JP2002222769A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体素子およびその製造方法Info
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- JP2002222769A JP2002222769A JP2001019548A JP2001019548A JP2002222769A JP 2002222769 A JP2002222769 A JP 2002222769A JP 2001019548 A JP2001019548 A JP 2001019548A JP 2001019548 A JP2001019548 A JP 2001019548A JP 2002222769 A JP2002222769 A JP 2002222769A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ等における光共振器面を容易に
形成することができる半導体素子およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 Ｃ面を主面とする厚さ３００μｍのサフ
ァイア基板１１上に，厚さ０．１μｍのＳｉ膜１２を形
成し，Ｓｉ膜１２の上に窒化物系化合物半導体を半導体
レーザの構造に積層する。サファイア基板１１を研磨
後，サファイア基板１１に垂直な面方位で割ることによ
り半導体レーザの光共振面を作製する。
形成することができる半導体素子およびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 Ｃ面を主面とする厚さ３００μｍのサフ
ァイア基板１１上に，厚さ０．１μｍのＳｉ膜１２を形
成し，Ｓｉ膜１２の上に窒化物系化合物半導体を半導体
レーザの構造に積層する。サファイア基板１１を研磨
後，サファイア基板１１に垂直な面方位で割ることによ
り半導体レーザの光共振面を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，可視発光ダイオー
ド装置や青紫色レーザ装置等の窒化物よりなる半導体素
子およびその製造方法に関する。
ド装置や青紫色レーザ装置等の窒化物よりなる半導体素
子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮに代表される窒
化物系化合物半導体は，そのバンドギャップが１．９〜
６．２ｅＶと広範囲にわたっており，赤色から紫外まで
の波長をカバーできる材料として好適であり，フルカラ
ーディスプレイ，白色光源，光ディスク用短波長レーザ
などの各種光源としての利用が期待されている。
化物系化合物半導体は，そのバンドギャップが１．９〜
６．２ｅＶと広範囲にわたっており，赤色から紫外まで
の波長をカバーできる材料として好適であり，フルカラ
ーディスプレイ，白色光源，光ディスク用短波長レーザ
などの各種光源としての利用が期待されている。
【０００３】窒化物系化合物半導体は六方晶系の結晶構
造を有しているため，窒化物系化合物半導体からなる発
光素子の作製には，高品質な結晶が作製可能な六方晶系
のサファイア基板が使用されている。
造を有しているため，窒化物系化合物半導体からなる発
光素子の作製には，高品質な結晶が作製可能な六方晶系
のサファイア基板が使用されている。
【０００４】しかし，Ｃ面を主面とするサファイア基板
上に窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させた
場合，窒化物系化合物半導体の｛１−１００｝面とサフ
ァイア基板の｛１１−２０｝面とが平行になるように成
長する。すなわち，窒化物系化合物半導体の｛１−１０
０｝面とサファイア基板の｛１−１００｝面が３０°ず
れて成長することになり，サファイア基板を劈開して
も，窒化物系化合物半導体にきれいな劈開面を形成する
ことができない。
上に窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させた
場合，窒化物系化合物半導体の｛１−１００｝面とサフ
ァイア基板の｛１１−２０｝面とが平行になるように成
長する。すなわち，窒化物系化合物半導体の｛１−１０
０｝面とサファイア基板の｛１−１００｝面が３０°ず
れて成長することになり，サファイア基板を劈開して
も，窒化物系化合物半導体にきれいな劈開面を形成する
ことができない。
【０００５】なお，本明細書においては特定の面を表す
場合には（１−１００）面のように（ ）で記し，（１
−１００）面，（１０−１０）面，（０１−１０）面，
（−１１００）面，（−１０１０）面，（０−１１０）
面あるいはそれら指数の整数倍である面のいずれかを表
す場合には｛１−１００｝面のように｛ ｝で記す。同
様に特定の方向を示すには［１−１００］のように［
］と記し，［１−１００］，［１０−１０］，［０１
−１０］，［−１１００］，［−１０１０］，［０−１
１０］あるいはそれら指数の整数倍である方向のいずれ
かを表す場合には＜１−１００＞方向のように＜ ＞で
記す。
場合には（１−１００）面のように（ ）で記し，（１
−１００）面，（１０−１０）面，（０１−１０）面，
（−１１００）面，（−１０１０）面，（０−１１０）
面あるいはそれら指数の整数倍である面のいずれかを表
す場合には｛１−１００｝面のように｛ ｝で記す。同
様に特定の方向を示すには［１−１００］のように［
］と記し，［１−１００］，［１０−１０］，［０１
−１０］，［−１１００］，［−１０１０］，［０−１
１０］あるいはそれら指数の整数倍である方向のいずれ
かを表す場合には＜１−１００＞方向のように＜ ＞で
記す。
【０００６】この問題は半導体レーザの共振器面を作製
する際に特に重要となってくる。すなわち，劈開によっ
て良好な共振器面を作製できないため，エッチングなど
により形成せざるを得ない。エッチングにより作製され
た共振器面は平坦性，平行性に優れた端面が得られない
ため，光の損失が大きく，閾値電流密度が大きくなると
いう問題が生じる。また，共振器面を必要としない発光
ダイオードのような素子においても，劈開が困難である
ため，素子の欠けや形状のばらつきにより，歩留まりの
低下を招く。
する際に特に重要となってくる。すなわち，劈開によっ
て良好な共振器面を作製できないため，エッチングなど
により形成せざるを得ない。エッチングにより作製され
た共振器面は平坦性，平行性に優れた端面が得られない
ため，光の損失が大きく，閾値電流密度が大きくなると
いう問題が生じる。また，共振器面を必要としない発光
ダイオードのような素子においても，劈開が困難である
ため，素子の欠けや形状のばらつきにより，歩留まりの
低下を招く。
【０００７】この課題を解決するため，窒化物系化合物
半導体とサファイア基板の容易劈開面を一致させ，劈開
を行なうという方法が考案されている。例えば，サファ
イア基板上にスピネル構造を有する中間層を成長させ，
次いでＧａＮを成長させることにより，サファイアとＧ
ａＮの容易劈開方向を一致させる方法（特開平１０−３
２３６７号公報），素子部に立方晶層構造を有する部位
を設け，その立方晶層の劈開性を利用する方法（特開平
９−１２９９８４号公報）である。
半導体とサファイア基板の容易劈開面を一致させ，劈開
を行なうという方法が考案されている。例えば，サファ
イア基板上にスピネル構造を有する中間層を成長させ，
次いでＧａＮを成長させることにより，サファイアとＧ
ａＮの容易劈開方向を一致させる方法（特開平１０−３
２３６７号公報），素子部に立方晶層構造を有する部位
を設け，その立方晶層の劈開性を利用する方法（特開平
９−１２９９８４号公報）である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし，スピネル中間
層を用いる方法では，スピネル構造の表面再配列を熱処
理により行なう必要があり，確実性に欠ける。また，立
方晶層の劈開性を利用する方法では，立方晶基板の接着
時に立方晶基板と六方晶層の方位を厳密にあわせること
は困難であり，劈開時に方位のずれによる素子の欠けが
発生するおそれがある。また，立方晶層を成長により作
製しようとしても，劈開性を有する厚さまで成長するの
は難しい。
層を用いる方法では，スピネル構造の表面再配列を熱処
理により行なう必要があり，確実性に欠ける。また，立
方晶層の劈開性を利用する方法では，立方晶基板の接着
時に立方晶基板と六方晶層の方位を厳密にあわせること
は困難であり，劈開時に方位のずれによる素子の欠けが
発生するおそれがある。また，立方晶層を成長により作
製しようとしても，劈開性を有する厚さまで成長するの
は難しい。
【０００９】上記課題に鑑み，本発明は六方晶系半導体
の共振器面を容易に得ることができ，かつ欠けのない半
導体素子およびその製造方法を提供するものである。
の共振器面を容易に得ることができ，かつ欠けのない半
導体素子およびその製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体素子は，Ｃ面を主面とする六方晶系基
板上に，立方晶系半導体を介して設けられた六方晶系半
導体からなる素子部を有しており，前記六方晶系基板の
＜１１−２０＞方位と前記素子部を構成する六方晶系半
導体の＜１１−２０＞方位が一致するものである。
に本発明の半導体素子は，Ｃ面を主面とする六方晶系基
板上に，立方晶系半導体を介して設けられた六方晶系半
導体からなる素子部を有しており，前記六方晶系基板の
＜１１−２０＞方位と前記素子部を構成する六方晶系半
導体の＜１１−２０＞方位が一致するものである。
【００１１】この構成により，六方晶系基板と六方晶系
半導体との面方位を平行にすることができるので，両者
の容易劈開の方向が一致し，平坦性に優れた劈開面を容
易に，しかも確実に作製することができる。
半導体との面方位を平行にすることができるので，両者
の容易劈開の方向が一致し，平坦性に優れた劈開面を容
易に，しかも確実に作製することができる。
【００１２】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記立方晶系半導体の＜１−１０＞方位と前記六方
晶系基板の＜１１−２０＞方位および前記素子部を構成
する六方晶系半導体の＜１１−２０＞が一致するもので
ある。
き，前記立方晶系半導体の＜１−１０＞方位と前記六方
晶系基板の＜１１−２０＞方位および前記素子部を構成
する六方晶系半導体の＜１１−２０＞が一致するもので
ある。
【００１３】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記六方晶系基板の格子定数ａsと前記立方晶系半
導体の格子定数ａcが，
き，前記六方晶系基板の格子定数ａsと前記立方晶系半
導体の格子定数ａcが，
【００１４】
【数２】
【００１５】の関係を満たすことを特徴とする。六方晶
系基板上に立方晶系半導体が回転しないで成長した場合
の基板に平行な面内の格子不整合
系基板上に立方晶系半導体が回転しないで成長した場合
の基板に平行な面内の格子不整合
【００１６】
【数３】
【００１７】と，六方晶系基板上に立方晶系半導体が３
０゜回転して成長した場合の基板に平行な面内の格子不
整合
０゜回転して成長した場合の基板に平行な面内の格子不
整合
【００１８】
【数４】
【００１９】との関係が，
【００２０】
【数５】
【００２１】のとき，すなわち，
【００２２】
【数６】
【００２３】のとき，六方晶系基板上に立方晶系半導体
が３０゜回転して成長したほうが安定な状態となり，六
方晶系基板の＜１１−２０＞と立方晶系半導体の＜１−
１０＞が平行になるように成長する傾向が強まる。立方
晶系半導体上に作製した前記六方晶系半導体は３０゜回
転して成長するため，六方晶系基板と六方晶系半導体は
６０°ずれることになる。六方晶構造はＣ軸を軸として
６０°回転すると元の状態と等価となるため，六方晶系
基板と六方晶系半導体の方位が一致することになる。こ
れにより，六方晶系基板と六方晶系半導体との方位を，
特別な処理を必要とせず，確実に平行にすることができ
るので，両者の容易劈開の方向が一致し，平坦性に優れ
た劈開面を容易に作製することができる。
が３０゜回転して成長したほうが安定な状態となり，六
方晶系基板の＜１１−２０＞と立方晶系半導体の＜１−
１０＞が平行になるように成長する傾向が強まる。立方
晶系半導体上に作製した前記六方晶系半導体は３０゜回
転して成長するため，六方晶系基板と六方晶系半導体は
６０°ずれることになる。六方晶構造はＣ軸を軸として
６０°回転すると元の状態と等価となるため，六方晶系
基板と六方晶系半導体の方位が一致することになる。こ
れにより，六方晶系基板と六方晶系半導体との方位を，
特別な処理を必要とせず，確実に平行にすることができ
るので，両者の容易劈開の方向が一致し，平坦性に優れ
た劈開面を容易に作製することができる。
【００２４】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記立方晶系半導体の（１１１）面が前記六方晶基
板の主面と平行であることにより，立方晶系半導体上
に，結晶性の良好な六方晶系半導体を作製することが可
能となる。
き，前記立方晶系半導体の（１１１）面が前記六方晶基
板の主面と平行であることにより，立方晶系半導体上
に，結晶性の良好な六方晶系半導体を作製することが可
能となる。
【００２５】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記立方晶系半導体の厚さが１μｍ以下であること
を特徴とする。立方晶系半導体を上記厚さ以下にする
と，六方晶系基板劈開時に立方晶系半導体がつられて劈
開されるので，立方晶系半導体での劈開のずれをなくす
ことができ，確実に六方晶系半導体に良好な劈開面を作
製することができる。
き，前記立方晶系半導体の厚さが１μｍ以下であること
を特徴とする。立方晶系半導体を上記厚さ以下にする
と，六方晶系基板劈開時に立方晶系半導体がつられて劈
開されるので，立方晶系半導体での劈開のずれをなくす
ことができ，確実に六方晶系半導体に良好な劈開面を作
製することができる。
【００２６】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記素子部の側面の少なくとも１つの面が劈開面で
あることにより，素子の欠けおよび光の散乱・吸収を低
減することができる。
き，前記素子部の側面の少なくとも１つの面が劈開面で
あることにより，素子の欠けおよび光の散乱・吸収を低
減することができる。
【００２７】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記素子部の側面のうち少なくとも１対の平行な側
面が劈開面であることにより，素子の欠けおよび光の散
乱・吸収を低減することができる。
き，前記素子部の側面のうち少なくとも１対の平行な側
面が劈開面であることにより，素子の欠けおよび光の散
乱・吸収を低減することができる。
【００２８】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記素子部が半導体発光素子であり，且つ前記半導
体発光素子中にストライプ上の窓を有し，前記ストライ
プ状の窓に沿う方向は，前記１対の平行な劈開面に垂直
であることにより，素子の欠けをなくすとともに，光の
損失を低減することができる。
き，前記素子部が半導体発光素子であり，且つ前記半導
体発光素子中にストライプ上の窓を有し，前記ストライ
プ状の窓に沿う方向は，前記１対の平行な劈開面に垂直
であることにより，素子の欠けをなくすとともに，光の
損失を低減することができる。
【００２９】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記劈開面が前記半導体発光素子の光共振面である
ことを特徴とする。
き，前記劈開面が前記半導体発光素子の光共振面である
ことを特徴とする。
【００３０】本発明の半導体素子は，かかる構成につ
き，前記劈開面が前記半導体素子を構成する六方晶系半
導体の｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面であ
ることにより，平坦性に優れた劈開面を容易に作製する
ことができる。
き，前記劈開面が前記半導体素子を構成する六方晶系半
導体の｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面であ
ることにより，平坦性に優れた劈開面を容易に作製する
ことができる。
【００３１】上記課題を解決するために本発明の半導体
素子の製造方法は，六方晶系基板上に立方晶系半導体を
形成する工程と，前記立方晶系半導体上に六方晶系半導
体からなる素子部を形成する工程と，前記六方晶系基板
の主面に垂直な面で劈開することにより，前記素子部に
劈開面を作製する工程とを有するものである。
素子の製造方法は，六方晶系基板上に立方晶系半導体を
形成する工程と，前記立方晶系半導体上に六方晶系半導
体からなる素子部を形成する工程と，前記六方晶系基板
の主面に垂直な面で劈開することにより，前記素子部に
劈開面を作製する工程とを有するものである。
【００３２】この構成により，六方晶系基板の劈開を利
用して，素子部の劈開を行なうため，平坦性に優れた劈
開面を容易に作製することができる。
用して，素子部の劈開を行なうため，平坦性に優れた劈
開面を容易に作製することができる。
【００３３】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記立方晶系半導体の（１１１）面が前記
六方晶系基板の主面と平行であることにより，立方晶系
半導体上に，結晶性の良好な六方晶系半導体を作製する
ことが可能となる。
構成につき，前記立方晶系半導体の（１１１）面が前記
六方晶系基板の主面と平行であることにより，立方晶系
半導体上に，結晶性の良好な六方晶系半導体を作製する
ことが可能となる。
【００３４】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記立方晶系半導体の厚さが１μｍ以下で
あることを特徴とする。立方晶系半導体を上記厚さ以下
にすると，六方晶系基板劈開時に立方晶系半導体がつら
れて劈開されるので，確実に六方晶系半導体に良好な劈
開面を作製することができる。
構成につき，前記立方晶系半導体の厚さが１μｍ以下で
あることを特徴とする。立方晶系半導体を上記厚さ以下
にすると，六方晶系基板劈開時に立方晶系半導体がつら
れて劈開されるので，確実に六方晶系半導体に良好な劈
開面を作製することができる。
【００３５】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記六方晶系基板の主面がＣ面であること
により，前記六方晶系基板および前記六方晶系半導体の
劈開面を基板に垂直にすることができ，容易に劈開する
ことが可能となる。
構成につき，前記六方晶系基板の主面がＣ面であること
により，前記六方晶系基板および前記六方晶系半導体の
劈開面を基板に垂直にすることができ，容易に劈開する
ことが可能となる。
【００３６】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記六方晶基板の劈開面が前記六方晶系基
板｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面であるこ
とにより，容易に劈開が可能となる。
構成につき，前記六方晶基板の劈開面が前記六方晶系基
板｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面であるこ
とにより，容易に劈開が可能となる。
【００３７】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記素子部を構成する六方晶系半導体の劈
開面が前記六方晶系半導体の｛１−１００｝面あるいは
｛１１−２０｝面であることにより容易に劈開が可能と
なる。
構成につき，前記素子部を構成する六方晶系半導体の劈
開面が前記六方晶系半導体の｛１−１００｝面あるいは
｛１１−２０｝面であることにより容易に劈開が可能と
なる。
【００３８】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記劈開を行なうのに，前記六方晶系基板
の厚さを５０〜２５０μｍにすることにより，六方晶系
基板の劈開を容易にすることができる。
構成につき，前記劈開を行なうのに，前記六方晶系基板
の厚さを５０〜２５０μｍにすることにより，六方晶系
基板の劈開を容易にすることができる。
【００３９】本発明の半導体素子の製造方法は，かかる
構成につき，前記劈開を行なうのに，前記六方晶系基板
に｛１−１００｝あるいは｛１１−２０｝方向に割溝を
形成し，前記割溝に沿って劈開することにより，確実に
六方晶系基板の劈開を行なうことができる。
構成につき，前記劈開を行なうのに，前記六方晶系基板
に｛１−１００｝あるいは｛１１−２０｝方向に割溝を
形成し，前記割溝に沿って劈開することにより，確実に
六方晶系基板の劈開を行なうことができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て，詳しく説明する。
て，詳しく説明する。
【００４１】（実施の形態１）本発明の実施の形態１に
おける半導体素子およびその製造方法について図１を参
照しながら説明する。図１は本発明の実施の形態１にお
ける半導体素子の概略構成を示す図である。図１におい
て，（ａ）は素子上面図であり，（ｂ）は（ａ）の一点
鎖線Ｘ−Ｘ'に沿った断面図である。
おける半導体素子およびその製造方法について図１を参
照しながら説明する。図１は本発明の実施の形態１にお
ける半導体素子の概略構成を示す図である。図１におい
て，（ａ）は素子上面図であり，（ｂ）は（ａ）の一点
鎖線Ｘ−Ｘ'に沿った断面図である。
【００４２】実施の形態１における半導体素子は，厚さ
３００μｍのサファイア基板１上に，厚さが０．１μｍ
のＳｉ膜２，厚さが５０ｎｍのＡｌＮ緩衝層３，厚さが
２μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層４，厚さが０．５μ
ｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮ層５が順次積層された構造
である。ｎ型ＧａＮ層４とｐ型ＧａＮ層５とのｐｎ接合
により発光部を形成している。
３００μｍのサファイア基板１上に，厚さが０．１μｍ
のＳｉ膜２，厚さが５０ｎｍのＡｌＮ緩衝層３，厚さが
２μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層４，厚さが０．５μ
ｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮ層５が順次積層された構造
である。ｎ型ＧａＮ層４とｐ型ＧａＮ層５とのｐｎ接合
により発光部を形成している。
【００４３】次いで，ｐ型ＧａＮ層５の上面に厚さが
０．１μｍのニッケルと金の多層構造からなる正電極６
が設けられており，ｎ型ＧａＮ層４上のｐ型ＧａＮ層５
が積層されていない上面にはチタンとアルミニウムの多
層構造からなる負電極７が設けられている。
０．１μｍのニッケルと金の多層構造からなる正電極６
が設けられており，ｎ型ＧａＮ層４上のｐ型ＧａＮ層５
が積層されていない上面にはチタンとアルミニウムの多
層構造からなる負電極７が設けられている。
【００４４】サファイア基板１の主面は（０００１）面
（Ｃ面）であり，Ｓｉ膜２の（１１１）面はサファイア
基板１の主面に平行である。Ｓｉ膜２が（１１１）面を
主面としているため，その上に形成した窒化物系半導体
層は六方晶構造をとる。
（Ｃ面）であり，Ｓｉ膜２の（１１１）面はサファイア
基板１の主面に平行である。Ｓｉ膜２が（１１１）面を
主面としているため，その上に形成した窒化物系半導体
層は六方晶構造をとる。
【００４５】また，この半導体素子の形状は１辺が５０
０μｍの菱形を底面としており，その側面は（１０−１
０）面と（０−１１０）面からなる。
０μｍの菱形を底面としており，その側面は（１０−１
０）面と（０−１１０）面からなる。
【００４６】この構成によれば，半導体素子の側面を
（１０−１０）面および（０−１１０）面としているの
で，基板から劈開を行なう際に，半導体素子の欠けをな
くすことができる。
（１０−１０）面および（０−１１０）面としているの
で，基板から劈開を行なう際に，半導体素子の欠けをな
くすことができる。
【００４７】以下，サファイア基板，Ｓｉ層，窒化物系
半導体層の結晶方位の関係を，図２を参照して説明す
る。（ａ）はサファイア基板のＯ原子面を，（ｂ）はＳ
ｉ原子面を，（ｃ）は窒化物半導体のＮ原子面を表すも
のである。
半導体層の結晶方位の関係を，図２を参照して説明す
る。（ａ）はサファイア基板のＯ原子面を，（ｂ）はＳ
ｉ原子面を，（ｃ）は窒化物半導体のＮ原子面を表すも
のである。
【００４８】サファイア基板上に成長したＳｉ層のＳｉ
原子９は，サファイアのＯ原子８の配列から３０°ずれ
た配列で成長したほうが，格子不整合が小さくなる。サ
ファイアのａ軸の格子定数ａs＝４．７５８Å，Ｓｉの
格子定数ａc＝５．４３Åであり，サファイアとＳｉ
（１１１）の格子不整合差は， （√２ａc−２ａs）/√２ａc＝−２３．９ である。このとき，サファイア基板１の＜１１−２０＞
とＳｉ膜２の＜１−１０＞が平行になる。
原子９は，サファイアのＯ原子８の配列から３０°ずれ
た配列で成長したほうが，格子不整合が小さくなる。サ
ファイアのａ軸の格子定数ａs＝４．７５８Å，Ｓｉの
格子定数ａc＝５．４３Åであり，サファイアとＳｉ
（１１１）の格子不整合差は， （√２ａc−２ａs）/√２ａc＝−２３．９ である。このとき，サファイア基板１の＜１１−２０＞
とＳｉ膜２の＜１−１０＞が平行になる。
【００４９】Ｓｉ（１１１）上に成長した窒化物系半導
体のＮ原子１０は，Ｓｉ原子９に対して，図（ｃ）のよ
うに成長するので，３０°ずれた配列，すなわち窒化物
系半導体の＜１１−２０＞とＳｉ膜２の＜１−１０＞が
平行になる。したがって，サファイア基板と窒化物系半
導体は６０°ずれることになり，サファイア基板１の＜
１１−２０＞方位と窒化物系半導体の＜１１−２０＞方
位が一致する。
体のＮ原子１０は，Ｓｉ原子９に対して，図（ｃ）のよ
うに成長するので，３０°ずれた配列，すなわち窒化物
系半導体の＜１１−２０＞とＳｉ膜２の＜１−１０＞が
平行になる。したがって，サファイア基板と窒化物系半
導体は６０°ずれることになり，サファイア基板１の＜
１１−２０＞方位と窒化物系半導体の＜１１−２０＞方
位が一致する。
【００５０】サファイア基板と窒化物系半導体層の劈開
を確実に行なうためには，両者の間に存在するＳｉ膜に
おいて劈開面がずれないように，Ｓｉ膜の厚さを１μｍ
以下とする必要があり，また，Ｓｉ膜を介在させる効果
を確実に発現させるためには，１００Å以上であること
が好ましい。
を確実に行なうためには，両者の間に存在するＳｉ膜に
おいて劈開面がずれないように，Ｓｉ膜の厚さを１μｍ
以下とする必要があり，また，Ｓｉ膜を介在させる効果
を確実に発現させるためには，１００Å以上であること
が好ましい。
【００５１】この半導体素子の製造方法を以下に説明す
る。Ｃ面を主面とする厚さ３００μｍのサファイア基板
１上に，モノシランやジクロルシランなどのケイ素を含
むガスを用いた気相エピタキシャル成長法により，厚さ
０．１μｍのＳｉ膜２を結晶成長している。Ｃ面を主面
とするサファイア基板１を用いることにより，成長面が
（１１１）面であるＳｉ膜２を形成することができる。
る。Ｃ面を主面とする厚さ３００μｍのサファイア基板
１上に，モノシランやジクロルシランなどのケイ素を含
むガスを用いた気相エピタキシャル成長法により，厚さ
０．１μｍのＳｉ膜２を結晶成長している。Ｃ面を主面
とするサファイア基板１を用いることにより，成長面が
（１１１）面であるＳｉ膜２を形成することができる。
【００５２】次に有機金属気相エピタキシャル成長（以
下，ＭＯＶＰＥという）法により，Ｓｉ膜２の上に厚さ
５０ｎｍのＡｌＮ緩衝層３，厚さ２μｍのｎ型ＧａＮ層
４，厚さが０．５ｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮ層５を順
次積層する。
下，ＭＯＶＰＥという）法により，Ｓｉ膜２の上に厚さ
５０ｎｍのＡｌＮ緩衝層３，厚さ２μｍのｎ型ＧａＮ層
４，厚さが０．５ｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮ層５を順
次積層する。
【００５３】次いで，ドライエッチングによりｎ型Ｇａ
Ｎ層４の一部が露出するまでエッチングして，その露出
部にチタンとアルミニウムの多層構造からなる負電極７
を設け，ｐ型ＧａＮ層５の上面に厚さが０．１μｍのニ
ッケルと金の多層構造からなる正電極６を設ける。
Ｎ層４の一部が露出するまでエッチングして，その露出
部にチタンとアルミニウムの多層構造からなる負電極７
を設け，ｐ型ＧａＮ層５の上面に厚さが０．１μｍのニ
ッケルと金の多層構造からなる正電極６を設ける。
【００５４】しかる後，サファイア基板１の厚さを研磨
により，１００μｍまで研磨する。スクライバーにより
劈開を行なう場合，スクライブラインより劈開を確実に
行なうためには，サファイア基板１の厚さを２５０μｍ
以下，好ましくは１５０μｍ以下にするのが望ましく，
ハンドリングを容易するには５０μｍ以上の厚さが望ま
しい。
により，１００μｍまで研磨する。スクライバーにより
劈開を行なう場合，スクライブラインより劈開を確実に
行なうためには，サファイア基板１の厚さを２５０μｍ
以下，好ましくは１５０μｍ以下にするのが望ましく，
ハンドリングを容易するには５０μｍ以上の厚さが望ま
しい。
【００５５】また，劈開を確実に行なうためには，サフ
ァイア基板１の研磨後に，サファイア基板１の裏面に幅
１０μｍ，深さ１０μｍの溝状のパターンをフォトリソ
グラフィの方法を用いて形成する。パターンの方向はサ
ファイア基板１の＜１１−２０＞方向である。そしてこ
のパターンに沿って半導体素子を１つずつ分離する。
ァイア基板１の研磨後に，サファイア基板１の裏面に幅
１０μｍ，深さ１０μｍの溝状のパターンをフォトリソ
グラフィの方法を用いて形成する。パターンの方向はサ
ファイア基板１の＜１１−２０＞方向である。そしてこ
のパターンに沿って半導体素子を１つずつ分離する。
【００５６】この製造方法によれば，溝状のパターンの
方向がサファイア基板１の＜１１−２０＞と，劈開面で
あるサファイア基板１の｛１０−１０｝面に含まれるの
で，欠けを生じさせることなく，結果として歩留まりよ
く半導体素子を分離することが可能となる。
方向がサファイア基板１の＜１１−２０＞と，劈開面で
あるサファイア基板１の｛１０−１０｝面に含まれるの
で，欠けを生じさせることなく，結果として歩留まりよ
く半導体素子を分離することが可能となる。
【００５７】なお，上記第１の実施の形態において以下
に示す書き換えを行なってもよい。溝状のパターンの方
向をサファイア基板１の＜１０−１０＞として，このパ
ターンに沿って劈開することにより，劈開面をサファイ
ア基板１の｛１１−２０｝面としてもよい。
に示す書き換えを行なってもよい。溝状のパターンの方
向をサファイア基板１の＜１０−１０＞として，このパ
ターンに沿って劈開することにより，劈開面をサファイ
ア基板１の｛１１−２０｝面としてもよい。
【００５８】素子形状は菱形としたが，特に限定するも
のではなく，正三角形，平行四辺形，正六角形でもよ
い。さらにその他の多角形でもよい。
のではなく，正三角形，平行四辺形，正六角形でもよ
い。さらにその他の多角形でもよい。
【００５９】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
おける半導体素子およびその製造方法について図３を参
照しながら説明する。図３は実施の形態２における半導
体素子の概略構成を示す図である。図３において，
（ａ）は素子上面図であり，（ｂ）は（ａ）の一点鎖線
Ｙ−Ｙ'に沿った断面図である。
おける半導体素子およびその製造方法について図３を参
照しながら説明する。図３は実施の形態２における半導
体素子の概略構成を示す図である。図３において，
（ａ）は素子上面図であり，（ｂ）は（ａ）の一点鎖線
Ｙ−Ｙ'に沿った断面図である。
【００６０】実施の形態２における半導体素子は，厚さ
３００μｍのＣ面を主面とするサファイア基板１１上
に，厚さが０．１μｍのＳｉ膜１２，厚さが５０ｎｍの
ＡｌＮ緩衝層１３，厚さが２μｍのＳｉドープのｎ型Ｇ
ａＮ層１４，厚さ１μｍのＳｉドープのｎ型Ａｌ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎよりなる第１クラッド層１５，厚さが０．３μ
ｍで，アンドープのＧａＮよりなる第１光ガイド層１
６，量子井戸活性層１７，厚さが０．１μｍで，アンド
ープのＧａＮよりなる第２光ガイド層１８，厚さ０．３
μｍのＭｇドープのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第２
クラッド層１９，厚さが０．５μｍの窓構造２０，厚さ
が０．３μｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮよりなるコンタ
クト層２１が順次積層された構造である。量子井戸構造
は，図示されていないが，厚さが３０ÅのＩｎ0.15Ｇａ
0.85Ｎ井戸層と厚さが７０ÅのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁
層とが交互に積層され，それが３回繰り返されたもので
ある。
３００μｍのＣ面を主面とするサファイア基板１１上
に，厚さが０．１μｍのＳｉ膜１２，厚さが５０ｎｍの
ＡｌＮ緩衝層１３，厚さが２μｍのＳｉドープのｎ型Ｇ
ａＮ層１４，厚さ１μｍのＳｉドープのｎ型Ａｌ0.1Ｇ
ａ0.9Ｎよりなる第１クラッド層１５，厚さが０．３μ
ｍで，アンドープのＧａＮよりなる第１光ガイド層１
６，量子井戸活性層１７，厚さが０．１μｍで，アンド
ープのＧａＮよりなる第２光ガイド層１８，厚さ０．３
μｍのＭｇドープのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第２
クラッド層１９，厚さが０．５μｍの窓構造２０，厚さ
が０．３μｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮよりなるコンタ
クト層２１が順次積層された構造である。量子井戸構造
は，図示されていないが，厚さが３０ÅのＩｎ0.15Ｇａ
0.85Ｎ井戸層と厚さが７０ÅのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ障壁
層とが交互に積層され，それが３回繰り返されたもので
ある。
【００６１】窓構造は，第２クラッド層１９の上にスト
ライプ幅１０μｍの窓が形成された，厚さが０．３μｍ
のＳｉドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流ブロ
ック層２２と，電流ブロック層を埋め込むようにｐ型Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第３クラッド層２３とで形成さ
れた構造である。電流ブロック層２２が作るストライプ
構造のストライプに沿った方向は［−１０１０］であ
る。
ライプ幅１０μｍの窓が形成された，厚さが０．３μｍ
のＳｉドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流ブロ
ック層２２と，電流ブロック層を埋め込むようにｐ型Ａ
ｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第３クラッド層２３とで形成さ
れた構造である。電流ブロック層２２が作るストライプ
構造のストライプに沿った方向は［−１０１０］であ
る。
【００６２】ｐ型ＧａＮコンタクト層２１の上面には厚
さが０．１μｍのニッケルと金の多層構造からなる正電
極２４が設けられており，ｎ型ＧａＮ層１４上のｎ型第
１クラッド層が積層されていない上面にはチタンとアル
ミニウムの多層構造からなる負電極２５が設けられてい
る。正電極２４と負電極２５との間に電圧を印加するこ
とにより，量子井戸活性層１７が発光する。
さが０．１μｍのニッケルと金の多層構造からなる正電
極２４が設けられており，ｎ型ＧａＮ層１４上のｎ型第
１クラッド層が積層されていない上面にはチタンとアル
ミニウムの多層構造からなる負電極２５が設けられてい
る。正電極２４と負電極２５との間に電圧を印加するこ
とにより，量子井戸活性層１７が発光する。
【００６３】また，この半導体素子の底面は平行四辺形
であり，側面が（０１−１０）面，（０−１１０）面，
（１０−１０）面および（−１０１０）面である。スト
ライプ方向と垂直な（−１０１０）面および（１０−１
０）面は共振器面であり，これらの面により光が反射か
つ共振し，半導体素子よりレーザ光が取り出される。共
振器面の間隔は５００μｍである。
であり，側面が（０１−１０）面，（０−１１０）面，
（１０−１０）面および（−１０１０）面である。スト
ライプ方向と垂直な（−１０１０）面および（１０−１
０）面は共振器面であり，これらの面により光が反射か
つ共振し，半導体素子よりレーザ光が取り出される。共
振器面の間隔は５００μｍである。
【００６４】この構成によれば，実施の形態１と同様
に，サファイア基板１１の＜１１−２０＞方位とサファ
イア基板１１の上に作製された半導体レーザを構成する
窒化物半導体の＜１１−２０＞方位が一致する。したが
って，半導体素子の側面を（０１−１０）面，（０−１
１０）面，（１０−１０）面および（−１０１０）面と
すると，サファイア基板１１と窒化物半導体の容易劈開
面が一致しているので，基板から劈開を行なう際に，半
導体素子の欠けをなくすことができ，平坦性に優れた共
振器面を得ることができる。これにより，形状のばらつ
きによる特性のばらつきを抑えることができるととも
に，端面での光の損失を低減することができ，閾値電流
を低減させることが可能となる。
に，サファイア基板１１の＜１１−２０＞方位とサファ
イア基板１１の上に作製された半導体レーザを構成する
窒化物半導体の＜１１−２０＞方位が一致する。したが
って，半導体素子の側面を（０１−１０）面，（０−１
１０）面，（１０−１０）面および（−１０１０）面と
すると，サファイア基板１１と窒化物半導体の容易劈開
面が一致しているので，基板から劈開を行なう際に，半
導体素子の欠けをなくすことができ，平坦性に優れた共
振器面を得ることができる。これにより，形状のばらつ
きによる特性のばらつきを抑えることができるととも
に，端面での光の損失を低減することができ，閾値電流
を低減させることが可能となる。
【００６５】この半導体素子の製造方法について説明す
る。Ｃ面を主面とするサファイア基板１１の主面上に，
気相エピタキシャル成長法により，厚さ０．１μｍのＳ
ｉ膜１２を結晶成長している。サファイア基板１１の主
面をＣ面とすることにより，Ｓｉ膜１２の成長面を（１
１１）面とすることができる。
る。Ｃ面を主面とするサファイア基板１１の主面上に，
気相エピタキシャル成長法により，厚さ０．１μｍのＳ
ｉ膜１２を結晶成長している。サファイア基板１１の主
面をＣ面とすることにより，Ｓｉ膜１２の成長面を（１
１１）面とすることができる。
【００６６】次いで，ＭＯＶＰＥ法により，このＳｉ膜
１２の上に，厚さが５０ｎｍのＡｌＮ緩衝層１３，厚さ
が２μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層１４，厚さ１μｍ
のＳｉドープのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第１クラ
ッド層１５，厚さが０．１μｍでアンドープのＧａＮよ
りなる第１光ガイド層１６，量子井戸活性層１７，厚さ
が０．１μｍでアンドープのＧａＮよりなる第２光ガイ
ド層１８，厚さ０．３μｍのＭｇドープのｐ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎよりなる第２クラッド層１９，厚さが０．３
μｍのＳｉドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流
ブロック層２２を順次積層する。
１２の上に，厚さが５０ｎｍのＡｌＮ緩衝層１３，厚さ
が２μｍのＳｉドープのｎ型ＧａＮ層１４，厚さ１μｍ
のＳｉドープのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第１クラ
ッド層１５，厚さが０．１μｍでアンドープのＧａＮよ
りなる第１光ガイド層１６，量子井戸活性層１７，厚さ
が０．１μｍでアンドープのＧａＮよりなる第２光ガイ
ド層１８，厚さ０．３μｍのＭｇドープのｐ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎよりなる第２クラッド層１９，厚さが０．３
μｍのＳｉドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流
ブロック層２２を順次積層する。
【００６７】次に電流ブロック層２２の表面に対し，
［−１０１０］方向に沿ってストライプ状の開口を開け
たニッケルマスクを付け，ドライエッチングにより電流
ブロック層のニッケルマウス開口部分を除去して，スト
ライプ溝を形成する。その後，ニッケルマスクを除去
し，電流ブロック層２２の上に，ＭＯＶＰＥ法により，
ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第３クラッド層２３，厚
さが０．３μｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮよりなるコン
タクト層２１を順次積層する。
［−１０１０］方向に沿ってストライプ状の開口を開け
たニッケルマスクを付け，ドライエッチングにより電流
ブロック層のニッケルマウス開口部分を除去して，スト
ライプ溝を形成する。その後，ニッケルマスクを除去
し，電流ブロック層２２の上に，ＭＯＶＰＥ法により，
ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第３クラッド層２３，厚
さが０．３μｍのＭｇドープのｐ型ＧａＮよりなるコン
タクト層２１を順次積層する。
【００６８】さらに，ドライエッチングによりｎ型Ｇａ
Ｎ層１４の一部が露出するまでエッチングして，その露
出部にチタンとアルミニウムの多層構造からなる負電極
２５を設け，ｐ型ＧａＮコンタクト層２１の上面に厚さ
が０．１μｍのニッケルと金の多層構造からなる正電極
２４を設ける。
Ｎ層１４の一部が露出するまでエッチングして，その露
出部にチタンとアルミニウムの多層構造からなる負電極
２５を設け，ｐ型ＧａＮコンタクト層２１の上面に厚さ
が０．１μｍのニッケルと金の多層構造からなる正電極
２４を設ける。
【００６９】しかる後，実施の形態１と同様に，サファ
イア基板１１の厚さを研磨により，１００μｍまで研磨
し，スクライバーにより半導体素子を分離する。
イア基板１１の厚さを研磨により，１００μｍまで研磨
し，スクライバーにより半導体素子を分離する。
【００７０】以上に述べた実施の形態１および２におい
て，以下に示す置換えを行なっても，同様の効果が得ら
れる。
て，以下に示す置換えを行なっても，同様の効果が得ら
れる。
【００７１】立方晶半導体層の作製には気相エピタキシ
ャル成長法を用いたが，代わりにスパッタ法，分子線エ
ピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）であっても同様の効果
が得られる。
ャル成長法を用いたが，代わりにスパッタ法，分子線エ
ピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）であっても同様の効果
が得られる。
【００７２】六方晶系半導体の作製には，ＭＯＶＰＥ法
を用いたが，代わりにＣＶＤ法，ＭＢＥ法，ハイドライ
ド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ法），あるいは
それら複数の成長方法を用いても同様の効果が得られ
る。
を用いたが，代わりにＣＶＤ法，ＭＢＥ法，ハイドライ
ド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ法），あるいは
それら複数の成長方法を用いても同様の効果が得られ
る。
【００７３】六方晶系基板にサファイア基板，立方晶系
半導体にはＳｉ層を用いたが，サファイア基板の代わり
にＺｎＯ基板，Ｓｉ膜２の代わりに，ダイアモンド構造
を有する立方晶系半導体，あるいはIII−Ｖ族半導体
で，そのIII族元素としてＡｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち１つ
以上を含んでおり，そのＶ族元素がＰ，Ａｓ，Ｓｂのう
ち１つ以上を含んでいる半導体，あるいはII−VI族半導
体で，そのII族元素としてＺｎ，Ｃｄのうち１つ以上を
含んでおり，そのVI族元素がＳ，Ｓｅ，Ｔｅのうち１つ
以上を含んでいる半導体であっても同様の効果が得られ
る。
半導体にはＳｉ層を用いたが，サファイア基板の代わり
にＺｎＯ基板，Ｓｉ膜２の代わりに，ダイアモンド構造
を有する立方晶系半導体，あるいはIII−Ｖ族半導体
で，そのIII族元素としてＡｌ，Ｇａ，Ｉｎのうち１つ
以上を含んでおり，そのＶ族元素がＰ，Ａｓ，Ｓｂのう
ち１つ以上を含んでいる半導体，あるいはII−VI族半導
体で，そのII族元素としてＺｎ，Ｃｄのうち１つ以上を
含んでおり，そのVI族元素がＳ，Ｓｅ，Ｔｅのうち１つ
以上を含んでいる半導体であっても同様の効果が得られ
る。
【００７４】六方晶系半導体として，III−Ｖ族窒化物
系半導体を用いたが，ＺｎＯ系化合物半導体であっても
同様の効果が得られる。
系半導体を用いたが，ＺｎＯ系化合物半導体であっても
同様の効果が得られる。
【００７５】半導体素子の分離にはスクライバーによる
スクライブの他に，ダイサーによるダイシング，あるい
はスクライバーとダイサーの組み合わせでも同様の効果
が得られる。
スクライブの他に，ダイサーによるダイシング，あるい
はスクライバーとダイサーの組み合わせでも同様の効果
が得られる。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明により，低
損失等の特性に優れた半導体素子およびその製造方法を
得ることができる。
損失等の特性に優れた半導体素子およびその製造方法を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１における半導体素子構造を示す図
【図２】サファイア，Ｓｉ，窒化物半導体の方位関係を
示す図
示す図
【図３】実施の形態２における半導体素子構造を示す図
１ サファィア基板 ２ Ｓｉ膜 ３ ＡｌＮ緩衝層 ４ ｎ型ＧａＮ層 ５ ｐ型ＧａＮ層 ６ 正電極 ７ 負電極 ８ Ｏ原子 ９ Ｓｉ原子 １０ Ｎ原子 １１ サファイア基板 １２ Ｓｉ膜 １３ ＡｌＮ緩衝層 １４ ｎ型ＧａＮ層 １５ 第１クラッド層 １６ 第１光ガイド層 １７ 量子井戸活性層 １８ 第２光ガイド層 １９ 第２クラッド層 ２０ 窓構造 ２１ ｐ型ＧａＮコンタクト層 ２２ 電流ブロック層 ２３ 第３クラッド層 ２４ 正電極 ２５ 負電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA03 AA04 AB02 AB09 AB14 AB17 AC01 AC05 AF09 AF13 CA12 DA53 DA55 DA57 5F073 AA07 AA11 AA62 AA74 AA86 CA02 CA07 CB05 CB22 DA04 DA05 DA06 DA24 DA32 DA34 EA15 EA29
Claims (18)
- 【請求項１】 Ｃ面を主面とする六方晶系基板上に，立
方晶系半導体を介して設けられた六方晶系半導体からな
る素子部を有する半導体素子において，前記六方晶系基
板の＜１１−２０＞方位と前記素子部を構成する六方晶
系半導体の＜１１−２０＞方位が一致する半導体素子。 - 【請求項２】 前記立方晶系半導体の＜１−１０＞方位
と前記六方晶基板の＜１１−２０＞方位および前記素子
部を構成する六方晶系半導体の＜１１−２０＞が一致す
る請求項１に記載の半導体素子。 - 【請求項３】 前記六方晶系基板のａ軸の格子定数ａs
と前記立方晶系半導体の格子定数ａcが， 【数１】 の関係を満たす請求項１および２に記載の半導体素子。 - 【請求項４】 前記立方晶系半導体の｛１１１｝面が前
記六方晶系基板の主面と平行である請求項１乃至３のい
ずれかに記載の半導体素子。 - 【請求項５】 前記立方晶系半導体の厚さが１μｍ以下
である請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体素子の
製造方法。 - 【請求項６】 前記素子部の側面の少なくとも１つの面
が劈開面である請求項１または２に記載の半導体素子。 - 【請求項７】 前記素子部の側面のうち少なくとも１対
の平行な側面が劈開面である請求項１または２に記載の
半導体素子。 - 【請求項８】 前記素子部が半導体発光素子であり，且
つ前記半導体発光素子中にストライプ状の窓を有し，前
記ストライプ状の窓に沿う方向は，前記１対の平行な劈
開面に垂直である請求項７に記載の半導体素子。 - 【請求項９】 前記劈開面が前記素子部の光共振面であ
る請求項７または８に記載の半導体素子。 - 【請求項１０】 前記劈開面が前記半導体素子を構成す
る六方晶系半導体の｛１−１００｝面あるいは｛１１−
２０｝面である請求項６乃至９のいずれかに記載の半導
体素子。 - 【請求項１１】 六方晶系基板上に立方晶系半導体を形
成する工程と，前記立方晶系半導体上に六方晶系半導体
からなる素子部を形成する工程と，前記六方晶系基板の
主面に垂直な面で劈開することにより，前記素子部に劈
開面を作製する工程とを有する半導体素子の製造方法。 - 【請求項１２】 前記立方晶系半導体の｛１１１｝面が
前記六方晶系基板の主面と平行である請求項１１に記載
の半導体素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記立方晶系半導体の厚さが１μｍ以
下である請求項１１または１２のいずれかに記載の半導
体素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記六方晶系基板の主面がＣ面である
請求項１１または１２のいずれかに記載の半導体素子の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記六方晶系基板の劈開面が前記六方
晶系基板｛１−１００｝面あるいは｛１１−２０｝面で
あることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の
製造方法。 - 【請求項１６】 前記素子部を構成する六方晶系半導体
の劈開面が前記六方晶系半導体の｛１−１００｝面ある
いは｛１１−２０｝面であることを特徴とする請求項１
１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項１７】 前記劈開を行なうのに，前記六方晶系
基板の厚さを５０μｍ以上２５０μｍ以下にすることを
特徴とする請求項１１乃至１６のいずれかに記載の半導
体素子の作製方法。 - 【請求項１８】 前記劈開を行なうのに，前記六方晶系
基板に｛１−１００｝あるいは｛１１−２０｝方向に割
溝を形成し，前記割溝に沿って劈開することを特徴とす
る請求項１１乃至１７のいずれかに記載の半導体素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019548A JP2002222769A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 半導体素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019548A JP2002222769A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 半導体素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222769A true JP2002222769A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18885408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019548A Pending JP2002222769A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 半導体素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008198743A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザダイオード |
| CN102656712A (zh) * | 2009-12-16 | 2012-09-05 | 美光科技公司 | 用于固态照明装置的氮化镓晶片衬底以及相关联系统及方法 |
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2001
- 2001-01-29 JP JP2001019548A patent/JP2002222769A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9012253B2 (en) | 2009-12-16 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
| US10347794B2 (en) | 2009-12-16 | 2019-07-09 | QROMIS, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices and associated systems |
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