KR100988193B1 - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전압의 내성을 강화하고, 정전압을 효율적으로 분산시키며, 전류 집중 현상을 방지하는 전극 구조를 갖는 발광 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
LED(Light Emitting Diode) 및 LD(Laser Diode)와 같은 발광 소자는 전류를 광으로 변환시키는 소자 중 하나로서, 통상적으로 p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 삽입된 반도체 물질의 활성층을 포함한다. 반도체 발광 소자에서 p형 반도체층과 n형 반도체층 양단에 구동 전류를 인가하면, p형 반도체층과 n형 반도체층으로부터 반도체 물질의 활성층으로 전자(electron) 및 정공(hole)이 주입된다. 주입된 전자와 정공은 반도체 물질의 활성층에서 재결합하여 광을 생성한다. Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) are one of devices that convert current into light, and typically include an active layer of a semiconductor material interposed between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer. . When a driving current is applied across the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer in the semiconductor light emitting device, electrons and holes are injected into the active layer of the semiconductor material from the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer. The injected electrons and holes recombine in the active layer of the semiconductor material to generate light.
일반적으로 반도체 발광 소자는 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 질화물계 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물로 제조가 되고 있는데, 이것은 단파장광(자외선 내지 녹색광), 특히 청색광을 낼 수 있는 소자가 된다. 그런데, 질화물계 반도체 화합물은 결정 성장을 위한 격자 정합 조건을 만족하는 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 기판 등의 절연성 기판을 이용하여 제조되므로, 구동 전류 인가를 위해 p형 반도체층 및 n형 반도체층 상에 2 개의 전극(p형 전극, n형 전극)이 발광 구조물의 상면에 거의 수평으로 배열되는 수평(planar) 구조를 가진다. In general, the semiconductor light emitting device is a nitride group III-V group having an Al x In y Ga (1-xy) N composition formula, where 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1 Although it is manufactured with a semiconductor compound, it becomes a device which can produce short wavelength light (ultraviolet light-green light), especially blue light. However, since the nitride-based semiconductor compound is manufactured using an insulating substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide (SiC) substrate that satisfies lattice matching conditions for crystal growth, the p-type semiconductor layer and n On the semiconductor semiconductor layer, two electrodes (p-type electrode and n-type electrode) have a planar structure in which they are arranged almost horizontally on the upper surface of the light emitting structure.
최근 이러한 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광 소자를 조명 광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 구조가 요구된다. 그러나, 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광 소자는, 2 개의 전극이 발광 구조물 상하면에 각각 배치된 수직(vertical) 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광 소자에 비해 전류의 흐름이 전체 발광 영역에 있어 균일하게 분포하지 못하여 발광 효율이 낮은 문제가 있다. Recently, in order to use a nitride-based semiconductor light emitting device having a horizontal structure as an illumination light source, high brightness is required, and in order to achieve such high brightness, a structure capable of increasing light emission efficiency by uniformly spreading current is required. However, in the nitride-based semiconductor light emitting device having a horizontal structure, the current flow is uniformly distributed in the entire light emitting area as compared with the nitride-based semiconductor light emitting device having a vertical structure in which two electrodes are disposed on the upper and lower surfaces of the light emitting structure. There is a problem that the luminous efficiency is low.
도 1은 종래 질화물계 반도체 발광 소자(1)의 단면 구조이다. 발광 소자(1)는 절연성인 사파이어 기판(2)에 n형 반도체층(3), 활성층(4), p형 반도체층(5) 및 투명 전극(6)이 적층되어 구성된다. 그리고 활성층(4), p형 반도체층(5) 및 투명 전극(6)의 일부가 메사(mesa) 식각되어 드러난 n형 반도체층(3) 위에는 n형 전극(11)이 형성된다. 그리고 투명 전극(6) 위에 p형 전극(15)을 형성한다.1 is a cross-sectional structure of a conventional nitride semiconductor
도 2는 도 1에 도시한 종래 발광 소자(1)의 전극 구조를 보여주기 위한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating an electrode structure of the conventional
도 2를 참조하면, p형 전극(15)의 일부로서 와이어 본딩이 이루어질 p형 전극 패드(16)가 투명 전극(6) 상부의 일측 가장자리에 형성되어 있다. 그리고, n형 전극(11)의 일부로서 와이어 본딩이 이루어질 영역인 n형 전극 패드(12)는 p형 전극 패드(16)와 대향하는 타측 가장자리로 n형 반도체층(3) 상에 형성되어 있다. Referring to FIG. 2, a p-
p형 전극 패드(16)와 n형 전극 패드(12)를 통해 전류를 흘리면 활성층(4)으로 전류가 흐르면서 광이 생성된다. 그런데 일반적으로 p형 전극 패드(16)와 n형 전극 패드(12)는 멀리 떨어져 있기 때문에 발광 소자(1)의 영역에 따라서 전류 밀도가 크게 차이가 난다. 영역에 따른 전류 밀도가 균일해야 발광 효율이 우수하고 구동 전압도 낮출 수 있으므로, 영역에 따른 전류 밀도를 균일하게 하기 위해, p형 전극(15)은 2 개의 p형 보조 전극(17, 18)을 구비한다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, p형 전극 패드(16)에는 p형 전극 패드(16) 양측에서 뻗어 나온 형태로 p형 보조 전극(17, 18)이 형성되어 있다.When current flows through the p-
그러나 발광 소자를 이루는 GaN계 화합물 반도체는 격자상수가 다른 사파이어 기판 상에 성장되므로, 격자 불일치에 따른 전위(dislocation)와 같은 결정결함이 108~1010 개 정도 존재한다. 이러한 결정결함은 발광 소자 제조 장비 및 작업자들로부터 발생되는 정전기에 의해 발광 소자에 악영향을 끼치게 된다. 특히, p형 전극과 n형 전극의 최단 경로로 전류가 집중되는 현상에 의해 발광 소자의 정전압 특성이 더욱 악화된다. 도 2와 같은 전극 구조를 갖는 경우, n형 전극 패드(12)를 향하고 있는 p형 보조전극(17)의 끝단에서 특히 정전압에 의한 소자의 손상이 많이 발생하게 된다. 그리고 p형 보조전극(17)의 끝단에 전류가 집중되므로, 이 부분에서 열이 집중적으로 발생하여, 소자의 신뢰성이 저하된다.However, since the GaN compound semiconductor constituting the light emitting device is grown on a sapphire substrate having different lattice constants, there are about 10 8 to 10 10 crystal defects such as dislocations due to lattice mismatch. Such crystal defects adversely affect the light emitting device by static electricity generated from the light emitting device manufacturing equipment and the workers. In particular, the phenomenon that the current is concentrated in the shortest path between the p-type electrode and the n-type electrode further deteriorates the constant voltage characteristic of the light emitting device. In the case of the electrode structure shown in FIG. 2, the damage of the device due to the constant voltage occurs at the end of the p-type
발광 소자의 크기를 크게 하면, 전류의 흐름이 원활하지 못해 광효율이 저하되고, 전극의 크기를 증가시키면, 전류의 흐름은 개선시킬 수 있으나, 발광면적이 감소하여 광 효율이 저하된다. 따라서, 전류의 집중 현상을 방지하여 정전압이 효율적으로 분산될 수 있도록 전극 구조를 개선해야 할 필요성이 있다.When the size of the light emitting device is increased, the current flow is not smooth and the light efficiency is lowered. When the size of the electrode is increased, the current flow can be improved, but the light emitting area is reduced and the light efficiency is lowered. Therefore, there is a need to improve the electrode structure to prevent the concentration of current so that the constant voltage can be efficiently distributed.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 정전압의 내성을 강화하고, 정전압을 효율적으로 분산시키며, 전류 집중 현상을 방지하는 전극 구조를 갖는 발광 소자를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a light emitting device having an electrode structure that enhances resistance of constant voltage, efficiently distributes constant voltage, and prevents current concentration.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 상기 제1 도전형과는 반대되는 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제1 도전형 전극 패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제2 도전형 전극 패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며, 일단은 상기 제2 도전형 전극 패드와 연결되고, 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 반대 방향으로 형성되는 제1 보조전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며 일단은 상기 제2 도전형 전극 패드와 연결되고 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향으로 형성되는 메인 암과, 상기 메인 암의 타단에 형성되어 있는 닷(dot) 형태의 확장부를 구비하는 제2 보조전극;을 포함하며, 상기 메인 암의 형성 방향과 직교하는 방향과 평행한 방향의 최대 길이로 정의되는 상기 확장부의 폭은 상기 메인 암의 평균 선폭에 비해 크다.In order to solve the above technical problem, the light emitting device according to the present invention comprises a substrate; A first conductivity type semiconductor layer sequentially formed on the substrate, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer opposite to the first conductivity type; A first conductive electrode pad formed on the first conductive semiconductor layer; A second conductive electrode pad formed on the second conductive semiconductor layer; It is formed in a shape extending in one direction on the second conductive semiconductor layer, one end is connected to the second conductive electrode pad, the other end is formed in a direction opposite to the direction toward the first conductive electrode pad A first auxiliary electrode; A main arm formed on the second conductive semiconductor layer in a shape extending in one direction, one end of which is connected to the second conductive electrode pad and the other end of which is formed in a direction toward the first conductive electrode pad; And a second auxiliary electrode having a dot-shaped extension formed at the other end of the main arm, wherein the extension is defined as a maximum length in a direction parallel to a direction orthogonal to a direction in which the main arm is formed. The width of the portion is larger than the average line width of the main arm.
상기 확장부의 폭의 크기는 상기 메인 암의 평균 선폭의 1.5 내지 5 배의 범위에서 설정될 수 있다.The width of the extension may be set in a range of 1.5 to 5 times the average line width of the main arm.
상기 확장부의 상면은 원, 타원, 반원, 다각형 및 복수의 돌출부가 형성되어 있는 도형 중 어느 하나의 형상으로 형성될 수 있다.The upper surface of the extension may be formed in any one of a circle, an ellipse, a semicircle, a polygon, and a figure in which a plurality of protrusions are formed.
본 발명과 같은 전극 구조를 갖게 되면, 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있어, 정전압에 대한 내성이 강화된다. 그리고 제2 보조전극과 제1 도전형 전극 패드 사이의 전류 집중 현상을 완화시킬 수 있어, 발광 소자 내에 전류가 고르게 퍼지게 된다. 이를 통해 발광 소자의 신뢰성과 수율이 향상된다. 본 발명과 같이 제2 보조전극에 확장부를 도입하면, 광효율은 거의 변화가 되지 않은 상태에서, ESD 수율을 55.7%에서 95.9%로 증가시킬 수 있게 된다.Having the electrode structure as in the present invention makes it possible to efficiently disperse the constant voltage, thereby enhancing resistance to the constant voltage. The current concentration between the second auxiliary electrode and the first conductive electrode pad can be alleviated, so that the current is evenly spread in the light emitting device. This improves the reliability and yield of the light emitting device. When the extension part is introduced to the second auxiliary electrode as in the present invention, the light efficiency is almost unchanged, and the ESD yield can be increased from 55.7% to 95.9%.
도 1은 종래 반도체 발광 소자의 단면도이고, 도 2는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제7 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor light emitting device, and FIG. 2 is a plan view.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the present invention.
4 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a first exemplary embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
6 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing the structure of a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.
9 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to a sixth exemplary embodiment of the present invention.
10 is a plan view illustrating the structure of a semiconductor light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.
11 is a plan view illustrating a structure of a semiconductor light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 발광 소자의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수 있다. 뿐만 아니라 아래의 실시예들에서는 제1 도전형이 n형이고 그와 반대되는 제2 도전형이 p형인 경우를 설명하지만 그 반대의 경우도 물론 가능하다. Hereinafter, exemplary embodiments of the light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description, and elements denoted by the same symbols in the drawings denote the same elements. In addition, where a layer is described as being "on" another layer or substrate, the layer may exist in direct contact with the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. Can be. In addition, the following embodiments describe a case where the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is vice versa, but vice versa.
도 3 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조에 대하여 상세히 설명한다.A structure of a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 11.
도 3은 본 발명에 따른 발광 소자의 단면도이고, 도 4 내지 도 11은 각각 본 발명의 제1 실시예 내지 제8 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the present invention, and FIGS. 4 to 11 are plan views showing the structure of the semiconductor light emitting device according to the first to eighth embodiments of the present invention, respectively.
도 3 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 기판(100) 상에 n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)을 적어도 포함하는 에피층(142)을 포함하여 발광 구조물을 이루고 있다. 도시한 것처럼, 기판(100)과 n형 반도체층(120) 사이 및 p형 반도체층(140)과 p형 전극(160) 사이 중 적어도 어느 하나에 도전층을 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서 기판(100)과 n형 반도체층(120) 사이의 도전층은 버퍼층(110), p형 반도체층(140)과 p형 전극(160) 사이의 도전층은 투명 전극(150)이다. 3 to 11, a semiconductor light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention includes at least an n-
기판(100)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에 ZnO, GaN, SiC, AlN 등으로 형성될 수 있다. The
버퍼층(110)은 기판(100) 상에 n형 반도체층(120)을 성장시키기 전에 기판(100)과의 격자 정합을 향상시키기 위한 층으로, AlN/GaN으로 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 본 실시예 발광 소자의 필수적인 구성 요소는 아니고 발광 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략될 수 있다. The
에피층(142)의 n형 반도체층(120)과 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)은, InXAlYGa1-X-YN 조성식(여기서, 0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0≤X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, n형 반도체층(120)은, n형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. 또한, p형 반도체층(140)은, p형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. 그리고, 활성층(130)은 광을 생성하여 방출하기 위한 층으로, 통상 InGaN층을 우물로 하고 GaN층을 벽층으로 하여 다중양자우물(Multi-Quantum Well)을 형성함으로써 이루어진다. 활성층(130)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 구성될 수도 있다. 버퍼층(110), n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)은 MOCVD, MBE 또는 HVPE와 같은 증착공정을 통해 형성된다. The n-
투명 전극(150)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 도전성 금속산화물만이 아니라, 발광 소자의 발광 파장에 대해 투과율이 높다면, 도전성이 높고 콘택 저항이 낮은 금속박막으로도 이루어질 수 있다. 투명 전극(150)도 본 실시예 발광 소자의 필수적인 구성 요소는 아니고 발광 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략될 수 있다. The
에피층(142)의 일부, 예컨대 활성층(130)과 p형 반도체층(140), 그리고 투명 전극(150)의 일부는 메사 식각으로 제거되어, 저면에 형성된 n형 반도체층(120)의 일부 상면을 노출하고 있다. 이때, 활성층(130)의 가장자리는 n형 반도체층(120)의 사방 가장자리로부터 소정 간격 들여지도록 형성하기도 하는데, 이는 질화물계 반도체 발광 소자 구동시, 전류의 흐름을 활성층(130)의 전면 즉, 발광 면적 전체에 균일하게 확산시키기 위함이다. 그리고 투명 전극(150)도 p형 반도체층(140)의 사방 가장자리로부터 소정 간격 들여 형성될 수 있다. A part of the
투명 전극(150) 상에는 p형 전극 패드(160)가 형성된다. 그리고 활성층(130), p형 반도체층(140) 및 투명 전극(150)의 일부가 메사 식각되어 드러난 n형 반도체층(120) 상에는 n형 전극 패드(170)가 형성된다. p형 전극 패드(160)는 소자의 중심을 기준으로 일측에 형성되고, n형 전극 패드(170)는 소자의 중심을 기준으로 타측에 형성된다.The p-
투명 전극(150) 상에는 p형 전극 패드(160)와 연결되는 제1 보조전극(180)과 제2 보조전극(190)이 형성된다.The first
제1 보조전극(180)은 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된다. 제1 보조전극(180)의 일단은 p형 전극 패드(160)와 연결되고, 제1 보조전극(180)의 타단은 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 반대 방향을 향하도록, 제1 보조전극(180)이 형성된다. The first
제2 보조전극(190)은 메인 암(main arm)(191)과 확장부(192)를 구비한다. 메인 암(191)은 투명 전극(150) 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된다. 메인 암(191)의 일단은 p형 전극 패드(160)와 연결되고, 메인 암(191)의 타단은 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향을 향하도록, 메인 암(191)이 형성된다. 확장부(192)는 상기 메인 암(191)의 타단에 닷(dot) 형태로 형성된다. 확장부(192)의 폭은 메인 암(191)의 평균 선폭에 비해 크다. 이때, 확장부(192)의 폭은 메인 암(191)의 형성 방향과 직교하는 방향과 평행한 방향의 최대 길이로 정의된다. 그리고 메인 암(191)의 평균 선폭은 메인 암(191)의 너비의 평균 값을 의미한다. 확장부(192)의 상면은 원, 타원, 반원, 다각형 및 복수의 돌출부가 형성되어 있는 도형 중 어느 하나의 형상으로 형성될 수 있다. 그리고 제1 보조전극(180)과 메인 암(191)은 도 4 내지 도 11에 도시된 바와 같이 동일한 직선 상에 형성될 수 있다. The second
이와 같은 전극 구조를 가지면, 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있으므로, 정전압에 대한 내성이 강화된다. 이에 따라, 발광 소자의 고장 원인이 되는 정전압의 개선으로 소자의 신뢰성과 수율이 향상된다. 그리고 보조전극과 n형 전극 패드 사이의 전류 집중 현상을 완화시킬 수 있어, 발광 소자 내에 전류가 고르게 퍼지게 된다. 이때, 확장부(192)의 폭이 증가할수록 정전압이 분산되는 정도는 증가하지만, 전체 전극의 면적 증가로 인하여 광효율이 저하된다. 따라서 확장부(192)의 폭은 메인 암(191)의 평균 선폭의 1.5 내지 5 배의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 이와 같이 제2 보조전극(190)에 확장부(192)를 도입하면, 광효율은 거의 변화가 되지 않은 상태에서, ESD 수율을 55.7%에서 95.9%로 증가시킬 수 있게 된다.Having such an electrode structure can effectively disperse the constant voltage, thereby enhancing resistance to the constant voltage. Accordingly, the reliability and the yield of the device are improved by improving the constant voltage which causes the failure of the light emitting device. The current concentration between the auxiliary electrode and the n-type electrode pad can be alleviated, so that the current is evenly spread in the light emitting device. In this case, as the width of the
도 4 내지 도 11에 도시된 8개의 실시예는 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있는 제2 보조 전극의 바람직한 실시예를 나타낸 것이다.4 to 11 illustrate preferred embodiments of the second auxiliary electrode capable of efficiently dispersing the constant voltage.
제1 실시예(도 4)는 확장부(192)의 상면이 원형으로 형성된 경우이다. 제2 실시예(도 5)는 확장부(192)의 상면이 반원의 형상으로 형성된 경우이다. 제3 실시예(도 6)는 확장부(192)의 상면이 정삼각형 형상으로 형성된 경우이다. 제4 실시예(도 7)는 확장부(192)의 상면이 정사각형 형상으로 형성된 경우이다. 제5 실시예(도 8)는 확장부(192)의 상면이 정오각형 형상으로 형성된 경우이다. 제6 실시예(도 9)는 확장부(192)의 상면이 정육각형 형상으로 형성된 경우이다. 제7 실시예(도 10)는 확장부(192)의 상면이 2 개의 돌출부가 형성되어 있는 도형(하트 형상)의 형상으로 형성된 경우이다. 제8 실시예(도 11)은 확장부(192)의 상면이 3 개의 돌출부가 형성되어 있는 도형의 형상으로 형성된 경우이다. 제7 실시예와 제8 실시예와 같이, 확장부(192)의 상면이 돌출부가 형성되어 있는 형상으로 형성된 경우, 돌출부는 n형 전극 패드(170)를 향하여 돌출될 수 있다.4 illustrates a case in which the upper surface of the
확장부(192)의 상면이 어떠한 형상으로 형성되든지, 제2 보조전극(190)에 확장부(192)를 도입함에 따라, 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있게 된다.Regardless of the shape of the upper surface of the
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and the present invention belongs to the present invention without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.
Claims (3)
상기 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 상기 제1 도전형과는 반대되는 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제1 도전형 전극 패드;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제2 도전형 전극 패드;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며, 일단은 상기 제2 도전형 전극 패드와 연결되고, 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 반대 방향으로 형성되는 제1 보조전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며 일단은 상기 제2 도전형 전극 패드와 연결되고 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향으로 형성되는 메인 암과, 상기 메인 암의 타단에 형성되어 있는 닷(dot) 형태의 확장부를 구비하는 제2 보조전극;을 포함하며,
상기 메인 암의 형성 방향과 직교하는 방향과 평행한 방향의 최대 길이로 정의되는 상기 확장부의 폭은 상기 메인 암의 평균 선폭에 비해 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자.Board;
A first conductivity type semiconductor layer sequentially formed on the substrate, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer opposite to the first conductivity type;
A first conductive electrode pad formed on the first conductive semiconductor layer;
A second conductive electrode pad formed on the second conductive semiconductor layer;
It is formed in a shape extending in one direction on the second conductive semiconductor layer, one end is connected to the second conductive electrode pad, the other end is formed in a direction opposite to the direction toward the first conductive electrode pad A first auxiliary electrode; And
A main arm formed on the second conductive semiconductor layer in a shape extending in one direction, one end of which is connected to the second conductive electrode pad and the other end of which is formed in a direction toward the first conductive electrode pad; And a second auxiliary electrode having a dot-shaped extension formed at the other end of the main arm.
And a width of the extension part defined as a maximum length in a direction parallel to a direction orthogonal to the direction in which the main arm is formed is larger than an average line width of the main arm.
상기 확장부의 폭의 크기는 상기 메인 암의 평균 선폭의 1.5 내지 5 배의 범위에서 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.The method of claim 1,
A size of the width of the extension portion is set in the range of 1.5 to 5 times the average line width of the main arm.
상기 확장부의 상면은 원, 타원, 반원, 다각형 및 복수의 돌출부가 형성되어 있는 도형 중 어느 하나의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자.The method according to claim 1 or 2,
The upper surface of the expansion unit is a light emitting device, characterized in that formed in the shape of any one of a circle, ellipse, semi-circle, polygon and a plurality of projections are formed.
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