KR101242627B1 - 세정이 필요없는 활성 수지 조성물 및 이를 사용하는 표면 실장 방법 - Google Patents

세정이 필요없는 활성 수지 조성물 및 이를 사용하는 표면 실장 방법 Download PDF

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산에이카가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 실온에서 고체인 100중량부의 에폭시 수지를 기초로, 1 내지 10중량부의 카복실산 화합물, 경화제의 경화 반응 개시 온도가 150℃ 이상인 1 내지 30중량부의 경화제, 및 10 내지 300중량부의 용매를 포함하는 활성 수지 조성물에 관한 것이다.

Description

세정이 필요없는 활성 수지 조성물 및 이를 사용하는 표면 실장 방법{CLEANING-FREE ACTIVATED RESINOUS COMPOSITION AND METHOD FOR SURFACE MOUNTING USING THE SAME}
본 발명은 플립-칩(flip-chip) 등의 실장(mounting)에 유용한 활성 수지 조성물 및 이런 활성 수지 조성물을 사용하는 표면 실장 방법에 관한 것이다.
통상적으로, BGA 부품들과 같은 다양한 부품들에 대한 표면 실장 기술들은 인쇄회로기판을 융제처리하는 단계; 인쇄회로기판 상에 BGA 부품을 실장하는 단계; 리플로우(reflow) 솔더링(soldering)하는 단계; 및 융제를 세정하고 제거하는 단계; 인쇄회로기판과 BGA 부품들 사이의 공간을 언더필 수지(underfill resin)으로 채우는 단계 및 언더필 수지를 경화하는 단계를 포함하는 방법에 의해 수행되었다. 활성제로서 송진 수지와 같은 카복실산을 가진 화합물을 포함하는 융제가 주지되어있다(특허 문헌 1, 청구항 2).
최근에, BGA 부품들에 실장되는 칩들의 수가 기능 발전에 따라 증가하는 경향이 있고 BGA 부품의 바디 크기도 따라서 크기가 증가하는 경향이 있다.
그러나, 크기가 증가하면, BGA 부품 자체가 원하는 세정 효과를 방해할 수 있고 융제를 세정하고 제거하는 단계에서 나중에 제거되지 않은 융제(융제 잔류물)를 남기게 될 수 있다. 결과적으로, 융제 잔류물에 포함된 활성제 성분이 언더필 수지의 열 경화의 후속 단계에서 부식 반응을 일으킬 수 있는 가능성이 있다.
이런 문제를 극복하기 위해서, 활성제가 부식의 가능성을 제한하기에 충분히 낮은 활성력을 갖는 것을 특징으로 하는, 세정이 필요 없는 융제(세정이 요구되지 않는 융제)가 이미 제안되었다(특허 문헌 2). 그러나, 이런 세정이 필요 없는 융제가 사용되는 경우, 이 세정이 필요 없는 융제 자체는 언더필 수지의 열 경화 단계에서 분해 기체를 발생시킬 수 있어서, 결과적으로 BGA 부품을 파괴할 수 있다.
BGA 부품의 크기가 커짐에 따라, BGA 부품에서 조인트들이 언더필 수지를 채우는 단계에서 원하는 충전 효과를 방해할 수 있다. 특히 인쇄회로기판의 표면상에 표면 불균일성(예를 들어, 회로 불균일성 및/또는 솔더 마스크 불균일성)이 있는 경우, 언더필 수지로 울퉁불퉁한 곳의 각 구멍과 모서리를 완전히 채우는 것은 불가능하며, 결과적으로, 간극 및/또는 채워지지 않은 공간이 남을 수 있어서, 제품의 품질과 신뢰성을 현저하게 떨어뜨린다. 또한, 간극과 같은 결함이 간과되는 경우, 언더필 수지를 경화하는 후속 단계에서 더 이상 제품을 수리할 수 없게 될 것이고 이런 불완전한 제품은 버려야 한다. 이는 수율의 감소를 직접적으로 유도한다.
[특허 문헌 1] 일본특허출원 특개평 No. 2004-152936
[특허 문헌 2] 일본특허출원 특개평 No. 2002-237676
상기한 문제들의 관점에서, 아래 기술된 것과 같은 효과들을 나타내도록 개선된 활성 수지 조성물을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
1) 표면 실장 방법에서, 융제 세정 단계는 제조 단가를 줄이기 위한 것뿐만 아니라 생산성을 향상시키기 위해 뺄 수 있다.
2) 코팅된 수지층은 경화된 후 기체 방울이나 간극 공간이 존재하지 않아 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.
3) 코팅된 수지층은 경화된 후 충분히 높은 열 안정성을 나타내어 코팅된 수지층이 부식 반응을 일으키고/거나 (예를 들어, 언더필 수지를 열 경화하는 단계에서) 가열시 분해 기체를 발생시킬 수 있는 걱정을 없앤다.
4) 언더필 수지의 충전이 수월해 질 수 있다.
결과적으로, 큰 바디 크기를 가진 BGA 부품이 실장되는 경우, 기체 방울, 간극 또는 다른 채워지지 않은 공간이 언더필 수지로 채우고 경화한 지역에 남을 수 있는 가능성이 없다. 이런 방식으로, 신뢰할 수 있는 조인트(접착)가 확보될 수 있고 제품이 신뢰성이 향상될 수 있다.
상기한 목적은 실험 발견을 기초로 한 본 발명자에 의해 개발된 본 발명에 의해 성취된다.
제 1 태양에서, 본 발명은 실온에서 고체인 100중량부의 에폭시 수지를 기초로, 1 내지 10중량부의 카복실산 화합물, 경화제의 경화 반응 개시 온도가 150℃ 이상인 1 내지 30중량부의 경화제, 및 10 내지 300중량부의 용매를 포함하는 활성 수지 조성물을 제공한다.
제 2 태양에서, 본 발명은 본 발명의 제 1 태양으로 정의된 활성 수지 조성물로 인쇄회로기판의 적어도 납땜 표면을 코팅하는 단계, 인쇄회로기판에 표면 실장될 부품을 놓는 단계, 리플로우 납땜을 수행하는 단계 및 코팅된 수지층을 열 경화하는 단계를 포함하는 표면 실장 방법을 제공한다.
제 3 태양에서, 본 발명은 인쇄회로기판에 표면 실장될 부품을 놓기 전에 경화 반응 개시 온도보다 낮으나 연화점에 해당하는 온도 이상에서 코팅된 수지층을 건조 및/또는 가열하는 단계를 더 포함하는 표면 실장 방법을 제공한다.
제 4 태양에서, 본 발명은 코팅된 수지층이 열 경화된 후 언더필 수지를 채우고 경화하는 단계를 더 포함하는 표면 실장 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 아래 기술된 것과 같은 효과들을 얻기 위해 사용될 수 있다.
1) 표면 실장 방법에서, 융제 세정 단계는 제조 단가를 줄이기 위한 것뿐만 아니라 생산성을 향상시키기 위해 뺄 수 있다.
2) 경화된 후 코팅된 수지층에 기체 방울이나 간극 공간이 존재하지 않아 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.
3) 경화된 후 코팅된 수지층은 충분히 높은 열 안정성을 나타내어 코팅된 수지층이 부식 반응을 일으키고/거나 (예를 들어, 언더필 수지를 열 경화하는 단계에서) 가열에 의해 분해 기체를 발생시킬 수 있는 걱정을 없앤다.
4) 언더필 수지의 충전이 수월해 질 수 있다.
결과적으로, 큰 바디 크기를 가진 BGA 부품이 실장되는 경우, 기체 방울, 간극 또는 다른 채워지지 않은 공간이 언더필 수지로 채우고 경화한 지역에 남을 수 있는 가능성이 없다. 이런 방식으로, 신뢰할 수 있는 조인트(접착)가 확보될 수 있고 제품이 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명의 내용 중에 포함되어 있음
도 1은 (a) 본 발명의 실시예에 사용된 인쇄회로기판의 평면도이고 (b) 도 1a에서 라인 a-a'를 따라 선택한 단면도이다.
도 2는 (a) 본 발명의 실시예에 사용된 BGA 부품의 저면도이고 (b) 도 2a에서 라인 a-a'를 따라 선택한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 표면 실장 공정의 개개의 단계들을 나타내는 복수의 단면도이다.
본 발명의 상세한 내용은 바람직한 실시예들을 기초로 하여 기술될 것이다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 실온에서 고체인 에폭시 수지를 포함한다. 에폭시 수지는 기질 수지로서 작용한다. 또한, 에폭시 수지는 경화 반응 과정에서 더욱 상세하게 기술될 활성제와 반응하여 활성제를 비활성화한다. 그 때문에 경화된 후 코팅된 수지층은 충분히 높은 열 안정성을 나타내어 코팅된 수지층이 부식 반응을 일으키고/거나 (예를 들어, 언더필 수지를 열 경화하는 단계에서) 가열에 의해 분해 기체를 발생시킬 수 있는 걱정을 없앤다. 에폭시 수지의 연화점은 70 내지 150(더욱 바람직하게는 80 내지 100)℃이다. 더욱 구체적으로, 에폭시 수지는 다양한 크레졸 노볼락-타입 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔-계 에폭시 수지, 비스페놀-A-타입 고체 에폭시 수지 및 고체 지방족 고리 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 활성제로서 작용하는 카복실 화합물을 포함한다. 구체적으로, 카복실 화합물은 p-하이드록시벤조산, 다이하이드록시벤조산, 페닐아세트산, 아비에트산, 스타이렌-말레산 수지 및 아크릴산 코폴리머와 같은 코폴리머로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 경화제를 포함한다. 경화 반응 개시 온도는 150℃ 이상(바람직하게는 160 내지 200℃)이다. 이런 높은 반응 개시 온도를 갖는 경화제는 짧은 시간 동안의 가열이 단시간 가열에 의해 발생하는 경화 반응을 일으키지 않고 활성 수지 조성물이 리플로우의 단계에서도 경화되는 것을 막을 수 있도록 하기 위해 사용될 수 있다. 구체적으로 다이시안다이아미드는 경화제로서 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 용매를 포함한다. 용매의 비등점은 바람직하게는 경화 반응 개시 온도보다 낮고 더욱 바람직하게는 150 내지 200℃의 범위이다. 구체적으로, 용매는 글리콜 에터, 에틸렌 글리콜 에터/에스터, 프로필렌 글리콜 에터/에스터, 및 N-메틸파이롤리돈으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 소포제로서 폴리다이메틸실록산, 실레인 결합제 및 에어로졸과 같은 다른 첨가제들을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 활성 수지 조성물은 100중량부의 고체 에폭시 수지를 기초로, 다음과 같이 성분을 포함한다: 1 내지 10(바람직하게는 2 내지 5)중량부의 카복실산 화합물, 1 내지 30(바람직하게는 2 내지 7)중량부의 경화제 및 10 내지 300(바람직하게는 30 내지 100)중량부.
본 발명에 따른 표면 실장 방법은 첨부된 도면을 참조하여 기술될 것이다. 본 방법에 따라, 제 1 단계에서, 인쇄회로기판(도 3의 3a, 1) 상의 솔더 패드(도 3의 3a, 2)의 적어도 표면은 본 발명에 따른 활성 수지 조성물(도 3의 3b, 3)로 코팅된다. 바람직하게는, 인쇄회로기판의 전체 표면 또는 단지 솔더 패드 표면만이 활성 수지 조성물로 코팅될 수 있다. 활성 수지 조성물로 표면 실장될 (도 3의 3c, 4) 부품의 적어도 솔더 패드 표면(도 3c, 9)을 코팅하는 것도 가능하다. 다시 말하면, 표면 실장될 부품의 전체 표면 또는 단지 솔더 범프만이 활성 수지 조성물로 코팅될 수 있다. 이런 코팅 공정에 의해 형성된 코팅된 수지층의 두께는 보통 10 내지 50㎛의 범위이다.
그런 후에, 코팅된 수지층(도 3의 3b, 3)을 건조하고 용매를 제거한다. 정상적으로 건조된 후 코팅된 수지층은 무 접착 코팅 막을 형성하다. 건조 조건은, 예를 들어, 80 내지 120℃의 온도에서 10 내지 30분일 수 있다.
그런 후에, 코팅된 수지층은 에폭시 수지의 경화 반응 개시 온도보다 낮으나 연화점보다 높은 온도에서 가열되는 것이 바람직하다. 이런 제어된 가열로, 코팅된 수지층은 정상적으로 접착성을 발현시키고 부품들이 표면 실장되는 것을 수월하게 한다. 가열 조건은, 예를 들어, 80 내지 130℃ 범위의 온도에서 1 내지 10분일 수 있다.
코팅된 수지층(도 3의 3b, 3)의 건조 단계 및 연화점 이상에 해당하는 온도에서 코팅된 수지층의 가열 단계 중 하나 또는 둘 다는 수행되거나 뺄 수 있다는 것을 알아야 한다. 수행되는 경우, 이 두 단계는 연속적으로 또는 한 번에 수행될 수 있다.
이제 표면 실장될 부품(도 3의 3b, 3)을 인쇄회로기판상에 놓는다. 본 발명은 비교적 큰 부품이 표면 실장되게 하는데, 예를 들어, 50mm x 50mm 이상의 부품이 처리된다. 표면 실장될 부품의 예들은 패키지 부품들(예를 들어, BGA 부품, CSP 부품, MCM 부품, IPM 부품 및 IGBT 부품)과 반도체 칩들을 포함한다.
부품을 놓는 단계 후 리플로우 솔더링 단계(도 3의 3d)가 이어진다. 리플로우 솔더링 단계는, 예를 들어, 240 내지 300℃ 범위의 온도에서 1 내지 10분 범위의 기간 동안 수행될 수 있다. 이 단계에서, 상기한 대로 경화 반응이 일어나지 않는다. 또한, 이 리플로우 솔더링의 과정에서, 코팅된 수지층에서 기체 방울, 간극 또는 수분은 코팅된 수지층으로부터 증기 형태로 빠져나온다. 결과적으로, 이런 기체 방울, 간극 및 수분의 어떤 것도 경화된 후 코팅된 수지층에 존재하지 않는다.
리플로우 솔더링의 단계 후 코팅된 수지층(도 3의 3e)을 열 경화하는 단계가 이어진다. 열 가열하는 이 단계는, 예를 들어, 150 내지 200℃ 범위의 온도에서 1 내지 4시간 범위의 기간 동안 수행될 수 있다. 이 단계에서, 활성제로서 작용하는 카복실산 화합물은 비활성화될 에폭시 수지와 반응한다. 결과적으로, 부식 반응 등에 의해 제품의 신뢰성이 떨어질 수 있는 더 이상의 걱정은 없다.
이런 방식으로 형성된 경화 막(경화 후 코팅된 수지층)(도 3의 3e, 10)은 어느 정도 인쇄회로기판상의 울퉁불퉁한 것을 흡수하고(평탄화한다) 언더필 수지를 채우는 후속 단계를 수월하게 한다.
그런 후에, 언더필 수지(도 3의 3f, 11)의 패키징 및 원하는 경우, 충전 및 경화가 수행된다. 구체적으로, 인쇄회로기판과 표면 실장된 부품 사이에 남겨진 간극 공간들은 언더필 수지로 채워지고 이 수지는 경화된다..
본 발명의 상세내용은 실시예를 기초로 더욱 구체적으로 기술될 것이다.
실시예 1
다음 성분들로 구성된 활성 수지 조성물의 균질 페이스트를 제조하였다.
조성물: 크레졸 노볼락-타입 에폭시 수지(연화점: 100중량부의 94℃;
4중량부의 p-하이드록시벤조산; 5중량부의 다이시안다이아마이드; 및
50중량부의 프로필렌 글리콜 메틸 에터 아세테이트.
100mm x 100mm 인쇄회로기판의 표면(패드 피치: 0.6mm, 패드 지름: 0.3mm)(도 1)을 스크린 프린팅에 의해 활성 수지 조성물의 페이스트로 코팅하였다. 이 인쇄회로기판을 20분 동안 100℃의 온도에서 가열하여 코팅된 수지층을 건조하였다. 인쇄회로기판상의 코팅된 수지층을 실온으로 냉각하여 접착성을 갖지 않고 HB의 표면 연필 경도를 가진 고체 수지층을 얻었다.
그런 후에 인쇄회로기판을 120℃로 가열하여 코팅된 수지층을 부드럽게 하고 접착성을 발현시켰다. 70mm x 70mm의 BGA 부품(범프 피치: 0.6mm; 범프 지름: 0.3mm)을 인쇄회로기판상에 놓았다. 그 위에 놓인 BGA 부품을 가진 인쇄회로기판을 260℃의 온도로 설정된 리플로우 장치를 통과시켜서 납땜하였다.
상기한 대로, 납땜된 BGA 부품을 가진 인쇄회로기판을 냉각하여 HB의 표면 연필 경도를 가진 고체 수지층을 얻었다. 이런 고체 수지층을 120℃의 온도에서 다시 가열하여 수지층을 다시 연화시키고 접착성을 다시 발현시켰다.
그런 후에 납땜된 BGA 부품을 가진 인쇄회로기판을 2시간 동안 190℃의 온도에서 가열하여 코팅된 수지층을 경화시켰다. 코팅된 수지층은 8H의 표면 연필 경도로 완전히 경화되었다는 것은 경화 단계 이후 측정을 기초로 확인하였다.
BGA 부품은 상기 단계들을 통해 중간에 얻은 인쇄회로기판의 부품으로부터 물리적으로 벗겨졌고 경화된 코팅된 수지층을 20 배율의 렌즈를 사용하여 관찰하였다. 기체 방울 및/또는 수분에 의한 어떤 간극들도 관찰되었다.
잔존하는 인쇄회로기판을 언더필 수지로 채웠고 60분 동안 150℃의 온도에서 가열하여 언더필 수지를 경화하였다. 이런 방식으로, BGA 부품 실장된 제품이 완성되었다. 최종 제품의 X-레이 관찰은 인쇄회로기판은 기체 방울 및/또는 간극이 존재하지 않는 언더필 수지로 완전히 채워진 것을 나타내었다.

Claims (13)

  1. 활성 수지 조성물은 실온에서 고체인 100중량부의 에폭시 수지를 기초로, 1 내지 10중량부의 카복실산화합물, 경화제의 경화 반응 개시 온도가 150℃ 이상인 1 내지 30중량부의 경화제, 및 10 내지 300중량부의 용매를 포함하고,
    인쇄회로기판의 적어도 납땜된 표면을 상기 활성 수지 조성물로 코팅하는 단계, 인쇄회로기판에 표면 실장될 부품을 놓는 단계, 리플로우 솔더링을 수행하는 단계 및 코팅된 수지층을 열 경화하는 단계를 포함하는 표면 실장 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    인쇄회로기판에 표면 실장될 부품을 놓기 전에 코팅된 수지층을 건조, 가열 또는 건조 및 가열하는 단계를 더 포함하고, 상기 코팅된 수지층을 80 내지 120℃의 온도에서 10 내지 30분의 기간동안 건조하며,
    상기 코팅된 수지층은 상기 에폭시 수지의 경화 반응 개시 온도보다 낮으나 연화점보다 높은 온도인 80 내지 130℃의 범위의 온도에서 1 내지 10분의 기간동안 가열하는 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    코팅된 수지층이 열 경화된 후 언더필 수지를 채우고 경화하는 단계를 더 포함하는 표면 실장 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지의 연화점은 80 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 크레졸 노볼락-타입 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔-계 에폭시 수지, 비스페놀-A-타입 고체 에폭시 수지 및 고체 지방족 고리 에폭시 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    카복실산 화합물은 p-하이드록시벤조산, 다이하이드록시벤조산, 페닐아세트산, 아비에트산, 스타이렌-말레산 수지 및 아크릴산 코폴리머와 같은 코폴리머로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 경화제의 경화 반응 개시 온도는 160 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 경화제는 다이시안다이아미드인 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 용매의 비등점은 경화 반응 개시 온도보다 낮은 150 내지 200℃ 범위의 온도인 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 용매는 글리콜 에터, 에틸렌 글리콜 에터/에스터, 프로필렌 글리콜 에터/에스터 및 N-메틸파이롤리돈으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 활성 수지 조성물은 소포제로서 폴리다이메틸실록산, 실레인 결합제 및 에어로졸로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 실장될 부품은 BGA 부품, CSP 부품, MCM 부품, IPM 부품 및 IGBT 부품으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 패키지 부품 또는 반도체 칩인 것을 특징으로 하는 표면 실장 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 인쇄회로기판 상에 놓인 상기 표면 실장될 부품을 240 내지 300℃ 범위의 온도에서 1 내지 10분 범위의 기간 동안 리플로우 솔더링을 수행하는 표면 실장 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5467469B2 (ja) * 2011-01-04 2014-04-09 山栄化学株式会社 プリント配線基板に表面実装する方法
NZ751217A (en) * 2013-03-14 2020-07-31 Janssen Pharmaceutica Nv Benzo-fused heterocyclic derivatives useful as agonists of gpr120
JP2015010214A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社タムラ製作所 はんだ組成物および熱硬化性樹脂組成物
US10356912B2 (en) 2016-09-06 2019-07-16 Intel Corporation Apparatus and method for conformal coating of integrated circuit packages

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102700B2 (ja) * 1991-02-22 2000-10-23 三井化学株式会社 エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半硬化材料
KR100280412B1 (ko) * 1997-12-22 2001-02-01 김영환 버틈 리드 패키지의 표면 실장용 인쇄 회로기판 및 표면 실장방법
US6872762B2 (en) * 2000-07-13 2005-03-29 Loctite (R&D) Limited Epoxy resin composition with solid organic acid
JP2009167380A (ja) * 2007-12-18 2009-07-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63265985A (ja) * 1987-04-22 1988-11-02 Yokohama Rubber Co Ltd:The 接着剤組成物および接着用フイルム
JP2002237676A (ja) 2001-02-08 2002-08-23 Denso Corp 表面実装部品の組み付け方法
JP3938502B2 (ja) * 2002-01-28 2007-06-27 住友ベークライト株式会社 液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置
JP3732148B2 (ja) * 2002-02-19 2006-01-05 住友ベークライト株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
MY139328A (en) * 2002-05-20 2009-09-30 Nitto Denko Corp Thermosetting resin composition and semiconductor device obtained with the same
JP2004152936A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Tamura Kaken Co Ltd 回路基板はんだ付用フラックス、ソルダーペースト及び回路基板
JP3971995B2 (ja) * 2002-12-25 2007-09-05 日本電気株式会社 電子部品装置
EP1557880A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-27 Nitto Denko Corporation Resin composition for encapsulating semiconductor
JP4729873B2 (ja) * 2004-06-23 2011-07-20 住友ベークライト株式会社 半導体素子の組立方法
CA2578530C (en) * 2004-10-27 2014-04-22 E. I. Dupont De Nemours And Company Self-bonding coating composition
JP4904923B2 (ja) * 2005-05-31 2012-03-28 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、プリアプライド用封止材、半導体装置、半導体装置の製造方法およびプリアプライド封止用部品
JP5503830B2 (ja) * 2005-07-07 2014-05-28 積水化学工業株式会社 エポキシ系接着剤組成物及び接合方法
KR100923901B1 (ko) * 2006-07-20 2009-10-28 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 전자 부품용 접착제, 반도체 칩 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치
JP5467469B2 (ja) * 2011-01-04 2014-04-09 山栄化学株式会社 プリント配線基板に表面実装する方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102700B2 (ja) * 1991-02-22 2000-10-23 三井化学株式会社 エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半硬化材料
KR100280412B1 (ko) * 1997-12-22 2001-02-01 김영환 버틈 리드 패키지의 표면 실장용 인쇄 회로기판 및 표면 실장방법
US6872762B2 (en) * 2000-07-13 2005-03-29 Loctite (R&D) Limited Epoxy resin composition with solid organic acid
JP2009167380A (ja) * 2007-12-18 2009-07-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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