JPS5893195A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
- Publication number
- JPS5893195A JPS5893195A JP56191577A JP19157781A JPS5893195A JP S5893195 A JPS5893195 A JP S5893195A JP 56191577 A JP56191577 A JP 56191577A JP 19157781 A JP19157781 A JP 19157781A JP S5893195 A JPS5893195 A JP S5893195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light emitting
- emitting element
- electroluminescent device
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
を行う分散型電界発光素子に関するものである。
第１図は、従来の分散型電界発光素子の構造を示す断面
図であり、１は表示面を構成する透明なガラス基板、２
はガラス基板１上に電極材料として酸化スズを膜厚約２
００ＯＡに電子ビーム蒸着法により成膜し、熱処理を施
して形成した透明電極、３は後述°する螢光層、４は螢
光層３上にアルミニウムを膜厚約２０００＾に電子ビー
ム蒸着法によって形成した反射性を有する金属背面電極
で、これらガラス基板１．透明電極２．螢光層３．背両
電極はは分散型電界発光セル（以下ＥＬセルと−す）５
を構成する。６はＥＬセル５の表示面部分を除いてＥＬ
セル５を密封状態で包囲するポリカーボネート樹脂製の
カバーであるが、このカバー６は前記樹脂の他に金属や
ガラス等ガスの漏洩が生じない限りいずれでも良く、表
示面に対向する部分のみ透明であればＥＬセル５全体を
包囲する形状でもかまわない。
図であり、１は表示面を構成する透明なガラス基板、２
はガラス基板１上に電極材料として酸化スズを膜厚約２
００ＯＡに電子ビーム蒸着法により成膜し、熱処理を施
して形成した透明電極、３は後述°する螢光層、４は螢
光層３上にアルミニウムを膜厚約２０００＾に電子ビー
ム蒸着法によって形成した反射性を有する金属背面電極
で、これらガラス基板１．透明電極２．螢光層３．背両
電極はは分散型電界発光セル（以下ＥＬセルと−す）５
を構成する。６はＥＬセル５の表示面部分を除いてＥＬ
セル５を密封状態で包囲するポリカーボネート樹脂製の
カバーであるが、このカバー６は前記樹脂の他に金属や
ガラス等ガスの漏洩が生じない限りいずれでも良く、表
示面に対向する部分のみ透明であればＥＬセル５全体を
包囲する形状でもかまわない。
ところで、前記螢光層５は、発光中心を形成する活性物
質を添加した螢光体と高誘電率を有する誘電体とを分散
させ生成した粉末゛を膜厚的１０ ｐ ｍにシルクスク
リーン法により形成してあり、たとえば螢光体には銅を
添加した硫化亜鉛粉末の表面をアルミニウムで被覆した
もの、また誘電体には無機質の酸化チタバリあるいは有
機質のシナノエチルヒドロチシセルロールやアクリル、
エポキシ逐どの樹脂材が使用されている。
質を添加した螢光体と高誘電率を有する誘電体とを分散
させ生成した粉末゛を膜厚的１０ ｐ ｍにシルクスク
リーン法により形成してあり、たとえば螢光体には銅を
添加した硫化亜鉛粉末の表面をアルミニウムで被覆した
もの、また誘電体には無機質の酸化チタバリあるいは有
機質のシナノエチルヒドロチシセルロールやアクリル、
エポキシ逐どの樹脂材が使用されている。
このような構成では、電極２，４間に数ＫＨ２の規則的
な交流電圧を印加することによって螢光層３内に発生し
た電界により発光中心である銅の電子が励起されて緑色
の電界発光を生じ、この発光による光線が直接あるいは
背面電極４で反射されてガラス基板１を通って外部へ照
射される〇この発明は前記構成を有する分散型の電界発
光素子に対して、更に高い発光輝度を可能とするために
技術的手段を駆使したものであり、螢光体と誘電体から
成る発光層内にシランカップリング剤を加えることによ
り、前記螢光体と誘電体との接合界面状態を良好にして
発光強度の高い電界発光素子を提供することを目的とす
るものである。
な交流電圧を印加することによって螢光層３内に発生し
た電界により発光中心である銅の電子が励起されて緑色
の電界発光を生じ、この発光による光線が直接あるいは
背面電極４で反射されてガラス基板１を通って外部へ照
射される〇この発明は前記構成を有する分散型の電界発
光素子に対して、更に高い発光輝度を可能とするために
技術的手段を駆使したものであり、螢光体と誘電体から
成る発光層内にシランカップリング剤を加えることによ
り、前記螢光体と誘電体との接合界面状態を良好にして
発光強度の高い電界発光素子を提供することを目的とす
るものである。
以下、この発明の実施例について述べる。
３第２図は、この実施例を示す分散型電界発光素子の構
造を示す断面図であり、ガラス基板ｌ、透明電極２．背
面電極４．ケース６は前記第１図の従来例と同材料が同
条件にて使用されており、特徴はＥＬセル５０の構成の
一部を成す発光１％ ：３０にあ′：１： 螢光体と誘電体からなる螢光層８の発光状態を詳しく観
測分析した結果、前記螢光体と誘電体との接合界面の極
性が揃っている螢光層゛ａはど強い発光強度が得られる
ことが判明した。
造を示す断面図であり、ガラス基板ｌ、透明電極２．背
面電極４．ケース６は前記第１図の従来例と同材料が同
条件にて使用されており、特徴はＥＬセル５０の構成の
一部を成す発光１％ ：３０にあ′：１： 螢光体と誘電体からなる螢光層８の発光状態を詳しく観
測分析した結果、前記螢光体と誘電体との接合界面の極
性が揃っている螢光層゛ａはど強い発光強度が得られる
ことが判明した。
この発明は、この現象を積極的に利用する構成として、
螢光体と誘電体とから成る螢光材内にシランカップリン
、グ剤を添加し、゛螢光体と誘電体の接合界面の極性を
強制的に揃えて強面に結合させ。
螢光体と誘電体とから成る螢光材内にシランカップリン
、グ剤を添加し、゛螢光体と誘電体の接合界面の極性を
強制的に揃えて強面に結合させ。
牛れを膜厚的１０Ｐｍにシルクスクリーン法により迦明
電極２上に塗布した後約１００”Ｃで熱処理を行い、螢
光層３０を構成したものである。
電極２上に塗布した後約１００”Ｃで熱処理を行い、螢
光層３０を構成したものである。
第３図は、このような構成から成る分散型電界発光素子
において、螢光層３０゜内の螢光体には銅を添加した硫
化亜鉛粉末の表面をアルミニウムで被覆したもの、誘電
体には有機質のエポキシ樹脂材を各々用い、これら、螢
光材内に入れるシランカップリング剤の添加量を変化さ
せて測定した印加電圧と発光輝度との関係を示す図で、
右肩の数字はシランカップリング剤の添加量を示す。
において、螢光層３０゜内の螢光体には銅を添加した硫
化亜鉛粉末の表面をアルミニウムで被覆したもの、誘電
体には有機質のエポキシ樹脂材を各々用い、これら、螢
光材内に入れるシランカップリング剤の添加量を変化さ
せて測定した印加電圧と発光輝度との関係を示す図で、
右肩の数字はシランカップリング剤の添加量を示す。
これによりシランカップリング剤の添加量が増すと発光
開始電圧が低くなり、同じ値の電圧の印加に対して発光
輝度が増加し、最終的に到達する最大発光輝度心高くな
ることがわかる。
開始電圧が低くなり、同じ値の電圧の印加に対して発光
輝度が増加し、最終的に到達する最大発光輝度心高くな
ることがわかる。
なお、シランカップリング剤の添加量がある値より多太
なるとＥＬセル５０の両電極２，４間の端子電圧供給が
少なくなシミ流密度が上昇するためシランカップリング
剤の添加量には限度があり、この実施例においては２３
％を越えると前記現象が認められた。。
なるとＥＬセル５０の両電極２，４間の端子電圧供給が
少なくなシミ流密度が上昇するためシランカップリング
剤の添加量には限度があり、この実施例においては２３
％を越えると前記現象が認められた。。
このように、螢光体と誘電体とからなる螢光層をその構
成の一部として有する分散型の電界発光素子において、
前記螢光体を誘電体とからなる螢光材の中にシランカッ
プリング剤を適当量添加して螢光層を形成することによ
り、螢光体と誘電体との接合界面の極性が揃えられ、発
光層内でお互いが強固な状態で結合されることにカリ、
よって従来構造に比べて低い電圧での発光が可能となり
、同じ値の電圧印加に対する発光輝度が増し、最終−に
致達する最大発光輝度も高くなるという効果が得られ、
コントラストの良好な表示素子が得られるものである。
成の一部として有する分散型の電界発光素子において、
前記螢光体を誘電体とからなる螢光材の中にシランカッ
プリング剤を適当量添加して螢光層を形成することによ
り、螢光体と誘電体との接合界面の極性が揃えられ、発
光層内でお互いが強固な状態で結合されることにカリ、
よって従来構造に比べて低い電圧での発光が可能となり
、同じ値の電圧印加に対する発光輝度が増し、最終−に
致達する最大発光輝度も高くなるという効果が得られ、
コントラストの良好な表示素子が得られるものである。
第１図は、従来の分散型電界発光素子の構造を示す断面
図、 第２図は、この発明の実施例を示ｊ分散型電界発光素子
の構造を示す断面図、 第３図は、分散型電界発光素子の印加電圧に対する発光
輝度との関係を示す特性図である。 １；ガラス基板 ２：透明電極 ３０：発光層 ４：背面電極 第１図 爛 豐 第２ｗＪ 賦 ａＷ 印加電圧（マ）
図、 第２図は、この発明の実施例を示ｊ分散型電界発光素子
の構造を示す断面図、 第３図は、分散型電界発光素子の印加電圧に対する発光
輝度との関係を示す特性図である。 １；ガラス基板 ２：透明電極 ３０：発光層 ４：背面電極 第１図 爛 豐 第２ｗＪ 賦 ａＷ 印加電圧（マ）
Claims (1)
- 電圧を印加することにより電界発光を行う螢光層を有す
る分散型の電界発光素子において、前記螢光層を構成す
る螢光体−と誘電体との中にシラン−ツブリング剤を添
加したことを特徴とする電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191577A JPS5893195A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191577A JPS5893195A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893195A true JPS5893195A (ja) | 1983-06-02 |
| JPS647476B2 JPS647476B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=16276968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191577A Granted JPS5893195A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893195A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201890A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Seikosha Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108399A (en) * | 1977-01-27 | 1978-09-21 | Atkins & Merrill | Electroluminescence lamp enclosed at high temperature |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP56191577A patent/JPS5893195A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108399A (en) * | 1977-01-27 | 1978-09-21 | Atkins & Merrill | Electroluminescence lamp enclosed at high temperature |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201890A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Seikosha Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS647476B2 (ja) | 1989-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH118063A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JPS5823191A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS5893195A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2005203336A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス発光粒子 | |
| JPS6025195A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JP3277003B2 (ja) | ガス放電発光素子 | |
| JPS58223292A (ja) | エレクトロルミネツセンス素子 | |
| KR101436725B1 (ko) | 형광 발광 장치와 형광 발광 장치의 형광체층의 형성 방법 | |
| JPS6323640B2 (ja) | ||
| JPH10125262A (ja) | フィールドエミッションディスプレイ装置 | |
| JP3394098B2 (ja) | 蛍光表示管の製造方法 | |
| KR100301759B1 (ko) | 후막형전계발광소자 | |
| KR920002374B1 (ko) | 전계 발광램프의 제조방법 | |
| JPS5887740A (ja) | けい光表示管 | |
| JPS5835360B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH0121519Y2 (ja) | ||
| JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPS5857288A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH0318320B2 (ja) | ||
| JPS62225583A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JP2004228003A (ja) | カソードルミネッセンス用蛍光板 | |
| JPH07220874A (ja) | Ｅｌパネル | |
| JPS5820468B2 (ja) | 黒化電極構造 | |
| JPS6252888A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61271780A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 |