KR101223225B1 - Light emitting diode having light extracting layer formed in boundary regions and light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기술적 사상은, 테두리 영역에 광 추출층을 형성하여 광 추출 효율을 증가시키고, 이에 따라 외부양자효율을 향상시킬 수 있는 전류 저지층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 상기 주 영역 내에 위치한 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 활성층; 상기 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층; 및 상기 기판 상의 상기 테두리 영역 내에 위치한 광 추출층;을 포함한다.The technical idea of the present invention is to provide a light emitting diode and a light emitting diode package having a current blocking layer capable of increasing the light extraction efficiency by forming a light extraction layer in the edge region, thereby improving the external quantum efficiency. According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising: a substrate including a main region and an edge region positioned around the main region; A first conductivity type semiconductor layer located in the main region on the substrate; An active layer on the first conductivity type semiconductor layer; A second conductivity type semiconductor layer on the active layer; And a light extraction layer positioned in the edge region on the substrate.

Description

테두리 영역에 형성된 광 추출층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지{Light emitting diode having light extracting layer formed in boundary regions and light emitting diode package}Light emitting diode having light extracting layer formed in boundary regions and light emitting diode package

본 발명의 기술적 사상은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 테두리 영역에서 광 추출을 증가시킬 수 있는 테두리 영역에 형성된 광 추출층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode and a light emitting diode package including a light extraction layer formed in the edge region that can increase light extraction in the edge region.

발광다이오드는 공기에 비하여 높은 굴절률을 가지므로, 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광의 많은 부분이 소자 내부에 잔존하게 된다. 이러한 광자는 외부로 탈출하기 전에 박막, 기판, 전극 등 여러 경로를 거치게 되며, 이에 따른 흡수에 의하여 외부양자효율이 감소된다. 이러한 외부양자효율의 증가를 위한 다양한 연구가 계속되고 있다. 발광 영역의 외측에 위치하는 테두리 영역에서의 광추출이 저하되어 암부가 형성되고, 광이 소실되는 문제점이 있다. Since the light emitting diode has a higher refractive index than air, much of the light generated by the recombination of electrons and holes remains in the device. These photons pass through various paths such as a thin film, a substrate, and an electrode before escaping to the outside, and the external quantum efficiency is reduced by absorption. Various studies for increasing the external quantum efficiency are continuing. There is a problem in that light extraction in the edge region located outside the light emitting region is reduced, so that a dark portion is formed and light is lost.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 테두리 영역에 광 추출층을 형성하여 광 추출 효율을 증가시키고, 이에 따라 외부양자효율을 향상시킬 수 있는 전류 저지층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a light emitting diode and a light emitting diode package having a current blocking layer that can form a light extraction layer in the edge region to increase the light extraction efficiency, thereby improving the external quantum efficiency. .

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 상기 주 영역 내에 위치한 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 활성층; 상기 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층; 및 상기 기판 상의 상기 테두리 영역 내에 위치한 광 추출층;을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising: a substrate including a main region and an edge region positioned around the main region; A first conductivity type semiconductor layer located in the main region on the substrate; An active layer on the first conductivity type semiconductor layer; A second conductivity type semiconductor layer on the active layer; And a light extraction layer positioned in the edge region on the substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 울퉁불퉁(roughened)한 표면을 가질 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer may have a roughened surface.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 상기 주 영역을 둘러싸도록 위치할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer may be positioned to surround the main area.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 투명한 물질을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer may include a transparent material.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 상기 기판과 동일한 물질을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer may include the same material as the substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 전류 분산층을 더 포함하고, 상기 광 추출층은 상기 전류 분산층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the second conductive semiconductor layer may further include a current spreading layer, and the light extraction layer may include the same material as the current spreading layer.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.In some embodiments, the light extraction layer may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 분말 입자들을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer may include powder particles.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 분말 입자들은 상기 기판과 동일하거나 작은 굴절률을 가질 수 있다.In some embodiments of the present invention, the powder particles may have a refractive index equal to or less than that of the substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 분말 입자들은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다.In some embodiments of the present invention, the powder particles may have different refractive indices.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 복수의 층으로 구성될 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer may be composed of a plurality of layers.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은, 제1 굴절률을 가지는 제1 분말 입자들을 포함하는 제1 층; 및 상기 제1 굴절률에 비하여 작은 제2 굴절률을 가지는 제2 분말 입자들을 포함하는 제2 층;을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extracting layer comprises: a first layer comprising first powder particles having a first refractive index; And a second layer including second powder particles having a second refractive index smaller than the first refractive index.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은, 제1 크기를 가지는 제3 분말 입자들을 포함하는 제3 층; 및 상기 제1 크기에 비하여 작은 제2 크기를 가지는 제4 분말 입자들을 포함하는 제4 층;을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the light extraction layer comprises: a third layer comprising third powder particles having a first size; And a fourth layer including fourth powder particles having a second smaller size than the first size.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제4 층은 상기 제3 층 상에 위치할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the fourth layer may be located on the third layer.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 층은 상기 제4 층 상에 위치할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the third layer may be located on the fourth layer.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 분말 입자들과 상기 제4 분말 입자들은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the third powder particles and the fourth powder particles may include different materials.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제3 분말 입자들과 상기 제4 분말 입자들은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다.In some embodiments of the present invention, the third powder particles and the fourth powder particles may have different refractive indices.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 광 추출층은 상기 기판의 일부 영역을 제거하여 형성할 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the light extraction layer may be formed by removing a portion of the substrate.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 주 영역 상에 위치한 발광 구조물; 상기 발광 구조물에 전류를 공급하는 전극들; 및 상기 기판 상에 위치하고, 상기 테두리 영역 상에 위치한 광 추출층;을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising: a substrate including a main region and an edge region positioned around the main region; A light emitting structure on the main region of the substrate; Electrodes for supplying current to the light emitting structure; And a light extraction layer positioned on the substrate and positioned on the edge region.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지는, 주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 상기 주 영역 내에 위치한 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 활성층; 상기 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층; 및 상기 기판 상의 상기 테두리 영역 내에 위치한 광 추출층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극;을 포함하는 발광 다이오드; 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 전기적으로 연결되는 리드프레임; 및 상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package, comprising: a substrate including a main region and an edge region positioned around the main region; A first conductivity type semiconductor layer located in the main region on the substrate; An active layer on the first conductivity type semiconductor layer; A second conductivity type semiconductor layer on the active layer; And a light extraction layer located in the edge region on the substrate. A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; A lead frame electrically connected to the first electrode, the second electrode, or both; And a transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame.

본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는, 테두리 영역에 광 추출층을 형성함으로써, 다이오드 내부에서 전반사되는 광을 테두리 영역에서도 외부로 추출할 수 있고, 이에 따라 광의 방출되는 발광 구조물의 면적을 더 크게 하여 외부 양자효율을 증가시킬 수 있다.In the light emitting diode according to the technical concept of the present invention, by forming a light extraction layer in the edge region, the light totally reflected inside the diode can be extracted from the edge region to the outside, thereby increasing the area of the light emitting structure that emits light The external quantum efficiency can be increased.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 IV-IV를 따라 절취된 발광 다이오드의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드의 광 추출층을 도시하는 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드의 광 추출층을 도시하는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode according to some embodiments of the present invention.
2 is a top view of the light emitting diode of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a light emitting diode taken along line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a light emitting diode taken along line IV-IV of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a light extraction layer of a light emitting diode according to some embodiments of the present invention.
6 to 10 are cross-sectional views illustrating a light extraction layer of a light emitting diode according to some embodiments of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to some embodiments of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a light emitting diode package including a light emitting diode according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 명세서 전체에 걸쳐서 층, 영역, 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", 또는 "하에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접적으로 연결되어", 또는 "직접적으로 하에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention are provided to more fully explain the technical idea of the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in many different forms, and The scope of the technical idea is not limited to the following examples. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the inventive concept to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of description. Like numbers refer to like elements herein. Throughout the specification, when referring to one component, such as a layer, region, or substrate, being located on, “connected”, or “under” another component, the one component is directly in another configuration. It may be interpreted that there may be other components in contact with or interposed between, or “on,” “connected”, or “under” an element. On the other hand, when one component is referred to as being located on another component "directly on", "directly connected", or "directly under", it is interpreted that there are no other components intervening therebetween. do.

도면에서 전류의 흐름은 실선 화살표로 도시되어 있고, 광의 진행은 점선 화살표로 도시되어 있다.In the figure the flow of current is shown by solid arrows and the progress of light is shown by dashed arrows.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 1의 발광 다이오드(1)의 상면도이다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 III-III을 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 도 2의 선 IV-IV를 따라 절취된 발광 다이오드(1)의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting diode 1 according to some embodiments of the invention. 2 is a top view of the light emitting diode 1 of FIG. 1 in accordance with some embodiments of the present invention. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line III-III of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention. 4 is a cross-sectional view of the light emitting diode 1 cut along the line IV-IV of FIG. 2 in accordance with some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 다이오드(1)는 주 영역(10)과 주 영역(10) 주위에 위치한 테두리 영역(20)을 포함하는 기판(100), 기판(100)의 주 영역(10) 상에 위치한 발광 구조물(110), 발광 구조물(110)에 전류를 공급하는 전극들(140, 150), 및 기판(100)상에 위치하고 테두리 영역(20) 상에 위치한 광 추출층(130)을 포함한다. 본 명세서에서, 주 영역(10)은 발광 구조물이 형성되어 광을 발광하는 영역일 수 있고, 테두리 영역(20)은 발광 다이오드(1)의 개별화를 위한 스크라이빙(scribing) 공정을 수행하도록 준비된 여유 공간일 수 있다.1 to 4, the light emitting diode 1 may include a substrate 100 including a main region 10 and an edge region 20 positioned around the main region 10, and a main region of the substrate 100. The light emitting structure 110 positioned on 10, the electrodes 140 and 150 for supplying current to the light emitting structure 110, and the light extraction layer 130 positioned on the edge region 20 and positioned on the substrate 100. ). In the present specification, the main region 10 may be a region in which a light emitting structure is formed to emit light, and the edge region 20 is prepared to perform a scribing process for individualization of the light emitting diode 1. It may be free space.

발광 다이오드(1)는 기판(100) 및 기판(100)의 제1 면(102) 상에 위치한 발광 구조물(110), 전류 확산층(120, current spreading layer), 광 추출층(130, light extracting layer), 제1 전극(140), 및 제2 전극(150)을 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), 발광 다이오드(1)는 기판(100)의 제2 면(104)에 위치한 제1 반사 부재(170), 제2 반사 부재(180), 또는 이들 모두를 더 포함할 수 있다. 기판(100)의 주 영역(10)에는 발광 구조물(110), 전류 확산층(120), 제1 전극(140), 및 제2 전극(150)이 위치할 수 있다. 기판(100)의 테두리 영역(20)에는 광 추출층(130)이 위치할 수 있다.The light emitting diode 1 includes a light emitting structure 110, a current spreading layer 120, and a light extracting layer 130 positioned on the substrate 100 and the first surface 102 of the substrate 100. ), A first electrode 140, and a second electrode 150. Also, optionally, the light emitting diode 1 may further include a first reflecting member 170, a second reflecting member 180, or both located on the second side 104 of the substrate 100. Can be. The light emitting structure 110, the current diffusion layer 120, the first electrode 140, and the second electrode 150 may be positioned in the main region 10 of the substrate 100. The light extraction layer 130 may be positioned in the edge region 20 of the substrate 100.

기판(100)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 탄화물(SiC), 갈륨 질화물(GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 아연 산화물(ZnO), 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 질화물(AlN), 붕산 질화물(BN), 갈륨 인화물(GaP), 인듐 인화물(InP), 리튬-알루미늄 산화물(LiAl2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100)의 상면, 하면, 또는 이들 모두에는 광을 반사시킬 수 있는 요철 패턴(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 요철 패턴은 스트라이프 형태, 렌즈 형태, 기둥 형태, 뿔 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The substrate 100 includes sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (GaAs), silicon (Si), germanium (Ge), zinc oxide (ZnO), magnesium oxide ( MgO), aluminum nitride (AlN), borate nitride (BN), gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), and lithium-aluminum oxide (LiAl 2 O 3 ) may be included. Although not shown, an uneven pattern (not shown) capable of reflecting light may be formed on an upper surface, a lower surface, or both of the substrate 100, and the uneven pattern may have a stripe shape, a lens shape, a pillar shape, and an horn. It may have various shapes such as shape.

기판(100)의 제1 면(102) 상에는 기판(100)과 발광 구조물(110) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(106)이 위치할 수 있다. 버퍼층(106)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, AlInN 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판(100) 또는 버퍼층(106) 상에 언도프드(undoped) 반도체층(미도시)이 위치할 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 GaN를 포함할 수 있다.A buffer layer 106 may be positioned on the first surface 102 of the substrate 100 to mitigate lattice mismatch between the substrate 100 and the light emitting structure 110. The buffer layer 106 may be formed of a single layer or multiple layers, and may include, for example, at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, and AlInN. Although not shown, an undoped semiconductor layer (not shown) may be disposed on the substrate 100 or the buffer layer 106, and the undoped semiconductor layer may include GaN.

발광 구조물(110)은 기판(100) 상에 위치할 수 있고, 또한 버퍼층(106) 상에 위치할 수 있다. 발광 구조물(110)은 복수의 도전형 반도체층이 기판(100)을 기준으로 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이하에서는 발광 구조물(110)이 n-p 접합 구조인 경우를 일 예로 설명하기로 한다.The light emitting structure 110 may be located on the substrate 100 and may also be located on the buffer layer 106. The light emitting structure 110 may have a plurality of conductive semiconductor layers formed of any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure based on the substrate 100. Hereinafter, a case in which the light emitting structure 110 is an n-p junction structure will be described as an example.

발광 구조물(110)은 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114), 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(110)은, 예를 들어 전자빔 증착(electron beam evaporation), 물리기상증착(physical vapor deposition, PVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 강화 CVD(plasma enhanced CVD, PECVD), 플라즈마 레이저 증착(plasma laser deposition, PLD), 듀얼 타입 열증착(dual-type thermal evaporator), 스퍼터링(sputtering), 유기금속 화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 등을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductive semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive semiconductor layer 116 sequentially stacked. The light emitting structure 110 may include, for example, electron beam evaporation, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), and plasma enhanced CVD (PECVD). , Plasma laser deposition (PLD), dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

발광 구조물(110)에 순방향으로 전압을 인가하면, 활성층(114)의 전도대에 있는 전자와 가전자대에 있는 정공이 천이되어 재결합하고, 에너지 갭에 해당하는 에너지가 광으로 방출된다. 활성층(114)을 구성하는 물질의 종류에 따라서 방출되는 광의 파장이 결정된다. 또한, 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 상기 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공을 활성층(114)에 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(112)과 제2 도전형 반도체층(116)은 서로 다른 도전형을 가지도록 서로 다른 불순물들을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n-형 불순물들을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 p-형 불순물들을 포함할 수 있다. 이러한 경우에는, 제1 도전형 반도체층(112)는 전자를 제공할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)은 정공을 제공할 수 있다. 또한, 이와 반대로, 제1 도전형 반도체층(112)이 p-형이고, 제2 도전형 반도체층(116)이 n-형인 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함된다. 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)은 각각 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 갈륨 질화물계 물질을 포함할 수 있다.When a voltage is applied to the light emitting structure 110 in the forward direction, electrons in the conduction band of the active layer 114 and holes in the valence band transition and recombine, and energy corresponding to the energy gap is emitted as light. The wavelength of the emitted light is determined by the type of material constituting the active layer 114. In addition, the first conductivity type semiconductor layer 112 and the second conductivity type semiconductor layer 116 may perform a function of providing electrons or holes to the active layer 114 according to the applied voltage. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may include different impurities to have different conductivity types. For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type impurities, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may include p-type impurities. In this case, the first conductivity type semiconductor layer 112 may provide electrons, and the second conductivity type semiconductor layer 116 may provide holes. On the contrary, the technical concept of the present invention also includes the case where the first conductivity-type semiconductor layer 112 is p-type and the second conductivity-type semiconductor layer 116 is n-type. The first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116 may each include a group III-V compound material, and may include, for example, a gallium nitride-based material.

제1 도전형 반도체층(112)은 n-형 도판트가 도핑된 n-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 n-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 도전형 반도체층(112)은 n-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 n-형 도판트는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 112 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant, for example, n-type Al x In y Ga z N (0 ≦ x, y, z ≤ 1, x + y + z = 1). For example, the first conductivity type semiconductor layer 112 may include n-type GaN. The n-type dopant may be at least one of silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

제2 도전형 반도체층(116)은 p-형 도판트가 도핑된 p-형 반도체층으로 구현될 수 있고, 예를 들어 p-형 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2 도전형 반도체층(116)은 p-형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 n-형 도판트는 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 베릴륨(Be), 및 바륨(Ba) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 제2 도전형 반도체층(116)은 광을 산란 및/또는 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 116 may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, for example, p-type Al x In y Ga z N (0 ≦ x, y, z ≤ 1, x + y + z = 1). For example, the second conductivity-type semiconductor layer 116 may include p-type GaN. The n-type dopant may be at least one of magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), beryllium (Be), and barium (Ba). Although not shown, the second conductive semiconductor layer 116 may have an uneven pattern (not shown) formed on the upper surface of the second conductive semiconductor layer 116 to scatter and / or refract light to be emitted to the outside.

활성층(114)은 제1 도전형 반도체층(112) 및 제2 도전형 반도체층(116)에 비하여 낮은 에너지 밴드갭을 가지므로 발광을 활성화할 수 있다. 활성층(114)은 다양한 파장의 광을 방출할 수 있으며, 예를 들어 적외선, 가시 광선, 또는 자외선을 방출할 수 있다. 활성층(114)은 III족-V족 화합물 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 AlxInyGazN (0≤x, y, z ≤1, x+y+z=1)을 포함할 수 있고, 예를 들어 InGaN 또는 AlGaN을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(114)은 단일양자우물(single quantum well, SQW) 또는 다중양자우물(multi quantum well, MQW)을 포함할 수 있다. 활성층(114)은 양자 우물층과 양자 장벽층의 적층 구조를 가질 수 있고, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 갯수는 설계 상의 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 활성층(114)은, 예를 들어 GaN/InGaN/GaN MQW 구조 또는 GaN/AlGaN/GaN MQW 구조를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적이며, 활성층(114)은 구성 물질에 따라 방출되는 광의 파장이 달라지며, 예를 들어, 인듐의 양이 약 22%의 경우에는 청색 광을 발광할 수 있고, 약 40%의 경우에는 녹색 광을 발광할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상은 활성층(114)의 구성 물질에 대해 한정하는 것은 아니다.Since the active layer 114 has a lower energy band gap than the first conductive semiconductor layer 112 and the second conductive semiconductor layer 116, light emission may be activated. The active layer 114 may emit light of various wavelengths, and may emit infrared light, visible light, or ultraviolet light, for example. The active layer 114 may include a Group III-V compound material, and may include, for example, Al x In y Ga z N (0 ≦ x, y, z ≦ 1, x + y + z = 1). And may include, for example, InGaN or AlGaN. In addition, the active layer 114 may include a single quantum well (SQW) or a multi quantum well (MQW). The active layer 114 may have a stacked structure of a quantum well layer and a quantum barrier layer, and the number of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be variously changed according to design needs. In addition, the active layer 114 may include, for example, a GaN / InGaN / GaN MQW structure or a GaN / AlGaN / GaN MQW structure. However, this is exemplary, and the active layer 114 has a wavelength of light emitted according to a constituent material, for example, when the amount of indium is about 22%, it may emit blue light, and about 40% It can emit green light. The technical spirit of the present invention is not limited to the constituent materials of the active layer 114.

발광 구조물(110)은 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역이 제거된 메사(mesa) 영역을 가질 수 있고, 또한 제1 도전형 반도체층(112)의 일부가 제거될 수 있다. 활성층(114)은 상기 메사 영역에 한정되어 광을 방출할 수 있다. 상기 메사 영역을 형성함에 따라, 제1 도전형 반도체층(112)의 일부 영역이 노출될 수 있다. 상기 메사 영역은 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching, ICP-RIE), 습식 식각 또는 건식 식각을 이용하여 형성할 수 있다.The light emitting structure 110 may have a mesa region in which a portion of the active layer 114 and the second conductivity-type semiconductor layer 116 are removed, and a portion of the first conductivity-type semiconductor layer 112 is removed. Can be. The active layer 114 may be limited to the mesa region to emit light. As the mesa region is formed, a portion of the first conductivity type semiconductor layer 112 may be exposed. The mesa region may be formed using inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), wet etching, or dry etching.

전류 확산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116) 상에 위치할 수 있다. 전류 확산층(120)은 제2 전극(140)으로부터 주입되는 전류를 제2 도전형 반도체층(116)에 대하여 균일하게 분산하는 기능을 수행할 수 있다. 전류 확산층(120)은 전체적으로 패턴이 없는 박막 형태를 가지거나 또는 일정한 패턴 형태를 가질 수 있다. 전류 확산층(120)은 제2 도전형 반도체층(116)과의 접착성을 위해 메쉬(mesh) 구조의 패턴으로 형성될 수 있다. 전류 확산층(120)은 투명하고 전도성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 투명 전극층으로 지칭될 수 있다. 전류 확산층(120)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 니켈(Ni)과 금(Au)의 복합층일 수 있다. 또한, 전류 확산층(120)은 산화물을 포함할 수 있고, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IGO(indium gallium oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(aluminum tin oxide), IWO(indium tungsten oxide), CIO(cupper indium oxide), MIO(magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전류 확산층(120)은 예를 들어 증착(Evaporation) 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전류 확산층(120)은 광을 산란 및/또는 굴절시켜 외부로 방출시키도록 요철 패턴(미도시)이 상측 표면에 형성될 수 있다.The current spreading layer 120 may be located on the second conductive semiconductor layer 116. The current diffusion layer 120 may perform a function of uniformly distributing the current injected from the second electrode 140 with respect to the second conductivity type semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may have a thin film shape without a pattern as a whole or may have a predetermined pattern shape. The current spreading layer 120 may be formed in a pattern of a mesh structure for adhesion to the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 120 may include a transparent and conductive material, and may be referred to as a transparent electrode layer. The current spreading layer 120 may include a metal and may be, for example, a composite layer of nickel (Ni) and gold (Au). In addition, the current diffusion layer 120 may include an oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), or indium (AZO) aluminum zinc oxide (GZO), gallium zinc oxide (GZO), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum tin oxide (ATO), indium tungsten oxide (IGWO), CIO (cupper indium oxide), MIO (magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In 2 O 3 , TiTaO 2 , TiNbO 2 , TiO x , RuO x , and may include at least one of IrO x . The current spreading layer 120 may be formed by, for example, evaporation or sputtering, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto. In addition, the current diffusion layer 120 may have an uneven pattern (not shown) formed on the upper surface of the current diffusion layer 120 to scatter and / or refract light to be emitted to the outside.

제1 전극(140)은 상기 메사 영역으로부터 노출된 제1 도전형 반도체층(112) 상에 위치할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(140)은 광 추출층(130) 상에 위치할 수 있다. 제1 전극(140)은 제1 도전형 반도체층(112)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브(carbon nano tube)를 포함할 수 있다. 제1 전극(140)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ti/Al, Cr/Au, Ti/Au, Au/Sn과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 전극(140)는 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The first electrode 140 may be positioned on the first conductive semiconductor layer 112 exposed from the mesa region, and may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 112. The first electrode 140 may be located on the light extraction layer 130. The first electrode 140 may include a material forming an ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 112. For example, gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and palladium (Pd) may be used. ), Titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), platinum (Pt), tungsten (W), cobalt (Co), iridium (Ir), rhodium (Rh) ), Ruthenium (Ru), zinc (Zn), magnesium (Mg) or alloys thereof, and may include, for example, carbon nanotubes. The first electrode 140 may be composed of a single layer or multiple layers. For example, the first electrode 140 may be formed of multiple layers such as Ti / Al, Cr / Au, Ti / Au, Au / Sn. Bonding wires may be connected to the first electrode 140 in a packaging process.

제2 전극(150)은 제2 도전형 반도체층(114) 상에 위치할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 전극(150)은 전류 확산층(120) 상에 위치할 수 있다. 제1 전극(140)과 제2 전극(150)은 서로 대향하도록 위치할 수 있다. 제2 전극(150)은 제1 전류 확산층(120)과 오믹 콘택을 형성하는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 백금(Pt), 텅스텐(W), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소나노튜브를 포함할 수 있다. 제2 전극(150)은 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있고, 예를 들어 Ni/Au, Pd/Au, Pd/Ni 과 같은 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 전극(150)은 패키지 공정에서 본딩 와이어가 연결될 수 있다.The second electrode 150 may be positioned on the second conductive semiconductor layer 114 and may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 114. In addition, the second electrode 150 may be positioned on the current spreading layer 120. The first electrode 140 and the second electrode 150 may be positioned to face each other. The second electrode 150 may include a material forming an ohmic contact with the first current spreading layer 120. For example, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), titanium (Ti), Nickel (Ni), Tin (Sn), Chromium (Cr), Platinum (Pt), Tungsten (W), Cobalt (Co), Iridium (Ir), Rhodium (Rh), Ruthenium (Ru), Zinc (Zn), Magnesium (Mg) or an alloy thereof may be included, and for example, may include carbon nanotubes. The second electrode 150 may be composed of a single layer or multiple layers, for example, may be composed of multiple layers such as Ni / Au, Pd / Au, and Pd / Ni. Bonding wires may be connected to the second electrode 150 in a package process.

제1 전극(140)과 제2 전극(150)은 열증착, 전자빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering), 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성할 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 전극(140)과 제2 전극(150)은 리프트 오프(lift-off), 도금법 등 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(140)과 제2 전극(150)은 오믹 콘택을 향상시키기 위하여 열처리될 수 있다.The first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed using thermal evaporation, e-beam evaporation, sputtering, or chemical vapor deposition. The technical idea of the present invention is not limited thereto. In addition, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed using various methods such as a lift-off and a plating method. In addition, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be heat treated to improve ohmic contact.

제2 전극(150)은 본딩 와이어가 연결되는 전극 패드부(152) 및 제1 전극(140)을 향하여 연장된 전극 핑거부(154)를 더 포함할 수 있다. 전극 핑거부(154)는 전류를 전류 확산층(120)에 더 균일하게 분산시킬 수 있다. 전극 핑거부(154)는 전극 패드부(152)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 전극 패드부(152)와 동시에 형성될 수 있다.The second electrode 150 may further include an electrode pad part 152 to which the bonding wire is connected, and an electrode finger part 154 extending toward the first electrode 140. The electrode finger 154 may distribute the current more uniformly in the current spreading layer 120. The electrode finger part 154 may be formed of the same material as the electrode pad part 152 and may be formed simultaneously with the electrode pad part 152.

제2 전극(150)의 하측에는 반사 전극층(148)을 더 포함할 수 있다. 반사 전극층(148)은 광을 반사하여 제2 전극(150)이 광을 흡수하는 것을 방지할 수 있다. 반사 전극층(148)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 이들의 합금, 은(Ag)계 산화물(Ag-O) 또는 APC 합금(Ag, Pd, Cu를 포함하는 합금)을 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 백금(Pt) 중의 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 또한, 반사 전극층(148)은 제1 전류 확산층(120)과 제2 전극(150) 사이의 오믹 접촉을 증가시키는 물질로 구성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 이러한 반사 전극층(148)은 제1 전극(140)의 하측에도 형성될 수 있다.The reflective electrode layer 148 may be further included below the second electrode 150. The reflective electrode layer 148 may reflect light to prevent the second electrode 150 from absorbing light. The reflective electrode layer 148 may include aluminum (Al), silver (Ag), alloys thereof, silver (Ag) oxides (Ag-O), or APC alloys (alloys including Ag, Pd, and Cu). . In addition, the reflective electrode layer 148 may further include at least one of rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), nickel (Ni), ruthenium (Ru), iridium (Ir), and platinum (Pt). Can be. In addition, the reflective electrode layer 148 may be formed of a material for increasing ohmic contact between the first current spreading layer 120 and the second electrode 150. Although not shown, the reflective electrode layer 148 may also be formed under the first electrode 140.

전류 저지층(160)은 제2 전극(150)의 하측에 위치할 수 있다. 또한, 전류 저지층(160)은 전류 확산층(120)과 제2 도전형 반도체층(116) 사이에 위치할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 도전형 반도체층(116)과 쇼트키 콘택을 이루도록 형성할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(150)으로부터 직접적으로 하측 방향으로의 전류의 흐름을 저지시킬 수 있고 제1 전극(140)과 상대적으로 가까운 제2 전극(150)의 부분에 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 전류 저지층(160)은 제2 도전형 반도체층(116)에 전류가 균일하게 분산되는 기능을 할 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(150)에 전체적으로 대응하여 형성될 수 있고, 제2 전극(150)의 면적과 동일한 면적을 가지거나 더 큰 면적을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은 제2 전극(150)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있고, 예를 들어 전극 패드부(152) 및 전극 핑거부(154)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 전극 핑거부(154)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 좁은 폭을 가질 수 있고, 전극 패드부(152)의 하측에 위치하는 전류 저지층(160)은 상대적으로 넓은 폭을 가질 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물과 같은 절연체일 수 있다. 전류 저지층(160)은 불투명하거나 또는 투명할 수 있다. 전류 저지층(160)은, 예를 들어 산화물 또는 질화물일 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등일 수 있고, 제2 도전형 반도체층(116)의 일부 영역을 산소 플라즈마 공정을 이용하여 산화시켜 형성한 갈륨 산화물(GaxOy)일 수 있다. 이와 같은 전류 저지층(160)을 구성하는 물질은 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 160 may be positioned below the second electrode 150. In addition, the current blocking layer 160 may be located between the current spreading layer 120 and the second conductive semiconductor layer 116. The current blocking layer 160 may be formed to make a Schottky contact with the second conductivity type semiconductor layer 116. The current blocking layer 160 may block the flow of current in the downward direction directly from the second electrode 150 and concentrate current in a portion of the second electrode 150 relatively close to the first electrode 140. It can be prevented from flowing. Accordingly, the current blocking layer 160 may function to uniformly distribute the current in the second conductive semiconductor layer 116. The current blocking layer 160 may be formed to correspond to the second electrode 150 as a whole, and may have an area equal to or larger than that of the second electrode 150. The current blocking layer 160 may have a shape corresponding to that of the second electrode 150, and may have a shape corresponding to that of the electrode pad part 152 and the electrode finger part 154, for example. . Accordingly, the current blocking layer 160 positioned below the electrode finger portion 154 may have a relatively narrow width, and the current blocking layer 160 positioned below the electrode pad portion 152 may have a relatively large width. It may have a width. The current blocking layer 160 may be an insulator such as an oxide, for example. The current blocking layer 160 may be opaque or transparent. The current blocking layer 160 may be, for example, an oxide or a nitride, and may be, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like, and a portion of the second conductivity-type semiconductor layer 116 may be subjected to an oxygen plasma process. It may be gallium oxide (Ga x O y ) formed by oxidation using. The material constituting the current blocking layer 160 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

선택적으로(optionally), 반사 방지층(190, anti-reflection layer)이 제1 전류 확산층(120) 상에 위치할 수 있다. 반사 방지층(190)은 광의 내부 반사를 감소시키고, 내부에서 방출된 광을 산란 및/또는 굴절시켜 외부로 더 용이하게 방출시키는 기능을 할 수 있다. 반사 방지층(190)은 울퉁불퉁한(roughened) 표면을 가질 수 있고, 규칙적인 패턴 또는 불규칙적 패턴일 수 있고, 또는 광결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있다. 반사 방지층(190)은 투명한 절연물을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 다공질 SiO2, KH2PO4(KDP), NH4H2PO4, CaCO3, BaB2O4, NaF, 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 반사 방지층(190)은 제1 전류 확산층(120) 상에 투명한 절연층을 형성하고, 상기 투명한 절연층을 식각하여 형성할 수 있다.Optionally, an anti-reflection layer 190 may be located on the first current spreading layer 120. The anti-reflection layer 190 may function to reduce internal reflection of the light and to scatter and / or refract the light emitted therein to more easily emit it to the outside. The antireflective layer 190 may have a roughened surface, may be a regular pattern or an irregular pattern, or may have a photonic crystal structure. The anti-reflection layer 190 may include a transparent insulator, for example silicon oxide (SiO 2 ), porous SiO 2 , KH 2 PO 4 (KDP), NH 4 H 2 PO 4 , CaCO 3 , BaB 2 O 4 It may include at least any one of, NaF, and Al 2 O 3 . The anti-reflection layer 190 may be formed by forming a transparent insulating layer on the first current spreading layer 120 and etching the transparent insulating layer.

제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)는 기판(100)의 제2 면(104) 상에 위치할 수 있고, 활성층(114)으로부터 방출된 광을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. 도면에서는, 기판(100)의 제2 면(104)으로부터 제1 반사 부재(170)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치하고 있으나, 이와 반대로 제2 반사 부재(180)와 제2 반사 부재(180)의 순서로 위치할 수 있다.The first reflecting member 170 and the second reflecting member 180 may be positioned on the second surface 104 of the substrate 100 and may function to reflect light emitted from the active layer 114. have. In the drawing, although the first reflective member 170 and the second reflective member 180 are positioned in order from the second surface 104 of the substrate 100, the second reflective member 180 and the second reflective member are opposite to each other. It may be located in the order of 180.

제1 반사 부재(170)는 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector, DBR)일 수 있다. 제1 반사 부재(170)는 "mλ/4n" 의 두께를 각각 가지고 교대로 적층된 복수의 층들로 구성될 수 있다. 여기에서, λ는 방출되는 광의 파장, n은 매질의 굴절률, m은 홀수이다. 제1 반사 부재(170)은 저굴절률층(172)과 고굴절률층(174)의 적층 구조가 연속적으로 반복되어 적층 구조를 가질 수 있다. 저굴절률층(172)은, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2, 굴절률 1.4) 또는 알루미늄 산화물(Al2O3, 굴절률 1.6)을 포함할 수 있다. 굴절률층(174)은, 예를 들어, 실리콘 질화물(Si3N4, 굴절률 2.05~2.25) 티타늄 질화물(TiO2, 굴절률 2 이상), 또는 Si-H(굴절률 3 이상)를 포함할 수 있다.The first reflecting member 170 may be a distributed Bragg reflector (DBR). The first reflective member 170 may be composed of a plurality of layers alternately stacked with a thickness of “mλ / 4n”. Is the wavelength of the emitted light, n is the refractive index of the medium, and m is the odd number. The first reflective member 170 may have a stacked structure by repeatedly stacking the low refractive index layer 172 and the high refractive index layer 174. The low refractive index layer 172 may include, for example, silicon oxide (SiO 2 , refractive index 1.4) or aluminum oxide (Al 2 O 3 , refractive index 1.6). The refractive index layer 174 may include, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 , refractive index 2.05 to 2.25) titanium nitride (TiO 2 , refractive index 2 or more), or Si—H (refractive index 3 or more).

제2 반사 부재(180)는, 예를 들어 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어 은(Ag), 알루미늄(Al), 로듐(Rh), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 또는 이들을 합금을 포함할 수 있다. 제2 반사 부재(180)는 단일층으로 구성되거나 또는 다중층으로 구성될 수 있다.The second reflective member 180 may include, for example, a metal, for example, silver (Ag), aluminum (Al), rhodium (Rh), copper (Cu), palladium (Pd), or nickel (Ni). ), Ruthenium (Ru), iridium (Ir), platinum (Pt) or an alloy thereof. The second reflective member 180 may be composed of a single layer or multiple layers.

도시되지는 않았지만, 외부로부터의 전기적 단락 방지와 충격 방지를 위하여, 실리콘 산화막과 같은 봉지 부재(미도시)로 발광 다이오드(1)의 전체 구조를 덮을 수 있다.Although not shown, the entire structure of the light emitting diode 1 may be covered with an encapsulation member (not shown), such as a silicon oxide film, in order to prevent electrical shorts and impacts from the outside.

이하에서는, 기판(100)의 테두리 영역(20)에 위치하는 광 추출층(130)에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the light extraction layer 130 positioned in the edge region 20 of the substrate 100 will be described in detail.

도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드의 광 추출층(130)을 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light extraction layer 130 of a light emitting diode according to some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 광 추출층(130)은 기판(100) 상의 테두리 영역(20) 내에 위치할 수 있다. 광 추출층(130)은 주 영역(10)에서 발광한 광, 즉 활성층(114)에서 방출된 광을 산란 및/또는 굴절시켜 외부로 추출시킨다. 이에 따라, 광 추출층(130)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다. 도 3 및 도 4에는 광 추출층(130)에 의한 예시적인 광 추출이 점선 화살표로 도시되어 있다.1 to 5, the light extraction layer 130 may be located in the edge region 20 on the substrate 100. The light extraction layer 130 scatters and / or refracts light emitted from the main region 10, that is, light emitted from the active layer 114, to be extracted to the outside. Accordingly, the light extraction layer 130 can prevent the total internal reflection of the light, it can increase the light extraction efficiency to the outside. 3 and 4, exemplary light extraction by the light extraction layer 130 is shown by dashed arrows.

광 추출층(130)은 울퉁불퉁한(roughened) 표면을 가질 수 있고, 규칙적인 패턴 또는 불규칙적 패턴일 수 있고, 또는 광결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있다.The light extraction layer 130 may have a roughened surface, may be a regular pattern or an irregular pattern, or may have a photonic crystal structure.

광 추출층(130)은 주 영역(10)의 적어도 일 측에 인접하여 위치할 수 있고, 예를 들어 주 영역(10)을 둘러싸도록 위치할 수 있다. 광 추출층(130)은 기판(100)의 테두리 영역(20)을 전체적으로 덮을 수 있다. The light extraction layer 130 may be positioned adjacent to at least one side of the main region 10, and may be positioned to surround the main region 10, for example. The light extraction layer 130 may entirely cover the edge region 20 of the substrate 100.

광 추출층(130)은 투명한 물질을 포함할 수 있고, 절연물을 포함할 수 있다. 광 추출층(130)은, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2), 다공질 SiO2, KH2PO4(KDP), NH4H2PO4, CaCO3, BaB2O4, NaF, 및 Al2O3 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 광 추출층(130)은 기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The light extraction layer 130 may include a transparent material and may include an insulator. The light extraction layer 130 is, for example, silicon oxide (SiO 2 ), porous SiO 2 , KH 2 PO 4 (KDP), NH 4 H 2 PO 4 , CaCO 3 , BaB 2 O 4 , NaF, and Al 2. At least one of O 3 . The light extraction layer 130 may include the same material as the substrate 100.

광 추출층(130)은 투명한 물질을 포함할 수 있고, 도전물을 포함할 수 있다. 또한, 광 추출층(130)은 전류 확산층(120)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 광 추출층(130), 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), IGO(indium gallium oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(aluminum tin oxide), IWO(indium tungsten oxide), CIO(cupper indium oxide), MIO(magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In2O3, TiTaO2, TiNbO2, TiOx, RuOx, 및 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The light extraction layer 130 may include a transparent material and may include a conductive material. In addition, the light extraction layer 130 may include the same material as the current diffusion layer 120. Light extraction layer 130, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), indium aluminum zinc oxide (AZO), gallium (GZO) zinc oxide), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum tin oxide (ATO), indium tungsten oxide (IWO), cupper indium oxide (CIO), MIO (MIO) magnesium indium oxide), MgO, ZnO, In 2 O 3 , TiTaO 2 , TiNbO 2 , TiO x , RuO x , and IrO x .

광 추출층(130)이 도전물로 형성된 경우에는, 광 추출층(130)은 제1 도전형 반도체층(112)과 직접적으로 접촉하거나 또는 적어도 전기적으로 연결될 수 있고, 이에 따라 제1 도전형 반도체층(112)으로부터 제1 전극(140)으로의 전류 경로를 제공할 수 있다. 이러한 경우에, 광 산란층(130)은 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)으로부터 전기적으로 단락됨에 유의한다.When the light extraction layer 130 is formed of a conductive material, the light extraction layer 130 may be in direct contact with or at least electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 112, and thus the first conductivity type semiconductor. A current path can be provided from layer 112 to first electrode 140. Note that in this case, the light scattering layer 130 is electrically shorted from the active layer 114 and the second conductivity type semiconductor layer 116.

광 추출층(130)은 기판(100)의 테두리 영역(20)에 투명한 물질층을 형성하고, 상기 투명한 물질층을 식각하여 형성할 수 있다. 또한, 광 추출층(130)은 전류 확산층(120), 또는 반사 방지층(190)과 동일한 물질을 이용하여 동시에 형성할 수 있다. The light extraction layer 130 may be formed by forming a transparent material layer on the edge region 20 of the substrate 100 and etching the transparent material layer. In addition, the light extraction layer 130 may be simultaneously formed using the same material as the current diffusion layer 120 or the anti-reflection layer 190.

도 6 내지 도 10은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드의 광 추출층을 도시하는 단면도들이다. 도 6 내지 도 10에 도시된 실시예는 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예와 비교하여 상기 광 추출층이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.6 to 10 are cross-sectional views illustrating a light extraction layer of a light emitting diode according to some embodiments of the present invention. 6 to 10 relate to the case where the light extraction layer is different compared to the embodiment shown in FIGS. 1 to 5. Therefore, a description overlapping with the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 5 will be omitted.

도 6을 참조하면, 광 추출층(130a)은 분말 입자들(135)을 포함할 수 있다. 분말 입자들(135)에 의하여 광 추출층(130a)은 울퉁불퉁한 표면을 가질 수 있다.Referring to FIG. 6, the light extraction layer 130a may include powder particles 135. The light extracting layer 130a may have an uneven surface by the powder particles 135.

분말 입자들(135)은 상술한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 분말 입자들(135)은 투명한 물질을 포함할 수 있고, 절연물 또는 도전물을 포함할 수 있다. 분말 입자들(135)은 기판(100)과 동일한 굴절률을 가지는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 사파이어(굴절률은 약 1.77) 분말일 수 있다. 또는, 분말 입자들(135)은 기판(100)에 비하여 작은 굴절률을 가지는 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 실리콘 산화물(굴절률은 약 1.46) 분말일 수 있다. The powder particles 135 may include the material described above. For example, the powder particles 135 may include a transparent material and may include an insulator or a conductive material. The powder particles 135 may include a material having the same refractive index as the substrate 100, and may be, for example, sapphire powder having a refractive index of about 1.77. Alternatively, the powder particles 135 may include a material having a smaller refractive index than the substrate 100, and may be, for example, silicon oxide (refractive index is about 1.46) powder.

울퉁불퉁한 표면을 형성하는 제1 분말 입자(135)에 의하여 및/또는 기판(100)에 비하여 작은 굴절율을 가지는 제1 분말 입자(135)에 의하여, 기판(100)으로부터 진행된 광은 제1 분말 입자(135)에서 산란 및/또는 굴절되어 외부로 용이하게 추출될 수 있다. 이에 따라, 광 추출층(130a)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.Light propagated from the substrate 100 by the first powder particles 135 forming a rugged surface and / or by the first powder particles 135 having a small refractive index relative to the substrate 100 is first powder particles. Scattered and / or refracted at 135 can be easily extracted to the outside. Accordingly, the light extraction layer 130a may prevent total internal reflection of light and increase light extraction efficiency to the outside.

분말 입자들(135)을 포함하는 광 추출층(130a)의 예시적인 형성 방법은 다음과 같다. 기판(100) 상에 고상의 분말 입자들(135)을 도포한 후 열처리하여 기판(100)에 융착시켜, 분말 입자들(135)을 포함하는 광 추출층(130a)을 형성할 수 있다. 또는, 분말 입자들(135)을 포함하는 수용액을 스핀 코팅 등의 방식으로 도포한 후, 베이크(bake)하여 분말 입자들(135)을 기판에 부착시켜, 분말 입자들(135)을 포함하는 광 추출층(130a)을 형성할 수 있다.An exemplary method of forming the light extraction layer 130a including the powder particles 135 is as follows. The solid powder particles 135 may be coated on the substrate 100 and then heat-treated to be fused to the substrate 100 to form the light extraction layer 130a including the powder particles 135. Alternatively, an aqueous solution including the powder particles 135 may be applied by spin coating, and then baked to attach the powder particles 135 to the substrate to light the light including the powder particles 135. The extraction layer 130a may be formed.

도 7을 참조하면, 광 추출층(130b)은 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 분말 입자들(136)과 제2 분말 입자들(137)을 포함할 수 있다. 제1 분말 입자들(136)과 제2 분말 입자들(137)은 상술한 물질을 포함할 수 있다. 제1 분말 입자들(136)은 제1 굴절률을 가질 수 있고, 제2 분말 입자들(137)은 상기 제1 굴절률에 비하여 낮은 제2 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 분말 입자들(136)은 사파이어 분말일 수 있고, 제2 분말 입자들(137)은 실리콘 산화물 분말일 수 있다. 여기서, 광 추출층(130b)에 포함되는 제1 분말 입자들(136)과 제2 분말 입자들(137)의 비율은 굴절률을 극대화할 수 있는 적정 비율로 최적화될 수 있다. 기판(100)으로부터 진행된 광은 제1 분말 입자들(136)과 제2 분말 입자들(137)에서 각각 산란 및/또는 굴절되어 외부로 용이하게 추출될 수 있다. 이에 따라, 광 추출층(130b)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 7, the light extraction layer 130b may include first powder particles 136 and second powder particles 137 having different refractive indices. The first powder particles 136 and the second powder particles 137 may include the aforementioned materials. The first powder particles 136 may have a first refractive index, and the second powder particles 137 may have a second refractive index lower than that of the first refractive index. For example, the first powder particles 136 may be sapphire powder, and the second powder particles 137 may be silicon oxide powder. Here, the ratio of the first powder particles 136 and the second powder particles 137 included in the light extraction layer 130b may be optimized at an appropriate ratio to maximize the refractive index. Light propagated from the substrate 100 may be easily scattered and / or refracted by the first powder particles 136 and the second powder particles 137 to be easily extracted to the outside. Accordingly, the light extraction layer 130b may prevent total internal reflection of light and increase light extraction efficiency to the outside.

도 8을 참조하면, 광 추출층(130c)은 복수의 층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 추출층(130c)은 제1 굴절률을 가지는 제1 분말 입자들(136)을 포함하는 제1 층(131c)과, 제1 층(131c) 상에 위치하고 상기 제1 굴절률에 비하여 작은 제2 굴절률을 가지는 제2 분말 입자들(136)을 포함하는 제2 층(132c)이 적층된 복합층일 수 있다. 기판(100)으로부터 진행된 광은 점차적으로 작아지는 굴절률을 가지는 광 추출층(130c)에 의하여 외부로 용이하게 추출될 수 있다. 이에 따라, 광 추출층(130c)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다. 제1 층(131c)과 제2 층(132c)이 반대로 적층된 경우 및 제1 층(131c)과 제2 층(132c)이 교번하여 적층되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함될 수 있다.Referring to FIG. 8, the light extraction layer 130c may be composed of a plurality of layers. For example, the light extraction layer 130c may include a first layer 131c including first powder particles 136 having a first refractive index, and may be disposed on the first layer 131c and compared to the first refractive index. The second layer 132c including the second powder particles 136 having a small second refractive index may be a stacked layer. Light propagated from the substrate 100 may be easily extracted to the outside by the light extraction layer 130c having a refractive index that gradually decreases. Accordingly, the light extraction layer 130c may prevent total internal reflection of light and increase light extraction efficiency to the outside. In the case where the first layer 131c and the second layer 132c are stacked in reverse, the case where the first layer 131c and the second layer 132c are alternately stacked may be included in the technical idea of the present invention.

도 9를 참조하면, 광 추출층(130d)은 복수의 층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 추출층(130d)은 제1 크기를 가지는 제3 분말 입자들(138)을 포함하는 제1 층(131d)과, 제1 층(131d) 상에 위치하고 상기 제1 크기에 비하여 작은 제2 크기를 가지는 제4 분말 입자들(139)을 포함하는 제2 층(132d)이 적층된 복합층일 수 있다. 제3 분말 입자들(138)과 제4 분말 입자들(139)은 상술한 물질들을 포함할 수 있다. 제3 분말 입자들(138)과 제4 분말 입자들(139)은 동일한 물질 또는 서로 다른 물질일 수 있다. 기판(100)으로부터 진행된 광은 광 추출층(130d)을 구성하는 분말 입자들(138, 139)의 크기 변화에 의하여 변화하는 굴절률에 따라 외부로 용이하게 추출될 수 있다. 이에 따라, 광 추출층(130d)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 9, the light extraction layer 130d may be composed of a plurality of layers. For example, the light extraction layer 130d may be disposed on the first layer 131d including the first layer 131d including the third powder particles 138 having the first size, and compared to the first size. The second layer 132d including the fourth powder particles 139 having a small second size may be a stacked layer. The third powder particles 138 and the fourth powder particles 139 may include the above materials. The third powder particles 138 and the fourth powder particles 139 may be the same material or different materials. Light propagated from the substrate 100 may be easily extracted to the outside according to the refractive index which is changed by the size change of the powder particles 138 and 139 constituting the light extraction layer 130d. Accordingly, the light extraction layer 130d may prevent total internal reflection of light and increase light extraction efficiency to the outside.

도 10을 참조하면, 광 추출층(130e)은 복수의 층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 추출층(130e)은 제2 크기를 가지는 제4 분말 입자들(139)을 포함하는 제2 층(132e)과 제1 층(131e) 상에 위치하고 상기 제2 크기에 비하여 큰 제1 크기를 가지는 제3 분말 입자들(138)을 포함하는 제2 층(131e)이 적층된 복합층일 수 있다. 기판(100)으로부터 진행된 광은 광 추출층(130e)을 구성하는 분말 입자들(138, 139)의 크기 변화에 의하여 변화하는 굴절률에 따라 외부로 용이하게 추출될 수 있다. 이에 따라, 광 추출층(130e)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, the light extraction layer 130e may be composed of a plurality of layers. For example, the light extraction layer 130e is disposed on the second layer 132e and the first layer 131e including the fourth powder particles 139 having the second size and is larger than the second size. The second layer 131e including the third powder particles 138 having the first size may be a stacked layer. The light propagated from the substrate 100 may be easily extracted to the outside according to the refractive index which is changed by the size change of the powder particles 138 and 139 constituting the light extraction layer 130e. Accordingly, the light extraction layer 130e may prevent total internal reflection of light and increase light extraction efficiency to the outside.

또한, 상술한 실시예들은 예시적이며, 도 6 내지 도 10을 참조하여 설명한 실시예들이 조합되는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함될 수 있다.In addition, the above-described embodiments are exemplary, and a case where the embodiments described with reference to FIGS. 6 to 10 are combined may also be included in the technical idea of the present invention.

도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(2)의 단면도이다. 도 11에 도시된 실시예는 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예와 비교하여 상기 광 추출층이 상이한 경우에 관한 것이다. 따라서, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.11 is a cross-sectional view of a light emitting diode 2 according to some embodiments of the present invention. The embodiment shown in FIG. 11 relates to a case where the light extraction layer is different compared to the embodiment shown in FIGS. 1 to 5. Therefore, a description overlapping with the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 5 will be omitted.

도 11을 참조하면, 발광 다이오드(2)는 기판(100)의 일부 영역을 식각 등을 이용하여 제거하여 형성된 광 추출층(230)을 포함한다. 따라서, 광 추출층(230)은 기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 광 추출층(230)은 울퉁불퉁한 표면을 가질 수 있고, 규칙적인 패턴 또는 불규칙적 패턴일 수 있고, 또는 광결정 구조를 가질 수 있다. 광 추출층(230)은 주 영역(10)에서 발광한 광, 즉 활성층(114)에서 방출된 광을 산란 및/또는 굴절시켜 외부로 추출시킨다. 이에 따라, 광 추출층(230)은 광의 내부 전반사를 방지할 수 있고, 외부로의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.Referring to FIG. 11, the light emitting diode 2 includes a light extraction layer 230 formed by removing a portion of the substrate 100 by etching or the like. Therefore, the light extraction layer 230 may include the same material as the substrate 100. The light extraction layer 230 may have an uneven surface, may be a regular pattern or an irregular pattern, or may have a photonic crystal structure. The light extraction layer 230 scatters and / or refracts light emitted from the main region 10, that is, light emitted from the active layer 114, to be extracted to the outside. Accordingly, the light extraction layer 230 may prevent the total internal reflection of light, and may increase the light extraction efficiency to the outside.

상술한 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드가 래터럴(lateral) 형태를 가지는 경우에 대하여 설명되었으나, 이는 예시적이다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드는 플립칩(flip-chip)형, 버티컬(vertical)형, 또는 다양한 형상을 가질 수 있음을 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 이해할 수 있다.In the above-described embodiments, the case where the light emitting diode has a lateral shape has been described, but this is exemplary. Those skilled in the art may understand that the light emitting diode according to the spirit of the present invention may have a flip-chip type, a vertical type, or various shapes.

도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 다이오드(1)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(1000)의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 1000 including a light emitting diode 1 according to some embodiments of the present invention.

도 12를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1000)는 리드프레임(1100)상에 페이스트와 같은 접착 부재(1200)에 의해 부착된 발광 다이오드(1)를 포함한다. 발광 다이오드(1), 즉 발광 다이오드(1)의 전극들과 리드프레임(1100)은 본딩 와이어(1300)에 의하여 전기적으로 연결된다. 발광 다이오드(1)는 전체적으로 에폭시와 같은 투명 보호층(1400)으로 덮인다. 리드프레임(1100)을 통하여 전류가 제공되면, 발광 다이오드(1)의 발광 구조물에서 광이 방출되고, 이어서 투명 보호층(1400)을 통하여 발광된다. 이러한, 발광 다이오드 패키지(1000)는 예시적이며, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 12, the light emitting diode package 1000 includes a light emitting diode 1 attached to the lead frame 1100 by an adhesive member 1200 such as a paste. The light emitting diode 1, that is, the electrodes of the light emitting diode 1 and the lead frame 1100 are electrically connected by the bonding wire 1300. The light emitting diode 1 is entirely covered with a transparent protective layer 1400 such as epoxy. When current is provided through the lead frame 1100, light is emitted from the light emitting structure of the light emitting diode 1, and then emitted through the transparent protective layer 1400. The light emitting diode package 1000 is exemplary, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto.

1, 2: 발광 다이오드, 10: 주 영역, 20: 테두리 영역
100: 기판, 102: 제1 면, 104: 제2 면, 106: 버퍼층,
110: 발광 구조물, 112: 제1 도전형 반도체층, 114: 활성층,
116: 제2 도전형 반도체층, 120: 전류 확산층,
130, 130a, 130b, 130c, 130d, 130e, 230: 광 추출층
135, 136, 137, 138, 139: 분말 입자
140: 제1 전극, 150: 제2 전극, 152: 전극 패드부, 154: 전극 핑거부,
158: 반사 전극층, 160: 전류 저지층,
170: 제1 반사 부재, 172: 저굴절률층, 174: 고굴절률층,
180: 제2 반사 부재, 190: 반사 방지층
1000: 발광 다이오드 패키지, 1100: 리드프레임
1200: 접착 부재, 1300: 본딩 와이어, 1400: 투명 보호층1, 2: light emitting diode, 10: main region, 20: border region
100: substrate, 102: first side, 104: second side, 106: buffer layer,
110: light emitting structure, 112: first conductive semiconductor layer, 114: active layer,
116: second conductivity type semiconductor layer, 120: current diffusion layer,
130, 130a, 130b, 130c, 130d, 130e, 230: light extraction layer
135, 136, 137, 138, 139: powder particles
140: first electrode, 150: second electrode, 152: electrode pad portion, 154: electrode finger portion,
158: reflective electrode layer, 160: current blocking layer,
170: first reflective member, 172: low refractive index layer, 174: high refractive index layer,
180: second reflection member, 190: antireflection layer
1000: light emitting diode package, 1100: leadframe
1200: adhesive member, 1300: bonding wire, 1400: transparent protective layer

Claims (20)

주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 주 영역 내에 위치한 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 활성층;
상기 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층; 및
상기 기판 상의 상기 테두리 영역 내에 위치하되 분말 입자들을 포함하는 광 추출층;을 포함하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.A substrate comprising a main region and an edge region positioned around the main region;
A first conductivity type semiconductor layer located in the main region on the substrate;
An active layer on the first conductivity type semiconductor layer;
A second conductivity type semiconductor layer on the active layer; And
And a light extraction layer positioned in the edge region on the substrate, the light extraction layer including powder particles. 제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은 울퉁불퉁(roughened)한 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light extraction layer having a light extraction layer, characterized in that the light extraction layer has a roughened (roughened) surface. 제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은 상기 주 영역을 둘러싸도록 위치하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And the light extracting layer is positioned to surround the main region. 제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은 투명한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light extraction layer having a light extraction layer, characterized in that the light extraction layer comprises a transparent material. 제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은 상기 기판과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light extraction layer having a light extraction layer, characterized in that the light extraction layer comprises the same material as the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상에 전류 분산층을 더 포함하고,
상기 광 추출층은 상기 전류 분산층과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
Further comprising a current spreading layer on the second conductivity type semiconductor layer,
And the light extracting layer comprises the same material as the current spreading layer. 제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And the light extracting layer is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 분말 입자들은 상기 기판과 동일하거나 작은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
And the powder particles have a refractive index equal to or less than that of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 분말 입자들은 서로 다른 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light emitting diode having a light extraction layer, characterized in that the powder particles have a different refractive index. 제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은 복수의 층으로 구성된 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The light extraction layer has a light extraction layer, characterized in that composed of a plurality of layers. 제 1 항에 있어서,
상기 분말 입자는 제1 굴절률을 가지는 제1 분말 입자들; 및 상기 제1 굴절률에 비하여 작은 제2 굴절률을 가지는 제2 분말 입자들;을 포함하며,
상기 광 추출층은 상기 제1 분말 입자들을 포함하는 제1 층; 및 상기 제2 분말 입자들을 포함하는 제2 층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The powder particles may include first powder particles having a first refractive index; And second powder particles having a second refractive index smaller than that of the first refractive index.
The light extraction layer comprises a first layer comprising the first powder particles; And a second layer comprising the second powder particles;
A light emitting diode having a light extraction layer comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 분말 입자는 제1 크기를 가지는 제3 분말 입자들; 및 상기 제1 크기에 비하여 작은 제2 크기를 가지는 제4 분말 입자들;을 포함하며,
상기 광 추출층은 상기 제3 분말 입자들을 포함하는 제3 층; 및 상기 제4 분말 입자들을 포함하는 제4 층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 1,
The powder particles may include third powder particles having a first size; And fourth powder particles having a second size smaller than the first size.
The light extracting layer comprises a third layer comprising the third powder particles; And a fourth layer comprising the fourth powder particles;
A light emitting diode having a light extraction layer comprising a. 제 13 항에 있어서,
상기 제4 층은 상기 제3 층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 13,
And said fourth layer is located on said third layer. 제 13 항에 있어서,
상기 제3 층은 상기 제4 층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 13,
And the third layer is located on the fourth layer. 제 13 항에 있어서,
상기 제3 분말 입자들과 상기 제4 분말 입자들은 서로 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 13,
The light emitting diode having a light extraction layer, wherein the third powder particles and the fourth powder particles include different materials. 제 13 항에 있어서,
상기 제3 분말 입자들과 상기 제4 분말 입자들은 서로 다른 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.The method of claim 13,
The light emitting diode having a light extraction layer, wherein the third powder particles and the fourth powder particles have different refractive indices. 삭제delete 주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 상기 주 영역 상에 위치한 발광 구조물;
상기 발광 구조물에 전류를 공급하는 전극들; 및
상기 기판 상에 위치하고, 상기 테두리 영역 상에 위치하되 분말 입자들을 포함하는 광 추출층;
을 포함하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드.A substrate comprising a main region and an edge region positioned around the main region;
A light emitting structure on the main region of the substrate;
Electrodes for supplying current to the light emitting structure; And
A light extraction layer positioned on the substrate and positioned on the edge region, wherein the light extraction layer comprises powder particles;
Light emitting diode having a light extraction layer comprising a. 주 영역과 상기 주 영역 주위에 위치한 테두리 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상의 상기 주 영역 내에 위치한 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 활성층; 상기 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층; 및 상기 기판 상의 상기 테두리 영역 내에 위치하되 분말 입자들을 포함하는 광 추출층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극;을 포함하는 발광 다이오드;
상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 또는 이들 모두와 전기적으로 연결되는 리드프레임; 및
상기 발광 다이오드와 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 투명 보호층;
을 포함하는 광 추출층을 갖는 발광 다이오드 패키지.A substrate comprising a main region and an edge region positioned around the main region; A first conductivity type semiconductor layer located in the main region on the substrate; An active layer on the first conductivity type semiconductor layer; A second conductivity type semiconductor layer on the active layer; And a light extraction layer positioned in the edge region on the substrate and including powder particles; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer;
A lead frame electrically connected to the first electrode, the second electrode, or both; And
A transparent protective layer covering and protecting the light emitting diode and the lead frame;
Light emitting diode package having a light extraction layer comprising a.
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