CN101388326A - 器件制造方法 - Google Patents

器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101388326A
CN101388326A CNA2008101456105A CN200810145610A CN101388326A CN 101388326 A CN101388326 A CN 101388326A CN A2008101456105 A CNA2008101456105 A CN A2008101456105A CN 200810145610 A CN200810145610 A CN 200810145610A CN 101388326 A CN101388326 A CN 101388326A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
wafer
mentioned
bonding film
breaking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101456105A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101388326B (zh
Inventor
中村胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN101388326A publication Critical patent/CN101388326A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101388326B publication Critical patent/CN101388326B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0029—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rotating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

本发明提供一种器件制造方法，其能把芯片焊接用粘接膜在不使器件质量降低的情况下安装到器件背面。该器件制造方法具有以下工序：粘接膜安装工序，把粘接膜安装到晶片的背面，其中晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中，分别形成有器件；晶片支撑工序，把安装有粘接膜的晶片的粘接膜侧粘贴到切割带的表面上；晶片切削工序，把粘贴在切割带表面上的晶片的切割带侧，保持到切削装置的卡盘工作台上，使用切削刀具沿着分割预定线切断晶片，其中切削刀具具有外周部的截面形状呈V字状的环状切削刃；和粘接膜断裂工序，在实施晶片切削工序后使切割带扩展，使张力作用于粘接膜，使粘接膜沿着形成于晶片上的切削槽断裂。

Description

器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种器件制造方法，其将晶片沿分割预定线分割成一个个器件，并且在各器件的背面安装芯片焊接用的粘接膜，其中上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有器件。
背景技术
例如，在半导体器件制造工序中，在大致为圆板形状的半导体晶片的表面上，在通过形成为格子状的间隔道(分割预定线)划分而成的多个区域中，形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scaleintegration：大规模集成电路)等器件，通过将形成有该器件的各区域沿分割预定线进行分割，来制造出一个个的器件。作为分割半导体晶片的分割装置，通常使用被称为切割装置的切削装置，该切削装置用厚度为40μm左右的切削刀具对半导体晶片沿分割预定线进行切削。如此分割出的器件被封装并在移动电话和个人计算机等电气设备中广泛使用。
分割成一个一个的器件在其背面安装有由环氧树脂等形成的厚度为70～80μm的称为芯片黏着膜(ダイアタツチフイルム)的芯片焊接用的粘接膜，并且所述器件隔着该粘接膜通过加热而焊接在支撑器件的芯片焊接框架上。作为在器件的背面安装芯片焊接用的粘接膜的方法，在半导体晶片的背面上粘贴粘接膜，并隔着该粘接膜将半导体晶片粘贴在切割带上，然后沿着在半导体晶片的表面上形成的分割预定线通过切削刀具将粘接膜与半导体晶片一起切断，从而形成在背面安装有粘接膜的器件。(例如，参照专利文献1。)
专利文献1：日本特开2000—182995号公报
然而，在利用切削刀具将粘接膜与半导体晶片一起切断的方法中，存在以下问题：在晶片的厚度比较厚的情况下(例如大于等于500μm)，即使将粘接膜与半导体晶片一起切断，也不会损伤器件，但是如果半导体晶片的厚度比较薄(例如在200μm以下)，则由于粘接膜呈糊状，因此在切削过程中，半导体晶片会振动，器件的侧面(切断面)产生碎屑，会使器件的质量降低。并且还存在这样的问题：若利用切削刀具将粘接膜与半导体晶片一起切断，则会生成须状的粘接膜的切屑，并且该切屑会附着在设于器件的焊盘上。并且，由于切削刀具的切削刃是通过镀来固定金刚石磨粒而形成的，因此，当切断粘接膜时，会出现气孔阻塞，需要频繁地进行修正，因而还存在切削刀具的寿命会降低这一问题。另外，为了消除上述问题，考虑了这样的方法：利用切削刀具只切断半导体晶片，把它分割成一个个器件，然后通过使粘贴有安装在半导体晶片背面上的粘接膜的切割带扩展，来沿着一个个器件使粘接膜断裂，然而，由于切削刀具在半导体晶片上形成的切断槽的宽度的缘故，粘接膜的断裂面波动，存在粘接膜分离得不均匀，无法实现器件的质量的稳定这一问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其主要技术课题是提供一种能够把芯片焊接用的粘接膜在不使器件质量降低的情况下安装到器件背面的器件制造方法。
根据本发明，提供一种器件的制造方法，其特征在于，上述器件制造方法具有以下工序：粘接膜安装工序，把粘接膜安装到晶片的背面，其中，上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中，分别形成有器件；晶片支撑工序，把安装有上述粘接膜的晶片的粘接膜侧，粘贴到安装于环状框架的切割带的表面上；晶片切削工序，把粘贴在上述切割带表面上的晶片的上述切割带侧，保持到切削装置的卡盘工作台上，使用切削刀具沿着上述分割预定线切断晶片，其中上述切削刀具具有外周部的截面形状呈V字状的环状切削刃；以及粘接膜断裂工序，在实施上述晶片切削工序之后，使上述切割带扩展，使张力作用于上述粘接膜，使上述粘接膜沿着形成于晶片上的切削槽断裂。
在实施上述粘接膜断裂工序之后，实施拾取工序，在该拾取工序中，将沿着分割预定线分割成一个一个的器件，在它们的背面安装有该粘接膜的状态下，从该切割带剥离进行拾取。
根据本发明，在晶片切削工序中，只有构成切削刀具的环状切削刃的、截面形状形成为V字状的外周缘与粘接膜接触，因此即使晶片厚度比较薄，在切削过程中晶片也不会振动，在晶片的切断面也不会产生碎屑。并且在晶片切削工序中不切断粘接膜，因此构成切削刀具的切削刃不会发生气孔阻塞，并且也不会生成须状的切屑。此外，在晶片切削工序中，只是用环状切削刃的截面形状呈V字状的外周缘来切断晶片的背面，因此在粘接膜上沿着分割预定线会形成宽度极窄的断裂线，或者形成截面呈V字状的断裂槽，在粘接膜断裂工序中，通过使切割带扩展，粘接膜沿着宽度极窄的断裂线或截面呈V字状的断裂槽断裂。从而粘接膜的断裂面均匀而不会成为波状。
附图说明
图1为表示作为晶片的半导体晶片的立体图。
图2为表示本发明的器件制造方法中的粘接膜安装工序的说明图。
图3为表示本发明的器件制造方法中的晶片支撑工序的立体图。
图4为表示本发明的器件制造方法中的粘接膜安装工序以及晶片支撑工序的其他实施方式的说明图。
图5为用于实施本发明的器件制造方法中的晶片切削工序的切削装置的主要部分立体图。
图6为利用图5示出的切削装置来实施本发明的器件制造方法中的晶片切削工序的状态的说明图。
图7为实施了图6所示的晶片切削工序后的半导体晶片的放大剖视图。
图8为用于实施本发明的器件制造方法中的粘接膜断裂工序的粘接膜断裂装置的立体图。
图9为表示本发明的器件制造方法中的粘接膜断裂工序的说明图。
图10为实施了本发明的器件制造方法中的粘接膜断裂工序后的半导体晶片的放大剖视图。
图11为本发明的器件制造方法中的拾取工序的说明图。
图12为利用本发明的器件制造方法制造出来的器件的立体图。
标号说明
2：半导体晶片；21：间隔道；22：器件；3：粘接膜；4：切削装置；41：切削装置的卡盘工作台；42：切削构件；420：切削刀具；422：切削刀具的切削刃；43：摄像构件；6：拾取扩展装置；61：基座；62：第一工作台；63：第二工作台；64：第一移动构件；65：第二移动构件；66：框架保持构件；67：带扩展构件；68：转动构件；7：检测构件；8：拾取构件；F：环状框架；T：切割带。
具体实施方式
下面，参照附图，详细说明适用于本发明的器件制造方法的优选实施方式。
图1表示作为晶片的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片2例如由厚度为100μm的硅晶片构成，在表面2a上呈格子状地形成有多条分割预定线21。而且，在半导体晶片2的表面2a上，在由形成为格子状的多条分割预定线21划分而成的多个区域中形成有IC、LSI等器件22。
如图2的(a)和(b)所示，在上述半导体晶片2的背面2b上安装芯片焊接用的粘接膜3(粘接膜安装工序)。这时，一边在80～200℃的温度下加热，一边按压粘接膜3将其安装到半导体晶片2的背面2b。另外，在图示的实施方式中，粘接膜3由环氧系树脂构成，其厚度形成为80μm。
在实施完粘接膜安装工序之后，如图3的(a)和(b)所示，把半导体晶片2的粘接膜3侧粘贴到切割带T的表面上，切割带T的外周部安装成覆盖环状框架F的内侧开口部(晶片支撑工序)。另外，在图示的实施方式中，上述切割带T在厚度为80μm的由聚氯乙烯(PVC)构成的薄板基材表面上涂布有厚度为5μm左右的丙烯树脂系粘接层。
参照图4，说明上述粘接膜安装工序以及晶片支撑工序的其他实施方式。
图4所示的实施方式使用的是在切割带T表面上预先粘贴有粘接膜3的带粘接膜的切割带。即，如图4的(a)和(b)所示，把粘贴在切割带T表面上的粘接膜3安装到半导体晶片2的背面2b上，其中上述切割带T的外周部安装成覆盖环状框架F的内侧开口。这时，一边在80～200℃的温度下加热，一边按压粘接膜3将其安装到半导体晶片2的背面2b上。另外，至于带粘接膜的切割带，可以使用株式会社リンテツク公司制造的带粘接膜的切割带(LE5000)。
在实施了上述晶片支撑工序之后实施晶片切削工序，在该晶片切削工序中，使用环状切削刃的外周部截面形状呈V字状的切削刀具，从表面2a侧沿着分割预定线21，对粘贴在切割带T上的半导体晶片2进行切断，并且利用环状切削刃的外周缘在粘接膜3上沿着分割预定线21形成截面为V字状的切削槽。该晶片切削工序使用图5(a)示出的切削装置4来实施。图5(a)所示的切削装置4具有：保持被加工物的卡盘工作台41；具有切削刀具420的切削构件42，该切削刀具420对保持在上述卡盘工作台41上的被加工物进行切削；以及摄像构件43，其对保持在上述卡盘工作台41上的被加工物进行摄像。卡盘工作台41构成为吸附保持被加工物，并通过未图示的移动机构在图5(a)中箭头X所示的加工进给方向以及与该加工进给方向正交的箭头Y所示的分度进给方向上移动。切削刀具420由圆盘状的基座421和安装在该基座的侧面外周部上的环状切削刃422构成，环状切削刃422通过利用镀对例如粒径为3μm左右的金刚石磨粒进行固定而形成，如图5(b)所示，外周部422a的截面形状形成为V字状。在图示的实施方式中，上述摄像构件43由利用可视光线进行摄像的普通摄像元件(CCD:Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)等构成，并且把摄像得到的图像信号传送给未图示的控制构件。
在利用具有这样构成的切削装置4来实施晶片切削工序时，把在上述晶片支撑工序中粘贴有半导体晶片2的切割带T载置到卡盘工作台41上。然后使未图示的吸附构件工作，隔着切割带T把半导体晶片2吸附保持在卡盘工作台41上。另外，在图5(a)中，省略安装有切割带T的环状框架F进行表示，但环状框架F通过设置在卡盘工作台41上的合适的框架固定夹紧器而被固定。这样吸附保持有半导体晶片2的卡盘工作台41通过未图示的切削进给机构定位于上述摄像构件43的正下方。
当卡盘工作台41定位于摄像构件43的正下方时，通过摄像构件43和未图示的控制构件来执行检测半导体晶片2的应切削区域的校准作业。即，摄像构件43和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，完成切削区域的校准(校准工序)，其中上述图案匹配等图像处理用于对形成在晶片2的预定方向上的分割预定线21和切削刀具420进行对位。此外，对于形成在半导体晶片2上的与上述预定方向成直角地延伸的分割预定线21，也同样地完成切削区域的校准。
如上述那样检测分割预定线21来进行切削区域的校准，其中上述分割预定线21形成在保持于卡盘工作台41的半导体晶片2上，之后，使保持有半导体晶片2的卡盘工作台41向切削区域的切削开始位置移动。此时，如图6所示，半导体晶片2的应切削的分割预定线21的一端(图6中的左端)被定位于从切削刀具420的正下方向右侧偏离预定量的位置。然后使切削刀具420向图6中箭头420a所示方向，以预定的旋转速度旋转，利用未图示的切深进给机构，使切削刀具420从双点划线表示的待机位置向下方进行切深进给，并如图6中实线所示，使构成切削刀具420的环状切削刃422的外周缘的下端，定位于到达半导体晶片2的背面(下表面)的切深进给位置。
在实施了如上所述的切削刀具420的切深进给之后，一边使切削刀具420向图6中箭头420a所示方向以预定的旋转速度旋转，一边使卡盘工作台41以预定的切削进给速度沿图6中箭头X1所示方向移动。然后在保持于卡盘工作台41上的半导体晶片2的右端通过了切削刀具420的正下方之后，使卡盘工作台41停止移动。其结果为，如图7所示，半导体晶片2沿着分割预定线21被宽度与环状切削刃422的宽度大致相同的切断槽210切断，并且半导体晶片2的背面(下表面)只是被构成切削刀具420的环状切削刃422的外周缘切断。这时，如果构成切削刀具420的环状切削刃422的外周缘，定位于比半导体晶片2的背面(下表面)更靠近粘接膜3侧的位置，则如图7所示，在粘接膜3上，通过环状切削刃422的截面形状呈V字状的外周部422a，形成了截面呈V字状的断裂槽31。另外，在构成切削刀具420的环状切削刃422的外周缘到达半导体晶片2的背面(下表面)、但并不切削粘接膜3的情况下，在粘接膜3上沿着分割预定线21形成有宽度极窄的断裂线。这样，在晶片切削工序中，由于只有构成切削刀具420的环状切削刃422的截面形状呈V字状的外周部422a的外周缘与粘接膜3接触，因此即使半导体晶片2的厚度在200μm以下，在切削过程中也不会振动，半导体晶片2的切断面也不会产生碎屑。并且由于在晶片切削工序中并不切断粘接膜3，因此构成切削刀具420的切削刃422不会出现气孔阻塞，并且也不会生成须状的切屑。
上述晶片切削工序是按照形成于半导体晶片2的全部分割预定线21来实施的。其结果为，半导体晶片2沿着分割预定线21被切断而分割成一个个器件22，并且，在粘接膜3上沿着分割预定线21(各个器件22的外周边)，呈格子状地形成断裂槽31或宽度极窄的断裂线。
在如上所述实施完晶片切削工序之后，实施粘接膜断裂工序，在该粘接膜断裂工序中，使切割带T扩展使张力作用在粘接膜3上，以使粘接膜3沿着上述切削槽31断裂。该粘接膜断裂工序是使用图8所示的粘接膜断裂装置来实施的。图8所示的粘接膜断裂装置6具有：基座61；第一工作台62，其能够在箭头Y所示方向上移动地设置在上述基座61上；以及第二工作台63，其能够在与箭头Y正交的箭头X所示方向上移动地设置在上述第一工作台62上。基座61形成为矩形形状，而且在其两侧部上表面沿箭头Y所示方向相互平行地设有两根导轨611、612。另外，在两根导轨中的一个导轨611的上表面，形成有截面呈V字状的导引槽611a。
上述第一工作台62形成为在中央部具有矩形形状的开口621的窗框状。在该第一工作台62的一个侧部下表面，设有被引导轨622，该被引导轨622可滑动地与导引槽611a配合，该导引槽611a形成在设置于上述基座61上的一个导轨611上。此外，在第一工作台62的两侧部上表面，在与上述被引导轨622正交的方向上相互平行地配设有两个导轨623、624。再有，在两个导轨中的一个导轨623上，在其上表面形成有截面为V字状的导引槽623a。这样构成的第一工作台62，使被引导轨622与导引槽611a配合，该导引槽611a形成在设置于基座61的一个导轨611上，并且第一工作台62将另一侧部下表面载置于设置在基座61上的另一导轨612上。图示实施方式中的粘接膜断裂装置6具有使第一工作台62沿设置在基座61上的导轨611、612在箭头Y所示方向上移动的第一移动构件64。
上述第二工作台63形成为矩形形状，在一个侧部下表面设有被引导轨632，该被引导轨632可滑动地与导引槽623a配合，该导引槽623a形成在设置于上述第一工作台62上的一个导轨623上。这样构成的第二工作台63，使被引导轨632与导引槽623a配合，该导引槽623a形成在设置于第一工作台62的一个导轨623上，并且第二工作台63将另一侧部下表面载置于设置在第一工作台62上的另一导轨624上。图示实施方式中的粘接膜断裂装置6具有使第二工作台63沿设置在第一工作台62上的导轨623、624在箭头X所示的方向上移动的第二移动构件65。
图示的实施方式中的粘接膜断裂装置6具有：保持上述环状框架F的框架保持构件66；和使安装在保持于上述框架保持构件66的环状框架F上的切割带T扩展的带扩展构件67。框架保持构件66由环状的框架保持部件661和在该框架保持部件661的外周配设的作为固定构件的多个夹紧器662构成。框架保持部件661的上表面形成载置环状框架F的载置面661a，在该载置面661a上载置环状框架F。并且，载置在载置面661a上的环状框架F通过夹紧器662固定在框架保持部件661上。这样构成的框架保持构件66配设于第二工作台63的上方，并由后述的带扩展构件67在上下方向上可进退地支撑。
带扩展构件67具有配设在上述环状框架保持部件661的内侧的扩展轮670。该扩展轮670具有：比环状框架F的内径小、且比在安装于该环状框架F上的切割带T上所粘贴的半导体晶片2的外径大的内径和外径。此外，扩展轮670在下端部具有与设于上述第二工作台63的孔(未图示)的内周面可转动地配合的安装部，并且在该安装部的上侧外周面具有在径向上突出地形成的支撑凸缘671。图示实施方式的带扩展构件67具有使上述环状框架保持部件661可在上下方向上进退的支撑构件672。该支撑构件672由在上述支撑凸缘671上配设的多个空气缸673构成，其活塞杆674与上述环状的框架保持部件661的下表面连接。如此般由多个空气缸673构成的支撑构件672有选择地向基准位置和扩展位置移动，在上述基准位置，如图8和图9(a)所示，环状框架保持部件661的载置面661a与扩展轮670的上端为大致相同的高度，在上述扩展位置，如图9(b)所示，环状框架保持部件661的载置面661a从扩展轮670的上端在图中向下方离开预定量。
如图8所示，图示的实施方式中的粘接膜断裂装置6具有使上述扩展轮670和框架保持部件661转动的转动构件68。该转动构件68由以下部件构成：配设在上述第二工作台63上的脉冲电动机681；安装在该脉冲电动机681的旋转轴上的滑轮682；以及卷绕在该滑轮682和扩展轮670的支撑凸缘671上的环状带683。通过驱动脉冲电动机681，这样构成的转动构件68经滑轮682和环状带683使扩展轮670旋转。
图示的实施方式的粘接膜断裂装置6具有检测构件7，该检测构件7用于检测半导体晶片2的分割成一个一个的器件22，上述半导体晶片2通过切割带T支撑于在上述环状框架保持部件661上保持的环状框架F上。检测构件7安装在配置于基座61的L字状的支撑柱71上。该检测构件7由光学系统及摄像元件(CCD)等构成，其对通过切割带T支撑在保持于上述环状框架保持部件661的环状框架F上的半导体晶片2的、分割成一个一个的器件22进行摄像，并将其转换为电信号发送至未图示的控制构件。
此外，图示实施方式中的粘接膜断裂装置6具有从切割带T上拾取分割成一个一个的器件22的拾取构件8。该拾取构件8由在基座61上配设的回转臂81和安装在该回转臂81的前端的拾取夹头82构成，回转臂81通过未图示的驱动构件而回转。再有，回转臂81构成为可上下活动，安装在前端的拾取夹头82能够拾取在切割带T上粘贴的分割成一个一个的器件22。
图示实施方式中的粘接膜断裂装置6具有如上所述的结构，主要参照图9，说明使用该粘接膜断裂装置6实施的粘接膜断裂工序。
将通过切割带T而支撑有实施了上述晶片切削工序的半导体晶片2(被分割成一个个器件22)以及安装在该半导体晶片2背面的粘接膜3(沿着一个个器件22的外周边呈格子状地形成有切削槽31)的环状框架F，如图9所示载置到构成框架保持构件66的框架保持部件661的载置面661a上，并通过夹具662将其固定在框架保持部件661上(框架保持工序)。这时框架保持部件661定位于图9(a)所示的基准位置。
在如图9(a)所示那样定位于基准位置的框架保持部件661上，固定了通过切割带T支撑有在背面安装了粘接膜3的半导体晶片2(分割成一个个器件22)的环状框架F之后，使构成带扩展构件67的作为支撑构件672的多个空气缸673工作，使环状框架保持部件661下降到图9(b)所示的扩展位置。因此，由于固定在框架保持部件661的载置面661a上的环状框架F也下降，所以如图9(b)所示，安装在环状框架F上的切割带T与扩展轮670的上端缘抵接并扩展(带扩展工序)。其结果为，由于在粘贴于切割带T的粘接膜3上呈放射状地作用拉伸力，所以安装有粘接膜3的一个个器件22之间的间隙S变大，并且如图10所示，粘接膜3沿器件22的外周边断裂。此时，如同上述图7所示，在粘接膜3上，沿着分割预定线21(器件22的外周边)形成有截面呈V字状的断裂槽31或者宽度极窄的断裂线，因此，粘接膜3沿着截面呈V字状的断裂槽31或宽度极窄的断裂线破裂，所以断裂面均匀而不会呈波状。另外，在实施上述带扩展工序的时候，理想的是向粘接膜3喷射例如10℃以下的冷却流体(空气)来冷却粘接膜3，以降低其伸缩性。
在如上述那样实施带扩展工序之后，使第一移动构件64和第二移动构件65工作，使第一工作台62向箭头Y所示的方向(参照图8)移动，并且使第二工作台63向箭头X所示的方向(参照图8)移动，使一个个器件22定位于检测构件7的正下方，其中所述一个个器件22通过粘接膜3粘贴在切割带T上，所述切割带T安装在保持于框架保持部件661的环状框架F上。然后，使检测构件7工作，并确认一个个器件22之间的间隙是否与箭头Y所示的方向或箭头X所示的方向一致。如果一个个器件22之间的间隙与箭头Y所示的方向或箭头X所示的方向偏离，则使转动构件68工作使框架保持构件66转动以使其一致。接下来，使第—工作台62向箭头Y所示的方向(参照图8)移动，并且使第二工作台63向箭头X所示的方向(参照图8)移动，同时如图11所示使拾取构件8工作通过拾取夹头82来吸附定位于预定位置上的器件22(在背面安装有粘接膜3)，从切割带T进行剥离并拾取(拾取工序)，并搬送至未图示的托盘或芯片焊接工序。在该拾取工序中，如上所述由于安装有粘接膜3的一个个器件22之间的间隙S变大，所以能够不与相邻的器件22接触地容易地进行拾取。从而即使器件22的厚度在100μm以下，也能够可靠地拾取器件，而不会因接触而造成破损。在被这样拾取的器件22的背面，安装有如图12所示沿着器件22的外周边均匀断裂的粘接膜3。

Claims (3)

1.一种器件制造方法，其特征在于，
上述器件制造方法具有以下工序：
粘接膜安装工序，把粘接膜安装到晶片的背面，其中，上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中，分别形成有器件；
晶片支撑工序，把安装有上述粘接膜的晶片的粘接膜侧，粘贴到安装于环状框架的切割带的表面上；
晶片切削工序，把粘贴在上述切割带表面上的晶片的上述切割带侧，保持到切削装置的卡盘工作台上，使用切削刀具沿着上述分割预定线切断晶片，其中上述切削刀具具有外周部的截面形状呈V字状的环状切削刃；以及
粘接膜断裂工序，在实施上述晶片切削工序之后，使上述切割带扩展，使张力作用于上述粘接膜，使上述粘接膜沿着形成于晶片上的切削槽断裂。
2.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于，
在上述晶片切削工序中，把上述环状切削刃的外周缘的下端，定位于到达粘贴在上述切割带表面上的晶片的背面的位置。
3.根据权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于，
上述器件制造方法在实施上述粘接膜断裂工序之后还具有拾取工序，在该拾取工序中，将沿着上述分割预定线分割成一个一个的器件，在它们的背面安装有上述粘接膜的状态下，从上述切割带剥离进行拾取。
CN2008101456105A 2007-09-14 2008-08-05 器件制造方法 Active CN101388326B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007238921 2007-09-14
JP2007238921A JP5122893B2 (ja) 2007-09-14 2007-09-14 デバイスの製造方法
JP2007-238921 2007-09-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101388326A true CN101388326A (zh) 2009-03-18
CN101388326B CN101388326B (zh) 2012-05-23

Family

ID=40454948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101456105A Active CN101388326B (zh) 2007-09-14 2008-08-05 器件制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7598156B2 (zh)
JP (1) JP5122893B2 (zh)
KR (1) KR101386339B1 (zh)
CN (1) CN101388326B (zh)
MY (1) MY143700A (zh)
SG (1) SG151173A1 (zh)
TW (1) TWI419217B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102693942A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN103192460A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 威控自动化机械股份有限公司 切割装置及方法
CN106816404A (zh) * 2017-01-19 2017-06-09 吉林麦吉柯半导体有限公司 晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法
CN108356412A (zh) * 2017-01-24 2018-08-03 株式会社迪思科 激光加工装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011060807A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Renesas Electronics Corp 導電性接合層付き半導体チップ及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2011091239A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP2011091240A (ja) * 2009-10-23 2011-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP6400938B2 (ja) * 2014-04-30 2018-10-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
JP6509614B2 (ja) * 2015-04-08 2019-05-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
CN105382946A (zh) * 2015-12-17 2016-03-09 哈尔滨新力光电技术有限公司 蓝宝石led条自动高效裂片机及裂片方法
JP2018181929A (ja) * 2017-04-05 2018-11-15 株式会社ディスコ 加工方法
JP6991673B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 株式会社ディスコ 剥離方法
JP7019254B2 (ja) * 2018-04-10 2022-02-15 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP2020009871A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020009873A (ja) * 2018-07-06 2020-01-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154860B2 (ja) * 2018-07-31 2022-10-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3147455B2 (ja) * 1992-01-20 2001-03-19 富士通株式会社 半導体ウェーハの切断方法
JP2000182995A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP2006049591A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP4549239B2 (ja) * 2005-06-22 2010-09-22 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
JP2007081037A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
JP2007194469A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP4719042B2 (ja) * 2006-03-16 2011-07-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102693942A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN102693942B (zh) * 2011-03-23 2016-04-20 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN103192460A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 威控自动化机械股份有限公司 切割装置及方法
CN103192460B (zh) * 2012-01-05 2015-07-15 威控自动化机械股份有限公司 切割装置及方法
CN106816404A (zh) * 2017-01-19 2017-06-09 吉林麦吉柯半导体有限公司 晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法
CN108356412A (zh) * 2017-01-24 2018-08-03 株式会社迪思科 激光加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20090075458A1 (en) 2009-03-19
KR20090028402A (ko) 2009-03-18
JP2009071100A (ja) 2009-04-02
US7598156B2 (en) 2009-10-06
JP5122893B2 (ja) 2013-01-16
TW200913037A (en) 2009-03-16
CN101388326B (zh) 2012-05-23
KR101386339B1 (ko) 2014-04-16
SG151173A1 (en) 2009-04-30
MY143700A (en) 2011-06-30
TWI419217B (zh) 2013-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101388326B (zh) 器件制造方法
CN101261934B (zh) 器件制造方法
TWI656597B (zh) Wafer processing method
JP6078376B2 (ja) ウエーハの加工方法
US7622366B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP4256214B2 (ja) 板状物の分割装置
CN100466163C (zh) 带扩展设备
CN101271834B (zh) 器件制造方法
CN103681297A (zh) 晶片加工方法
JP2005019525A (ja) 半導体チップの製造方法
JP5623791B2 (ja) サファイア基板の加工方法
US20150357242A1 (en) Wafer processing method
KR20160033631A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2013008831A (ja) ウエーハの加工方法
JP2007305687A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
TW200939330A (en) Method for disconnecting adhesive bonding film with backmounted wafer and adhesive bonding film
JP2006245209A (ja) 半導体チップの製造方法
TW201738164A (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
JP4324788B2 (ja) ウェーハマウンタ
JP6257365B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2005109155A (ja) 半導体ウェーハの加工方法
JP2009194135A (ja) ダイボンディング方法及びダイボンダ
US20150093882A1 (en) Wafer processing method
JP2005158782A (ja) 半導体ウェーハの加工方法。
JP5623798B2 (ja) サファイア基板の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant