KR101531746B1 - 패키지 온 패키지 구조 및 패키지 온 패키지 구조를 형성하는 방법 - Google Patents

패키지 온 패키지 구조 및 패키지 온 패키지 구조를 형성하는 방법 Download PDF

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퀘이 웨이 황
차이 충 차이
아이 티 앙
밍 다 쳉
충 시 리우
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Abstract

반도체 장치는 제1 패키지 컴포넌트 및 제2 패키지 컴포넌트를 포함한다. 제1 패키지 컴포넌트는 제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는다. 제2 패키지 컴포넌트는 제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는다. 열 차단 물질이 제2 다이 상에 부착되고, 열 차단 물질은 제2 다이로부터 제1 다이를 단열시키며, 열 차단 물질은 대략 0.024 W/mK 내지 대략 0.2 W/mK에 이르는 열 전도율을 갖는다. 제1 세트의 전도성 요소가 제1 패키지 컴포넌트를 제2 패키지 컴포넌트에 결합시킨다.

Description

패키지 온 패키지 구조 및 패키지 온 패키지 구조를 형성하는 방법{PACKAGE-ON-PACKAGE STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME }
본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다.
패키지 온 패키지(Package-on-package; POP)는 점점 더 대중적인 집적 회로 패키징 기술이 되어가고 있는데, 왜냐하면 이것은 더욱 높은 밀도의 전자 장치를 허용하기 때문이다.
종래의 패키지 온 패키지 구조는 바텀 패키지 컴포넌트 및 탑 패키지 컴포넌트를 포함할 수 있다. 바텀 패키지 컴포넌트는 바텀 기판에 부착된 바텀 다이를 포함할 수 있고, 탑 패키지 컴포넌트는 탑 기판에 부착된 탑 다이를 포함할 수 있다. 바텀 패키지 컴포넌트는 솔더 볼과 같은, 통상적인 전도성 요소의 세트에 의해 탑 패키지 컴포넌트에 결합된다. 동작 시에, 양자의 패키지 컴포넌트들은 열을 발생시킨다. 그러나, 바텀 다이에 의해 발생되는 과도한 열은, 특히 바텀 다이가 장치 다이인 경우, 탑 다이에 대한 손상을 야기할 수 있다. 열은 또한 솔더 볼에서의 균열로 이어지는 패키지 온 패키지 구조의 열 응력 및 뒤틀림(warpage)을 야기할 수도 있다. 패키지 온 패키지 구조에서 성형 화합물(molding compound)의 이용에도 불구하고, 과열 및 뒤틀림의 문제는 여전히 전체적으로 제거될 수 없다.
본 발명의 목적은 패키지 온 패키지 구조 및 패키지 온 패키지 구조를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
반도체 장치는 제1 패키지 컴포넌트 및 제2 패키지 컴포넌트를 포함한다. 제1 패키지 컴포넌트는 제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는다. 제2 패키지 컴포넌트는 제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는다. 열 차단 물질이 제2 다이 상에 부착되고, 열 차단 물질은 제2 다이로부터 제1 다이를 단열시키며, 열 차단 물질은 대략 0.024 W/mK 내지 대략 0.2 W/mK에 이르는 열 전도율을 갖는다. 제1 세트의 전도성 요소가 제1 패키지 컴포넌트를 제2 패키지 컴포넌트에 결합시킨다.
본 발명에 따르면, 패키지 온 패키지 구조 및 패키지 온 패키지 구조를 형성하는 방법을 제공하는 것이 가능하다.
본 개시의 실시예들은 첨부 도면들과 함께 아래의 상세한 설명을 읽음으로써 가장 잘 이해된다. 본 산업계에서의 표준적인 실시에 따라, 다양한 피처(feature)들은 실척도로 도시되지 않았음을 강조한다. 사실, 다양한 피처들의 치수는 설명의 명료함을 위해 임의적으로 증가되거나 또는 감소될 수 있다.
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따라 패키지 온 패키지 구조를 제조하는 방법의 흐름도이다.
도 2 내지 도 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 따라, 패키지 온 패키지 구조의 제조에 있어서 다양한 중간 단계들에서의 탑 패키지 및/또는 바텀 패키지의 횡단면도이다.
이하의 설명에서는, 본 개시의 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 특정한 상세한 사항들이 기술된다. 그러나, 당해 기술분야의 당업자라면 본 개시의 실시예들이 이러한 특정한 상세한 사항들 없이 실행될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 일부 경우에, 잘 공지된 구조들 및 공정들은 본 개시의 실시예들을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해서 상세하게 기술되지 않는다.
본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 참조는 실시예와 관련되어 기술된 특정한 피처, 구조, 또는 특성이 본 개시의 적어도 하나의 실시예에 포함되어 있다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 장소에서 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서" 구절의 출현은 반드시 모두 동일한 실시예를 나타내는 것은 아니다. 더욱이, 특정한 피처, 구조, 또는 특성은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다. 다음 도면은 실척도로 도시된 것이 아니고, 이러한 도면들은 오히려 예시를 위한 것임을 이해해야 한다.
도 1은 본 개시의 다양한 양태들에 따라 패키지 온 패키지를 제조하는 방법(100)의 흐름도이다. 도 1을 참조하면, 방법은 블록(110)을 포함하고, 이 블록에서, 제1 패키지 컴포넌트가 제공되며, 제1 패키지 컴포넌트는 제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는다. 방법(100)은 블록(120)을 포함하고, 이 블록에서, 제2 패키지 컴포넌트가 제공되며, 제2 패키지 컴포넌트는 제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는다. 방법(100)은 블록(130)을 포함하고, 이 블록에서, 열 차단 물질이 제2 다이에 부착된다. 열 차단 물질은 실질적으로 제2 다이로부터 제1 다이를 단열시킨다. 방법(100)은 블록(140)을 포함하고, 이 블록에서 제1 패키지 컴포넌트는 전도성 요소의 세트를 이용하여 제2 패키지 컴포넌트에 결합된다.
패키지 온 패키지 구조의 제조를 완료하기 위해서 추가적인 공정들이 도 1에 도시된 블록들(110 내지 140) 이전에, 그 동안에, 또는 그 이후에 수행될 수 있지만, 이러한 추가적인 공정들은 간략함을 위해 상세하게 본 명세서에서 논의되지 않음을 이해한다.
도 2 내지 도 6은 도 1의 방법(100)의 실시예들에 따라, 패키지 온 패키지 구조를 제조하는 다양한 제조 단계들에서의 탑 패키지 및/또는 바텀 패키지의 개략적이고 단편적인 횡단면도이다. 도 2 내지 도 6은 본 개시의 발명적 개념의 더욱 양호한 이해를 위해 간략화되었음을 이해한다. 본 명세서에 기술된 물질, 기하학적 구조, 치수, 구조, 및 공정 파라미터들은 오직 예시적인 것으로, 본 명세서에서 주장되는 본 발명을 제한하기 위한 것으로 의도되지 않고, 본 발명을 제한하기 위한 것으로 해석되어서도 안 된다는 것을 이해해야 한다. 본 개시가 알려지면, 많은 대안 및 수정들이 당해 기술분야의 당업자에게 명백하게 될 것이다.
패키지 온 패키지 구조의 실시예는 도 2 내지 도 6을 참조하여 기술될 것이다. 도 2는 패키지 온 패키지 구조에서 이용될 탑 패키지(1)를 나타낸다. 플라스틱 볼 그리드 어레이(plastic ball grid array; PBGA) 패키지 어셈블리 공정 등을 이용하여 형성될 수 있는 탑 패키지(1)는 복수의 적층형 다이(2)를 포함하고, 이러한 복수의 적층형 다이(2)는 컨택(16)(각각의 적층형 다이(2) 상에 있음), 본드 와이어(6), 및 컨택(12)(탑 기판(10) 상에 있음)을 거쳐 탑 기판(10)에 와이어 본딩될 수 있다. 개별 적층형 다이는 메모리 칩, 로직 칩, 프로세서 칩 등을 포함할 수 있다. 도 2는 3개의 적층형 다이를 예시하고 있지만, 이것은 오직 예시를 위한 것이다. 마찬가지로, 와이어 본딩의 이용은 오직 예시적인 것으로, 적층형 다이를 전기적으로 연결하기 위한 다른 방식들이 본 개시의 고려된 범위 내에 있다. 예를 들어, 솔더 범프, 솔더 볼, 구리 기둥, 전도성 범프, 솔더 캡, 전도성 기둥, 전도성 볼, 언더 범프 금속, 및/또는 다른 커넥터 요소들이 또한 적층형 다이(2)를 탑 기판(10)에 연결하기 위해 고려될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 언더필(도시되지 않음)이 적층형 다이(2)와 탑 기판(10) 사이의 갭(gap)에 제공되어 패키지 온 패키지 구조의 강도를 강화시킨다.
탑 기판(10)은 BT(bismaleimide-triazine)와 같은 비전도성 폴리머의 층 및 패턴화된 (또는 비패턴화된) 전도성 층을 교대로 하여 구성된 적층 회로 기판일 수 있다. 앞서 기술된 바와 같이, 탑 기판(10)은 적층형 다이(2)에 대한 전기 접속을 위해 제1 면(편의상 탑 면으로서 때때로 본 명세서에서 일컬어짐) 상에 컨택(12)을 갖는다. 탑 기판(10)은 이하에 더욱 상세하게 기술될, 다른 컴포넌트들에 대한 전기 접속을 위해 제2 면(때때로 바텀 면으로 일컬어짐) 상에 바텀 컨택(24)을 또한 갖는다. 솔더 볼(36)은 탑 기판(10)에서 바텀 컨택(24)에 접촉된다. 솔더 볼(36)은 탑 패키지(1) 및 바텀 패키지(34)(도 2에 도시되지 않았지만, 도 3 및 도 4에는 예시됨) 사이의 전기 및/또는 열 접속을 허용한다. 예시된 실시예에서, 솔더 볼(36)은 적층형 다이(2)에 전력 및 신호의 전기 전도를 제공한다. 다시, 전도성 범프, 전도성 볼, 전도성 기둥 등과 같은 다른 접속 컴포넌트들이 솔더 볼(36) 대신에 이용될 수 있다.
일부 실시예들에서, 기계적 강성(stiffness)을 제공하고 패키지 온 패키지 구조의 기계적 강도를 향상시키기 위해서 성형 화합물(35)이 탑 패키지(1)에 적용된다. 이 기계적 강성은, 예를 들어 결과 패키지의 컴포넌트들 사이에 열 팽창 불일치에 기인하는 뒤틀림의 심각성을 방지하거나, 또는 적어도 감소시키는 것으로 믿어지고 있다. 성형 화합물(35)은 기판(10) 상에 성형될 수 있고, 예를 들어, 압축 성형 또는 전환 성형을 이용하여 적층형 다이(2) 및 본드 와이어(6)를 둘러싼다. 그리고 나서, 경화 단계가 성형 화합물(35)을 굳히기 위해 수행될 수 있다. 성형 화합물(35)은 폴리머 기반 물질, 언더필, 성형 언더필(molding underfill; MUF), 에폭시, 등을 포함할 수 있다.
탑 패키지(1)는 솔더 볼(36)을 거쳐, 도 5에 도시된 바와 같이, 바텀 패키지(34)에 부착된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 바텀 패키지(34)는 다이(37)를 포함하고, 이 다이(37)는 바텀 기판(38)에 부착되는 플립 칩으로 커넥터 요소(39)를 거쳐 전기적으로 연결된다. 다이(37)는 로직 칩, 프로세서 칩, 메모리 칩 등을 포함할 수 있다. 커넥터 요소(39)는, 예를 들어 솔더 범프, 솔더 볼, 구리 기둥, 전도성 범프, 솔더 캡, 전도성 기둥, 전도성 볼, 언더 범프 금속을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 언더필(도시되지 않음)이 다이(37)와 바텀 기판(38) 사이의 갭에 제공되어 패키지 온 패키지 구조의 강도를 강화시킨다. 다이(37) 및 밑에 있는 마더 보드 또는 다른 회로(도시되지 않음) 사이의 전기 접속이 바텀 기판(38)의 한 면 상에 있는 커넥터 요소(39) 및 바텀 기판(38)의 다른 면 상에 있는 커넥터 요소(42)에 맞춰 정렬된 관통 비아(도시되지 않음)에 의해 제공된다. 마찬가지로, 탑 기판(10) 및 밑에 있는 마더 보드 또는 다른 회로 사이의 전기 접속이 솔더 볼(36), 관통 비아, 및 커넥터 요소(42)에 의해 제공된다.
동작 시에, 다이(37) 및 적층형 다이(2)를 포함하는 탑 패키지(1) 및 바텀 패키지(34) 모두는 각각 열을 발생시킨다. 다이(37)에 의해 발생된 열은, 특히 바텀 다이가 프로세서 다이일 경우, 탑 다이, 즉, 적층형 다이(2)에 손상을 야기할 수 있다. 열은 또한 솔더 볼과 같은 커넥터 요소의 균열로 이어지는 패키지 온 패키지 구조에 열 응력 및 뒤틀림을 야기시킬 수 있다. 본 개시의 패키지 온 패키지 구조의 유리한 특징은 도 3에 도시된 바와 같이 바텀 패키지(34)의 열 차단 물질(50)이 다이(37) 위에 부착되는 것이고, 이것은 다이(37)에 의해 발생된 열로부터 적층형 다이(2)를 단열시킨다. 일 실시예에서, 탑 패키지(1) 및 바텀 패키지(34)가 열 차단 물질(50) 덕분에 열로부터 보호되기 때문에, 추가적인 이점으로서, 패키지 온 패키지 구조의 뒤틀림이 더욱 양호하게 제어된다. 다시 말해서, 열 차단 물질(50)은 다른 식으로 탑 패키지(1) 및 바텀 패키지(34) 사이의 열 팽창 계수(CTE) 불일치의 결과로서 발생할 수 있는 뒤틀림에 대한 저항성을 제공한다.
일부 실시예들에서, 열 차단 물질(50)은 대략 0.024 W/mk 내지 대략 0.2 W/mk에 이르는 열 전도율을 갖는 물질이다. 열 차단 물질(50)은 다공질 막, 왁스 막, 다이 부착 필름(die attach film; DAF), 에어로겔, 테이프, 열 인터페이스 물질(thermal interface material; TIM), 또는 접착제를 포함할 수 있다. 열 차단 물질(50)이 TIM인 경우, TIM은 솔더 페이스트, 접착제, 또는 써멀 그리즈(thermal grease)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 열 차단 물질(50)은 대략 10 미크론 내지 대략 100 미크론의 범위에 이르는 두께를 갖는다. 도 5는 바텀 패키지(34)가 탑 패키지(1)에 부착되는 경우의 패키지 온 패키지 구조에 있는 열 차단 물질(50)을 도시한다.
다른 실시예들에서, 열 차단 물질(50)은 도 4에 도시된 바와 같이, 그 안에 에어(air) 또는 진공(77)을 갖는 실 링(55)이고, 도 6에 도시된 바와 같이, 바텀 패키지(34)가 탑 패키지(1)에 부착되는 경우 패키지 온 패키지 구조에 있는 실 링(55)이다. 에어 또는 진공은 일반적인 동작 조건 하에서 이상적인 단열재이다. 다른 실시예들에서, 실 링(55)은 대략 0 W/mK의 열 전도율을 제공한다. 실 링(55)은 이하에 설명될 성형 공정 동안에 진공 갭을 제공하도록 다이(37) 상에 제공된다.
열 차단 물질(50) 또는 실 링(55) 중 어느 하나가 다이(37) 상에 적용된 이후에, 일부 실시예들에서, 기계적 강성을 제공하고 패키지 온 패키지 구조의 기계적 강도를 향상시키기 위해 성형 화합물(35)이 바텀 패키지(34)에 적용된다. 성형 화합물(35)은 기판(38) 상에 성형될 수 있고, 예를 들어, 압축 성형 또는 전환 성형을 이용하여 다이(37) 및 커넥터 요소(39)를 둘러싼다. 그리고 나서, 경화 단계가 성형 화합물(35)을 굳히기 위해 수행될 수 있다. 성형 화합물(35)은 폴리머 기반 물질, 언더필, 성형 언더필(MUF), 에폭시, 등을 포함할 수 있다. 도 4를 다시 참조하면, 에어 또는 진공(77)을 형성하기 위해서, 성형 화합물(35)은 실 링(55) 둘레에 형성되고, 이에 따라 그 안에 있는 에어 또는 진공(77)을 캡슐화할 수 있다.
도 2 내지 도 6에 도시된 패키지 온 패키지 구조는 오직 예시를 목적으로 한 것으로, 제한하기 위한 것이 아니다. 추가적인 실시예들이 구상될 수 있다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들의 이점들은 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
하나 이상의 실시예들에서, 탑 다이를 갖는 탑 패키지 및 바텀 다이를 갖는 바텀 패키지를 구비하는 패키지 온 패키지 구조에서, 탑 다이는 실질적으로 바텀 다이에 의해 발생되는 열로부터 보호될 수 있다.
하나 이상의 실시예들에서, 패키지 온 패키지 구조에서의 뒤틀림은 제어하기가 더욱 양호한데, 왜냐하면 탑 패키지 및 바텀 패키지가 실질적으로 열로부터 보호되기 때문이다.
본 개시는 다양한 예시적인 실시예들을 설명하였다. 일 실시예에 따르면, 반도체 장치는 제1 패키지 컴포넌트 및 제2 패키지 컴포넌트를 포함한다. 제1 패키지 컴포넌트는 제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는다. 제2 패키지 컴포넌트는 제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는다. 제1 세트의 전도성 요소들이 제1 패키지 컴포넌트를 제2 패키지 컴포넌트에 결합시킨다. 열 차단 물질이 제2 다이에 적용되어 제1 패키지 컴포넌트 및 제2 패키지 컴포넌트 사이에 있고, 열 차단 물질은 제2 다이로부터 제1 다이를 단열시킨다. 일부 실시예들에서, 열 차단 물질은 실 링 및 에어 갭을 포함한다.
다른 실시예에 따라, 패키지 온 패키지는 바텀 패키지 컴포넌트 및 탑 패키지 컴포넌트를 포함한다. 바텀 패키지 컴포넌트는 적어도 바텀 기판 상에 형성된 바텀 다이를 갖는다. 탑 패키지 컴포넌트는 적어도 탑 기판 상에 형성된 탑 다이를 갖는다. 열 차단 물질이 바텀 다이에 부착되고, 열 차단 물질은 바텀 다이로부터 탑 다이를 단열시킨다. 열 차단 물질은 대략 0.024 W/mK 내지 대략 0.2 W/mK에 이르는 열 전도율을 갖는다. 제1 세트의 전도성 요소가 바텀 기판을 탑 기판에 결합시킨다. 일부 실시예들에서, 열 차단 물질은 실 링 및 에어 갭을 포함한다.
또 다른 실시예에 따라, 패키지를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 제1 패키지 컴포넌트가 제공되며, 제1 패키지 컴포넌트는 제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는다. 제2 패키지 컴포넌트가 제공되며, 제2 패키지 컴포넌트는 제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는다. 열 차단 물질이 제2 다이에 부착되며, 열 차단 물질은 제2 다이로부터 제1 다이를 단열시킨다. 제1 패키지 컴포넌트는 제1 세트의 전도성 요소를 이용하여 제2 패키지 컴포넌트에 결합된다. 일부 실시예들에서, 열 차단 물질은 실 링 및 에어 갭을 포함한다.
앞선 상세한 설명에서, 특정한 예시적인 실시예들이 기술되었다. 그러나, 본 발명의 광의의 사상 및 범위에서 벗어나지 않으면서 본 발명에 대한 다양한 수정, 구조, 공정, 및 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당해 기술분야의 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적인 것이 아닌, 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 본 개시의 실시예들은 다양한 다른 조합 및 환경을 이용할 수 있고, 특허 청구 범위 내에서 수정 또는 변형이 가능하다는 것을 이해한다.

Claims (10)

  1. 반도체 장치에 있어서,
    제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는 제1 패키지 컴포넌트;
    제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는 제2 패키지 컴포넌트;
    상기 제1 패키지 컴포넌트를 상기 제2 패키지 컴포넌트에 결합시키는 제1 세트의 전도성 요소들;
    상기 제1 패키지 컴포넌트 및 상기 제2 패키지 컴포넌트 사이에 있는 열 차단 물질; 및
    상기 제2 기판 상에 성형(mold)되고, 상기 제2 다이, 상기 열 차단 물질 및 상기 제1 세트의 전도성 요소들을 둘러싸는 제1 성형 화합물(molding compound)
    을 포함하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 다이를 상기 제1 기판에 결합시키는 제2 세트의 전도성 요소들; 및
    상기 제2 다이를 상기 제2 기판에 결합시키는 제3 세트의 전도성 요소들
    을 더 포함하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 성형(mold)되고, 상기 제1 다이 및 상기 제2 세트의 전도성 요소들을 둘러싸는 제2 성형 화합물을 더 포함하고,
    상기 제1 성형 화합물은 또한 상기 제3 세트의 전도성 요소들을 둘러싸는 것인, 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 열 차단 물질은 그 안에 에어(air) 또는 진공을 갖는 실 링(seal ring)인 것인, 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열 차단 물질은 왁스(wax), 다이 부착 필름(die attach film; DAF), 에어로겔, 테이프, 열 인터페이스 물질(thermal interface material; TIM), 및 접착제로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 열 차단 물질은 10 미크론 내지 100 미크론의 범위에 이르는 두께를 갖는 것인, 반도체 장치.
  7. 패키지 온 패키지(Package-on-package)에 있어서,
    적어도 바텀 기판 상에 형성된 바텀 다이를 갖는 바텀 패키지 컴포넌트;
    적어도 탑 기판 상에 형성된 탑 다이를 갖는 탑 패키지 컴포넌트;
    상기 바텀 다이에 부착된 열 차단 물질로서, 상기 열 차단 물질은 0.024 W/mK 내지 0.2 W/mK에 이르는 열 전도율을 갖는 것인, 열 차단 물질;
    상기 바텀 기판을 상기 탑 기판에 결합시키는 제1 세트의 전도성 요소들; 및
    상기 바텀 기판 상에 성형되고, 상기 바텀 다이, 상기 열 차단 물질 및 상기 제1 세트의 전도성 요소들을 둘러싸는 성형 화합물
    을 포함하는 패키지 온 패키지.
  8. 제7항에 있어서, 제2 세트의 전도성 요소들 및 제3 세트의 전도성 요소들을 둘러싸는 언더필을 더 포함하는 패키지 온 패키지.
  9. 패키지를 형성하기 위한 방법에 있어서,
    제1 기판 상에 형성된 제1 다이를 갖는 제1 패키지 컴포넌트를 제공하는 단계;
    제2 기판 상에 형성된 제2 다이를 갖는 제2 패키지 컴포넌트를 제공하는 단계;
    상기 제2 다이에 열 차단 물질을 부착하는 단계로서, 상기 열 차단 물질은 상기 제2 다이로부터 상기 제1 다이를 단열시키는 것인, 열 차단 물질을 부착하는 단계;
    제1 세트의 전도성 요소들을 이용하여 상기 제1 패키지 컴포넌트를 상기 제2 패키지 컴포넌트에 결합시키는 단계; 및
    상기 제2 기판 상에 배치되고, 상기 제2 다이, 상기 열 차단 물질 및 상기 제1 세트의 전도성 요소들을 둘러싸는 성형 화합물을 형성하는 단계
    를 포함하는 패키지를 형성하기 위한 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    제2 세트의 전도성 요소들을 이용하여 상기 제1 다이를 상기 제1 기판에 결합시키는 단계; 및
    제3 세트의 전도성 요소들을 이용하여 상기 제2 다이를 상기 제2 기판에 결합시키는 단계
    를 더 포함하는 패키지를 형성하기 위한 방법.
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