KR101312403B1 - Light emitting diode having current blocking holes and light emitting diode package - Google Patents

Light emitting diode having current blocking holes and light emitting diode package Download PDF

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KR101312403B1 KR1020110000559A KR20110000559A KR101312403B1 KR 101312403 B1 KR101312403 B1 KR 101312403B1 KR 1020110000559 A KR1020110000559 A KR 1020110000559A KR 20110000559 A KR20110000559 A KR 20110000559A KR 101312403 B1 KR101312403 B1 KR 101312403B1
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Abstract

전류차단 홀을 가지는 발광 다이오드를 개시한다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 기판, 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물, 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극 및 제1 도전형 반도체층을 노출시키도록, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하도록 발광구조물에 형성되는 복수의 전류차단 홀을 포함하되, 제1 전극과 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 전류차단 홀의 개구면적이 발광구조물의 상면에서 차지하는 비율이 증가한다.A light emitting diode having a current blocking hole is disclosed. The light emitting diode according to the present invention is electrically connected to a substrate, a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate, and a first conductive semiconductor layer. A plurality of current blocking formed in the light emitting structure through the second conductive semiconductor layer and the active layer to expose the first electrode, the second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer Including a hole, the ratio of the opening area of the current blocking hole to the upper surface of the light emitting structure increases in a portion adjacent to the imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode.

Description

복수의 전류차단 홀을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지{Light emitting diode having current blocking holes and light emitting diode package}Light emitting diode having current blocking holes and light emitting diode package

본 발명의 기술적 사상은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전류 집중 현상을 방지하여 전류의 분산을 원활하게 하는 전류차단 홀을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode and a light emitting diode package having a current blocking hole for preventing current concentration and smoothing current distribution.

발광다이오드는 공기에 비하여 높은 굴절률을 가지므로, 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광의 많은 부분이 소자 내부에 잔존하게 된다. 이러한 광자는 외부로 탈출하기 전에 박막, 기판, 전극 등 여러 경로를 거치게 되며, 이에 따른 흡수에 의하여 외부양자효율이 감소된다. 이러한 외부양자효율의 증가를 위한 다양한 연구가 계속되고 있다.Since the light emitting diode has a higher refractive index than air, much of the light generated by the recombination of electrons and holes remains in the device. These photons pass through various paths such as a thin film, a substrate, and an electrode before escaping to the outside, and the external quantum efficiency is reduced by absorption. Various studies for increasing the external quantum efficiency are continuing.

특히, p-전극과 n-전극 사이에서 발생되는 전류 집중 현상에 의하여, 활성층 전체에 대하여 전류를 균일하게 분산하지 못하고, 전극 주변에 전류가 집중됨으로써 전극으로부터 멀리 떨어진 영역에 상대적으로 어두운 암부를 발생시킨다. 이러한 전류 집중 현상에 의하여 외부양자효율이 저하되고, 국부적인 열화나 노화 현상이 발생되는 등의 문제점이 있었다.In particular, due to the current concentration phenomenon generated between the p-electrode and the n-electrode, the current is not uniformly distributed over the entire active layer, and current is concentrated around the electrode, so that dark areas are generated in a region far from the electrode. Let's do it. Due to such a current concentration phenomenon, the external quantum efficiency is lowered, and there are problems such as local degradation and aging.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전류차단 홀을 형성하여 전류 집중을 감소시키고, 이에 따라 외부양자효율을 향상시킬 수 있는 복수의 전류차단 홀을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The present invention is to provide a light emitting diode and a light emitting diode package having a plurality of current blocking holes that can form a current blocking hole to reduce the current concentration, thereby improving the external quantum efficiency.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 기판, 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극 및 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키도록, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하도록 발광구조물에 형성되는 복수의 전류차단 홀을 포함하되, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 전류차단 홀의 개구면적이 상기 발광구조물의 상면에서 차지하는 비율이 증가한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode including a substrate, a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate. The second conductive semiconductor layer and the first electrode electrically connected to the conductive semiconductor layer, the second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer; And a plurality of current blocking holes formed in the light emitting structure so as to penetrate the active layer, wherein the opening area of the current blocking holes is adjacent to the virtual line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode. The proportion of the top of the structure increases.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 복수의 전류차단홀의 개구 면적은 균일하며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 전류차단 홀들 사이의 거리가 가까워지도록 배치될 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the opening area of the plurality of current blocking holes is uniform, and between the current blocking holes at a portion adjacent to the imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode. It may be arranged so that the distance of.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 각 전류차단 홀들의 개구 면적이 증가할 수 있다.In some embodiments, the opening area of each of the current blocking holes may increase in a portion adjacent to the imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류차단 홀들은 원형의 개구를 가지며, 상기 각 전류차단 홀들의 개구는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 가상선의 수직 방향으로의 지름이 상기 가상선 방향으로의 지름보다 증가할 수 있다. In some embodiments of the present invention, the current blocking holes have a circular opening, and the opening of each of the current blocking holes is adjacent to an imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode. In the portion, the diameter of the imaginary line in the vertical direction may increase than the diameter in the imaginary line direction.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 전류분산층을 더 포함하며, 상기 전류차단 홀은 상기 전류분산층을 관통할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the semiconductor device may further include a current spreading layer formed on the second conductive semiconductor layer, and the current blocking hole may pass through the current spreading layer.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은, 본딩 패드 및 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하여 연장되는 핑거를 포함하며, 상기 전류차단 홀은 상기 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 끝단에 인접하는 부분에서 상기 전류차단 홀의 개구면적이 상기 발광구조물의 상면에서 차지하는 비율이 증가할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the second electrode includes a bonding pad and a finger extending from the bonding pad toward the first electrode, wherein the current blocking hole is directed toward the first electrode of the finger. In a portion adjacent to the end, the ratio of the opening area of the current blocking hole to the upper surface of the light emitting structure may increase.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류차단 홀의 저면에 형성된 반사 금속층을 더 포함할 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the semiconductor device may further include a reflective metal layer formed on the bottom of the current blocking hole.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류차단 홀 내의 측벽에, 빛의 산란을 유도하도록 요철이 형성될 수 있다.In some embodiments of the present invention, irregularities may be formed on sidewalls of the current blocking hole to induce scattering of light.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류차단 홀을 채우며, 상기 발광구조물보다 굴절률이 작은 굴절유도층을 더 포함할 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the semiconductor device may further include a refractive induction layer filling the current blocking hole and having a smaller refractive index than the light emitting structure.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지는, 기판 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극 및 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키도록, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하도록 발광구조물에 형성되는 복수의 전류차단 홀을 포함하되, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접할수록 상기 전류차단 홀이 상기 발광구조물에서 차지하는 비율이 증가하는 발광 다이오드, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임 및 상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층을 포함한다.According to an aspect of the present invention, a light emitting diode package includes a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate. A first electrode electrically connected to the second semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer and the active layer to expose the second electrode and the first conductive semiconductor layer electrically connected to the second conductive semiconductor layer And a plurality of current blocking holes formed in the light emitting structure so as to penetrate, and the closer to the imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode, the ratio of the current blocking holes to the light emitting structure increases. A light emitting diode, a lead frame connected with a wire to the first electrode, the second electrode, or both, and the light emitting diode And a transparent protective layer covering and protecting the lead frame.

본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 복수의 전류차단 홀을 형성함으로써, 발광구조물에 더 균일하게 전류를 제공할 수 있고, 이에 따라 광의 방출되는 발광구조물의 면적을 더 크게 하여 외부 양자효율을 증가시킬 수 있다.The light emitting diode according to the technical concept of the present invention may provide a current more uniformly to the light emitting structure by forming a plurality of current blocking holes, thereby increasing the area of the light emitting structure that emits light to increase external quantum efficiency. Can be increased.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1a)의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1b)의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1c)의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1d)의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1e)의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1a according to some embodiments of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1b according to some embodiments of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1c according to some embodiments of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1d according to some embodiments of the present invention.
8 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1e according to some embodiments of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 명세서 전체에 걸쳐서 층, 영역, 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접적으로 연결되어", 또는 "직접적으로 하에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. The scope of technical thought is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation. Like numbers refer to like elements herein. Throughout the specification, when referring to one component, such as a layer, region, or substrate, being located on, “connected”, or “under” another component, the one component is directly in another configuration. It may be interpreted that there may be other components in contact with or interposed between, or “on,” “connected”, or “under” an element. On the other hand, when one component is referred to as being located on another component "directly on", "directly connected", or "directly under", it is interpreted that there are no other components intervening therebetween. do.

도면에서 전류의 흐름은 실선 화살표로 도시되어 있고, 광의 진행은 점선 화살표로 도시되어 있다.In the figure the flow of current is shown by solid arrows and the progress of light is shown by dashed arrows.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 다이오드(1)는 기판(100) 및 기판(100)의 제1 면(102) 상에 위치한 발광구조물(110), 제1 전극(130), 제2 전극(140)을 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), 기판(100)의 제2 면(104)에 위치한 제1 반사 부재(170), 제2 반사 부재(180), 또는 이들 모두를 더 포함할 수 있다. 발광구조물(110) 상에는 전류 분산층(120, current spreading layer)이 더 형성될 수 있다. 1 to 3, the light emitting diode 1 includes a light emitting structure 110, a first electrode 130, and a second electrode disposed on the substrate 100 and the first surface 102 of the substrate 100. 140. In addition, the first reflective member 170, the second reflective member 180, or both may be further included on the second surface 104 of the substrate 100. A current spreading layer 120 may be further formed on the light emitting structure 110.

기판(100)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 탄화물(SiC), 갈륨 질화물(GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 질화물(AlN), 붕산 질화물(BN), 갈륨 인화물(GaP), 인듐 인화물(InP), 리튬-알루미늄 산화물(LiAl2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100)의 상면, 하면, 또는 이들 모두에는 광을 반사시킬 수 있는 요철 패턴(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 요철 패턴은 스트라이프 형태, 렌즈 형태, 기둥 형태, 뿔 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The substrate 100 includes sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), silicon (Si), germanium (Ge), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide ( MgO), aluminum nitride (AlN), borate nitride (BN), gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), and lithium-aluminum oxide (LiAl 2 O 3 ) may be included. Although not shown, an uneven pattern (not shown) capable of reflecting light may be formed on an upper surface, a lower surface, or both of the substrate 100, and the uneven pattern may have a stripe shape, a lens shape, a pillar shape, and an horn. It may have various shapes such as shape.

기판(100)의 제1 면(102) 상에는 기판(100)과 발광구조물(110) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(106)이 위치할 수 있다. 버퍼층(106)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, AlInN 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100) 또는 버퍼층(106) 상에 언도프드(undoped) 반도체층(미도시)이 위치할 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 GaN를 포함할 수 있다.A buffer layer 106 may be disposed on the first surface 102 of the substrate 100 to mitigate lattice mismatch between the substrate 100 and the light emitting structure 110. The buffer layer 106 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include, for example, at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, and AlInN. Although not shown, an undoped semiconductor layer (not shown) may be disposed on the substrate 100 or the buffer layer 106, and the undoped semiconductor layer may include GaN.

발광구조물(110)은 기판(100) 상에 위치할 수 있고, 또한 버퍼층(106) 상에 위치할 수 있다. 발광구조물(110)은 복수의 도전형 반도체층이 기판(100)을 기준으로 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이하에서는 발광구조물(110)이 n-p 접합 구조인 경우를 일 예로 설명하기로 한다.The light emitting structure 110 may be located on the substrate 100 and may also be located on the buffer layer 106. The light emitting structure 110 may have a plurality of conductive semiconductor layers formed of any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure based on the substrate 100. Hereinafter, a case in which the light emitting structure 110 is an n-p junction structure will be described as an example.

발광구조물(110)은 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다. 발광구조물(110)은, 예를 들어 전자빔 증착(electron beam evaporation), 물리기상증착(physical vapor deposition, PVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD, PECVD), 플라즈마 레이저 증착(plasma laser deposition, PLD), 듀얼 타입 열증착(dual-type thermal evaporator), 스퍼터링(sputtering), 유기금속 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductive semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive semiconductor layer 116 sequentially stacked. The light emitting structure 110 may include, for example, electron beam evaporation, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced CVD (PECVD), and the like. , Plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

발광구조물(110)에 순방향으로 전압을 인가하면, 활성층(114)의 전도대에 있는 전자와 가전자대에 있는 정공이 천이되어 재결합하고, 에너지 갭에 해당하는 에너지가 광으로 방출된다. 활성층(114)을 구성하는 물질의 종류에 따라서 방출되는 광의 파장이 결정된다. 또한, 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공을 활성층(114)에 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(112)과 제2 도전형 반도체층(116)은 서로 다른 도전형을 가지도록 서로 다른 불순물들을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 불순물들을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 불순물들을 포함할 수 있다. 이러한 경우에는, 제1 도전형 반도체층(112)는 전자를 제공할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 정공을 제공할 수 있다. 또한, 이와 반대로, 제1 도전형 반도체층(112)이 p형이고, 제2 도전형 반도체층(116)이 n형인 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 각각 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 갈륨 질화물계 물질을 포함할 수 있다.When a voltage is applied to the light emitting structure 110 in the forward direction, electrons in the conduction band of the active layer 114 and holes in the valence band transition and recombine, and energy corresponding to the energy gap is emitted as light. The wavelength of the emitted light is determined by the type of material constituting the active layer 114. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 112 and the second conductivity type semiconductor layer 116 may perform a function of providing electrons or holes to the active layer 114 according to the applied voltage. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may include different impurities to have different conductivity types. For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type impurities, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may include p-type impurities. In this case, the first conductivity type semiconductor layer 112 may provide electrons, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may provide holes. Conversely, the case where the first conductive semiconductor layer 112 is p-type and the second conductive semiconductor layer 116 is n-type is also included in the technical idea of the present invention. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may each include a group III-V compound material, and may include, for example, a gallium nitride-based material.

제1 도전형 반도체층(112)은 n형 도펀트(dopant)가 도핑된 n-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 n-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 112 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant, for example, n-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type GaN. The n-type dopant may be at least one of silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

제2 도전형 반도체층(116)은 p형 도펀트가 도핑된 p-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 p-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2 도전형 반도체층(116)은 p-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 p형 도펀트는 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 베릴륨(Be), 및 바륨(Ba) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제2 도전형 반도체층(116)은 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 116 may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, for example, p-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the second conductivity-type semiconductor layer 116 may include p-type GaN. The p-type dopant may be at least one of magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), beryllium (Be), and barium (Ba). Although not shown, the second conductive semiconductor layer 116 may have an uneven pattern (not shown) formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 116 to scatter and refract light to be emitted to the outside.

활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)에 비하여 낮은 에너지 밴드갭을 가지므로 발광을 활성화할 수 있다. 활성층(114)은 다양한 파장의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어 적외선, 가시 광선, 또는 자외선을 방출할 수 있다. 활성층(114)은 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있고, 예를 들어 InGaN 또는 AlGaN을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(114)은 단일양자우물(single quantum well, SQW) 또는 다중양자우물(multi quantum well, MQW)을 포함할 수 있다. 활성층(114)은 양자 우물층과 양자 장벽층의 적층 구조를 가질 수 있고, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 갯수는 설계 상의 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 활성층(114)은, 예를 들어 GaN/InGaN/GaN MQW 구조 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 활성층(114)은 구성 물질에 따라 방출되는 광의 파장이 달라지며, 예를 들어, 인듐의 양이 약 22%의 경우에는 청색 광을 발광할 수 있고, 약 40%의 경우에는 녹색 광을 발광할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상은 활성층(114)의 구성 물질에 대해 한정하는 것은 아니다.Since the active layer 114 has a lower energy band gap than the first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116, light emission may be activated. The active layer 114 may emit light of various wavelengths, and may emit infrared light, visible light, or ultraviolet light, for example. The active layer 114 may comprise a Group III-V compound material, for example AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1), for example It may include InGaN or AlGaN. In addition, the active layer 114 may include a single quantum well (SQW) or a multi quantum well (MQW). The active layer 114 may have a stacked structure of a quantum well layer and a quantum barrier layer, and the number of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be variously changed according to design needs. In addition, the active layer 114 may include, for example, a GaN / InGaN / GaN MQW structure or a GaN / AlGaN / GaN MQW structure. However, this is exemplary, and the active layer 114 has a wavelength of light emitted according to a constituent material, for example, when the amount of indium is about 22%, it may emit blue light, and about 40% It can emit green light. The technical spirit of the present invention is not limited to the constituent materials of the active layer 114.

발광구조물(110)은 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역이 제거된 메사(mesa) 영역을 가질 수 있고, 또한 제1 도전형 반도체층(112)의 일부가 제거될 수 있다. 활성층(114)은 상기 메사 영역에 한정되어 광을 방출할 수 있다. 상기 메사 영역을 형성함에 따라, 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역이 노출될 수 있다. 상기 메사 영역을 형성하기 위하여 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE), 습식 식각 또는 건식 식각을 이용할 수 있다.The light emitting structure 110 may have a mesa region in which some regions of the active layer 114 and the second conductive semiconductor layer 116 are removed, and a portion of the first conductive semiconductor layer 112 is removed. Can be. The active layer 114 may be limited to the mesa region to emit light. As the mesa region is formed, a portion of the first conductivity type semiconductor layer 112 may be exposed. In order to form the mesa region, inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), wet etching, or dry etching may be used.

전류 분산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 위치할 수 있다. 전류 분산층(120)은 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류를 제2 도전형 반도체층(116)에 대하여 균일하게 분산하는 기능을 수행할 수 있다. 전류 분산층(120)은 전체적으로 패턴이 없는 박막 형태를 가지거나 또는 일정한 패턴 형태를 가질 수 있다. 전류 분산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116)과의 접착성을 위해 메쉬(mesh) 구조의 패턴으로 형성될 수 있다. The current spreading layer 120 may be located on the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may uniformly distribute the current injected from the second electrode 140 with respect to the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may have a thin film shape without a pattern as a whole or may have a predetermined pattern shape. The current spreading layer 120 may be formed in a pattern of a mesh structure for adhesion to the second conductive semiconductor layer 116.

전류 분산층(120)은 투명하고 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 투명 전극층으로 지칭될 수 있다. 전류 분산층(120)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 니켈(Ni)과 금(Au)의 복합층일 수 있다. 또한, 전류 분산층(120)은 산화물을 포함할 수 있고, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IGO(indium gallium oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(aluminum tin oxide), IWO(indium tungsten oxide), CIO(cupper indium oxide), MIO(magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전류 분산층(120)은 예를 들어 증착(Evaporation) 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전류 분산층(120)은 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다. The current spreading layer 120 may include a transparent and conductive material, and may be referred to as a transparent electrode layer. The current spreading layer 120 may include a metal, and may be, for example, a composite layer of nickel (Ni) and gold (Au). In addition, the current spreading layer 120 may include an oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), or IAZO ( indium aluminum zinc oxide (GZO), gallium zinc oxide (GZO), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum tin oxide (ATO), indium tungsten oxide (IWO), It may include at least one of cupper indium oxide (CIO), magnesium indium oxide (MIO), MgO, ZnO, In2O 3 , TiTaO 2 , TiNbO 2 , TiOx, RuOx, and IrOx. The current spreading layer 120 may be formed using, for example, evaporation or sputtering, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto. In addition, the current spreading layer 120 may be formed on the upper surface of the concave-convex pattern (not shown) to scatter and refract light to the outside.

제1 전극(130)은 상기 메사 영역으로부터 노출된 제1 도전형 반도체층(112) 상에 위치할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(112)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 포함할 수 있다. 제1 전극(130)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ti/Al, Cr/Au, Ti/Au, Au/Sn과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 전극(130)는 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The first electrode 130 may be positioned on the first conductive semiconductor layer 112 exposed from the mesa region, and may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 112. The first electrode 130 may include a material forming an ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 112. For example, gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and palladium (Pd) may be used. ), Titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh) ), Ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or alloys thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The first electrode 130 may be composed of a single layer or multiple layers, for example, may be composed of multiple layers such as Ti / Al, Cr / Au, Ti / Au, Au / Sn. The bonding electrode may be connected to the first electrode 130 in the packaging process.

제2 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(114) 상에 위치할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 전극(140)은 전류 분산층(120) 상에 위치하여, 전류 분산층(120)을 통하여 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 서로 대향하도록 위치할 수 있다. 제2 전극(140)은 전류 분산층(120)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브를 포함할 수 있다. 제2 전극(140)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ni/Au, Pd/Au, Pd/Ni 과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 전극(140)은 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The second electrode 140 may be positioned on the second conductive semiconductor layer 114 and may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114. In addition, the second electrode 140 may be positioned on the current spreading layer 120 and electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114 through the current spreading layer 120. The first electrode 130 and the second electrode 140 may be positioned to face each other. The second electrode 140 may include a material forming an ohmic contact with the current spreading layer 120. For example, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or an alloy thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The second electrode 140 may be composed of a single layer or multiple layers. For example, the second electrode 140 may be formed of multiple layers such as Ni / Au, Pd / Au, and Pd / Ni. Bonding wires may be connected to the second electrode 140 in a package process.

제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 열증착, 전자빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 리프트 오프(lift-off), 도금법 등 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 오믹 콘택을 향상시키기 위하여 열처리될 수 있다.The first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed using thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering, or chemical vapor deposition. The technical idea of the present invention is not limited thereto. In addition, the first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed using various methods such as a lift-off and a plating method. In addition, the first electrode 130 and the second electrode 140 may be heat treated to improve ohmic contact.

제2 전극(140)은 본딩 와이어가 연결되는 본딩 패드(142) 및 제1 전극(130)을 향하여 연장된 핑거(144)를 더 포함할 수 있다. 핑거(144)는 전류를 전류 분산층(120)에 더 균일하게 분산시킬 수 있다. 본딩 패드(142)와 핑거(144)는 동일한 물질로 형성될 수 있고, 동시에 형성될 수 있다. 제1 전극(130)이 발광구조물(110)의 일측에 위치하고, 제2 전극(140) 중 본딩 패드(142)가 발광구조물(110)의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하도록 위치하는 경우, 핑거(144)는 본딩 패드(142)로부터 제1 전극(130)을 향하는 방향인 제1 방향(x 방향)으로 연장될 수 있다. The second electrode 140 may further include a bonding pad 142 to which the bonding wire is connected and a finger 144 extending toward the first electrode 130. Finger 144 may distribute the current more evenly in the current spreading layer 120. The bonding pads 142 and the fingers 144 may be formed of the same material and may be simultaneously formed. When the first electrode 130 is positioned on one side of the light emitting structure 110, and the bonding pad 142 of the second electrode 140 is adjacent to the other side of the light emitting structure 110 opposite to the one side, the finger is positioned. 144 may extend from the bonding pad 142 in a first direction (x direction), which is a direction toward the first electrode 130.

제2 전극(140)의 하측에는 반사 전극층(148)을 더 포함할 수 있다. 반사 전극층(148)은 광을 반사하여 제2 전극(140)이 광을 흡수하는 것을 방지할 수 있다. 반사 전극층(148)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 이들의 합금, 은(Ag)계 산화물(Ag-O) 또는 APC 합금(Ag, Pd, Cu를 포함하는 합금)을 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 전류 분산층(120)과 제2 전극(140) 사이의 오믹 접촉을 증가시키는 물질로 구성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 이러한 반사 전극층(148)은 제1 전극(130)의 하측에도 형성될 수 있다.The reflective electrode layer 148 may be further included below the second electrode 140. The reflective electrode layer 148 may reflect light to prevent the second electrode 140 from absorbing light. The reflective electrode layer 148 may include aluminum (Al), silver (Ag), alloys thereof, silver (Ag) oxides (Ag-O), or APC alloys (alloys including Ag, Pd, and Cu). . In addition, the reflective electrode layer 148 may further include at least one of rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and platinum (Pt). Can be. In addition, the reflective electrode layer 148 may be formed of a material for increasing ohmic contact between the current spreading layer 120 and the second electrode 140. Although not shown, the reflective electrode layer 148 may also be formed under the first electrode 130.

선택적으로, 제2 전극(140)의 하측에 전류 저지층(160)이 위치할 수 있다. 또한, 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 하측에서, 전류 분산층(120)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 위치할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)으로부터 직접적으로 하측 방향으로의 전류의 흐름을 저지시킬 수 있고 제1 전극(130)과 상대적으로 가까운 제2 전극(140)의 부분에 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 전류 저지층(160)은 제2 도전형 반도체층(116)에 전류가 균일하게 분산되는 기능을 할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)에 전체적으로 대응하여 형성될 수 있고, 제2 전극(140)의 면적과 동일한 면적을 가지거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 본딩 패드(142) 및 핑거(144)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 핑거(144)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 좁은 폭을 가질 수 있고, 본딩 패드(142)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 넓은 폭을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물과 같은 절연체일 수 있다. 전류 저지층(160)은 불투명하거나 또는 투명할 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물 또는 질화물일 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역을 산소 플라즈마 공정을 이용하여 산화시켜 형성한 갈륨 산화물(GaxOy)일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역에 불순물을 주입하여 도전형을 바꾼 부분일 수 있다. 이와 같은 전류 저지층(160)을 구성하는 물질은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.Optionally, the current blocking layer 160 may be positioned below the second electrode 140. In addition, the current blocking layer 160 may be positioned between the current spreading layer 120 and the second conductivity type semiconductor layer 116 under the second electrode 140. The current blocking layer 160 may block the flow of current in the downward direction directly from the second electrode 140, and current is concentrated in a portion of the second electrode 140 relatively close to the first electrode 130. It can be prevented from flowing. Accordingly, the current blocking layer 160 may function to uniformly distribute the current in the second conductive semiconductor layer 116. The current blocking layer 160 may be formed to correspond to the second electrode 140 as a whole, and may have an area equal to or larger than that of the second electrode 140. The current blocking layer 160 may have a shape corresponding to that of the second electrode 140, and may have a shape corresponding to that of the bonding pad 142 and the finger 144, for example. Accordingly, the current blocking layer 160 positioned below the finger 144 may have a relatively narrow width, and the current blocking layer 160 positioned below the bonding pad 142 may have a relatively wide width. Can be. The current blocking layer 160 may be an insulator such as an oxide, for example. The current blocking layer 160 may be opaque or transparent. The current blocking layer 160 may be, for example, an oxide or a nitride, and may be, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like. It may be a gallium oxide (GaxOy) formed by oxidizing using the metal oxide, and may be a portion in which a conductive type is changed by injecting impurities into a portion of the second conductive semiconductor layer 116. The material constituting the current blocking layer 160 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)는 기판(100)의 제2 면(104) 상에 위치할 수 있고, 활성층(114)으로부터 방출된 광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 도면에서는, 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치하고 있으나, 이와 반대로 제2 반사 부재(180)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치할 수 있다.The first reflecting member 170 and the second reflecting member 180 may be positioned on the second surface 104 of the substrate 100 and may function to reflect light emitted from the active layer 114. have. In the drawing, although the first reflective member 170 and the second reflective member 180 are positioned in order from the second surface 104 of the substrate 100, the second reflective member 180 and the second reflective member are opposite to each other. It may be located in the order of 180.

제1 반사 부재(170)는 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector, DBR)일 수 있다. 제1 반사 부재(170)는 "mλ/4n" 의 두께를 각각 가지고 교대로 적층된 복수의 층들로 구성될 수 있다. 여기에서, λ는 방출되는 광의 파장, n은 매질의 굴절률, m은 홀수이다. 제1 반사 부재(170)은 저굴절률층(172)과 고굴절률층(174)의 적층 구조가 연속적으로 반복되어 적층 구조를 가질 수 있다. 저굴절률층(172)은, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2, 굴절률 1.4) 또는 알루미늄 산화물(Al2O3, 굴절률 1.6)을 포함할 수 있다. 고굴절률층(174)은, 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4, 굴절률 2.05~2.25) 티타늄 질화물(TiO2, 굴절률 2 이상), 또는 Si-H(굴절률 3 이상)를 포함할 수 있다.The first reflecting member 170 may be a distributed Bragg reflector (DBR). The first reflective member 170 may be composed of a plurality of layers alternately stacked with a thickness of “mλ / 4n”. Is the wavelength of the emitted light, n is the refractive index of the medium, and m is the odd number. The first reflective member 170 may have a stacked structure by repeatedly stacking the low refractive index layer 172 and the high refractive index layer 174. The low refractive index layer 172 may include, for example, silicon oxide (SiO 2 , refractive index 1.4) or aluminum oxide (Al 2 O 3 , refractive index 1.6). The high refractive index layer 174 may include, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 , refractive index 2.05 to 2.25) titanium nitride (TiO 2 , refractive index 2 or more), or Si—H (refractive index 3 or more). .

제2 반사 부재(180)는, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 이들을 합금을 포함할 수 있다. 제2 반사 부재(180)는 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있다.The second reflective member 180 may include, for example, a metal, for example, silver (Ag), aluminum (Al), rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), or nickel (Ni). ), Ruthenium (Ru), iridium (Ir), platinum (Pt) or an alloy thereof. The second reflective member 180 may be composed of a single layer or multiple layers.

도시되지는 않았지만, 외부로부터의 전기적 단락 방지와 충격 방지를 위하여, 실리콘 산화막과 같은 봉지 부재(미도시)로 발광 다이오드(1)의 전체 구조를 덮을 수 있다.Although not shown, the entire structure of the light emitting diode 1 may be covered with an encapsulation member (not shown), such as a silicon oxide film, in order to prevent electrical shorts and impacts from the outside.

발광구조물(110)에는 복수의 전류차단 홀(200)이 형성될 수 있다. 전류차단 홀(200)은 제1 도전형 반도체층(112)을 노출시키도록 제2 도전형 반도체층(116) 및 활성층(114)을 관통하도록 형성될 수 있다. 전류차단홀(200)은 제1 도전형 반도체층(112) 내로도 일부 연장될 수 있다. 전류차단 홀(200)은 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에 밀집되도록 형성될 수 있다. 복수의 전류차단 홀(200) 각각의 개구 면적이 균일한 경우, 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에서 전류차단 홀(200)들 사이의 거리가 가까워지도록 배치될 수 있다. 따라서 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에서 발광구조물(110)의 상면에서 차지하는 전류차단 홀의 개구면적의 비율은 증가할 수 있다. 또한 발광구조물(110) 상, 즉 제2 도전형 반도체층(116) 상에 전류 분산층(120)이 형성된 경우, 전류차단 홀(200)은 전류 분산층(120), 제2 도전형 반도체층(116) 및 활성층(114)을 관통하도록 형성할 수 있다. A plurality of current blocking holes 200 may be formed in the light emitting structure 110. The current blocking hole 200 may be formed to penetrate the second conductive semiconductor layer 116 and the active layer 114 to expose the first conductive semiconductor layer 112. The current blocking hole 200 may partially extend into the first conductive semiconductor layer 112. The current blocking hole 200 may be formed to be concentrated in a portion adjacent to the virtual line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140. When the opening area of each of the plurality of current blocking holes 200 is uniform, the current blocking holes are disposed at a portion adjacent to the imaginary line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140. The distance between the 200 may be arranged to be closer. Therefore, in the portion adjacent to the imaginary line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140, the ratio of the opening area of the current blocking hole occupying the upper surface of the light emitting structure 110 may increase. Can be. In addition, when the current spreading layer 120 is formed on the light emitting structure 110, that is, on the second conductive semiconductor layer 116, the current blocking hole 200 includes the current spreading layer 120 and the second conductive semiconductor layer. It may be formed to penetrate the 116 and the active layer 114.

전류차단 홀(200)은 정원형, 타원형, 정사각형, 직사각형 중 적어도 어느 하나의 형상의 개구를 이루도록 형성될 수 있다. 전류 차단 홀(200) 내부의 측벽(202)에는 빛의 산란을 유도하여, 빛이 더 많이 추출될 수 있도록 하는 요철이 형성될 수 있다. The current blocking hole 200 may be formed to form an opening having at least one of a shape of a circle, an ellipse, a square, and a rectangle. In the sidewalls 202 of the current blocking hole 200, irregularities may be formed to induce light scattering so that more light can be extracted.

전류차단 홀(200)이 형성된 부분은 전류가 흐를 수 없기 때문에, 전류차단 홀(200)은 저항의 역할을 할 수 있다. 따라서 전류차단 홀(200)이 밀집된 부분에서는 전류의 흐름이 방해되어, 전류를 제2 전극(140)으로부터 더 먼 곳까지 분산시킬 수 있다. Since the current cannot flow in the portion where the current blocking hole 200 is formed, the current blocking hole 200 may serve as a resistance. Therefore, the current flow is interrupted in the densely packed portion of the current blocking hole 200, so that the current can be dispersed farther from the second electrode 140.

전류차단 홀(200)을 통하여, 활성층(114)에서 생성되는 빛 중 일부는 바로 발광다이오드(1)의 외부로 방출될 수 있기 때문에 빛의 추출 효율이 더 향상될 수 있다. 또한 전류차단 홀(200)을 통하여 방출되는 빛은 발광 다이오드(1) 내부에서의 경로가 단축되기 때문에, 발광 다이오드(1) 내부에서 흡수/반사 등에 의하여 빛이 감쇄되는 것을 최소화할 수 있다. Through the current blocking hole 200, some of the light generated in the active layer 114 may be directly emitted to the outside of the light emitting diode 1, so that light extraction efficiency may be further improved. In addition, since the path of the light emitted through the current blocking hole 200 is shortened in the light emitting diode 1, the light is attenuated by absorption / reflection or the like in the light emitting diode 1.

도 4는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1a)의 단면도이다. 도 4에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 전류차단 홀(200)의 형상이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1a according to some embodiments of the present invention. The embodiment shown in FIG. 4 is related to the case where the shape of the current blocking hole 200 is different compared to the embodiment shown in FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 4를 참조하면, 발광 다이오드(1a)에는 복수의 전류차단 홀(200)들이 형성될 수 있다. 전류차단 홀(200)들의 개구 면적은 균일하지 않고, 다른 개구 면적들을 가질 수 있다. 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에서 전류차단 홀(200)의 개구 면적이 증가되도록 형성될 수 있다. 전류차단 홀(200)의 개구가 정원형인 경우, 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에 배치되는 전류차단 홀(200)의 개구는 가상선(S)으로부터 상대적으로 멀리 떨어진 부분에 배치되는 전류차단 홀(200)의 개구에 비하여 개구의 지름이 큰 값을 가질 수 있다. 예를 들면, 가상선(S)에 가장 인접하는 전류차단 홀(200)의 개구의 지름이 가장 크고, 가상선(S)으로부터 멀어지면서 단계별로 전류차단 홀(200)의 개구의 지름이 작아질 수 있다. 가상선(S)으로부터 일정 거리 이상의 전류차단 홀(200)들의 개구의 지름은 모두 가장 작은 값을 가질 수 있다. 따라서 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에서 발광구조물(110)의 상면에서 차지하는 전류차단 홀의 개구면적의 비율은 증가할 수 있다. Referring to FIG. 4, a plurality of current blocking holes 200 may be formed in the light emitting diode 1a. The opening area of the current blocking holes 200 is not uniform and may have other opening areas. The opening area of the current blocking hole 200 may be increased at a portion adjacent to the virtual line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140. When the opening of the current blocking hole 200 is an inverted shape, the current blocking hole 200 disposed in a portion adjacent to the imaginary line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140. The opening of) may have a larger diameter than the opening of the current blocking hole 200 disposed at a portion relatively far from the imaginary line S. FIG. For example, the diameter of the opening of the current blocking hole 200 that is closest to the virtual line S is the largest, and the diameter of the opening of the current blocking hole 200 decreases in steps as the diameter of the opening is far from the virtual line S. Can be. The diameters of the openings of the current blocking holes 200 more than a predetermined distance from the imaginary line S may all have the smallest values. Therefore, in the portion adjacent to the imaginary line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140, the ratio of the opening area of the current blocking hole occupying the upper surface of the light emitting structure 110 may increase. Can be.

전류차단 홀(200)의 개구의 지름이 커지면, 즉, 전류차단 홀(200)의 개구 면적이 커지면, 전류에 대하여 저항이 더 커지는 역할을 할 수 있다. 따라서 개구의 지름이 큰 전류차단 홀(200)이 배치된 부분에서는 전류의 흐름이 방해되어, 전류를 제2 전극(140)으로부터 더 먼 곳까지 분산시킬 수 있다. When the diameter of the opening of the current blocking hole 200 increases, that is, when the opening area of the current blocking hole 200 increases, the resistance to the current may be increased. Therefore, the flow of the current is interrupted in the portion where the current blocking hole 200 having a large diameter of the opening is disposed, so that the current can be dispersed farther from the second electrode 140.

도 1 내지 도 3에서 보인 발광 다이오드(1)와 도 4에서 보인 발광 다이오드(1a)를 비교하면, 도 1 내지 도 3에서 보인 발광 다이오드(1)는 전류차단 홀(200)의 개수로 개구면적의 비율을 조절할 수 있으며, 도 4에서 보인 발광 다이오드(1a)는 각 전류차단 홀(200) 각각의 개구 면적의 차이로 개구면적의 비율을 조절할 수 있다. Comparing the light emitting diode 1 shown in FIGS. 1 to 3 and the light emitting diode 1a shown in FIG. 4, the light emitting diode 1 shown in FIGS. 1 to 3 has an opening area in the number of current blocking holes 200. 4, the light emitting diode 1a shown in FIG. 4 may adjust the ratio of the opening area to the difference of the opening area of each of the current blocking holes 200.

도 5는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1b)의 단면도이다. 도 5에 도시된 실시 예는 도 4에 도시된 실시 예와 비교하여 전류차단 홀(200)의 형상이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서 도 4를 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.5 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1b according to some embodiments of the present invention. 5 is related to the case where the shape of the current blocking hole 200 is different compared to the embodiment shown in FIG. 4. Therefore, a description overlapping with the embodiment described with reference to FIG. 4 may be omitted.

도 5를 참조하면, 발광 다이오드(1a)에는 복수의 전류차단 홀(200)들이 형성될 수 있다. 전류차단 홀(200)들의 개구 면적은 균일하지 않고, 다른 개구 면적들을 가질 수 있다. 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에서 전류차단 홀(200)의 개구 면적이 증가되도록 형성될 수 있다. 전류차단 홀(200)의 개구가 원형인 경우, 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에 배치되는 전류차단 홀(200)의 개구는 가상선(S)으로부터 상대적으로 멀리 떨어진 부분에 배치되는 전류차단 홀(200)의 개구에 비하여 장축의 지름이 큰 값을 가질 수 있다. 예를 들면, 가상선(S)에 가장 인접하는 전류차단 홀(200)의 개구는 장축의 지름이 가장 큰 타원형이고, 가상선(S)으로부터 멀어지면서 단계별로 전류차단 홀(200)의 개구는 장축의 지름이 작아질 수 있다. 가상선(S)으로부터 일정 거리 이상의 전류차단 홀(200)들의 개구는 모두 가장 작은 장축의 지름을 가질 수 있으며, 예를 들면 정원형일 수 있다. 따라서 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 최단 거리에 해당하는 가상선(S)에 인접하는 부분에서 발광구조물(110)의 상면에서 차지하는 전류차단 홀의 개구면적의 비율은 증가할 수 있다. 이때 전류차단 홀(200)의 개구의 장축의 지름은 가상선(S)에 수직 방향인 제2 방향(y 방향)으로의 지름일 수 있다. 전류차단 홀(200)의 개구가 제2 방향(y 방향)으로 장축의 지름을 가지는 타원형일 경우, 전류차단 홀(200)의 개구가 정원형인 경우보다 제1 방향(x 방향)으로 향하는 전류에 대한 전류 차단 효과는 더 커질 수 있다. Referring to FIG. 5, a plurality of current blocking holes 200 may be formed in the light emitting diode 1a. The opening area of the current blocking holes 200 is not uniform and may have other opening areas. The opening area of the current blocking hole 200 may be increased at a portion adjacent to the virtual line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140. When the opening of the current blocking hole 200 is circular, the current blocking hole 200 disposed in the portion adjacent to the imaginary line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140. The opening of) may have a larger diameter of the major axis than the opening of the current blocking hole 200 disposed at a portion relatively far from the imaginary line S. FIG. For example, the opening of the current blocking hole 200 that is closest to the virtual line S is the elliptical having the largest major axis diameter, and the opening of the current blocking hole 200 is stepwise while moving away from the virtual line S. The diameter of the long axis can be made smaller. The openings of the current blocking holes 200 having a predetermined distance or more from the imaginary line S may all have a diameter of the smallest long axis, and may be, for example, a garden shape. Therefore, in the portion adjacent to the imaginary line S corresponding to the shortest distance between the first electrode 130 and the second electrode 140, the ratio of the opening area of the current blocking hole occupying the upper surface of the light emitting structure 110 may increase. Can be. In this case, the diameter of the long axis of the opening of the current blocking hole 200 may be a diameter in a second direction (y direction) perpendicular to the imaginary line S. When the opening of the current blocking hole 200 has an elliptical shape having a diameter of a long axis in the second direction (y direction), the opening of the current blocking hole 200 is applied to the current directed in the first direction (x direction) than when the opening of the current blocking hole 200 is an inverted shape. The current blocking effect on the circuit can be greater.

도 6는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1c)의 단면도이다. 도 5에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예, 도 4에 도시된 실시 예 또는 도 5에 도시된 실시 예와 비교하여 굴절유도층(192)이 추가로 형성된 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3, 도 4, 또는 도 5를 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다. 도 6은 도 3의 단면도를 나타내는 절단선(도 2의 III-III)과 동일 위치를 따라서 절단한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1c according to some embodiments of the present invention. 5 illustrates a case in which the refractive induction layer 192 is further formed in comparison with the embodiment illustrated in FIGS. 1 to 3, the embodiment illustrated in FIG. 4, or the embodiment illustrated in FIG. 5. will be. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3, 4, or 5 may be omitted. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the same position as the cut line (III-III of FIG. 2) showing the cross-sectional view of FIG. 3.

도 6을 참조하면, 발광 다이오드(1c)는 전류차단 홀(200)을 채우는 굴절유도층(192)을 더 포함할 수 있다. 굴절유도층(192)은 광의 내부 반사를 감소시키고, 내부에서 방출된 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 더 용이하게 방출시키는 기능을 할 수 있다. 굴절유도층(192)은 투명한 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 다공질 SiO2, KH2PO4(KDP), NH4H2PO4, CaCO3, BaB2O4, NaF, 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 굴절유도층(192)은 발광 다이오드(1c)를 덮는 투명한 절연층을 형성하고, 전류차단 홀(200) 내부에 형성된 부분을 제외한 상기 투명한 절연층의 부분들을 제거하여 형성할 수 있다. 반사 방지층(190)은 빛이 나오는 부분, 예를 들면 발광구조물(110)보다는 굴절률이 작고, 빛이 나가는 부분, 즉 발광 다이오드(1c)의 외부(예를 들면, 대기 또는 봉지재)보다는 굴절률이 큰 물질로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 6, the light emitting diode 1c may further include a refractive induction layer 192 filling the current blocking hole 200. The refractive induction layer 192 may function to reduce internal reflection of light and to scatter and refract light emitted therein to more easily emit to the outside. The refractive induction layer 192 may include a transparent insulator, for example, silicon oxide (SiO 2 ), porous SiO 2 , KH 2 PO 4 (KDP), NH 4 H 2 PO 4 , CaCO 3 , BaB 2 O 4 , NaF, and Al 2 O 3 . The refractive induction layer 192 may be formed by forming a transparent insulating layer covering the light emitting diode 1c and removing portions of the transparent insulating layer except for a portion formed in the current blocking hole 200. The anti-reflection layer 190 has a lower refractive index than the light emitting portion, for example, the light emitting structure 110, and has a lower refractive index than the light emitting portion, that is, the outside of the light emitting diode 1c (for example, the atmosphere or the encapsulant). It can be made of large material.

도 6에서 설명한 굴절유도층(192)은 도 1 내지 도 3에서 개시한 발광 다이오드(1)의 전류차단 홀(200)뿐만 아니라, 도 4에서 개시한 발광 다이오드(1a)의 전류차단 홀(200) 및/또는 도 5에서 개시한 발광 다이오드(1b)의 전류차단 홀(200)에도 형성할 수 있다. 또한 도 8에서 후술할 발광 다이오드(1e)의 전류차단 홀(200)에도 형성할 수 있다. The refractive induction layer 192 described in FIG. 6 is not only the current blocking hole 200 of the light emitting diode 1 shown in FIGS. 1 to 3, but also the current blocking hole 200 of the light emitting diode 1a shown in FIG. 4. And / or the current blocking hole 200 of the light emitting diode 1b shown in FIG. 5. In addition, it may be formed in the current blocking hole 200 of the light emitting diode 1e to be described later in FIG.

도 7은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1d)의 단면도이다. 도 7에 도시된 실시 예는 도 6에 도시된 실시 예와 비교하여 반사 방지층(190)이 추가로 형성된 경우에 관한 것이다. 따라서 도 6을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다. 도 7은 도 3의 단면도를 나타내는 절단선(도 2의 III-III)과 동일 위치를 따라서 절단한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1d according to some embodiments of the present invention. 7 is related to the case in which the anti-reflection layer 190 is further formed as compared with the embodiment shown in FIG. 6. Therefore, a description overlapping with the embodiment described with reference to FIG. 6 may be omitted. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the same position as the cut line (III-III of FIG. 2) illustrating the cross-sectional view of FIG. 3.

도 7을 참조하면, 발광 다이오드(1d)는 선택적으로(optionally), 반사 방지층(194)이 전류 분산층(120) 상에 위치할 수 있다. 반사 방지층(194)은 설명은 편의를 위하여 도 7에만 도시되었으나, 도 1 내지 도 6 또는 후술할 도 8에도 전류 분산층(120) 상에 형성될 수 있다. 반사 방지층(194)은 광의 내부 반사를 감소시키고, 내부에서 방출된 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 더 용이하게 방출시키는 기능을 할 수 있다. 반사 방지층(194)은 울퉁불퉁한(roughened) 표면을 가질 수 있고, 규칙적인 패턴 또는 불규칙적 패턴일 수 있고, 또는 광결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있다. 반사 방지층(194)은 투명한 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 다공질 SiO2, KH2PO4(KDP), NH4H2PO4, CaCO3, BaB2O4, NaF, 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 반사 방지층(194)은 전류 분산층(120) 상에 투명한 절연층을 형성하고, 상기 투명한 절연층을 식각하여 형성할 수 있다. 전류 분산층(120)이 형성되지 않은 경우, 반사 방지층(194)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 형성될 수 있다. 반사 방지층(194)은 빛이 나오는 부분, 예를 들면 전류 분산층(120) 또는 제2 도전형 반도체층(116)보다는 굴절률이 작고, 빛이 나가는 부분, 즉 발광 다이오드(1)의 외부(예를 들면, 대기 또는 봉지재)보다는 굴절률이 큰 물질로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 7, in the light emitting diode 1d, an antireflection layer 194 may be disposed on the current spreading layer 120. Although the anti-reflection layer 194 is illustrated in FIG. 7 for convenience, the anti-reflection layer 194 may be formed on the current spreading layer 120 in FIGS. 1 to 6 or FIG. 8 to be described later. The anti-reflection layer 194 may function to reduce internal reflection of the light and to scatter and refract the light emitted therein to more easily emit it to the outside. The antireflective layer 194 may have a roughened surface, may be a regular pattern or an irregular pattern, or may have a photonic crystal structure. The antireflective layer 194 may include a transparent insulator, for example silicon oxide (SiO 2 ), porous SiO 2 , KH 2 PO 4 (KDP), NH 4 H 2 PO 4 , CaCO 3 , BaB 2 O 4 It may include at least any one of, NaF, and Al 2 O 3 . The anti-reflection layer 194 may be formed by forming a transparent insulating layer on the current spreading layer 120 and etching the transparent insulating layer. When the current spreading layer 120 is not formed, the anti-reflection layer 194 may be formed on the second conductive semiconductor layer 116. The anti-reflection layer 194 has a lower refractive index than the light emitting portion, for example, the current spreading layer 120 or the second conductive semiconductor layer 116, and the light emitting portion, that is, the outside of the light emitting diode 1 (for example, For example, it may be made of a material having a refractive index higher than that of air or an encapsulant.

반사 방지층(194)과 굴절유도층(190)은 동일하거나, 유사한 광학 특성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다. 또는 반사 방지층(194)과 굴절유도층(192)은 동일한 물질로 이루어지거나, 함께 형성된 동일한 물질일 수 있다. 굴절유도층(192) 또한 반사 방지의 역할을 하기 때문에, 반사 방지층(194)과 굴절유도층(192)이 함께 형성된 동일한 물질일 경우, 함께 반사 방지층(190)으로 호칭할 수도 있다. 이 경우, 전류차단 홀(200)을 채우고 전류 분산층(120)을 덮도록 투명한 절연층을 형성하여, 반사 방지층(190)을 형성할 수 있다. The antireflection layer 194 and the refractive induction layer 190 may be made of a material having the same or similar optical properties. Alternatively, the anti-reflection layer 194 and the refractive induction layer 192 may be made of the same material or may be the same material formed together. Since the refractive induction layer 192 also serves as an anti-reflection, when the anti-reflection layer 194 and the refractive induction layer 192 are formed of the same material, they may be referred to as an anti-reflection layer 190 together. In this case, a transparent insulating layer may be formed to fill the current blocking hole 200 and cover the current spreading layer 120, thereby forming the anti-reflection layer 190.

도 7에서는 반사 방지층(194)과 굴절유도층(192)을 함께 형성한 것으로 도시되었으나, 굴절유도층(192)은 형성하지 않고, 반사 방지층(194)만을 형성하는 것 또한 가능하다. In FIG. 7, the anti-reflection layer 194 and the refractive induction layer 192 are formed together. However, the anti-reflection layer 192 may not be formed, and only the anti-reflection layer 194 may be formed.

도 8은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1e)의 단면도이다. 도 7에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 반사 금속층(210)이 추가로 형성된 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다. 도 8은 도 3의 단면도를 나타내는 절단선(도 2의 III-III)과 동일 위치를 따라서 절단한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1e according to some embodiments of the present invention. The embodiment illustrated in FIG. 7 relates to a case in which the reflective metal layer 210 is further formed as compared with the embodiment illustrated in FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the same position as the cut line (III-III of FIG. 2) showing the cross-sectional view of FIG. 3.

도 8을 참조하면, 전류차단 홀(200)의 저면(204) 상에 반사 금속층(210)이 형성된다. 반사 금속층(210)은 전류차단 홀(200)로 방출된 광 중, 전류차단 홀(200)의 저면(204)을 향하는 광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 반사 금속층(210)은 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 이들을 합금을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, the reflective metal layer 210 is formed on the bottom 204 of the current blocking hole 200. The reflective metal layer 210 may perform a function of reflecting light toward the bottom 204 of the current blocking hole 200 among the light emitted into the current blocking hole 200. The reflective metal layer 210 may include, for example, a metal, for example, silver (Ag), aluminum (Al), rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), platinum (Pt) or an alloy thereof.

반사 금속층(210)은 도 4 내지 도 7에 보인 발광 다이오드(1a, 1b, 1c, 1d)의 전류차단 홀(200)의 저면(204) 상에도 동일하게 적용할 수 있다. The reflective metal layer 210 may be similarly applied to the bottom surface 204 of the current blocking hole 200 of the light emitting diodes 1a, 1b, 1c, and 1d shown in FIGS. 4 to 7.

도 9는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

도 9를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1000)는 리드프레임(1100)상에 페이스트와 같은 접착 부재(1200)에 의해 부착된 발광 다이오드(1)를 포함한다. 발광 다이오드(1), 즉 발광 다이오드(1)의 전극들(130, 140)과 리드프레임(1100)은 본딩 와이어(1300)에 의하여 전기적으로 연결된다. 발광 다이오드(1)는 전체적으로 에폭시와 같은 투명 보호층(1400)으로 덮인다. 리드프레임(1100)을 통하여 전류가 제공되면, 발광 다이오드(1)의 발광구조물에서 광이 방출되고, 이어서 투명 보호층(1400)을 통하여 발광된다. 발광 다이오드(1)는 도 1 내지 도 3에서 개시된 발광 다이오드(1)뿐만 아니라, 도 4 내지 도 8에서 도시한 발광 다이오드(1a, 1b, 1c, 1d, 1e)들 또한 모두 적용 가능하다. 이러한, 발광 다이오드 패키지(1000)는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 9, the light emitting diode package 1000 includes a light emitting diode 1 attached to the lead frame 1100 by an adhesive member 1200 such as a paste. The light emitting diode 1, that is, the electrodes 130 and 140 and the lead frame 1100 of the light emitting diode 1 are electrically connected by the bonding wire 1300. The light emitting diode 1 is entirely covered with a transparent protective layer 1400 such as epoxy. When current is provided through the lead frame 1100, light is emitted from the light emitting structure of the light emitting diode 1, and then emitted through the transparent protective layer 1400. The light emitting diode 1 is applicable not only to the light emitting diode 1 disclosed in Figs. 1 to 3 but also to the light emitting diodes 1a, 1b, 1c, 1d, and 1e shown in Figs. The light emitting diode package 1000 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

삭제delete

1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e : 발광 다이오드,
100: 기판, 102: 제1 면, 104: 제2 면, 106: 버퍼층,
110: 발광구조물, 112: 제1 도전형 반도체층, 114: 활성층,
116: 제2 도전형 반도체층, 120: 전류분산층, 130: 제1 전극, 140: 제2 전극,
142: 본딩 패드, 144: 핑거, 160: 전류 저지층,
170: 제1 반사 부재, 172: 저굴절률층, 174: 고굴절률층,
180: 제2 반사 부재, 190: 반사 방지층,
200: 전류차단 홀, 202: 측벽, 204: 저면, 210 : 반사 금속층1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e: light emitting diode,
100: substrate, 102: first side, 104: second side, 106: buffer layer,
110: light emitting structure, 112: first conductive semiconductor layer, 114: active layer,
116: second conductivity type semiconductor layer, 120: current spreading layer, 130: first electrode, 140: second electrode,
142: bonding pads, 144 fingers, 160: current blocking layer,
170: first reflective member, 172: low refractive index layer, 174: high refractive index layer,
180: second reflective member, 190: antireflective layer,
200: current blocking hole, 202: side wall, 204: bottom, 210: reflective metal layer

Claims (10)

서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 가지는 기판;
상기 기판의 제1 면 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극;
상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키도록, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하도록 상기 발광구조물에 형성되는 복수의 전류차단 홀;
상기 전류차단 홀의 저면에 형성된 반사 금속층; 및
상기 기판의 제2 면 상에 위치하는 반사 부재;
을 포함하되,
상기 발광구조물은 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역이 노출되는 메사 영역을 가지며,
상기 제1 전극은 상기 메사 영역으로부터 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며,
상기 전류차단 홀 내의 측벽에 빛의 산란을 유도하도록 요철이 형성되며,
상기 제2 전극은, 본딩 패드 및 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하여 연장되는 핑거를 포함하며,
상기 전류차단 홀은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분 및 상기 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 끝단에 인접하는 부분에서 상기 전류차단 홀의 개구면적이 상기 발광구조물의 상면에서 차지하는 비율이 증가하는 발광 다이오드.A substrate having opposing first and second surfaces;
A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on a first surface of the substrate;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode formed on the second conductive semiconductor layer and electrically connected to the second conductive semiconductor layer;
A plurality of current blocking holes formed in the light emitting structure to penetrate the second conductive semiconductor layer and the active layer to expose the first conductive semiconductor layer;
A reflective metal layer formed on a bottom surface of the current blocking hole; And
A reflective member positioned on the second surface of the substrate;
Including,
The light emitting structure has a mesa region in which partial regions of the active layer and the second conductive semiconductor layer are removed to expose a portion of the first conductive semiconductor layer.
The first electrode is located on the first conductivity type semiconductor layer exposed from the mesa region,
Unevenness is formed on the sidewalls of the current blocking holes to induce light scattering.
The second electrode includes a bonding pad and a finger extending from the bonding pad toward the first electrode,
The current blocking hole has an opening area of the current blocking hole at a portion adjacent to an imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode and at a portion adjacent to an end facing the first electrode of the finger. A light emitting diode in which the proportion of the upper surface of the light emitting structure is increased. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 전류차단홀의 개구 면적은 균일하며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 전류차단 홀들 사이의 거리가 가까워지도록 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method according to claim 1,
The opening area of the plurality of current blocking holes is uniform,
The light emitting diode of claim 1, wherein the distance between the current blocking holes is close to a portion adjacent to the virtual line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 각 전류차단 홀들의 개구 면적이 증가하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method according to claim 1,
And an opening area of each of the current blocking holes increases in a portion adjacent to the imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode. 제3 항에 있어서,
상기 전류차단 홀들은 타원형의 개구를 가지며,
상기 각 전류차단 홀들의 개구는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분에서 상기 가상선의 수직 방향으로의 지름이 상기 가상선 방향으로의 지름보다 증가하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method of claim 3,
The current blocking holes have an elliptical opening,
In the openings of the current blocking holes, the diameter in the vertical direction of the virtual line is larger than the diameter in the virtual line direction at a portion adjacent to the virtual line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode. Light emitting diodes characterized in that. 제1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되는 전류분산층을 더 포함하며,
상기 전류차단 홀은 상기 전류분산층을 관통하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Further comprising a current spreading layer formed on the second conductivity type semiconductor layer,
The current blocking hole penetrates the current spreading layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 전류차단 홀을 채우며, 상기 발광구조물보다 굴절률이 작은 굴절유도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a refractive induction layer filling the current blocking hole and having a smaller refractive index than the light emitting structure. 서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 가지는 기판; 상기 기판의 제1 면 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체 상에 형성되며 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극; 상기 제1 도전형 반도체층을 노출시키도록, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하도록 상기 발광구조물에 형성되는 복수의 전류차단 홀; 상기 전류차단 홀의 저면에 형성된 반사 금속층; 및 상기 기판의 제2 면 상에 위치하는 반사 부재;를 포함하되, 상기 발광구조물은 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역이 노출되는 메사 영역을 가지며, 상기 제1 전극은 상기 메사 영역으로부터 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 상기 제2 전극은 본딩 패드 및 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하여 연장되는 핑거를 포함하며, 상기 전류차단 홀은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 최단 거리에 해당되는 가상선에 인접하는 부분 및 상기 핑거의 상기 제1 전극을 향하는 끝단에 인접하는 부분에서 상기 전류차단 홀의 개구면적이 상기 발광구조물의 상면에서 차지하는 비율이 증가하는 발광 다이오드;
상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임; 및
상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;을 포함하는 발광 다이오드 패키지.A substrate having opposing first and second surfaces; A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on a first surface of the substrate; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode formed on the second conductivity type semiconductor and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; A plurality of current blocking holes formed in the light emitting structure to penetrate the second conductive semiconductor layer and the active layer to expose the first conductive semiconductor layer; A reflective metal layer formed on a bottom surface of the current blocking hole; And a reflective member positioned on a second surface of the substrate, wherein the light emitting structure has a portion of the active layer and the second conductive semiconductor layer removed to expose a portion of the first conductive semiconductor layer. And a first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer exposed from the mesa region, wherein the second electrode extends from the bonding pad and the bonding pad toward the first electrode. The current blocking hole may include the current blocking hole at a portion adjacent to an imaginary line corresponding to the shortest distance between the first electrode and the second electrode and at a portion adjacent to an end facing the first electrode of the finger. A light emitting diode in which a ratio of an opening area of a hole to an upper surface of the light emitting structure is increased;
A lead frame connected to the first electrode, the second electrode, or both by wire; And
And a transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame.
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