KR101436725B1 - 형광 발광 장치와 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법 - Google Patents

형광 발광 장치와 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층(2)을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 형광체층(2)은 애노드 전극(12) 상에 형성한 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)의 2층으로 이루어지고, 제 1 형광체층(21)은 형광체 입자(31), 고착재 입자(32), 도전재 입자(33)로 이루어지며, 제 2 형광체층(22)은 형광체 입자(31)로 이루어진다. 제 1 형광체층(21)은 발광, 고착 및 도전 기능을 구비하고, 제 2 형광체층(22)은 발광 기능을 구비한다.

Description

형광 발광 장치와 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법{FLUORESCENT LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF FORMING FLUORESCENT SUBSTANCE LAYER THEREOF}
본 발명은 형광 표시 장치 등의 형광 발광 장치에 관한 것으로서, 특히 형광 발광 장치의 형광체층과 형광체층의 형성 방법에 관한 것이다．
형광 발광 장치는 필라멘트나 전계 방출 소자 등의 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해 발광하는 형광체층을 구비한다. 도 3을 참조하여 종래의 형광 발광 장치의 형광체층에 대해 설명한다.
도 3은 유리 기판에 형성한 알루미늄 등의 도체로 이루어지는 애노드 전극 상에 형성한 형광체층의 확대 단면도이다.
도 3에 있어서, 부재번호 11은 유리 기판, 부재번호 12는 애노드 전극, 부재번호 51∼53은 형광체층이다. 또한, 큰 흰 원(61)은 형광체의 입자, 작은 흰 원(62)은 SiO2 등의 초미립자로 이루어지는 고착재의 입자이다.
형광체층은 통상, 도 3(a)의 형광체층(51)과 같이, 형광체 입자(61)와 고착재 입자(62)에 의해서 형성되고, 필요에 따라 도전재의 입자(도시하지 않음)를 첨가하고 있다.
고착재 입자(62)는 형광체층(51)을 애노드 전극(12)에 고착하는 접착재의 역할을 하고 있다.
고착재 입자(62)나 도전재 입자는 발광 물질이 아니기 때문에, 이 입자들을 형광체층(51)에 첨가하면, 형광체층(51)의 발광 휘도가 저하하는 원인 중의 하나가 된다. 구체적으로, 고착재 입자(62) 등의 비발광 입자는 형광체 입자(61)로부터 방사된 광의 진행을 방해하거나, 전자원으로부터 방출되고 형광체 입자(61)를 향하는 전자의 진행을 방해하기 때문에, 형광체층(51)의 발광 휘도가 저하하게 된다.
따라서, 형광체층(51)의 발광 휘도를 개선하기 위해, 도 3(b)와 같이, 형광체층에 고착재 입자나 도전재 입자를 첨가하지 않은 형광체층(52)이 제안되어 있다(특허문헌 1).
형광체층(52)은 비발광 입자인 고착재 입자나 도전재 입자를 포함하지 않기 때문에, 형광체층(52)의 발광 휘도는 개선되지만, 고착재 입자를 포함하지 않기 때문에 애노드 전극(12)에 대한 고착력이 약하고, 애노드 전극(12)으로부터 박리되어 버린다.
따라서, 형광체층의 발광 휘도를 저하시키지 않고 애노드 전극(12)에 대한 형광체층의 고착력을 높이기 위해, 도 3(c)와 같이, 애노드 전극(12)의 표면에만 고착재 입자(62)를 부착시킨 형광체층(53)이 제안되어 있다(특허문헌 1).
고착재 입자(62)는 절연체이기 때문에, 도 3(c)의 경우, 애노드 전극상의 고착재 입자(62)의 분포 밀도가 높아지면, 형광체층(53)과 애노드 전극(12) 사이의 전기 저항이 커지고, 형광체층(53)은 챠지 업해서 발광을 방해한다. 그래서, 도 3(c)의 형광체층(53)은 애노드 전극(12)의 표면에 고착재 입자(62)를 점점이 분포시키고 있지만, 형광체층(53)과 애노드 전극(12)간에 충분한 접착 강도가 얻어지지 않아 박리되어 버리는 경우가 있다. 따라서, 애노드 전극(12)에 고착재 입자(62)를 부착하는 것에 의해, 소정의 고착력과 도전성을 확보하는 것은 곤란함을 알 수 있다.
또, 고착재 입자(62)를 애노드 전극(12)에 부착하는 방법으로서는 소정량의 고착재 입자(62)를 첨가한 페이스트를 애노드 전극(12)에 도포하고, 용제를 증발시켜 고착재 입자(62)를 애노드 전극(12)에 부착하는 방법이 취해지고 있지만, 이 방법은 애노드 전극 상에 고착재 입자(62)를 저밀도로 부착하는 것이 곤란하여 고착재 입자(62)의 분포 밀도가 높아져 버린다.
일본국 특허공개공보 제2011-49095호
종래의 형광 발광 장치의 형광체층은 전술한 바와 같이, 고착 강도를 크게 하면서 동시에 발광 휘도를 높게 하는 것은 곤란하였다.
본 발명은 종래의 형광 발광 장치의 형광체층의 상기 문제점을 개선하는 것을 목적으로 하고, 고착력이 크고 발광 휘도가 높은 형광체층을 구비한 형광 발광 장치와 그 형광체층의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 그 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 형광 발광 장치는 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 상기 제 1 형광체층은 형광체와 고착재로 이루어지고, 상기 제 2 형광체층은 형광체로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 형광 발광 장치는 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 상기 제 1 형광체층은 형광체와 고착재와 도전재로 이루어지고, 상기 제 2 형광체층은 형광체로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 형광 발광 장치는 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서, 상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 상기 제 1 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 고착재와 도전재와 WO3으로 이루어지고, 상기 제 2 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 WO3으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 3에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체인 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 4에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 1 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체인 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 5에 기재된 발광 표시 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체의 실리카 코팅량을 상기 제 1 형광체층의 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체의 실리카 코팅량보다 많게 한 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 막 두께를 상기 제 1 형광체층의 막 두께보다 얇게 한 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 크기를 상기 제 1 형광체층의 크기보다 작게 한 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 2 형광체층의 형광체의 평균 입경을 상기 제 1 형광체층의 형광체의 평균 입경보다 작게 한 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 기재된 형광 발광 장치는 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 형광체층의 막 두께의 합은 40㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
청구항 11에 기재된 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법은 청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 하나의 청구항에 기재된 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법으로서, 상기 애노드 전극에 제 1 형광체층 형성용의 페이스트를 도포하고, 상기 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 1 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 형광체층에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 2 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 형광체층을 소성<燒成>하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 형광체층은 애노드 전극에 형성한 제 1 형광체층과 제 1 형광체층에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고, 제 1 형광체층은 형광체와 비발광 물질로 형성되고, 제 2 형광체층은 형광체로 형성된다. 따라서, 본 발명의 형광체층은 애노드 전극에 강고하게 고착되면서, 발광 휘도를 높인다.
본 발명의 형광체층은 제 1 형광체층에 도전재를 첨가하기 때문에, 도전성이 높아지고, 챠지 업하는 일이 없다.
본 발명의 형광체층은 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시킨 후, 소성하는 일 없이 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하기 때문에, 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포할 때, 스크린에 의해 제 1 형광체층이 박리되는 일이 없다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 형광체층의 확대 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 관한 형광체층의 형성 수순을 나타내는 도면,
도 3은 종래의 형광체층의 확대 단면도.
본 발명의 실시형태에 관한 형광체층은 애노드 전극에 형성하는 제 1 형광체층과 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성하는 제 2 형광체층으로 이루어지고, 제 1 형광체층은 고착재나 도전재 등의 비발광 물질을 포함하지만, 제 2 형광체층은 비발광 물질을 포함하지 않는 형광체로 형성된다. 즉, 형광체층은 2개의 층으로 이루어지고, 제 1 형광체층은 발광 기능과 고착력이나 도전성을 높이는 기능을 구비하고, 제 2 형광체층은 발광 기능만을 구비하여, 2층의 형광체층은 각각 고착 및 도전 기능과 발광 기능을 분담한다.
본 실시형태에 관한 형광체층은 2층 구조로 해서 양 형광체층의 주된 기능을 나누어서 분담하는 것에 의해, 고착력을 크게 하고 발광 휘도를 높게 할 수 있다.
도 1에 의해 본 발명의 실시예에 관한 형광체층을 설명한다.
도 1은 형광 표시 장치의 애노드 전극 상에 형성한 형광체층의 확대 단면도이다.
도 1에 있어서, 부재번호 11은 유리 등의 절연재로 이루어지는 기판, 부재번호 12는 알루미늄 등의 도전재로 이루어지는 애노드 전극, 부재번호 2는 형광체층, 큰 흰 원(31)은 형광체의 입자, 작은 흰 원(32)은 고착재의 입자, 검은 원(33)은 도전재의 입자, F는 텅스텐 등의 심선(코어선)의 표면에 삼원 탄산염 등의 전자 방출 물질을 피착시킨 필라멘트 등의 전자원이다. 형광체(저속 전자선용)는 ZnO : Zn을, 고착재는 SiO2의 초미립자(평균 입경 수㎚∼수 십㎚)를, 도전재는 In2O3을 이용하고 있다. 또, SiO2의 초미립자는 아에로질<Aerosil>(등록상표)을 이용하고 있다.
또, 형광 표시 장치는 내부가 고진공 분위기로 된 기밀 용기부(도시하지 않음)를 갖는다. 그 기밀 용기부는 기판(11)과 대향하는 기판(도시하지 않음)을 소정 간격을 두고 서로 평행하게 배치하며, 그 주위를 시일재(도시하지 않음)로 밀봉하고 있다. 또한, 필요에 따라 기밀 용기부는 대향하는 양 기판의 사이에 측면 부재를 두고, 이들을 시일 유리로 밀봉한 상자형으로 해도 좋다.
형광체층(2)은 애노드 전극(12) 상에 형성한 제 1 형광체층(21)과, 제 1제 1 형광체층(21) 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층(22)으로 이루어진다. 제 2 형광체층(22)은 전자원 F에 가까운 측의 형광체층이다.
제 1 형광체층(21)은 형광체 입자(31), 고착재 입자(32), 도전재 입자(33)에 의해 형성된다. 그러므로, 고착재 입자(32)에 의해 애노드 전극(12)에 강고하게 고착되고, 또 도전재 입자(33)에 의해 높은 도전성을 갖는다. 또, 도전재 입자(33)는 형광체의 종류 등에 따라 혼입할 필요가 없는 경우도 있으며, 그러한 경우에는 고착재 입자(32)만을 첨가한다. 제 2 형광체층(22)은 형광체 입자(31)만으로 이루어지며, 고착재 입자(32), 도전재 입자(33)는 포함하지 않는다. 제 2 형광체층(22)은 고착재 입자(32), 도전재 입자(33) 등의 비발광 입자를 포함하지 않기 때문에, 발광 휘도가 높아진다.
형광체층(2)은 제 1 형광체층(21)이 주로 고착·도전 기능을 담당하고, 제 2 형광체층(22)이 발광 기능을 담당하고 있기 때문에, 고착 강도가 높고, 도전성도 높으며, 또한 발광 휘도도 높다.
형광체층(2)의 발광 휘도는, 층 두께와 성분이 제 1 형광체층(21)과 동일한 종래의 1층으로 된 형광체층에 비해, 30% 정도 상승되는 것을 알 수 있었다.
형광체층(2)은 후술하는 바와 같이, 우선, 애노드 전극(12) 상에 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 도포하여 건조시키고, 제 1 형광체층(21) 상에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포해서 형성한다. 따라서, 가령 제 1 형광체층(21)의 도포층에 핀홀이 생겨도 제 2 형광체층(22)의 도포층에 의해 그 핀홀은 막아지기 때문에, 형광체층(2)의 핀홀의 발생 개소를 줄일 수 있거나, 또는 형광체층(2)에 핀홀이 생기는 일이 없다.
형광체층(2)의 층두께는 고착 강도의 면에서 40㎛ 이하(제 1 형광체층(21)의 층 두께의 2배 이하), 양산을 고려한 경우에는 35㎛ 이하(마찬가지로 1.75배 이하)가 바람직하고, 제 2 형광체층(22)의 층 두께는 제 1 형광체층(21)의 층 두께와 동일하거나, 제 1 형광체층(21)보다도 얇게 하는 것이 바람직하다. 또, 제 2 형광체층(22)의 형광체의 입경은 발광 효율의 면에서 제 1 형광체층(21)의 입경(평균 입경)과 동일하거나, 제 1 형광체층(21)의 입경(평균 입경)보다도 작게 하는 것이 바람직하다. 본 실시예는 제 1 형광체층(21)에 입경이 3㎛인 형광체를, 제 2 형광체층(22)에 입경이 2.5㎛인 형광체를 이용하였다.
제 2 형광체층(22)은 그 크기(도포한 패턴의 면적)를 제 1 형광체층(21)과 동일하게 하거나, 제 1 형광체층(21)보다도 작게 하면 페이스트의 도포가 용이하게 된다.
인가하는 애노드 전압이 높은 경우, 예를 들면, 70V 이상인 경우에는 종래 형광체의 내전압성을 높이기 위해, 형광체 입자에 실리카를 코팅한, 소위 실리카 코팅 형광체를 이용한다. 그러나, 본 실시예의 형광체층(2)에서는, 제 2 형광체층(22)에 실리카 코팅 형광체를 이용하면 내전압성이 높아지는 것을 알 수 있었다. 이 경우, 제 2 형광체층(22)만 실리카 코팅 형광체를 이용하거나, 또는 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22) 양쪽에 실리카 코팅 형광체를 이용하면서 제 2 형광체층(22)의 실리카 코팅 형광체의 양을 제 1 형광체층(21)보다 많게 한다. 또한, 종래, 형광 표시 장치의 구동 중에 형광체층에 발생하는 가스에 의해 형광체층의 발광 효율이 저하하는 것을 방지하기 위해, 형광체 입자를 WO3로 피복하는 경우가 있다. 본 실시예에 있어서도 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22) 양쪽에 또는 적어도 제 2 형광체층(22)에 WO3(휘도 개선 물질)을 이용할 수 있다. 이 경우, 제 2 형광체층은 형광체와 WO3로 이루어지고, 고착재를 포함하지 않는다.
제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)에 이용하는 형광체는 ZnO : Zn에 한정되지 않으며, 다른 형광체를 이용해도 좋다. 또, 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)에 이용하는 형광체는 동일한 종류의 것을 이용해도 좋고, 형광체층마다 다른 종류의 것을 이용해도 좋다.
다음에, 도 2를 참조하여, 도 1의 형광체층(2)의 형성 수순(공정)과 형광체층 형성용 페이스트에 대해 설명한다.
우선, 도 2(a)를 참조하여 형광체층(2)의 형성 수순(공정)을 설명한다.
스텝 S1에서 애노드 전극 상에 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 소정의 패턴(그래픽, 7 세그먼트, 캐릭터 등)으로 도포하고, 스텝 S2에서 100℃의 오븐에서 30분간 건조시켜 제 1 형광체층(21)을 형성한다. 스텝 S3에서 제 1 형광체층(21) 위에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 소정의 패턴으로 도포하고, 스텝 S4에서 100℃의 오븐에서 30분간 건조시켜 제 2 형광체층(22)을 형성한다. 스텝 S5에서 제 1, 제 2 형광체층(21, 22)을 500℃에서 소성한다.
제 1, 제 2 형광체층 형성용 페이스트의 도포는 스크린 인쇄, 포토리소그래피 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 스크린 인쇄의 경우, 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시킨 후 바로 소성하면, 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포할 때, 소성한 제 1 형광체층(21)에 스크린이 닿아 제 1 형광체층(21)이 박리되는 경우가 있지만, 본 실시예에서는 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시킨 후, 소성하지 않고 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하기 때문에, 제 1 형광체층(21)이 박리되는 일은 없다.
다음에, 도 2(b)를 참조하여, 도 2(a)의 제 1 및 제 2 형광체층(21, 22)의 형성에 이용하는 페이스트에 대해 설명한다.
제 1 형광체층 형성용 페이스트는 형광체(ZnO : Zn)가 60wt%，도전재(In2O3)가 3wt%，고착재(SiO2의 초미립자)가 1wt%, 유기용제(테르피네올<terpineol>)가 36wt%의 것을 이용하고, 제 2 형광체층 형성용 페이스트는 형광체(ZnO : Zn)가 60wt%，도전재와 고착재가 0wt%, 유기용제(테르피네올)가 40wt%의 것을 이용한다. 또한 각 페이스트에 수지를 더해도 좋다.
형광체층(2)의 발광 휘도는, 제 1 형광체층(21)에 첨가하는 도전재를 0.5wt%부터 늘리면, 그 첨가량의 증가에 수반해서 상승하고, 첨가량 2wt%에서 피크에 달한다. 따라서, 제 1 형광체층(21)의 도전재의 첨가량은 3wt%에 한정되지 않고 0.5∼3wt%의 범위이면 좋다.
도전재료는 너무 적으면 형광체층의 저항이 커져 형광체층이 챠지 업되기 쉬워지고, 너무 많으면 발광에 기여하지 않는 무효 전류가 커진다. 또, 형광체에 첨가하는 도전재의 양은 형광체 자체의 저항(형광체의 모체 저항)에 따라 다르다. 예를 들면, 현재 사용되고 있는 컬러 형광체는 일반적으로 모체 저항이 크기 때문에 도전재를 15wt% 정도 첨가하는 경우도 있다.
형광체에 첨가하는 도전재나 고착재, 유기용제는 상기 이외의 것이어도 좋다.
상기 실시예는 열전자 방출용 필라멘트를 구비한 형광 표시 장치에 대해 설명했지만, 전계 방출형 전자원(FEC)을 구비한 것이어도 좋다. 또, 형광 표시 장치에 한정되지 않고, 광원 등의 형광체층을 구비한 형광 발광 장치라도 좋다.
11 유리 기판
12 애노드 전극
2 형광체층
21 제 1 형광체층
22 제 2 형광체층
31 형광체의 입자
32 고착재의 입자
33 도전재의 입자

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 전자원으로부터 방출되는 전자에 의해서 발광하는 형광체층을 구비한 형광 발광 장치에 있어서,
    상기 형광체층은 애노드 전극 상에 형성한 제 1 형광체층과 상기 제 1 형광체층 상에 적층해서 형성한 제 2 형광체층으로 이루어지고,
    상기 제 1 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 고착재와 도전재와 WO3으로 이루어지고,
    상기 제 2 형광체층은 ZnO : Zn 형광체와 WO3으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체인 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 형광체층의 ZnO : Zn 형광체는 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체인 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 형광체층의 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체의 실리카 코팅량을 상기 제 1 형광체층의 실리카 코팅 ZnO : Zn 형광체의 실리카 코팅량보다 많게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 형광체층의 막 두께를 상기 제 1 형광체층의 막 두께보다 얇게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 형광체층의 패턴 면적을 상기 제 1 형광체층의 패턴 면적보다 작게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 형광체층의 형광체의 평균 입경을 상기 제 1 형광체층의 형광체의 평균 입경보다 작게 한 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 형광체층의 막 두께의 합은 40㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치.
  11. 제 3 항에 기재된 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법으로서,
    상기 애노드 전극에 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 제 1 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 1 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 형광체층에 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 도포하고, 상기 제 2 형광체층 형성용 페이스트를 건조시켜 상기 제 2 형광체층을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 형광체층을 소성하는 것을 특징으로 하는 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법.
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