 것이다. 잘 알려져 있고 개시된 시스템들 및 방법들과 종종 관련되지만, 발명의 일부 중요한 측면들을 불필요하게 가릴 수 있는 구조들 또는 처리들을 설명하는 몇몇 세부 사항들은 명료함을 위하여 다음의 설명에서 기술되지 않는다. 또한, 다음의 기재 내용은 본 명세서에서 개시된 기술의 상이한 측면들의 몇몇 실시예들을 기술하고 있지만, 몇몇 다른 실시예들은 이 부분에서 설명된 것들과는 상이한 구성들 또는 상이한 부품들을 가질 수 있다. 따라서, 개시된 기술은 추가적인 구성요소들을 가지고 있는 다른 실시예들, 및/또는, 도 2 내지 도 8을 참조하여 이하에서 설명되는 몇몇 구성요소들을 가지지 않는 다른 실시예들을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 구성되는 지지 부재(110)(예를 들어, 웨이퍼)의 부분적으로 개략적인 단면 예시도이다. 지지 부재(110)는 지지 기판(112)을 포함할 수 있다. 지지 기판(112)은 본 명세서에서 설명된 추가적인 구조들의 형성을 용이하게 하는 적당한 속성들을 가지는 물질들을 포함할 수 있다. 특정한 실시예들에서, 지지 기판(112)을 위해 선택된 물질은 다결정질 질화 알루미늄(pAlN : polycrystalline aluminum nitride), 또는 그 열 팽창 특성들을 위해 선택된 또 다른 물질을 포함할 수 있다. 이러한 특성들은 추후에 형성되는 GaN 물질에 대한 CTE와 대략 동일하거나, 그렇지 않을 경우에 상기 CTE에 근사화되거나 근접하는 열 팽창 계수(CTE : coefficient of thermal expansion)를 포함한다. 지지 기판(112)의 물질을 이와 같은 방식으로 선택함으로써, GaN 물질의 품질, 균일성 및/또는 생산능력이 향상될 수 있다. 적당한 지지 기판들(112) 및 관련된 방법들의 측면들에 관한 더욱 세부적인 사항들은 2010년 8월 23일자로 출원된 공동 계류중인 미국 특허 출원 12/861,706호에 포함되고, 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.
지지 기판(112)은 추후의 처리들 동안에 물질들이 지지 기판(112)으로부터 확산하는 것을 방지하거나 적어도 제한하기 위하여 적당한 봉지층(encapsulation layer)(111)을 포함할 수 있다. 봉지 물질(encapsulation material)(111)은 추후에 증착되는 GaN의 CTE와 일치하거나 이에 근접하도록 선택될 수도 있다. 적어도 일부 실시예들에서, 봉지 물질(111)은 질화 규소 또는 또 다른 실리콘계 화합물(silicon-based compound)을 포함한다. 봉지 물질(111)의 외부 표면은 산화물(oxide)(113), 예를 들어, 이산화 규소(silicon dioxide)의 층을 포함할 수 있다. 적어도 일부 실시예들에서, 이산화 규소는 스스로 추후에 증착되는 물질들을 지지할 수 있다. 다른 실시예들에서, 도 2에 도시된 중간 구조체(114)는 이 기능을 수행할 수 있다.
중간 구조체(114)는 이산화 규소, 질화 규소, 탄화 규소(silicon carbide), 또는 지지 기판(112)과 추후에 증착되는 물질들 사이의 CTE 차이들을 적어도 부분적으로 보상하도록 선택되는 또 다른 적당한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 중간 구조체(114)는 금속-유기물 화학 기상 증착(MOCVD : metal-organic chemical vapor deposition)을 위하여 유용한 온도, 예를 들어, 약 570℃에서 약 1100℃까지 온도에서의 보잉(bowing)을 최소화하거나 적어도 감소시킬 수 있다. 중간 구조체(114)의 상기 언급한 물질들은 특정한 실시예들에서 순차적인 층들의 형태로 지지 기판(112) 위에 배치될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 중간 구조체(114)는 중간 구조체(114)의 탄화 규소 및 이산화 규소 구성성분들을 생성하기 위하여 산화되는 탄화 규소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 2010년 9월 9일자로 출원되고 참조에 의해 본 명세서에 포함되는 공동 계류중인 미국 특허 출원 12/878,815호에 설명된 바와 같이, 이 층들의 특성은 추후에 지지 부재(110) 위에 증착되는 GaN 두께의 범위에 적어도 부분적으로 의존하는 방식으로 선택될 수 있다. 또한, 층 특성들은 추후의 처리들 및/또는 추후에 배치되는 물질들과의 화학적 화합성(chemical compatibility)을 제공하도록 선택될 수 있다. 층들의 하나 이상은 처리의 상세한 사항들에 따라 합성, 제거, 분리될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라, 시드 물질(seed material)(116)(예를 들어, 시드층) 및 그 위에 배치된 초기 물질(117)을 갖는 도 1의 지지 부재(110)의 부분적으로 개략적인 단면도이다. 특정한 실시예들에서, 시드 물질(116)은 질화 알루미늄(aluminium nitride), 또는 중간 구조체(114) 위에 배치된 티타늄(titanium) 및 티타늄 위에 배치된 니켈(nickel)의 조합물을 포함한다. 상기한 물질들은 증발 처리(evaporation process)들 또는 다른 적당한 처리들을 통해 배치될 수 있다. 초기 물질(117)은 비정질 물질 및/또는 적어도 부분적으로 결정 배향된 물질(이하, "결정 배향된 물질(crystal-oriented material")을 포함할 수 있다. 초기 물질(117)은 열 또는 전자빔(e-beam) 증발, 스퍼터링(sputtering), CVD, PECVD, 원자층 증착(ALD : atomic layer deposition), 또는 또 다른 적당한 기술에 의해 시드 물질(116) 위에 배치될 수 있다. 초기 물질(117)이 비정질 성분을 포함하면, 비정질 성분은 일반적으로 결정들을 포함하지 않는다. 초기 물질(117)이 결정 배향된 물질을 포함하면, 결정 배향된 물질의 미세구조(microstructure)는 공통의 방향으로 배향된 적어도 일부의 결정들을 포함한다. 예를 들어, 결정 배향된 물질은 다결정질(polycrystalline)(예를 들어, 폴리실리콘(polysilicon))일 수 있거나, 다양한 결정질 배향들을 가지는 그레인(grain)들의 혼합물(mixture)을 포함할 수 있다. 알려진 증착 기술들은 특정한 방향들을 따라 배향된 그레인들의 상대적으로 높은 분율(fraction)들을 갖는 막(film)들을 생성하기 위하여 이용될 수 있다. 예를 들어, 결정 배향된 물질이 폴리실리콘을 포함하면, (111) 배향을 가지는 결정의 적어도 일부를 갖는 결정 배향된 물질을 증착하기 위하여 이러한 기술들이 이용될 수 있고, 이것은 (0001) 결정 배향을 가지는 추후의 GaN 층을 지지하기 위해 전형적으로 바람직하다. 다른 실시예들에서, 예를 들어, 결정 배향된 물질이 실리콘 이외의 원소(element)로 주로 구성될 경우, 결정 배향된 물질은 (0001) 결정 배향을 가지는 추후의 GaN 층을 위한 적당한 지지를 여전히 제공하면서, (111) 이외의 방향으로 배향되어 있는 그레인들의 높은 분율을 가질 수 있다. 더욱 추가적인 실시예들에서, 결정 배향된 물질은 (0001) 이외의 결정 배향을 갖는 GaN을 지지하는 방향으로 배향된 그레인들을 가질 수 있다. 적어도 일부 실시예들에서, 초기 물질(117)은 추후의 화학적 처리들의 효과들을 증대시키기 위하여 (예를 들어, 포토리소그래픽 마스킹(photolithographic masking) 및 에칭 처리를 이용하여), 예를 들어, 줄무늬(stripe)들 또는 다른 형상들로 패터닝(pattern)될 수 있다. 일부의 경우들에 있어서, 이 효과들을 증대시키는 것은 더 높은 비율(rate)의 재결정화(recrystalization)를 포함한다. 이 실시예들 중의 임의의 실시예에서, 초기 물질(117)에서의 결정화도(degree of crystallinity)는 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 추가로 기재되는 바와 같이, 물리적 및 화학적 반응들/처리들의 조합에 의해 발전, 확립 및/또는 개선될 수 있다.
초기 물질(117)은 일부 실시예들에서 실리콘을 포함하고, 특정한 실시예들에서는 실리콘만을 포함한다. 다른 실시예들에서는, 실리콘 이외의 물질들이 GaN 성장을 위한 적당한 시작 층을 형성한다면, 초기 물질(117)은 이 실리콘 이외의 물질들을 포함한다. 이러한 물질들은 AlN, SiC, Al2O3(사파이어(sapphire)) 및 스피넬(spinel)을 포함하지만, 이것으로 한정되지 않는다. 특정한 실시예들에서, 초기 물질(117)은 GaN을 포함할 수 있다. 그러나, 다른 실시예들에서, GaN은 도 5를 참조하여 추후에 설명되는 처리에서 배치될 때까지 지지 부재(110) 내에 포함되지 않는다. 열 또는 전자빔(e-beam) 증발, DC 또는 RF 스퍼터링, 전기도금(electroplating), 분자빔 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy), ALD, 펄스화 레이저 증착(PLD : pulsed-laser deposition), 스핀 코팅(spin coating), MOCVD, 하이드라이드 기상 에피택시(HVPE : hydride vapor phase epitaxy), 및 액상 에피택시(LPE : liquid phase epitaxy)를 포함하는 여러 적당한 기술들 중의 임의의 기술을 통해, 상기 물질들이 지지 부재(110) 위에 배치될 수 있다. 특정한 실시예에서, 초기 물질(117)은 실란(silane)을 전구체 가스(precursor gas)로서 이용하는 저압 CVD 처리(LPCVD : low pressure CVD)에서 증착되는 폴리실리콘을 포함한다. 초기 물질(117)은 어닐링(anneal)될 수 있고, 또는, 증착 이후에, 또는 추가적인 물질들 또는 반응물(reactant)들이 초기 물질(117)에 근접하게 증착되거나 위치된 후에, 화학 반응들을 거칠 수 있다. 결과적인 구조는 단결정 구조에 이르는 범위의 증대된 또는 증가된 결정화도를 가질 수 있다.
도 4a는 결정 배향된 물질(118)을 형성하도록 어닐링되는 도 3에 도시된 초기 물질(117)을 갖는, 도 3에 도시된 지지 부재(110)의 부분적으로 개략적인 단면도이다. 따라서, 초기 물질(117)이 어닐링 이전에 비정질 성분을 포함하였더라도, 도 4a에 도시된 어닐링 이후의(post-anneal) 결정 배향된 물질(118)은 공통의 방향으로 배향된 결정들의 적어도 일부를 가진다. 초기 물질(117)이 결정 배향된 물질 성분을 이미 포함하였을 경우, 어닐링 처리는 특정한 결정 배향을 가지는 결정들의 수 또는 개체수(population)가 증가하도록 한다. 예를 들어, 시드 물질(116) 및/또는 중간 구조체(114)가 (111) 배향을 가지는 결정들의 성장을 양호하게 하도록 선택되면, 초기 물질(117)을 어닐링하는 것은 추가적인 결정들이 (도 4a에서 상향으로 지시하는 화살표들에 의해 개략적으로 표시된) (111) 배향을 형성 및/또는 (111) 배향과 정렬되도록 할 수 있다. 전형적인 어닐링 파라미터들은 약 450℃에서 약 900℃까지 범위의 온도를 포함한다. 적어도 일부의 실시예들에서, 어닐링 처리는 구역 용융 재결정화 처리(zone melt recrystalization process)를 포함할 수 있고, 이 처리에서, 초기 물질(117)의 영역들은 높은 온도들에 순차적으로 노출되어, 물질(117)을 통해 진행하는 재결정화 "선단부(front)"를 형성한다. 다른 어닐링 처리들이 다른 실시예들에서 이용되고, 이 실시예들 중의 임의의 실시예에서, 그 처리는 (111) 배향을 가지는 결정들의 개체수를 증가시킬 수 있고, 이에 따라, 장치-품질(device-quality)의 GaN 막들의 추후의 증가를 용이하게 한다. 결정화 처리는 아래에 더욱 설명되는 바와 같이, 결정성(crystalinity)을 더욱 증대시키기 위한 다른 기술들을 포함할 수 있다.
도 4b는 도 4a에 도시된 지지 부재(110)의 부분적으로 개략적인 단면 예시도이다. 도 4b에서, 결정 배향된 물질(118)은 본 발명의 실시예에 따라 선택 에칭 처리를 거쳤다. 선택 에칭 처리는 덜 바람직한 배향을 갖는 그레인들, 예를 들어, (111) 이외의 배향을 갖는 그레인들을 제거하기 위하여 이용될 수 있다. 예를 들어, Si (001)은 KOH 내의 Si (111)보다 더 신속하게 에칭된다. (111) 그레인들은 (111) 배향을 가지는 결정들의 더 큰 분율을 갖는 결정 배향된 물질(118)을 여전히 제공하면서, 완전히 사라지는 것이 아니라 수축될 수 있다. 이러한 선택 에칭 후에, 에칭 처리 동안에 노출될 수 있는 결정 배향된 물질(118) 및/또는 시드 물질(116)의 물리적 및 화학적 속성들을 수정하기 위하여 어닐링 및 화학적 반응 단계들의 조합이 수행될 수 있다. 선택 에칭은 선택적인 습식 에칭 처리들, 및/또는, 산화 처리들, 확산 처리들, 결정 배향에 대한 의존성을 갖거나 갖지 않는 다른 처리들과 같은 다른 처리들을 포함할 수 있다. 따라서, 전체적인 선택 에칭 처리는 (111) 이외의 결정 배향들을 가지는 그레인들을 선택적으로 제거하기 위하여 수행될 수 있지만, 그 처리는 결정 배향에 종속적이지 않은 단계들 또는 하위처리(subprocess)들을 포함할 수 있다.
도 4c는 본 발명의 실시예에 따라 결정 배향된 물질(118)이 재성장 처리를 거친 후 도 4b에 도시된 지지 부재(110)의 부분적으로 개략적인 단면도이다. 이 실시예의 특정한 측면에서, 결정 배향된 물질(118)은 희망하는 배향(예를 들어, (111) 배향)을 가지는 결정들의 크기를 증가시킬 수 있는 재성장 처리를 거치고, 이에 따라, 이러한 결정들의 표면적을 증가시킨다. 재성장 처리는 실리콘 에피택셜 반응기를 통해, 또는 실리콘 전구체들(예를 들어, 실란)을 처리하는 GaN 에피택셜 반응기를 통해 지지 부재(110)를 연속적으로 처리하는 것을 포함할 수 있다. 재성장 처리 후에, (111) 결정화의 레벨을 증가시키기 위하여 결정 배향된 물질(118)이 더욱 어닐링될 수 있다. (111) 결정 배향의 레벨을 증가시키기 위하여, 상기 어닐링, 제거 및 성장 동작들은 반복적으로 수행될 수 있고, 이에 따라, 장치-품질의 GaN 막들의 추후의 성장을 용이하게 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라, 그 위에 형성된 질화 갈륨 물질(120)(예를 들어, GaN 층)을 갖는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 지지 부재(110)의 부분적인 개략 단면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, GaN 물질(120)의 형성을 증대시키기 위하여, 선택적인 버퍼 물질(122)이 결정 배향된 물질(118) 위에 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼 물질(122)은 알루미늄 질화 갈륨(AlxGa1 -xN(0<x≤1), 또는 AlGaN)를 포함할 수 있고, 결정 배향된 물질(118)은 AlGaN이 에피택셜 방식으로 그 위에서 성장되는 적절한 베이스 표면(base surface)으로서 작용한다. 얇은 질화 규소 층이 버퍼 물질(122) 위에 배치되거나 그 내부에 포함될 수 있다. GaN 물질(120)은 적당한 결정 성장 처리, 예를 들어, MOCVD 또는 HVPE를 통해 배치될 수 있다. 특정한 처리는 희망하는 최종 결과들에 기초하여 선택될 수 있다. 예를 들어, HVPE 처리들은 일반적으로 MOCVD 처리들보다 신속하고, 이에 따라, 예를 들어, 약 10㎛로부터 약 300㎛까지 그리고 대표적인 실시예에서는, 약 50㎛ 또는 그보다 큰 두께의 비교적 두꺼운 GaN 층들을 성장시키기 위하여 이용될 수 있다. 이러한 두꺼운 층들은 전위 밀도(dislocation density)들을 감소시키기 위해 큰 웨이퍼들(예를 들어, 적어도 6인치의 직경을 가지는 웨이퍼들)에 특히 적당할 수 있다. 이러한 지지 부재, 예를 들어, (초기에는 발광 물질을 가지지 않는) GaN의 두꺼운 층과, GaN CTE와 일치하거나 근사되도록 선택된 CTE를 갖는 지지 기판(112)을 가지는 지지 부재(110)는 이에 따라, 전형적인 LED 형성 처리 동안에 기존의 기판들 및 지지 부재들보다 더욱 양호하게 수행할 것으로 예상된다. 지지 부재(110)의 나머지 부분들이 제거될 경우, 어떤 사례에서는 훨씬 더 큰(예를 들어, 300㎛ 두께보다 더 큰) 막 두께들은 단독형(stand-alone) GaN 기판을 제조하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 6인치 지지 부재 웨이퍼 위의 500㎛의 두꺼운 층(또는 더 두꺼운 층)이 자립적일 수 있고, GaN 층이 형성된 후에 지지 부재의 나머지가 제거되는 것을 허용할 것으로 예상된다. 층의 두께는 더 큰(예를 들어, 6인치보다 큰) 직경들을 가지는 웨이퍼들에 대해 500㎛ 또는 그보다 클(예를 들어, 1000㎛에 이르거나 그보다 큼) 수 있다. 일반적으로, 더 두꺼운 층들은 더 낮은 변위 밀도들로 귀착되는 것으로 예상된다.
결정 배향된 물질(118)은 충분히 얇을 수 있어서, 전체 구조의 열 팽창 특성들은 지지 부재(110)의 기저 부분(underlying portion)에 의해(예를 들어, 지지 기판(112)에 의해) 지배된다. 특정한 실시예들에서, GaN 물질(120) 및/또는 버퍼 물질(122)은 성장의 시작 시에 미세구조 결함들 및/또는 공극(void)들의 비교적 높은 농도들을 가질 수 있다. 몇몇 마이크론(micron)의 성장 후에, GaN 막이 완전히 합쳐져서, LED들과 같은 SSL 장치들을 위해 적당한 GaN을 제조하기에 충분히 낮은 결합 밀도를 야기할 것으로 예상된다. 상기한 실시예들 중의 임의의 실시예에서, (111) 결정화의 정도 및 미세구조는 버퍼 물질(122)을 갖거나 갖지 않는 GaN 물질(120)의 형성(예를 들어, 결정 배향)을 적어도 부분적으로 제어하는 것으로 예상된다. 예를 들어, 결정 배향된 물질(118)에서의 (111) 결정성의 증가된 레벨은 그 위에 놓이는 GaN 물질(120)에서 쓰레딩 전위(threading dislocation)들의 밀도를 감소시킬 것으로 예상된다. 특정한 실시예들에서, 결과적인 GaN 물질(120)은 예를 들어, GaN의 발광 영역에서, 1010/cm2 또는 그보다 작은, 그리고 더욱 구체적으로, 109/cm2 또는 그보다 작은 전위 밀도를 가질 수 있다.
본 명세서에서 설명된 실시예들의 어떤 측면들은 희망하는 GaN 피처(feature)들을 제조하기 위하여 수정 또는 조합될 수 있다. 예를 들어, 위에서 설명된 구조들을 형성하기 위하여 이용되는 다양한 원소들 및/또는 처리 파라미터들은 지지 기판(112)의 시작 특성들 또는 지지 기판(112) 위에 배치된 연속 물질들의 특성들에 기초하여 선택될 수 있다. 결과적인 구조의 특성들은 GaN 물질로 구성될 수 있는 최종 SSL 장치 또는 다른 장치의 요건들에 기초하여 선택될 수도 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라, 지지 부재(110)를 형성하기 위하여 기판(112) 위에 질화 갈륨(120)을 성장시키기 위한 방법을 도시하는 순서도(600)이다. 순서도의 임의의 처리 설명들 또는 블럭들은 처리에 있어서의 특정한 논리적 기능들을 구현하기 위한 하나 이상의 명령들(예를 들어, 컴퓨터-판독가능 매체 상에서 인코딩된 명령들)을 포함하는 모듈들, 세그먼트(segment)들, 코드의 부분들, 또는 단계들을 나타낼 수 있다는 것에 유의해야 한다. 다른 실시예들에서는, 당업자들에 의해 이해되는 바와 같이, 포함되는 기능성에 따라 실질적으로 동시에 또는 반대 방향을 포함하는, 이하에서 도시 및 설명되는 것과는 상이한 순서로 어떤 기능들이 실행될 수 있다.
블럭(602)은 지지 기판, 예를 들어, 위에서 설명된 지지 기판들 중의 임의의 지지 기판을 제공하는 것을 포함한다. 블럭(604)은 지지 기판 위에 중간 구조체를 형성하는 것을 포함하고, 블럭(606)은 중간 구조체 위에 시드 물질을 배치하는 것을 포함한다. 위에서 논의된 바와 같이, 중간 구조체 및 시드 물질은 (0001) 또는 다른 선택된 결정 배향을 갖는 GaN 구조를 성장시키는 것을 용이하게 하도록 선택 및 배치될 수 있다. 또한, 위에서 논의된 바와 같이, 적어도 일부의 실시예들에서, 중간 구조체 및/또는 시드 물질의 기능들은 다른 구조들에 의해 조합되거나 수행될 수 있다. 블럭(608)은 예를 들어, PECVD 또는 다른 적당한 처리에 의해, (또는 지지 기판에 의해 수용되는 또 다른 방식으로) 시드 물질 위에 초기 물질을 형성하는 것을 포함한다. 블럭(610)에서는, 선택된 배향, 예를 들어, 실리콘을 위한 (111) 배향을 가지는 결정들의 증가된 수, 개체수, 및/또는 규모(extent)를 갖는 결정 배향된 물질을 형성하기 위하여 초기 물질이 어닐링되고 및/또는 이와 다르게 처리된다. 질화 갈륨 물질을 지지하기 위하여 결정 배향된 물질 상부에 선택적인 버퍼 층이 형성될 수 있고, 그 다음으로, 질화 갈륨 물질은 결정 배향된 물질 위에, 상부, 또는 이와 다르게 결정 배향된 물질에 의해 수용되도록 형성된다(예를 들어, 에피택셜 방식으로 성장된다)(블럭 612).
상기한 처리의 하나의 특징은 미리 형성된 구조들을 하나의 유닛(unit)으로서 지지 기판에 접합하지 않고 그 처리가 완료될 수 있다는 것이다. 예를 들어, 상기한 처리는 실리콘 또는 질화 갈륨 층을 수용하는 별개의 기판(예를 들어, 웨이퍼)이, 하나의 유닛으로서 (예를 들어, 반 데르 발스의 힘(Van der Waal' forces)을 통해), 질화 알루미늄 또는 다른 층을 수용하는 대응하는 열적으로 일치된 또는 이와 다르게 설계된 기판에 접합될 것을 요구하지 않는다. 대신에, 본 발명의 측면들은 전형적으로 크기가 마이크론(micron)인 훨씬 더 작은 원소들로부터 적당한 구조를 만들기 위하여 증착 및/또는 성장 처리를 이용하는 것에 관한 것이다. 특히, 위에서 설명된 처리들은 미리 결정된 방향(예를 들어, 실리콘의 경우에 (111))에서 지배적인 결정 구조를 가지는 결정 배향된 물질을 형성할 수 있고, 미리 결정된 방향은 순차적으로 형성된 GaN 물질의 조성(composition)을 촉진, 증대 및/또는 개선시키도록 선택된다. 그 다음으로, GaN 물질은 바람직한 또는 선택된 방향(예를 들어, (0001))에서 지배적으로 배향된 결정들 또한 가지도록 형성된다.
본 배열의 장점은 기존의 웨이퍼 접합 처리들이 전형적으로 서로에 대해 접합되는 구조들(웨이퍼들) 사이에서 많은 힘을 필요로 한다는 것이다. 이러한 접합 처리들을 수행하기 위해 이용되는 대부분의 기존의 제조 도구들은 최대힘(peak forces)으로 제한된다. 이러한 구조들을 지지하는 웨이퍼들 또는 다른 기판들은 크기에 있어서 예를 들어, 4인치 내지 6인치, 8인치, 10인치, 그 다음으로 12인치 또는 그보다 큰 직경 또는 다른 폭 치수로부터 증가되므로, 고정된 힘의 도구들에 의해 제공되는 압력은 접합된 장치들의 증가하는 면적의 함수로서 선형적으로 감소하고, 이것은 접합 처리의 효율을 감소시킬 수 있다. 따라서, 도 2 내지 도 6을 참조하여 위에서 설명된 기술들은 접합기(bonder)가 웨이퍼들이 만들어지는 힘들을 초과하는 힘들에서 동작하도록 요구하지 않으면서, 큰 직경의 웨이퍼들 위에 적당한 질화 갈륨 물질들을 형성하는 것을 용이하게 할 수 있다. 결국, 이것은 제조자가 기존의 장비를 이용하여 다량의 LED들 또는 다른 SSL 장치들을 제조하는 것을 가능케 할 수 있다.
상기한 실시예들 중의 적어도 일부의 또 다른 특징은, 추후의 고온 처리에서 (열적으로 설계된 또는 일치된 기판에 접합한 후) 기판 층을 분리시키는 것을 용이하게 하기 위하여 기판에서 원소들(예를 들어, 수소)을 주입하기 위한 필요성을 제거하는 것이다. 이 처리를 제거하는 것은 전체적인 제조 처리의 스루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다.
위에서 설명된 GaN 물질(120)은 대응하는 다양한 구조적 배열들을 가지는 다양한 LED들 또는 다른 SSL 장치들을 형성하기 위하여 이용될 수 있다. 특히, 이러한 장치들은 수직형 배열 또는 측방향 배열을 이용하여 형성될 수 있다. 수직형 배열에서, 지지 기판(112)은 습식 에칭 처리(wet etch process)를 통해 제거되고, 중간 구조체(114)는 습식 에칭 정지(wet etch stop)의 추가적인 기능을 제공할 수 있고, 이에 따라, 지지 기판(112), 및/또는 지지 기판(112)과 중간 구조체(114) 사이의 다른 물질을 효율적으로 제거하는 것을 용이하게 할 수 있다. 습식 화학적 에칭, 반응성 이온 에칭(RIE : reactive ion etch) 또는 당업자들에게 알려진 다른 기술은 수직형 배열에 대해 전형적인 바와 같이, 중간 구조체(114) 및/또는 금속 층(예를 들어, 시드 물질(116))을 제거하기 위하여 이용될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따라 수직형 LED 구조체(150a)를 구성하기 위해 이용되는 바와 같은 도 5의 지지 부재(110)의 부분적으로 개략적인 단면 예시도들이다. 도 7a와 함께 시작하면, 에피택셜 방식으로 성장된 다중 양자 우물(MQW : multiple quantum well)들은 당업자들에게 알려져 있는 방식으로 "우물(well)" 물질 층들을 "장벽(barrier)" 물질 층들과 교대시킴으로써 GaN 물질(120) 위에 형성되어, 활성 발광 영역(132)을 야기한다. P형 GaN(134)의 영역은 발광 영역 위에 추가적으로 형성된다. P-컨택(contact)(130)은 P형 GaN 영역(134) 위에 형성되고, 접합 층(133)(예를 들어, 금-주석(gold-tin) 또는 니켈-주석(nickel-tin) 합금 또는 다른 적당한 접합 재료)은 P-컨택(130) 위에 형성된다. 접합 층(133)은 적당한 캐리어(135)(예를 들어, 실리콘 웨이퍼나 서브마운트(submount), 또는 CuW 캐리어)를 지지 부재(110)에 부착하기 위해 이용된다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 지지 기판(112) 및 결정 배향된 물질(118)은 그 다음으로 습식 화학, 플라즈마 에칭, 및/또는 분쇄(grinding)의 조합을 이용하여 에칭된다. GaN 물질(120)의 적어도 일부는 N형 GaN을 포함한다. 따라서, N-컨택(131)은 GaN 물질(120) 바로 위에 배치될 수 있고, 발광 영역(132)은 N-컨택(131) 및 P-컨택(130) 사이에 있다. 수직형 공동 표면 방출 레이저(VCSEL : vertical cavity surface-emitting laser)들은 일반적으로 유사한 처리를 통해 형성될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 측방향 LED 구조체(150b)를 형성하기 위해 이용되는 도 5에 도시된 지지 부재(110)의 부분적으로 개략적인 단면도이다. 장치 제조는 기존의 측방향 배열들에 대해 이용되는 것과 일반적으로 유사한 방식으로 수행된다. 도 8은 P-컨택(130)을 형성하는 P 영역의 적당한 부분 및 이하의 활성 영역(132)을 에칭한 후, 발광 영역(132)의 반대 측들 위의 GaN 물질(120)의 상방에서 대향하는 표면 위에 P-컨택(130) 및 N-컨택(131)을 모두 갖는 측방향 LED(150b)를 예시한다. 반도체 레이저들, 고-전자이동도 트랜지스터(HEMT : high-electron mobility transistor)들 및/또는 다른 다이오드들, 정류기(rectifier)들, 광검출기(photodetector)들, 및/또는 다른 적당한 반도체 장치들의 제조는 유사한 레이아웃(layout)을 따르는 것으로 예상된다. 도 8에 도시된 LED(150b)는 LED(150b)를 반전시키고 컨택들(130, 131)을 적당한 PCB 또는 다른 기판에 접속시킴으로써 "플립 칩(flip chip)" 배열에서 이용될 수 있다.
특정한 실시예에서, GaN 물질(120) 아래의 지지 부재(110)의 부분(예를 들어, 결정 배향된 물질(118), 시드 물질(116), 중간 구조체(114) 및 지지 기판(112))은 LED(150b)로부터 분리될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 지지 부재(110)의 상기한 부분은 (위에서 설명된 수직형 LED(150a)와 달리) N-컨택(131)을 형성하기 위하여 이 물질을 제거하는 것이 필요하지 않으므로, 제 위치에 남겨져 있을 수 있다. 따라서, 이 배열은 LED의 체적(volume)이 덜 중요한 설계 제약일 경우, 및/또는 LED의 비용이 더 중요한 설계 제약일 경우에 이용될 수 있다.
상기한 점으로부터, 기술의 특정 실시예들은 예시의 목적을 위해 본 명세서에서 설명되었지만, 개시된 기술로부터 이탈하지 않으면서 다양한 변형들이 행해질 수 있다는 것을 인식할 것이다. 예를 들어, 지지 기판 위에 배치된 물질들은 위에서 명확히 설명된 것들과는 상이한 처리들 및/또는 처리 파라미터들에 따라 배치될 수 있다. 특정한 일 실시예에서, 시드 물질(116) 및 결정 배향된 물질(118)(또는 그 전구체, 초기 물질(117))이 형성되는 순서는 도 3 내지 도 4c에 도시된 배열에 반대될 수 있다. 즉, 그 반대 대신에, 시드 물질(116)은 결정 배향된 물질(118) 위에 배치될 수 있다. 특정한 실시예에서, 시드 물질(116)은 니켈을 포함할 수 있고, 다른 실시예들에서, 다른 원소들 또는 화합물들을 포함할 수 있다. 이 실시예들 중의 임의의 실시예에서, 시드 물질(116)은 결정 배향된 물질(118) 이전 또는 이후에 배치되든지 간에 동일한 기능(예를 들어, 결정 배향된 물질(118)의 (111) 결정 배향을 용이하게 하는 것)을 수행할 수 있다. 시드 물질이 결정 배향된 물질(118) 이후에 배치될 때, 시드 물질(116), 결정 배향된 물질(118), 및 에칭제(etchant)의 조성에 따라, 시드 물질은 결정 배향된 물질(118)을 제거하기 위해 이용되는 것과는 상이한 에칭제에 의해, 또는 동일한 에칭제에 의해 제거될 수 있다. 이 실시예들 중의 임의의 실시예에서, 결정 배향 물질(118) 이후에 시드 물질(116)을 배치하는 것의 장점은, 그것이 에칭 처리의 일부로서 제거될 것이므로, 다른 구조들에 영향을 줄(예를 들어, 확산함) 가능성이 적을 것이라는 점이다. 반대로, 적어도 일부의 실시예들에서, 결정 배향된 물질(118) 이전에 시드 물질(116)을 배치하는 것은 결정 배향된 물질(118)에 대해 더욱 큰 결정 배향 영향을 제공할 수 있다.
특정한 실시예들과 관련하여 설명된 기술의 어떤 측면들은 다른 실시예들에서 조합되거나 제거될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 상기 기재된 시드 물질은 중간 구조체와 조합될 수 있다. 다른 실시예들에서, 시드 물질은 중간 구조체에 대한 필요성 없이 지지 기판 바로 위에 형성될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 시드 물질 및 중간 구조체 모두는 제거될 수 있고, 이 물질들/구조체들에 의해 제공되는 대응하는 기능들은 지지 기판 바로 위에 또는 지지 기판에 의해 수용되는 봉지재(encapsulant) 위에 형성되는 이산화 규소(silicon dioxide) 층에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서는, 어떤 처리 단계들이 제거될 수 있다. 예를 들어, 결정 배향된 층(118)을 처리하는 것은 에칭 또는 어닐링을 포함할 수 있지만, 적어도 일부의 실시예들에서는 둘 모두를 포함할 수는 없다. 또한, 어떤 실시예들과 관련된 장점들은 그 실시예들과 관련하여 설명되었지만, 다른 실시예들 또한 이러한 장점들을 나타낼 수 있고, 모든 실시예들이 반드시 본 기술의 권리 범위 내에 속하도록 하기 위하여 이러한 장점들을 나타내어야 할 필요가 있는 것은 아니다. 따라서, 본 발명 및 관련된 기술은 본 명세서에서 분명히 도시되거나 설명되지 않은 다른 실시예들을 포괄할 수 있다.

Claims (37)

  1. SSL 장치 기판을 제조하는 방법으로서,
    지지 기판 위에 중간 구조체를 성장시키는 단계;
    상기 중간 구조체 위에 시드 물질을 배치하는 단계;
    (111) 배향을 갖는 결정들의 개체수를 가지는 실리콘의 영역을 상기 시드 물질 위에 형성하는 단계;
    상기 (111) 배향을 가지는 결정들의 상기 개체수를 증가시키기 위하여 상기 실리콘의 영역을 어닐링하는 단계;
    (111) 이외의 배향을 가지는 결정들을 제거하기 위하여 상기 실리콘 영역을 에칭하는 단계;
    상기 (111) 배향을 가지는 결정들을 성장시키는 단계; 및
    상기 (111) 배향을 가지는 상기 결정들 상부에 질화 갈륨(gallium nitride)을 배치하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 어닐링하는 단계는 구역 용융된 재결정화 처리(zone melt recarystalization process)를 통해 어닐링하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 중간 구조체를 성장시키는 단계는 이산화 규소, 탄화 규소, 및 질화 규소 중의 적어도 하나를 가지는 층을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 시드 물질을 배치하는 단계는 질화 알루미늄를 포함하는 시드 물질을 배치하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 시드 물질을 배치하는 단계는 티타늄 및 니켈을 포함하는 시드 물질을 배치하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 질화 갈륨으로부터 상기 실리콘 결정들을 제거하는 단계; 및
    상기 질화 갈륨으로부터 SSL 장치를 형성하는 단계를 더 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 실리콘의 영역은 상기 시드 물질 및 상기 질화 갈륨 사이에 위치되고, 상기 영역은 실리콘만을 가지는 층을 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 (111) 배향을 가지는 상기 결정들 위에 버퍼 물질을 배치하는 단계를 더 포함하고, 상기 질화 갈륨을 배치하는 단계는 상기 버퍼 물질 위에 상기 질화 갈륨을 배치하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 버퍼 물질을 배치하는 단계는 알루미늄 질화 갈륨을 배치하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 질화 갈륨은 MOCVD 처리를 이용하여 배치되는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. SSL 장치 기판을 제조하는 방법으로서,
    (111) 배향을 갖는 결정과 상기 (111) 배향이 아닌 배향을 갖는 결정을 포함하는 소정 체적의 실리콘을 형성하는 단계;
    상기 (111) 배향을 갖는 결정으로부터의 물질의 제거에 비해 상기 (111) 배향이 아닌 배향을 갖는 결정으로부터의 물질을 선택적으로 제거하기 위하여 상기 소정 체적의 실리콘을 에칭하는 단계;
    상기 소정 체적의 실리콘을 에칭하는 단계 후에 상기 (111) 배향을 갖는 결정을 성장시키는 단계;
    상기 (111) 배향을 갖는 결정을 성장시키는 단계 후에 상기 소정 체적의 실리콘 위에 원위치에서(in situ) 소정 체적의 질화 갈륨을 형성하는 단계; 및
    상기 소정 체적의 질화 갈륨으로부터 상기 소정 체적의 실리콘을 제거하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 청구항 15에 있어서,
    지지 부재 위에 중간 구조체를 형성하는 단계; 및
    상기 중간 구조체 위에 시드 물질을 배치하는 단계를 더 포함하고, 상기 소정 체적의 실리콘을 형성하는 단계는 상기 시드 물질 위에 상기 소정 체적의 실리콘을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  19. 청구항 15에 있어서,
    상기 소정 체적의 실리콘 위에 버퍼 물질을 배치하는 단계를 더 포함하고,
    상기 소정 체적의 질화 갈륨을 형성하는 단계는 상기 버퍼 물질 위에 상기 소정 체적의 질화 갈륨을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 소정 체적의 질화 갈륨을 형성하는 단계는 109/cm2 또는 그보다 작은 전위 밀도(dislocation density)를 갖는 상기 소정 체적의 질화 갈륨을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  21. SSL 장치 기판을 제조하는 방법으로서,
    지지 부재 위에 다결정질 물질을 형성하는 단계로서, 상기 다결정질 물질은 특정한 배향을 가지는 결정과 상기 특정한 배향을 가지지 않는 결정을 포함하는, 상기 다결정질 물질을 형성하는 단계;
    상기 특정한 배향을 가지는 결정에 비해 상기 특정한 배향을 가지지 않는 결정을 선택적으로 제거하기 위해 상기 다결정질 물질을 에칭하는 단계;
    상기 다결정질 물질을 에칭하는 단계 후에 상기 특정한 배향을 가지는 결정을 성장시키는 단계; 및
    상기 특정한 배향을 가지는 결정을 성장시키는 단계 후에 상기 다결정질 물질 위에 원위치에서(in situ) 질화 갈륨을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 다결정질 물질을 형성하는 단계는 실리콘 다결정질 물질을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 특정한 배향은 (111) 배향이고,
    상기 질화 갈륨을 형성하는 단계는 (0001) 배향을 가지도록 상기 질화 갈륨을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 다결정질 물질을 에칭하는 단계 전에 상기 특정한 배향을 갖는 상기 다결정질 물질의 분율을 증가시키도록 상기 다결정질 물질을 어닐링하는 단계를 더 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  24. 청구항 21에 있어서,
    상기 질화 갈륨으로부터 상기 다결정질 물질을 제거하는 단계; 및
    상기 질화 갈륨으로부터 상기 다결정질 물질을 제거하는 단계 후에 상기 질화 갈륨으로부터 SSL 장치를 형성하는 단계를 더 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  25. 청구항 21에 있어서,
    상기 다결정질 물질 위에 버퍼 물질을 배치하는 단계를 더 포함하고, 상기 질화 갈륨을 형성하는 단계는 상기 버퍼 물질 위에 상기 질화 갈륨을 형성하는 단계를 포함하는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 청구항 1에 있어서,
    상기 (111) 배향을 가지는 결정들의 상기 개체수를 증가시키는 것은 상기 (111) 배향을 가지는 결정들을 성장시키는 것에 의하여 일어나는, SSL 장치 기판을 제조하는 방법.
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