JP2795185B2

JP2795185B2 - 表示装置

Info

Publication number: JP2795185B2
Application number: JP19616594A
Authority: JP
Inventors: 禎久米沢; 茂生伊藤; 均土岐; 能孝鹿川; 文昭片岡
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1994-07-29
Filing date: 1994-07-29
Publication date: 1998-09-10
Anticipated expiration: 2013-09-10
Also published as: JPH0845438A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、蛍光体を利用する表示
装置に関するものであり、特に輝度を向上することがで
きるものである。

【０００２】

【従来の技術】蛍光体を利用する表示装置は、電子機
器、コンピュータ端末や車のインパネ等の各種表示装置
として用いられたり、またはプリンタの光源やバックラ
イト用の光源として従来から使用されている。

【０００３】このような表示装置として、蛍光表示管や
電界放出型表示装置等が知られているが、従来例として
蛍光表示管の断面図を図７に示す。この図において、１
１１は内部が真空とされる外囲器の一部を構成している
基板、１１２は電子を捕捉するよう基板１１１の内面に
形成されている陽極導体、１１３は陽極導体１１２上に
形成されている可視発光蛍光体層、１１４は可視発光蛍
光体層１１３上にさらに形成されている紫外線放射蛍光
体層、１１５は電子の陽極導体１１２への到達を制御す
る制御電極、１１６は電子を放出するフィラメント、１
１７は外囲器の一部を構成している側面板、１１８は外
囲器の底面を構成している平面板、１２０は外囲器内を
高真空に引くための排気管、１２１は１１４から発生し
た紫外線により他の蛍光体（発光させるべき蛍光体以
外）を発光させないための紫外線遮蔽板である。

【０００４】この蛍光表示管において、基板１１１は透
明のガラス板により形成されており、その内側内面には
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜あるいはネサ膜等の透明
導電膜からなる陽極導体１１２が形成されている。ま
た、陽極導体１１２上には紫外線で励起発光される可視
発光蛍光体層１１３が形成されている。この可視発光蛍
光体層１１３は紫外線の励起により効率よく発光する蛍
光体であり、例えばＺｎＳ：Ａｇ蛍光体が用いられる。

【０００５】さらに、可視発光蛍光体層１１３の上には
電子線で励起される紫外線放射蛍光体層１１４が積層さ
れている。そして、この紫外線放射蛍光体層１１４から
離隔されると共に対面して制御電極１１５が設けられて
おり、この制御電極１１５に印加される電位に応じて、
フィラメント１１６から放出された電子線が、陽極導体
１１２に到達することを制御することができる。すなわ
ち、可視発光蛍光体層１１３の発光をオン／オフするこ
とができる。この制御電極１１５はメッシュ状あるいは
ワイヤー状とされている。

【０００６】また、制御電極１１５からさらに離隔され
ると共に紫外線放射蛍光体層１１４に対面して電子を放
出するフィラメント１１６が設けられている。前記した
各部を収納している容器が基板１１１、側面板１１７、
及び平面板１１８からなる外囲器であり、各部を収納し
た後、排気管１２０から排気を行い外囲器内部を高真空
とし、その後に排気管１２０が封止されている。

【０００７】なお、可視発光蛍光体層１１３上に紫外線
放射蛍光体層１１４を積層しているのは、次の理由によ
る。可視発光蛍光体層１１３は電子線で励起されて発光
するが、電子線のエネルギのすべてが発光に寄与するも
のではなく、エネルギの一部は可視発光蛍光体層１１３
を分解させ、蛍光体層１１３の成分をガス体として飛散
させることになる。特に、可視発光蛍光体が硫化物とさ
れている場合は、硫化物系のガスが飛散されることにな
り、このガスがフィラメントに付着するとその表面を毒
化させてしまうため、フィラメントのエミッションを低
下させてしまうことになる。

【０００８】従って、表示装置の輝度が次第に減少する
ことになる。しかも、輝度を上げようとして電子線密度
を上げると、前記現象は硫化物蛍光体に衝突する電子線
の密度が大きいほどガスの飛散が大となるため、電流密
度を上げて輝度を上げることはできない。そこで、可視
発光蛍光体層１１３を電子線で励起する替わりに紫外線
で励起して発光させるようにすると共に、可視発光蛍光
体層１１３が仮に分解してもガスが飛散されないように
紫外線放射蛍光体層１１４により、可視発光蛍光体層１
１３を覆うようにしているのである。

【０００９】このような構造の蛍光表示管の動作を説明
すると、フィラメント１１６から放出された電子は、制
御電極１１５を通過して紫外線放射蛍光体層１１４に衝
突し、紫外線放射蛍光体層１１４から紫外線が放射され
る。この放射された紫外線により紫外線放射蛍光体層１
１４の内側に積層されている可視発光蛍光体層１１３が
励起され、可視発光蛍光体層１１３が可視光を発光する
ようになる。この可視光は透明の基板１１１を通して外
部から観察することができる。

【００１０】ところで、紫外線放射蛍光体層１１４をＺ
ｎＯ・Ｇａ₂ Ｏ₃ ：Ｃｄ蛍光体とした時の発光スペクト
ルを図８に示すが、そのスペクトルのピークは３６５ｎ
ｍの紫外線とされている。また、この紫外線が可視発光
蛍光体層１１３に衝突し、例えば図９ａに示すスペクト
ルの青色の可視光が発光される。なお、図９ｂは異なる
蛍光物質の可視発光蛍光体層とされた時に黄色発光した
場合のスペクトルの一例であり、図９ｃはさらに異なる
蛍光物質の可視発光蛍光体層とされた時に、赤色発光し
た場合のスペクトルの一例を示している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表示装置においては可視発光蛍光体の分解ガスの悪影響
を除去することができるものの、表示装置の輝度が低い
という問題点があった。この場合、電流密度を上げて表
示装置の輝度を上げようとしても輝度が飽和特性を示し
輝度が上がらないという問題点もあった。

【００１２】そこで、本発明は可視発光蛍光体の分解ガ
スの悪影響を除去することができると共に、良好な輝度
特性を示す表示装置を提供することを目的としている。
さらに、本発明はコントラストの向上を図れるフルカラ
ーの表示装置を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、電子を放出する電子放出源
と、該電子放出源から放出された電子を捕捉するアノー
ド導体と、該アノード導体上に形成された可視発光蛍光
体層と、該可視発光蛍光体層上に形成された紫外線放射
蛍光体層とが、真空に保持された外囲器内に配設された
表示装置において、前記紫外線放射蛍光体層の粒径を前
記可視発光蛍光体層の粒径以下とするようにしたもので
ある。

【００１４】また、具体的には、前記可視発光蛍光体層
の粒径が０．１〜１０μｍとされており、前記紫外線放
射蛍光体層の粒径が０．１〜１０μｍとされているもの
であり、記可視発光蛍光体層の積層数が１．０〜２．０
層形成されており、前記紫外線放射蛍光体層の積層数が
１．０〜２．０層形成されているようにしたものであ
る。さらに、前記外囲器が透明物質で形成されていると
共に、前記外囲器の内面に透明導電物質からなる前記ア
ノード導体が形成されていてもよく、前記アノード電極
がストライプ状あるいはメッシュ状とされていてもよい
ものである。

【００１５】さらにまた、本発明の表示装置がフルカラ
ーの場合は、前記紫外線放射蛍光体層に顔料をコーティ
ングするようにしたものであり、輝度を上げるために前
記可視発光蛍光体層及び前記紫外線放射蛍光体層の少な
くともいずれかに、例えばＩｎ₂ Ｏ₃ からなる導電物質
を混合してもよいものである。

【００１６】

【作用】本発明によれば、電子線により分解しやすい可
視発光蛍光体を利用することができるため、現状におい
ては青色の蛍光体として一般に実用化されている分解し
易い硫化物系の蛍光体を使用することができる。この場
合において、電子源のエミッション低下を防止すること
ができるようになる。さらに、各蛍光体層の粒径や積層
数を規定するようにしたことにより、良好な輝度特性を
示す表示装置を得ることができる。また、フルカラーの
表示装置においては可視発光蛍光体層上に積層する紫外
線放射蛍光体層に顔料をコーティングすることによりコ
ントラストの向上を図ることができる。

【００１７】

【実施例】本発明の第１実施例の表示装置の断面図を図
１に示すが、この表示装置は電界放出型表示装置とされ
ている。この図において、１はガラス製のカソード基
板、２はカソード基板１上に形成されているカソード導
体、３はカソード導体２上に形成された絶縁層、４は絶
縁層３上に積層された制御電極、５は絶縁層３が設けら
れていないカソード導体２上に形成されている電子を電
界放出するエミッタコーン、７はカソード基板１と共に
外囲器を構成しているアノード基板、８はアノード基板
７の内側表面に形成されているアノード導体、９はアノ
ード導体８上に薄く積層されている可視発光蛍光体層、
１０は可視発光蛍光体層９上に薄く積層されている紫外
線放射蛍光体層である。

【００１８】ところで、金属または半導体表面の印加電
界を１０⁹ ［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果によ
り、電子が障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が
行われるようになる。この現象を電界放出（Field Emis
sion）と云い、古くから知られているが、このような原
理で電子を放出するカソードを電界放出カソード（Fiel
d Emission Cathode：以下、ＦＥＣと記す）と呼んでい
る。

【００１９】近年、半導体集積化技術を駆使して、ミク
ロンサイズのＦＥＣを作ることが可能となり、その一例
としてスピント（Spindt）型と呼ばれるＦＥＣが知られ
ている。このＦＥＣは、半導体微細加工技術を用いて製
作すると、円錐状のエミッタ、すなわちエミッタコーン
と制御電極との距離をサブミクロンとすることが出来る
ため、エミッタコーンと制御電極間に数１０ボルトの電
圧を印加することによりエミッタコーンから電子を放出
させることが出来るようになる。

【００２０】また、各エミッタコーン間のピッチは５ミ
クロンないし１０ミクロンとして製作することが出来る
ため、数万から数１０万個のＦＥＣを１枚のカソード基
板１上に設けることが出来る。このようなＦＥＣから離
隔すると共に対向してアノード導体を設けるようにし、
さらにアノード導体に蛍光体層を積層するようにする
と、エミッタコーンから放出された電子が蛍光体層に衝
突して励起され、蛍光体層が発光するようになる。すな
わち、この発光を透明のアノード基板を通して観察する
表示装置とすることができる。このような原理の表示装
置は従来から知られているが、電界放出型表示装置（以
下、ＦＥＤと記す）と呼ぶこととする。

【００２１】図１に示す表示装置は、このようなスピン
ト型のＦＥＣを用いた表示装置であり、カソード基板１
およびアノード基板７からなる外囲器内は高真空状態と
されている。ここで、カソード導体２と制御電極４との
間に所定の電圧を印加すると、エミッタコーン５から電
子が放出されるようになり、この電子がカソード導体２
に対向配置されたアノード導体８に向かって飛翔するよ
うになる。そして、アノード導体８の近傍に到達した電
子はアノード導体８に積層されている紫外線放射蛍光体
層１０に衝突して、この蛍光体層１０を励起し紫外線を
放射させるようになる。また、電子の一部は紫外線放射
蛍光体層１０の薄い層を通過して可視発光蛍光体層９に
衝突するようになる。

【００２２】紫外線放射蛍光体層１０から放射された紫
外線は、その内側に積層されている可視発光蛍光体層９
に衝突してこれを励起し、可視光を発光させるようにな
る。この可視光はガラス製の透明のアノード基板７を透
過して外部から観察することができる。すなわち、図示
する矢印の方向から見ることにより、表示装置に表示さ
れた画像を見ることができる。

【００２３】なお、アノード導体８は、アノード基板７
上にＩＴＯに代表される透明導電膜をスパッタリングす
ることにより作製されている。あるいは、アルミニウム
等の金属をストライプあるいはメッシュ構造としてアノ
ード導体８を形成するようにしてもよい。また、アノー
ド導体８上に積層される可視発光蛍光体層９は、沈降法
により可視発光蛍光体層９をアノード導体８上に堆積す
ることにより形成されている。さらに、可視発光蛍光体
層９上に積層される紫外線放射蛍光体層１０も、沈降法
により紫外線放射蛍光体層１０を可視発光蛍光体層９上
に堆積することにより形成されている。

【００２４】可視発光蛍光体層９としては、粒径約２．
０μｍのＺｎＳ：Ａｇの硫化物系の蛍光体が用いられ、
積層数が１．０層となるよう堆積されている。また、紫
外線放射蛍光体層１０としては、粒径約１．０μｍのＢ
ａＳｉ₂ Ｏ₅ ：Ｐｂの蛍光体が用いられ、積層数が１．
０層となるよう堆積されている。なお、可視発光蛍光体
層９の形成方法としては、他に電着法、印刷法、スラリ
ー法、光粘着法、ダスティング法等を採用することがで
きるが、沈降法は蛍光体の積層される層数の制御性に優
れているため好適な堆積法である。

【００２５】前記したように、紫外線放射蛍光体層１０
の粒径を可視発光蛍光体層９の粒径より小さくすること
により、電子線の一部により可視発光蛍光体層９が直接
励起されるようになり、紫外線による励起と相乗されて
可視発光蛍光体層９より発光される可視光の輝度を向上
することができる。この時、電子線により可視発光蛍光
体層９が分解しても、その上に積層されている紫外線放
射蛍光体層１０によりガスの放出が防止される。この場
合、紫外線放射蛍光体層１０より放射される紫外線のス
ペクトルは前記図８に示すようなスペクトルとされ、こ
の紫外線により励起発光される可視発光蛍光体層９の発
光スペクトルは図９ａに示す青色とされる。

【００２６】ところで、蛍光体の粒径は、通常図４に示
すようにある範囲内に分布しているため、ある寸法とさ
れた粒径の蛍光体だけを実際には使用することができ
ず、ある範囲内の寸法の粒径の蛍光体を使用することに
なる。すなわち、可視発光蛍光体層９の粒径は約２．０
μｍとしたが、実際には図４に示すように０．１μｍ〜
１０μｍの粒径とされている。同様に、紫外線放射蛍光
体層１０においても、０．１μｍ〜１０μｍの粒径とさ
れている。ただし、平均的には可視発光蛍光体層９の粒
径は約２．０μｍとされ、紫外線放射蛍光体層１０の粒
径は１．０μｍとされている。

【００２７】ここで、積層数について説明すると、図５
（ａ）に示すように多少の間隔を空けて基板上に粒子が
図示するように堆積されている状態を積層数が１層とい
い、同図（ｂ）に示すように、１層堆積された上にその
粒子間を埋めるようにさらに堆積された状態を積層数が
１．５層といい、同図（ｃ）に示すように、基板上にま
ばらな間隔で粒子が堆積された状態を積層数が０．５層
ということとする。

【００２８】そこで、紫外線放射蛍光体の積層数と輝度
との関係を考察すると、蛍光体の抵抗は一般に高いもの
であるため、積層数が増加すると抵抗が高くなり電流が
流れにくくなる。すなわち、輝度は低下する。この様子
を表した図が図６（ａ）であり、積層数が増加していく
につれて輝度が低下するようになる。また、積層数が小
さいと基板を覆う率であるカバー率が図６（ｂ）に図示
するように低下することになり、カバー率の低下にとも
ない輝度が低下するようになる。

【００２９】従って、積層数は輝度の点から見ると少な
い方がよいが、カバー率から見ると多い方がよいことに
なる。すなわち、ほぼ９０％以上のカバー率が得られる
１．０層以上で、輝度の点から見て多くても２．０層以
内の積層数とするのが好適となる。

【００３０】次に、本発明の第２実施例の表示装置の断
面図を図２に示すが、この表示装置は蛍光表示管とされ
ている。この図において、アノード基板７、アノード導
体８、可視発光蛍光体層９、紫外線放射蛍光体層１０に
ついては図１と同様であるのでその説明は省略するが、
１は内部が真空とされる外囲器の一部を構成しているカ
ソード基板、１１はアノード導体８から離隔して配設さ
れ、フィラメント１２から放出された電子がアノード導
体８へ到達することを制御するグリット、１２はグリッ
ド１１からさらに離れてアノード導体８に対向するよう
配設された電子を放出するフィラメントである。

【００３１】この蛍光表示管において、アノード基板７
はガラス板により形成されており、その内側内面にはＩ
ＴＯ膜あるいはネサ膜等の透明導電膜からなるアノード
導体８が形成されている。また、アノード導体８上には
紫外線で励起発光される可視発光蛍光体層９が形成され
ている。この可視発光蛍光体層９は紫外線の励起により
効率よく発光する蛍光体であり、例えばＺｎＳ：Ａｇ等
の硫化物系の蛍光体が一般によく用いられる。

【００３２】さらに、可視発光蛍光体層９の上には電子
線で励起される紫外線放射蛍光体層１０が積層されてい
る。そして、この紫外線放射蛍光体層１０から離隔され
ると共に対面してグリッド１１が設けられており、この
グリット１１に印加される電位に応じて、フィラメント
１２から放出された電子線が、アノード導体８に到達す
ることを制御することができる。すなわち、可視発光蛍
光体層８の発光をオン／オフすることができる。このグ
リッド１１はメッシュ状あるいはワイヤー状とされてい
る。また、グリッド１１からさらに離隔されると共に紫
外線放射蛍光体層１０に対面して電子を放出するフィラ
メント１２が設けられている。

【００３３】この第２実施例の表示装置においても、ア
ノード導体８は、アノード基板７上にＩＴＯに代表され
る透明導電膜をスパッタリングすることにより作成され
ている。あるいは、アルミニウム等の金属をストライプ
あるいはメッシュ構造としてアノード導体８を形成する
ようにしてもよい。次に、アノード導体８上に積層され
る可視発光蛍光体層９は、沈降法により蛍光体層９をア
ノード導体８上に堆積することにより形成されている。
さらに、可視発光蛍光体層９上に積層される紫外線放射
蛍光体層１０も、沈降法により紫外線放射蛍光体層１０
を可視発光蛍光体層９上に堆積することにより形成され
ている。

【００３４】可視発光蛍光体層９としては、粒径約２．
０μｍのＺｎＳ：Ａｇを用い、積層数が１．０層となる
よう堆積されている。また、紫外線放射蛍光体層１０と
しては、粒径約１．０μｍのＢａＳｉ₂ Ｏ₅ ：Ｐｂを用
い、積層数が１．０層となるよう堆積されている。な
お、可視発光蛍光体層９の形成方法としては、他に電着
法、印刷法、スラリー法、光粘着法、ダスティング法等
を採用することができるが、沈降法は蛍光体の積層され
る層数の制御性に優れているため好適な堆積法である。

【００３５】また、前記した理由から可視発光蛍光体層
９の粒径は約２．０μｍを平均粒径として、０．１μｍ
〜１０μｍの粒径範囲とされている。同様に、紫外線放
射蛍光体層１０においても、約１．０μｍを平均粒径と
して、０．１μｍ〜１０μｍの粒径範囲とされている。
さらに、積層数は、ほぼ９０％以上のカバー率が得られ
る１．０層以上２．０層以内の積層数とするのが好適で
ある。

【００３６】次に、本発明の第３実施例のフルカラーと
されたスピント型のＦＥＣを電子源とする表示装置を図
３に示すが、この表示装置はカソード基板側から表示装
置を観察する構造を有しているものである。この図にお
いて、図１と同符号の部分は同一の部分であり、その説
明は省略するが、１３は紫外線放射蛍光体層１０をコー
ティングしている青色，赤色，緑色の内のいずれかの色
の顔料層である。

【００３７】この表示装置は、透明なガラス製のカソー
ド基板１の内側表面にカソード導体２がスパッタリング
法等により形成されており、カソード導体２上に制御電
極４とエミッタコーン５からなるスピント型のＦＥＣア
レイが間隔を置いてストライプ状に複数本配設されてい
る。そして、アノード導体８は間隔を置いて配設された
ストライプ状のＦＥＣ間の間隙に対向するよう配設され
ており、アノード導体８には可視発光蛍光体層９、紫外
線放射蛍光体層１０および顔料層１３が順次積層されて
いる。

【００３８】ここで、カソード導体２と制御電極４間に
電圧を印加するとエミッタコーン５から電子が放出さ
れ、アノード導体８に捕捉されるようになる。この場
合、アノード導体８は、これを挟む両側のストライプ状
のＦＥＣから放出された電子を捕捉し、これにより紫外
線放射蛍光体層１０が励起されて紫外線を放射するよう
になる。この紫外線は可視発光蛍光体層９を励起して可
視光を発光させると共に、コーティングされている顔料
層１３を介して放射される。

【００３９】この場合、紫外線放射蛍光体層１０の放射
スペクトルは前記図８に示すようになるが、その長波長
部分は青色の可視領域内のスペクトルを含むようにされ
るため、赤および緑の色調（色度座標値）が青色側にシ
フトすることになる。そこで、紫外線放射蛍光体層１０
をコーティングしている顔料層１３を色フィルタとする
ことにより、紫外線放射蛍光体層１０より放射される紫
外線による色のシフトを補正するようにしている。従っ
て、コントラストを向上することができると共に、この
場合、紫外線の一部を観察することができるため輝度も
向上することができる。さらに、可視発光蛍光体層９の
発光を、励起される側から観察することができるため、
本発明の第３実施例の表示装置においては結局のところ
表示装置の輝度を約２倍に向上することができるように
なる。

【００４０】なお、第３実施例において、ガラス製のア
ノード基板７の内側にアルミニウムを蒸着・エッチング
してアノード導体８を形成し、その上に可視発光蛍光体
層９をスラリー法にてパターニングを行い、続けて紫外
線放射蛍光体１０および顔料層１３をスラリー法にてパ
ターニングを行うようにしてアノード基板７を構成して
いる。

【００４１】ここで、可視発光蛍光体層９の蛍光体とし
ては、平均粒径約２．０μｍのＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌの蛍
光体が用いられ、積層数が１．０層となるよう堆積され
ている。また、紫外線放射蛍光体層１０としては、平均
粒径約０．１μｍのＣｒＯ₂微粉末がコーティングされ
ている平均粒径約１．０μｍのＢａＳｉ₂ Ｏ₅ ：Ｐｂの
蛍光体が用いられ、積層数が１．０層となるよう堆積さ
れている。

【００４２】また、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
１リットルに対しＧａ（ＮＯ₃ ）を１００ｍｇ溶解した
電着液中にて、平均粒径約３．０μｍのＺｎＣｄＳ：Ａ
ｇ蛍光体の電着を行うことにより、可視発光蛍光体層９
を形成し、平均粒径約０．１μｍのＦｅ₂ Ｏ₃ （ベニガ
ラ）によりコーティングされている平均粒径約１．０μ
ｍのＢａＳｉ₂ Ｏ₅ ：Ｐｂ蛍光体をスラリー法にて積層
することにより、紫外線放射蛍光体層１０を形成するよ
うにしてもよい。なお、それぞれの積層数は１層となる
ように制御を行うものとする。

【００４３】また、前記した理由により可視発光蛍光体
層９の粒径は約２．０μｍを平均粒径として、０．１μ
ｍ〜１０μｍの範囲とされている。同様に、紫外線放射
蛍光体層１０においても、約１．０μｍを平均粒径とし
て、０．１μｍ〜１０μｍの粒径範囲とされている。さ
らに、積層数は、ほぼ９０％以上のカバー率が得られる
１．０層以上２．０層以内の積層数とされている。な
お、この第３実施例においてはフルカラーの表示装置と
されているため、Ｒ，Ｇ，Ｂの可視発光蛍光体層９が順
次ストライプ状のアノード導体８上に形成されている。

【００４４】以上、本発明の表示装置の第１実施例から
第３実施例を説明したが、第１実施例および第２実施例
においても、フルカラー化が可能であり、この場合に紫
外線放射蛍光体層１０に顔料層１３をコーティングして
コントラストを向上するようにしてもよい。また、可視
発光蛍光体層９および紫外線放射蛍光体層１０のいずれ
かあるいは両方にＩｎ₂ Ｏ₃ 等の導電物質を混合して導
電度を向上するようにしてもよい。この時の混合量は、
５ｗｔ％以下とするのがよい。

【００４５】また、紫外線放射蛍光体層１０として用い
られる蛍光体は前記した蛍光体のほか、（ＢａＳｒＭ
ｇ）₃ Ｓｉ₂ Ｏ₇ ：Ｐｂ、ＳｒＢ₄ Ｏ₇ ・Ｅｕ、（Ｃａ
Ｚｎ）₃ （ＰＯ₄ ）₂ ：Ｔｌ、Ｃａ₃ （ＰＯ₄ ）₂ ：Ｔ
ｌ、ＹＰＯ₄ ：Ｃｅ、ＬａＰＯ₄ ：Ｃｅ、Ｃｅ（ＭｇＢ
ａ）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉、（ＳｒＭｇ）₂ Ｐ₂ Ｏ₇ ：Ｅｕ、Ｙ₂
ＳｉＯ₅ ：Ｃｅ、（ＹＳｒ）ＴａＯ₄ 、（ＹＳｒ）Ｔａ
Ｏ₄ ：Ｎｂ、（ＹＳｒ）ＴａＯ₄ ：Ｇｄ、ＢａＦＣｌ、
ＢａＦＢｒ：Ｅｕ、ＹＡｌＯ₃ ：Ｃｅ、ＺｎＧａ₂ Ｏ
₄ 、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体を用いることができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、電子線により分解しやすい可視発光蛍光体を利用す
ることができ、現状においては一般に実用化されている
分解しやすい硫化物系の蛍光体材料を青色、緑色、赤色
の蛍光体として使用することができる。この場合、電子
源はほとんど汚染されるおそれがないため長期間に渡り
電子源のエミッション低下を防止することができるよう
になる。さらに、各蛍光体の粒径や積層数を規定するよ
うにしたことにより、良好な輝度特性を示す表示装置を
得ることができると共に、電流密度が高くなっても輝度
が飽和することなく高輝度の表示装置とすることができ
る。また、フルカラーの表示装置においては可視発光蛍
光体層上に積層する紫外線放射蛍光体層に顔料をコーテ
ィングすることによりコントラストの向上を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の表示装置の断面図であ
る。

【図２】本発明の第２実施例の表示装置の断面図であ
る。

【図３】本発明の第３実施例の表示装置の断面図であ
る。

【図４】蛍光体の粒径の分布を示す図である。

【図５】積層数を説明するための図である。

【図６】積層数と輝度およびカバー率の関係を示す図で
ある。

【図７】従来の表示装置の断面図を示す図である。

【図８】電子線により励起されて紫外線放射蛍光体から
放射される放射スペクトルの一例を示す図である。

【図９】紫外線により励起されて発光する可視発光蛍光
体の発光スペクトルを示す図である。

【符号の説明】

１カソード基板２カソード導体３絶縁層４制御電極５エミッタコーン７アノード基板８アノード導体９可視発光蛍光体層１０紫外線放射蛍光体層１１グリット１２フィラメント１３顔料層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鹿川能孝千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式会社内 (72)発明者片岡文昭千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式会社内 (56)参考文献特開昭63−304555（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−19737（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01J 31/15,31/12,29/26

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電子を放出する電子放出源と、該電子放出源から放出された電子を捕捉するアノード導
体と、該アノード導体上に形成された可視発光蛍光体層と、該可視発光蛍光体層上に積層された紫外線放射蛍光体層
とが、真空に保持された外囲器内に配設された表示装置
において、前記紫外線放射蛍光体層の粒径を前記可視発光蛍光体層
の粒径以下としたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記可視発光蛍光体層の粒径が０．１
〜１０μｍとされており、前記紫外線放射蛍光体層の粒
径が０．１〜１０μｍとされていることを特徴とする請
求項１記載の表示装置。
【請求項３】前記可視発光蛍光体層の積層数が１．
０〜２．０層形成されており、前記紫外線放射蛍光体層
の積層数が１．０〜２．０層形成されていることを特徴
とする請求項１あるいは２記載の表示装置。
【請求項４】前記紫外線放射蛍光体層に顔料をコー
ティングしたことを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の表示装置。
【請求項５】前記外囲器が透明物質で形成されてい
ると共に、前記外囲器の内面に透明導電物質からなる前
記アノード導体が形成されていることを特徴とする請求
項１ないし４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】前記アノード導体がストライプ状ある
いはメッシュ状に形成されていることを特徴とする請求
項１ないし５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】前記可視発光蛍光体層及び前記紫外線
放射蛍光体層の少なくともいずれかに導電物質を混合し
たことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載
の表示装置。
【請求項８】前記導電物質をＩｎ₂ Ｏ₃ としたこと
を特徴とする請求項７記載の表示装置。