CN109790619A - 原子层沉积室 - Google Patents
原子层沉积室 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109790619A CN109790619A CN201680089470.7A CN201680089470A CN109790619A CN 109790619 A CN109790619 A CN 109790619A CN 201680089470 A CN201680089470 A CN 201680089470A CN 109790619 A CN109790619 A CN 109790619A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- atomic layer
- layer deposition
- deposition chamber
- chamber
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
原子层沉积室(1)，包括室主体(2)和室盖子(3)，并且还包括至少一个分隔板(4)，所述分隔板(4)限定所述室主体(2)中的不同内部容积(5)，这些内部容积(5)中的每一个具有入口(6)和出口(7)。本发明还涉及一种原子层沉积设备，包括所述原子层沉积室(1)。
Description
技术领域
本发明涉及原子层沉积室(“Atomic Layer Deposition”-ALD)，特别适用于纳米技术。同样地，本发明涉及原子层沉积设备，其包括本发明的原子层沉积室。
背景技术
原子层沉积(ALD)是一种用于在涂层上沉积材料层的技术，其中该方面是重要特征。ALD工艺的一个示例包括顺序引入气体脉冲。例如，用于顺序引入气体脉冲的一个循环可以包含第一反应气体的脉冲，接着是吹扫气体的脉冲和/或泵抽空，接着是第二反应气体的脉冲，并且接着是吹扫气体的脉冲和/或泵抽空。顺序引入第一反应物和第二反应物的单独脉冲可导致基板表面上的反应物的单层的交替自限性吸收，并因此形成每个循环的单层材料。可以将所述循环重复以得到所需沉积材料厚度。在第一反应气体的脉冲和第二反应气体的脉冲之间的吹扫气体的脉冲和/或泵抽空可用于降低由于残留在室中的过量反应物而引起反应物的气相反应的可能性。
然而，已经观察到，在用于ALD处理的室设计中，总的来说2D基板，例如，在微电子中使用的硅晶片，不允许在复杂形状的基板上沉积，所述复杂形状的基板可能涉及大尺寸或非几何形状(例如植入物、纤维和冶金件)。市场上可获得的机器依赖于不同容积的可更换室，使得其使用不便利，并且意味着组件的许多连接/断开过程。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种原子层沉积室，其解决了上述现有室中提到的不便之处。
本发明提供一种原子层沉积室，包括室主体和室盖子，和另外地，至少一个分隔板，所述分隔板限定所述室主体中的不同内部容积，这些内部容积中的每一个具有入口和出口。
本发明的原子层沉积室的配置允许使用者基于待涂覆的基板的形状或尺寸容易地改变室容积。因此，它允许相同的使用者对范围广泛的基板材料执行ALD工艺，而不限于特定尺寸的基板。
因此，所述室具有主固定容积，其可以利用分隔板方便地减少，并且可以根据所使用的容积使用的足够的入口和出口。
在从属权利要求中公开了本发明的其他有利实施方式。
具体实施方式
下面参考下述附图描述本发明目的的说明性而非限制性的实施例，其中：
图1显示了本发明的原子层沉积室的横截面图。
图2显示了本发明的原子层沉积室的正视图。
图3显示了本发明的原子沉积层室的另一横截面图。
图4显示了本发明的原子层沉积室的侧视图。
图5示出了本发明的原子层沉积室的主体的透视图。
具体实施方式
图1至4代表用于本发明的原子层沉积室1的若干视图。
在这些附图中示出的实施例中，示出了原子层沉积室1，其具有室主体2，室盖子3和三个内部容积5，这些内部容积5由两个中间的分隔板4分开。容积5中的每一个具有入口6和出口7(位于图2和3侧面)，其连接适当的管子。
这些附图的实施例具有交错和圆柱形，直径向下减小的内部容积5。室主体2(也在图5中示出)呈现两个台阶8，这些台阶8中的每一个位于两个连续的内部容积5之间的间隔上。
在图4中，可以观察到在室1的上部有一个支撑件9，室盖子3可以以可拆卸的方式与所述支撑件9连接。
盖子3的支撑件9允许模块化和简单可互换的不同的可以与室1连接的盖子3：用于执行原子层沉积的热处理的传统盖子；用于PEALD(“等离子体增强ALD”)的等离子体反应器盖子；机电给料盖子，用于允许数个外部仪器放置在盖子3上以帮助薄膜沉积。
室盖子3可以根据沉积工艺所需的材料而改变。例如，用于沉积氧化物的传统平盖，用于沉积氮化物的PEALD(“等离子体增强ALD”)盖子或用于辅助纳米结构工艺的机电给料盖子。
因此，室1的容积可以根据样品尺寸和形状要求进行修改，从而改变室1的容量。在每个台阶8上，分隔板4与O形环接头和螺钉可以一起放置，以方便地减少室1的容量。
室1可以从上方，从底部和从侧面加热，最高加热温度可以是300℃。
尽管已经描述和表示了本发明的一些实施例，但是显然可以引入包括在所述发明范围内的修改，并且不应该认为将本发明限制于这些实施方式，而是仅限于所附权利要求的内容。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种原子层沉积室(1)，包括室主体(2)，室盖子(3)和至少一个分隔板(4)，所述分隔板(4)在所述室主体(2)中限定出不同内部容积(5)，这些内部容积(5)中的每一个具有入口(6)和出口(7)，其特征在于，所述室主体(2)包括至少一个台阶(8)，这些台阶(8)中的每一个位于两个连续的内部容积(5)之间的间隔中。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积室(1)，其中所述内部容积(5)是圆柱形的，具有向下减小的直径。
3.根据前述权利要求中任一项所述的原子层沉积室(1)，其还包括支撑件(9)，所述室盖子(3)以可拆卸的方式与所述支撑件(9)连接。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积室(1)，其中所述室盖子(3)是用于原子层沉积的热处理的盖子。
5.根据权利要求3所述的原子层沉积室(1)，其中所述室盖子(3)是等离子体反应器盖子。
6.根据权利要求3所述的原子层沉积室(1)，其中所述室盖子(3)是机电给料盖子。
7.一种原子层沉积设备，包括权利要求1至6中任一项的原子层沉积室(1)。
Claims (8)
1.一种原子层沉积室(1)，包括室主体(2)和室盖子(3)，其特征在于所述原子层沉积室(1)还包括至少一个分隔板(4)，所述分隔板(4)在所述室主体(2)中限定出不同内部容积(5)，这些内部容积(5)中的每一个具有入口(6)和出口(7)。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积室(1)，其中所述室主体(2)包括至少一个台阶(8)，这些台阶(8)中的每一个位于两个连续的内部容积(5)之间的间隔中。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积室(1)，其中所述内部容积(5)是圆柱形的，具有向下减小的直径。
4.根据前述权利要求中任一项所述的原子层沉积室(1)，其还包括支撑件(9)，所述室盖子(3)以可拆卸的方式与所述支撑件(9)连接。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积室(1)，其中所述室盖子(3)是用于原子层沉积的热处理的传统盖子。
6.根据权利要求4所述的原子层沉积室(1)，其中所述室盖子(3)是等离子体反应器盖子。
7.根据权利要求4所述的原子层沉积室(1)，其中所述室盖子(3)是机电给料盖子。
8.一种原子层沉积设备，包括权利要求1至7中任一项的原子层沉积室(1)。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/ES2016/070663 WO2018055215A1 (es) | 2016-09-22 | 2016-09-22 | Cámara para depósito de capas atómicas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109790619A true CN109790619A (zh) | 2019-05-21 |
Family
ID=57421890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201680089470.7A Pending CN109790619A (zh) | 2016-09-22 | 2016-09-22 | 原子层沉积室 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109790619A (zh) |
| ES (1) | ES2712868B1 (zh) |
| WO (1) | WO2018055215A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003008663A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process |
| JP4879509B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2012-02-22 | 株式会社アルバック | 真空成膜装置 |
| JP5878813B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式処理装置 |
| DE102012010537A1 (de) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Robert Bosch Gmbh | Programmiervorlage für verteilteAnwendungsprogramme |
| US8822313B2 (en) * | 2012-12-20 | 2014-09-02 | Intermolecular, Inc. | Surface treatment methods and systems for substrate processing |
| KR101579527B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2015-12-22 | 코닉이앤씨 주식회사 | 스캔형 반응기를 가지는 원자층 증착 장치 및 방법 |
-
2016
- 2016-09-22 WO PCT/ES2016/070663 patent/WO2018055215A1/es active Application Filing
- 2016-09-22 CN CN201680089470.7A patent/CN109790619A/zh active Pending
- 2016-09-22 ES ES201990026A patent/ES2712868B1/es active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2712868A2 (es) | 2019-05-16 |
| ES2712868R1 (es) | 2019-05-29 |
| ES2712868B1 (es) | 2020-03-10 |
| WO2018055215A1 (es) | 2018-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Poodt et al. | Low temperature and roll-to-roll spatial atomic layer deposition for flexible electronics | |
| Longrie et al. | Reactor concepts for atomic layer deposition on agitated particles: A review | |
| US9556519B2 (en) | Vapor deposition systems and methods | |
| JP2020183578A (ja) | 浸漬チューブを備える薬剤供給容器 | |
| US20190161861A1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate | |
| TWI433252B (zh) | 活化氣體噴射器、成膜裝置及成膜方法 | |
| Zyulkov et al. | Selective Ru ALD as a catalyst for sub-seven-nanometer bottom-up metal interconnects | |
| US20040040502A1 (en) | Micromachines for delivering precursors and gases for film deposition | |
| CN105097459B (zh) | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 | |
| CN108461374A (zh) | 用于远程等离子体处理的室调节 | |
| CN105900214A (zh) | 通过使用远程等离子体pecvd的fcvd硬件形成的可流动碳膜 | |
| CN106575626A (zh) | 改进的硅通孔 | |
| TWI626330B (zh) | 適用於原子層沉積系統之石英晶體微天秤組件 | |
| US20200105516A1 (en) | Method and device for forming a layer on a semiconductor substrate, and semiconductor substrate | |
| EP3512979A1 (en) | Particle coating by atomic layer depostion (ald) | |
| CN109385613A (zh) | 硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质 | |
| CN103915512B (zh) | 具有金红石结晶相二氧化钛介电膜的半导体器件 | |
| CN108070849A (zh) | 真空处理腔室中的氢分压控制 | |
| CN109790619A (zh) | 原子层沉积室 | |
| JP2013145796A (ja) | ＴｉＳｉＮ膜の成膜方法および記憶媒体 | |
| CN108352299A (zh) | 具有废气分解器的基板处理设备及其废气处理方法 | |
| US20180216229A1 (en) | Chuck Systems and Methods Having Enhanced Electrical Isolation For Substrate-Biased ALD | |
| Abdulagatov | Growth, characterization and post-processing of inorganic and hybrid organic-inorganic thin films deposited using atomic and molecular layer deposition techniques | |
| CN110391177A (zh) | 自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法 | |
| TWI640651B (zh) | 使用鹵化矽前驅物進行包含矽、碳及氮之膜的原子層沉積 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190521 |