KR101270471B1 - 회전식 타겟 소결체의 제조방법 및 이 방법으로 제조한회전식 타겟 소결체 - Google Patents
회전식 타겟 소결체의 제조방법 및 이 방법으로 제조한회전식 타겟 소결체 Download PDFInfo
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Abstract
회전식 타겟 소결체의 진원도 및 직진도를 향상시킬 수 있는 회전식 타겟 소결체의 제조방법 및 이 방법으로 제조한 회전식 타겟 소결체가 제공된다. 회전식 타겟 소결체의 제조방법은 회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계와, 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 포함한다.
유동 부재, 지지 플레이트, 회전식, 소결체
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2a는 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대에 회전식 타겟 성형체를 직립 적재한 모습을 나타낸 사시도이다.
도 2b는 다른 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대에 회전식 타겟 성형체를 직립 적재한 모습을 나타낸 사시도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 직진도를 측정한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 진원도를 측정한 개략도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100, 102: 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대
110: 소결 기판 111: 소결 기판 본체부
112: 유동 부재 가이드 140a: 볼
160: 지지 플레이트 180: 지지 성형체
190: 세라믹 분말 200: 회전식 타겟 성형체
300: 회전식 타겟 소결체 400a, 400b : 직진도 측정대
본 발명은 회전식 타겟 소결체의 제조방법 및 이 방법으로 제조한 회전식 타겟 소결체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 회전식 타겟 소결체의 진원도 및 직진도를 향상시킬 수 있는 회전식 타겟 소결체의 제조방법 및 이 방법으로 제조한 회전식 타겟 소결체에 관한 것이다.
유리나 플라스틱 등의 기판에 형성되는 박막에는 금속류뿐만 아니라, 금속 산화물, 세라믹류 등의 재료가 이용되며, 특히 인듐산화물(In2O3)과 주석산화물(SnO2)을 혼합한 ITO(Indium Tin Oxide) 박막은 주로 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 유기EL 표시장치(Organic ElectroLuminescent Display) 등 평판 디스플레이 장치에 사용되는 전극재료로 사용되고 있다.
상기와 같은 전극 박막의 형성 방법으로서 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법이 이용되고 있다. 이러한 스퍼터링 장치에서 박막 형성에 일반적으로 사용되는 평판형 타겟은 효율이 낮고, 수명이 짧은 경향이 있어 회전식 타겟이 제안되었다.
회전식 타겟의 경우 그 구조적 특성으로 인해 평판형의 경우와는 상이한 소결장치 및 소결방법이 요구된다. 회전식 타겟 성형체를 소결하는 경우, 성형체의 자중 및 붕판과의 마찰 등에 의해 성형체에 불균일한 수축이 발생하여 소결체에 진원도 불량 및 직진도 불량이 발생할 수 있다.
이러한 점을 개선하고자 회전식 타겟 성형체를 지그에 매달아 소결하는 방법, 회전식 타겟 성형체의 상단부 또는 하단부에 세터를 설치하여 소결하는 방법 및 회전식 타겟 성형체를 원주상 심재에 삽입하여 소결하는 방법 등이 제안되었으나, 이들 소결방법은 복잡한 소결 보조장치가 추가로 요구되어, 별도의 장치를 제조하여야 하는 번거로움이 있으며, 진원도 불량 및 직진도 불량을 모두 효과적으로 개선하기에는 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 진원도 불량 및 직진도 불량이 개선된 회전식 타겟 소결체의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 기술적 과제에 의한 방법으로 제조한 진원도 및 직진도가 향상된 회전식 타겟 소결체를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 제조방법은 회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계와, 상기 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체는 회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계, 및 상기 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 포함하여 제조된 회전식 타겟 소결체로서, 진원도가 95% 이상이고, 직진도가 97% 이상이며, 높이가 300 mm ~ 3000 mm이고, 중공단면의 두께가 5 mm ~ 10 mm이며 ITO로 이루어질 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 도 1 내지 도 2b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 세라믹 원료 분말을 슬러리화하여 구형 입자(granule) 분말을 제공한다(S1). 세라믹 원료 분말이 2종류 이상인 경우, 이를 소정의 비율로 혼합하고, 이에 분산제나 바인더와 같은 유기첨가제를 첨가하여 예를 들어 볼밀에서 혼합, 분쇄한다. 이 경우, 혼합 및 분쇄 시간은 입자 크기 및 혼합 정도가 균일하도록 충분한 시간일 수 있다. 이후, 혼합, 분쇄하여 수득된 혼합물을 챔버에서 슬러리화하여, 구형 입자 분말로 수득한다.
이상 세라믹 분말을 슬러리화하여 구형 입자 분말을 제공하는 공정을 예시하였지만, 이러한 공정은 이에 제한되지 않으며, 구형 입자 분말은 다른 공정을 거쳐 수득하거나, 구입하여 사용할 수도 있다.
이어서, 상기 구형 입자 분말은 냉간정수압 성형(CIP) 방법에 의해 성형체로 제공된다(S2). 회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계는, 이러한 세라믹 슬러리를 몰드(mold)에 투입하여 중공형상의 성형체를 형성시키고, 이렇게 형성된 성형체에 진공 포장을 수행한다.
이어서, 이 중공형상의 성형체가 몰드를 다수의 공극(pore)이 구비된 외곽 몰드 내부에 장착하고, 소정의 압력으로 1 내지 2시간 동안 냉간정수압 성형을 수 행하여, 회전식 타겟 성형체를 제공한다.
이후, 상술한 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록 유동가능한 다수의 지지 플레이트(160) 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계(S3)를 수행한다.
소결 단계(S3)에서 소결은 생산 설비 및 비용을 고려하여 대기중 또는 순산소 분위기에서 소결할 수 있다.
소결 조건은 소결 밀도 등을 고려하여 결정하며, 특히 소결 온도는 1,200℃ ~ 1,600℃의 범위에서 다단계로 설정할 수 있다.
도 2a는 상기 소결 단계(S3)를 수행하도록, 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대에 회전식 타겟 성형체를 직립 적재한 모습을 나타낸 사시도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 회전식 타겟 성형체(200)는 지지 플레이트(160) 상에 직립 적재하여 소결될 수 있다. 또한, 회전식 타겟 성형체(200) 소결용 배치대(100)는 소결 기판(110), 유동 부재로서 볼(140a), 및 다수의 지지 플레이트(160)로 이루어질 수 있다.
도 2b는 상기 소결 단계(S3)를 수행하도록, 다른 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대에 회전식 타겟 성형체를 직립 적재한 모습을 나타낸 사시도이다. 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대(102)는 지지 성형체(180)를 더 포함할 수 있다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 회전식 타겟 성형체(200)는 세라믹 분말(190)이 도포된 지지 성형체(180) 상에 직립 적재하여 소결될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 제조방법에 있어서, 소결 단계(S3) 중 다수의 지지 플레이트(160) 상에 회전식 타겟 성형체(200)를 직립 적재하는 단계는, 지지 플레이트(160) 상에 배치되며, 상기 회전식 타겟 성형체(200)를 지지하고, 상기 회전식 타겟 성형체(200)와 수축율이 동일한 지지 성형체(180) 상에 상기 회전식 타겟 성형체(200)를 직립 적재하는 단계일 수 있다.
상술한 바와 같이, 회전식 타겟 성형체(200)를 지지 플레이트(160)나 지지 플레이트(160) 상에 배치된 지지 성형체(180) 상에 직립 적재하여 소결하는 경우, 회전식 타겟 소결체의 직진도 및 진원도가 향상될 수 있다.
또한, 회전식 타겟 성형체(200)가 지지되는 상기 지지 성형체(180)는 표면에 합착을 방지하는 세라믹 분말(190)을 더 포함할 수 있다.
표면에 세라믹 분말(190)이 도포된 지지 성형체(180) 상에 회전식 타겟 성형체(200)를 배치하여 소결하는 경우, 지지 성형체(180)가 지지 플레이트(160)와의 마찰력을 흡수하여, 상기 회전식 타겟 성형체(200)와 지지 플레이트(160)와의 마찰이 감소되도록 소결함으로써 회전식 타겟 소결체의 진원도 및 동심도를 더욱 향상시킬 수 있다.
이러한 소결 단계(S3)에서, 회전식 타겟 성형체는 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하게 된다. 다수의 지지 플레이트(160)는 상술한 바와 같이, 일정 간격으로 배열되어 원활하게 유동가능하며, 이 경우, 인접하는 지지 플레이트(160)간 상호 이격 거리가 소결시 수축을 고려하여 1 mm ~ 2 mm일 수 있다.
상술한 다수의 지지 플레이트(160)는 유동 부재 상에 배열되어, 소결 기판 본체부(111), 및 이것의 가장자리에 배치되어 유동 부재의 이탈을 방지하는 유동 부재 가이드(112)로 구성된 소결 기판(110)에 배치될 수 있다. 다만, 유동 부재가 흘러내릴 염려가 없는 경우, 소결 기판(110)의 유동 부재 가이드(112)는 생략될 수도 있다. 이러한 유동 부재는, 예를 들어 다수개의 내열성 볼(140a)일 수 있다.
볼(140a)은 소결 변형 및, 볼(140a)과 지지 플레이트(160)간의 마찰을 고려하여 직경이 1 mm ~ 10 mm일 수 있다. 또한, 볼(140a)의 직경은, 후술하는 바와 같이 지지 성형체(180)에 세라믹 분말(190)을 도포하는 경우, 볼(140a)의 직경이 작으면 이 세라믹 분말(190)이 분말과 반응하여, 볼(140a)의 유동성이 저하될 수 있는 점도 고려하여 결정한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 제조방법은 볼(140a)에 의해 원활하게 유동가능한 지지 플레이트(160)에 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 포함하여, 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록 소결하며, 이에 의해 회전식 타겟 소결체의 진원도 및 동심도를 개선시키고, 직진도를 향상시킬 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체에 대해 설명한다.
본 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는 회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계, 및 상술한 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상술한 회전식 타겟 성형체를 직립 적 재하여 소결하는 단계를 포함하여 제조된다.
회전식 타겟 성형체를 제조하는 단계에서, 회전식 타겟 성형체는 세라믹을 전극 특성에 적합한 비율로 혼합하여, 냉간정수압 성형(CIP: Cold Isostatic Pressing)에 의해 제조될 수 있다. 여기서, 회전식 타겟 성형체가 ITO 타겟 성형체인 경우, 인듐산화물(In2O3)과 주석산화물(SnO2)을 혼합하고 냉간정수압 성형하여 제조될 수 있다.
냉간 정수압 성형에 의해 제조된 상술한 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상술한 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 수행함으로써, 본 실시예의 회전식 타겟 소결체(300)를 제조한다.
여기서, 다수의 지지 플레이트 상에 상술한 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하는 단계는, 상술한 지지 플레이트 상에 배치되며, 상술한 회전식 타겟 성형체를 지지하고, 상술한 회전식 타겟 성형체와 수축율이 동일한 지지 성형체 상에 상술한 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하는 단계를 포함한다.
즉, 회전식 타겟 소결체(300)는 유동가능한 지지 플레이트 상에 상술한 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하거나, 지지 플레이트 상에 지지 성형체를 직립 적재하여 소결하여 제조한다.
또한, 상술한 소결은 1,200℃ ~ 1,600℃의 소결온도에서 다단계로 수행하여, 소결 밀도, 직진도, 및 진원도를 향상시킬 수 있다.
이와 같이 제조된 회전식 타겟 소결체는 후술하는 바와 같이 진원도가 95% 이상이고, 직진도가 97% 이상이며, 높이가 300 mm ~ 3000 mm이고, 중공단면의 두께가 5 mm ~ 10 mm일 수 있다.
본 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는 스퍼터링 수행시 특정 부분이 움푹 패이는 에로젼(erosion)이 방지되도록 중공 원통형상일 수 있다.
회전식 타겟 소결체(300)는 내열성 세라믹 소결체일 수 있으며, 예를 들어, 회전식 ITO 타겟 소결체일 수 있다.
회전식 타겟 소결체(300)는 이전 실시예에서 상술한 바와 같이, 유동 가능한 지지 플레이트 상에서 소결을 수행하여, 소결체에 휨 현상이나, 찌그러짐 현상이 방지될 수 있다.
상술한 회전식 타겟 소결체 제조방법으로 제조한 ITO 회전식 타겟 소결체는 직진도 및 진원도가 우수하여, 스퍼터링시 특정 부위가 먼저 소모되지 않으므로 수명이 향상되고, 우수한 스퍼터링 효율을 얻을 수 있다.
이하 도 3a 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 직진도 및 진원도 등에 대하여 설명한다.
첨부된 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 직진도를 측정한 개략도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는 상술한 회전식 타겟 소결체의 제조방법에 의해 제조된 것으로서, 진원도가 95% 이상이고, 직진도가 97% 이상이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는 직진도(Δ)가 97% 이상일 수 있다.
직진도(Δ)는 도 3b에 도시한 바와 같이, 직진도 측정대(400a, 400b) 위에 회전식 타겟 소결체(300)를 배열하여 회전시키고, 지면으로부터의 변형 부위가 가장 높아지는 위치까지의 거리(D)와 지면으로부터의 변형 부위가 가장 낮아지는 위치까지의 거리(d)를 측정하고, 하기 식 1을 이용하여 산출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는 유동가능한 지지 플레이트(160)나 지지 성형체(180) 상에 직립 적재하여 소결시킴으로써, 97% 이상의 높은 직진도를 얻을 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체의 진원도를 측정한 개략도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는 진원도가 95% 이상이다.
진원도는 중공형상의 회전식 타겟 소결체(300)의 두께가 일정한지 여부를 나타내는 척도로서, 중공형 단면의 최대 외경 또는 최대 내경(R) 및 중공형 단면의 최소 외경 또는 최소 내경(r)을 측정하여 하기 식 2에 의해 산출될 수 있다.
상기 식 2에 의해 측정한 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)의 진원도는 95% 이상이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 타겟 소결체(300)는, 상술한 바와 같이 중공형상의 회전식 ITO 타겟 소결체일 수 있으며, 이 회전식 ITO 타겟 소결체는 높이가 300 mm ~ 3000 mm이고, 중공단면의 두께가 5 mm ~ 10 mm인 중공형상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 ITO 타겟 소결체는 상술한 방법으로 제조함으로써, 진원도 및 직진도가 우수하고, 대형 기판에 적합한 길이 및 두께를 가지는 소결체를 수득할 수 있다.
본 발명은 하기의 실험예를 참고로 더욱 상세히 설명되며, 이 실험예가 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
〈실험예 1〉
인듐산화물(In2O3)과 주석산화물(SnO2)을 전극 형성에 알맞도록 중량% 기준으로 9:1의 비율로 혼합, 분쇄하고, 슬러리화하고 ITO 구형 입자 분말을 수득하였다. 이어서 상기 ITO 구형 입자 분말을 냉간정수압 성형(CIP)용 중공형상의 성형 몰드에 투입하였다. 이후 몰드에 투입된 ITO 구형 입자 분말은 약 280 Mpa의 압력으로 1 내지 2시간 동안 냉간정수압 성형을 수행하였다. 그 결과 성형 밀도가 55% T.D.(Theoritical Density)이고, 길이 600 mm, 내경 171 mm, 두께 24 mm인 중공원통형상의 ITO 성형체가 제조되었다.
이후, 이 중공원통형 ITO 성형체에 외경 가공을 수행하여 ITO 성형체를 완성하였다. 완성된 중공원통형 ITO 성형체는 길이 600 mm, 내경 171 mm, 외경 194 mm이었다.
〈실험예 2〉
가장자리에 유동 부재 가이드가 설치되고, 소결 기판에 직경 1.0 mm의 세라믹 볼을 고루 펼쳐 배열하였다.
알루미나 재질로 가로, 세로 50 × 50 mm이고, 두께 5 mm인 지지 플레이트를 제작하여, 세라믹 볼 위에 1 mm 간격으로 일정하게 배열하였다.
ITO 성형체와 동일한 ITO 분말을 이용하여, 직경 200 mm, 두께 7 mm인 지지 성형체를 제조하여, 상술한 지지 플레이트 상에 배치하고, 지지 성형체 위에 산화 주석 분말을 도포하였다.
〈실험예 3〉
실험예 2에 따라 제조된 회전식 타겟 성형체 소결용 배치대에 실험예 1에서 제조한 중공원통형 ITO 성형체를 직립 적재하고, 서서히 승온하여 1,200℃ ~ 1,600℃의 소결온도에서 다단계 소결을 수행하였다. 이 경우 소결체의 소결 밀도는 99.5%이었다.
상기 수학식 1 및 수학식 2에 따라, 상기와 같이 제조한 중공원통형 ITO 소결체의 시제품 1 내지 5에 대한 직진도 및 진원도를 측정하고, 그 결과를 각각 표 1 및 표 2에 나타내었다.
[표 1]
| D(mm) | d(mm) | 직진도(%) | |
| 시제품 1 | 10.05 | 10.1 | 102.50 |
| 시제품 2 | 10.01 | 9.95 | 97.00 |
| 시제품 3 | 10.05 | 10.03 | 99.00 |
| 시제품 4 | 10.01 | 9.98 | 98.50 |
| 시제품 5 | 10.06 | 10.01 | 97.50 |
[표 2]
|
|
내주 단면 | 외주 단면 | ||||
| R(mm) | r(mm) | 진원도(%) | R(mm) | r(mm) | 진원도(%) | |
| 시제품 1 | 134.95 | 133.94 | 99.2459 | 155.41 | 153.26 | 99.5972 |
| 시제품 2 | 134.92 | 134.02 | 99.3285 | 155.4 | 154.03 | 99.1106 |
| 시제품 3 | 134.94 | 132.8 | 99.3886 | 155.41 | 153.13 | 99.5111 |
| 시제품 4 | 134.95 | 132.53 | 98.174 | 155.42 | 155.08 | 99.7808 |
| 시제품 5 | 134.92 | 132.03 | 97.8111 | 155.41 | 153.24 | 99.5839 |
표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 회전식 타겟 소결체는 직진도 및 진원도가 매우 우수함을 확인할 수 있었다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 회전식 타겟 소결체의 제조방법 및 이에 의해 제조한 회전식 타겟 소결체에 따르면 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록 소결하는 단계를 포함하는 회전식 타겟 소결체의 제조방법을 이용하여, 직진도 및 진원도가 향상된 회전식 타겟 소결체를 수득할 수 있다.
Claims (11)
- 회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계, 및 상기 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 포함하여 제조된 회전식 타겟 소결체로서, 진원도가 95% 이상이고, 직진도가 97% 이상이며, 높이가 300 mm ~ 3000 mm이고, 중공단면의 두께가 5 mm ~ 10 mm이며, ITO로 이루어진 회전식 타겟 소결체.
- 제 1항에 있어서,상기 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하는 단계는, 상기 지지 플레이트 상에 배치되며, 상기 회전식 타겟 성형체를 지지하고, 상기 회전식 타겟 성형체와 수축율이 동일한 지지 성형체 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하는 단계를 포함하여 제조된 회전식 타겟 소결체.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 소결은 1,200℃ ~ 1,600℃의 소결온도에서 다단계로 수행하여 제조된 회전식 타겟 소결체.
- 제1항에 따른 회전식 타겟 소결체를 제조하는 방법에 있어서,회전식 타겟 성형체를 제공하는 단계; 및상기 회전식 타겟 성형체가 회전 중심 방향으로 균일하게 수축하도록, 유동가능한 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하여 소결하는 단계를 포함하는 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 다수의 지지 플레이트는 유동 부재 상에 일정 간격으로 배열되어 원활하게 유동가능한 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 5항에 있어서,상기 유동 부재는 다수개의 볼을 포함하는 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 볼은 직경이 1 mm ~ 10 mm인 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 4항에 있어서,상기 다수의 지지 플레이트 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하는 단계는, 상기 지지 플레이트 상에 배치되며, 상기 회전식 타겟 성형체를 지지하고, 상기 회전식 타겟 성형체와 수축율이 동일한 지지 성형체 상에 상기 회전식 타겟 성형체를 직립 적재하는 단계인 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 회전식 타겟 성형체가 지지되는 상기 지지 성형체는 표면에 합착을 방지하는 세라믹 분말을 더 포함하는 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 4항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소결은 1,200℃ ~ 1,600℃의 소결온도에서 다단계로 수행하는 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
- 제 4항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 회전식 타겟 성형체는 회전식 ITO 타겟 성형체인 회전식 타겟 소결체의 제조방법.
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