KR101223226B1 - Light Emitting Diode having an open part and its Light Emitting Diode package - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 개구부를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하는 것을 특징으로 하기 때문에 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있고, 광추출 효율을 증대시킬 수 있는 효과를 갖는다.The present invention relates to a light emitting diode and a light emitting diode package having an opening, comprising: a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And at least one first opening disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger, and at least one disposed in a left direction of the finger, based on a direction toward the first electrode. Since the current dispersion layer comprising a two opening; characterized in that it can increase the external quantum efficiency, has the effect of increasing the light extraction efficiency.

Description

개구부를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지{Light Emitting Diode having an open part and its Light Emitting Diode package}Light Emitting Diode having an open part and its Light Emitting Diode package

본 발명은 개구부를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전류 집중 현상을 방지하고, 전류의 경로를 다양한 방향으로 유도하여 전류의 분산을 원활하게 하는 동시에 개구부를 통해 광을 추출할 수 있게 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode and a light emitting diode package having an opening, and more particularly, to prevent the current concentration phenomenon, to guide the current path in various directions to facilitate the distribution of current and at the same time the light through the opening A light emitting diode and a light emitting diode package having openings that enable extraction.

발광다이오드는 공기에 비하여 높은 굴절률을 가지므로, 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광의 많은 부분이 소자 내부에 잔존하게 된다. 이러한 광자는 외부로 탈출하기 전에 박막, 기판, 전극 등 여러 경로를 거치게 되며, 이에 따른 흡수에 의하여 외부양자효율이 감소된다. 이러한 외부양자효율의 증가를 위한 다양한 연구가 계속되고 있다.Since the light emitting diode has a higher refractive index than air, much of the light generated by the recombination of electrons and holes remains in the device. These photons pass through various paths such as a thin film, a substrate, and an electrode before escaping to the outside, and the external quantum efficiency is reduced by absorption. Various studies for increasing the external quantum efficiency are continuing.

특히, p-전극과 n-전극 사이에서 발생되는 전류 집중 현상에 의하여, 활성층 전체에 대하여 전류를 균일하게 분산하지 못하고, 전극 주변에 전류가 집중됨으로써 전극으로부터 멀리 떨어진 영역에 상대적으로 어두운 암부를 발생시킨다. 이러한 전류 집중 현상에 의하여 외부양자효율이 저하되고, 국부적인 열화나 노화 현상이 발생되는 등의 문제점이 있었다.In particular, due to the current concentration phenomenon generated between the p-electrode and the n-electrode, the current is not uniformly distributed over the entire active layer, and current is concentrated around the electrode, so that dark areas are generated in a region far from the electrode. Let's do it. Due to such a current concentration phenomenon, the external quantum efficiency is lowered, and there are problems such as local degradation and aging.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 핑거의 좌우측에 위치하는 전류 분산층에 제 1 개구부 및 제 2 개구부를 형성하여 전류 집중을 감소시키고, 전류를 다양한 경로로 유도하여 외부 양자 효율을 향상시킬 수 있고, 개구부를 통해 광을 추출할 수 있게 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to form a first opening and a second opening in the current dispersion layer located on the left and right sides of the finger to reduce the current concentration, to guide the current in various paths to improve the external quantum efficiency To provide a light emitting diode and a light emitting diode package having an opening for extracting light through the opening.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드는, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode having an opening, including: a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And at least one first opening disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger, and at least one disposed in a left direction of the finger, based on a direction toward the first electrode. And a current spreading layer including two openings.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결되는 형상을 가질 수 있다.In addition, in some embodiments of the present invention, the first opening and the second opening may have a shape connected to each other.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 다수개의 상기 제 1 개구부와 다수개의 상기 제 2 개구부는 서로 연결되어 상기 핑거를 따라 구불 구불한 형상을 가질 수 있다.In addition, in some embodiments of the present disclosure, the plurality of first openings and the plurality of second openings may be connected to each other to have a serpentine shape along the finger.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 핑거는, 상기 핑거의 우측 방향에 형성된 상기 전류 분산층의 제 1 영역과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 1 접촉부; 및 상기 핑거의 좌측 방향에 형성된 상기 전류 분산층의 제 2 영역과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 2 접촉부;를 포함할 수 있다.Further, in some embodiments of the present invention, the finger may include at least one first contact portion in contact with a first region of the current spreading layer formed in a right direction of the finger; And at least one second contact portion in contact with a second region of the current spreading layer formed in a left direction of the finger.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 한 쌍의 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결되는 직사각형의 형상이나 부분 원호형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 부분 원호 형상은 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 구부러진 형상인 것이 가능하다.Further, in some embodiments of the present invention, the pair of first openings and the second openings may have a rectangular shape or a partial arc shape connected to each other. In addition, the partial arc shape may be a shape bent in a direction toward the first electrode.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결된 일체형 개구부이고, 상기 일체형 개구부는 상기 핑거와 교차될 수 있다.Further, in some embodiments of the present invention, the first opening and the second opening may be integral openings connected to each other, and the integrated opening may intersect the finger.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 각각 삼각형상을 가지거나, 각각 직각삼각형상을 가질 수 있다.Further, in some embodiments of the present invention, the first opening and the second opening may each have a triangular shape, or each may have a right triangle shape.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 전극은, 본딩 패드; 및 상기 본딩 패드에 연결되고, 상기 핑거의 좌측 방향 및 우측 방향으로 각각 연장되는 보조 전극;을 포함할 수 있다.Further, in some embodiments of the present invention, the first electrode may include a bonding pad; And an auxiliary electrode connected to the bonding pad and extending in a left direction and a right direction of the finger, respectively.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류 분산층은, 상기 보조 전극과 부분적으로 접촉되도록 요철형 패턴을 가질 수 있다.In addition, in some embodiments of the present disclosure, the current spreading layer may have a concave-convex pattern to partially contact the auxiliary electrode.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 발광구조물의 테두리를 둘러싸는 절연벽;을 더 포함할 수 있다.In addition, in some embodiments of the present invention, an insulating wall may surround the edge of the light emitting structure.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 1 개구부, 상기 제 2 개구부, 또는 이들 모두를 충진하는 절연충진부;를 더 포함할 수 있다.In addition, in some embodiments of the present disclosure, an insulation filling unit may fill the first opening, the second opening, or both.

또한, 본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 전류 분산층 및 상기 발광구조물을 보호하는 외측 절연 부재;를 더 포함할 수 있다.In addition, in some embodiments of the present invention, an outer insulating member may be further protected to protect the current spreading layer and the light emitting structure.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드는, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 구불 구불하게 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 핑거의 하부에 형성되는 직선형 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the light emitting diode having an opening in accordance with the technical idea of the present invention for achieving the above technical problem, the first conductive type semiconductor layer, the active layer, the second conductive type semiconductor layer is a light emitting structure sequentially stacked; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer, the second electrode having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And a current spreading layer disposed on the second conductive semiconductor layer and including a linear opening formed under the finger.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드 패키지는, 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하는 발광 다이오드; 상기 제 1 전극, 제 2 전극 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임; 및 상기 발광 다이오드와 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the light emitting diode package having an opening according to the technical idea of the present invention for achieving the above technical problem, the light emitting structure in which the first conductive semiconductor layer, the active layer, the second conductive semiconductor layer is sequentially stacked; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And at least one first opening disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger, and at least one disposed in a left direction of the finger, based on a direction toward the first electrode. A light emitting diode comprising a current spreading layer including two openings; A lead frame connected to the first electrode, the second electrode, or both by wire; And a transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame.

본 발명의 기술적 사상에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지는, 핑거의 좌우측에 위치하는 전류 분산층에 제 1 개구부 및 제 2 개구부를 형성함으로써 발광구조물에 더 균일한 전류를 제공할 수 있고, 이에 따라 발광구조물의 발광면적을 더 크게 하여 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있고, 개구부를 통해 광을 추출할 수 있는 효과를 갖는 것이다.The light emitting diode and the LED package having the opening according to the technical concept of the present invention, by providing the first opening and the second opening in the current dispersion layer located on the left and right sides of the finger can provide a more uniform current to the light emitting structure Accordingly, the light emitting area of the light emitting structure can be increased to increase the external quantum efficiency, and light can be extracted through the opening.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선 단면도이다.
도 4는 도 2의 IV-IV선 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 정단면도이다.
도 13은 도 12의 측단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting diode having an opening according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating the current flow of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 2.
5 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another exemplary embodiment of the present invention.
6 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention.
7 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another exemplary embodiment of the present invention.
9 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention.
10 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention.
11 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention.
12 is a front sectional view showing a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a side cross-sectional view of FIG. 12.
14 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package having an opening according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 명세서 전체에 걸쳐서 층, 영역, 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접적으로 연결되어", 또는 "직접적으로 하에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of description. Like numbers refer to like elements herein. Throughout the specification, when referring to one component, such as a layer, region, or substrate, being located on, “connected”, or “under” another component, the one component is directly in another configuration. It may be interpreted that there may be other components in contact with or interposed between, or “on,” “connected”, or “under” an element. On the other hand, when one component is referred to as being located on another component "directly on", "directly connected", or "directly under", it is interpreted that there are no other components intervening therebetween. do.

도면에서 전류의 흐름은 실선 화살표로 도시되어 있고, 광의 진행은 점선 화살표로 도시되어 있다.In the figure the flow of current is shown by solid arrows and the progress of light is shown by dashed arrows.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 전류 흐름을 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III선 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV선 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting diode having an opening according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view illustrating the current flow of FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2, and FIG. 4 is It is sectional drawing along the IV-IV line | wire of FIG.

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드(100)는, 크게 발광구조물(10)과, 제 1 전극(21)과, 제 2 전극(22)과, 전류 분산층(30)과, 기판(40) 및 반사층(41)을 포함하여 이루어지는 구성이다.1 to 4, a light emitting diode 100 having an opening according to an embodiment of the present invention includes a light emitting structure 10, a first electrode 21, and a second electrode 22. ), The current spreading layer 30, the substrate 40, and the reflective layer 41.

상기 기판(40)은, 상기 제 1 도전형 반도체층(11)의 하측에 위치하는 것으로서, 사파이어(Al2O3), 실리콘 탄화물(SiC), 갈륨 질화물(GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 질화물(AlN), 붕산 질화물(BN), 갈륨 인화물(GaP), 인듐 인화물(InP), 리튬-알루미늄 산화물(LiAl2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(40)의 상면 및/또는 하면에는 광을 반사시킬 수 있는 요철 패턴(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 요철 패턴은 스트라이프 형태, 렌즈 형태, 기둥 형태, 뿔 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The substrate 40 is positioned below the first conductivity type semiconductor layer 11 and includes sapphire (Al 2 O 3), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), and silicon (Si). ), Germanium (Ge), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide (MgO), aluminum nitride (AlN), borate nitride (BN), gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), lithium-aluminum oxide (LiAl2O3) It may include any one of. Although not shown, an uneven pattern (not shown) may be formed on the top and / or bottom surface of the substrate 40 to reflect light, and the uneven pattern may have a stripe shape, a lens shape, a pillar shape, a horn shape, or the like. It may have various shapes.

또한, 상기 기판(40)의 일측 상에는 상기 기판(40)과 발광구조물(10) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다. 버퍼층은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, AlInN 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(40) 또는 버퍼층 상에 언도프드(undoped) 반도체층(미도시)이 위치할 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 GaN를 포함할 수 있다.In addition, a buffer layer (not shown) may be positioned on one side of the substrate 40 to mitigate lattice mismatch between the substrate 40 and the light emitting structure 10. The buffer layer may be formed of a single layer or multiple layers, and may include, for example, at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, and AlInN. Although not shown, an undoped semiconductor layer (not shown) may be located on the substrate 40 or the buffer layer, and the undoped semiconductor layer may include GaN.

한편, 상기 기판(40)의 후면에 반사층(41)이 형성되어 상기 발광구조물(10)에서 발생되어 상기 기판(40)의 후면 방향으로 발산되는 광을 상기 기판(40)의 전면 방향으로 반사시켜서 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 것이다.Meanwhile, a reflective layer 41 is formed on the rear surface of the substrate 40 to reflect the light emitted from the light emitting structure 10 and emitted in the rear direction of the substrate 40 toward the front surface of the substrate 40. It is possible to improve the light extraction efficiency.

한편, 상기 반사체(41)는 반사율이 우수한 유전체, 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 이들의 합금, 은(Ag)계 산화물(Ag-O), APC 합금(Ag, Pd, Cu를 포함하는 합금), 주석(Sn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 크롬(Cr), 실리콘, 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 티타늄(Ti), 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector, DBR), 투명 전극 분말, 사파이어 분말 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.On the other hand, the reflector 41 is a dielectric having excellent reflectivity, silver (Ag), platinum (Pt), aluminum (Al), alloys thereof, silver (Ag) oxide (Ag-O), APC alloys (Ag, Pd , Alloy containing Cu), tin (Sn), tungsten (W), cobalt (Co), magnesium (Mg), zinc (Zn), chromium (Cr), silicon, rhodium (Rh), palladium (Pd), It may include any one or more of nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), titanium (Ti), distributed Bragg reflector (DBR), transparent electrode powder, sapphire powder and combinations thereof. have.

여기서, 상기 발광구조물(10)은, 제 1 도전형 반도체층(11), 활성층(13), 제 2 도전형 반도체층(12)이 순차적 또는 비순차적으로 적층된 것으로서, 상기 발광 구조물(10)은 기판(40) 상에 위치할 수 있고, 복수의 도전형 반도체층이 기판(40)을 기준으로 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이하에서는 발광 구조물(10)이 n-p 접합 구조인 경우를 일 예로 설명하기로 한다.The light emitting structure 10 may include a first conductive semiconductor layer 11, an active layer 13, and a second conductive semiconductor layer 12 that are sequentially or non-sequentially stacked. The silver may be positioned on the substrate 40, and a plurality of conductive semiconductor layers may be formed of any one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure based on the substrate 40. Hereinafter, a case in which the light emitting structure 10 is an n-p junction structure will be described as an example.

상기 발광 구조물(10)은 순차적 또는 비순차적으로 적층된 제 1 도전형 반도체층(11), 활성층(13), 및 제 2 도전형 반도체층(12)을 포함한다. 발광 구조물(10)은, 예를 들어 전자빔 증착(electron beam evaporation), 물리기상증착(physical vapor deposition, PVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD, PECVD), 플라즈마 레이저 증착(plasma laser deposition, PLD), 듀얼 타입 열증착(dual-type thermal evaporator), 스퍼터링(sputtering), 유기금속 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting structure 10 includes a first conductive semiconductor layer 11, an active layer 13, and a second conductive semiconductor layer 12 that are sequentially or non-sequentially stacked. The light emitting structure 10 may be, for example, electron beam evaporation, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced CVD (PECVD) , Plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

상기 발광구조물(10)에 순방향으로 전압을 인가하면, 활성층(13)의 전도대에 있는 전자와 가전자대에 있는 정공이 천이되어 재결합하고, 에너지 갭에 해당하는 에너지가 광으로 방출된다. 활성층(13)을 구성하는 물질의 종류에 따라서 방출되는 광의 파장이 결정된다. 또한, 제 1 도전형 반도체층(11) 및 제 2 도전형 반도체층(12)은 상기 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공을 활성층(13)에 제공하는 기능을 수행한다. 제 1 도전형 반도체층(11)과 제 2 도전형 반도체층(12)은 서로 다른 도전형을 가지도록 불순물들을 포함할 수 있다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체층(11)은 n-형 불순물들을 포함할 수 있고, 제 2 도전형 반도체층(12)은 p-형 불순물들을 포함할 수 있다. 이러한 경우에는, 제 1 도전형 반도체층(11)은 전자를 제공할 수 있고, 제 2 도전형 반도체층(12)은 정공을 제공할 수 있다. 또한, 이와 반대로, 제 1 도전형 반도체층(11)이 p-형이고, 제 2 도전형 반도체층(12)이 n-형인 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제 1 도전형 반도체층(11) 및 제 2 도전형 반도체층(12)은 각각 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 갈륨 질화물계 물질을 포함할 수 있다.When a voltage is applied to the light emitting structure 10 in the forward direction, electrons in the conduction band of the active layer 13 and holes in the valence band transition and recombine, and energy corresponding to the energy gap is emitted as light. The wavelength of the emitted light is determined by the kind of material constituting the active layer 13. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 12 perform a function of providing electrons or holes to the active layer 13 according to the applied voltage. The first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 12 may include impurities to have different conductivity types. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may include n-type impurities, and the second conductivity type semiconductor layer 12 may include p-type impurities. In this case, the first conductivity type semiconductor layer 11 may provide electrons, and the second conductivity type semiconductor layer 12 may provide holes. On the contrary, the technical concept of the present invention also includes the case where the first conductivity-type semiconductor layer 11 is p-type and the second conductivity-type semiconductor layer 12 is n-type. Each of the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 12 may include a group III-V compound material, and may include, for example, a gallium nitride-based material.

제 1 도전형 반도체층(11)은 n-형 도판트가 도핑된 n-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 n-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제 1 도전형 반도체층(11)은 n-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 n-형 도판트는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant, for example, n-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may include n-type GaN. The n-type dopant may be at least one of silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

제 2 도전형 반도체층(12)은 p-형 도판트가 도핑된 p-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 p-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제 2 도전형 반도체층(12)은 p-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 p-형 도판트는 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 베릴륨(Be), 및 바륨(Ba) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제 2 도전형 반도체층(12)은 광을 굴절하여 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 12 may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, for example, p-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the second conductivity-type semiconductor layer 12 may include p-type GaN. The p-type dopant may be at least one of magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), beryllium (Be), and barium (Ba). Although not shown, the second conductive semiconductor layer 12 may have a concave-convex pattern (not shown) formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 12 so as to be refracted and emitted to the outside.

상기 활성층(13)은 제 1 도전형 반도체층(11) 및 제 2 도전형 반도체층(12)에 비하여 낮은 에너지 밴드갭을 가지므로 발광을 활성화할 수 있다. 활성층(13)은 다양한 파장의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어 적외선, 가시 광선, 또는 자외선을 방출할 수 있다. 활성층(13)은 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있고, 예를 들어 InGaN 또는 AlGaN을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(13)은 단일양자우물(single quantum well, SQW) 또는 다중양자우물(multi quantum well, MQW)을 포함할 수 있다. 활성층(13)은 양자 우물층과 양자 장벽층의 적층 구조를 가질 수 있고, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 갯수는 설계 상의 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 활성층(13)은, 예를 들어 GaN/InGaN/GaN MQW 구조 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 활성층(13)은 구성 물질에 따라 방출되는 광의 파장이 달라지며, 예를 들어, 인듐의 양이 약 22%의 경우에는 청색 광을 발광할 수 있고, 약 40%의 경우에는 녹색 광을 발광할 수 있다. 본 발명은 활성층(13)의 구성 물질에 대해 한정하는 것은 아니다.Since the active layer 13 has a lower energy band gap than the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 12, light emission may be activated. The active layer 13 may emit light of various wavelengths, and may emit infrared light, visible light, or ultraviolet light, for example. The active layer 13 may comprise a Group III-V compound material, for example AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1), for example It may include InGaN or AlGaN. In addition, the active layer 13 may include a single quantum well (SQW) or a multi quantum well (MQW). The active layer 13 may have a stacked structure of a quantum well layer and a quantum barrier layer, and the number of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be variously changed according to design needs. In addition, the active layer 13 may include, for example, a GaN / InGaN / GaN MQW structure or a GaN / AlGaN / GaN MQW structure. However, this is exemplary, and the active layer 13 has a wavelength of light emitted according to a constituent material, for example, when the amount of indium is about 22%, it may emit blue light, and about 40% It can emit green light. The present invention is not limited to the constituent materials of the active layer 13.

상기 발광구조물(10)은 활성층(13), 및 제 2 도전형 반도체층(12)의 일부 영역이 제거된 메사(mesa) 식각 영역을 가질 수 있고, 또한 제1 도전형 반도체층(11)의 일부가 제거될 수 있다. 활성층(13)은 상기 메사 영역에 한정되어 광을 방출할 수 있다. 상기 메사 영역을 형성함에 따라, 제1 도전형 반도체층(11)의 일부 영역이 노출될 수 있다. The light emitting structure 10 may have an active layer 13 and a mesa etching region from which a portion of the second conductive semiconductor layer 12 is removed, and also of the first conductive semiconductor layer 11. Some may be removed. The active layer 13 may be limited to the mesa region to emit light. As the mesa region is formed, a portion of the first conductivity type semiconductor layer 11 may be exposed.

상기 메사 식각 영역은 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE), 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 형성할 수 있다.The mesa etching region may be formed using inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), wet etching, or dry etching.

한편, 상기 제 1 전극(21)은 상기 제 1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결되는 것으로서, 원기둥 형상, 사각 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상 등 다양한 기둥 형상을 가질 수 있다. 이러한 상기 제 1 전극(21)은, 상기 제 1 도전형 반도체층(11)의 메사 식각 영역에 설치될 수 있다.Meanwhile, the first electrode 21 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 and may have various columnar shapes such as a cylindrical shape, a square column shape, or a polygonal column shape. The first electrode 21 may be provided in the mesa etching region of the first conductive semiconductor layer 11.

여기서, 상기 제 1 전극(21)은 상기 메사 영역에 의하여 노출된 제 1 도전형 반도체층(11) 상에 위치할 수 있고, 상기 제 1 전극(21)은 제 1 도전형 반도체층(11)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(21)은, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 포함할 수 있다. 제 1 전극(21)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ti/Al, Cr/Au, Ti/Au, Au/Sn과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제 1 전극(21)은 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.Here, the first electrode 21 may be located on the first conductive semiconductor layer 11 exposed by the mesa region, and the first electrode 21 may be the first conductive semiconductor layer 11. And a material forming an ohmic contact. The first electrode 21 is, for example, gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), palladium (Pd), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tin (Sn). ), Chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or alloys thereof It may include, for example, it may include a carbon nanotube (carbon nanotube). The first electrode 21 may be composed of a single layer or multiple layers, for example, may be composed of multiple layers such as Ti / Al, Cr / Au, Ti / Au, Au / Sn. Bonding wires may be connected to the first electrode 21 in the packaging process.

또한, 한편, 상기 제 2 전극(22)은, 상기 제 2 도전형 반도체층(12)에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드(22b) 및 상기 제 1 전극(21)을 향하는 방향으로 연장된 핑거(22f)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(22)은 상기 전류 분산층(30) 상에 위치할 수 있다. 상기 제 1 전극(21)과 제 2 전극(22)은 서로 대향하도록 위치할 수 있다. 제 2 전극(22)은 전류 분산층(30)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브를 포함할 수 있다. 제 2 전극(22)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ni/Au, Pd/Au, Pd/Ni 과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제 2 전극(22)의 본딩 패드(22b)는 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.In addition, the second electrode 22 is electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 12 and extends in a direction toward the bonding pad 22b and the first electrode 21. 22f). The second electrode 22 may be located on the current spreading layer 30. The first electrode 21 and the second electrode 22 may be positioned to face each other. The second electrode 22 may include a material forming an ohmic contact with the current spreading layer 30. For example, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), titanium (Ti), and nickel may be used. (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or an alloy thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The second electrode 22 may be composed of a single layer or multiple layers, and may be composed of multiple layers such as Ni / Au, Pd / Au, and Pd / Ni. Bonding wires may be connected to the bonding pads 22b of the second electrode 22 in the packaging process.

제 1 전극(21)과 제 2 전극(22)은 열증착, 전자빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제 1 전극(21)과 제 2 전극(22)은 리프트 오프(lift-off), 도금법 등 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제 1 전극(21)과 제 2 전극(22)은 오믹 콘택을 향상시키기 위하여 열처리될 수 있다.The first electrode 21 and the second electrode 22 may be formed using thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering, or chemical vapor deposition. This is not limited to this. In addition, the first electrode 21 and the second electrode 22 may be formed using various methods such as a lift-off and a plating method. In addition, the first electrode 21 and the second electrode 22 may be heat treated to improve ohmic contact.

상기 핑거(22f)는 전류를 상기 전류 분산층(30)에 더 균일하게 분산시킬 수 있다. 상기 핑거(22f)는 제 2 전극(22)과 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제 2 전극(22)과 동시에 형성될 수 있다.The finger 22f may distribute the current more uniformly in the current spreading layer 30. The finger 22f may be formed of the same material as the second electrode 22 and may be formed simultaneously with the second electrode 22.

제 2 전극(22)의 하측에는 반사 전극층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 반사 전극층은 광을 반사하여 제 2 전극(22)이 광을 흡수하는 것을 방지할 수 있다. 반사 전극층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 이들의 합금, 은(Ag)계 산화물(Ag-O) 또는 APC 합금(Ag, Pd, Cu를 포함하는 합금)을 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층은 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층은 상기 전류 분산층(30)과 제 2 전극(22) 사이의 오믹 접촉을 증가시키는 물질로 구성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 이러한 반사 전극층은 제 1 전극(21)의 하측에도 형성될 수 있다.A lower side of the second electrode 22 may further include a reflective electrode layer (not shown). The reflective electrode layer may reflect light and prevent the second electrode 22 from absorbing light. The reflective electrode layer may include aluminum (Al), silver (Ag), alloys thereof, silver (Ag) oxides (Ag-O), or APC alloys (alloys including Ag, Pd, and Cu). In addition, the reflective electrode layer may further include at least one of rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and platinum (Pt). In addition, the reflective electrode layer may be formed of a material for increasing ohmic contact between the current spreading layer 30 and the second electrode 22. Although not shown, the reflective electrode layer may also be formed below the first electrode 21.

한편, 상기 전류 분산층(30)은, 상기 제 2 도전형 반도체층(12) 상에 위치하여 전류를 균일하게 분산하는 것으로서, 상기 제 1 전극(21)을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거(22f)의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부(31) 및 상기 핑거(22f)의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부(32)를 포함하게 할 수 있다.On the other hand, the current spreading layer 30 is located on the second conductivity-type semiconductor layer 12 to distribute the current uniformly, based on the direction toward the first electrode 21, the finger ( At least one first opening 31 disposed in the right direction of 22f) and at least one second opening 32 disposed in the left direction of the finger 22f.

여기서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 다수개의 상기 제 1 개구부(31)와 다수개의 상기 제 2 개구부(32)는 서로 연결되어 상기 핑거(22f)를 따라 구불 구불한 형상을 가짐으로써, 상기 핑거(22f)는, 상기 핑거(22f)의 우측 방향에 형성된 상기 전류 분산층(30)의 제 1 영역(301)과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 1 접촉부(22fa) 및 상기 핑거(22f)의 좌측 방향에 형성된 상기 전류 분산층(30)의 제 2 영역(302)과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 2 접촉부(22fb)를 포함할 수 있는 것이다.1 to 4, the plurality of first openings 31 and the plurality of second openings 32 are connected to each other to have a serpentine shape along the finger 22f. The finger 22f includes at least one first contact portion 22fa and the finger 22f in contact with the first region 301 of the current spreading layer 30 formed in the right direction of the finger 22f. It may include at least one second contact portion 22fb in contact with the second region 302 of the current spreading layer 30 formed in the left direction.

따라서, 도 2의 실선 화살표로 도시된 바와 같이, 상기 제 1 개구부(31)와 제 2 개구부(32)가 전류를 차단하여 전류가 다양한 방향으로 골고루 분산되게 하는 것은 물론이고, 도 3의 점선 화살표로 도시된 바와 같이, 상기 제 1 개구부(31)와 제 2 개구부(32)를 통해 광을 추출할 수도 있는 것이다.Therefore, as shown by the solid arrows in FIG. 2, the first opening 31 and the second opening 32 block the current so that the current is evenly distributed in various directions. As illustrated in FIG. 2, light may be extracted through the first opening 31 and the second opening 32.

한편, 선택적으로 설치되는 상기 전류 분산층(30)은 제 2 도전형 반도체층(12) 상에 위치하는 것으로서, 제 2 전극(22)으로부터 주입되는 전류를 제 2 도전형 반도체층(12)에 대하여 균일하게 분산하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 전류 분산층(30)은 전체적으로 패턴이 없는 박막 형태를 가지거나 또는 일정한 패턴 형태를 가질 수 있다. 상기 전류 분산층(30)은 제 2 도전형 반도체층(12)과의 접착성을 위해 메쉬(mesh) 구조의 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 전류 분산층(30)은 투명하고 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있다. 상기 전류 분산층(30)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 니켈(Ni)과 금(Au)의 복합층일 수 있다. 또한, 상기 전류 분산층(30)은 산화물을 포함할 수 있고, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IGO(indium gallium oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(aluminum tin oxide), IWO(indium tungsten oxide), CIO(cupper indium oxide), MIO(magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 전류 분산층(30)은 예를 들어 증착(Evaporation) 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 전류 분산층(30)은 광을 굴절하여 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.Meanwhile, the current dispersing layer 30, which is selectively provided, is located on the second conductive semiconductor layer 12, and the current injected from the second electrode 22 is transferred to the second conductive semiconductor layer 12. It can perform a function to uniformly disperse. The current spreading layer 30 may have a thin film shape without a pattern as a whole or may have a predetermined pattern shape. The current spreading layer 30 may be formed in a pattern of a mesh structure for adhesion to the second conductive semiconductor layer 12. The current spreading layer 30 may include a transparent and conductive material. The current spreading layer 30 may include a metal and may be, for example, a composite layer of nickel (Ni) and gold (Au). In addition, the current spreading layer 30 may include an oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), or IAZO. (indium aluminum zinc oxide), GZO (gallium zinc oxide), IGO (indium gallium oxide), IGZO (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum tin oxide (ATO), indium tungsten oxide (IGWO) , Cupper indium oxide (CIO), magnesium indium oxide (MIO), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, and IrOx. In addition, the current spreading layer 30 may be formed using, for example, evaporation or sputtering, but the present invention is not limited thereto. In addition, an uneven pattern (not shown) may be formed on the upper surface of the current spreading layer 30 so as to refract light and emit it to the outside.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 상기 제 1 개구부(51)와 상기 제 2 개구부(52)는 서로 연결되어 직사각형의 형상을 가지는 것도 가능하다. 따라서, 전류는 상기 제 1 개구부(51)와 상기 제 2 개구부(52)를 피해서 돌아가는 방향으로 유도되는 동시에 상기 제 1 개구부(51)와 상기 제 2 개구부(52)를 통해서 광이 추출될 수 있는 것이다.5 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another exemplary embodiment of the present invention. As illustrated in FIG. 5, the pair of first openings 51 and the second openings 52 may be connected to each other to have a rectangular shape. Therefore, the electric current is induced in the direction of returning away from the first opening 51 and the second opening 52 and at the same time light can be extracted through the first opening 51 and the second opening 52. will be.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 상기 제 1 개구부(61)와 상기 제 2 개구부(62)는 서로 연결되는 부분 원호형상을 가지는 것도 가능하다. 상기 부분 원호 형상은 상기 제 1 전극(21)을 향하는 방향으로 구부러질 수 있고, 이와 반대 방향으로 구부러질 수 있다. 6 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the pair of first openings 61 and the second openings 62 may have a partial arc shape connected to each other. The partial arc shape may be bent in the direction toward the first electrode 21, and may be bent in the opposite direction.

따라서, 전류는 상기 제 1 개구부(61)와 상기 제 2 개구부(62)를 피해서 돌아가는 방향으로 유도되는 동시에 상기 제 1 개구부(61)와 상기 제 2 개구부(62)를 통해서 광이 추출될 수 있는 것이다.Therefore, the electric current is induced in the direction of returning away from the first opening 61 and the second opening 62 and at the same time light can be extracted through the first opening 61 and the second opening 62. will be.

상기 제 1 개구부(61)와 상기 제 2 개구부(62)는 서로 연결된 일체형 개구부이고, 상기 일체형 개구부는 상기 핑거(22f)와 교차될 수 있다.The first opening 61 and the second opening 62 may be integral openings connected to each other, and the integrated opening may intersect the finger 22f.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 개구부(71)와 상기 제 2 개구부(72)는 각각 삼각형상을 가지는 것도 가능하다. 따라서, 전류는 상기 제 1 개구부(71)와 상기 제 2 개구부(72)를 피해서 돌아가는 방향으로 유도되는 동시에 상기 제 1 개구부(71)와 상기 제 2 개구부(72)를 통해서 광이 추출될 수 있는 것이다.7 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the first opening 71 and the second opening 72 may each have a triangular shape. Therefore, the electric current is induced in the direction of turning away from the first opening 71 and the second opening 72 and at the same time light can be extracted through the first opening 71 and the second opening 72. will be.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 개구부(81)와 상기 제 2 개구부(82)는 각각 직각삼각형상을 가지는 것도 가능하다. 따라서, 전류는 상기 제 1 개구부(81)와 상기 제 2 개구부(82)를 피해서 돌아가는 방향으로 유도되는 동시에 상기 제 1 개구부(81)와 상기 제 2 개구부(82)를 통해서 광이 추출될 수 있는 것이다.8 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, the first opening 81 and the second opening 82 may have a right triangle shape, respectively. Therefore, the electric current is induced in the direction of returning away from the first opening 81 and the second opening 82 and at the same time light can be extracted through the first opening 81 and the second opening 82. will be.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극(21)은, 본딩 패드(21b) 및 상기 본딩 패드(21b)에 연결되고, 상기 핑거(22f)의 좌측 방향 및 우측 방향으로 각각 연장되는 보조 전극(21s)을 포함할 수 있다. 따라서, 전류는 상기 제 1 개구부(31)와 상기 제 2 개구부(32)를 피해서 상기 보조 전극(21s) 방향으로 유도되는 동시에 상기 제 1 개구부(31)와 상기 제 2 개구부(32)를 통해서 광이 추출될 수 있는 것이다.9 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the first electrode 21 is connected to a bonding pad 21b and the bonding pad 21b and extends in the left and right directions of the finger 22f, respectively. (21s) may be included. Accordingly, current is induced in the direction of the auxiliary electrode 21s by avoiding the first opening 31 and the second opening 32 and at the same time, light passes through the first opening 31 and the second opening 32. This can be extracted.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 전류 분산층(30)은, 상기 보조 전극(21s)과 부분적으로 접촉되도록 요철형 패턴(33)을 가질 수 있다. 따라서, 전류는 상기 제 1 개구부(31)와 상기 제 2 개구부(32)를 피해서 상기 보조 전극(21s)의 요철형 패턴(33) 방향으로 유도되는 동시에 상기 제 1 개구부(31)와 상기 제 2 개구부(32)를 통해서 광이 추출될 수 있는 것이다.10 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, the current spreading layer 30 may have an uneven pattern 33 to partially contact the auxiliary electrode 21s. Therefore, the current is induced in the direction of the uneven pattern 33 of the auxiliary electrode 21s to avoid the first opening 31 and the second opening 32 and at the same time the first opening 31 and the second opening. Light may be extracted through the opening 32.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드는, 상기 발광구조물(10)의 테두리를 둘러싸는 절연벽(50)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 절연벽(50)은 반사물질을 포함할 수 있다. 따라서, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 활성층(13)에서 발생된 광은 상기 절연벽(50)에 의해 상기 발광구조물(10)의 전방으로 반사되어 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 것이다. 11 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, the light emitting diode having the opening according to another embodiment of the present invention may further include an insulating wall 50 surrounding the edge of the light emitting structure 10. Here, the insulating wall 50 may include a reflective material. Therefore, as shown in FIG. 12, the light generated in the active layer 13 is reflected by the insulating wall 50 toward the front of the light emitting structure 10 to improve light extraction efficiency.

또한, 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 정단면도이고, 도 13은 도 12의 측단면도이다. 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드는, 상기 제 1 개구부(91), 상기 제 2 개구부(92), 또는 이들 모두를 충진하는 절연충진부(93)를 더 포함하고, 상기 전류 분산층(30) 및 상기 발광구조물(10)을 보호하는 외측 절연 부재(94)를 더 포함할 수 있다.12 is a front sectional view showing a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a side sectional view of FIG. As shown in FIGS. 12 and 13, a light emitting diode having an opening according to still another embodiment of the present invention may include insulation filling the first opening 91, the second opening 92, or both. The semiconductor device may further include a filling part 93, and may further include an outer insulating member 94 that protects the current spreading layer 30 and the light emitting structure 10.

여기서, 이러한 절연충진부(93) 및 외측 절연 부재(94)는 산화실리콘이나 합성수지 등 투명 재질 또는 반사 방지 재질로 이루어질 수 있고, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 개구부(91) 및 제 2 개구부(92)는 상기 활성층(13)을 관통하여 상기 제 1 도전형 반도체층(11)을 노출시키는 깊이(L)를 가지는 것도 가능하다. 따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 전류는 상기 제 1 개구부(91)와 상기 제 2 개구부(92)를 피해서 상기 보조 전극(21s) 방향으로 골고루 유도되는 동시에 상기 활성층(13)에서 발생된 광이 상기 제 1 개구부(91)와 상기 제 2 개구부(92)의 절연충진부(93)를 통해서 유도되어 외부로 추출될 수 있는 것이다.Here, the insulating filling part 93 and the outer insulating member 94 may be made of a transparent material such as silicon oxide or synthetic resin or an antireflection material, and as shown in FIGS. 12 and 13, the first opening 91 ) And the second opening 92 may have a depth L through the active layer 13 to expose the first conductive semiconductor layer 11. Therefore, as shown in FIG. 11, the current is evenly induced in the direction of the auxiliary electrode 21s by avoiding the first opening 91 and the second opening 92 and at the same time, the light generated in the active layer 13. The first opening 91 and the second opening 92 is guided through the insulating filling portion 93 can be extracted to the outside.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드의 전류 흐름을 나타내는 평면도이다. 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드는, 발광구조물(10)과, 제 1 전극(21)과, 제 2 전극(23) 및 전류 분산층(30)을 포함하여 이루어지는 구성이다.14 is a plan view illustrating a current flow of a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 14, a light emitting diode having an opening according to another embodiment of the present invention includes a light emitting structure 10, a first electrode 21, a second electrode 23, and a current spreading layer ( 30) is configured to include.

여기서, 상기 제 2 전극(23)은, 상기 제 2 도전형 반도체층(12)에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드(23b) 및 상기 제 1 전극(21)을 향하는 방향으로 구불 구불하게 연장된 핑거(23f)를 가질 수 있다.Here, the second electrode 23 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 12, and the finger is twisted and extended in a direction toward the bonding pad 23b and the first electrode 21. It may have 23f.

또한, 상기 전류 분산층(30)은, 상기 제 2 도전형 반도체층(12) 상에 위치하고, 상기 핑거(23f)의 하부에 형성되는 직선형 개구부(43)를 포함할 수 있다.In addition, the current spreading layer 30 may be disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 12 and may include a straight opening 43 formed under the finger 23f.

따라서, 상술된 구불 구분하게 연장된 상기 핑거(23f)는, 상기 직선형 개구부(43)로 인해 상기 핑거(23f)의 우측 방향에 형성된 상기 전류 분산층(30)의 제 1 영역(301)과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 1 접촉부(23fa) 및 상기 핑거(23f)의 좌측 방향에 형성된 상기 전류 분산층(30)의 제 2 영역(302)과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 2 접촉부(23fb)를 포함할 수 있는 것이다. 그러므로, 전류는 상기 직선형 개구부(43)를 피해서 다양한 방향으로 유도되는 동시에 상기 직선형 개구부(43)를 통해서 광이 외부로 추출될 수 있는 것이다.Therefore, the above-mentioned curvedly extending finger 23f contacts the first region 301 of the current spreading layer 30 formed in the right direction of the finger 23f due to the straight opening 43. At least one first contact portion 23fa and at least one second contact portion 23fb contacting the second region 302 of the current spreading layer 30 formed on the left side of the finger 23f. It can be. Therefore, current is guided in various directions to avoid the straight opening 43, and light can be extracted to the outside through the straight opening 43.

상술한 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드가 래터럴(lateral) 형태를 가지는 경우에 대하여 설명되었으나, 이는 예시적이다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는 플립칩(flip-chip)형, 버티컬(vertical)형, 또는 다양한 형상을 가질 수 있음을 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 이해할 수 있다.In the above-described embodiments, the case where the light emitting diode has a lateral shape has been described, but this is exemplary. Those skilled in the art may understand that the light emitting diode according to the spirit of the present invention may have a flip-chip type, a vertical type, or various shapes.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드 패키지(1000)를 나타내는 단면도이다. 15 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package 1000 having an opening according to an embodiment of the present invention.

도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드 패키지(1000)는, 상술된 상기 발광 다이오드(100)와, 상기 제 1 전극(21), 제 2 전극(22) 또는 이들 모두와 와이어(200)로 연결되는 리드프레임(300) 및 상기 발광 다이오드(100)와 리드프레임(300)을 덮어 보호하는 투명 보호층(400)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 15, the LED package 1000 having the opening according to the exemplary embodiment of the present invention includes the above-described LED 100, the first electrode 21, and the second electrode 22. Or a lead frame 300 connected to the wire 200 and all of them, and a transparent protective layer 400 covering and protecting the light emitting diodes 100 and the lead frame 300.

따라서, 상기 리드프레임(300)을 통하여 전류가 제공되면, 발광 다이오드(100)의 발광 구조물에서 광이 방출되고, 이어서 투명 보호층(400)을 통하여 발광된다. 이러한, 발광 다이오드 패키지(1000)는 예시적이며, 본 발명은 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.Therefore, when a current is provided through the lead frame 300, light is emitted from the light emitting structure of the light emitting diode 100, and then emitted through the transparent protective layer 400. Such a light emitting diode package 1000 is exemplary, and the present invention is not limited thereto.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 개구부를 갖는 발광 다이오드 제작방법은, 제 1 도전형 반도체층(11), 활성층(13), 제 2 도전형 반도체층(12)이 순차적으로 적층된 발광구조물(10)을 형성하는 단계와, 상기 발광구조물(10) 상에 전류 분산층(30)을 형성하는 단계와, 상기 전류 분산층(30)에 제 1 개구부(31) 및 제 2 개구부(32)를 형성하는 단계 및 상기 제 1 개구부(31)와 제 2 개구부(32)가 각각 우측 방향 및 좌측 방향에 배치되도록 상기 제 1 개구부(31)와 제 2 개구부(32)의 상방에 제 2 전극(22)을 형성하는 일련의 단계들을 포함하여 이루어질 수 있다.On the other hand, in the light emitting diode manufacturing method having an opening according to an embodiment of the present invention, a light emitting structure in which the first conductive semiconductor layer 11, the active layer 13, the second conductive semiconductor layer 12 is sequentially stacked Forming (10), forming a current spreading layer (30) on the light emitting structure (10), and a first opening (31) and a second opening (32) in the current spreading layer (30). Forming a first electrode 31 and a second electrode 32 above the first opening 31 and the second opening 32 so that the first opening 31 and the second opening 32 are disposed in the right direction and the left direction, respectively. 22) may comprise a series of steps to form.

여기서, 상기 전류 분산층(30)에 제 1 개구부(31) 및 제 2 개구부(32)를 형성하는 단계는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE), 습식 식각 또는 건식 식각 등 다양한 형태의 식각 공정을 포함할 수 있다.The forming of the first opening 31 and the second opening 32 in the current spreading layer 30 may include inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), wet etching, or the like. Various types of etching processes, such as dry etching, may be included.

본 발명은 상술한 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상을 해치지 않는 범위 내에서 당업자에 의한 변형이 가능함은 물론이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and of course, modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명에서 권리를 청구하는 범위는 상세한 설명의 범위 내로 정해지는 것이 아니라 후술되는 청구범위와 이의 기술적 사상에 의해 한정될 것이다.Therefore, the scope of the claims in the present invention will not be defined within the scope of the detailed description, but will be defined by the following claims and their technical spirit.

10: 발광구조물 11: 제 1 도전형 반도체층
12: 제 2 도전형 반도체층 13: 활성층
21: 제 1 전극 22: 제 2 전극
22b: 본딩 패드 22f: 핑거
30: 전류 분산층 301: 제 1 영역
302: 제 2 영역
31, 51, 61, 71, 81, 91: 제 1 개구부
32, 52, 62, 72, 82, 92: 제 2 개구부
40: 기판 41: 반사층
100: 발광 다이오드 22fa: 제 1 접촉부
22fb: 제 2 접촉부 21b: 본딩 패드
21s: 보조 전극 33: 요철형 패턴
50: 절연벽 93: 절연충진부
94: 외측 절연 부재 L: 깊이
23: 제 2 전극 23b: 본딩 패드
23f: 핑거 43: 직선형 개구부
23fa: 제 1 접촉부 23fb: 제 2 접촉부
200: 와이어 300: 리드프레임
400: 투명 보호층 1000: 발광 다이오드 패키지10: light emitting structure 11: first conductive semiconductor layer
12: second conductive semiconductor layer 13: active layer
21: first electrode 22: second electrode
22b: bonding pad 22f: finger
30: current spreading layer 301: first region
302: second region
31, 51, 61, 71, 81, 91: first opening
32, 52, 62, 72, 82, 92: second opening
40: substrate 41: reflective layer
100: light emitting diode 22fa: first contact portion
22fb: second contact portion 21b: bonding pad
21s: auxiliary electrode 33: uneven pattern
50: insulation wall 93: insulation filling unit
94: outer insulation member L: depth
23: second electrode 23b: bonding pads
23f: finger 43: straight opening
23fa: first contact 23fb: second contact
200: wire 300: leadframe
400: transparent protective layer 1000: light emitting diode package

Claims (20)

제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고,
다수개의 상기 제 1 개구부와 다수개의 상기 제 2 개구부는 서로 연결되어 상기 핑거를 따라 구불 구불한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
One or more first openings disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger and at least one second disposed in a left direction of the finger based on a direction toward the first electrode. A current spreading layer including an opening;
The light emitting diode having an opening, characterized in that the plurality of first openings and the plurality of second openings are connected to each other to have a serpentine shape along the finger. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 핑거는, 상기 핑거의 우측 방향에 형성된 상기 전류 분산층의 제 1 영역과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 1 접촉부; 및 상기 핑거의 좌측 방향에 형성된 상기 전류 분산층의 제 2 영역과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 2 접촉부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The finger may include at least one first contact portion in contact with a first region of the current spreading layer formed in a right direction of the finger; And at least one second contact portion in contact with a second region of the current spreading layer formed in a left direction of the finger. 제 1 항에 있어서,
한 쌍의 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결되는 직사각형의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light emitting diode having an opening, characterized in that the pair of the first opening and the second opening has a rectangular shape connected to each other. 제 1 항에 있어서,
한 쌍의 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결되는 부분 원호형상을 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light emitting diode having an opening, characterized in that the pair of the first opening and the second opening has a partial arc shape connected to each other. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고,
한 쌍의 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결되는 부분 원호형상을 가지고,
상기 부분 원호 형상은 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 구부러진 형상인 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
One or more first openings disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger and at least one second disposed in a left direction of the finger based on a direction toward the first electrode. A current spreading layer including an opening;
The pair of first openings and the second openings have a partial arc shape connected to each other,
And the partial arc shape is bent in a direction toward the first electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 서로 연결된 일체형 개구부이고,
상기 일체형 개구부는 상기 핑거와 교차되는 형상인 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The first opening and the second opening is an integral opening connected to each other,
And the integrated opening is shaped to intersect the finger. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고,
상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 각각 삼각형상을 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
One or more first openings disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger and at least one second disposed in a left direction of the finger based on a direction toward the first electrode. A current spreading layer including an opening;
The light emitting diode having the opening portion, wherein the first opening portion and the second opening portion each have a triangular shape. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고,
상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부는 각각 직각삼각형상을 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
One or more first openings disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger and at least one second disposed in a left direction of the finger based on a direction toward the first electrode. A current spreading layer including an opening;
The first and second openings each have a right triangle shape, wherein the light emitting diode having an opening. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은,
본딩 패드; 및
상기 본딩 패드에 연결되고, 상기 핑거의 좌측 방향 및 우측 방향으로 각각 연장되는 보조 전극;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The first electrode,
Bonding pads; And
An auxiliary electrode connected to the bonding pad and extending in a left direction and a right direction of the finger, respectively;
Light emitting diode having an opening, characterized in that it comprises a. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고,
상기 제 1 전극은,
본딩 패드; 및
상기 본딩 패드에 연결되고, 상기 핑거의 좌측 방향 및 우측 방향으로 각각 연장되는 보조 전극;을 포함하며,
상기 전류 분산층은,
상기 보조 전극과 부분적으로 접촉되도록 요철형 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
One or more first openings disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger and at least one second disposed in a left direction of the finger based on a direction toward the first electrode. A current spreading layer including an opening;
The first electrode,
Bonding pads; And
And an auxiliary electrode connected to the bonding pad and extending in a left direction and a right direction of the finger, respectively.
The current spreading layer,
And an opening having a concave-convex pattern to partially contact the auxiliary electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 발광구조물의 테두리를 둘러싸는 절연벽;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And an insulating wall surrounding the edge of the light emitting structure. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고,
상기 발광구조물의 테두리를 둘러싸는 절연벽;을 더 포함하며,
상기 절연벽은 반사물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
One or more first openings disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger and at least one second disposed in a left direction of the finger based on a direction toward the first electrode. A current spreading layer including an opening;
And an insulating wall surrounding an edge of the light emitting structure.
And the insulating wall includes a reflective material. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 개구부, 상기 제 2 개구부, 또는 이들 모두를 충진하는 절연충진부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And an insulating filling part filling the first opening, the second opening, or both. 제 1 항에 있어서,
상기 전류 분산층 및 상기 발광구조물을 보호하는 외측 절연 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And an outer insulation member for protecting the current spreading layer and the light emitting structure. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 개구부 및 제 2 개구부는 상기 활성층을 관통하여 상기 제 1 도전형 반도체층을 노출시키는 깊이를 가지는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And the first opening and the second opening have a depth through the active layer to expose the first conductive semiconductor layer. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 구불 구불하게 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 핑거의 하부에 형성되는 직선형 개구부를 포함하는 전류 분산층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer;
A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer, the second electrode having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And
A current spreading layer disposed on the second conductive semiconductor layer and including a straight opening formed under the finger;
Light emitting diode having an opening, characterized in that it comprises a. 제 18 항에 있어서,
상기 핑거는, 상기 핑거의 우측 방향에 형성된 상기 전류 분산층의 제 1 영역과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 1 접촉부; 및 상기 핑거의 좌측 방향에 형성된 상기 전류 분산층의 제 2 영역과 접촉되는 적어도 하나 이상의 제 2 접촉부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드.The method of claim 18,
The finger may include at least one first contact portion in contact with a first region of the current spreading layer formed in a right direction of the finger; And at least one second contact portion in contact with a second region of the current spreading layer formed in a left direction of the finger. 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드 및 상기 제 1 전극을 향하는 방향으로 연장된 핑거를 가지는 제 2 전극; 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 위치하고, 상기 제 1 전극을 향하는 방향을 기준으로, 상기 핑거의 우측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 1 개구부 및 상기 핑거의 좌측 방향에 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 개구부를 포함하는 전류 분산층;을 포함하고, 다수개의 상기 제 1 개구부와 다수개의 상기 제 2 개구부는 서로 연결되어 상기 핑거를 따라 구불 구불한 형상을 가지는 발광 다이오드;
상기 제 1 전극, 제 2 전극 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임; 및
상기 발광 다이오드와 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 개구부를 갖는 발광 다이오드 패키지.A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger extending in a direction toward the first electrode; And at least one first opening disposed on the second conductive semiconductor layer and disposed in a right direction of the finger, and at least one disposed in a left direction of the finger, based on a direction toward the first electrode. A light emitting diode comprising: a current spreading layer including two openings, wherein the plurality of first openings and the plurality of second openings are connected to each other and have a serpentine shape along the finger;
A lead frame connected to the first electrode, the second electrode, or both by wire; And
A transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame;
Light emitting diode package having an opening, characterized in that it comprises a.
KR1020110005994A 2011-01-20 2011-01-20 Light Emitting Diode having an open part and its Light Emitting Diode package KR101223226B1 (en)

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