KR101148189B1 - Light emitting diode having finger and light emitting diode package - Google Patents

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KR101148189B1
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오병준
최공희
송준영
임미정
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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode having a finger and a light emitting diode package are provided to increase external quantum efficiency by preventing a current concentration phenomenon. CONSTITUTION: A light emitting structure(110) is located on a substrate(100). The light emitting structure comprises a first conductive semiconductor layer(112), an active layer(114), and a second conductive semiconductor layer(116). A first electrode(130) is electrically connected to the first conductive semiconductor layer. A second electrode(140) is electrically connected to the second conductive semiconductor layer. The second electrode includes a bonding pad(142) and a finger(144). The finger includes a first arc(144a) closed to a first direction and a second arc(144b) closed to a second direction.

Description

핑거를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지{Light emitting diode having finger and light emitting diode package}Light emitting diode having a finger and light emitting diode package

본 발명의 기술적 사상은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전류 집중 현상을 방지하여 전류의 분산을 원활하게 하는 핑거가 형성된 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode and a light emitting diode package in which a finger is formed to prevent current concentration and smoothly distribute current.

발광다이오드는 공기에 비하여 높은 굴절률을 가지므로, 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광의 많은 부분이 소자 내부에 잔존하게 된다. 이러한 광자는 외부로 탈출하기 전에 박막, 기판, 전극 등 여러 경로를 거치게 되며, 이에 따른 흡수에 의하여 외부양자효율이 감소된다. 이러한 외부양자효율의 증가를 위한 다양한 연구가 계속되고 있다.Since the light emitting diode has a higher refractive index than air, much of the light generated by the recombination of electrons and holes remains in the device. These photons pass through various paths such as a thin film, a substrate, and an electrode before escaping to the outside, and the external quantum efficiency is reduced by absorption. Various studies for increasing the external quantum efficiency are continuing.

특히, p-전극과 n-전극 사이에서 발생되는 전류 집중 현상에 의하여, 활성층 전체에 대하여 전류를 균일하게 분산하지 못하고, 전극 주변에 전류가 집중됨으로써 전극으로부터 멀리 떨어진 영역에 상대적으로 어두운 암부를 발생시킨다. 이러한 전류 집중 현상에 의하여 외부양자효율이 저하되고, 국부적인 열화나 노화 현상이 발생되는 등의 문제점이 있었다.In particular, due to the current concentration phenomenon generated between the p-electrode and the n-electrode, the current is not uniformly distributed over the entire active layer, and current is concentrated around the electrode, so that dark areas are generated in a region far from the electrode. Let's do it. Due to such a current concentration phenomenon, the external quantum efficiency is lowered, and there are problems such as local degradation and aging.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 핑거를 형성하여 전류 집중을 감소시키고, 이에 따라 외부양자효율을 향상시킬 수 있는 핑거를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode and a light emitting diode package having a finger that can form a finger to reduce the current concentration, thereby improving the external quantum efficiency.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 기판, 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며 본딩 패드 및 핑거을 가지는 제2 전극을 포함하되, 상기 핑거는 제1 방향으로 닫혀있는 제1 원호와 상기 제1 방향과는 반대 방향인 제2 방향으로 닫혀있는 제2 원호를 가진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode including a substrate, a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate. And a first electrode electrically connected to the conductive semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer and having a bonding pad and a finger, wherein the finger is closed in a first direction. It has a second circular arc closed in a second direction opposite to the first direction.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 원호와 상기 제2 원호는 각각 복수개이며, 상기 핑거는 상기 제1 원호와 상기 제2 원호가 교번적으로 배치될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first circular arc and the second circular arc may each be plural, and the finger may be alternately disposed with the first circular arc and the second circular arc.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 핑거는, 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하는 제3 방향을 따라서 상기 제1 원호와 상기 제2 원호가 열을 이루도록 교번적으로 배치될 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the fingers may be alternately arranged such that the first arc and the second arc arc along a third direction from the bonding pad toward the first electrode.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 각각 상기 제3 방향에 대하여 수직 방향일 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the first direction and the second direction may be perpendicular to the third direction, respectively.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 교번적으로 배치되는 상기 제1 원호와 상기 제2 원호를 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다. In some embodiments of the present invention, the first circular arc and the second circular arc arranged alternately may further include a connecting portion.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 연결부는 상기 제1 원호의 선폭 및 상기 제2 원호의 선폭보다 큰 선폭을 가질 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the connecting portion may have a line width greater than the line width of the first arc and the line width of the second arc.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 원호 및 상기 제2 원호를 각각 덮는 마이크로 렌즈층을 더 포함할 수 있다. In some embodiments of the present invention, the method may further include a micro lens layer covering the first arc and the second arc.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 원호 또는 상기 제2 원호는 우호일 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first arc or the second arc may be friendly.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 원호 및 상기 제2 원호는 정원의 원호일 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first arc and the second arc may be arcs of a garden.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지는, 기판, 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며 본딩 패드 및 핑거을 가지는 제2 전극을 포함하되, 상기 핑거는 제1 방향으로 닫혀있는 복수개의 제1 원호와 상기 제1 방향과는 반대 방향인 제2 방향으로 닫혀있는 복수개의 제2 원호를 가진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a substrate, a light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate. And a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer and having a bonding pad and a finger, wherein the fingers are closed in a first direction. It has a circular arc and the some 2nd circular arc closed in the 2nd direction opposite to a said 1st direction.

본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 닫혀있는 방향이 다른 원호형상들을 가지는 핑거를 형성함으로써, 발광구조물에 더 균일하게 전류를 제공하고, 발광량이 높은 발광구조물의 면적을 더 크게 하여 외부 양자효율을 증가시킬 수 있다.The light emitting diode according to the technical concept of the present invention forms a finger having arc shapes different in the closed direction, thereby providing a current to the light emitting structure more uniformly, and increasing the area of the light emitting structure having a high emission amount, thereby increasing external quantum efficiency. Can be increased.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1a)의 상면도이다. 도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 4의 선 V-V를 따라 절취된 발광 다이오드(1a)의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1b)의 사시도이다. 도 7는 본 발명의 일부 실시예에 따른 발광 다이오드(1b)의 상면도이다.
도 8은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1c)의 사시도이다. 도 9는 본 발명의 일부 실시예에 따른 발광 다이오드(1c)의 상면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1d)의 상면도이다. 도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 10의 선 X-X를 따라 절취된 발광 다이오드(1d)의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.
4 is a top view of the light emitting diode 1a according to some embodiments of the present invention. 5 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1a taken along the line VV of FIG. 4 in accordance with some embodiments of the present invention.
6 is a perspective view of a light emitting diode 1b according to some embodiments of the present disclosure. 7 is a top view of a light emitting diode 1b in accordance with some embodiments of the present invention.
8 is a perspective view of a light emitting diode 1c according to some embodiments of the present disclosure. 9 is a top view of the light emitting diode 1c in accordance with some embodiments of the present invention.
10 is a top view of the light emitting diode 1d according to some embodiments of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view of a light emitting diode 1d taken along line XX of FIG. 10 in accordance with some embodiments of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 명세서 전체에 걸쳐서 층, 영역, 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접적으로 연결되어", 또는 "직접적으로 하에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention; Embodiments of the present invention are provided to more fully explain the technical idea of the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in many different forms, and The scope of the technical idea is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of description. Like numbers refer to like elements herein. Throughout the specification, when referring to one component, such as a layer, region, or substrate, being located on, “connected”, or “under” another component, the one component is directly in another configuration. It may be interpreted that there may be other components in contact with or interposed between, or “on,” “connected”, or “under” an element. On the other hand, when one component is referred to as being located on another component "directly on", "directly connected", or "directly under", it is interpreted that there are no other components intervening therebetween. do.

도면에서 전류의 흐름은 실선 화살표로 도시되어 있고, 광의 진행은 점선 화살표로 도시되어 있다.In the figure the flow of current is shown by solid arrows and the progress of light is shown by dashed arrows.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 다이오드(1)는 기판(100) 및 기판(100)의 제1 면(102) 상에 위치한 발광구조물(110), 제1 전극(130), 제2 전극(140)을 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), 기판(100)의 제2 면(104)에 위치한 제1 반사 부재(170), 제2 반사 부재(180), 또는 이들 모두를 더 포함할 수 있다. 발광구조물(110) 상에는 전류 분산층(120, current spreading layer)이 더 형성될 수 있다. 1 to 3, the light emitting diode 1 includes a light emitting structure 110, a first electrode 130, and a second electrode disposed on the substrate 100 and the first surface 102 of the substrate 100. 140. In addition, the first reflective member 170, the second reflective member 180, or both may be further included on the second surface 104 of the substrate 100. A current spreading layer 120 may be further formed on the light emitting structure 110.

기판(100)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 탄화물(SiC), 갈륨 질화물(GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 질화물(AlN), 붕산 질화물(BN), 갈륨 인화물(GaP), 인듐 인화물(InP), 리튬-알루미늄 산화물(LiAl2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100)의 상면, 하면, 또는 이들 모두에는 광을 반사시킬 수 있는 요철 패턴(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 요철 패턴은 스트라이프 형태, 렌즈 형태, 기둥 형태, 뿔 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The substrate 100 includes sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), silicon (Si), germanium (Ge), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide ( MgO), aluminum nitride (AlN), borate nitride (BN), gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), and lithium-aluminum oxide (LiAl 2 O 3 ) may be included. Although not shown, an uneven pattern (not shown) capable of reflecting light may be formed on an upper surface, a lower surface, or both of the substrate 100, and the uneven pattern may have a stripe shape, a lens shape, a pillar shape, and an horn. It may have various shapes such as shape.

기판(100)의 제1 면(102) 상에는 기판(100)과 발광구조물(110) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(106)이 위치할 수 있다. 버퍼층(106)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, AlInN 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100) 또는 버퍼층(106) 상에 언도프드(undoped) 반도체층(미도시)이 위치할 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 GaN를 포함할 수 있다.A buffer layer 106 may be disposed on the first surface 102 of the substrate 100 to mitigate lattice mismatch between the substrate 100 and the light emitting structure 110. The buffer layer 106 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include, for example, at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, and AlInN. Although not shown, an undoped semiconductor layer (not shown) may be disposed on the substrate 100 or the buffer layer 106, and the undoped semiconductor layer may include GaN.

발광구조물(110)은 기판(100) 상에 위치할 수 있고, 또한 버퍼층(106) 상에 위치할 수 있다. 발광구조물(110)은 복수의 도전형 반도체층이 기판(100)을 기준으로 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이하에서는 발광구조물(110)이 n-p 접합 구조인 경우를 일 예로 설명하기로 한다.The light emitting structure 110 may be located on the substrate 100 and may also be located on the buffer layer 106. The light emitting structure 110 may have a plurality of conductive semiconductor layers formed of any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure based on the substrate 100. Hereinafter, a case in which the light emitting structure 110 is an n-p junction structure will be described as an example.

발광구조물(110)은 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다. 발광구조물(110)은, 예를 들어 전자빔 증착(electron beam evaporation), 물리기상증착(physical vapor deposition, PVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD, PECVD), 플라즈마 레이저 증착(plasma laser deposition, PLD), 듀얼 타입 열증착(dual-type thermal evaporator), 스퍼터링(sputtering), 유기금속 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductive semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive semiconductor layer 116 sequentially stacked. The light emitting structure 110 may include, for example, electron beam evaporation, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced CVD (PECVD), and the like. , Plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

발광구조물(110)에 순방향으로 전압을 인가하면, 활성층(114)의 전도대에 있는 전자와 가전자대에 있는 정공이 천이되어 재결합하고, 에너지 갭에 해당하는 에너지가 광으로 방출된다. 활성층(114)을 구성하는 물질의 종류에 따라서 방출되는 광의 파장이 결정된다. 또한, 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공을 활성층(114)에 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(112)과 제2 도전형 반도체층(116)은 서로 다른 도전형을 가지도록 서로 다른 불순물들을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n형 불순물들을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 불순물들을 포함할 수 있다. 이러한 경우에는, 제1 도전형 반도체층(112)는 전자를 제공할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 정공을 제공할 수 있다. 또한, 이와 반대로, 제1 도전형 반도체층(112)이 p형이고, 제2 도전형 반도체층(116)이 n형인 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 각각 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 갈륨 질화물계 물질을 포함할 수 있다.When a voltage is applied to the light emitting structure 110 in the forward direction, electrons in the conduction band of the active layer 114 and holes in the valence band transition and recombine, and energy corresponding to the energy gap is emitted as light. The wavelength of the emitted light is determined by the type of material constituting the active layer 114. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 112 and the second conductivity type semiconductor layer 116 may perform a function of providing electrons or holes to the active layer 114 according to the applied voltage. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may include different impurities to have different conductivity types. For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type impurities, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may include p-type impurities. In this case, the first conductivity type semiconductor layer 112 may provide electrons, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may provide holes. Conversely, the case where the first conductive semiconductor layer 112 is p-type and the second conductive semiconductor layer 116 is n-type is also included in the technical idea of the present invention. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may each include a group III-V compound material, and may include, for example, a gallium nitride-based material.

제1 도전형 반도체층(112)은 n형 도펀트(dopant)가 도핑된 n-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 n-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 112 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant, for example, n-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type GaN. The n-type dopant may be at least one of silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

제2 도전형 반도체층(116)은 p형 도펀트가 도핑된 p-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 p-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2 도전형 반도체층(116)은 p-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 p형 도펀트는 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 베릴륨(Be), 및 바륨(Ba) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제2 도전형 반도체층(116)은 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 116 may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, for example, p-type AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). For example, the second conductivity-type semiconductor layer 116 may include p-type GaN. The p-type dopant may be at least one of magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), beryllium (Be), and barium (Ba). Although not shown, the second conductive semiconductor layer 116 may have an uneven pattern (not shown) formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 116 to scatter and refract light to be emitted to the outside.

활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)에 비하여 낮은 에너지 밴드갭을 가지므로 발광을 활성화할 수 있다. 활성층(114)은 다양한 파장의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어 적외선, 가시 광선, 또는 자외선을 방출할 수 있다. 활성층(114)은 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있고, 예를 들어 InGaN 또는 AlGaN을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(114)은 단일양자우물(single quantum well, SQW) 또는 다중양자우물(multi quantum well, MQW)을 포함할 수 있다. 활성층(114)은 양자 우물층과 양자 장벽층의 적층 구조를 가질 수 있고, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 갯수는 설계 상의 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 활성층(114)은, 예를 들어 GaN/InGaN/GaN MQW 구조 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 활성층(114)은 구성 물질에 따라 방출되는 광의 파장이 달라지며, 예를 들어, 인듐의 양이 약 22%의 경우에는 청색 광을 발광할 수 있고, 약 40%의 경우에는 녹색 광을 발광할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상은 활성층(114)의 구성 물질에 대해 한정하는 것은 아니다.Since the active layer 114 has a lower energy band gap than the first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116, light emission may be activated. The active layer 114 may emit light of various wavelengths, and may emit infrared light, visible light, or ultraviolet light, for example. The active layer 114 may comprise a Group III-V compound material, for example AlxInyGazN (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1), for example It may include InGaN or AlGaN. In addition, the active layer 114 may include a single quantum well (SQW) or a multi quantum well (MQW). The active layer 114 may have a stacked structure of a quantum well layer and a quantum barrier layer, and the number of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be variously changed according to design needs. In addition, the active layer 114 may include, for example, a GaN / InGaN / GaN MQW structure or a GaN / AlGaN / GaN MQW structure. However, this is exemplary, and the active layer 114 has a wavelength of light emitted according to a constituent material, for example, when the amount of indium is about 22%, it may emit blue light, and about 40% It can emit green light. The technical spirit of the present invention is not limited to the constituent materials of the active layer 114.

발광구조물(110)은 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역이 제거된 메사(mesa) 영역을 가질 수 있고, 또한 제1 도전형 반도체층(112)의 일부가 제거될 수 있다. 활성층(114)은 상기 메사 영역에 한정되어 광을 방출할 수 있다. 상기 메사 영역을 형성함에 따라, 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역이 노출될 수 있다. 상기 메사 영역을 형성하기 위하여 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE), 습식 식각 또는 건식 식각을 이용할 수 있다.The light emitting structure 110 may have a mesa region in which some regions of the active layer 114 and the second conductive semiconductor layer 116 are removed, and a portion of the first conductive semiconductor layer 112 is removed. Can be. The active layer 114 may be limited to the mesa region to emit light. As the mesa region is formed, a portion of the first conductivity type semiconductor layer 112 may be exposed. In order to form the mesa region, inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), wet etching, or dry etching may be used.

전류 분산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 위치할 수 있다. 전류 분산층(120)은 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류를 제2 도전형 반도체층(116)에 대하여 균일하게 분산하는 기능을 수행할 수 있다. 전류 분산층(120)은 전체적으로 패턴이 없는 박막 형태를 가지거나 또는 일정한 패턴 형태를 가질 수 있다. 전류 분산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116)과의 접착성을 위해 메쉬(mesh) 구조의 패턴으로 형성될 수 있다. The current spreading layer 120 may be located on the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may uniformly distribute the current injected from the second electrode 140 with respect to the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may have a thin film shape without a pattern as a whole or may have a predetermined pattern shape. The current spreading layer 120 may be formed in a pattern of a mesh structure for adhesion to the second conductive semiconductor layer 116.

전류 분산층(120)은 투명하고 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 투명 전극층으로 지칭될 수 있다. 전류 분산층(120)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 니켈(Ni)과 금(Au)의 복합층일 수 있다. 또한, 전류 분산층(120)은 산화물을 포함할 수 있고, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IGO(indium gallium oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(aluminum tin oxide), IWO(indium tungsten oxide), CIO(cupper indium oxide), MIO(magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전류 분산층(120)은 예를 들어 증착(Evaporation) 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전류 분산층(120)은 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다. The current spreading layer 120 may include a transparent and conductive material, and may be referred to as a transparent electrode layer. The current spreading layer 120 may include a metal, and may be, for example, a composite layer of nickel (Ni) and gold (Au). In addition, the current spreading layer 120 may include an oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), or IAZO ( indium aluminum zinc oxide (GZO), gallium zinc oxide (GZO), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum tin oxide (ATO), indium tungsten oxide (IGWO), It may include at least one of cupper indium oxide (CIO), magnesium indium oxide (MIO), MgO, ZnO, In 2 O 3 , TiTaO 2 , TiNbO 2 , TiOx, RuOx, and IrOx. The current spreading layer 120 may be formed using, for example, evaporation or sputtering, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto. In addition, the current spreading layer 120 may be formed on the upper surface of the concave-convex pattern (not shown) to scatter and refract light to the outside.

제1 전극(130)은 상기 메사 영역으로부터 노출된 제1 도전형 반도체층(112) 상에 위치할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(130)은 제1 도전형 반도체층(112)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 포함할 수 있다. 제1 전극(130)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ti/Al, Cr/Au, Ti/Au, Au/Sn과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 전극(130)는 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The first electrode 130 may be positioned on the first conductive semiconductor layer 112 exposed from the mesa region, and may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 112. The first electrode 130 may include a material forming an ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 112. For example, gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and palladium (Pd) may be used. ), Titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh) ), Ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or alloys thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The first electrode 130 may be composed of a single layer or multiple layers, for example, may be composed of multiple layers such as Ti / Al, Cr / Au, Ti / Au, Au / Sn. The bonding electrode may be connected to the first electrode 130 in the packaging process.

제2 전극(140)은 제2 도전형 반도체층(114) 상에 위치할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 전극(140)은 전류 분산층(120) 상에 위치하여, 전류 분산층(120)을 통하여 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 서로 대향하도록 위치할 수 있다. 제2 전극(140)은 전류 분산층(120)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브를 포함할 수 있다. 제2 전극(140)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ni/Au, Pd/Au, Pd/Ni 과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 전극(140)은 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The second electrode 140 may be positioned on the second conductive semiconductor layer 114 and may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114. In addition, the second electrode 140 may be positioned on the current spreading layer 120 and electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114 through the current spreading layer 120. The first electrode 130 and the second electrode 140 may be positioned to face each other. The second electrode 140 may include a material forming an ohmic contact with the current spreading layer 120. For example, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), titanium (Ti), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or an alloy thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The second electrode 140 may be composed of a single layer or multiple layers. For example, the second electrode 140 may be formed of multiple layers such as Ni / Au, Pd / Au, and Pd / Ni. Bonding wires may be connected to the second electrode 140 in a package process.

제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 열증착, 전자빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 리프트 오프(lift-off), 도금법 등 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 오믹 콘택을 향상시키기 위하여 열처리될 수 있다.The first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed using thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering, or chemical vapor deposition. The technical idea of the present invention is not limited thereto. In addition, the first electrode 130 and the second electrode 140 may be formed using various methods such as a lift-off and a plating method. In addition, the first electrode 130 and the second electrode 140 may be heat treated to improve ohmic contact.

제2 전극(140)은 본딩 와이어가 연결되는 본딩 패드(142) 및 핑거(144)를 더 포함할 수 있다. 핑거(144)는 전류를 전류 분산층(120)에 더 균일하게 분산시킬 수 있다. 본딩 패드(142)와 핑거(144)는 동일한 물질로 형성될 수 있고, 동시에 형성될 수 있다. 핑거(144)는 제1 방향(-y 방향)으로 닫혀있는 제1 원호(144a)와 제1 방향(-y 방향)과는 반대 방향인 제2 방향(y 방향)으로 닫혀있는 제2 원호(144b)를 포함한다. 제1 원호(144a), 제2 원호(144b) 또는 제1 및 제2 원호(144a, 144b) 모두는 정원의 원호일 수 있다. 또는 제1 원호(144a), 제2 원호(144b) 또는 제1 및 제2 원호(144a, 144b) 모두는 타원의 원호일 수 있다. 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)가 각각 복수개인 경우, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)는 본딩 패드(142)로부터 교번적으로 배치되어 핑거(144)를 이룰 수 있다. 제1 전극(130)이 발광구조물(110)의 일측에 위치하고, 제2 전극(140) 중 본딩 패드(142)가 발광구조물(110)의 상기 일측에 대향하는 타측에 인접하도록 위치하는 경우, 핑거(144)를 이루는 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)는 본딩 패드(142)로부터 제1 전극(130)을 향하는 방향인 제3 방향(x 방향)을 따라서 열을 이루도록 교번적으로 배치될 수 있다. 제3 방향(x 방향)은 제1 방향(-y 방향) 및 제2 방향(y 방향)에 대하여 각각 서로 수직 방향일 수 있다. The second electrode 140 may further include a bonding pad 142 and a finger 144 to which the bonding wires are connected. Finger 144 may distribute the current more evenly in the current spreading layer 120. The bonding pads 142 and the fingers 144 may be formed of the same material and may be simultaneously formed. The finger 144 has a first circular arc 144a which is closed in a first direction (-y direction) and a second circular arc which is closed in a second direction (y direction) opposite to the first direction (-y direction). 144b). The first arc 144a, the second arc 144b, or both the first and second arcs 144a and 144b may be arcs of a garden. Alternatively, the first arc 144a, the second arc 144b, or both the first and second arcs 144a and 144b may be elliptical arcs. When there are a plurality of first circular arcs 144a and second circular arcs 144b, respectively, the first circular arcs 144a and the second circular arcs 144b are alternately disposed from the bonding pads 142 to form the fingers 144. Can be. When the first electrode 130 is positioned on one side of the light emitting structure 110, and the bonding pad 142 of the second electrode 140 is adjacent to the other side of the light emitting structure 110 opposite to the one side, the finger is positioned. The first circular arc 144a and the second circular arc 144b constituting 144 alternately form a row along a third direction (x direction), which is a direction from the bonding pad 142 to the first electrode 130. Can be arranged. The third direction (x direction) may be perpendicular to each other with respect to the first direction (-y direction) and the second direction (y direction), respectively.

후술하겠으나, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)는 제3 방향(x 방향)을 따라서 연장되는 직선 형상을 가지도록 형성되는 핑거의 선폭에 비하여 가는 선폭을 가질 수 있다. 즉, 상기 직선 형상을 가지는 핑거의 연장 길이, 즉 경로에 비하여, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)를 가지는 핑거(144)의 경로는 더 길어질 수 있다. 이 때, 상기 직선 형상을 가지는 핑거에 비하여 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)의 선폭을 가늘게 형성하면, 핑거(144)가 발광구조물(110)의 상면에서 차지하는 면적이 증가하지 않도록 할 수 있다. As will be described later, the first circular arc 144a and the second circular arc 144b may have a line width that is thinner than a line width of a finger formed to have a linear shape extending along the third direction (x direction). That is, the path of the finger 144 having the first circular arc 144a and the second circular arc 144b may be longer than the extension length of the straight finger. At this time, when the line widths of the first arc 144a and the second arc 144b are thinner than the fingers having the linear shape, the area of the finger 144 on the upper surface of the light emitting structure 110 does not increase. can do.

발광구조물(110)에서 방출되는 빛은 핑거(144)의 주변에서 가장 강할 수 있다. 따라서 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)를 사용하여 핑거(144)의 경로를 연장시키는 경우, 발광구조물(110)에서 발광량이 높은 부분, 즉, 발광량이 높은 발광구조물의 면적을 더 크게 할 수 있다. 이를 통하여, 핑거(144)가 발광구조물(110)의 상면에서 차지하는 면적은 증가시키지 않으면서 발광량은 증가시킬 수 있다. The light emitted from the light emitting structure 110 may be the strongest around the finger 144. Therefore, when the path of the finger 144 is extended by using the first arc 144a and the second arc 144b, the area of the light emitting structure 110 where the light emitting amount is high, that is, the light emitting structure is high. I can make it big. As a result, the amount of light emitted may be increased without increasing the area occupied by the finger 144 on the top surface of the light emitting structure 110.

또한 핑거(144)로부터 주입되는 전류는 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)가 이루는 경로를 따라서 주변으로 주입되므로, 발광구조물(110)의 더 많은 부분에 전류를 균일하게 제공할 수 있다. 따라서 빛의 추출 효율이 더 향상될 수 있다. In addition, since the current injected from the finger 144 is injected to the periphery along the path formed by the first arc 144a and the second arc 144b, the current can be uniformly provided to more portions of the light emitting structure 110. have. Therefore, the light extraction efficiency can be further improved.

제2 전극(140)의 하측에는 반사 전극층(148)을 더 포함할 수 있다. 반사 전극층(148)은 광을 반사하여 제2 전극(140)이 광을 흡수하는 것을 방지할 수 있다. 반사 전극층(148)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 이들의 합금, 은(Ag)계 산화물(Ag-O) 또는 APC 합금(Ag, Pd, Cu를 포함하는 합금)을 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 전류 분산층(120)과 제2 전극(140) 사이의 오믹 접촉을 증가시키는 물질로 구성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 이러한 반사 전극층(148)은 제1 전극(130)의 하측에도 형성될 수 있다.The reflective electrode layer 148 may be further included below the second electrode 140. The reflective electrode layer 148 may reflect light to prevent the second electrode 140 from absorbing light. The reflective electrode layer 148 may include aluminum (Al), silver (Ag), alloys thereof, silver (Ag) oxides (Ag-O), or APC alloys (alloys including Ag, Pd, and Cu). . In addition, the reflective electrode layer 148 may further include at least one of rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and platinum (Pt). Can be. In addition, the reflective electrode layer 148 may be formed of a material for increasing ohmic contact between the current spreading layer 120 and the second electrode 140. Although not shown, the reflective electrode layer 148 may also be formed under the first electrode 130.

제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)는 기판(100)의 제2 면(104) 상에 위치할 수 있고, 활성층(114)으로부터 방출된 광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 도면에서는, 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치하고 있으나, 이와 반대로 제2 반사 부재(180)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치할 수 있다.The first reflecting member 170 and the second reflecting member 180 may be positioned on the second surface 104 of the substrate 100 and may function to reflect light emitted from the active layer 114. have. In the drawing, although the first reflective member 170 and the second reflective member 180 are positioned in order from the second surface 104 of the substrate 100, the second reflective member 180 and the second reflective member are opposite to each other. It may be located in the order of 180.

제1 반사 부재(170)는 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector, DBR)일 수 있다. 제1 반사 부재(170)는 "mλ/4n" 의 두께를 각각 가지고 교대로 적층된 복수의 층들로 구성될 수 있다. 여기에서, λ는 방출되는 광의 파장, n은 매질의 굴절률, m은 홀수이다. 제1 반사 부재(170)은 저굴절률층(172)과 고굴절률층(174)의 적층 구조가 연속적으로 반복되어 적층 구조를 가질 수 있다. 저굴절률층(172)은, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2, 굴절률 1.4) 또는 알루미늄 산화물(Al2O3, 굴절률 1.6)을 포함할 수 있다. 고굴절률층(174)은, 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4, 굴절률 2.05~2.25) 티타늄 질화물(TiO2, 굴절률 2 이상), 또는 Si-H(굴절률 3 이상)를 포함할 수 있다.The first reflecting member 170 may be a distributed Bragg reflector (DBR). The first reflective member 170 may be composed of a plurality of layers alternately stacked with a thickness of “mλ / 4n”. Is the wavelength of the emitted light, n is the refractive index of the medium, and m is the odd number. The first reflective member 170 may have a stacked structure by repeatedly stacking the low refractive index layer 172 and the high refractive index layer 174. The low refractive index layer 172 may include, for example, silicon oxide (SiO 2 , refractive index 1.4) or aluminum oxide (Al 2 O 3 , refractive index 1.6). The high refractive index layer 174 may include, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 , refractive index 2.05 to 2.25) titanium nitride (TiO 2 , refractive index 2 or more), or Si—H (refractive index 3 or more). .

제2 반사 부재(180)는, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 이들을 합금을 포함할 수 있다. 제2 반사 부재(180)는 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있다.The second reflective member 180 may include, for example, a metal, for example, silver (Ag), aluminum (Al), rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), or nickel (Ni). ), Ruthenium (Ru), iridium (Ir), platinum (Pt) or an alloy thereof. The second reflective member 180 may be composed of a single layer or multiple layers.

도시하지는 않았으나 선택적으로(optionally), 반사 방지층이 전류 분산층(120) 상에 위치할 수 있다. 상기 반사 방지층)은 광의 내부 반사를 감소시키고, 내부에서 방출된 광을 산란 및 굴절시켜 외부로 더 용이하게 방출시키는 기능을 할 수 있다. 상기 반사 방지층은 울퉁불퉁한(roughened) 표면을 가질 수 있고, 규칙적인 패턴 또는 불규칙적 패턴일 수 있고, 또는 광결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있다. 상기 반사 방지층은 투명한 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 다공질 SiO2, KH2PO4(KDP), NH4H2PO4, CaCO3, BaB2O4, NaF, 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사 방지층은 전류 분산층(120) 상에 투명한 절연층을 형성하고, 상기 투명한 절연층을 식각하여 형성할 수 있다. 전류 분산층(120)이 형성되지 않은 경우, 상기 반사 방지층)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 형성될 수 있다. 상기 반사 방지층은 빛이 나오는 부분, 예를 들면 전류 분산층(120) 또는 제2 도전형 반도체층(116)보다는 굴절률이 작고, 빛이 나가는 부분, 즉 발광 다이오드(1)의 외부(예를 들면, 대기 또는 봉지재)보다는 굴절률이 큰 물질로 이루어질 수 있다. Although not shown optionally, an antireflection layer may be disposed on the current spreading layer 120. The anti-reflective layer) may function to reduce internal reflection of light and to more easily emit light by scattering and refracting the light emitted therein. The antireflective layer may have a roughened surface, may be a regular pattern or an irregular pattern, or may have a photonic crystal structure. The anti-reflection layer may include a transparent insulator, for example, silicon oxide (SiO 2 ), porous SiO 2 , KH 2 PO 4 (KDP), NH 4 H 2 PO 4 , CaCO 3 , BaB 2 O 4 , NaF And at least one of Al 2 O 3 . The anti-reflection layer may be formed by forming a transparent insulating layer on the current spreading layer 120 and etching the transparent insulating layer. When the current spreading layer 120 is not formed, the anti-reflection layer may be formed on the second conductive semiconductor layer 116. The anti-reflection layer has a lower refractive index than the portion where light is emitted, for example, the current dispersion layer 120 or the second conductivity type semiconductor layer 116, and the portion where the light is emitted, that is, the outside of the light emitting diode 1 (for example, , Atmosphere or encapsulant).

또한 도시되지는 않았지만, 외부로부터의 전기적 단락 방지와 충격 방지를 위하여, 실리콘 산화막과 같은 봉지 부재(미도시)로 발광 다이오드(1)의 전체 구조를 덮을 수 있다.Although not shown, the entire structure of the light emitting diode 1 may be covered with an encapsulation member (not shown), such as a silicon oxide film, in order to prevent electrical shorts and impacts from the outside.

도 4는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1a)의 상면도이다. 도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 4의 선 V-V를 따라 절취된 발광 다이오드(1a)의 단면도이다. 도 4 및 도 5에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 전류 저지층(160)을 더 포함하는 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.4 is a top view of the light emitting diode 1a according to some embodiments of the present invention. 5 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1a taken along the line V-V of FIG. 4 in accordance with some embodiments of the present invention. 4 and 5 relate to a case in which the current blocking layer 160 is further included as compared with the embodiment shown in FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 다이오드(1a)는 제2 전극(140)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)을 더 포함할 수 있다. 또한, 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 하측에서, 전류 분산층(120)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 위치할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)으로부터 직접적으로 하측 방향으로의 전류의 흐름을 저지시킬 수 있고 제1 전극(130)과 상대적으로 가까운 제2 전극(140)의 부분에 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 전류 저지층(160)은 제2 도전형 반도체층(116)에 전류가 균일하게 분산되는 기능을 할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)에 전체적으로 대응하여 형성될 수 있고, 제2 전극(140)의 면적과 동일한 면적을 가지거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(140)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 본딩 패드(142) 및 핑거(144)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 핑거(144)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 좁은 폭을 가질 수 있고, 본딩 패드(142)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 넓은 폭을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물과 같은 절연체일 수 있다. 전류 저지층(160)은 불투명하거나 또는 투명할 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물 또는 질화물일 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역을 산소 플라즈마 공정을 이용하여 산화시켜 형성한 갈륨 산화물(GaxOy)일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역에 불순물을 주입하여 도전형을 바꾼 부분일 수 있다. 이와 같은 전류 저지층(160)을 구성하는 물질은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.4 and 5, the light emitting diode 1a may further include a current blocking layer 160 positioned under the second electrode 140. In addition, the current blocking layer 160 may be positioned between the current spreading layer 120 and the second conductivity type semiconductor layer 116 under the second electrode 140. The current blocking layer 160 may block the flow of current in the downward direction directly from the second electrode 140, and current is concentrated in a portion of the second electrode 140 relatively close to the first electrode 130. It can be prevented from flowing. Accordingly, the current blocking layer 160 may function to uniformly distribute the current in the second conductive semiconductor layer 116. The current blocking layer 160 may be formed to correspond to the second electrode 140 as a whole, and may have an area equal to or larger than that of the second electrode 140. The current blocking layer 160 may have a shape corresponding to that of the second electrode 140, and may have a shape corresponding to that of the bonding pad 142 and the finger 144, for example. Accordingly, the current blocking layer 160 positioned below the finger 144 may have a relatively narrow width, and the current blocking layer 160 positioned below the bonding pad 142 may have a relatively wide width. Can be. The current blocking layer 160 may be an insulator such as an oxide, for example. The current blocking layer 160 may be opaque or transparent. The current blocking layer 160 may be, for example, an oxide or a nitride, and may be, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like. It may be a gallium oxide (GaxOy) formed by oxidizing using the metal oxide, and may be a portion in which a conductive type is changed by injecting impurities into a portion of the second conductive semiconductor layer 116. The material constituting the current blocking layer 160 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

도 6는 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1b)의 사시도이다. 도 7는 본 발명의 일부 실시예에 따른 발광 다이오드(1b)의 상면도이다. 도 6 및 도 7에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 3에 도시된 실시 예와 비교하여 제2 전극(140)의 형상이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.6 is a perspective view of a light emitting diode 1b according to some embodiments of the present disclosure. 7 is a top view of a light emitting diode 1b in accordance with some embodiments of the present invention. 6 and 7 relate to a case where the shape of the second electrode 140 is different from that of FIGS. 1 to 3. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 전극(140)은 본딩 패드(142) 및 핑거(144)를 포함한다. 핑거(144)는 제1 원호(144a), 제2 원호(144b) 및 연결부(144c)를 포함할 수 있다. 6 and 7, the second electrode 140 includes a bonding pad 142 and a finger 144. The finger 144 may include a first arc 144a, a second arc 144b, and a connecting portion 144c.

연결부(144c)는 제1 방향(-y 방향)으로 닫혀있는 제1 원호(144a)와 제1 방향(-y 방향)과는 반대 방향인 제2 방향(y 방향)으로 닫혀있는 제2 원호(144b) 사이에 각각 배치되어 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b) 사이에 일정한 간격을 유지시켜줄 수 있다. 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)가 각각 복수개인 경우, 연결부(144c)는 본딩 패드(142)로부터 열을 이루도록 교번적으로 배치되는 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b) 사이에 각각 배치될 수 있다. The connecting portion 144c has a first circular arc 144a closed in the first direction (-y direction) and a second circular arc closed in a second direction (y direction) opposite to the first direction (-y direction). 144b may be disposed between the first and second arcs 144a and 144b to maintain a constant distance therebetween. When there are a plurality of first and second arcs 144a and 144b, the connecting portion 144c is alternately arranged to form a row from the bonding pads 142, and the first and second arcs 144a and 144b are alternately arranged. ) May be disposed between.

전술한 바와 같이, 발광구조물(110)에서 방출되는 빛은 핑거(144)의 주변에서 가장 강할 수 있다. 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b) 사이에 연결부(144c)를 배치하면, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b) 사이에 간격을 줄 수 있어서, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b) 각각의 주변에서 빛이 최대한 방출되도록 할 수 있다. As described above, the light emitted from the light emitting structure 110 may be the strongest around the finger 144. When the connecting portion 144c is disposed between the first circular arc 144a and the second circular arc 144b, the first circular arc 144a may be spaced apart between the first circular arc 144a and the second circular arc 144b. And light may be emitted in the vicinity of each of the second arc 144b.

제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)의 선폭인 제1 선폭(D1)은 연결부(144c)의 선폭인 제2 선폭(D2)보다 작도록 형성될 수 있다. 이를 통하여, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)이 이루는 핑거(144)의 부분은 경로를 길게 하여 발광량이 높은 부분은 충분히 제공하고, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b) 사이에서는 제1 선폭(D1) 보다 큰 제2 선폭(D2)을 가지는 연결부(144c)를 통하여 전류가 충분히 공급되도록 할 수 있다. The first line width D1, which is the line width of the first arc 144a and the second circle 144b, may be formed to be smaller than the second line width D2, which is the line width of the connecting portion 144c. As a result, the portion of the finger 144 formed by the first arc 144a and the second arc 144b lengthens the path to provide a sufficient portion of the high light emission amount, and the first arc 144a and the second arc 144b. ) Can be sufficiently supplied with current through the connecting portion 144c having the second line width D2 larger than the first line width D1.

또는 선택적으로, 제1 원호(144a), 제2 원호(144b) 및 연결부(144c)의 선폭을 모두 동일하게 형성할 수 있다. 즉 제1 선폭(D1)과 제2 선폭(D2)이 실질적으로 같은 값을 가지도록 형성할 수 있다. Alternatively, the line widths of the first arc 144a, the second arc 144b, and the connecting portion 144c may be the same. That is, the first line width D1 and the second line width D2 may be formed to have substantially the same value.

도 8은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1c)의 사시도이다. 도 9는 본 발명의 일부 실시예에 따른 발광 다이오드(1c)의 상면도이다. 도 8 및 도 9에 도시된 실시 예는 도 1 내지 도 7에 도시된 실시 예들와 비교하여 제2 전극(140)의 형상이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.8 is a perspective view of a light emitting diode 1c according to some embodiments of the present disclosure. 9 is a top view of the light emitting diode 1c in accordance with some embodiments of the present invention. 8 and 9 relate to a case where the shape of the second electrode 140 is different from that of the embodiments illustrated in FIGS. 1 to 7. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3 may be omitted.

도 8 및 도 9를 참조하면, 제2 전극(140)은 본딩 패드(142) 및 핑거(144)를 포함한다. 핑거(144)는 제1 원호(144a), 제2 원호(144b) 및 연결부(144c)를 포함할 수 있다. 제1 원호(144a), 제2 원호(144b) 또는 제1 및 제2 원호(144a, 144b) 모두는 우호(優弧), 즉 반원보다 큰 원 형태의 원호일 수 있다. 8 and 9, the second electrode 140 includes a bonding pad 142 and a finger 144. The finger 144 may include a first arc 144a, a second arc 144b, and a connecting portion 144c. The first circular arc 144a, the second circular arc 144b, or the first and second circular arcs 144a and 144b may both be arcs, that is, circular arcs larger than a semicircle.

도 1 내지 도 7에서 보인 발광 다이오드(1, 1a, 1b)의 경우, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)는 반원 형태의 원호 또는 반원보다는 약간 작은 열호(劣弧), 즉 반원보다 작은 원호일 수 있다. 따라서 도 1 내지 도 7에서 보인 발광 다이오드(1, 1a, 1b)의 경우, 핑거(144)가 연속되어 연장되는 형태일 수 있다. In the case of the light emitting diodes 1, 1a, and 1b shown in FIGS. 1 to 7, the first arc 144a and the second arc 144b are slightly smaller than the semicircular arc or semicircle, that is, the semicircle. It may be a smaller arc. Accordingly, in the case of the light emitting diodes 1, 1a and 1b illustrated in FIGS. 1 to 7, the fingers 144 may extend in a continuous manner.

이와 달리, 도 8 및 도 9에서 보이는 발광 다이오드(1c)의 경우, 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)가 우호 형상이기 때문에, 핑거(144)가 연속적으로 연장되는 형태 이외에 중간에 돌출되는 단절부들이 존재할 수 있다. On the other hand, in the case of the light emitting diode 1c shown in FIGS. 8 and 9, since the first arc 144a and the second arc 144b have an arc-like shape, the finger 144 extends in the middle except for the form in which the finger 144 is continuously extended. There may be protruding breaks.

핑거(144)에 우호 형상의 제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)가 포함되므로, 핑거(144)의 전체 경로는 더 길어질 수 있다. 즉, 핑거(144)는 연속되어 연장되는 부분에 추가적으로 우호 형상들의 돌출되는 단절부가 더 있을 수 있다. 따라서, 발광구조물(110)에서 발광량이 높은 부분인 핑거(144)의 주변을 더욱 확장시킬 수 있다. 이를 통하여 발광 다이오드(1c)의 발광량을 증가시킬 수 있다. Since the finger 144 includes an arc-shaped first arc 144a and a second arc 144b, the entire path of the finger 144 may be longer. That is, the finger 144 may further include a protruding cutout portion of the friendly shapes in a portion extending continuously. Therefore, the periphery of the finger 144, which is a portion of the light emitting structure 110 having a high light emission amount, may be further extended. Through this, the amount of light emitted by the light emitting diode 1c may be increased.

제1 원호(144a)와 제2 원호(144b)의 선폭인 제1 선폭(D1)은 연결부(144c)의 선폭인 제2 선폭(D2)보다 작도록 형성될 수 있다. 또는 선택적으로, 제1 선폭(D1)과 제2 선폭(D2)이 실질적으로 같은 값을 가지도록 형성할 수 있다. The first line width D1, which is the line width of the first arc 144a and the second circle 144b, may be formed to be smaller than the second line width D2, which is the line width of the connecting portion 144c. Alternatively, the first line width D1 and the second line width D2 may be formed to have substantially the same value.

도 10은 본 발명의 일부 실시 예에 따른 발광 다이오드(1d)의 상면도이다. 도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 10의 선 X-X를 따라 절취된 발광 다이오드(1d)의 단면도이다. 도 10 및 도 11에 도시된 실시 예는 도 8 내지 도 9에 도시된 실시 예들와 비교하여 마이크로 렌즈층(300)을 더 포함하는 경우에 관한 것이다. 따라서 도 8 내지 도 9를 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 설명은 생략하기도 한다.10 is a top view of the light emitting diode 1d according to some embodiments of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1d cut along the line X-X of FIG. 10 in accordance with some embodiments of the present invention. 10 and 11 relate to a case in which the microlens layer 300 is further included in comparison with the embodiments illustrated in FIGS. 8 to 9. Therefore, descriptions overlapping with the embodiments described with reference to FIGS. 8 to 9 may be omitted.

도 10 및 도 11을 참조하면, 발광 다이오드(1d)의 핑거(144) 상에 마이크로 렌즈층(300)을 형성한다. 마이크로 렌즈층(300)은 제1 원호(144a) 및 제2 원호(144b)를 덮도록 형성될 수 있다. 마이크로 렌즈층(300)은 각 제1 원주(144a) 및 제2 원주(144b) 상에 반구형을 가지도록 형성할 수 있다. 마이크로 렌즈층(300)은 반구형을 가지는 것으로 도시되었으나 이제 한정되지 않으면, 원통형, 원뿔형 등으로 형성하는 것 또한 가능하다. 10 and 11, the micro lens layer 300 is formed on the finger 144 of the light emitting diode 1d. The micro lens layer 300 may be formed to cover the first arc 144a and the second arc 144b. The micro lens layer 300 may be formed to have a hemispherical shape on each of the first circumference 144a and the second circumference 144b. The micro lens layer 300 is shown as having a hemispherical shape, but if not limited to the above, it is also possible to form a cylindrical, conical, or the like.

마이크로 렌즈층(300)은 투명한 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiO2), 타이타늄 산화물(TiO2) 또는 실리콘 질화물(Si3N4)일 수 있다. 또는 마이크로 렌즈층(300)은 투명하고 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 ITO, IZO, IZTO, AZO, IAZO, GZO, IGO, IGZO, IGTO, ATO, IWO, CIO, MIO, MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또는 마이크로 렌즈층(300)은 투명한 유기물, 예를 들면 아크릴 수지 등을 포함할 수 있다. 마이크로 렌즈층(300)은 예비 물질을 제1 원주(144a)와 제2 원주(144b) 상에 형성한 후, 리플로우 공정 또는 식각 공정을 통하여 형성할 수 있다. The micro lens layer 300 may include a transparent insulator and may be, for example, silicon oxide (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), or silicon nitride (Si 3 N 4 ). Alternatively, the micro lens layer 300 may include a transparent and conductive material, for example, ITO, IZO, IZTO, AZO, IAZO, GZO, IGO, IGZO, IGTO, ATO, IWO, CIO, MIO, MgO , ZnO, In 2 O 3 , TiTaO 2 , TiNbO 2 , TiOx, RuOx, and IrOx. Alternatively, the micro lens layer 300 may include a transparent organic material, for example, an acrylic resin. The micro lens layer 300 may be formed through the reflow process or the etching process after forming the preliminary material on the first circumference 144a and the second circumference 144b.

각 제1 원주(144a) 및 제2 원주(144b) 상에 형성된 마이크로 렌즈층(300)은 서로 연결된 것으로 도시되었으나, 연결부(144c)의 길이에 따라서 서로 분리되는 복수의 마이크로 렌지층(300)의 형태로 형성하는 것 또한 가능하다. Although the microlens layers 300 formed on the first circumference 144a and the second circumference 144b are illustrated as being connected to each other, the microlens layers 300 are separated from each other according to the length of the connection portion 144c. It is also possible to form it.

마이크로 렌즈층(300)에 의하여, 발광량이 가장 높은 핑거(144), 특히 제1 원주(144a) 및 제2 원주(144b) 주변에서 방출되는 빛을 분산시켜줄 수 있다. 이를 통하여 발광 다이오드(1d) 전체에서 골고루 빛이 방출되도록 할 수 있다. By the microlens layer 300, the light emitted from the finger 144 having the highest emission amount, particularly around the first circumference 144a and the second circumference 144b may be dispersed. As a result, light may be uniformly emitted from the entire light emitting diode 1d.

도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

도 12를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1000)는 리드프레임(1100)상에 페이스트와 같은 접착 부재(1200)에 의해 부착된 발광 다이오드(1)를 포함한다. 발광 다이오드(1), 즉 발광 다이오드(1)의 전극들(130, 140)과 리드프레임(1100)은 본딩 와이어(1300)에 의하여 전기적으로 연결된다. 발광 다이오드(1)는 전체적으로 에폭시와 같은 투명 보호층(1400)으로 덮인다. 리드프레임(1100)을 통하여 전류가 제공되면, 발광 다이오드(1)의 발광구조물에서 광이 방출되고, 이어서 투명 보호층(1400)을 통하여 발광된다. 발광 다이오드(1)는 도 1 내지 도 3에서 개시된 발광 다이오드(1)뿐만 아니라, 도 4 내지 도 11에서 도시한 발광 다이오드(1a, 1b, 1c, 1d)들 또한 모두 적용 가능하다. 이러한, 발광 다이오드 패키지(1000)는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 12, the light emitting diode package 1000 includes a light emitting diode 1 attached to the lead frame 1100 by an adhesive member 1200 such as a paste. The light emitting diode 1, that is, the electrodes 130 and 140 and the lead frame 1100 of the light emitting diode 1 are electrically connected by the bonding wire 1300. The light emitting diode 1 is entirely covered with a transparent protective layer 1400 such as epoxy. When current is provided through the lead frame 1100, light is emitted from the light emitting structure of the light emitting diode 1, and then emitted through the transparent protective layer 1400. The light emitting diode 1 is applicable not only to the light emitting diode 1 disclosed in Figs. 1 to 3 but also to the light emitting diodes 1a, 1b, 1c, and 1d shown in Figs. The light emitting diode package 1000 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

상술한 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드가 래터럴(lateral) 형태를 가지는 경우에 대하여 설명되었으나, 이는 예시적이다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는 플립칩(flip-chip)형, 버티컬(vertical)형, 또는 다양한 형상을 가질 수 있음을 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 이해할 수 있다.In the above-described embodiments, the case where the light emitting diode has a lateral shape has been described, but this is exemplary. Those skilled in the art may understand that the light emitting diode according to the spirit of the present invention may have a flip-chip type, a vertical type, or various shapes.

1, 1a, 1b, 1c, 1d : 발광 다이오드,
100: 기판, 102: 제1 면, 104: 제2 면, 106: 버퍼층,
110: 발광구조물, 112: 제1 도전형 반도체층, 114: 활성층,
116: 제2 도전형 반도체층, 120: 전류 분산층,
130: 제1 전극, 140: 제2 전극, 142: 본딩 패드, 144: 핑거,
144a : 제1 원호, 144b : 제2 원호, 144c : 연결부,
160: 전류 저지층, 170: 제1 반사 부재, 172: 저굴절률층, 174: 고굴절률층,
180: 제2 반사 부재, 190: 반사 방지층, 300 : 마이크로 렌즈층1, 1a, 1b, 1c, 1d: light emitting diode,
100: substrate, 102: first side, 104: second side, 106: buffer layer,
110: light emitting structure, 112: first conductive semiconductor layer, 114: active layer,
116: second conductive semiconductor layer, 120: current spreading layer,
130: first electrode, 140: second electrode, 142: bonding pad, 144: finger,
144a: first arc, 144b: second arc, 144c: connecting portion,
160: current blocking layer, 170: first reflective member, 172: low refractive index layer, 174: high refractive index layer,
180: second reflection member, 190: antireflection layer, 300: micro lens layer

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물;
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며 본딩 패드 및 핑거을 가지는 제2 전극;을 포함하되,
상기 핑거는 제1 방향으로 닫혀있는 제1 원호와 상기 제1 방향과는 반대 방향인 제2 방향으로 닫혀있는 제2 원호를 가지는 발광 다이오드.Board;
A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And
And a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer and having a bonding pad and a finger.
The finger has a first circular arc closed in a first direction and a second circular arc closed in a second direction opposite to the first direction. 제1 항에 있어서,
상기 제1 원호와 상기 제2 원호는 각각 복수개이며,
상기 핑거는 상기 제1 원호와 상기 제2 원호가 교번적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The first arc and the second arc is a plurality of, respectively
The finger is a light emitting diode, characterized in that the first arc and the second arc is arranged alternately. 제1 항에 있어서,
상기 핑거는, 상기 본딩 패드로부터 상기 제1 전극을 향하는 제3 방향을 따라서 상기 제1 원호와 상기 제2 원호가 열을 이루도록 교번적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And the fingers are alternately arranged such that the first arc and the second arc are arranged along a third direction from the bonding pad toward the first electrode. 제3 항에 있어서,
상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 각각 상기 제3 방향에 대하여 수직 방향인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The method of claim 3,
Wherein the first direction and the second direction are perpendicular to the third direction, respectively. 제2 항에 있어서,
교번적으로 배치되는 상기 제1 원호와 상기 제2 원호를 연결하는 연결부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 2,
And a connecting part connecting the first arc and the second arc alternately arranged. 제5 항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 원호의 선폭 및 상기 제2 원호의 선폭보다 큰 선폭을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. 6. The method of claim 5,
The connecting part has a line width greater than the line width of the first arc and the line width of the second arc. 제1 항에 있어서,
상기 제1 원호 및 상기 제2 원호를 각각 덮는 마이크로 렌즈층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a micro lens layer covering the first arc and the second arc, respectively. 제1 항에 있어서,
상기 제1 원호 또는 상기 제2 원호는 우호인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The first arc or the second arc is a light emitting diode, characterized in that the friendship. 제1 항에 있어서,
상기 제1 원호 및 상기 제2 원호는 정원의 원호인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And the first arc and the second arc are arcs of a garden. 기판; 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광구조물; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며 본딩 패드 및 핑거을 가지는 제2 전극;을 포함하되, 상기 핑거는 제1 방향으로 닫혀있는 복수개의 제1 원호와 상기 제1 방향과는 반대 방향인 제2 방향으로 닫혀있는 복수개의 제2 원호를 가지는 발광 다이오드;
상기 본딩 패드, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 와이어로 연결되는 리드프레임; 및
상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;을 포함하는 발광 다이오드 패키지. Board; A light emitting structure in which a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer and having a bonding pad and a finger, wherein the fingers are opposite to the first direction and the plurality of first arcs closed in the first direction. A light emitting diode having a plurality of second arcs closed in a second direction;
A lead frame connected to the bonding pad, the second electrode, or both by wire; And
And a transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame.
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