KR101386339B1 - 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 디바이스의 품질을 저하시키지 않고 장착할 수 있는 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
디바이스의 제조 방법으로서, 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수 개의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하는 접착 필름 장착 공정과, 이 접착 필름이 장착된 웨이퍼의 접착 필름측을 환상(環狀) 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 점착시키는 웨이퍼 지지 공정과, 이 다이싱 테이프의 표면에 점착된 웨이퍼의 그 다이싱 테이프측을 절삭 장치의 척 테이블 상에 유지하고, 외주부의 단면 형상이 V자형인 환상 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 절단하는 웨이퍼 절삭 공정과, 이 웨이퍼 절삭 공정을 실시한 후, 상기 다이싱 테이프를 확장시켜 상기 접착 필름에 장력을 작용시켜, 이 접착 필름을 웨이퍼에 형성된 절삭홈을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 포함한다.

Description

디바이스의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE}
본 발명은 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수 개의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 각각의 디바이스로 분할하고, 각 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 형성된 스트리트(분할 예정 라인)에 의해 구획된 복수 개의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성하고, 이 디바이스가 형성된 각 영역을 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써 각각의 디바이스를 제조하고 있다. 반도체 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서는 일반적으로 다이싱 장치로 불리는 절삭 장치가 이용되고 있고, 이 절삭 장치는 두께가 40 ㎛ 정도인 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 절삭한다. 이와 같이 하여 분할된 디바이스는 패키징되어 휴대전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 널리 이용되고 있다.
각각으로 분할된 디바이스는, 그 이면에 에폭시수지 등으로 형성된 두께 70∼80 ㎛의 다이아 터치 필름으로 불리는 다이 본딩용 접착 필름이 장착되고, 이 접 착 필름을 통해 디바이스를 지지하는 다이 본딩 프레임에 가열에 의해 본딩된다. 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 방법으로서는, 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 점착시키고, 이 접착 필름을 통해 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프에 점착시킨 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 분할 예정 라인을 따라 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 접착 필름을 절단함으로써, 이면에 접착 필름이 장착된 디바이스를 형성하고 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-182995호 공보
이와 같이 하여, 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 접착 필름을 절단하는 방법에 있어서는, 웨이퍼의 두께가 두꺼운 경우(예컨대 500 ㎛ 이상)에는 반도체 웨이퍼와 함께 접착 필름을 절단하여도 디바이스에 손상이 일어나는 일이 없지만, 반도체 웨이퍼의 두께가 얇아지면(예컨대 200 ㎛ 이하이면) 접착 필름이 풀 형상이기 때문에 절삭 중에 반도체 웨이퍼가 흔들려 디바이스의 측면(절단면)에 치핑이 발생하여 디바이스의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다. 또한, 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 접착 필름을 절단하면, 접착 필름의 절단 칩이 수염 형상으로 생성되어 디바이스에 설치된 본딩 패드에 부착된다고 하는 문제가 있다. 또한, 절삭 블레이드의 절삭날은 다이아몬드 지립을 도금으로 고정하여 형성되어 있기 때문에, 접착 필름을 절단하면 클로깅이 생겨 빈번히 드레싱을 행할 필요가 있어 절삭 블레이드의 수명이 저하된다고 하는 문제도 있다. 또한, 전술한 문제를 해소하기 위해서는 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼만을 절단하여 각각의 디바이스로 분할한 후, 반도체 웨이퍼의 이면에 장착된 접착 필름이 점착되어 있는 다이싱 테이프를 확장시킴으로써, 접착 필름을 각각의 디바이스를 따라 파단하는 방법도 생각할 수 있지만, 절삭 블레이드에 의한 반도체 웨이퍼의 절단홈의 폭에 기인하여 접착 필름의 파단면이 물결치는 형상으로 되고, 접착 필름이 불균일하게 분리되어 디바이스의 품질의 안정을 도모할 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 주된 기술적 과제는 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 디바이스의 품질을 저하시키지 않고 장착할 수 있는 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따르면, 디바이스의 제조 방법으로서, 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수 개의 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 장착하는 접착 필름 장착 공정과, 상기 접착 필름이 장착된 웨이퍼의 접착 필름측을 환상 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 점착시키는 웨이퍼 지지 공정과, 상기 다이싱 테이프의 표면에 점착된 웨이퍼의 상기 다이싱 테이프측을 절삭 장치의 척 테이블 상에 유지하고, 외주부의 단면 형상이 V자형인 환상 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 절단하는 웨이퍼 절삭 공정과, 상기 웨이퍼 절삭 공정을 실시한 후, 상기 다이싱 테이프를 확장시켜 상기 접착 필름에 장력을 작용시켜, 상기 접착 필름을 웨이퍼에 형성된 절삭홈을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법이 제공된다.
상기 접착 필름 파단 공정을 실시한 후, 분할 예정 라인을 따라 분할된 각각의 디바이스를 이면에 접착 필름이 장착되어 있는 상태로 다이싱 테이프로부터 박리하여 픽업하는 픽업 공정을 실시한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 절삭 공정에서는 절삭 블레이드를 구성하는 환상 절삭날의 단면 형상이 V자형인 외주 가장자리만이 접착 필름에 접촉하기 때문에, 웨이퍼의 두께가 얇아도 절삭 중에 흔들리지 않아 웨이퍼의 절단면에 치핑이 발생하는 일은 없다. 또한, 웨이퍼 절삭 공정에서는 접착 필름을 절단하지 않기 때문에, 절삭 블레이드를 구성하는 절삭날에 클로깅이 생기지 않고, 수염 형상의 절삭 칩이 발생하는 일도 없다. 또한, 웨이퍼 절삭 공정에서는 웨이퍼의 이면이 환상 절삭날의 단면 형상이 V자형인 외주 가장자리에서만 절단되기 때문에, 접착 필름에는 분할 예정 라인을 따라 매우 폭이 좁은 파단 라인이 형성되거나 단면이 V자형인 파단홈이 형성되기 때문에, 접착 필름 파단 공정에서 다이싱 테이프를 확장시킴으로써 접착 필름이 매우 폭이 좁은 파단 라인 또는 단면이 V자형인 파단홈을 따라 파단된다. 따라서, 접착 필름의 파단면이 파형으로 되지 않고 균일해진다.
이하, 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법의 적합한 실시 형태에 대해서 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1에는 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시된 반도체 웨이퍼(2)는 예컨대 두께가 100 ㎛인 실리콘웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(2a)에는 복수 개의 분할 예정 라인(21)이 격자형으로 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(2)의 표면(2a)에는 격자형으로 형성된 복수 개의 분할 예정 라인(21)에 의해 구획된 복수 개의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(22)가 형성되어 있다.
전술한 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에는 도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 다이 본딩용 접착 필름(3)이 장착된다(접착 필름 장착 공정). 이 때, 80∼200 ℃의 온도로 가열하면서 접착 필름(3)을 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 눌러 장착한다. 또한, 접착 필름(3)은 도시한 실시 형태에 있어서는 에폭시계 수지로 이루어지고, 그 두께가 80 ㎛로 형성되어 있다.
접착 필름 장착 공정을 실시하였으면, 도 3의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 환상 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 반도체 웨이퍼(2)의 접착 필름(3)측을 점착한다(웨이퍼 지지 공정). 또한, 상기 다이싱 테이프(T)는 도시한 실시 형태에 있어서는 두께가 80 ㎛인 폴리염화비닐(PVC)로 이루어진 시트 기재의 표면에 아크릴수지계의 점착층이 두께 5 ㎛ 정도로 도포되어 있다.
전술한 접착 필름 장착 공정 및 웨이퍼 지지 공정의 다른 실시 형태에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다.
도 4에 도시된 실시 형태는 다이싱 테이프(T)의 표면에 미리 접착 필름(3)이 점착된 접착 필름 부착 다이싱 테이프를 사용한다. 즉, 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 환상 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 점착된 접착 필름(3)을 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 장착한다. 이 때, 80∼200℃의 온도로 가열하면서 접착 필름(3)을 반도체 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 눌러 장착한다. 또한, 접착 필름 부착 다이싱 테이프는 주식회사 린텍사 제조의 접착 필름 부착 다이싱 테이프(LE5000)를 이용할 수 있다.
전술한 웨이퍼 지지 공정을 실시하였으면, 환상 절삭날의 외주부의 단면 형상이 V자형인 절삭 블레이드를 이용하여 다이싱 테이프(T)에 점착된 반도체 웨이 퍼(2)를 표면(2a)측으로부터 분할 예정 라인(21)을 따라 절단하고, 환상 절삭날의 외주 가장자리에 의해 접착 필름(3)에 분할 예정 라인(21)을 따라 단면이 V자형인 절삭홈을 형성하는 웨이퍼 절삭 공정을 실시한다. 이 웨이퍼 절삭 공정은 도 5의 (a)에 도시된 절삭 장치(4)를 이용하여 실시한다. 도 5의 (a)에 도시된 절삭 장치(4)는 피가공물을 유지하는 척 테이블(4l)과, 이 척 테이블(41) 상에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드(420)를 갖춘 절삭 수단(42)과, 척 테이블(41) 상에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(43)을 구비하고 있다. 척 테이블(41)은 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 도 5의 (a)에 있어서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향 및 이 가공 이송 방향과 직교하는 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동시키도록 되어 있다. 절삭 블레이드(420)는 원반형의 베이스(421)와 이 베이스의 측면 외주부에 장착된 환상 절삭날(422)로 이루어져 있고, 환상 절삭날(422)은 예컨대 입자 직경 3 ㎛ 정도의 다이아몬드 지립을 도금에 의해 고정하여 형성되어 있으며, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 외주부(422a)는 단면 형상이 V자형으로 형성되어 있다. 상기 촬상 수단(43)은 도시된 실시 형태에 있어서는 가시광선에 의해 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD) 등으로 구성되어 있고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다.
이와 같이 구성된 절삭 장치(4)를 이용하여 웨이퍼 절삭 공정을 실시하기 위해서는, 척 테이블(41) 상에 전술한 웨이퍼 지지 공정에서 반도체 웨이퍼(2)가 점착된 다이싱 테이프(T)를 놓는다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시킴으 로써, 다이싱 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(2)를 척 테이블(41) 상에 흡인 유지한다. 또한, 도 5의 (a)에 있어서는 다이싱 테이프(T)가 장착된 환상 프레임(F)을 생략하여 도시하고 있지만, 환상 프레임(F)은 척 테이블(41)에 배치된 적절한 프레임 고정 클램프에 의해 고정된다. 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(41)은 도시하지 않은 절삭 이송 기구에 의해 상기 촬상 수단(43)의 바로 아래에 위치된다.
척 테이블(41)이 촬상 수단(43)의 바로 아래에 위치되면, 촬상 수단(43) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 절삭할 영역을 검출하는 얼라이먼트 공정을 실행한다. 즉, 촬상 수단(43) 및 도시하지 않은 제어 수단은 반도체 웨이퍼(2)의 소정 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(21)과, 절삭 블레이드(420)와의 정렬을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 절삭 영역의 얼라이먼트를 수행한다(얼라이먼트 공정). 또한, 반도체 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 상기 소정 방향에 대하여 직각으로 연장되는 분할 예정 라인(21)에 대해서도 마찬가지로 절삭 영역의 얼라이먼트가 수행된다.
이상과 같이 하여 척 테이블(41) 상에 유지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 분할 예정 라인(21)을 검출하고, 절삭 영역의 얼라이먼트가 실시되었다면, 반도체 웨이퍼(2)를 유지한 척 테이블(41)을 절삭 영역의 절삭 시작 위치로 이동시킨다. 이 때, 도 6에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)는 절삭할 분할 예정 라인(21)의 일단(도 6에 있어서 좌단)이 절삭 블레이드(420)의 바로 아래보다 소정량 우측에 위치하도록 위치된다. 그리고, 절삭 블레이드(420)를 도 6에 있어서 화살표 420a로 나타내는 방향으로 소정의 회전 속도로 회전시키고, 이점 쇄선으로 나타내는 대기 위치로부터 도시하지 않은 노칭 이송 기구에 의해 아래쪽으로 노칭 이송하여, 도 6에 있어서 실선으로 나타낸 바와 같이 절삭 블레이드(420)를 구성하는 환상 절삭날(422)의 외주 가장자리의 하단이 반도체 웨이퍼(2)의 이면(하면)에 도달하는 노칭 이송 위치에 위치된다.
전술한 바와 같이 절삭 블레이드(420)의 노칭 이송을 실시하였으면, 절삭 블레이드(420)를 도 6에 있어서 화살표 420a로 나타내는 방향으로 소정의 회전 속도로 회전시키면서, 척 테이블(41)을 도 6에 있어서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 절삭 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 척 테이블(41)에 유지된 반도체 웨이퍼(2)의 우단이 절삭 블레이드(420)의 바로 아래를 통과하면 척 테이블(41)의 이동을 정지시킨다. 이 결과, 도 7에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(2)는 분할 예정 라인(21)을 따라 환상 절삭날(422)의 폭과 거의 동일한 폭을 갖는 절단홈(210)에 의해 절단되고, 반도체 웨이퍼(2)의 이면(하면)은 절삭 블레이드(420)를 구성하는 환상 절삭날(422)의 외주 가장자리에 의해서만 절단된다. 이 때, 절삭 블레이드(420)를 구성하는 환상 절삭날(422)의 외주 가장자리가 반도체 웨이퍼(2)의 이면(하면)보다 접착 필름(3)측에 위치되어 있으면, 도 7에 도시된 바와 같이 접착 필름(3)에는 환상 절삭날(422)의 단면 형상이 V자형인 외주부(422a)에 의해 단면 V자형의 파단홈(31)이 형성된다. 또한, 절삭 블레이드(420)를 구성하는 환상 절삭날(422)의 외주 가장자리가 반도체 웨이퍼(2)의 이면(하면)에는 도달하지만 접착 필름(3)을 절삭하지는 않는 경우에는, 접착 필름(3)에 분할 예정 라인(21)을 따라 매우 폭이 좁은 파단 라인이 형성된다. 이와 같이, 웨이퍼 절삭 공정에 있어서는, 절삭 블레이드(420)를 구성하는 환상 절삭날(422)의 단면 형상이 V자형인 외주부(422a)에 있어서의 외주 가장자리만이 접착 필름(3)에 접촉하기 때문에, 반도체 웨이퍼(2)의 두께가 200 ㎛ 이하라도 절삭 중에 흔들리지 않아 반도체 웨이퍼(2)의 절단면에 치핑이 발생하는 일은 없다. 또한, 웨이퍼 절삭 공정에서는 접착 필름(3)을 절단하지 않기 때문에, 절삭 블레이드(420)를 구성하는 절삭날(422)에 클로깅이 생기지 않고, 수염 형상의 절삭 칩이 발생하는 일도 없다.
전술한 웨이퍼 절삭 공정을 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 모든 분할 예정 라인(21)에 실시한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(2)는 분할 예정 라인(21)을 따라 절단되어 각각의 디바이스(22)로 분할되고, 접착 필름(3)에는 분할 예정 라인(21)[각각의 디바이스(22)의 외주변]을 따라 격자형으로 파단홈(31) 또는 매우 폭이 좁은 파단 라인이 형성된다.
전술한 바와 같이 웨이퍼 절삭 공정을 실시하였으면, 다이싱 테이프(T)를 확장시켜 접착 필름(3)에 장력을 작용시키고, 접착 필름(3)을 상기 절삭홈(31)을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정을 실시한다. 이 접착 필름 파단 공정은 도 8에 도시된 접착 필름 파단 장치를 이용하여 실시된다. 도 8에 도시된 접착 필름 파단 장치(6)는 베이스(61)와, 이 베이스(61) 상에 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 배치된 제1 테이블(62)과, 이 제1 테이블(62) 상에 화살표 Y와 직교하는 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 배치된 제2 테이블(63)을 구비하고 있다. 베이스(61)는 직사각 형상으로 형성되고, 그 양측부 상면에는 화살표 Y로 나 타내는 방향으로 2라인의 안내 레일(611, 612)이 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 2라인의 안내 레일 중 한쪽 안내 레일(611)에는 그 상면에 단면이 V자형인 안내홈(611a)이 형성되어 있다.
상기 제1 테이블(62)은 중앙부에 직사각 형상의 개구(621)가 형성된 창틀 형상으로 형성되어 있다. 이 제1 테이블(62)의 한쪽 측부 하면에는 상기 베이스(61)에 설치된 한쪽 안내 레일(611)에 형성되어 있는 안내홈(611a)에 슬라이딩 가능하게 결합되는 피안내 레일(622)이 설치되어 있다. 또한, 제1 테이블(62)의 양측부 상면에는 상기 피안내 레일(622)과 직교하는 방향으로 2라인의 안내 레일(623, 624)이 서로 평행하게 배치되어 있다. 또한, 2라인의 안내 레일 중 한쪽 안내 레일(623)에는 그 상면에 단면이 V자형인 안내홈(623a)이 형성되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 테이블(62)은 피안내 레일(622)을 베이스(61)에 설치된 한쪽 안내 레일(611)에 형성된 안내홈(611a)과 결합시킬 수 있고, 다른 쪽 측부 하면을 베이스(61)에 설치된 다른 쪽 안내 레일(612) 상에 놓을 수 있다. 도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 제1 테이블(62)을 베이스(61)에 설치된 안내 레일(611, 612)을 따라 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동시키는 제1 이동 수단(64)을 구비하고 있다.
상기 제2 테이블(63)은 직사각 형상으로 형성되고, 한쪽 측부 하면에는 상기 제1 테이블(62)에 설치된 한쪽 안내 레일(623)에 형성되어 있는 안내홈(623a)에 슬라이딩 가능하게 결합하는 피안내 레일(632)이 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 제2 테이블(63)은 피안내 레일(632)을 제1 테이블(62)에 설치된 한쪽 안내 레 일(623)에 형성되어 있는 안내홈(623a)과 결합시킬 수 있고, 다른 쪽 측부 하면을 제1 테이블(62)에 설치된 다른 쪽 안내 레일(624) 상에 놓을 수 있다. 도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 제2 테이블(63)을 상기 제1 테이블(62)에 설치된 안내 레일(623, 624)을 따라 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동시키는 제2 이동 수단(65)을 구비하고 있다.
도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 상기 환상 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(66)과, 이 프레임 유지 수단(66)에 유지된 환상 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)를 확장시키는 테이프 확장 수단(67)을 구비하고 있다. 프레임 유지 수단(66)은 환상 프레임 유지 부재(661)와, 이 프레임 유지 부재(661)의 외주에 배치된 고정 수단으로서의 복수 개의 클램프(662)로 이루어져 있다. 프레임 유지 부재(661)의 상면은 환상 프레임(F)을 놓는 적재면(661a)을 형성하고 있고, 이 적재면(661a) 상에 환상 프레임(F)이 놓여진다. 그리고, 적재면(661a) 상에 놓여진 환상 프레임(F)은 클램프(662)에 의해 프레임 유지 부재(661)에 고정된다. 이와 같이 구성된 프레임 유지 수단(66)은 제2 테이블(63)의 상측에 배치되고, 후술하는 테이프 확장 수단(67)에 의해 상하 방향으로 진퇴시킬 수 있도록 지지되어 있다.
테이프 확장 수단(67)은 상기 환상 프레임 유지 부재(661)의 내측에 배치되는 확장 드럼(670)을 구비하고 있다. 이 확장 드럼(670)은 환상 프레임(F)의 내경보다 작고 이 환상 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 점착되는 반도체 웨이퍼(2)의 외경보다 큰 내경 및 외경을 갖고 있다. 또한, 확장 드럼(670)은 하단부에 상기 제2 테이블(63)에 형성된 구멍(도시하지 않음)의 내주면에 회동 가능하게 결합하는 장착부를 구비하고, 이 장착부의 상측 외주면에는 직경 방향으로 돌출되어 형성된 지지 플랜지(671)를 구비하고 있다. 도시된 실시 형태에 있어서의 테이프 확장 수단(67)은 상기 환상 프레임 유지 부재(661)를 상하 방향으로 진퇴시킬 수 있는 지지 수단(672)을 구비하고 있다. 이 지지 수단(672)은 상기 지지 플랜지(671) 상에 배치된 복수 개의 에어 실린더(673)로 이루어져 있고, 그 피스톤 로드(74)가 상기 환상 프레임 유지 부재(661)의 하면에 연결된다. 이와 같이 복수 개의 에어 실린더(673)로 이루어진 지지 수단(672)은 도 8 및 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이 환상 프레임 유지 부재(661)를, 적재면(661a)이 확장 드럼(670)의 상단과 거의 동일한 높이가 되는 기준 위치와, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 적재면(661a)이 확장 드럼(670)의 상단으로부터 도면에 있어서 소정량 하측에 있는 확장 위치로 선택적으로 이동시킨다.
도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 도 8에 도시된 바와 같이 상기 확장 드럼(670) 및 프레임 유지 부재(661)를 회동시키는 회동 수단(68)을 구비하고 있다. 이 회동 수단(68)은 상기 제2 테이블(63)에 배치된 펄스 모터(681)와, 이 펄스 모터(681)의 회전축에 장착된 풀리(682)와, 이 풀리(682)와 확장 드럼(670)의 지지 플랜지(671)에 권취된 무단 벨트(683)로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 회동 수단(68)은 펄스 모터(681)를 구동함으로써, 풀리(682) 및 무단 벨트(683)를 통해 확장 드럼(670)을 회전시킨다.
도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 상기 환상 프레임 유지 부재(661)에 유지된 환상 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)의 각각으로 분할된 디바이스(22)를 검출하기 위한 검출 수단(7)을 구비하고 있다. 검출 수단(7)은 베이스(61)에 배치된 L자형의 지지 기둥(71)에 부착되어 있다. 이 검출 수단(7)은 광학계 및 촬상 소자(CCD) 등으로 구성되어 있고, 상기 환상 프레임 유지 부재(661)에 유지된 환상 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지되어 있는 반도체 웨이퍼(2)의 각각으로 분할된 디바이스(22)를 촬상하고, 이것을 전기 신호로 변환하여 도시하지 않은 제어 수단으로 보낸다.
또한, 도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 각각으로 분할된 디바이스(22)를 다이싱 테이프(T)로부터 픽업하는 픽업 수단(8)을 구비하고 있다. 이 픽업 수단(8)은 베이스(61)에 배치된 선회 아암(81)과, 이 선회 아암(81)의 선단에 장착된 픽업 콜릿(82)으로 이루어져 있고, 선회 아암(81)이 도시하지 않은 구동 수단에 의해 선회된다. 또한, 선회 아암(81)은 상하 이동 가능하게 구성되어 있고, 선단에 장착된 픽업 콜릿(82)은 다이싱 테이프(T)에 점착되어 있는 각각으로 분할된 디바이스(22)를 픽업할 수 있다.
도시된 실시 형태에 있어서의 접착 필름 파단 장치(6)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이 접착 필름 파단 장치(6)를 이용하여 실시하는 접착 필름 파단 공정에 대해서 주로 도 9를 참조하여 설명한다.
전술한 웨이퍼 절삭 공정이 실시된 반도체 웨이퍼(2)[각각의 디바이스(22)로 분할되어 있음] 및 반도체 웨이퍼(2)의 이면에 장착된 접착 필름(3)[각각의 디바이 스(22)의 외주변을 따라 격자형으로 절삭홈(31)이 형성됨]을 다이싱 테이프(T)를 통해 지지한 환상 프레임(F)을 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이 프레임 유지 수단(66)을 구성하는 프레임 유지 부재(661)의 적재면(661a) 상에 놓고, 클램프(662)에 의해 프레임 유지 부재(661)에 고정한다(프레임 유지 공정). 이 때, 프레임 유지 부재(661)는 도 9의 (a)에 도시된 기준 위치에 위치되어 있다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이 기준 위치에 위치되어 있는 프레임 유지 부재(661)에, 이면에 접착 필름(3)이 장착된 반도체 웨이퍼(2)[각각의 디바이스(22)로 분할되어 있음]를 다이싱 테이프(T)를 통해 지지한 환상 프레임(4)을 고정하였으면, 테이프 확장 수단(67)을 구성하는 지지 수단(672)으로서의 복수 개의 에어 실린더(673)를 작동하여 환상 프레임 유지 부재(661)를 도 9의 (b)에 도시된 확장 위치까지 하강시킬 수 있다. 따라서, 프레임 유지 부재(661)의 적재면(661a) 상에 고정되어 있는 환상 프레임(F)도 하강하기 때문에, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 환상 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)는 확장 드럼(670)의 상단 가장자리에 접촉하여 확장된다(테이프 확장 공정). 이 결과, 다이싱 테이프(T)에 점착되어 있는 접착 필름(3)에는 방사상으로 인장력이 작용하기 때문에, 접착 필름(3)이 장착된 각각의 디바이스(22) 사이의 간극(S)이 넓어져서, 도 10에 도시된 바와 같이 접착 필름(3)은 디바이스(22)의 외주변을 따라 파단된다. 이 때, 접착 필름(3)에는 상기 도 7에 도시된 바와 같이 분할 예정 라인(21)[디바이스(22) 외주변]을 따라 단면 V자형의 파단홈(31) 또는 매우 폭이 좁은 파단 라인이 형성되어 있기 때문에, 이 단면 V자형의 파단홈(31) 또는 매우 폭이 좁은 파단 라인을 따라 파단되기 때문 에, 파단면이 파형으로 되지 않고 균일해진다. 또한, 전술한 테이프 확장 공정을 실시할 때에는 접착 필름(3)에 예컨대 10℃ 이하의 냉각 유체(에어)를 분사하여 접착 필름(3)을 냉각시켜 신축성을 저하시키는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이 접착 필름 파단 공정을 실시하였으면, 제1 이동 수단(64) 및 제2 이동 수단(65)을 작동하여 제1 테이블(62)을 화살표 Y로 나타내는 방향(도 8 참조)으로 이동시키고, 제2 테이블(63)을 화살표 X로 나타내는 방향(도 8 참조)으로 이동시키며, 프레임 유지 부재(661)에 유지된 환상 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 접착 필름(3)을 통해 점착되어 있는 각각의 디바이스(22)를 검출 수단(7)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 검출 수단(7)을 작동하여 각각의 디바이스(22) 사이의 간극이 화살표 Y로 나타내는 방향 또는 화살표 X로 나타내는 방향과 일치하는지를 확인한다. 만약에 각각의 디바이스(22) 사이의 간극이 화살표 Y로 나타내는 방향 또는 화살표 X로 나타내는 방향과 어긋나 있다면, 회동 수단(68)을 작동시켜 프레임 유지 수단(66)을 회동시켜 일치시킨다. 다음에, 제1 테이블(62)을 화살표 Y로 나타내는 방향(도 8 참조)으로 이동시키고, 제2 테이블(63)을 화살표 X로 나타내는 방향(도 8 참조)으로 이동시키면서, 도 11에 도시된 바와 같이 픽업 수단(8)을 작동하여 픽업 콜릿(82)에 의해 소정 위치에 위치된 디바이스(22)[이면에 접착 필름(3)이 장착되어 있음]를 흡착시켜 다이싱 테이프(T)로부터 박리하여 픽업하고(픽업 공정), 도시하지 않은 트레이 또는 다이 본딩 공정으로 반송한다. 이 픽업 공정에 있어서는, 전술한 바와 같이 접착 필름(6)이 장착된 각각의 디바이스(22) 사이의 간극(S)이 넓어져 있기 때문에, 인접한 디바이스(22)와 접촉하지 않 고 용이하게 픽업할 수 있다. 따라서, 디바이스(22)의 두께가 100 ㎛ 이하라도 접촉에 의해 파손되지 않게 확실하게 픽업할 수 있다. 이와 같이 하여 픽업된 디바이스(22)의 이면에는 도 12에 도시된 바와 같이 디바이스(22)의 외주변을 따라 균일하게 파단된 접착 필름(3)이 장착되어 있다.
도 1은 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼를 도시한 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 접착 필름 장착 공정을 도시한 설명도.
도 3은 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 웨이퍼 지지 공정을 도시한 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 접착 필름 장착 공정 및 웨이퍼 지지 공정의 다른 실시 형태를 도시한 설명도.
도 5는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 웨이퍼 절삭 공정을 실시하기 위한 절삭 장치의 주요부 사시도.
도 6은 도 5에 도시된 절삭 장치를 이용하여 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 웨이퍼 절삭 공정을 실시한 상태를 도시한 설명도.
도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 절삭 공정이 실시된 반도체 웨이퍼의 확대 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 접착 필름 파단 공정을 실시하기 위한 접착 필름 파단 장치의 사시도.
도 9는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 접착 필름 파단 공정을 도시한 설명도.
도 10은 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 접착 필름 파단 공정이 실시된 반도체 웨이퍼의 확대 단면도.
도 11은 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 설명도.
도 12는 본 발명에 따른 디바이스의 제조 방법에 의해 제조된 디바이스의 사시도.
〈부호의 설명〉
2 : 반도체 웨이퍼
21 : 스트리트
22 : 디바이스
3 : 접착 필름
4 : 절삭 장치
41 : 절삭 장치의 척 테이블
42 : 절삭 수단
420 : 절삭 블레이드
422 : 절삭 블레이드의 절삭날
43 : 촬상 수단
6 : 픽업 확장 장치
61 : 베이스
62 : 제1 테이블
63 : 제2 테이블
64 : 제1 이동 수단
65 : 제2 이동 수단
66 : 프레임 유지 수단
67 : 테이프 확장 수단
68 : 회동 수단
7 : 검출 수단
8 : 픽업 수단
F : 환상 프레임
T : 다이싱 테이프

Claims (3)

  1. 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 각각의 디바이스로 분할하고, 각 디바이스의 이면에 다이 본딩용 접착 필름을 장착하는 디바이스의 제조 방법으로서,
    웨이퍼의 이면에 상기 접착 필름을 장착하는 접착 필름 장착 공정과,
    상기 접착 필름이 장착된 웨이퍼의 상기 접착 필름측을 환상 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 점착시키는 웨이퍼 지지 공정과,
    상기 다이싱 테이프의 표면에 점착된 웨이퍼의 상기 다이싱 테이프측을 절삭 장치의 척 테이블 상에 유지하고, 외주부의 단면 형상이 V자형인 환상 절삭날을 갖는 절삭 블레이드를 이용하여, 상기 환상 절삭날의 외주 가장자리의 하단을 상기 다이싱 테이프의 표면에 점착된 웨이퍼의 이면에 도달하는 위치에 위치시켜 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 절단함으로써, 상기 접착 필름에 상기 분할 예정 라인을 따라 폭이 좁은 파단 라인 또는 단면이 V자형인 파단홈을 형성하는 웨이퍼 절삭 공정과,
    상기 웨이퍼 절삭 공정을 실시한 후, 상기 다이싱 테이프를 확장시켜 상기 접착 필름에 장력을 작용시키고, 상기 접착 필름을 상기 파단 라인 또는 상기 파단홈을 따라 파단하는 접착 필름 파단 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착 필름 파단 공정을 실시한 후, 상기 분할 예정 라인을 따라 분할된 각각의 디바이스를 이면에 상기 접착 필름이 장착되어 있는 상태로 상기 다이싱 테이프로부터 박리하여 픽업하는 픽업 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
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