KR101368147B1 - 커패시터들을 형성하는 방법 - Google Patents
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Abstract
커패시터를 형성하는 방법은 내부 전도성 커패시터 전극 재료 위에 75Å 이하의 두께로 제 1 상의 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계를 포함한다. 제 1 상 유전체 금속 산화물 층은 적어도 15의 k를 갖는다. 전도성 RuO2는 유전체 금속 산화물 층 위에 증착되며, 그것과 물리적으로 접촉한다. 그후, RuO2 및 유전체 금속 산화물 층은 500℃ 미만의 온도에서 어닐링된다. 어닐링 동안 유전체 금속 산화물과 물리적으로 접촉하는 RuO2는 제 1 상으로부터 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 유전체 금속 산화물 층의 변화를 용이하게 한다. 어닐링된 유전체 금속 산화물 층은 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역에 통합된다. 다른 구현예들이 개시되어 있다.
Description
본 명세서에 개시된 실시예들은 커패시터들을 형성하는 방법들에 관한 것이다.
커패시터들은 반도체 집적 회로, 예로서, DRAM 회로 같은 메모리 회로에 일반적으로 사용되는 전기적 구성요소들이다. 통상적 커패시터는 비전도성 커패시터 유전체 영역에 의해 분리된 두 개의 전도성 전극들로 구성된다. 집적 회로 밀도가 증가함에 따라, 커패시터 면적 감소에도 불구하고 충분히 높은 저장 커패시턴스를 유지하는 지속적인 과제가 있다. 셀 커패시턴스를 증가시키는 한 가지 방식은 셀 구조 기술들을 통한 것이다. 이런 기술들은 트렌치 및 스택 커패시터들 같은 3차원 셀 커패시터들을 포함한다. 셀 커패시턴스를 증가시키는 다른 방식들은 커패시터 전극들 및 커패시터 유전체 영역 중 하나 또는 양자 모두를 위한 새로운 재료들의 개발 및 활용을 포함한다.
커패시턴스를 최대화시키는 한 가지 방식은 커패시터 유전체 영역을 위해 매우 높은 유전 상수(k)를 갖는 하나 이상의 유전체들을 사용하는 것이다. 특정 유전체 금속 산화물들이 이런 목적들을 위해 사용될 수 있다. 유전체 금속 산화물들은 다양한 유전 상수를 갖는 다수의 서로 다른 비정질 및 결정 상(phase)들로 이루어질 수 있다. 일부 예들에서, 75Å 이하의 유전체 금속 산화물 층들의 증착은 이런 서로 다른 재료들을 위한 바람직한 가장 높은 k를 달성하기 위해 500℃를 매우 초과하는 후속 고온 어닐링을 필요로할 수 있다. 불행히, 이런 높은 온도들에 대한 기판의 노출은 다른 회로 구성요소들 및 재료들에 대한 손상을 초래할 수 있다. 따라서, 커패시터 유전체 층들의 증착 이후 기판들을 높은 온도들에 노출시킬 필요가 없는 높은 k 유전성을 갖는 커패시터들의 제조를 가능하게 하는 기술들을 개발하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 2는 도 1에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 1 기판의 도면이다.
도 3은 도 2에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 2 기판의 도면이다.
도 4는 도 3에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 3 기판의 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 6은 도 5에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 5 기판의 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 처리의 기판 중의 개략 단면도이다.
도 8은 도 7에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 7 기판의 도면이다.
도 9는 도 8에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 8 기판의 도면이다.
도 10은 도 9에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 9 기판의 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 12는 도 11에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 11 기판의 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 2는 도 1에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 1 기판의 도면이다.
도 3은 도 2에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 2 기판의 도면이다.
도 4는 도 3에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 3 기판의 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 6은 도 5에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 5 기판의 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 처리의 기판 중의 개략 단면도이다.
도 8은 도 7에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 7 기판의 도면이다.
도 9는 도 8에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 8 기판의 도면이다.
도 10은 도 9에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 9 기판의 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 12는 도 11에 의해 도시된 바에 후속하는 처리 단계의 도 11 기판의 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 처리 중의 기판의 개략 단면도이다.
커패시터들을 형성하는 제 1 실시예의 방법들이 도 1 내지 도 4를 참조로 설명되어 있다. 도 1을 참조하면, 기판 부분은 전체가 참조 번호 10으로 표시되어 있으며, 반도체 기판을 포함할 수 있다. 본 문서에 관련하여, 용어 "반도체 기판" 또는 "반전도성 기판"은 반전도성 웨이퍼(단독으로 또는 그 위에 다른 재료들을 포함하는 조립체들로) 및 반전도성 재료 층들(단독으로 또는 다른 재료들을 포함하는 조립체들로) 같은 벌크 반전도성 재료들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 반전도성 재료를 포함하는 임의의 구성을 의미하는 것으로 정의된다. 용어 "기판"은 상술한 반전도성 기판들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 지지 구조를 지칭한다. 예시적 기판(10)은 커패시터가 외부에 형성되는 베이스 재료 또는 기판(12)을 포함하는 것으로 도시되어 있다. 기판(12)은 절연성, 전도성 및/또는 반전도성일 수 있는 다수의 서로 다른 조성의 재료들 및 층들을 포함할 수 있다.
내부 전도성 커패시터 전극 재료(14)는 기판(12) 위에 증착되어 있다. 이는 균질하거나 비균질할 수 있으며, 전도성 도핑된 반전도성 재료들 및 하나 이상의 금속들이 예들이다. 본 문서에 관하여, "금속"은 원소 형태 금속들, 원소 금속들의 합금들 및 하나 이상의 전도성 금속 화합물들을 포함한다. 예들은 전도성 도핑된 실리콘, 티타늄, 텅스텐, 전도성 금속 니트라이드들, 백금, 루테늄 및 전도성 금속 산화물들을 포함한다. 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14)를 위한 예시적 두께 범위는 50Å 내지 300Å이다.
도 2를 참조하면, 제 1 상(phase)의 유전체 금속 산화물 층(16)은 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14) 위에 75Å 이하의 두께로 증착된다. 제 1 상 유전체 금속 산화물 층(16)은 적어도 15의 유전 상수 "k"를 갖는다. 유전체 층(16)은 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14)와 직접적으로 물리적 터치 접촉하여 배치되거나 그렇지 않을 수 있다. 따라서, 하나 이상의 서로 다른 커패시터 유전체 재료들은 예로서, 층들(14, 16) 사이의 세 개의 수직 도트들로 표시된 바와 같이 제 1 상 유전체 금속 산화물 층(16) 및 전도성 커패시터 전극 재료(14) 중간에 제공될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 일 실시예에서, 유전체 금속 산화물 층(16)의 두께는 60Å 이하이며, 일 실시예에서는 50Å 이하이다.
유전체 금속 산화물 층(16)의 제 1 상은 비정질(amorphous) 또는 결정질(crystalline)일 수 있다. 그럼에도 불구하고, 층(16)의 금속 산화물은 단지 단일 금속 원소를 포함할 수 있거나, 다수의 금속 원소들을 포함할 수 있다. 적어도 15의 k를 갖는 층(16)의 특정 고 k 유전성의 예시적 재료들은 ZrO2, TiO2, Ta2O5, HfO2 및 Nb2O5 중 적어도 하나를 포함한다.
유전체 금속 산화물 층(16)은 임의의 기존 또는 아직 개발되지 않은 방식으로 증착될 수 있으며, 화학 기상 증착 및 원자 층 증착 중 하나 또는 그 조합이 예들이다. 임의의 적절한 전구체들이 사용될 수 있으며, 예로서, 금속 함유 전구체들로서 금속 할라이드들 및 유기금속들이 사용될 수 있고, 산소 재료들을 포함하는 화합물들이 산소 함유 전구체들로서 사용될 수 있다. 예로서, ZrO2에 대하여, 지르코늄을 위한 예시적 화학 기상 증착 또는 원자 층 증착 전구체들은 지르코늄 테트라클로라이드(zirconium tetrachloride), 트리(디메틸-아미도)(사이클로펜타디에닐)지르코늄(tris (dimethyl-amido) (cyclopentadienyl) zirconium), 트리(디메틸-아미도)(메틸-사이클로펜타디에닐)지르코늄(tris (dimethyl-amido) (methyl-cyclopentadienyl) zirconium), 트리(디메틸-아미도)(에틸-사이클로펜타디에닐)지르코늄(tris (dimethyl-amido) (ethyl-cyclopentadienyl) zirconium), 테트라에틸 메틸 아미도 지르코늄(tetraethyl methyl amido zirconium), 및 테트라키스 디메틸 아미도 지르코늄(tetrakis dimethyl amido zirconium)을 포함한다. 예시적 산소-함유 전구체들은 O2, O3 및 H2O를 포함한다. 또한, 다양한 전구체들 중 둘 이상의 혼합물들도 물론 사용될 수 있다. 단지 예들로서, 증착 조건들은 250℃ 내지 350℃의 기판 온도 및 0.5Torr 내지 5Torr의 대기압 미만 챔버 압력을 포함한다.
도 2를 계속 참조하면, 전도성 RuO2(18)는 유전체 금속 산화물 층(16) 위에 증착되어 있고, 그것과 물리적으로 접촉한다. 이는 증착 상태에서 임의의 비정질 또는 결정질 상으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, RuO2(18)의 두께는 적어도 50Å이다. 일 실시예에서, RuO2의 두께는 75Å 내지 300Å이며, 더 특정한 이상적 실시예는 100Å 내지 150Å이다.
RuO2(18)는 기존의 또는 아직 개발되지 않은 방식으로 증착될 수 있으며, 원자 층 증착 및 화학 기상 증착 중 하나 또는 양자가 예들이다. 예시적 온도, 압력 및 산소 함유 전구체들은 유전체 금속 산화물 층(16)의 증착에 대해 상술된 것들과 동일할 수 있다. 예시적 루테늄 함유 전구체들은 비스(사이클로펜타디에닐)류테늄(bis (cyclopentadienyl) ruthenium), 비스(에틸-사이클로펜타디에닐)루테늄(bis (ethyl-cyclopentadienyl) ruthenium), 비스(디메틸-펜타디에닐)루테늄(bis (dimethyl-pentadienyl) ruthenium), 트리(테트라-메틸-헵탄에디오네이트)루테늄(tris (tetra-methyl-heptanedionate) ruthenium), (디메틸-펜타디에닐)(에틸-사이클로펜타디에닐)루테늄((dimethyl-pentadienyl) (ethyl-cyclopentadienyl) ruthenium), (메틸-사이클로펜타디에닐)(피롤릴)루테늄((methyl-cyclopentadienyl) (pyrrolyl) ruthenium), (테트라에틸메틸아미도)루테늄((tetraethylmethylamido) ruthenium) 및 (테트라키스디메틸아미도)루테늄((tetrakisdimethylamido) ruthenium)을 포함한다.
도 3을 참조하면, RuO2(18) 및 유전체 금속 산화물 층(16)은 500℃ 미만의 온도로 어닐링되었다. 어닐링 동안 층(16)의 유전체 금속 산화물과 물리적으로 접촉하는 RuO2(18)는 제 1 상으로부터 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 유전체 금속 산화물 층(16)의 변화가 촉진되거나 이러한 변화를 부여받는다. 이는 도 2에 비해 점각된 상태로 유전체 금속 산화물 층(16)을 도시함으로써 도 3에 예시되어 있다. 일 실시예에서, 어닐링은 적어도 200℃의 온도에서 수행되며, 일 실시예에서, 400℃ 이하의 온도에서 수행된다. 압력은 대기압, 대기압미만 또는 대기압초과일 수 있으며, 어닐링 동안의 분위기는 불활성이거나 불활성이 아닐 수 있다.
증착된 상태의 RuO2가 비정질인 일 실시예에서, 이는 어닐링의 결과로서 결정질로 될 것이다. 일 실시예에서, 제 2 결정 상은 정방정계(tetragonal) 및 증착된 상태의 RuO2는 정방정계 이외의 상으로 이루어진다. 이런 실시예의 어닐링은 RiO2의 상을 정방정계로 변화시킨다.
금속 산화물 층이 75Å 이하의 두께를 갖는 경우, 적어도 15의 k를 갖는 유전체 금속 산화물 층과 직접적으로 물리적 터치 접촉하는 RuO2의 제공은 금속 산화물 층이 원하는 가장 높은 k 결정 상태를 달성하기 위해 노출되어야만 하는 온도 및 시간을 현저히 감소시킬 수 있다는 것이 발견되었다. 예로서, 70Å 이하의 두께로 증착된 ZrO2는 가장 높은 k 및 원하는 정방정계 상에 반대로 비정질, 단사정계(monoclinic) 또는 입방정계(cubic) 상 중 하나로 증착된다. RuO2 층과의 직접적인 물리적 터치 접촉의 부재시, 증착 상태의 ZrO2 층은 정방정계로의 완전한 변환을 달성하기 위해 적어도 5분 동안 적어도 600℃의 온도를 겪어야만 한다. 그와 직접적으로 물리적 터치 접촉하는 RuO2의 제공은 500℃ 미만의 온도들이 사용될 수 있게 한다.
특정 예들로서, ZrO2의 50Å 두께 층 위에 수용된 150Å 두께 RuO2 층은 5분 이하 이내에 250℃의 어닐링 온도에서 임의의 분위기 또는 임의의 압력에서 이런 ZrO2 층을 정방정계 상으로 변환시킬 것이다. 50Å의 증착 상태와 동일한 ZrO2가 RuO2의 100Å 두께 층에 의해 접촉되는 경우, 5분 이하 동안의 400℃의 온도에 대한 노출은 원하는 정방정계 상으로의 변환을 초래할 것이다.
제 2 결정 상은 예로서, 유전체 금속 산화물의 조성에 따라서 정방정계, 육방정계 또는 다른 것일 수 있다. 예로서, TiO2, HFO2 및 ZrO2를 위해, 바람직한 최고 k 상은 정방정계이다. Ta2O5 및 Nb2O5에 관하여, 최고 k 결정 상은 육방정계이다.
어닐링의 상술된 작용은 더 높은 k의 제 2 결정 상으로의 특정 및/또는 단일 목적의 변환을 위한 전용 어닐링으로서 수행될 수 있다. 대안적으로, 이런 어닐링은 하나 이상의 다른 목적들을 위한 기판의 후속 처리로부터 고유하게 초래될 수 있다. 예로서, 실온보다 높은 온도 및 500℃ 미만에서의 추가적 층들의 증착은 어닐링의 상술한 작용을 초래하거나 이를 구성할 수 있다. 예로서, 전도성 도핑된 폴리실리콘 및 티타늄 니트라이드 중 하나 또는 양자 모두의 외부 커패시터 전극 재료가 증착되는 경우, 이는 어닐링의 상술한 작용을 제공하기에 충분한 시간 기간 및 온도로 수행될 수 있다.
그럼에도 불구하고, 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)은 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역에 통합될 것이다. 예로서, 도 3은 커패시터 구성(22)의 커패시터 유전체 영역(20)의 일부를 포함할 때 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)을 도시한다. 커패시터 유전체 영역(20)은 단지 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)에 의해 구성될 수 있거나, 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)과 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14) 사이에 하나 이상의 추가적 재료들을 포함할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 도 3의 커패시터 구성(22)은 커패시터 유전체 영역(20), 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14) 및 어닐링된 전도성 RuO2(18)를 포함하는 외부 전도성 커패시터 전극(24)을 포함하는 것으로서 도시되어 있다. 하나 이상의 추가적 전도성 재료들은 외부 전도성 커패시터 전극(24)의 일부를 포함하도록 추가될 수 있다. 예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 전도성 재료(26)는 외부 전도성 커패시터 전극(24)의 일부를 포함하도록 RuO2(18) 위에 증착되어 있다. 전도성 재료(26)는 균질하거나 비균질할 수 있으며, 하나 이상의 서로 다른 조성의 전도성 층들 및 재료들을 포함한다. 일 실시예에서, 재료(26)는 추가적 RuO2를 포함하거나 이를 주 구성요소로하여 구성된다.
일부 실시예들에서, 최종 커패시터 구성에서 RuO2는 외부 커패시터 전극의 일부에 포함되는 것이 바람직하지 않을 수 있다. 대안적으로, RuO2가 외부 커패시터 전극의 조성이되는 것이 바람직한 경우, 이는 최종 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역과 직접적으로 물리적 터치 접촉하지 않는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 어닐링의 상술한 작용 이후, 어닐링된 RuO2의 적어도 일부 또는 가능하게는 모두가 기판으로부터 에칭될 수 있다. 예로서, 도 5 및 도 6은 기판 부분(10a)에 관하여 커패시터를 형성하는 대안적 예시적 방법을 도시한다. 설명된 제 1 실시예들로부터의 유사 번호들이 적절하다면, 접미사 "a" 또는 다른 숫자들로 표시되는 일부 구성 편차들과 함께 사용된다. 도 5는 도 3에 도시된 것에 바로 후속하는 처리를 도시하며, RuO2(18)(미도시) 모두는 기판으로부터 에칭되었다. 비록, 도 5가 RuO2 모두가 에칭 제거된 것을 도시하지만, RuO2(18) 중 단지 일부만이 에칭 제거될 수 있다. 다른 유전체 금속 산화물 재료들에 대해 선택적으로 RuO2를 에칭하는 예시적 에칭 화학제는 O3, 예로서, O2와 O3의 혼합물을 포함하며, 여기서, O3은 이런 혼합물의 체적 백분율로 18% 내지 22 %이다.
도 6을 참조하면, 전도성 재료(26)는 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)위에 증착되어 있으며, 그에 의해, 외부 전도성 커패시터 전극(24a)을 형성한다.
커패시터들을 형성하는 방법들의 예시적 추가적 실시예들이 기판 부분(10b)에 관하여 도 7 내지 도 10을 참조로 다음에 설명된다. 상술한 실시예들로부터의 참조 번호들은 적절하다면, 접미사 "b" 또는 다른 숫자들로 표시된 일부 구성 편차들과 함께 사용되어 있다. 도 7을 참조하면, 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14b)는 기판(12) 위에 증착되어 있다. 재료(14b)는 재료(14)와 동일할 수 있으며, RuO2를 포함하는 그 일부 최외측 부분(30)을 갖는다. 최외측 부분(30)은 임의의 적절한 두께로 이루어질 수 있으며, RuO2 재료(18)에 대하여 상술된 예시적 두께 범위들이 예들이다.
도 8을 참조하면, 제 1 상의 유전체 금속 산화물 층(16)은 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14b)의 RuO2(30) 위에, 그것과 물리적으로 접촉하여, 75Å 이하의 두께로 증착되어 있다.
도 9를 참조하면, RuO2(30) 및 유전체 금속 산화물 층(16)은 500℃ 미만의 온도로 어닐링된다. 어닐링 동안 층(16)의 유전체 금속 산화물과 물리적으로 접촉하는 RuO2(30)은 제 1 상으로부터 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 유전체 금속 산화물 층(16)의 변화를 용이하게 하거나, 변화를 부여한다. 예시적 처리는 설명된 제 1 실시예들에 관하여 상술한 바와 같다.
더 높은 k의 제 2 결정 상의 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)은 내부 및 외부 커패시터 전극들을 포함하는 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역의 일부 또는 모두에 통합될 수 있다. 따라서, 외부 전도성 커패시터 전극 재료는 유전체 금속 산화물 층 위에 증착된다. 개입 재료들 또는 층들이 상 변화 어닐링을 받는 유전체 금속 산화물 층(16)과 외부 전도성 커패시터 전극 재료 사이에 수용될 수 있다. 대안적으로, 상 변화 어닐링을 받는 유전체 금속 산화물 층은 외부 전도성 커패시터 전극 재료와 직접적으로 물리적 터치 접촉할 수 있다.
도 10은 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14b), 외부 전도성 커패시터 전극(24b) 및 그 사이에 수용된 커패시터 유전체 영역(20b)을 포함하는 커패시터 구성(22b)을 도시한다. 어닐링된 유전체 금속 산화물 층(16)은 커패시터 유전체 영역(20b)의 일부를 포함하고, 하나 이상의 다른 재료들 또는 층들은 세 개의 수직 배열 도트들에 의해 표시된 바와 같이 그 위에 수용될 수 있다. 대안적으로, 외부 전도성 커패시터 전극(24b)은 어닐링된 유전체 금속 산화물(16)과 직접 물리적으로 접촉할 수 있다. 또한, 그리고, 그럼에도 불구하고, 도 7 내지 도 10의 실시예들에서 상술한 어닐링의 작용은 전용 어닐링으로서 수행될 수 있으며, 그럼에도 불구하고, 어닐링은 외부 전도성 커패시터 전극(24b)의 증착 이전, 도중 또는 이후에 이루어질 수 있다.
RuO2는 O3를 사용하여 적절히 에칭될 수 있다. 따라서, 유전체 금속 산화물 층이 RuO2 위에 증착되는 일 실시예에서, 이는 예로서, RuO2의 에칭을 피하기 위해 O3가 없는 산소 함유 전구체를 사용하여 증착을 적어도 시작하는 것이 이런 증착에 바람직할 수 있다. 일 실시예에서, 내부 전도성 커패시터 전극 재료가 O3가 없는 산소 함유 전구체를 사용하여 유전체 금속 산화물로 덮여진 이후, 유전체 금속 산화물 층의 증착이 O3을 사용하여 계속될 수 있다.
상술한 어닐링이 수행될 때, 유전체 금속 산화물 층 위 및 아래 양자 모두와 물리적으로 접촉하는 RuO2를 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 도 11 및 도 12는 기판 부분(10c)에 관한 이런 실시예의 예를 도시한다. 상술한 실시예들로부터의 유사 번호들은 적절하다면, 접미사 "c"와 함께 또는 다른 숫자들과 함께 표시된 일부 구성 편차들과 함께 사용되어 있다. 도 11은 도 8에 도시된 것에 바로 후속하여 이루어질 수 있는 바와 같은 처리를 도시한다. 구체적으로, 전도성 RuO2(18)는 유전체 금속 산화물 층(16) 위에 증착되어 그것과 물리적으로 접촉한다.
도 12를 참조하면, RuO2(18 및 30) 및 유전체 금속 산화물 층(16)은 제 1 결정 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상을 형성하도록 상술한 바와 같이 어닐링된다. RuO2(18) 중 일부 또는 모두는 예로서, 도 5 및 도 6의 실시예에 관하여 연속적으로 상술된 바와 같이 기판으로부터 에칭 제거될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, RuO2(18)는 외부 전도성 커패시터 전극 재료 중 일부 또는 모두를 포함할 수 있다.
도 13은 도 11 및 도 12를 참조로 설명된 처리에 도시된 것에 대한 추가적 대안적 실시예의 기판 부분(10d)을 도시한다. 상술된 실시예들로부터 유사 번호들은 적절하다면, 접미사 "d" 또는 다른 번호들로 표시된 일부 구성 편차들과 함께 사용된다. 도 13에서, 그 최외측 부분으로서 RuO2(30)를 포함하는 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14b)가 증착되어 있다. 제 1 상의 제 1 유전체 금속 산화물 층(16)은 RuO2(30) 위에 그것과 물리적으로 접촉하여 75Å 이하의 두께로 증착되어 있다.
하나 이상의 추가적 또는 서로 다른 조성의 유전체 층들은 제 1 유전체 금속 산화물 층(16) 위에 제공되어 있다. 예로서, 도 13의 실시예에서, 적어도 제 2 유전체 층(40)은 제 1 유전체 금속 산화물 층(16) 위에 증착되어 있으며, 제 2 유전체 층(40)은 제 1 유전체 금속 산화물 층(16)의 조성과는 다른 조성으로 이루어진다. 이상적으로, 제 2 유전체 층(40)은 적어도 15의 k를 갖는 고 k 유전성이며, 그럼에도 불구하고, 유전체 금속 산화물을 포함하거나 그렇지 않을 수 있다. 하나 이상의 추가적 유전체 층들은 예로서, 층들(16 및 40) 사이에 세 개의 수직 도트들로 표시된 바와 같이, 제 2 유전체 층(40)과 제 1 유전체 금속 산화물 층(16) 사이에 제공될 수 있다.
제 3 유전체 금속 산화물 층(50)은 제 2 유전체 층(40) 위에 75Å 이하의 두께로 증착된다. 개입 유전체 층들은 층들(50 및 40) 사이의 세 개의 수직 도트들로 표시된 바와 같이 층들(50 및 40) 사이에 제공될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 제 3 유전체 금속 산화물 층(50)은 제 2 유전체 층(40)의 조성과는 다른 조성으로 이루어지며, 적어도 15의 k를 갖는다. 제 1 및 제 2 유전체 금속 산화물 층들(16 및 50)은 동일 조성으로 이루어질 수 있거나, 서로 다른 조성들로 이루어질 수 있다. 또한, 이는 동일하거나 서로 다른 두께들로 이루어질 수 있다.
전도성 RuO2(18)는 제 3 유전체 금속 산화물 층(50) 위에 증착되어 그것과 물리적으로 접촉한다. 그후, 기판은 500℃ 미만의 온도에서 어닐링된다. 어닐링 동안 제 1 유전체 금속 산화물 층과 물리적으로 접촉하는 RuO2(30)는 제 1 상으로부터 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 제 1 유전체 금속 산화물 층(16)의 변화를 용이하게 하거나, 이러한 변화를 부여한다. 유사하게, 어닐링 동안 제 3 유전체 금속 산화물 층(50)과 물리적으로 접촉하는 RuO2(18)는 제 3 상으로부터 제 3 상보다 높은 k를 갖는 제 4 결정 상으로의 제 3 유전체 금속 산화물 층(50)의 변화를 용이하게 하거나, 이러한 변화를 부여한다. 제 1 및 제 3 상들은 동일할 수 있거나, 서로 다를 수 있다. 그럼에도 불구하고, 처리는 상술된 임의의 방식으로 이루어질 수 있으며, 도 14는 도 13의 기판에서 이루어지는 어닐링을 도시한다.
일 실시예에서, 어닐링된 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 층들은 커패시터 구성(22d)의 커패시터 유전체 영역(20d)에 통합되고, 커패시터 구성(22d)은 RuO2(30)를 포함하는 내부 전도성 커패시터 전극 재료(14b)와, 전도성 RuO2(18)를 포함하는 외부 전도성 커패시터 전극 재료(24)를 포함한다. 추가적 전도성 층들은 이런 외부 전도성 커패시터 전극의 일부로서 RuO2 층(18) 위에 제공되거나 그렇지 않을 수 있다.
Claims (25)
- 커패시터를 형성하는 방법으로서,
기판 위에 내부 전도성 커패시터 전극 재료를 증착하는 단계로서, 상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료는 전도성으로 도핑된 실리콘, 원소 티타늄, 원소 텅스텐, 원소 루테늄, 원소 백금 및 그것들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 단계;
상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료 위에 75Å 이하의 두께로 적어도 15의 k를 갖고 HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5, 및 Nb2O5중 하나 이상을 포함하는 제 1 상의 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계;
상기 유전체 금속 산화물 층 위에, 그리고 그것과 물리적으로 접촉하여 전도성 RuO2를 증착하는 단계;
상기 전도성 RuO2의 증착 이후, 500℃ 미만의 온도에서 상기 RuO2와 상기 유전체 금속 산화물 층을 어닐링하는 단계로서, 상기 어닐링 동안 상기 유전체 금속 산화물과 물리적으로 접촉하는 상기 RuO2는 상기 제 1 상으로부터 상기 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 상기 유전체 금속 산화물 층의 변화를 촉진하는, 상기 어닐링하는 단계;
상기 어닐링 이후, 상기 RuO2의 적어도 일부를 상기 기판으로부터 에칭하는 단계; 및
상기 어닐링된 유전체 금속 산화물 층을 내부 전도성 커패시터 전극 재료와, 어닐링된 전도성 RuO2를 포함하는 외부 전도성 커패시터 전극 재료를 포함하는 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역에 통합시키는 단계를 포함하는, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
증착된 상태의 상기 RuO2는 결정질인, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
증착된 상태의 상기 RuO2는 비정질이고, 상기 어닐링으로부터 결정질이 되는, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 2 결정 상은 정방정계이고,
증착된 상태의 상기 RuO2는 정방정계 이외의 상으로 이루어지며, 상기 어닐링은 상기 RuO2의 상을 정방정계로 변화시키는, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 유전체 금속 산화물 층의 두께는 60Å 이하인, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 어닐링은 적어도 200℃의 온도인, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 상은 결정질인, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 상은 비정질인, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 2 결정질 상은 정방정계인, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 2 결정질 상은 육방정계인, 커패시터를 형성하는 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 커패시터를 형성하는 방법으로서,
기판 위에 내부 전도성 커패시터 전극 재료를 증착하는 단계;
상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료 위에 75Å 이하의 두께로 적어도 15의 k를 가지는 제 1 상의 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계;
상기 유전체 금속 산화물 층 위에, 그리고, 그것과 물리적으로 접촉하여 전도성 RuO2를 증착하는 단계;
상기 전도성 RuO2의 증착 이후, 500℃ 미만의 온도에서 상기 RuO2와 상기 유전체 금속 산화물 층을 어닐링하는 단계로서, 상기 어닐링 동안 상기 유전체 금속 산화물과 물리적으로 접촉하는 상기 RuO2는 상기 제 1 상으로부터 상기 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 상기 유전체 금속 산화물 층의 변화를 촉진하는, 상기 어닐링하는 단계;
상기 어닐링 이후, 상기 기판으로부터 상기 RuO2 중 적어도 일부를 에칭하는 단계; 및
상기 에칭 이후, 상기 어닐링된 유전체 금속 산화물 층 위에 외부 전도성 커패시터 전극 재료를 증착하는 단계를 포함하는, 커패시터를 형성하는 방법. - 청구항 15에 있어서,
상기 에칭하는 단계는 상기 기판으로부터 상기 RuO2 모두를 제거하는, 커패시터를 형성하는 방법. - 커패시터를 형성하는 방법으로서,
기판 위의 그 최외측 부분에 RuO2를 포함하는 내부 전도성 커패시터 전극 재료를 증착하는 단계;
상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료의 RuO2 위에 그것과 물리적으로 접촉하여 75Å 이하의 두께로 적어도 15의 k를 가지는 제 1 상의 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계;
상기 유전체 금속 산화물 층 위에, 그리고, 그것과 물리적으로 접촉하여 전도성 RuO2를 증착하는 단계;
상기 전도성 RuO2의 증착 이후, 500℃ 미만의 온도에서 상기 전도성 RuO2와 상기 유전체 금속 산화물 층을 어닐링하는 단계로서, 상기 어닐링 동안 상기 유전체 금속 산화물은 상기 제 1 상으로부터 상기 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 상기 유전체 금속 산화물 층의 변화를 촉진하는, 상기 어닐링하는 단계;
상기 어닐링 이후, 상기 전도성 RuO2의 적어도 일부를 상기 기판으로부터 에칭하는 단계; 및
상기 어닐링된 유전체 금속 산화물 층을 RuO2를 포함하는 상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료와 상기 유전체 금속 산화물 층 위에 증착되어 그것과 물리적으로 터치 접촉하는 상기 전도성 RuO2를 포함하는 외부 전도성 커패시터 전극 재료를 포함하는 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역에 통합시키는 단계를 포함하는, 커패시터를 형성하는 방법. - 커패시터를 형성하는 방법으로서,
기판 위의 그 최외측 부분에 RuO2를 포함하는 내부 전도성 커패시터 전극 재료를 증착하는 단계;
상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료의 RuO2 위에 그것과 물리적으로 접촉하여 75Å 이하의 두께로 적어도 15의 k를 갖고 HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5, 및 Nb2O5중 하나 이상을 포함하는 제 1 상의 제 1 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계;
상기 제 1 유전체 금속 산화물 층 위에, 상기 제 1 유전체 금속 산화물 층의 조성과는 다른 조성으로 이루어진 제 2 유전체 층을 증착하는 단계;
상기 제 2 유전체 층 위에 75Å 이하의 두께로 제 3 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계로서, 상기 제 3 유전체 금속 산화물 층은 상기 제 2 유전체 층의 조성과는 다른 조성으로 이루어지며, 적어도 15의 k를 갖는, 제 3 유전체 금속 산화물 층을 증착하는 단계;
상기 제 3 유전체 금속 산화물 층 위에 그것과 물리적으로 접촉하여 비정질 전도성 RuO2를 증착하는 단계;
상기 비정질 전도성 RuO2의 증착 이후, 500℃ 미만의 온도에서 어닐링된 제 1 유전체 층, 어닐링된 제 2 유전체 층, 및 어닐링된 제 3 유전체 층을 형성하도록 상기 기판을 어닐링하는 단계로서, 상기 어닐링 동안 상기 제 1 유전체 금속 산화물 층과 물리적으로 접촉하는 상기 RuO2는 상기 제 1 상으로부터 상기 제 1 상보다 높은 k를 갖는 제 2 결정 상으로의 상기 제 1 유전체 금속 산화물 층의 변화를 촉진하며, 상기 어닐링 동안 상기 제 3 유전체 금속 산화물 층과 물리적으로 접촉하는 상기 RuO2는 제 3 상으로부터 상기 제 3 상보다 높은 k를 갖는 제 4 결정 상으로의 상기 제 3 유전체 금속 산화물 층의 변화를 촉진하는, 상기 어닐링하는 단계; 및
어닐링된 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 층들을 RuO2를 포함하는 상기 내부 전도성 커패시터 전극 재료와 상기 제 3 유전체 산화물 금속 층 위에 증착되어 그것과 물리적으로 터치 접촉하는 상기 전도성 RuO2를 포함하는 외부 전도성 커패시터 전극 재료를 포함하는 커패시터 구성의 커패시터 유전체 영역 내에 통합시키는 단계를 포함하는, 커패시터를 형성하는 방법.
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