JP3419094B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電界放出カソードを電
子源とする表示装置の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を１０
⁹ ［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果により、電子が
障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる。
この現象は電界放出（Field Emission）といわれており
古くから知られた現象であるが、このような原理を利用
して電子を放出するカソードを電界放出カソード（Fiel
d Emission Cathode）と呼んでいる。近年、半導体微細
加工技術を駆使して、ミクロンサイズの前記電界放出カ
ソードの作成が可能となり、この電界放出カソードを基
板上に多数形成することにより、面放出型の電界放出ア
レイを作成することが可能となっている。このような電
界放出アレイは、表示装置、ＣＲＴ、電子顕微鏡や電子
ビーム装置の電子源として適用することが提案されてい
る。

【０００３】図７に、適用例の一例である従来の表示装
置（特公平６−１４２６３号公報参照）を示す。この表
示装置（以下、ＦＥＤと記す）は、電界放出アレイが形
成されたカソード基板１００と、透明支持板１０８とが
所定間隔をもって対向配置されて内部を高真空に保持す
る外囲器を形成している。このカソード基板１００に形
成された電界放出アレイは、スパッタ等により形成され
たカソード導体１０１と、その上に複数形成された円錐
状のエミッタコーン１０２と、このエミッタコーン１０
２の先端近傍に形成されたゲート導体１０４とから構成
されるスピント（Spindt）型の電界放出アレイとされて
いる。さらに、ゲート導体１０４上に絶縁膜１０５、導
電膜１０６及び蛍光体層１０７が積層されている。

【０００４】このエミッタコーン１０２間のピッチは１
０ミクロン以下の寸法で作成することが出来、このよう
なエミッタコーン１０２を数万ないし数１０万個、１枚
のカソード基板１００上に設けるようにしている。な
お、この電界放出アレイにおいては、ゲート・カソード
間の距離をサブミクロンとすることが出来るため、ゲー
ト・カソード間に僅か数１０ボルトの電圧Ｖ_GEを電圧供
給部１１０から印加することによりエミッタコーン１０
２から電子を放出することが出来る。

【０００５】ところで、導電膜１０６とゲート導体１０
４間には正電圧Ｖ_A が電圧供給部１１１から印加されて
いるため、エミッタコーン１０２から放出された電子
は、その軌道が曲げられゲート導体１０４上に積層され
ている導電膜１０６により捕捉されるようになる。この
時、捕捉される電子が導電膜上に積層されている蛍光体
１０７に衝突してこれを励起するため、蛍光体１０７が
発光するようになる。この発光は透明支持板１０８を介
して図示する矢印の方向から観察することができる。

【０００６】この表示装置の斜視図を図８の上部に示す
が、カソード基板１００上にストライプ状の複数のカソ
ード導体１０１を形成すると共に、このカソード導体１
０１と直交するようストライプ状のゲート導体１０４を
複数本形成する。すなわち、カソード導体１０１とゲー
ト導体１０４とでマトリクスを構成し、このマトリクス
をカソード走査部１１３とゲート走査部１１２とで走査
する。この場合、例えばゲート走査部１１２には表示信
号が印加されており、１フィールドの走査が終了した時
に１枚の画像が表示される。

【０００７】この表示装置の斜視図を一部拡大して下部
に示すが、この図ではゲート導体１０４上に積層された
絶縁膜１０５、導電膜１０６、蛍光体１０７を省略して
示している。この図に示されているように、ゲート導体
１０４には微少な孔が開いており、この孔からエミッタ
コーン１０２の先端が望んでいる。このため、エミッタ
コーン１０２はゲート導体１０４と微少間隙を介して対
向するようにされる。そして、エミッタコーン１０２の
先端から放出された電子は前記孔を通って放出されるよ
うになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表示装置においては、エミッタコーン１０２から放出さ
れた電子は導電膜１０６に印加されている正電圧で加速
されて蛍光体１０７に衝突するが、この電子線のエネル
ギのすべてが発光に寄与するものではなく、電子が蛍光
体１０７に衝突する際にエネルギの一部は蛍光体１０７
を分解させ、蛍光体の成分をガス体として飛散するよう
になる。特に、蛍光体１０７が硫化物系の蛍光体とされ
ている場合には、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂ 、Ｈ₂ Ｓ等の硫化物
系のガスが放出され、このガスがエミッタコーン１０２
の先端等に付着してその表面を毒化するようになる。こ
のため、エミッタコーンのエミッションが低下してしま
うという問題点があった。

【０００９】ところで、蛍光体が分解してガス化する現
象は蛍光体に衝突する電子線の密度と関係があり、電子
線の密度が大であると、より多く分解してガスが飛散す
ることになる。従って、電子線の密度を小さくして蛍光
体のガス化を防止することが考えられるが、電子線の密
度を小さくすると、蛍光体を励起する電子も少なくなる
ため輝度が低下してしまい好ましくなかった。

【００１０】そこで、本発明は輝度を低下することなく
蛍光体のガス化を防止することのできる表示装置を提供
することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、カソード基板のカソード導体
上に形成されたエミッタコーンと、前記カソード基板上
に絶縁層を介して、前記エミッタコーンの先端近傍に形
成されたゲート導体とからなる電界放出カソードと、前
記カソード基板に所定間隔を持って対向する内面の少な
くとも一部に可視発光蛍光体層を設けた透明支持板と、
前記ゲート導体に近接して、かつ前記ゲート導体とは電
気的に独立して設けた導電被覆と、前記導電被覆表面に
積層した紫外線放射蛍光体層とを備え、前記電界放出カ
ソードのエミッタコーンから放出された電子により、前
記紫外線放射蛍光体層が励起されて紫外線を放射し、前
記放射された紫外線により前記可視発光蛍光体層を励起
して発光するようにしたものである。

【００１２】また、前記紫外線放射蛍光体層は、前記ゲ
ート導体上に絶縁被覆を介して導電被覆と紫外線放射蛍
光体層を積層したものである。

【００１３】さらにまた、前記紫外線放射蛍光体層は、
前記ゲート導体上に隣接した前記絶縁層上に導電被覆と
紫外線放射蛍光体層を積層ようにしたものである。

【００１４】さらに、本発明の表示装置は、カソード基
板のカソード導体上に形成されたエミッタコーンと、前
記カソード基板上に絶縁層を介して、前記エミッタコー
ンの先端近傍に形成されたゲート導体とからなる電界放
出カソードと、前記カソード基板に所定間隔を持って対
向する内面に導電被覆と、紫外線放射蛍光体層とを積層
した透明支持板と、前記紫外線放射蛍光体層に対面した
前記ゲート導体上または絶縁層上に可視発光蛍光体層を
設けたものである。

【００１５】

【作用】本発明によれば、可視発光蛍光体を紫外線によ
り励起されて発光させるようにしたので、蛍光体がガス
化されることを防止することができる。このため、電界
放出カソードのエミッションが長期間に渡って良好とな
ると共に、可視発光蛍光体を発光させるための導電層を
削除することができる。

【００１６】

【実施例】本発明の表示装置の第１実施例の断面図を図
１に示す。この図において、１はガラス等からなり外囲
器の一部を構成するカソード基板、２はカソード基板上
に形成されたストライプ状のカソード導体、３はカソー
ド導体上に形成されている絶縁層、４は絶縁層３上に積
層されカソード導体２に対し直交して配置されると共に
ストライプ状とされたゲート導体、５はさらにゲート導
体４上に積層されている絶縁被覆層、６は絶縁被覆層５
に積層され、ゲート導体４より正電位とされる導電被覆
層、７は導電被覆層６に積層された紫外線放射蛍光体
（ＵＶ蛍光体）層、８はカソード導体２上に形成され電
子を放出するエミッタコーン、９はカソード基板１と共
に、内部が高真空とされる外囲器を形成する透明支持基
板、１０は透明支持基板９の内側に形成された可視発光
蛍光体層である。

【００１７】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、カソード導体２に対しゲート導体４に正電圧を印
加すると、エミッタコーン８の先端から電子ｅが放出さ
れる。この電子ｅは、ゲート導体４より正電位とされて
いる導電被覆層６により発生されている電界により軌道
が曲げられながら加速されて、導電被覆層６上に積層さ
れているＵＶ蛍光体層７に衝突するようになる。これに
より、ＵＶ蛍光体７が励起されて紫外線（ＵＶ）が放射
され、図示するように透明支持板９に向かう放射された
紫外線が可視発光蛍光体層１０に到達すると、この蛍光
体が紫外線により励起されて可視光を発光するようにな
る。この可視光は透明支持板９を介して観察することが
できる。

【００１８】この第１実施例の表示装置によれば、可視
発光蛍光体層１０は電子線により励起される恐れがほと
んどないため、電子線密度を増加しても可視発光蛍光体
層１０が分解されてガス化されることがなく、表示装置
の輝度を向上することができると共に、電子源のエミッ
ション低下を防止することができる。さらに、可視発光
蛍光体層１０は紫外線により励起されるため、可視発光
蛍光体を発光するための導電層を必要としないものであ
る。

【００１９】次に、図２に前記第１実施例の表示装置の
変形例を示す。この表示装置においては、絶縁層３上に
形成されるゲート導体４と導電被覆層６及びＵＶ蛍光体
層７の構成が異なっている。すなわち、ゲート導体４は
エミッタコーン８の周囲近傍にだけ形成されており、残
る絶縁層３上に直接導電被覆層６とＵＶ蛍光体層７とが
積層される構成とされている。

【００２０】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、カソード導体２に対しゲート導体４に正電圧を印
加すると、エミッタコーン８の先端から電子ｅが放出さ
れる。この電子ｅは、ゲート導体４より正電位とされて
いる絶縁層３に直接形成された導電被覆層６が発生する
電界により、軌道が曲げられながら加速されて、導電被
覆層６上に積層されているＵＶ蛍光体層７に衝突するよ
うになる。これにより、ＵＶ蛍光体７が励起されて紫外
線（ＵＶ）を放射し、この紫外線は図示するように透明
支持板９に向かい、紫外線が可視発光蛍光体層１０に到
達すると、この蛍光体が紫外線により励起されて可視光
を発光するようになる。この可視光は透明支持板９を介
して観察することができる。

【００２１】なお、前記図１あるいは図２に示す第１実
施例において、ＵＶ蛍光体層７と導電被覆５との間にさ
らに中間可視発光蛍光体層を設けるようにして、ＵＶ蛍
光体層７から下側に放射される紫外線により中間可視発
光蛍光体層を励起して発光させることにより、輝度をよ
り向上するようにしてもよい。また、この表示装置の斜
視図は前記図８に示す斜視図と類似した構成とされてお
り、ストライプ状のカソード導体２と、これと直交する
ストライプ状のゲート導体４とから構成されるマトリク
スを走査することにより、画像を表示することができ
る。また、ゲート導体４に対向するよう可視発光蛍光体
層１０をストライプ状に設けると共に、各ストライプ状
の蛍光体を順次赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）を発光す
る蛍光体とすることにより、フルカラー表示装置とする
こともできる。

【００２２】次に、本発明の表示装置の第２実施例を図
３に示す。この図において、１はガラス等からなり外囲
器の一部を構成するカソード基板、２はカソード基板上
に形成されたストライプ状のカソード導体、３はカソー
ド導体上に形成されている絶縁層、４は絶縁層３上に積
層されカソード導体２に対し直交して配置されるストラ
イプ状とされたゲート導体、６は透明支持板９の内側に
形成され、ゲート導体４より正電位とされる導電被覆
層、７は導電被覆層６に積層された紫外線放射蛍光体
（ＵＶ蛍光体）層、８はカソード導体２上に形成され電
子を放出するエミッタコーン、９はカソード基板１と共
に、内部が高真空とされる外囲器を形成する透明支持基
板、１０はゲート導体４上に積層された可視発光蛍光体
層である。

【００２３】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、カソード導体２に対しゲート導体４に正電圧を印
加すると、エミッタコーン８の先端から電子ｅが放出さ
れる。この電子ｅは、ゲート導体４より正電位とされて
いる導電被覆層６により発生されている電界により加速
されて、導電被覆層６上に積層されているＵＶ蛍光体層
７に衝突するようになる。これにより、ＵＶ蛍光体７が
励起されて紫外線（ＵＶ）を放射し、図示するようにカ
ソード基板１に向かう紫外線を放射する。この紫外線が
ゲート導体４上に積層されている可視発光蛍光体層１０
に到達すると、この蛍光体が励起されて可視光を発光す
るようになる。この可視光は透明支持板９、導電被覆層
６及びＵＶ蛍光体層７を介して観察することができる。

【００２４】この第２実施例の表示装置によれば、可視
発光蛍光体層１０は電子線により励起されるおそれがほ
とんどないため、電子線密度を増加しても可視発光蛍光
体層１０が分解されてガス化されることがなく、表示装
置の輝度を向上することができると共に、電子源のエミ
ッション低下を防止することができる。さらに、可視発
光蛍光体層１０は紫外線により励起されるため、可視発
光蛍光体を発光するための導電層を必要としないもので
ある。

【００２５】ここで、図２に前記第２実施例の表示装置
の変形例を示す。この表示装置においては、絶縁層３上
に形成されるゲート導体４と可視発光蛍光体層１０の構
成が異なっている。すなわち、ゲート導体４はエミッタ
コーン８の周囲近傍にだけ形成されており、絶縁層３上
に直接可視発光蛍光体層１０が積層される構成とされて
いる。

【００２６】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、カソード導体２に対しゲート導体４に正電圧を印
加すると、エミッタコーン８の先端から電子ｅが放出さ
れる。この電子ｅは、ゲート導体４より正電位とされて
いる導電被覆層６が発生する電界により加速されて、導
電被覆層６上に積層されているＵＶ蛍光体層７に衝突す
るようになる。これにより、ＵＶ蛍光体層７が励起され
て紫外線（ＵＶ）を放射し、図示するようにカソード基
板１に向かう紫外線が、絶縁層３に直接形成された可視
発光蛍光体層１０に到達すると、この蛍光体が励起され
て可視光を発光するようになる。この可視光は透明支持
板９、導電被覆層６及びＵＶ蛍光体層７を介して観察す
ることができる。

【００２７】なお、前記図３あるいは図４に示す第２実
施例において、ＵＶ蛍光体層７と導電被覆５との間にさ
らに中間可視発光蛍光体層を設けるようにして、ＵＶ蛍
光体層７から下側に放射される紫外線により中間可視発
光蛍光体層を励起して発光させることにより、輝度をよ
り向上するようにしてもよい。また、この表示装置の斜
視図は前記図８に示す斜視図と類似した構成とされてお
り、ストライプ状のカソード導体２と、これと直交する
ストライプ状のゲート導体４とから構成されるマトリク
スを走査することにより、画像を表示することができ
る。また、ゲート導体４に対向するよう可視発光蛍光体
層１０をストライプ状に設けると共に、各ストライプ状
の蛍光体を赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）を発光する蛍
光体とすることにより、フルカラー表示装置とすること
もできる。

【００２８】次に、本発明の表示装置の第３実施例を図
５に示す。第３実施例は図示するように領域Ａと領域Ｂ
とで異なる構成とされており、領域Ａは分解しやすい硫
化物系の蛍光体を可視発光蛍光体として用いる領域であ
り、領域Ｂは分解しにくい酸化物系等の蛍光体を用いる
領域とされている。領域Ａにおいてゲート導体１４上に
絶縁被覆層１５、導電被覆層１６およびＵＶ蛍光体層１
７が積層されている。また、Ｂ領域と接する部分には外
側に向けてＵＶ光遮断部１８が絶縁被覆層１５の一部に
形成されている。

【００２９】さらに、領域Ａの透明指示板２０には第１
可視発光蛍光体２１がストライプ状に形成されている。
また、領域Ｂの電界放出カソードはエミッタコーン１９
とその先端近傍に形成されているゲート導体１４からな
る通常の構造の電界放出カソードとされている。さら
に、領域Ｂの透明指示板２０には、ストライプ状のＩＴ
Ｏ等の透明アノード導体２３と第２可視発光蛍光体層２
２とが積層されている。

【００３０】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、領域Ａのストライプ状のカソード導体１２に対し
ゲート導体１４に正電圧を印加すると、エミッタコーン
１９の先端から電子が放出される。この電子は、ゲート
導体１４より正電位とされている導電被覆層１６により
発生されている電界により破線で示すように軌道が曲げ
られながら加速されて、導電被覆層１６上に積層されて
いるＵＶ蛍光体層１７に衝突するようになる。これによ
り、ＵＶ蛍光体層１７が励起されて紫外線（ＵＶ）を放
射し、この紫外線は図示する実線で示すように透明支持
板２０に向かい、紫外線が第１可視発光蛍光体層２１に
到達すると、この蛍光体層２１が紫外線により励起され
て可視光を発光するようになる。この可視光は透明支持
板２０を介して図示する方向から観察することができ
る。

【００３１】また、領域Ｂにおいてはストライプ状のカ
ソード導体１２に対しゲート導体１４に正電圧を印加す
ると、エミッタコーン１９の先端から電子が放出され
る。この電子は、ゲート導体１４より正電位とされてい
る透明アノード導体２３により発生されている電界によ
り破線で示す軌道で加速されて、透明アノード導体２３
上に積層されている第２可視発光蛍光体層２２に衝突す
るようになる。これにより、第２可視発光蛍光体層２２
が可視光を発光し、この可視光は透明支持板２０を介し
て図示する方向から観察することができる。

【００３２】前記したように、領域Ａにおいては第１可
視発光蛍光体層２１は紫外線で励起されて、電子線によ
り励起されるおそれがほとんどないため、第１可視発光
蛍光体層２１を硫化物蛍光体としても第１可視発光蛍光
体層２１が分解されてガス化されることがなく、電子源
のエミッション低下を防止することができる。さらに、
第１可視発光蛍光体層２０は紫外線により励起されるた
め、可視発光蛍光体を発光するための導電層を必要とし
ない。また、領域Ｂにおいては酸化物系の蛍光体を第２
可視発光蛍光体層２２として使用することにより、電界
放出カソードから放出される電子線により直接励起する
ことができるものである。

【００３３】このように、硫化物系の蛍光体と酸化物系
の蛍光体とを用いるようにするのは、次の理由による。
フルカラーの表示装置では青（Ｂ），赤（Ｒ），緑
（Ｇ）の各色を発光する蛍光体が必要であり、電子源の
エミッションを低下させないためには、各色の蛍光体と
して電子線が衝突してもガス化しない蛍光体を用いれば
よいが、例えば電界放出カソードから放出される電子線
のように低速の電子線により、良好な輝度の青色を発光
できる蛍光体としては硫化物系の蛍光体が主に用いられ
ており、青色用としてはガス化し易い硫化物系の蛍光体
を使用せざるを得ないためである。この青色発光用蛍光
体としては、例えばＺｎＳ：Ａｇが用いられている。ま
た、例えば緑色用の蛍光体としては酸化物系のＺｎＯ：
Ｚｎ等が用いられ、赤色用の蛍光体としてはＺｎＣｄ
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ等が用いられる。

【００３４】なお、領域Ａの端部に形成されているＵＶ
光遮断部１８は、ＵＶ蛍光体層１７から放射された紫外
線により、領域Ａに隣接する領域の可視発光蛍光体が励
起されて漏れ発光を生じないように設けられているもの
である。この表示装置の斜視図も前記した図８に示す斜
視図に類似したものとなるが、例えばストライプ状のゲ
ート導体を画像データに基づいてＲ，Ｇ，Ｂ毎に走査す
ることにより、フルカラーの表示装置とすることができ
る。前記した本発明の第３実施例によれば、酸化物系に
拘泥することなく輝度の良好な硫化物系の蛍光体を採用
することができるため、高輝度かつ高コントラストのフ
ルカラー表示装置を得ることができる。

【００３５】次に、本発明の表示装置の第４実施例を図
６に示す。第４実施例も図示するように領域Ａと領域Ｂ
とで異なる構成とされており、領域Ａは分解しやすい硫
化物系の蛍光体を可視発光蛍光体として用いる領域であ
り、領域Ｂは分解しにくい酸化物系等の蛍光体を用いる
領域とされている。領域Ａにおいて、ゲート導体１４上
に第１可視発光蛍光体層２１が形成されている。また、
透明指示板２０には透明な導電被覆１６が全面に形成さ
れており、領域Ａではその上にＵＶ蛍光体層１７がスト
ライプ状に形成されている。また、領域Ｂの電界放出カ
ソードは、エミッタコーン１９とその先端近傍に形成さ
れているゲート導体１４からなる通常の電界放出カソー
ドとされている。さらに、領域Ｂの導電被覆１６上には
第２可視発光蛍光体層２２が積層されている。

【００３６】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、領域Ａのストライプ状のカソード導体１２に対し
ゲート導体１４に正電圧を印加すると、エミッタコーン
１９の先端から電子が放出される。この電子は、ゲート
導体１４より正電位とされている導電被覆層１６により
発生されている電界により破線で示す軌道で加速され
て、導電被覆層１６上に積層されているＵＶ蛍光体層１
７に衝突するようになる。これにより、ＵＶ蛍光体層１
７が励起されて紫外線（ＵＶ）を放射し、図示する実線
で示すようにカソード基板１１に向かう紫外線がゲート
導体１４上に形成した第１可視発光蛍光体層２１に到達
すると、この蛍光体が紫外線により励起されて可視光を
発光するようになる。この可視光は透明支持板２０、透
明な導電被覆１６、ＵＶ蛍光体層１７を介して図示する
方向から観察することができる。

【００３７】また、領域Ｂにおいてはストライプ状のカ
ソード導体１２に対しゲート導体１４に正電圧を印加す
ると、エミッタコーン１９の先端から電子が放出され
る。この電子は、ゲート導体１４より正電位とされてい
る透明アノード導体２３により発生されている電界によ
り破線で示す軌道で加速されて、透明な導電被覆１６上
に積層されている第２可視発光蛍光体２２に衝突するよ
うになる。これにより、第２可視発光蛍光体２２が可視
光を発光し、この可視光は導電被覆１６および透明支持
板２０を介して図示する方向から観察することができ
る。

【００３８】前記したように、領域Ａにおいては第１可
視発光蛍光体層２１は紫外線で励起されて、電子線によ
り励起されるおそれがほとんどないため、第１可視発光
蛍光体層２１を硫化物蛍光体としても第１可視発光蛍光
体層２１が分解されてガス化されることがなく、電子源
のエミッション低下を防止することができる。さらに、
第１可視発光蛍光体層２０は紫外線により励起されるた
め、可視発光蛍光体を発光するための導電層を必要とし
ない。また、領域Ｂにおいては酸化物系の蛍光体を第２
可視発光蛍光体層２２として使用することにより、電界
放出カソードから放出される電子線により直接励起する
ことができるものである。

【００３９】この第４実施例も第３実施例と同様にフル
カラー表示装置であり、この青色発光用蛍光体として
は、例えばＺｎＳ：Ａｇが用いられ、また、緑色用の蛍
光体としては酸化物系のＺｎＯ：Ｚｎ等が用いられ、赤
色用の蛍光体としてはＺｎＣｄＳ：Ａｇ，Ｃｌ等が用い
られる。この表示装置の斜視図も前記した図８に示す斜
視図に類似したものとなるが、例えばストライプ状のゲ
ート導体を画像データに基づいてＲ，Ｇ，Ｂ毎に走査す
ることにより、フルカラーの表示装置とすることができ
る。前記した本発明の第４実施例によれば、酸化物系に
拘泥することなく輝度の良好な硫化物系の蛍光体を採用
することができるため、高輝度かつ高コントラストのフ
ルカラー表示装置とすることができる。

【００４０】以上説明した本発明の表示装置において、
ＵＶ蛍光体に導電性がある場合はＵＶ蛍光体層を励起す
るための導電被覆層を省略することができる。この場
合、導電材をＵＶ蛍光体に混合することによりＵＶ蛍光
体に導電性を付与するようにしてもよい。

【００４１】また、ゲート導体上に積層されるＵＶ蛍光
体層においては可視発光蛍光体を混合した膜とすること
もできる。このようにすると、輝度がコントラストを改
善することができる。この場合、混合された可視発光蛍
光体が電子線により分解されてガスが飛散される恐れが
あるが、混合されているため分解される量は微量である
と共に、分解されたガスは対向する透明支持板に向かっ
て飛翔するので、ガスがエミッタコーンに付着される恐
れは少ない。

【００４２】

【発明の効果】本発明は以上のように、可視発光蛍光体
を紫外線により励起して発光させるようにしたので、可
視発光蛍光体がガス化されることを防止することができ
るため、電子源が汚染される恐れをほとんどなくすこと
ができ、電子源のエミッションが長期間に渡って良好と
なる。さらに、可視発光蛍光体を発光させるための導電
層を削除することができる。

【００４３】また、ＵＶ蛍光体層の上下に可視発光蛍光
体を設けることにより、上下に放射された紫外線を効率
的に可視発光に変換することができ、輝度を向上させる
ことができると共にコントラストを改善することができ
る。また、ＵＶ蛍光体層に可視発光蛍光体を混合するこ
とにより、輝度を向上させることができると共にコント
ラストを改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の第１実施例の断面図であ
る。

【図２】本発明の表示装置の第１実施例の変形例の断面
図である。

【図３】本発明の表示装置の第２実施例の断面図であ
る。

【図４】本発明の表示装置の第２実施例の変形例の断面
図である。

【図５】本発明の第３実施例の断面図である。

【図６】本発明の第４実施例の断面図である。

【図７】従来の表示装置の断面図である。

【図８】従来の表示装置の斜視図である。

【符号の説明】

１，１１ カソード基板 ２，１２ カソード導体 ３，１３ 絶縁層 ４，１４ ゲート導体 ５，１５ 絶縁被覆 ６，１６ 導電被覆 ７，１７ ＵＶ蛍光体層 ８，１９ エミッタコーン ９，２０ 透明支持板 １０，２１，２２ 可視発光蛍光体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片岡 文昭 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (72)発明者 鹿川 能孝 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭48−98768（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−304555（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−370634（ＪＰ，Ａ) 特許2795184（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 31/12 H01J 63/06

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カソード基板のカソード導体上に形成さ
   れたエミッタコーンと、前記カソード基板上に絶縁層を
   介して、前記エミッタコーンの先端近傍に形成されたゲ
   ート導体とからなる電界放出カソードと、 前記カソード基板に所定間隔を持って対向する内面の少
   なくとも一部に可視発光蛍光体層を設けた透明支持板
   と、前記ゲート導体に近接して、かつ前記ゲート導体とは電
   気的に独立して設けた 導電被覆と、 前記導電被覆表面に積層した 紫外線放射蛍光体層とを備
   え、 前記電界放出カソードのエミッタコーンから放出された
   電子により、前記紫外線放射蛍光体層が励起されて紫外
   線を放射し、前記放射された紫外線により前記可視発光
   蛍光体層を励起して発光することを特徴とする表示装
   置。
2. 【請求項２】 前記紫外線放射蛍光体層は、前記ゲート
   導体上に絶縁被覆を介して導電被覆と紫外線放射蛍光体
   層を積層したことを特徴とする請求項１記載の表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記紫外線放射蛍光体層は、前記ゲート
   導体上に隣接した前記絶縁層上に導電被覆と紫外線放射
   蛍光体層を積層したことを特徴とする請求項１記載の表
   示装置。
4. 【請求項４】 カソード基板のカソード導体上に形成さ
   れたエミッタコーンと、前記カソード基板上に絶縁層を
   介して、前記エミッタコーンの先端近傍に形成されたゲ
   ート導体とからなる電界放出カソードと、 前記カソード基板に所定間隔を持って対向する内面に導
   電被覆と、紫外線放射蛍光体層とを積層した透明支持板
   と、 前記紫外線放射蛍光体層に対面した前記ゲート導体上ま
   たは絶縁層上に可視発光蛍光体層を設けたことを特徴と
   する 表示装置。