KR101210006B1 - 반도체 소자 접합 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 접합방법 - Google Patents

반도체 소자 접합 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 접합방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 반도체 소자 접합 장치(1)는, 반도체 소자와 기판 사이에 범프(bump)(14)가 제공된 상태에서 반도체 소자(10)를 기판(11) 측으로 가압하는 가압 부재(15); 반도체 소자(10)와 기판(11) 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자(10)와 기판(11)을 상대적으로 진동시키는 초음파 진동 인가 부재(16);초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 반도체 소자(10)가 소정의 거리를 가압될 때까지의 요구되는 시간을 측정하는 시간 측정 부재(17); 및 시간 측정 부재(17)에 의해 측정된 시간에 기초하여 이어지는 접합 중에 초음파 진동의 출력을 제어하는 제어 부재(18)를 포함한다.

Description

반도체 소자 접합 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 접합 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE BONDING APPARATUS AND METHOD FOR BONDING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업을 반복하는 반도체 소자 접합 장치와, 반도체 소자 접합 장치를 이용한 반도체 소자 접합 방법에 관한 것이다.
기판상에 반도체 소자를 접합하는 장치로서, 반도체 소자와 기판 사이에 범프(bump)가 제공된 상태에서 초음파 진동으로 반도체 소자와 기판을 상대적 진동시켜서 이들을 접합하는 반도체 소자 접합 장치가 알려져 있다.
종래의 반도체 소자 접합 장치를 이용하여 접합 작업을 반복하면, 예를 들어 반도체 소자의 홀딩(holding) 부재의 오염 또는 기판이 탑재되는 스테이지(stage)의 오염에 의해 접합 강도(예를 들어, 전단 강도)가 저하될 수 있다. 상기 문제를 해결하기 위해, 반도체 소자와 기판 사이의 상대 진동의 변화를 감지하여 홀딩 부재의 오염 유무를 판단하는 판단 소자를 포함한 반도체 소자 접합 장치가 JP 2002-313837 A에 제안되어 있다.
그러나 홀딩 부재의 오염 유무와 전단 강도 사이의 구체적인 상호관계는 없 으며, 따라서 JP 2002-313837 A에서 제안된 반도체 소자 접합 장치는 소정의 값 이상으로 전단 강도를 유지하는데 충분하지 않다.
본 발명은 소정의 값 이상으로 전단 강도를 유지할 수 있는 반도체 소자 접합 장치와 반도체 소자 접합 장치를 이용하여 반도체 소자를 접합하는 방법을 제공한다.
본 발명의 반도체 소자 접합 장치는 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업을 반복하는 반도체 소자 접합 장치이며, 반도체 소자 접합 장치는, 반도체 소자와 기판 사이에 범프(bump)가 제공된 상태에서 기판 측으로 반도체 소자를 가압하는 가압 부재; 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자와 기판을 상대적으로 진동시키는 초음파 진동 인가 부재; 초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 반도체 소자가 소정의 거리만큼 가압될 때까지의 요구되는 시간을 측정하는 시간 측정 부재; 및 시간 측정 부재에 의해 측정된 시간에 기초하여 이어지는 접합 중에 초음파 진동의 출력을 제어하는 제어 부재를 포함한다.
본 발명의 반도체 소자를 접합하는 방법은 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업이 반복적으로 수행되는 반도체 소자 접합 방법이며, 방법은, 반도체 소자와 기판 사이에 범프가 제공된 상태에서, 기판 측으로 반도체 소자를 가압하면서 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자와 기판을 상대적으로 진동시키는 것; 초음파 진동을 가하기 시작할 때부터 반도체 소자가 소정의 거리만큼 가압될 때까지의 요구되는 시간을 측정하는 것; 및 측정된 시간에 기초하여 이어지는 접합 중에 초음파 진동의 출력을 제어하는 것을 포함한다.
도 1은 접합 중에 시간에 따른 범프의 높이의 변화를 도시하는 그래프이다.
도 2는 가압 속도와 전단 강도 사이의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 방법을 도시하는 흐름도이다.
본 발명의 반도체 소자 접합 장치는 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업을 반복하는 반도체 소자 접합 장치로서 사용된다. 반도체 소자는 특별한 제한이 않으며, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등을 잘라서 얻는 반도체 칩(소위 말하는 베어칩(bare chip))이 사용될 수 있다. 기판도 특별한 제한이 없으며, 예를 들어 유리 에폭시 기판, 세라믹 기판 등이 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 반도체 소자 접합 장치는, 반도체 소자와 기판 사이에 범프가 제공된 상태에서 기판 측으로 반도체 소자를 가압하는 가압 부재; 및 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자와 기판을 상대적으로 진동시키는 초음파 진동 인가 부재를 포함한다.
범프는 사전에, 예를 들어 접합 전에 반도체 소자에 형성된 전극 또는 기판에 형성된 전극에 제공된다. 범프의 형상은 특별한 제한이 없는데, 접합 전 범프의 높이는, 예를 들어 약 20 ㎛ 내지 30 ㎛에 이르고, 접합 전 범프의 체적은, 예를 들어 약 7 × 104 ㎛3 내지 약 10 × 104 ㎛3에 이르며, 접합 전 범프의 접합 부분 면적은, 예를 들어 약 3 × 103 ㎛2 내지 약 5 × 103 ㎛2에 이른다. 또한 범프의 재료도 특별한 제한이 없는데, 예를 들어 금과 같은 금속 재료가 사용될 수 있다.
가압 부재는 특별한 제한이 없는데, 예를 들어 보이스 코일 모터(voice coil motor)(이하 "VCM"이라고 축약함) 등과 같은 동력원이 사용될 수 있다. 반도체 소자를 가압하기 위해 가압 부재에 의해 가해지는 하중은, 범프 한 개 당 약 500 mN 내지 약 1000 mN에 이른다. 하기의 설명에서 반도체 소자를 가압하기 위해 가해진 하중 값은 범프 한 개 당 하중의 값을 나타낸다.
초음파 진동 인가 부재도 특별한 제한이 없는데, 예를 들어 종래의 초음파 진동 발생 장치가 사용될 수 있다. 초음파 진동 인가 부재에 의해 가해진 초음파 진동의 진동수는, 예를 들어 약 60 kHz 내지 약 120 kHz에 이를 수 있고, 그 출력은, 예를 들어 약 0.25 W 내지 약 2.5 W에 이를 수 있다. 초음파 진동의 진동 방향은, 기판 표면과 평행하기만 하면 특별한 제한이 없다. 또한 초음파 진동의 인가는, 반도체 소자와 기판이 상대적으로 진동할 수 있기만 하면, 예를 들어 기판을 고정한 상태에서 반도체 소자에 초음파 진동을 가하거나 반도체 소자를 고정한 상태에서 기판에 초음파 진동을 가하여 수행될 수 있다. 또 달리, 상이한 위상(phase)을 가진 초음파 진동이 기판과 반도체 소자에 각각 인가될 수도 있다.
가압 부재로 반도체 소자를 가압하면서 초음파 진동 인가 부재에 의해 초음 파 진동이 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 가해지면, 범프의 변형 거리(압축 거리)가 상당히 증가한다. 이 때문에 기판 측으로 가압된 반도체 소자의 가압 거리가 상당히 증가한다.
도 1은 접합 중에 시간에 따른 범프의 높이의 변화를 도시한다. 도 1에 도시된 실시예에서는, 범프로 금 범프가 사용되었고, 접합 전 범프의 높이와 체적은 각각 26 ㎛와 8 × 104 ㎛3였으며, 접합 전 범프의 접합 부분 면적은 3.8 × 103 ㎛2였다. 또한 반도체 소자를 가압하기 위해 인가된 하중은 2300 mN이었고, 초음파 진동의 진동수 및 출력은 각각 63.5 kHz와 1.5 W였다. 도 1에 도시된 바와 같이 초음파 진동을 가하기 시작한 시간 X로부터 반도체 소자가 소정의 거리만큼 가압된 시간 Y까지 범프의 높이가 상당히 감소하였다. 즉 초음파 진동 인가 초기 단계에서 기판 측으로의 반도체 소자의 가압 속도가 증가하였다. 본 발명의 발명자들은, 초음파 진동 인가 초기 단계에서 기판 측으로의 반도체 소자의 가압 속도(이하에서 간단히 "가압 속도"라고 부름)와 접합 강도의 지표인 전단 강도 사이의 상관 관계를 발견하였고, 그 때문에 본 발명에 이르렀다.
상기 상관 관계는 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 범프 한 개 당 가압 속도와 전단 강도 사이의 관계를 도시하는 그래프이다(이하에서 전단 강도의 값은 범프 한 개 당 전단 강도 값을 나타낸다). 여기에서, 이 경우의 가압 속도는 초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 반도체 소자가 7 ㎛ 가압된 때까지의 평균 속도를 나타낸다. 즉, 가압 속도는 7/T를 계산하여 얻은 속도를 나타내는데, T("ms"로 표현 됨)는 반도체 소자를 7 ㎛ 가압하는데 요구되는 시간을 나타낸다. 또한 사용된 범프는 도 1에 도시된 실시예에서 사용된 범프와 유사하였고, 전단 강도는 레스카(Rhesca) 주식회사에서 제조된 PTR-3000을 이용하여 랜드 풀(land pull) 전단 테스트를 수행하여 측정되었다.
도 2에 도시된 바와 같이, 가압 속도와 전단 강도는 양호한 상관 관계를 갖는다. 따라서 예를 들어 도 2에 도시된 시스템에서 2000 mN 이상의 전단 강도를 얻기 위해서는 가압 속도가 0.78 ㎛/ms 이상이어야 하는 것을 알 수 있다.
상기의 결과를 고려할 때, 본 발명의 반도체 소자 접합 장치는 상기 요소들과 더불어, 초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 반도체 소자가 소정의 거리만큼 가압된 때까지의 요구되는 시간을 측정하는 시간 측정 부재; 및 시간 측정 부재에 의해 측정된 시간에 기초하여 이어지는 접합 중에 초음파 진동의 출력을 제어하여 이어지는 접합에서의 시간이 소정의 범위 내에 있게 하는 제어 부재를 포함한다. 여기에서, 상기 "소정의 거리"는 초음파 진동 인가 초기 단계에서 가압 속도가 증가할 때의 가압된 거리이고, 그 값은 상용된 범프에 따라 다른데, 예를 들어 약 5 ㎛ 내지 약 7 ㎛에 이를 수 있다.
본 발명의 반도체 소자 접합 장치는 상기 요소들 때문에 전단 강도를 소정의 값 이상으로 유지할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 반도체 소자 접합 장치를 이용하여 접합 작업을 n번(n은 자연수 이다) 수행한 결과 반도체 소자를 소정의 거리만큼 가압하는데 필요한 시간이 증가한 경우(즉, 반도체 소자의 가압 속도가 감소한 경우), 가압 속도는 제어 부재를 이용하여 n+1번째 접합 작업에서의 초음파 진동의 출력을 n번째 접합 작업에서의 출력으로부터 소정의 거리만큼 증가시켜서 소정의 값 이상으로 유지될 수 있다. 이 때문에 전단 강도가 소정이 값 이상으로 유지될 수 있다. 여기에서 초음파 진동의 출력의 증가한 거리는 요구되는 전단 강도, 사용되는 범프 등에 따라 다르며, 하기에 그 바람직한 실시예를 설명한다.
시간 측정 부재에는 특별한 제한이 없으며, 예를 들어 약 3 ms 내지 약 10 ms의 시간을 측정할 수 있는 카운터 등이 바람직하다. 제어 부재는, 예를 들어 컴퓨터에 사용되는 중앙 처리 장치(CPU) 등을 포함할 수 있다.
다음으로 본 발명의 반도체 소자 접합 방법을 설명한다. 여기에서 본 발명의 반도체 소자 접합 방법은 상기 본 발명의 반도체 소자 접합 장치를 이용한 반도체 소자 접합 방법이다. 따라서 하기의 설명에서 상기의 설명과 겹치는 내용의 설명은 생략한다.
본 발명의 반도체 소자 접합 방법은 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업이 반복적으로 수행되는 반도체 소자 접합 방법이고, 반도체 소자와 기판 사이에 범프가 제공된 상태에서 기판 측으로 반도체 소자를 가압하면서 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자와 기판을 상대적으로 진동시키는 것; 초음파 진동을 가하기 시작할 때부터 반도체 소자가 소정의 거리만큼 가압될 때까지의 요구되는 시간을 측정하는 것; 및 측정된 시간에 기초하여 이어지는 접합 중에 초음파 진동의 출력을 제어하는 것을 포함한다. 이 때문에 반도체 소자의 가압 속도는 상기에 언급한 바와 같이 소정의 값 이상으로 유지될 수 있고, 따라서 전단 강도가 소정의 값 이상으로 유지될 수 있다. 하기에 본 발명의 실시예를 상세 히 설명한다.
먼저 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 장치를 설명한다. 참조되는 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 장치(1)는 반도체 소자(10)와 기판(11)을 접합하는 작업을 반복하는 반도체 소자 접합 장치인데, 기판(11)이 탑재되는 스테이지(12); 반도체 소자(10)를 지지하는 홀딩 부재(13); 반도체 소자(10)와 기판(11) 사이에 범프(14)가 제공된 상태에서 기판(11) 측으로 반도체 소자(10)를 가압하는 VCM(15); 홀딩 부재(13)를 통해 반도체 소자(10)에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자(10)와 기판(11)을 상대적으로 진동시키는 초음파 진동 인가 부재(16); 반도체 소자(10)에 가해지는 하중을 감지하는 로드셀(load cell); 및 반도체 소자 접합 장치(1)의 각 요소를 제어하는 제어 부재(18)를 포함한다.
범프(14)는, 접합 전에 반도체 소자(10) 상에 형성된 전극(19a)에 미리 제공된다. 그리고 VCM(15)에 의해 반도체 소자(10)에 하중이 가해지면, 범프(14)는 기판(11) 상에 형성된 전극(19b)과 접촉된 상태에서 압축된다. 이 때문에, 반도체 소자(10)가 기판(11) 측으로 가압된다. 또한 초음파 진동 인가 부재(16)를 사용하여 반도체 소자(10)에 초음파 진동을 가함으로써, 반도체 소자(10)와 기판(11)이 상대적으로 진동한다. 이 때문에 범프(14)가 연해지고, 범프(14)를 통해 반도체 소자(10)와 기판(11)이 결합된다.
로드셀(17)도 반도체 소자(10)에 초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 반도체 소자(10)가 소정의 거리만큼 가압될 때까지의 요구되는 시간을 측정하는 시간 측정 부재의 기능을 할 수 있다. 로드셀(17)이 시간 측정을 시작하도록 하기 위해, 예를 들어 로드셀(17)은 초음파 진동을 가하기 시작한 순간에 반도체 소자(10)의 가압된 거리의 의미있는 변화를 감지하여 이 순간에 시간 측정을 시작한다. 또 달리, 반도체 소자(10)에 초음파 진동을 가하기 시작한 순간에 제어 부재(18)가 시간 측정 시작 신호를 로드셀(17)에 전달하는 것도 가능하다. 마찬가지로 로드셀(17)이 시간 측정을 종료하게 하는 경우에는, 예를 들어 반도체 소자(10)가 VCM(15)에 의해 소정의 거리만큼 가압되는 때에 제어 부재(18)가 시간 측정 종료 신호를 로드셀(17)에 전달한다. 그리고 로드셀(17)에 의해 측정된 시간에 기초하여 제어 부재(18)는 이어지는 접합 중에 초음파 진동의 출력을 제어한다. 이 때문에 반도체 소자(10)의 가압 속도가 소정의 값 이상으로 유지될 수 있고, 따라서 전단 강도가 소정의 값 이상으로 유지될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 장치가 상기에 설명되었지만, 본 발명은 여기에 제한되지 않는다. 예를 들어, 로드셀(17)은 상기 실시예에서 시간 측정 부재로서 사용되었지만, 시간 측정 부재는 여기에 제한되지 않는데, 예를 들어 제어 부재(18)도 시간 측정 부재의 기능을 할 수 있다.
다음으로, 도 3과 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 접합 방법을 설명한다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 접합 방법을 도시하는 흐름도이다. 하기에 설명된 반도체 소자의 접합 방법은 상기에 설명된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 장치(1)를 이용한 반도체 소자 접합 방법이다. 하기의 설명에서 도 3에서와 동일한 요소는 동일한 참조 부호로 표기되고, 그에 대한 설명은 생략한다.
먼저, 반도체 소자(10)가 홀딩 부재(13)에 고정된다(단계 S1). 그 다음, 반도체 소자(10)와 기판(11) 사이에 범프(14)가 제공된 상태에서 VCM(15)에 의해 반도체 소자(10)가 기판(11)측으로 가압된다(단계 S2). 이어서 로드셀(17)이 소정의 하중(예를 들어 약 50 mN 내지 약 50 mN)을 감지하면, 초음파 진동 인가 부재(16)가 초음파 진동을 반도체 소자(10)에 가하고, 로드셀(17)은 가압 시간(T) 측정을 시작한다(단계 S3). 이 가압 시간(T)은 초음파 진동을 가하기 시작한 대부터 예를 들어 반도체 소자(10)가 5 ㎛ 내지 7 ㎛로 가압될 때까지의 시간이다.
그 다음, 로드셀(17)이 소정의 하중을 감지한 때부터, 예를 들어 반도체 소자(10)가 10 ㎛ 내지 15 ㎛로 가압될 때까지, 홀딩 부재(13)는 접합 작업을 종료하기 위해 반도체 소자(10)를 놓아준다(단계 S4).
그 다음, 제어 부재(18)가 가압 시간(T)이 10 ms 보다 작은지 판단하여(단계 S5), 가압 시간이 10 ms 보다 작은 경우(단계 S5에서 "예"), 이어지는 접합 작업은 설정된 초음파 진동의 출력을 변경하지 않고 수행된다. 반면에 가압 시간이 10 ms 이상인 경우(단계 S5에서 "아니오"), 제어 부재(18)에 의해 설정된 초음파 진동의 출력이 변경되고(단계 S6), 그 다음 이어지는 접합 작업이 수행된다. 이 때문에, 반도체 소자(10)의 가압 속도가 소정의 값 이상으로 유지될 수 있고, 따라서 전단 강도가 소정의 값 이상으로 유지될 수 있다.
상기에 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 접합 방법이 설명되었지만, 본 발명을 여기에 한정되지 않는다. 예를 들어 상기에 설명된 실시예에서, 초음파 동의 출력은 가압 시간(T)이 10 ms 이상인 경우 변경되었지만, 설정된 값은 본 발명에서 여기에 한정되지 않고, 요구되는 전단 강도에 따라 적절하게 결정될 수 있다.
(실시예)
하기에 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명은 이 실시에에 한정되지 않는다.
표 1은 상기에 설명된 반도체 소자 접합 장치(1)을 이용하여 접합 작업을 반복하는 동안 각 조건의 변화를 도시한다. 여기에서 표 1의 가압 시간은 초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 반도체 소자(10)가 6 ㎛ 가압될 때까지의 시간을 도시한다. 또한 표 1에 도시된 실시예에서, 제어 부재(18)는, 가압 시간이 10 ms 이상이면 설정된 초음파 진동의 출력을 0.5 W 증가시키도록 설정되었다. 또 표 1에 도시된 실시예에서는 범프(14)로서 금 범프가 사용되었고, 접합 전 범프(14)의 높이 및 체적은 각각 26 ㎛와 8 × 104 ㎛3였고, 접합 전 범프(14)의 접합 부분 면적은 3.8 × 103 ㎛2였다. 또한 반도체 소자(10)를 가압하기 위해 인가된 하중은 2500 mN이었고, 가해진 초음파 진동의 진동수는 63.5 kHz였다.
표 1
접합 작업의 수(회) 가압 시간(ms) 초음파 진동의 출력(W) 전단 강도(mN)
1 3 1.5 2200
2 3 1.5 2200
3 3 1.5 2200
4 3 1.5 2200
.
.		 .
.		 .
.		 .
.
600 10 1.5 1300
601 4 2.0 2100
도 1에 도시된 바와 같이, 접합 시작(최초 접합 작업부터 네 번째 접합 작업까지) 직후의 가압 시간은 3 ms였지만, 접합 작업을 더 반복함에 따라(표 1에 미도시) 점차로 커져서, 600번째 접합 작업에서 10 ms에 도달하였다. 이에 따라, 600번째 접합 작업에서의 전단 강도는 1300 mN이었는데, 시작 직후의 전단 강도에서 900 mN 감소하였다. 그리고 600번째 접합 작업에서 가압 시간은 이 10 ms에 도달하였기 때문에, 제어 부재(18)는 초음파 진동의 출력을 1.5 W에서 601번째 접합 작업 전 2.0 W로 증가시켰다. 그 결과 가압 시간은 601번째 접합 작업에서 4 ms가 되었고, 전단 강도는 2100 mN으로 저장되었다.
상기에 설명된 실시예에서, 초음파 진동의 출력은 가압 시간이 10 ms 이상이 되면 0.5 W 증가하도록 설정되었으며, 따라서 예를 들어, 요구되는 전단 강도의 하한값이 1200mN인 경우, 전단 강도는 대개 이 하한값 이상으로 유지될 수 있었다. 상기에 설명된 실시예에서, 초음파 진동의 출력은 초음파 진동의 출력은 가압 시간이 10 ms 이상이 되면 0.5 W 증가하도록 설정되었지만, 설정된 값은 본 발명에서 여기에 한정되지 않고, 요구되는 전단 강도에 따라 적절하게 결정될 수 있다.
본 발명은 반도체 소자 접합 장치와 전단 강도를 정밀하게 제어할 수 있는 반도체 소자 접합 방법에 유용하게 응용될 수 있다.

Claims (2)

  1. 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업을 반복하는 반도체 소자 접합 장치로서,
    상기 반도체 소자 접합 장치는
    상기 반도체 소자와 기판 사이에 범프(bump)가 제공된 상태에서 상기 반도체 소자를 상기 기판측으로 가압하는 가압 부재;
    상기 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 상기 반도체 소자와 기판을 상대적으로 진동시키는 초음파 진동 인가 부재;
    초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 상기 범프의 변형 거리가 증가하는 과정을 거쳐, 그 변형이 끝날 때까지의 시간을 측정하는 시간 측정 부재; 및
    상기 시간 측정 부재에 의해 측정된 시간에 기초하여, 다음의 접합 동안의 초음파 진동의 출력을 제어하는 제어 부재를 포함하는 것인 반도체 소자 접합 장치.
  2. 반도체 소자와 기판을 접합하는 작업이 반복적으로 수행되는 반도체 소자 접합 방법으로서,
    상기 방법은
    상기 반도체 소자와 기판 사이에 범프가 제공된 상태에서 상기 기판 측으로 상기 반도체 소자를 가압하면서 상기 반도체 소자와 기판 중 적어도 하나에 초음파 진동을 가하여 반도체 소자와 기판을 상대적으로 진동시키는 단계;
    초음파 진동을 가하기 시작한 때부터 상기 범프의 변형 거리가 증가하는 과정을 거쳐, 그 변형이 끝날 때까지의 시간을 측정하는 단계; 및
    측정된 시간에 기초하여 다음의 접합 동안의 초음파 진동의 출력을 제어하는 단계를 포함하는 방법.
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