KR101524905B1

KR101524905B1 - 일괄식 처리 장치

Info

Publication number: KR101524905B1
Application number: KR1020120066573A
Authority: KR
Inventors: 츠토무 사토요시; 히로시 이시다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-06-21
Filing date: 2012-06-21
Publication date: 2015-06-01
Also published as: TW201313948A; CN102839360B; JP5878813B2; KR20120140627A; CN102839360A; US20180327903A1; US20120325145A1; TWI570266B; KR20140032465A; JP2013030751A

Abstract

복수의 피처리체를 동시에 처리하는 일괄식 처리 장치로서, 메인 챔버와, 상기 메인 챔버 내에, 상기 메인 챔버의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와, 상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 포함하고, 상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 일괄식 처리 장치가 제공된다.

Description

일괄식 처리 장치{BATCH TYPE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 일괄(batch)식 처리 장치에 관한 것이다．

종래에, 예를 들면, 액정 디스플레이나 유기 EL 등의 플랫 패널 디스플레이(이하, “FPD”라 칭함)나, 태양 전지 모듈의 제조에 이용되는 피처리체로서의 유리 기판에 성막이나 에칭 등의 처리를 실행하기 위해, 그 처리속도나 제어성의 관점에서 플라즈마 처리가 많이 이용되고 있으며, 일괄식에 있어서의 장치 구조의 복잡함을 피하고 플라즈마의 성능을 향상시키는 것에 의해 스루풋에 관한 요구에 부합하는 낱장식의 처리 장치가 사용되어 왔다.

그러나, 당연히, 낱장식에서 실행하는 것보다도 일괄식에서 실행하는 쪽이 스루풋의 측면에서 효율이 좋아서, 최근, 일괄식 처리에 의한 처리 장치도 개발되고 있으며, 이러한 일괄식 처리 장치는, 예를 들면, 하기 특허문헌에 기재되어 있다.

한편, 유리 기판 상에 형성되는 TFT(Thin Film Transistor)가 미세화됨에 따라, 게이트 등으로서 유리 기판 상에 형성된 박막에 플라즈마에 의한 손상이 심각하고, 또한, 유기 EL 등의 제조에 있어서는 더욱 낮은 온도의 프로세스가 요구되며, 이들 요구에 의해 플라즈마를 이용하지 않는 가스에 의한 프로세스가 재검토되고 있다.

이러한 플라즈마를 발생시키지 않고 가스에 의한 처리를 이용한 처리 장치의 경우에는 플라즈마를 이용한 처리 장치보다도 구조가 간단하게 되기 때문에 일괄식 처리 장치를 채용하는 것이 더욱 용이하게 된다.

일본 특허공개공보 평성8-8234호

그러나, 단순히 큰 프로세스 챔버 내에 복수의 유리 기판을 배열하고, 복수의 유리 기판에 대해 동시에 처리를 실행하려고 하면, 처리 가스의 사용 효율이 저하하는 경우가 있다. 이는 프로세스 챔버의 용량이 커지기 때문이다.

또한, 박막 성막의 분야에 있어서, 기판의 표면 상에 2종류 이상의 전구체 가스를 교대로 흘리고, 이들 전구체 가스를 기판 표면 상에 형성된 흡착 지점에 흡착시키는 것에 의해 박막을 원자층 레벨로 성막하는 원자층 증착법(이하, “ALD”법이라 칭함)이 주목받고 있다. ALD법은 단차 피복성, 막두께 균일성 및 박막 제어성이 우수하고, 더욱 미세화가 진행하는 소자의 형성에 매우 유효하다고 여겨지기 때문이다. 예를 들면, 현재에도, 730㎜×920㎜∼2200㎜×2500㎜의 크기를 갖고, 반도체 웨이퍼보다도 매우 면적이 큰 유리 기판 등에 대한 박막 성막에 있어서도, 박막의 고품질화를 위해, ALD법의 채용이 검토되기 시작하고 있다.

그러나, 대면적의 복수의 유리 기판에 대해 동시에 ALD법을 적용하려고 하면, 유리 기판 자체의 면적이 큰데다가, 복수의 유리 기판을 수용하는 프로세스 챔버 자체의 용량도 커지게 되기 때문에, 복수의 유리 기판의 표면 각각에 대해, 전구체 가스의 균일한 공급이나, 균일한 배기가 곤란하게 된다. 이 때문에, 예를 들면, 유리 기판의 표면 각각의 흡착 지점의 균일한 형성이나, 전구체 가스와 흡착 지점의 균일하고 안정된 반응이 진행하기 곤란하게 되어, 박막을 원하는 품질로 얻을 수 없게 되어 버린다.

본 발명은 처리 가스의 사용 효율이 좋고, 피처리체의 면적이 커도 ALD법의 적용이 가능한 일괄식 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일 형태에 따른 일괄식 처리 장치는 복수의 피처리체에 동시에 처리를 실시하는 일괄식 처리 장치로서, 메인 챔버와, 상기 메인 챔버 내에, 이 메인 챔버의 높이 방향에 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와, 상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 구비하고, 상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성한다.

본 발명에 따르면, 처리 가스의 사용 효율이 좋고, 피처리체의 면적이 커도 ALD법의 적용이 가능한 일괄식 처리 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치를 구비한 처리 시스템의 일예를 나타내는 수평 단면도이다.
도 2는 도 1중의 II-II선을 따르는 단면도이다.
도 3a는 커버를 상승시킨 상태를 나타내는 도면, 도 3b는 커버를 하강시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 4a는 리프터를 상승시킨 상태를 나타내는 도면, 도 4b는 리프터를 하강시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 스테이지와 커버가 분리된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6a는 가스 토출구멍 형성 영역 근방의 평면도, 도 6b는 도 6a 중의 VIB-VIB선을 따르는 단면도이다.
도 7a는 배기홈 근방의 평면도, 도 7b는 도 7a 중의 VIIB-VIIB선을 따르는 단면도이다.
도 8은 처리용 소공간 내의 가스의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 도 9f는 피처리체(G)의 반입 반출 동작의 일예를 나타내는 단면도이다.
도 10a는 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 평면도, 도 10b는 도 10a 중의 XB-XB선을 따르는 단면도이다.
도 11a 내지 도 11c는 처리용 소공간의 형성 예를 나타내는 단면도이다.
도 12a는 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지를 하강시킨 상태를 나타내는 도면, 도 12b는 스테이지를 상승시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 13은 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 리프터를 상승시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 14는 수직 가스 토출 방식의 일예를 나타내는 단면도이다.
도 15는 수평 가스 토출 방식의 일예를 나타내는 단면도이다.
도 16a는 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 리프터를 하강시킨 상태를 나타내는 도면, 도 16b는 리프터를 상승시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 17은 스테이지의 핀형상 리프터 수용부 근방을 나타내는 단면도이다.
도 18a는 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 커버를 상승시킨 상태를 나타내는 도면, 도 18b는 커버를 하강시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 제 2 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버와 그 근방을 나타내는 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제 3 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버와 그 근방을 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 제 3 실시형태의 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버와 그 근방을 나타내는 단면도이다.
도 22는 본 발명의 제 ４ 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 23a 및 도 23b는 도 22 중의 XXIII-XXIII선을 따르는 단면도이다.
도 24, 및 도 24b는 배기 홈 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 25는 제 ４ 실시형태의 제 １ 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 26은 제 ４ 실시형태의 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 27은 제 ４ 실시형태의 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 28은 제 ４ 실시형태의 제 ４ 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 29는 제 ４ 실시형태의 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 30은 제 １ 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 31은 본 발명의 제 5 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 32는 제 5 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 배기 홈 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 33은 제 5 실시형태의 제 １ 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 배기 홈 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 34는 제 5 실시형태의 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 35는 제 5 실시형태의 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 36은 제 5 실시형태의 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 배기 홈 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.
도 37은 제 5 실시형태의 제 ４ 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 38은 제 １ 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 39는 본 발명의 제 6 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.
도 ４0은 픽의 변형예를 나타내는 평면도이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 이 설명에 있어서, 참조하는 도면 모두에 걸쳐, 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다.

(제 1 실시형태)

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치를 구비한 처리 시스템의 일예를 나타내는 수평 단면도, 도 2는 도 1중의 II-II선을 따르는 단면도이다. 도 1 및 도 2에 나타내는 처리 시스템은 피처리체로서 FPD의 제조나 태양 전지 모듈에 이용되는 유리 기판을 이용하고, 이 유리 기판에 성막 처리나 열 처리를 실시하는 처리 시스템이다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 처리 시스템(1)은 로드록실(2), 일괄식 처리 장치(3a, 3b) 및 공통 반송실(4)을 포함해서 구성된다. 로드록실(2)에서는 대기 상태와 감압 상태 사이에서 압력 변환이 실행된다. 일괄식 처리 장치(3a, 3b)에서는 피처리체(G), 예를 들면, 유리 기판에 대해 성막 처리나 열 처리가 실행된다. 피처리체(G)의 사이즈, 예를 들어, 730㎜×920㎜∼2200㎜×2500㎜의 직사각형이다.

본 예에 있어서, 로드록실(2), 일괄식 처리 장치(3a, 3b) 및 공통 반송실(4)은 진공 장치이며, 각각 피처리체(G)를 소정의 감압 상태 하에 두는 것이 가능한, 기밀하게 구성된 챔버(21, 31a, 31b, 41)를 구비하고 있다. 도 2에는 챔버(21, 31a, 31b, 41)에는 내부를 감압 상태로 하기 위해 배기구를 거쳐서 진공 펌프 등의 배기 장치(5)가 접속되어 있다. 챔버(31a)에 마련된 배기구(32), 및 챔버(41)에 마련된 배기구(42)가 나타나 있다.

또한, 챔버(21, 31a, 31b, 41)에는 개구부(23a, 23b, 33a, 33b, 43a, 43b, 43c)가 마련되어 있다. 피처리체(G)는 이들 개구부를 통해 반입 및 반출된다.

로드록실(2)의 챔버(21)는 개구부(23a) 및 게이트 밸브실(6a)을 거쳐, 처리 시스템(1)의 외부, 즉, 대기측과 연통된다. 게이트 밸브실(6a)에는 개구부(23a)를 개폐하는 게이트밸브(GV)가 수용되어 있다. 또한, 챔버(21)는 개구부(23b), 게이트 밸브실(6b) 및 개구부(43a)를 거쳐서 챔버(41)와 연통된다. 게이트 밸브실(6b)에는 개구부(23b)를 개폐하는 게이트밸브(GV)가 수용되어 있다.

일괄식 처리 장치(3a)의 챔버(31a)는 개구부(33a), 이 개구부(33a)를 개폐하는 게이트밸브(GV)가 수용된 게이트 밸브실(6c) 및 개구부(43b)를 거쳐서 챔버(41)와 연통된다.

마찬가지로, 일괄식 처리 장치(3b)의 챔버(31b)는 개구부(33b), 이 개구부(33b)를 개폐하는 게이트밸브(GV)가 수용된 게이트 밸브실(6d) 및 개구부(43c)를 거쳐서 챔버(41)와 연통된다.

공통 반송실(4)의 챔버(41)의 평면형상은 본 예에서는 직사각형형상이다. 직사각형형상의 4변 중, 3변에, 개구부(43a, 43b, 43c)가 마련되어 있다. 공통 반송실(4)의 내부에는 반송 장치(7)가 설치되어 있다. 반송 장치(7)는 피처리체(G)를, 로드록실(2)로부터 일괄식 처리 장치(3a) 또는 (3b)에, 일괄식 처리 장치(3a) 또는 (3b)로부터 일괄식 처리 장치(3b) 또는 (3a)에, 일괄식 처리 장치(3a) 또는 (3b)로부터 로드록실(2)에 반송한다. 이를 위해, 반송 장치(7)는 피처리체(G)를 승강시키는 승강 동작, 및 피처리체(G)를 선회시키는 선회 동작에 부가해서, 로드록실(2), 일괄식 처리 장치(3a, 3b)의 내부로의 진출 및 퇴피 동작이 가능하게 구성되어 있다.

반송 장치(7)는 피처리체(G)를 지지하는 지지 부재인 픽(71)을 구비한 픽 유닛(72)과, 픽 유닛(72)을 슬라이드시키는 슬라이드 유닛(73)과, 슬라이드 유닛(73)을 구동시키는 드라이브 유닛(74)을 포함해서 구성된다. 픽(71)은 챔버(41)의 높이 방향으로 적층해서 복수 마련되어 있고, 복수개의 피처리체(G)는 픽(71) 상에 챔버(41)의 높이 방향으로 수평으로 탑재되고, 복수의 피처리체(G)를 한 번에 반송하도록 구성되어 있다.

슬라이드 유닛(73)에는 슬라이드 베이스(73a)가 마련되어 있고, 픽 유닛(72)은 슬라이드 베이스(73a)에 부착되며, 슬라이드 베이스(73a) 위에서 전후로 슬라이드한다. 이에 따라, 픽 유닛(72)은 전진 및 후퇴하고, 챔버(41)의 내부로부터 챔버(21, 31a, 31b)의 내부에 대해 진출 및 퇴피한다. 또한, 슬라이드 유닛(73)은 드라이브 유닛(74)에 의해, 승강 및 선회된다. 이에 따라, 슬라이드 유닛(73)은, 예를 들면, 공통 반송실(4) 내에서 승강 및 선회된다.

이러한 처리 시스템(1)의 각 부의 제어, 및 반송 장치(7)의 제어는 제어부(8)에 의해 실행된다. 제어부(8)는, 예를 들면, 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러(81)를 갖는다. 프로세스 컨트롤러(81)에는 오퍼레이터가 처리 시스템(1)을 관리하기 위해, 커맨드의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 처리 시스템(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(82)가 접속되어 있다. 또한, 프로세스 컨트롤러(81)에는 기억부(83)가 접속되어 있다. 기억부(83)는 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를, 프로세스 컨트롤러(81)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 처리 시스템(1)의 각 부에 처리를 실행시키기 위한 레시피가 저장된다. 레시피는, 예를 들면, 기억부(83)중의 기억 매체에 기억된다. 기억 매체는 하드 디스크나 반도체 메모리라도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대 가능한 것이어도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면, 전용 회선을 거쳐서 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 좋다. 레시피는 필요에 따라, 유저 인터페이스(82)로부터의 지시 등으로 기억부(83)로부터 판독되고, 판독된 레시피에 따른 처리를 프로세스 컨트롤러(81)가 실행함으로써, 처리 시스템(1) 및 반송 장치(7)가 프로세스 컨트롤러(81)의 제어 하에서 원하는 처리 및 제어가 실시된다.

제 1 실시형태에 따른 처리 시스템(1)이 구비하는 일괄식 처리 장치(3a, 3b) 중, 일괄식 처리 장치(3a)가, 본 발명의 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치이다. 물론, 일괄식 처리 장치(3b)로서는 제 1 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치를 이용해도 좋고, 기존의 일괄식 처리 장치를 이용해도 좋다. 이하, 일괄식 처리 장치(3a)에 대해, 상세하게 설명한다.

도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 일괄식 처리 장치(3a)는 챔버(31a)를 구비하고 있다. 이후, 이 챔버(31a)는 메인 챔버(31a)로 칭한다.

도 2 내지 도 3b에 나타내는 바와 같이, 메인 챔버(31a) 내에는 이 메인 챔버(31a)의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 피처리체(G)를 탑재하는 복수의 스테이지(101a, 10lb, …, 101x, 101y)와, 이들 스테이지(101a∼101y)마다 마련되고, 스테이지(101a∼101y)에 탑재된 피처리체(G)를 덮는 복수의 커버(102a, 102b, …, 102x, 102y)를 구비하고 있다.

본 예에서는 스테이지(101a∼101y)가 메인 챔버(31a)에 도시하지 않은 고정 수단에 의해서 고정되고, 커버(102a∼102y)가 메인 챔버(31a) 내에서 승강한다. 메인 챔버(31a) 내에는 커버(102a∼102y)를 일괄해서 승강시키기 위한, 예를 들면, 4개의 커버 승강 지주(103)가 마련되어 있다. 커버(102a∼102y)는 이들 커버 승강 지주(103)에 고정부(104)를 거쳐서 고정되어 있다. 커버 승강 지주(103)가 메인 챔버(31a)의 높이 방향으로 승강함으로써, 커버(102a∼102y)가 일괄해서 승강한다.

커버(102a∼102y)를 스테이지(101a∼101y)로부터 일괄해서 상승시키면, 스테이지(101a∼101y)가 메인 챔버(31a)의 내부 공간에 노출된다. 이에 따라, 피처리체(G)를, 스테이지(101a∼101y)의 피처리체 탑재면(105) 상에 수수하는 것이 가능한 상태로 된다. 도 3a에, 커버(102a∼102y) 중, 커버(102a∼102c)를 일괄해서 상승시킨 상태가 도시된다.

반대로, 커버(102a∼102y)를, 스테이지(101a∼101y)에 일괄해서 하강시켜, 스테이지(101a∼101y)와 커버(102a∼102y)를 기밀하게 맞닿게 하면, 스테이지(101a∼101y)의 피처리체 탑재면(105) 상 각각에 1개씩 탑재된 피처리체(G)의 각각을 둘러싸는, 메인 챔버(31a)의 내부공간보다도 용량이 작은 처리용 소공간(106)이 형성된다. 도 3b에, 커버(102a∼102y) 중, 커버(102a∼102c)를 일괄해서 하강시킨 상태가 도시된다.

스테이지(101a∼101y)의 가장자리부에는 픽(71)과의 사이에서 피처리체(G)를 수수하는 리프터(107)가 마련되어 있다. 본 예에서는, 예를 들면, 4개 마련되고, 각각 피처리체(G)의 가장자리의 부분을 지지한다. 메인 챔버(31a) 내에는 리프터(107)를 일괄해서 승강시키기 위한, 예를 들면, 4개의 리프터 승강 지주(108)가 마련되어 있다. 리프터(107)는 이들 리프터 승강 지주(108)에 고정부(109)를 거쳐서 고정되어 있다. 리프터 승강 지주(108)가 메인 챔버(31a)의 높이 방향으로 승강함으로써, 리프터(107)는 일괄해서 승강한다. 스테이지(101a∼101c)의 가장자리부에 마련된 리프터(107)를 일괄해서 상승시킨 상태를 도 4a에, 반대로 일괄해서 하강시킨 상태를 도 4b에 도시된다.

처리용 소공간(106)의 내부에는 도 1에 나타나는 바와 같이, 처리에 사용되는 가스가 가스 공급 기구, 예를 들면, 가스 박스(110)로부터 가스 공급관(111a∼111c)을 거쳐서 공급된다. 본 예에서는 가스 공급관의 개수는 3개로 하고 있지만, 처리용 소공간(106)의 내부에서 실행되는 처리에 따라 가스의 종류나 수가 변하기 때문에, 가스 공급관의 개수는 임의이다. 또한, 본 예의 일괄식 처리 장치(3a)는 ALD 성막을 상정한 것이다. 이 때문에, 예를 들면, 가스 공급관(111a)으로부터 제 1 전구체 가스, 가스 공급관(111b)으로부터 퍼지 가스, 가스 공급관(111c)으로부터 제 2 전구체 가스가 공급된다. 전구체 가스의 종류는 성막되는 막에 따라 다양하게 선택되지만, 예를 들면, 실리콘 산화막을 형성하는 경우에는 제 1 전구체 가스로서 실리콘 원료 가스, 제 2 전구체 가스로서 산화제를 포함하는 가스를 공급하면 좋다. 퍼지 가스는 불활성 가스이며, 예를 들면, 질소 가스이다.

또한, 처리용 소공간(106)의 내부는 배기 장치(112)에 의해 배기 덕트(113) 및 배기관(114)을 거쳐서 배기된다. 또한, 배기 장치(112)로서는 도 2에 나타낸 배기 장치(5)를 이용하는 것도 가능하다.

도 5에, 스테이지(101a)와 커버(102a)가 떨어진 상태의 사시도를 나타낸다. 또한, 그 밖의 스테이지(101b∼101y) 및 커버(102b∼102y)도 마찬가지의 구성이다. 여기서는 대표 예로서 스테이지(101a), 및 커버(102a)의 구성을 설명한다.

도 5에 나타내는 바와 같이, 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105)에는 하강된 리프터(107)가 수용되는 리프터 수용부(115)가 형성되어 있다. 리프터(107)가 강하했을 때, 리프터(107)가 리프터 수용부(115)에 수용됨으로써, 리프터(107)가 피처리체 탑재면(105)의 표면보다도 위로 돌출되지 않도록 할 수 있고, 피처리체(G)는 피처리체 탑재면(105)에 수평으로 탑재할 수 있다.

또한, 상기 피처리체 탑재면(105)의 둘레가장자리부의 일부에는 가스 공급관(111a∼111c)으로부터의 가스가 토출되는 가스 토출구멍 형성 영역(116)이 마련되어 있다. 도 6a에 가스 토출구멍 형성 영역 근방의 평면도를, 도 6a중의 VIB-VIB선을 따르는 단면을 도 6b에 나타낸다.

도 6a 및 도 6b에 나타내는 바와 같이, 가스 박스(110)로부터 연신된 가스 공급관(111a)은 스테이지(101a)의 근방에 있어서 피처리체(G)의 반입출 방향에 직교한 Ｘ방향으로 연장하고, 스테이지(101a)의 일단측에 접속된다. 또한, 가스 공급관(111a)은 스테이지(101a)의 내부에 있어서, X방향과 교차, 예를 들면 직교하는 Ｙ방향(피처리체(G)의 반입출 방향)으로 굴곡하고, 스테이지(101a)의 타단측을 향해 연장 형성된다. Y방향으로 연장 형성된 가스 공급관(111a)에는 상기 피처리체 탑재면(105)의 표면에 도달하는 복수의 가스 토출 구멍(117a)이 형성된다.

가스 공급관(111b)도 마찬가지로 X방향으로 연장하고, 스테이지(101a)의 단부 중앙에 접속된다. 가스 공급관(111b)은 스테이지(101a)의 내부에 있어서, 가스 공급관(111b)의 연장 형성 부분의 바로 앞에서 일단측 및 타단측으로 분기되고, 각각 Y방향을 따라 연장 형성된다. 가스 공급관(111b)의 Y방향으로 연장 형성된 가스 공급관(111b)에도, 상기 피처리체 탑재면(105)의 표면에 도달하는 복수의 가스 토출 구멍(117b)이 형성된다.

가스 공급관(111c)도 마찬가지로 X방향으로 연장하고, 스테이지(101a)의 타단측에 접속된다. 가스 공급관(111c)은 스테이지(101a)의 내부에 있어서, Y방향으로 굴곡하고, 가스 공급관(111a)과는 반대로, 스테이지(101a)의 일단측을 향해 연장 형성된다. Y방향으로 연장 형성된 가스 공급관(111c)의 부분에도, 상기 피처리체 탑재면(105)의 표면에 도달하는 복수의 가스 토출 구멍(117c)이 형성된다.

가스 공급관(111a∼111c)에 공급된 가스는 복수의 가스 토출 구멍(117a∼117c)으로부터 처리용 소공간(106)의 내부를 향해 토출된다.

본 예에 있어서, 가스 공급관(111a∼111c)은 리프터(107)에 의해 도중에 끊기는 일은 없으며, 리프터(107)의 아래쪽을 통과하여, 일단측에서 타단측에 걸쳐 연장 형성된다. 이에 따라, 처리용 소공간(106)의 내부로의 가스의 공급은 리프터(107) 사이로부터 뿐만 아니라, 리프터(107)와 일단측의 사이, 리프터(107)와 타단측의 사이로부터도 공급할 수 있다. 이에 따라, 처리용 소공간(106)의 내부에는 리프터(107) 사이로부터만 가스를 공급하는 경우에 비해, 더욱 균일한 가스의 공급이 가능해진다.

상기 피처리체 탑재면(105)의 가스 토출구멍 형성 영역(116)에 대응하는 측의 둘레가장자리부에는 배기 홈(118)이 마련되어 있다. 도 7a에 배기 홈 근방의 평면도를, 도 7a 중의 VIIB-VIIB선을 따르는 단면을 도 7b에 나타낸다.

배기 홈(118)은 스테이지(101a)의 일단측에서 타단측을 향해, Y방향을 따라 형성되어 있다. 스테이지(101a)의 단부 중앙, 예를 들면 리프터(107)사이의 부분에는 상기 배기관(114)에 접속된 배기 덕트(113)가 접속되어 있다. 배기 홈(118)은 가스 배기구(119)를 거쳐서 배기 덕트(113)에 접속되어 있다. 처리용 소공간(106)의 내부에 공급된 가스는 배기 홈(118)으로부터 흡입되고, 가스 배기구(119)를 거쳐서 배기 덕트(113)에 보내지며, 배기 덕트(113)로부터 배기관(114)을 거쳐서 배기된다.

본 예의 배기 홈(118)도 가스 공급관(111a∼111c)과 마찬가지로, 리프터(107)에서 도중에 끊기는 일 없이, 리프터(107)의 아래쪽을 통과하여, 일단측에서 타단측에 걸쳐 형성되어 있다. 이에 따라, 처리용 소공간(106)의 내부는 리프터(107) 사이만으로부터 배기하는 경우에 비해, 더욱 균일하게 배기하는 것이 가능하게 되어 있다.

처리용 소공간(106)이 형성되었을 때의 가스의 흐름은 도 8에 나타내는 바와 같이, 기판 탑재면(105)으로부터 가스 토출 구멍(117a∼117c)을 따라 수직 방향으로 가스가 토출되고, 커버(102a)에서 수평 방향으로 방향 전환되어 반대측의 배기 홈(118)을 향한다. 또한, 배기 홈(118)의 위쪽에서 재차 수직 방향으로 방향 전환되고, 가스 배기구(119)를 향해 배기되는 것으로 된다.

다음에, 피처리체(G)의 반입 반출 동작을 설명한다. 또한, 본 설명은 대표 예로서 스테이지(101a) 및 커버(102a)에 의해 형성되는 처리용 소공간(106)에의 반입 반출 동작을 설명하겠지만, 다른 스테이지(101b∼101y), 커버(102b∼102y)에 의해 형성되는 처리용 소공간에의 반입 반출 동작도 마찬가지이다.

도 9a 내지 도 9f는 피처리체(G)의 반입 반출 동작의 일예를 나타내는 단면도이다.

우선, 도 9a에 나타내는 바와 같이, 커버(102a)를 픽(71)이 진입 가능하게 되는 위치까지 상승시킨다.

다음에, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 피처리체(G)를 지지한 픽(71)을, 공통 반송실(4)의 내부로부터 메인 챔버(31a) 내의 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105)의 위쪽으로 진출시킨다.

다음에, 도 9c에 나타내는 바와 같이, 리프터(107)를 상승시키고, 피처리체(G)를 픽(71)으로부터 수취한다.

다음에, 도 9d에 나타내는 바와 같이, 리프터(107)가 피처리체(G)를 수취했으면, 픽(71)을 공통 반송실(4)의 내부로 후퇴시킨다.

다음에, 도 9e에 나타내는 바와 같이, 리프터(107)를 하강시키고, 피처리체(G)를, 피처리체 탑재면(105) 상에 탑재한다.

마지막으로, 도 9f에 나타내는 바와 같이, 커버(102a)를 하강시키고, 커버(102a)와 스테이지(101a)를 기밀하게 맞닿게 한다. 이에 따라, 피처리체(G)의 주위에, 처리용 소공간(106)이 형성된다.

이러한 일괄식 처리 장치(3a)에 의하면, 피처리체(G)를 둘러싸는, 용량이 작은 처리용 소공간(106)이 형성됨으로써, 예를 들면, 메인 챔버(31a)에 복수의 피처리체(G)를 노출시키는 경우에 비해, 성막에 관여하지 않는 처리 가스의 양을 줄일 수 있어, 처리 가스의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 처리용 소공간(106)은 메인 챔버(31a)보다도 용량이 작으므로, 처리용 소공간(106)에의 가스 공급, 및 가스 배기는 메인 챔버(31a)에의 가스 공급, 및 가스 배기에 비해, 더욱 단시간에 끝낼 수 있다. 이 때문에, 가스 공급, 가스 배기에 요하는 시간도 단축 가능하고, 택트 타임(tact time)을 짧게 설정할 수 있다. 택트 타임을 짧게 설정할 수 있는 결과, 또한, 스루풋이 양호한 일괄식 처리 장치를 얻을 수 있다.

또한, 처리용 소공간(106)은 용량이 작기 때문에, 예를 들면, 현재, 730㎜×920㎜∼2200㎜×2500㎜의 크기를 갖는 유리 기판에도, ALD법의 채용이 가능하게 된다고 하는 이점도 얻을 수 있다.

다음으로, 일괄식 처리 장치(3a)의 몇 가지 변형예를 설명한다.

(제 1 변형예: 기밀성의 개선)

도 10a는 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 평면도, 도 10b는 도 10a 중의 XB-XB선을 따르는 단면도이다.

상기의 스테이지(101a)와 커버(102a)의 사이의 기밀성을 높이기 위해, 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105)측 표면에, 밀봉 부재, 예를 들면, O링(120)을 마련해도 좋다. O링(120)은 커버(102a)와 스테이지(101a)와의 맞닿음면과 맞닿는다. 또한, 제 １ 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3c)에 있어서는, 특히, 도 10b에 나타내는 바와 같이, O링(120)과 처리용 소공간(106) 사이에 환상의 홈(121)을 마련하고 있다. 커버(102a)는 O링(120) 및 환상의 홈(121)의 위쪽을 덮으면서 스테이지(101a)와 맞닿는다.

환상의 홈(121)은 가스 공급관(122)에 접속되어 있다. 가스 공급관(122)에는, 예를 들면, 가스 박스(110)로부터 불활성 가스, 예를 들면, 질소(N₂) 가스가 공급되고, 공급된 질소 가스는 환상의 홈(121)의 내부로 보내진다. 환상의 홈(121)에 보내진 질소 가스는 배기관(114) 및/또는 배기관(114)과는 별도로 마련된 배기관(114a)을 거쳐, 예를 들면, 배기 장치(112)에 의해 배기된다.

환상의 홈(121)을 흐르는 질소 가스는 처리용 소공간(106)으로부터 스테이지(101a)와 커버(102a)의 매우 좁은 간극으로부터 새어 나오려는 가스를 처리용 소공간(106)에 되돌리거나, 환상의 홈(121)에 끌어 들이고, 질소 가스와 함께 배기관(114) 및/또는 배기관(114a)을 거쳐서 배기하는 역할을 한다.

이와 같이, 스테이지(102a)의 피처리체 탑재면(105)측 표면에, 밀봉부재, 본 예에서는 O링(120)을 마련함으로써 스테이지(101a)와 커버(102a)의 사이의 기밀성을 높일 수 있다. 또한, O링(120)에 추가로, O링과 처리용 소공간(106)의 사이에 환상의 홈(121)을 마련하고, 환상의 홈(121)에 불활성 가스를 흘린다. 이에 따라, 스테이지(101a)와 커버(102a) 사이의 기밀성을 더욱 높일 수 있다.

또한, 환상의 홈(121)에 불활성 가스를 흘리는 것에 의해, 처리용 소공간(106) 내의, 예를 들면 화학반응성을 갖는 분위기가 O링(120)에 직접 접촉하는 것도 억제된다. 이 때문에, 밀봉부재, 예를 들면, O링(120)의 시간 경과에 다른 열화의 진행이 억제되고, O링(120)의 교환 빈도를 줄일 수 있다고 하는 이점도 얻을 수 있다.

또한, 상기 제 1 변형예에 있어서는 O링(120)과 병용해서 홈(121)을 마련했지만, O링(120)을 마련하지 않고 홈(121)만을 마련하도록 해도 좋다. 이 경우, 홈(121)으로부터 공급되는 질소 가스가 처리용 소공간(106)과 메인 챔버 내로 분기해서 흐르는 것에 의해, 처리용 소공간(106)과 메인 챔버 내가 분리되는 효과를 얻을 수 있다.

(제 2 변형예: 처리용 소공간의 형성 예)

도 11a 내지 도 11c는 처리용 소공간의 형성 예를 나타내는 단면도이다.

도 11a에 나타내는 예는 상술한 일괄식 처리 장치(3a)이다. 일괄식 처리 장치(3a)에 있어서, 스테이지(101a)는 평탄하고, 커버(102a)에, 처리용 소공간(106)을 형성하는 오목부(130a)가 형성되어 있다.

이 타입에서는 도 8을 참조해서 설명한 바와 같이, 처리용 소공간(106)에의 가스 공급 및 가스 배기가, 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105)을 거친다.

도 11b에 나타내는 일괄식 처리 장치(3d)는 반대로, 커버(102a)가 평탄하고, 스테이지(101a)에, 처리용 소공간(106)을 형성하는 오목부(130b)를 마련한 예이다.

이 타입에서는 처리용 소공간(106)에의 가스 공급 및 가스 배기를, 스테이지(101a)의 오목부(130b)의 측면을 거쳐서 실행하는 것이 가능해진다. 이 경우, 예를 들면, 가스 토출 구멍(117)은 오목부(130b)의 1측면에, 가스 배기구(119)는 오목부(130b)의 상기 1측면과 마주보는 다른 측면에 마련된다.

이와 같이 가스 토출 구멍(117) 및 가스 배기구(119)를 서로 마주보는 오목부(130b)의 측면에 마련하면, 가스 공급관(111)으로부터 공급되는 가스의 흐름이, 처리용 소공간(106)의 내부에 있어서, 가스 토출 구멍(117)으로부터 가스 배기구(119)까지 진행 방향을 바꾸는 일이 없다. 이 때문에，처리용 소공간(106)의 내부에, 처리에 사용하는 가스를 층류로 형성하기 쉽다고 하는 이점을 얻을 수 있다. 또한, 처리용 소공간(106)의 내부를 흐르는 가스가 층류로 되는 것에 의해서, 예를 들면, 성막되는 박막의 막두께 및 막질의 제어성을 더욱 높일 수 있다고 하는 이점도 얻을 수 있다.

도 11c에 나타내는 일괄식 처리 장치(3e)는 스테이지(101a) 및 커버(102a)의 쌍방에, 처리용 소공간(106)을 형성하는 오목부(130a, 130b)를 마련한 예이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)을 형성하는 오목부(130a, 130b)는 스테이지(101a) 및 커버(102a)의 쌍방에 마련하는 것도 가능하다.

(제 3 변형예: 커버 고정, 스테이지 승강)

제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치가 제 1 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 다른 점은 커버(102a∼102y)가 메인 챔버(31a) 내에 고정되며, 스테이지(101a∼101y)가 일괄해서 승강하는 것이다.

도 12a는 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지를 하강시킨 상태를 나타내는 도면, 도 12b는 스테이지를 상승시킨 상태를 나타내는 도면이다.

도 12a 및 도 12b에 나타내는 바와 같이, 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3f)의 메인 챔버 내에는 스테이지(101a∼101y)를 일괄해서 승강시키기 위한, 예를 들면 4개의 스테이지 승강 지주(140)가 마련되어 있다. 커버(102a∼102y)는 도시하지 않은 고정 수단에 의해 메인 챔버(31a)에 고정되어 있다. 스테이지(101a∼101y)는 이들 스테이지 승강 지주(140)에 고정부(141)를 거쳐서 고정되어 있다. 스테이지 승강 지주(140)가 메인 챔버의 높이 방향으로 승강함으로써, 스테이지(101a∼101y)가 일괄해서 승강한다. 또한, 도 12a 및 도 12b에는 스테이지(101a∼101y) 중, 스테이지(101a∼101c)를 일괄해서 승강시킨 상태가 나타나 있다.

리프터(107)가 스테이지(101a∼101y) 각각의 가장자리부에 형성되어 있는 경우에는 스테이지(101a∼101y)의 승강과 연동해서 리프터(107)도 승강한다. 리프터(107)만을 승강시킬 때에는, 예를 들면, 스테이지(101a∼101c)가 하강한 상태에서, 리프터 승강 지주(108)를 승강시킨다. 도 13에는 스테이지(101a∼101c)가 하강한 상태에서, 리프터(107)를 상승시킨 상태가 나타나 있다. 또한, 리프터(107)와 스테이지(101a∼101c)를 같이 하강시키고, 리프터(107)를 피처리체(G)의 수수 위치에서 정지시킨 후, 스테이지(101a∼101c)를 또한 하강시키도록 해도 좋다. 이에 따라, 리프터(107)를 스테이지(101a∼101c)로부터 상승시킨 경우와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

제 3 변형예와 같이, 커버(102a∼102y)를 메인 챔버(31a) 내에 고정시키고, 스테이지(101a∼101y)를 일괄해서 승강시키도록 한 경우에는 커버(102a∼102y)가 움직이지 않기 때문에, 가스 토출 구멍(117) 및 가스 배기구(119)를 커버(102a∼102y)에 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.

그리고, 가스 토출 구멍(117) 및 가스 배기구(119)를 커버(102a∼102y)에 형성하는 것에 의하면, 가스 토출 방식을, 피처리체(G)의 피처리면에 대해 수직 방향으로부터 가스를 토출하는 수직 가스 토출 방식(소위 가스 샤워), 및 피처리체(G)의 피처리면에 대해 수평 방향으로부터 가스를 토출 하는 수평 가스 토출 방식 중 어느 하나를 선택할 수 있다. 도 14에 수직 가스 토출 방식의 일예를 나타내고, 도 15에 수평 가스 토출 방식의 일예를 나타낸다.

도 14에 나타내는 바와 같이, 일괄식 처리 장치(3f-1)의 커버(102a-1)는 처리용 소공간(106)을 형성하는 오목부(130a)를 갖고, 또한 그 내부에 가스 확산 공간(150)을 구비하고 있다. 가스 확산 공간(150)은 가스 공급관(111)에 접속되어 있으며, 가스 공급관(111)으로부터 처리에 사용되는 가스가 공급된다. 커버(102a-1)의 피처리체(G)에 면한 표면에는 복수의 가스 토출 구멍(117)이 형성되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(117)은 가스 확산 공간(150)과 처리용 소공간(106)에 각각 연통되고, 예를 들면, 피처리체(G)의 평면형상에 맞추어 격자형상으로 커버(102a-1)에 형성되어 있다.

또한, 복수의 가스 토출 구멍(117)의 배치는 격자형상에 한정되지 않고, 처리 내용에 맞는 적절한 가스 분포를 얻는 것에 적합한 다양한 형태를 선택할 수 있다.

또한, 일괄식 처리 장치(3f-1)는 처리용 소공간(106) 내의 배기를, 도 2에 나타낸 메인 챔버 내를 배기하는 배기구(32)를 거쳐서 실행한다. 이 때문에, 커버(102a-1)는 스테이지(101a)에 완전히 맞닿는 것은 아니고, 배기용 클리어런스(151)를 갖고 스테이지(101a)와의 사이에 처리용 소공간(106)을 형성한다. 처리용 소공간(106) 내의 분위기는 배기용 클리어런스(151)를 거쳐서 메인 챔버 내에 배기되고, 또한, 메인 챔버에 형성된 배기구(32)를 거쳐서 배기된다.

또한, 도 15에 나타내는 바와 같이, 일괄식 처리 장치(3f-2)의 커버(102a-2)도 또한, 처리용 소공간(106)을 형성하는 오목부(130a)를 갖고 있다. 가스 토출 구멍(117)은 오목부(130a)의 1측면에 마련되고, 가스 배기구(119)는 오목부(130a)의 상기 1측면의 반대 측면에 마련된다. 본 예의 경우는 커버(102a-2)는 스테이지(101a)에 기밀하게 맞닿는다. 처리용 소공간(106) 내의 배기는 가스 배기구(119)로부터 배기 덕트(113) 및 배기관(114)을 거쳐서 배기된다.

일괄식 처리 장치(3f-2)에 있어서도 일괄식 처리 장치(3f-1)와 마찬가지로, 커버(102a-2)와 스테이지(101a) 사이에 배기용 클리어런스를 마련하고, 처리용 소공간(106)의 배기를 상기 배기용 클리어런스를 통해 배기구(32)로부터 배기해도 좋다.

이와 같이, 제 3 변형예에 따르면, 스테이지(101a∼101y)를 승강 가능하게 하고, 커버(102a∼102y)를 메인 챔버 내에 고정시키므로, 가스 토출 방식을, 수직 가스 토출 방식 및 수평 가스 토출 방식의 어느 하나를 선택할 수 있어, 가스 공급 방식의 선택의 자유도가 향상한다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

(제 4 변형예: 핀형상 리프터)

도 16a는 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 리프터를 하강시킨 상태를 나타내는 도면, 도 16b는 리프터를 상승시킨 상태를 나타내는 도면이다. 또한, 도 16a 및 도 16b는 스테이지(101a∼101y), 커버(102a∼102y) 중 스테이지(101a), 커버(102a)만을 나타내고 있다.

도 16a 및 도 16b에 나타내는 바와 같이, 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3g)가 제 1 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 다른 점은 리프터(107)가 핀형상 리프터(160)이고, 피처리체(G)의 둘레가장자리부를 지지하는 것이 아니라, 피처리체(G)의 면내의 복수 지점을 점형상으로 지지하는 것이다.

이와 같이 리프터는 핀형상 리프터(160)로 치환하는 것도 가능하며, 제 1∼3 변형예에도 마찬가지로 적용할 수 있다.

또한, 도 17에 나타내는 바와 같이, 리프터로서 핀형상 리프터(160)를 이용한 경우, 처리용 소공간(106)과 메인 챔버의 사이에, 스테이지(101a)에 형성된 핀형상 리프터 수용부(161)와 핀형상 리프터(160)의 사이의 작은 클리어런스를 지나는 새로운 가스 리크 패스(gas leak path)(162)가 형성되게 된다.

그래서, 가스 리크 패스(162)를 차단하기 위해, 핀형상 리프터 수용부(161)와, 핀형상 리프터(160)의 예를 들면 헤드부 하면(163)의 사이에, 밀봉부재, 예를 들면 O링(164)을 마련하도록 해도 좋다. O링(164)을 마련함으로써, 상기 약간의 클리어런스를 거친 가스 리크 패스(162)를 거친 가스 리크를 억제할 수 있다.

(제 5 변형예: 피처리체 승강 기구의 삭감)

또한, 리프터로서 핀형상 리프터(160)를 이용하면, 리프터를 승강시키는 피처리체 승강 기구, 예를 들면, 제 1 실시형태에서는 리프터 승강 지주(108) 및 리프터 승강 지주(108)를 구동하는 기구를, 일괄식 처리 장치로부터 삭감할 수 있다고 하는 이점도 얻을 수 있다.

도 18a는 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 커버를 상승시킨 상태를 나타내는 도면, 도 18b는 커버를 하강시킨 상태를 나타내는 도면이다. 또한, 도 18a 및 도 18b는 스테이지(101a∼101y)에 마련된 핀형상 리프터(160) 중, 스테이지(101a∼101c)에 마련된 핀형상 리프터(160)를 일괄해서 승강시킨 상태를 나타내고 있다.

도 18a 및 도 18b에 나타내는 바와 같이, 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3h)는 피처리체 승강 기구인 리프터가, 스테이지(101a∼101c)에 마련된 핀형상 리프터 수용부(161)를 관통해서 스테이지에 움직일 수 있도록 매달리는 핀형상 리프터(160)를 갖는다. 또한, 커버(102a∼102c)를 상승시켰을 때, 핀형상 리프터(160)의 하단이 아래쪽에 있는 커버(102a∼102c)의 상면에 맞닿는다. 이에 따라, 핀형상 리프터(160)는 커버(102a∼102c)의 상승에 따라 상승한다.

또한, 도 18a에 나타내는 상태로부터, 커버를 하강시키면, 핀형상 리프터(160)의 하단이 아래쪽에 있는 커버(102a∼102c)의 상면으로부터 멀어지는 동시에, 핀형상 리프터(160)는 핀형상 리프터 수용부(161)에 수용된다.

이와 같이 제 5 변형예에 따르면, 핀형상 리프터(160)를 승강 구동하는 피처리체 승강 기구를, 커버를 승강하는 커버 승강 기구와 연동시킨다. 예를 들면, 본 예에서는 핀형상 리프터(160)를 커버(102a∼102c)의 승강에 따라 승강시킴으로써, 리프터를 승강시키는 피처리체 승강 기구, 예를 들면 리프터 승강 지주(108), 및 리프터 승강 지주(108)를 구동하는 기구를, 일괄식 처리 장치로부터 삭감할 수 있다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

일괄식 처리 장치로부터 피처리체 승강 기구를 삭감하는 것에 의하면, 메인 챔버의 용량의 저하와 함께, 메인 챔버 내에서 구동계가 없어지기 때문에, 파티클의 발생을 억제할 수 있다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

물론, 메인 챔버 내에서 구동계가 없어지므로, 일괄식 처리 장치의 제조 비용도 억제할 수 있다.

(제 2 실시형태)

제 1 실시형태에서는 가스 공급 기구를 스테이지(101a∼101y), 및 커버(102a∼102y) 중, 고정된 쪽에 마련하도록 하고 있었다.

제 2 실시형태는 가스 공급 기구를 스테이지(101a∼101y) 및 커버(102a∼102y) 중 승강 가능한 쪽에 마련되도록 한 예이다.

도 19는 본 발명의 제 2 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버와 그 근방을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 19에 있어서는 커버(102a∼102y) 중, 커버(102a)만을 나타낸다.

도 19에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3i)가 제 1 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 특히 다른 점은 커버(102a∼102y)를 일괄해서 승강시키는 커버 승강 지주(103)의 내부 및 고정부(104)의 내부에 가스 공급관(111)을 형성한 것에 있다.

이와 같이, 커버 승강 지주(103)의 내부 및 고정부(104)의 내부에 가스 공급관(111)을 형성함으로써, 가스 공급관(111) 및 가스 토출 구멍(117)을 포함하는 가스 공급 기구를 승강 가능한 커버(102a∼102y)에 마련할 수 있다.

또한, 본 예에서는 커버(102a)를, 도 14에 나타낸 커버(102a-1)와 마찬가지인 수직 가스 토출 방식(가스 샤워)으로서 구성하고 있다. 또한, 스테이지(101a∼101y)는 고정이다. 이 때문에, 처리용 소공간(106)에의 가스 토출 방식에 대해서는 수직 가스 토출 방식을 채용하고, 처리용 소공간(106)으로부터의 가스 배기 방식에 대해서는 피처리체 탑재면(105)의 표면으로부터 배기 홈(118), 가스 배기구(119)를 거쳐서 가스를 흡인하는 방식으로 하는 것이 가능하다.

또한, 본 예의 배기 홈(118)은 제 1 실시형태와 같이, 스테이지(101a)의 1변을 따라 1개의 선형상으로 형성되는 것은 아니고, 스테이지(101a) 상에 탑재된 피처리체(G)의 둘레를 둘러싸도록 환상으로 형성할 수 있다. 스테이지(101a)의 내부로부터, 예를 들면, 도 6에 나타낸 바와 같은 가스 공급관(111a∼111c)이 없어지기 때문이다.

처리용 소공간(106)에의 가스 토출 방식을 수직 가스 토출 방식(가스 샤워)으로서 구성한 경우, 처리용 소공간(106)으로부터의 가스 배기 방식은 환상으로 형성된 배기 홈(118)을 이용해서 배기하면, 처리용 소공간(106)으로부터의 배기의 균일화를 촉진할 수 있다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

(제 3 실시형태)

도 20에 제 3 실시형태를 나타낸다. 제 3 실시형태가 제 1 실시형태, 제 2 실시형태와 다른 점은 고정부(104)를 통해 스테이지(101a)에 공급된 가스가 스테이지(101a)와 커버(102a)사이의 접촉부의 가스 통로로부터 커버(102a)에 공급되고, 커버(102a)에 마련된 가스 샤워로부터 복수의 가스 토출 구멍(117)을 통해 처리용 공간(106)에 공급되는 점이다. 처리용 공간(106)으로부터의 가스의 배기는 스테이지(101a)에 배기구(도시하지 않음)를 마련해서 배기해도 좋고, 커버(102a)와 스테이지(101a)의 간극을 통해 배기해도 좋다. 단, 커버(102a)와 스테이지(101a)의 접촉부의 가스 통로가 마련되어 있는 지점에는 가스 통로를 둘러싸도록 시일 부재로 기밀성을 유지할 필요가 있다.

제 3 실시형태에 따르면, 피처리체(G)를 탑재한 스테이지(101a)가 고정되어 있으므로 구동 기구에의 부하가 적고, 또한 피처리체(G)를 파손할 위험성이 적은 동시에, 승강시키는 커버로부터 샤워헤드에서 가스를 공급할 수 있으므로 피처리체(G)를 균일하게 처리할 수 있다.

(제 3 실시형태; 변형예)

도 21에 제 3 실시형태의 변형예를 나타낸다. 제 3 실시형태의 변형예에 있어서는 스테이지(101a)로부터 커버(102a)에 공급된 가스는 샤워헤드가 아닌 단일의 가스 도입 구멍으로부터 처리용 공간(106)에 공급된다. 이 때, 공급된 가스는 커버(102a)의 오목부에 충전되기 때문에, 가스 도입구가 편재하는 것에 의해 발생하는 가스 분포의 편차가 완화되어 피처리체(G)에 공급된다. 도 21에 있어서는 처리용 공간(106)으로부터의 배기는 배기관(114)을 통해 실행되지만, 커버(102a)와 스테이지(101a)의 간극으로부터 배기되는 구성으로 해도 좋다.

또한, 상기 제 1 실시형태, 제 2 실시형태, 제 3 실시형태에 있어서는 스테이지(101a∼101y)에 온도 조절 기구를 마련해도 좋다. 온도 조절 기구에는 저항 히터 등의 히터에 의한 가열 기구를 이용할 수 있다. 또한, 다른 온도 조절 기구로서는 스테이지(101a∼101y)의 내부에 온도 조절 매체를 유통시키는 유로를 마련하고, 외부 냉각기로부터 소정의 온도로 조정된 온도 조절 매체를 유통시키는 것에 의해 냉각 혹은 가열 또는 그 모두를 적절히 전환할 수 있는 기구를 이용할 수 있다. 히터에 의한 가열 기구와 온도 조절 매체에 의한 온도 조절 기구를 병용해도 좋다.

온도 조절 매체를 이용한 온도 조절 기구의 경우는 외부로부터 온도 조절 매체를 공급하는 공급관을 접속하기 위해 스테이지(101a∼101y)가 고정되어 있는 구성에 있어서 더욱 바람직하게 이용되지만, 저항 히터를 이용한 가열 기구의 경우는 저항 히터에 전력을 공급하는 도전선을 배치하는 것만으로 충분하기 때문에, 스테이지(101a∼101y)를 고정시키는 구성에 있어서도 승강시키는 구성에 있어서도 바람직하게 이용할 수 있다.

또한, 온도 조절 기구는 스테이지(101a∼101y)를 일괄로 온도 제어할 수 있는 기구이어도 좋고, 각각의 스테이지를 개별적으로 독립해서 온도 제어할 수 있는 기구이어도 좋다. 개별적으로 독립해서 온도 제어할 수 있는 기구의 경우, 스테이지의 상단 및 하단과, 중간부에서 온도가 다른 것을 방지하여 모든 스테이지에 있어서 균일한 온도로 피처리체(G)를 처리할 수 있다.

(제 4 실시형태)

도 22는 본 발명의 제 4 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도, 도 23a 및 도 23b는 도 22 중의 XXIII-XXIII선을 따르는 단면도이다. 또한, 도 23a는 커버를 연 상태를 나타내고, 도 23b는 커버를 닫은 상태를 나타내고 있다.

도 22, 도 23a 및 도 23b에 나타내는 바와 같이, 제 4 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3k)가 제 1 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 특별히 다른 점은 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105) 상에 돌기물, 본 예에서는 방해판(170)을 더 마련한 것이다. 방해판(170)이 마련된 것 이외는 제 1 실시형태와 대략 마찬가지이다. 본 예의 방해판(170)은, 예를 들면, 배기 홈(118)을 따라, 처리용 소공간(106)중의 가스의 흐름에 교차, 예를 들면, 직교하는 방향으로 연장하고, 피처리체 탑재면(105)을 횡단하도록 형성되어 있다(도 23a 참조). 또한, 방해판(170)의 높이는 처리용 소공간(106)의 높이보다 낮게 설정되어 있다. 이에 따라, 스테이지(101a)와 커버(102a)가 맞닿아 처리용 소공간(106)이 형성되었을 때, 처리용 소공간(106)의 내부에는 본 예에서는 오목부(130a)의 내면과 방해판(170)의 상면의 사이에 슬릿형상의 간극이 형성된다(도 22 및 도 23b 참조). 슬릿형상의 간극은, 예를 들면, 처리용 소공간(106)중의 가스의 흐름에 교차, 예를 들면 직교하는 방향으로 형성되고, 처리용 소공간(106)과 배기 홈(118)을 연통시킨다. 이에 따라, 처리용 소공간(106) 내에 공급된 가스는 처리용 소공간(106)으로부터 배기 홈(118)을 향해 슬릿형상의 간극을 거쳐서 배기된다. 슬릿형상의 간극에 의해, 처리공간(106) 내에 공급된 가스를 직접 배기 홈(118)에 인입하는 경우에 비해, 처리공간(106) 내에 균일하게 하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 슬릿형상의 간극은, 방해판(170)의 높이를 조정하는 것 등을 통해, 슬릿형상의 간극의 크기를 적절히 조정하는 것에 의해, 처리용 소공간(106) 내의 가스의 흐름을, 예를 들면, 층류가 되도록 정류하는 정류부(171)로서 기능시킬 수 있다.

도 24a 및 도 24b는 각각, 배기 홈(118) 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다. 도 24a에 나타내는 예는 방해판(170)이 없는 경우, 도 24b는 방해판(170)이 있는 경우를 나타내고 있다.

도 24a에 나타내는 바와 같이, 방해판(170)이 없는 경우에는 처리용 소공간(106)에 공급된 가스는 큰 배기 홈(118)에 그대로 인입된다.

이에 반해, 도 24b에 나타내는 바와 같이, 방해판(170)이 있는 경우에는 본 예에서는 슬릿형상의 간극으로 되는 정류부(171)가 형성된다. 정류부(171)의 콘덕턴스는 방해판(170)이 없는 경우에 비해 작다. 콘덕턴스를 작게 하는 것에 의해서, 처리용 소공간(106)에 공급된 가스는 방해판(170)이 없는 경우에 비해, 정류부(171)에 의해 유량이 제한된다.

이와 같이 처리용 소공간(106)의 내부에 정류부(171)를 마련하고, 유량을 제한함으로써, 처리용 소공간(106)의 내부의 가스에 대해 정류작용을 미치게 할 수 있다. 이 정류작용을 이용함으로써, 처리용 소공간(106)의 내부에는 층류로 되는 가스의 흐름을 더욱 균일하게 형성하는 것이 가능해진다.

이러한 제 4 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3k)에 의하면, 처리용 소공간(106)의 내부에 정류부(171)를 구비함으로써, 더욱 균일한 층류의 가스의 흐름을 처리용 소공간(106)의 내부에 형성할 수 있고, 방해판(170)이 없는 경우에 비해, 피처리체(G) 상에 성막되는 박막의 막두께 및 막질의 제어성을 더욱 향상시킬 수 있다. 그리고, 이 이점과 함께, 막두께 및 막질의 피처리체(G)면 내에 있어서의 면내 균일성도 더욱 향상시킬 수 있다는 이점을 얻을 수 있다.

(제 4 실시형태: 제 1 변형예)

도 25는 제 4 실시형태의 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 25에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-1)가 도 22 등에 나타낸 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)와 특별히 다른 점은 처리용 소공간(106)을, 스테이지(101a)에 마련된 오목부(130b)와, 커버(102a)에 마련된 오목부(130a)에 의해서 형성한 것에 있다. 그 이외의 점은 상기 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)와 대략 마찬가지이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)을 형성하기 위한 오목부(도 25중에서는 참조 부호 '130a', '130b')를 스테이지(101a) 및 커버(102a)의 모두에 형성한 일괄식 처리 장치(3k-1)에서도 방해판(170)을 마련하는 것이 가능하다. 그리고, 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-1)에 있어서도, 상기 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)와 마찬가지의 이점을 얻을 수 있다.

(제 4 실시형태: 제 2 변형예)

도 26은 제 4 실시형태의 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 26에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-2)가 도 22 등에 나타낸 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)와 특별히 다른 점은 커버(102a)를 평탄하게 하고, 스테이지(101a)에 대해 처리용 소공간(106)을 형성하기 위한 오목부(130b)를 형성한 것에 있다. 그 이외의 점은 상기 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)와 대략 마찬가지이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)을 형성하기 위한 오목부(도 26 중에서는 참조 부호 ‘130b’)를 스테이지(101a)에 대해서만 형성한 일괄식 처리 장치(3k-2)에서도 방해판(170)을 마련하는 것이 가능하다.

(제 4 실시형태: 제 3 변형예)

도 27은 제 4 실시형태의 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 27에 나타내는 바와 같이, 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-3)가 도 26에 나타낸 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-2)와 특별히 다른 점은 도 11b 및 도 11c에 나타낸 제 1 실시형태의 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3d, 3e)와 마찬가지로, 처리용 소공간(106)에의 가스 공급 및 가스 배기를, 스테이지(101a)의 오목부(130b)의 측면을 거쳐서 실행하도록 한 것이다. 그 이외의 점은 상기 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)와 대략 마찬가지이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)에의 가스 공급 및 가스 배기를 스테이지(101a)의 오목부(130b)의 측면을 거쳐서 실행하도록 한 일괄식 처리 장치(3k-3)에서도 방해판(170)을 마련하는 것이 가능하다. 그리고, 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-3)에 있어서도, 상기 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3k)나 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-2) 등과 마찬가지의 이점을 얻을 수 있다.

(제 4 실시형태: 제 4 변형예)

도 28은 제 4 실시형태의 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 28에 나타내는 바와 같이, 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-4)가 도 27에 나타낸 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-3)와 특별히 다른 점은 방해판(170)을, 피처리체 탑재면(105) 상이 아닌, 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상에 마련한 것이다. 이에 따라, 제 3 변형예에 있어서는 정류부(171)가 방해판(170)의 상면과 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면의 사이에 형성되어 있던 점이, 제 4 변형예에 있어서는 정류부(171)가 방해판(170)의 하면과 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105)의 사이에 형성되게 된다.

이와 같이 방해판(170)은 피처리체 탑재면(105) 상에 한정되지 않고, 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상에 마련하는 것도 가능하다. 그리고, 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-4)에 있어서도, 상기 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-3) 등과 마찬가지의 이점을 얻을 수 있다.

또한, 제 4 변형예에 의한 이점의 하나로서, 이하의 이점을 들 수 있다.

예를 들면, 도 27에 나타낸 제 3 변형예와 같이, 정류부(171)를 방해판(170)의 상면과 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면의 사이에 형성한 경우, 정류부(171)의 위치가, 피처리체(G)에서 보아 너무 높으면, 처리에 사용되는 가스가 피처리체(G)의 피처리면 위쪽을 그대로 지나쳐 버리거나, 혹은 피처리면 위쪽에 있어서 가스의 농도가 낮아져 버릴 가능성이 있다.

이러한 문제점은 제 4 변형예를 이용하고, 정류부(171)를 방해판(170)의 하면과 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105)의 사이에 형성되도록 함으로써 해소할 수 있다.

또한, 제 4 변형예는 도 22 등에 나타낸 제 4 실시형태의 일예, 도 25에 나타낸 제 4 실시형태의 제 1 변형예, 도 26에 나타낸 제 4 실시형태의 제 2 변형예에 대해서도, 마찬가지로 적용하는 것이 가능하다.

(제 4 실시형태: 제 5 변형예)

도 29는 제 4 실시형태의 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 29에 나타내는 바와 같이, 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-5)가 도 27에 나타낸 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-3)와 특별히 다른 점은 방해판(170a, 170b)을 피처리체 탑재면(105) 상(참조 부호 ‘170a’) 및 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상(참조 부호 ‘170b’)의 각각에 마련한 것이다. 이에 따라, 제 5 변형예에 있어서는 정류부(171)는 방해판(170a)의 상면과 방해판(170b)의 하면의 사이에 형성되게 된다.

이와 같이 방해판(170a, 170b)은 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105) 상과, 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상의 쌍방에, 각각 마련하는 것도 가능하다. 그리고, 제 5 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-5)에 있어서도, 상기 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3k-3) 등과 마찬가지의 이점을 얻을 수 있다.

또한, 제 5 변형예에 따르면, 제 4 변형예와 마찬가지로, 처리에 사용되는 가스가, 피처리체(G)의 피처리면 위쪽을 그대로 통과하거나, 피처리면 위쪽에 있어서의 가스의 농도가 저하해 버리는 바와 같은 가능성을 해소할 수 있다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

또한, 제 5 변형예에 따르면, 방해판(170a, 170b)을 스테이지(101a)의 피처리체 탑재면(105) 상과 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상에 각각 마련하므로, 제 3 변형예나 제 4 변형예에 비해, 정류부(171)의 위치를, 피처리체(G)의 피처리면 위쪽의 근방에 설정하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 처리용 소공간(106)에 균일한 층류의 가스의 흐름을 형성하기 쉬운 것에 부가해서, 가스의 농도를 더욱 정확하게 제어하는 것도 가능해진다. 가스의 농도를 더욱 정확하게 제어할 수 있으면, 박막의 막두께 및 막질의 제어성 및 피처리체(G)에 있어서의 면내 균일성의 향상에 부가해서, 예를 들면, 성막속도의 제어도 가능해진다고 하는 새로운 이점에 대해서도 얻을 수 있다. 따라서, 제 5 변형예에 따르면, 성막속도의 제어도 가능해짐으로써, 예를 들면, 스루풋의 향상에도 유리하다고 하는 이점도 얻을 수 있다.

또한, 제 5 변형예는 도 22 등에 나타낸 제 4 실시형태의 일예, 도 25에 나타낸 동 제 1 변형예, 도 26에 나타낸 동 제 2 변형예에 대해서도, 마찬가지로 적용하는 것이 가능하다.

또한, 상술한 제 4 실시형태의 일예, 및 제 4 실시형태의 제 1 변형예∼제 5 변형예는 제 1 실시형태의 일예, 및 제 1 실시형태의 제 1 변형예∼제 5 변형예, 제 2 실시형태의 일예, 및 제 3 실시형태의 일예 및 변형예의 어디에도 적용하는 것이 가능하다.

(제 5 실시형태)

도 30은 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 참고예로서 나타내는 단면도이다.

도 30에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 같이, 처리에 사용하는 가스를 피처리체 탑재면(105)으로부터 공급하거나, 피처리체 탑재면(105)으로부터 배기하는 경우, 처리용 소공간(106)의 구석부의 공간(180)에 있어서, 가스가 체류할 가능성이 있다. 구석부의 공간(180)에 있어서의 가스의 체류는 미량이기는 하지만, 만일, 체류한 가스가 전구체인 경우 등에는 다음의 가스가 흘러 왔을 때에, 기체 상태의 반응을 일으키며, 처리용 소공간(106) 내에 파티클을 미량이나마 발생시킬 가능성이 있다. 이러한 가능성은, 예를 들면, 배기 및 퍼지를 충분히 실행함으로써 경감시키는 것이 가능하다.

그러나, 충분한 배기 및 퍼지를 실행했다고 해도, 구석부의 공간(180)에 극미량의 가스가 체류하는 것도 예상된다. 앞으로의 프로세스가 한층 고밀도화 되는 것을 고려하면, 가령 체류한 가스가 극미량이고 발생한 파티클도 극미량이었다고 해도, 프로세스에 큰 영향을 영향을 미칠 것으로 예상된다.

제 5 실시형태는 구석부의 공간(180)에 있어서의 가스의 체류를 구조적으로 억제하고, 앞으로의 프로세스가 한층 고정밀도화 되는 것에도 대응 가능한 일괄식 처리 장치를 제공한다.

도 31은 제 5 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 31에 나타내는 바와 같이, 제 5 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3m)가 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 특별히 다른 점은 구석부의 공간(180)에 가스가 체류하지 않도록, 처리용 소공간(106)의 구석부에, 예를 들면 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면에 대해 경사진 슬로프부(181)가 마련되어 있는 것에 있다. 슬로프부(181)가 마련된 것 이외는 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 대략 마찬가지이다.

제 5 실시형태에 따르면, 처리용 소공간(106)의 구석부에 슬로프부(181)를 마련한 것에 의해, 가스가 구석부의 공간(180)에 체류하는 일이 없고, 구석부의 공간(180)에서도 가스의 흐름을 안정하게 형성할 수 있다. 이 때문에, 제 5 실시형태에 있어서는 구석부의 공간(180)으로부터 발생하는 파티클을 구석부에 슬로프부(181)가 없는 경우에 비해 더욱 작게 할 수 있다.

이러한 제 5 실시형태에 따른 일괄식 처리 장치(3m)에 따르면, 처리용 소공간(106)의 구석부에 슬로프부(181)를 구비하는 것에 의해서, 처리용 소공간(106)의 내부에 발생하는 파티클을 슬로프부(181)가 없는 경우에 비해 저감할 수 있고 앞으로의 프로세스가 한층 고정밀도화 되는 것에도 대응 가능한 일괄식 처리 장치가 얻어진다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

(제 5 실시형태: 제 1 변형예)

도 32는 제 5 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3m)의 배기 홈(118) 근방을 확대해서 나타내는 단면도이다.

도 32에 나타내는 바와 같이, 제 5 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3m)는 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3a)에 처리용 소공간(106)의 구석부에 슬로프부(181)를 마련한 것이었다. 일괄식 처리 장치(3a)에 있어서는 스테이지(101a)와 커버(102a)가 맞닿았을 때, 배기 홈(118)과 커버(102a)의 측부가, 파선 원(182) 내에 나타나도록 이격된 상태로 된다. 이격된 부분에있어서는 가스가 흐르려고 하는 방향에 대해, 처리용 소공간(106)과 배기 홈(118)의 사이에 피처리체 탑재면(105)에 의한 단차가 생긴 구조로 된다. 이 때문에, 구석부의 공간(180)과 마찬가지로, 가스가 체류할 가능성이 있다.

제 1 변형예는 배기 홈(118)과 커버(102a)의 측부가 이격된 부분에서 발생하는 가스의 체류를 더욱 방지하고자 하는 것이다.

도 33은 제 5 실시형태의 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 33의 단면도는 도 32와 마찬가지로, 배기 홈(118) 근방을 확대해서 나타내고 있다.

도 33에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)가 도 32에 나타낸 일괄식 처리 장치(3m)와 특별히 다른 점은 파선 원(182) 내에 나타내는 바와 같이, 배기 홈(118)과 커버(102a)의 측부를 이격하지 않고, 배기 홈(118)의 둘레와 커버(102a)의 내면측 측면을 서로 일치하도록 한 것에 있다. 이 구성에 의해, 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)에 서는 처리용 소공간(106)으로부터 배기 홈(118)을 향해 흘러 온 가스가, 도 32에 나타낸 바와 같이 피처리체 탑재면(105)에 의해서 방해받는 일 없이, 배기 홈(118)에 신속하게 인입되게 된다.

이러한 제 1 변형예에 따르면, 배기 홈(118)과 커버(102a)의 내면측 측면을 서로 일치하도록 한 것에 의해, 처리용 소공간(106)으로부터 배기 홈(118)에 가스를 신속하게 인입할 수 있고, 가스가 배기 홈(118)과 커버(102a)의 측부 사이의 피처리체 탑재면(105) 위쪽에서 체류하는 것을 억제할 수 있다.

따라서, 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)에 따르면, 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3m)에 비해, 또한, 배기 홈(118)과 커버(102a)의 측부의 사이의 피처리체 탑재면(105) 위쪽의 공간으로부터 발생하는 파티클을 억제할 수 있고, 처리용 소공간(106)의 내부에 발생하는 파티클을 더욱 작게 할 수 있는 이점을 얻을 수 있다.

또한, 배기 홈(118)의 둘레와 커버(102a)의 내면측 측면을 서로 일치시키는 것은 제 5 실시형태에 한정해서 적용되는 것은 아니고, 상술한 처리용 소공간(106)의 구석부에 슬로프부(181)를 갖지 않는 어느 실시형태에 대해서도 적용할 수 있다.

(제 5 실시형태: 제 2 변형예)

도 34는 제 5 실시형태의 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 34에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-2)가 도 33에 나타낸 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)와 특별히 다른 점은 처리용 소공간(106)을, 스테이지(101a)에 마련된 오목부(130b)와, 커버(102a)에 마련된 오목부(130a)에 의해서 형성한 것에 있다. 그 이외의 점은 상기 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)와 대략 마찬가지이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)을 형성하기 위한 오목부(도 34 중에서는 참조 부호 ‘130a, 130b’)를 스테이지(101a) 및 커버(102a)의 모두에 형성한 일괄식 처리 장치(3m-2)에서도 슬로프부(183)를 마련하는 것이 가능하다. 그리고, 제 2 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-2)에 있어서도, 상기 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1) 등과 마찬가지의 이점을 얻을 수 있다.

(제 5 실시형태: 제 3 변형예)

도 35는 제 5 실시형태의 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 35에 나타내는 바와 같이, 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-3)가 도 33에 나타낸 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)와 특별히 다른 점은 커버(102a)를 평탄하게 하고, 스테이지(101a)에 대해 처리용 소공간(106)을 형성하기 위한 오목부(130b)를 형성한 것에 있다. 그 이외의 점은 상기 제 1 예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)와 대략 마찬가지이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)을 형성하기 위한 오목부(도 35 중에서는 참조 부호 ‘130b’)를 스테이지(101a)에 대하서만 형성한 일괄식 처리 장치(3m-3)에도 슬로프부(181)를 마련하는 것이 가능하다. 그리고, 제 3 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-3)에 있어서도, 상기 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1) 등과 마찬가지의 이점을 얻을 수 있다.

또한, 제 3 변형예에 있어서는 슬로프부(181)는 예를 들면, 스테이지(101a)의 오목부(130b)의 측부에 형성된다. 이 때문에, 오목부(130b)의 측부의 상면과, 커버(102a)의 맞닿음면에는 미소한 간극(183)이 생긴다. 또한, 미소한 간극(183)은 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면을 따라 생기기 때문에, 미소한 간극(183)에는 처리에 사용되는 가스가 침입하기 쉬워져 버린다.

이러한 미소한 간극(183)에의 가스의 침입을 억제하기 위해서는 도 36에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 도 10a 및 도 10b를 참조해서 설명한 제 1 실시형태의 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3c)에서 실시한 것을 병용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 슬로프부(181)를 오목부(130b)의 측벽면의 상면에 형성하면, 이 상면은 폭이 넓어진다. 이것을 이용하여, 상면에, 예를 들면, O링(120)과 O링(120)과 처리용 소공간(106)의 사이에 환상의 홈(121)을 마련한다. 그리고, 환상의 홈(121)에는 불활성 가스를 공급한다. 이에 따라, 미소한 간극(183)에 침입하려고 하는 가스를 불활성 가스에 의해서 처리용 소공간(106)에 되돌리거나, 혹은 환상의 홈(121)에 끌어들이고, 불활성 가스와 함께 도시하지 않는 배기관(114) 등을 거쳐서 배기할 수 있다.

이와 같이, 제 3 변형예에 있어서는 제 1 실시형태의 제 1 변형예와 병용되는 것이 특히 바람직하다.

(제 5 실시형태: 제 4 변형예)

도 37은 제 5 실시형태의 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 37에 나타내는 바와 같이, 제 4 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-4)가 도 33에 나타낸 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)와 특별히 다른 점은 처리용 소공간(106)의 구석부에 슬로프부(181) 대신에, 예를 들면, 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면에 라운드부(184)를 마련한 것에 있다. 그 이외의 점은 상기 제 1 변형예에 따른 일괄식 처리 장치(3m-1)와 대략 마찬가지이다.

이와 같이, 처리용 소공간(106)의 구석부에 라운드부(184)를 마련하는 것에 의해서도, 가스가 구석부의 공간(180)에 있어서 체류하는 일이 없다. 그리고, 구석부의 공간(180)에서도 가스의 흐름을 안정하게 형성할 수 있다.

따라서, 제 4 변형예에 있어서도, 제 5 실시형태의 일예 및 제 5 실시형태의 제 1 변형예∼제 3 변형예와 마찬가지로, 구석부의 공간(180)으로부터 발생하는 파티클을, 구석부에 라운드부(184)가 없는 경우에 비해, 더욱 적게 할 수 있다고 하는 이점을 얻을 수 있다.

또한, 제 4 변형예는 도 31 등에 나타낸 제 5 실시형태의 일예, 도 33에 나타낸 제 5 실시형태의 제 2 변형예, 도 34에 나타낸 제 5 실시형태의 제 2 변형예, 및 도 35 등에 나타낸 제 5 실시형태의 제 3 변형예에 대해서도, 적용하는 것이 가능하다.

또한, 상술한 제 5 실시형태의 일예, 제 5 실시형태의 제 1 변형예∼제 4 변형예는 제 1 실시형태의 일예, 제 1 실시형태의 제 1 변형예∼제 5 변형예, 제 2 실시형태의 일예, 제 3 실시형태의 일예, 변형예와 제 4 실시형태의 일예 및 제 1 변형예∼제 5 변형예의 어디에도 적용하는 것이 가능하다.

(제 6 실시형태)

도 38은 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

제 1 실시형태에 있어서는 스테이지(101a)에 마련되어 있는 온도 조절 기구의 도시를 생략하였다. 온도 조절 기구를 개략적으로 도시하면, 도 38에 나타내는 바와 같은 것으로 된다.

도 38에 나타내는 바와 같이, 스테이지(101a)의 내부에는 스테이지 온도 조절 기구(190)가 구비되어 있다. 스테이지 온도 조절 기구(190)에는, 예를 들면, 히터 등을 이용한 가열 기구, 및 물 등의 열 매체를 냉매로서 이용한 냉각 기구, 혹은 그들 어느 한쪽을 구비하고 있다. 도 38에는 대표예로서 칠러를 예시하고, 열 매체를 흘리기 위한 열 매체 유로(191)를 개략적으로 도시하고 있다.

이와 같이, 예를 들면, 스테이지(101a)의 내부에, 스테이지 온도 조절 기구(190)를 마련함으로써, 스테이지(101a)의 온도를 조절해서 피처리체 탑재면(105) 상에 탑재된 피처리체(G)를 가열하거나, 냉각하는 바와 같은 온도조절이 가능해진다. 그러나, 제 1 실시형태∼제 5 실시형태에 있어서, 스테이지(101a)에는 스테이지 온도 조절 기구(190)가 마련되어 있지만, 커버(102a)에 대해서는 온도 조절 기구는 구비되어 있지 않다.

도 39는 본 발명의 제 6 의 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치의 스테이지 및 커버를 나타내는 단면도이다.

도 39에 나타내는 바와 같이, 제 6 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3n)가 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 특별히 다른 점은 스테이지 온도 조절 기구(190)에 부가해서, 커버(102a)에, 커버(102a)의 온도를 조절하는 커버 온도 조절 기구(192)가 더 구비되어 있는 것이다. 그 이외에 대해서는 상기 제 1 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3a)와 대략 마찬가지이다.

커버 온도 조절 기구(192)는, 예를 들면, 커버(102a)의 내부에 마련되고, 스테이지 온도 조절 기구(190)와 마찬가지로, 예를 들면, 히터 등을 이용한 가열 기구, 및 물 등의 열 매체를 냉매로서 이용한 냉각 기구, 혹은 그들의 어느 한쪽을 구비하고 있다. 도 39에는 대표예로서 칠러를 예시하고, 열 매체를 흘리기 위한 열 매체 유로(193)를 개략적으로 도시하고 있다.

제 6 실시형태의 일예에 있어서는 스테이지 온도 조절 기구(190)와 커버 온도 조절 기구(192)는 개별적으로 온도를 조절할 수 있도록 구성되어 있다. 이와 같이, 스테이지 온도 조절 기구(190)와 커버 온도 조절 기구(192)를 개별적으로 온도 조절 가능하게 함으로써, 스테이지(101a)의 온도와 커버(102a)의 온도를 각각 다른 온도로 조절할 수 있다.

제 6 실시형태에 따르면, 이하의 이점을 얻을 수 있다.

예를 들면, 피처리체(G)에의 처리가, 처리용 소공간(106)의 내부의 압력을, 예를 들면 대기압(=101325Pa)보다도 낮게 하는 진공 처리 혹은 감압 처리인 경우, 처리용 소공간(106)의 내부에는 열을 전달하는 매체가 사실상 없어지거나, 혹은 대기압에 비해 적어진다. 이 때문에, 스테이지 온도 조절 기구(190)에만 의한 온도 조절에서는 커버(102a)에 열이 전달되지 않거나, 혹은 열이 전달되기 어려워지고, 커버(102a)의 온도는 스테이지(101a)의 온도보다도 낮아져 버린다. 예를 들면, 처리가 성막 처리인 경우, 본래의 성막 처리는 고온에서 실시되지만, 저온에서도, 본래의 성막 처리와는 다른 퇴적물이, 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상에 퇴적되어 버리는 경우가 있다. 이와 같이 상기 내면 상에 퇴적물이 저온으로 성막되어 버리면, 처리용 소공간(106)의 내부에 파티클을 발생시키는 하나의 요인이 된다.

이러한 사정에 대해, 제 6 실시형태에 따르면, 커버(102a)에도 커버 온도 조절 기구(192)가 구비되어 있으므로, 커버(102a)의 온도를, 퇴적물이 퇴적되기 어려워지는 온도, 혹은 퇴적물이 퇴적하지 않는 온도로 조절할 수 있다. 이와 같이 커버(102a)의 온도를, 커버 온도 조절 기구(192)을 이용해서 조절함으로써, 커버(102a)의 처리용 소공간(106)측의 내면 상에 퇴적물의 발생을 억제할 수 있다. 이와 같이 퇴적물의 발생을 억제할 수 있는 결과, 처리용 소공간(106)의 내부에 파티클이 발생할 가능성을, 커버 온도 조절 기구(192)을 구비하고 있지 않은 경우에 비해, 더욱 저감하는 것이 가능해진다.

또한, 커버 온도 조절 기구(192)를 구비하고 있지 않은 경우에는, 예를 들면, 처리용 소공간(106)의 내부에의 퇴적물의 발생을 억제하기 위해서는 처리 온도, 예를 들면 성막 온도에 임의의 범위의 제약을 설정하지 않으면 안 되는 경우가 생긴다. 제약을 설정하는 것은 프로세스 윈도우(process window)를 좁혀 버리는 것이며, 일괄식 처리 장치의 범용성의 저하로도 이어져 버린다.

이 점에서, 제 6 실시형태에 따르면, 커버 온도 조절 기구(192)를 구비하고 있으므로, 처리 온도, 예를 들면 성막 온도에 임의의 범위의 제약을 설정하지 않아도, 처리용 소공간(106)의 내부에 퇴적물의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 제 6 실시형태에 있어서는 스테이지(101a)의 온도와 커버(102a)의 온도를 각각 개별적으로 조절할 수 있다. 이 때문에,

(1) 스테이지(101a)의 온도 > 커버(102a)의 온도

(2) 스테이지(101a)의 온도 < 커버(102a)의 온도

(3) 스테이지(101a)의 온도 = 커버(102a)의 온도

와 같은 각종 온도 설정도 가능해진다.

이와 같이, 제 6 실시형태에 따르면, 스테이지(101a)와 커버(102a)에 각종 온도 설정이 가능하므로, 프로세스 윈도우를 확대할 수도 있고, 일괄식 처리 장치의 범용성을 더욱 향상할 수 있는 바와 같은 이점도 얻을 수 있다.

이러한 제 6 실시형태의 일예에 따른 일괄식 처리 장치(3n)는 처리용 소공간(106)의 내부에 발생하는 파티클의 저감, 및 프로세스 윈도우의 확대라는 이점을 더 얻을 수 있고, 앞으로, 더욱 발전되는 프로세스의 고정밀도화에도 유리하다.

또한, 제 6 실시형태의 일예는 제 1 실시형태의 일예 및 제 1 실시형태의 제 1 변형예∼제 5 변형예, 제 2 실시형태의 일예, 제 3 실시형태의 일예 및 변형예, 제 4 실시형태의 일예 및 제 1 변형예∼제 5 변형예와 제 5 실시형태의 제 1 변형예∼제 4 변형예의 어디에도 적용하는 것이 가능하다.

이상, 본 발명을 실시형태에 따라 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 각종 변형 가능하다.

예를 들면, 반송 장치(7)의 픽(71)으로서는 포크형의 것에 한정되지 않고, 도 40에 나타내는 바와 같은 생선뼈형의 픽(71-1)을 이용하는 것도 가능하다.

또한, 상기 실시형태에서는 일괄식 처리 장치로서, ALD법이나 MLD법을 이용한 성막 장치를 상정하고 있었지만, 가스만을 이용하는 가스 성막 장치, 열CVD 장치, 가스만을 이용하는 가스 에칭 장치, 진공 베이크(bake) 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 플라즈마 처리 장치에 본 발명을 적용해도 좋고, 처리에 플라즈마를 이용하는 경우에는 플라즈마를 처리용 소공간(106)에서 발생시키는 것이 아닌, 처리용 소공간(106)과는 별도의 곳에서 발생시킨 플라즈마를 처리용 소공간(106)에 보내는 리모트 플라즈마 방식을 이용하는 것이 좋다. 리모트 플라즈마 방식을 이용함으로써, 처리용 소공간(106)마다 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구가 불필요하게 되고, 스테이지(101)의 두께 및 커버(102)의 두께를 합산한 두께를 얇게 할 수 있고, 메인 챔버를 높이 방향으로 크게 하지 않아도, 메인 챔버 내에 수용할 수 있는 스테이지(101) 및 커버(102)의 수를 늘릴 수 있다. 이 때문에, 한 번에 처리할 수 있는 피처리체(G)의 개수를 늘리고자 하는 경우에 유리하다.

또한, 가스 배기구(119)는 1지점으로 하고 있었지만, 복수 지점으로 해도 좋다.

또한, 스테이지(101)에, 칠러, 히터 등, 피처리체(G)의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 마련하는 경우, 칠러의 온도 조절 매체로서는 수냉 및 공랭 중 어느 것도 이용할 수 있다. 또한, 히터에 있어서는 기존의 발열체를 이용하면 좋다.

그 밖에, 본 발명은 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형할 수 있다.

G…피처리체 31a…메인 챔버
101a∼101y…스테이지 102a∼102y…커버
103…커버 승강 지주 105…피처리체 탑재면
106… 처리용 소공간 107…리프터
108…리프터 승강 지주 111, 111a∼111c… 가스 공급관
113…배기 덕트 114…배기관
117, 117a∼117c…가스 토출 구멍
118…배기 홈 119… 가스 배기구
120…O링 121…환상의 홈
130a, 130b…오목부
140…스테이지 승강 지주 160…핀형상 리프터
170…방해판 171…정류부
181…슬로프부 184…라운드부
190…스테이지 온도 조절 기구 192…커버 온도 조절 기구

Claims

복수의 피처리체에 동시에 처리를 실시하는 일괄식 처리 장치로서,
메인 챔버와,
상기 메인 챔버 내에, 상기 메인 챔버의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와,
상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 구비하고,
상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성하며,
상기 복수의 커버 또는 상기 복수의 스테이지를 승강 구동하는 구동 기구와,
상기 일괄식 처리 장치에 대해 피처리체를 반입 및 반출하는 반송 장치와의 사이에서 피처리체를 수수하기 위하여, 상기 복수의 스테이지 각각의 피처리체 탑재면과 이 피처리체 탑재면의 위쪽과의 사이에서, 상기 피처리체를 승강시키는 피처리체 승강 기구와,
상기 복수의 처리용 소공간 각각의 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 기구와,
상기 복수의 처리용 소공간 각각의 내부를 배기하는 배기 기구를 더 구비하고,
상기 피처리체 승강 기구는 상기 복수의 피처리체를 일괄해서 승강시키는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지의 상기 피처리체를 탑재하는 면이 평탄하고, 상기 커버의 상기 스테이지에 대향하는 면에, 상기 처리용 소공간을 형성하는 오목부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 커버의 상기 스테이지에 대향하는 면이 평탄하고, 상기 스테이지의 상기 피처리체를 탑재하는 면에, 상기 처리용 소공간을 형성하는 오목부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지의 상기 피처리체를 탑재하는 면 및 상기 커버의 상기 스테이지에 대향하는 면 각각에, 상기 처리용 소공간을 형성하는 오목부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 구동 기구는 상기 복수의 커버 또는 상기 복수의 스테이지를 일괄해서 승강 구동하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 복수의 스테이지가 상기 메인 챔버에 고정되고,
상기 구동 기구는 상기 복수의 커버를 승강 구동하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 복수의 커버가 상기 메인 챔버에 고정되고,
상기 구동 기구는 상기 복수의 스테이지를 승강 구동하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 피처리체 승강 기구는 상기 구동 기구로부터 독립되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 피처리체 승강 기구는 상기 구동 기구와 연동하고 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 11 항에 있어서,
상기 피처리체 승강 기구가, 상기 스테이지를 관통해서 상기 스테이지에 움직일 수 있도록 매달리는 핀형상 리프터를 갖고,
상기 핀형상 리프터의 하단은 아래쪽에 있는 상기 커버의 상면에 맞닿고, 상기 핀형상 리프터는 상기 커버의 승강에 따라 승강하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 7 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구 및 상기 배기 기구는 상기 스테이지에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구 및 상기 배기 기구는 상기 커버에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 커버에, 상기 처리용 소공간을 형성하는 오목부가 마련되어 있을 때, 상기 가스 공급 기구의 가스 토출 구멍 및 상기 배기 기구의 배기 구멍이 상기 스테이지의 피처리체 탑재면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지에, 상기 처리용 소공간을 형성하는 오목부가 마련되어 있을 때, 상기 가스 공급 기구의 가스 토출 구멍 및 상기 배기 기구의 배기 구멍이 상기 오목부의 측면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
복수의 피처리체에 동시에 처리를 실시하는 일괄식 처리 장치로서,
메인 챔버와,
상기 메인 챔버 내에, 상기 메인 챔버의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와,
상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 구비하고,
상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성하며,
상기 메인 챔버를 배기하는 메인 챔버 배기 기구를 더 구비하고,
상기 스테이지의 상면과 상기 커버의 하단의 사이에, 상기 처리용 소공간이 상기 메인 챔버 내부와 연통하는 간극을 마련하고,
상기 처리용 소공간을, 상기 메인 챔버 배기 기구를 이용하여, 상기 간극을 거쳐서 배기하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
복수의 피처리체에 동시에 처리를 실시하는 일괄식 처리 장치로서,
메인 챔버와,
상기 메인 챔버 내에, 상기 메인 챔버의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와,
상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 구비하고,
상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성하며,
상기 스테이지의 상면과 상기 커버의 하단의 맞닿음면에 홈을 갖고,
상기 홈에, 불활성 가스를 토출하는 불활성 가스 토출부가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지는 상기 메인 챔버에 고정되고,
상기 가스 공급 기구는 상기 스테이지 내에서 상기 가스를 유통시키는 스테이지 내 가스 유로와, 상기 스테이지 내 가스 유로에 상기 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 커버 내에 상기 가스를 유통시키는 커버 내 가스 유로와, 상기 커버 내 가스 유로로부터 상기 처리용 소공간에 상기 가스를 토출시키는 가스 토출부를 포함하고,
상기 스테이지와 상기 커버의 접촉부에서 상기 스테이지 내 가스 유로와 상기 커버 내 가스 유로가 상기 가스의 유통을 허용하도록 서로 연결되는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 19 항에 있어서,
상기 가스 토출부는 상기 스테이지에 대향하고 복수의 가스 토출 구멍을 구비한 샤워헤드인 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 스테이지는 온도 조절 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 21 항에 있어서,
상기 온도 조절 기구는 복수의 상기 스테이지를 개별적으로 온도 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
복수의 피처리체에 동시에 처리를 실시하는 일괄식 처리 장치로서,
메인 챔버와,
상기 메인 챔버 내에, 상기 메인 챔버의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와,
상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 구비하고,
상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성하며,
상기 처리용 소공간의 내부에, 상기 처리용 소공간 내에 공급된 가스의 흐름을 정류하는 정류부를 구비하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 23 항에 있어서,
상기 정류부는 상기 스테이지의 피처리체 탑재면과 상기 커버의 상기 처리용 소공간측의 내면의 사이에 마련된 적어도 1개의 방해판과, 상기 방해판에 의해서 상기 처리용 소공간의 내부에 형성된 간극을 포함하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 24 항에 있어서,
상기 방해판은 상기 처리용 소공간 내의 가스의 흐름에 교차하는 방향으로 연장해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 24 항에 있어서,
상기 방해판은 상기 스테이지의 피처리체 탑재면 위, 상기 커버의 처리용 소공간측의 내면 위, 및 상기 스테이지의 피처리체 탑재면 위와 상기 커버의 처리용 소공간측의 내면 위의 둘 모두 중 어느 하나에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
복수의 피처리체에 동시에 처리를 실시하는 일괄식 처리 장치로서,
메인 챔버와,
상기 메인 챔버 내에, 상기 메인 챔버의 높이 방향으로 적층해서 마련된, 상기 피처리체를 탑재하는 복수의 스테이지와,
상기 스테이지마다 마련되고, 상기 스테이지에 탑재된 상기 피처리체를 덮는 복수의 커버를 구비하고,
상기 복수의 스테이지와 상기 복수의 커버로, 상기 복수의 스테이지에 탑재된 상기 복수의 피처리체의 각각을 둘러싸도록, 상기 메인 챔버보다도 용량이 작은 복수의 처리용 소공간을 형성하며,
상기 처리용 소공간의 구석부에, 슬로프부 또는 라운드부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 배기 기구가 상기 스테이지에 마련되고, 상기 배기 기구가 상기 피처리체 탑재면에 형성된 배기 홈을 구비하고 있을 때, 상기 배기 홈의 둘레와 상기 커버의 내면측 측면이 서로 일치하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 커버에, 상기 커버의 온도를 조절하는 커버 온도 조절 기구가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 29 항에 있어서,
상기 스테이지에, 상기 스테이지의 온도를 조절하는 스테이지 온도 조절 기구가 구비되어 있을 때, 상기 커버 온도 조절 기구와 상기 스테이지 온도 조절 기구는 개별적으로 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.
제 29 항에 있어서,
상기 피처리체에 처리를 실시할 때, 상기 처리용 소공간의 내부의 압력을 대기압보다도 낮게 하는 것을 특징으로 하는
일괄식 처리 장치.