JP2577361Y2 - 電子放出素子およびその電子放出素子を用いた画像表示装置 - Google Patents

電子放出素子およびその電子放出素子を用いた画像表示装置

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JP2577361Y2 JP1993028256U JP2825693U JP2577361Y2 JP 2577361 Y2 JP2577361 Y2 JP 2577361Y2 JP 1993028256 U JP1993028256 U JP 1993028256U JP 2825693 U JP2825693 U JP 2825693U JP 2577361 Y2 JP2577361 Y2 JP 2577361Y2
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、マイクロ波真空管・光
源・増幅素子・高速スイッチング素子・センサー等に使
用される電界放出形の電子放出素子と、この電子放出素
子を陰極として用いた画像表示装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図5は、電界放出形陰極を有する従来の
画像表示装置の一例を示している。所定間隔をおいて対
面する陽極基板100と陰極基板101の外周には図示
しない側面部が設けられ、内部を高真空状態に保持され
た外囲器102が構成されている。
【0003】陽極基板100の内面には透光性の陽極導
体103と蛍光体層104を有する表示部105が設け
られている。
【0004】前記陽極基板100の表示部105と対面
する陰極基板101の内面には、円錐形のエミッタ電極
106を備えた電界放出素子が設けられている。まず、
陰極基板101の内面にはストライプ状の陰極導体10
7が設けられ、該陰極導体107の上には開口108を
有する絶縁層109が設けられている。そして、該開口
108内の前記陰極導体107上には円錐形の電子放出
部であるエミッタ電極106が設けられている。さらに
前記絶縁層109の上面には、前記開口108に対応し
た孔110を有するとともに、前記陰極導体107と交
差する方向に延設されたストライプ状のゲート電極11
1が設けられている。
【0005】このように、陰極導体107とゲート電極
111がマトリクスを構成しているので、表示部105
に所定の陽極電圧を与えるとともに、陰極導体107と
ゲート電極111を適宜のタイミングで駆動すれば、電
子を放出するエミッタ電極106を選択でき、対面して
いる表示部105の蛍光体層104を選択的に発光させ
て所望の発光表示を得ることができる。
【0006】ところで、前記エミッタ電極106の形状
が円錐状で、エミッタ電極106の先端部の周囲にゲー
ト電極111が位置しているので、エミッタ電極106
から放出された電子は、表示部105の陽極導体103
に印加される電圧等、条件にもよるが、例えば片側30
度といった範囲に広がりをもって放出される。
【0007】そのため、画素ピッチの細かい高精細な表
示を得ようとすると、電子線の広がりの範囲が表示に影
響しないように、電界放出形陰極と表示部の間隔を狭め
るか、各画素の配設ピッチに対する電界放出形陰極の配
設領域を狭くしなければならない。このようにしなけれ
ば、拡散した電子が隣の画素に射突して隣の画素がもれ
発光してしまう。
【0008】しかしながら、画素の発光輝度を高くする
には、表示部のアノード電圧を高くする必要があり、そ
の場合には絶縁性の問題から表示部と陰極の間隔をある
程度離す必要がある。例えば、アノード電圧を1KVと
すると、蛍光体層104とゲート電極111の間隔は1
50から200μm程度必要となる。
【0009】また、前述したような電界放出形の電子放
出素子は、マイクロ波真空管・光源・増幅素子・高速ス
イッチング素子・センサー等においても使用されてい
る。
【0010】
【考案が解決しようとする課題】ところで、ゲート電極
とエミッタ電極とで表示を選択する表示装置において、
高精細な表示、例えば画素ピッチが0.33mm以下の
表示を行う場合について検討する。特にフルカラー表示
の場合、各画素はR,G,Bの各蛍光体層から成り、各
画素を構成する各蛍光体層の幅は80μmで、各蛍光体
層の配設間隔は、20μm程度となってしまう。
【0011】例えば、蛍光体層104とゲート電極11
1の間隔を150μmとすると、円錐状のエミッタ電極
106による電子の広がりを片側30°とみれば、電子
は片側約80μmも広がってしまう。従って、前述のよ
うな寸法の画素を有する表示装置を正しく駆動すること
はできず、このような高精細な表示装置を実現すること
ができない。逆に蛍光体層104とゲート電極111の
間隔を50μm程度にすれば電子の広がりを抑えること
ができるが、耐電圧の問題から、アノード電圧を高くす
ることができず、輝度が低くなるという問題があった。
【0012】また、前記電界放出素子を有するマイクロ
波真空管・光源・増幅素子・高速スイッチング素子・セ
ンサー等において、放出された電子が広がると、アノー
ド(コレクタ)に到達する電子の量が減少するから、イ
ンプットパワーに対するS/N比が悪くなったり、高感
度が得られず、安定性に欠けるといった問題がある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本考案の電子放出素子
は、陰極導体上に設けられたエミッタ電極と、陰極導体
上に絶縁層を介して設けられたゲート電極を備えた電界
放出形の電子放出素子において、前記ゲート電極と同一
平面内で、前記ゲート電極を挟む位置に、常時0V以下
の電圧が印加される拡散防止電極を設けたことを特徴と
する。
【0015】本考案の画像表示装置によれば、対面する
陽極基板と陰極基板を備えた気密外囲器と、前記陰極基
板の内面に設けられた陰極導体と該陰極導体上に設けら
れたエミッタ電極と該陰極導体上に絶縁層を介して設け
られたゲート電極を備えた電界放出形の電子放出素子か
らなる陰極と、前記陽極基板の内面に設けられた表示部
を有し、前記ゲート電極に選択電圧を印加して前記エミ
ッタ電極から放出された電子を前記表示部に射突させて
発光表示を行なう画像表示装置において、前記ゲート電
極と同一平面内で前記ゲート電極を挟む位置に設けられ
るとともに、少なくとも近接する前記ゲート電極に前記
選択電圧が印加された時に該選択電圧よりも低い電圧が
印加されて前記エミッタ電極から放出された電子の拡散
を防止する拡散防止電極を設けたことを特徴としてい
る。
【0016】本考案によれば、前記画像表示装置におい
て、前記拡散防止電極に常時0V以下の電圧が印加され
るようにしてもよい。
【0017】
【作用】ゲート電極に選択電圧が印加されると、該ゲー
ト電極に対応するエミッタ電極から電子が放出される。
この時、該ゲート電極を挟む拡散防止電極には前記選択
電圧よりも低い電圧が印加されており、前記エミッタ電
極から放出された電子は拡散せずに表示部に射突する。
【0018】
【実施例】図1〜図3を参照して本考案の第1実施例で
ある電子放出素子を備えた画像表示装置1を説明する。
所定間隔をおいて対面する陽極基板2と陰極基板3の外
周には図示しない側面部が設けられ、内部を高真空状態
に保持させた外囲器4が構成されている。
【0019】陽極基板2の内面には、透光性の陽極導体
5がベタ状に形成されている。該陽極導体5の内面に
は、所望の発光色の蛍光体層6がストライプ状またはド
ット状に配設されて表示部7が構成されている。さらに
各蛍光体層6,6間には遮光性のマスク8が配設されて
いる。
【0020】これに対し陰極基板3の内面には、前記蛍
光体層6の配設方向と直交する方向に沿って、画素毎に
分割されたストライプ状の陰極導体9が形成されてい
る。該陰極導体9の上には、開口10を有する絶縁層1
1が設けられている。そして、該開口10内の前記陰極
導体9上には円錐形の電子放出部であるエミッタ電極1
2が設けられている。
【0021】さらに前記絶縁層11の上面には、前記開
口10に対応した孔13を有するゲート電極14が設け
られている。ゲート電極14は各画素に対応し、蛍光体
層6の配設方向と平行な方向にストライプ状に形成され
ている。
【0022】また、ゲート電極14とゲート電極14の
間には、複数本の拡散防止電極15がストライプ状に多
数配設され、これらは電気的に共通接続されている。そ
して、拡散防止電極15には前記ゲート電極14に印加
される選択電圧より低い電極が常時印加されるようにな
っている。
【0023】図3に拡散防止電極15に印加する電圧
と、電子の広がり具合いの関係を示す。この場合、ゲー
ト電極14と蛍光体層6のギャップは150μm、ゲー
ト電極14は80μmの幅である。またゲート電極14
と拡散防止電極15の間隔は10μm、拡散防止電極1
5は20μm幅とした。なお、ゲート電極14には12
0V、表示部7の陽極導体5には800Vを印加した場
合の電流密度分布図である。
【0024】傾向として、ゲート電圧に対して拡散防止
電圧が低くなるほど電子が集束しているのがわかる。
【0025】図4は本考案の第2実施例を示したもの
で、図2に示す第1実施例において、同電位が印加され
るゲート電極14をそれぞれ複数に分割したものであ
る。そして、分割した各ゲート電極24,24の間に拡
散防止電極25をそれぞれ延在させたものである。これ
によって、電子の集束性をより高めることができる。
【0026】以上の各実施例では、ゲート電極14,2
4と拡散防止電極15,25の双方ともが互いに平行な
ストライプ状であった。しかしながら、ゲート電極及び
このゲート電極に対応する拡散防止電極の少なくとも各
一部がそれぞれくし歯状に形成され、両者が所定間隔を
おいて互いにかみ合うように配置されていてもよい。前
記各実施例において電子の収束が強まるのはストライプ
の幅方向についてであったが、本実施例によれば、拡散
防止電極のくし歯状部分で囲ったゲート電極のくし歯状
部分においては、2以上の方向について電子の収束が改
善される。
【0027】以上説明した各実施例では、拡散防止電極
に常時電圧をかけていたが、ゲート電極の駆動に合せ、
ゲート電極に選択電圧が印加される時のみ、該ゲート電
極を挟む拡散防止電極に電圧を印加するようにしてもよ
い。
【0028】
【考案の効果】以上のように隣接するゲート電極間に拡
散防止電極を設け、この拡散防止電極に常時0V以下の
電圧を印加したので、エミッタ電極から放出された電子
の拡散が防止される。
【0029】従って、本考案の電子放出素子によれば、
マイクロ波真空管・光源・増幅素子・高速スイッチング
素子・センサー等に使用した場合にアノード(コレク
タ)に到達する電子の量が充分であり、高感度が得ら
れ、安定性も高いという効果がある。
【0030】また、本考案の電子放出素子を用いた画像
放出素子によれば、蛍光体層とゲート電極の距離を離し
ても、混色やもれ発光が抑えられるので、アノード電圧
を高めて高輝度化が図れる。
【0031】また、カラー表示の場合、混色を避けるた
めにアノード電極で選択する必要がなく、高電圧でのス
イッチングが不要となる。
【0032】散防止電極にマイナスの電位を印加すれ
、残留ガス等のガス放出による+イオンを拡散防止電
極で吸収することができるので、イオンの付着によって
エミッタ電極に悪影響が及ぶのを防止することができ
る。
【0033】拡散防止電極を陰極と陽極の間に設けて複
雑な多層状の電極構成とする場合に比べ、本考案の構成
ははるかに簡単であり、拡散防止電極はゲート電極と同
一面内にある。従って両電極は同一の工程で製造できる
ので製造コストが安価になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1実施例の断面図である。
【図2】本考案の第1実施例における陰極基板の平面図
である。
【図3】本考案の第1実施例における電子の拡散防止効
果を示す電流密度分布図である。
【図4】本考案の第2実施例における陰極基板の平面図
である。
【図5】電界放出素子を用いた従来の画像表示装置の断
面図である。
【符号の説明】
1 画像表示装置 2 陽極基板 3 陰極基板 4 外囲器 7 表示部 9 陰極導体 11 絶縁層 12 エミッタ電極 14,24 ゲート電極 15,25 拡散防止電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 1/30,31/12

Claims (3)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陰極導体上に設けられたエミッタ電極
    と、陰極導体上に絶縁層を介して設けられたゲート電極
    を備えた電界放出形の電子放出素子において、前記ゲー
    ト電極と同一平面内で、前記ゲート電極を挟む位置に
    常時0V以下の電圧が印加される拡散防止電極を設けた
    ことを特徴とする電子放出素子。
  2. 【請求項2】 対面する陽極基板と陰極基板を備えた気
    密外囲器と、前記陰極基板の内面に設けられた陰極導体
    と該陰極導体上に設けられたエミッタ電極と該陰極導体
    上に絶縁層を介して設けられたゲート電極を備えた電界
    放出形の電子放出素子からなる陰極と、前記陽極基板の
    内面に設けられた表示部を有し、前記ゲート電極に選択
    電圧を印加して前記エミッタ電極から放出された電子を
    前記表示部に射突させて発光表示を行なう画像表示装置
    において、 前記ゲート電極と同一平面内で前記ゲート電極を挟む位
    置に設けられるとともに、少なくとも近接する前記ゲー
    ト電極に前記選択電圧が印加された時に該選択電圧より
    も低い電圧が印加されて前記エミッタ電極から放出され
    た電子の拡散を防止する拡散防止電極を設けたことを特
    徴とする画像表示装置。
  3. 【請求項3】 前記拡散防止電極に常時0V以下の電圧
    が印加される請求項2記載の画像表示装置。
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