JP3425492B2 - 半導体実装方法およびその装置 - Google Patents
半導体実装方法およびその装置Info
- Publication number
- JP3425492B2 JP3425492B2 JP20982295A JP20982295A JP3425492B2 JP 3425492 B2 JP3425492 B2 JP 3425492B2 JP 20982295 A JP20982295 A JP 20982295A JP 20982295 A JP20982295 A JP 20982295A JP 3425492 B2 JP3425492 B2 JP 3425492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- time
- ultrasonic
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L21/603—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/859—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程にお
いて半導体チップとリードフレームなどを接合する半導
体実装方法に関するものである。
いて半導体チップとリードフレームなどを接合する半導
体実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップとリードフレームなどの外
部電極は、金やアルミなどのワイヤーによりワイヤボン
ダーを用いて接続される。このワイヤーと半導体チップ
または外部電極は、熱または超音波あるいは両者を用い
て接合されている。
部電極は、金やアルミなどのワイヤーによりワイヤボン
ダーを用いて接続される。このワイヤーと半導体チップ
または外部電極は、熱または超音波あるいは両者を用い
て接合されている。
【0003】また、ワイヤーボンダーのうちでボールボ
ンディングと呼ばれるボンディング方法を行うものは、
ワイヤーの先端に電気放電などの加熱手段を用いてボー
ルを形成している。このときの接合条件としては、半導
体チップと外部電極を加熱するステージの温度、ワイヤ
ーを押し付ける圧力とその時間、超音波の発振出力とそ
の時間が挙げられる。
ンディングと呼ばれるボンディング方法を行うものは、
ワイヤーの先端に電気放電などの加熱手段を用いてボー
ルを形成している。このときの接合条件としては、半導
体チップと外部電極を加熱するステージの温度、ワイヤ
ーを押し付ける圧力とその時間、超音波の発振出力とそ
の時間が挙げられる。
【0004】これらの条件は、ワイヤーボンダーにデー
タとして保存されている。これらのデータは、全て固定
データ、または各ワイヤごとに固定データになってい
る。
タとして保存されている。これらのデータは、全て固定
データ、または各ワイヤごとに固定データになってい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンダーが複数
のワイヤーを連続してボンディングを行う場合、加圧ツ
ールは半導体チップ加熱部からの熱を受け温度上昇して
いる。また、ボール形成直後にボンディングを行うため
ボール温度も高温となっている。
のワイヤーを連続してボンディングを行う場合、加圧ツ
ールは半導体チップ加熱部からの熱を受け温度上昇して
いる。また、ボール形成直後にボンディングを行うため
ボール温度も高温となっている。
【0006】ところが、半導体チップの搬送時や、停止
後の再スタート時のようにボンディング後に次のボンデ
ィングまでの時間が長くなった場合には、加圧ツールや
ボールの温度が低下してしまう。このため、ワイヤーと
半導体チップの合金化が抑制され、ボンダビリティーが
悪化してしまう問題がある。
後の再スタート時のようにボンディング後に次のボンデ
ィングまでの時間が長くなった場合には、加圧ツールや
ボールの温度が低下してしまう。このため、ワイヤーと
半導体チップの合金化が抑制され、ボンダビリティーが
悪化してしまう問題がある。
【0007】本発明は次のボンディングまでの時間が長
くなった場合であっても、加圧ツールやボールの温度の
低下に影響されることなく接合できる半導体実装方法を
提供することを目的とする。
くなった場合であっても、加圧ツールやボールの温度の
低下に影響されることなく接合できる半導体実装方法を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体実装方法
は、ボンディング加圧ツールでボンディングワイヤーを
ボンディング対象物に押し付けて熱接合,超音波接合の
少なくとも何れか一方の接合方法でボンディングワイヤ
ーをボンディング対象物に接合するに際し、加圧ツール
の温度を計測し、計測温度に基づいて次の接合時の加圧
力,加圧時間,超音波発振出力,超音波発振時間のうち
の少なくとも1つの接合条件を変更することを特徴とす
る。
は、ボンディング加圧ツールでボンディングワイヤーを
ボンディング対象物に押し付けて熱接合,超音波接合の
少なくとも何れか一方の接合方法でボンディングワイヤ
ーをボンディング対象物に接合するに際し、加圧ツール
の温度を計測し、計測温度に基づいて次の接合時の加圧
力,加圧時間,超音波発振出力,超音波発振時間のうち
の少なくとも1つの接合条件を変更することを特徴とす
る。
【0009】
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を図
1〜図4に基づいて説明する。図1は第1の実施の形態
を示している。
1〜図4に基づいて説明する。図1は第1の実施の形態
を示している。
【0014】この第1の実施の形態は、熱、超音波接合
ボールボンディングまたはウェッジボンディング方式の
ワイヤーボンディング装置に搭載し、前回のボンディン
グから次のボンディングまでの時間を計測するボンディ
ング間隔時間測定手段より得られた結果をもとに、加圧
力、加圧時間、超音波発振出力、超音波発振時間の一部
または全てを変化させて実装する具体例である。
ボールボンディングまたはウェッジボンディング方式の
ワイヤーボンディング装置に搭載し、前回のボンディン
グから次のボンディングまでの時間を計測するボンディ
ング間隔時間測定手段より得られた結果をもとに、加圧
力、加圧時間、超音波発振出力、超音波発振時間の一部
または全てを変化させて実装する具体例である。
【0015】ワイヤーボンディング装置は、ワイヤー供
給部1からボンディングワイヤー2を図示しない駆動方
法によりボンディング加圧ツール3に最適な長さだけ供
給し、ボンディング加圧ツール3を加圧部4でボンディ
ング対象物6に押し付ける。5はボンディング対象物6
を加熱する加熱部である。加圧部4はACサーボモータ
やリニアモータ、エアーシリンダなどで構成されてい
る。加圧ツール3は超音波発振子7から発生する超音波
を接合部のワイヤー2に伝えるように構成されている。
給部1からボンディングワイヤー2を図示しない駆動方
法によりボンディング加圧ツール3に最適な長さだけ供
給し、ボンディング加圧ツール3を加圧部4でボンディ
ング対象物6に押し付ける。5はボンディング対象物6
を加熱する加熱部である。加圧部4はACサーボモータ
やリニアモータ、エアーシリンダなどで構成されてい
る。加圧ツール3は超音波発振子7から発生する超音波
を接合部のワイヤー2に伝えるように構成されている。
【0016】ボンディング全体の制御を行う主制御部9
は、データ記憶部10から加圧力、加圧時間、超音波発
振出力、超音波発振時間のデータを読み込んで演算手段
11へ出力する。
は、データ記憶部10から加圧力、加圧時間、超音波発
振出力、超音波発振時間のデータを読み込んで演算手段
11へ出力する。
【0017】演算手段11は、前回のボンディングから
次のボンディングまでの時間を計測する時間計測手段1
2より得られた計測時間Tを基に、データを変化させ加
圧力・時間制御手段13および超音波発振出力・時間制
御手段8へ指令を送るように構成されている。また、演
算手段11は前記計測時間Tが長くなった場合に接合条
件が強くなるように作られている。接合条件が強いと
は、加圧力を上げる、または加圧時間を長くする、また
は超音波発振出力を上げる、または超音波発振時間を長
くすることである。
次のボンディングまでの時間を計測する時間計測手段1
2より得られた計測時間Tを基に、データを変化させ加
圧力・時間制御手段13および超音波発振出力・時間制
御手段8へ指令を送るように構成されている。また、演
算手段11は前記計測時間Tが長くなった場合に接合条
件が強くなるように作られている。接合条件が強いと
は、加圧力を上げる、または加圧時間を長くする、また
は超音波発振出力を上げる、または超音波発振時間を長
くすることである。
【0018】加圧力・時間制御手段13は演算手段11
より与えられる指令に従って加圧部4を制御する。超音
波出力・時間制御手段8は演算手段11より与えられる
指令に従い超音波発振子7を制御する。
より与えられる指令に従って加圧部4を制御する。超音
波出力・時間制御手段8は演算手段11より与えられる
指令に従い超音波発振子7を制御する。
【0019】接合手順に従って説明すると、主制御部9
はボンディングの加圧時にボンディング間隔時間測定手
段12をスタートさせている。次のボンディング時、演
算手段11はボンディング間隔時間測定手段12から計
測時間Tを受け取り、また主制御部9を介してデータ記
憶部10から読み出したボンディングの条件データを受
け取り、決められた演算を行い、加圧力・時間制御手段
13と超音波発振出力・時間制御手段8に対し指令を出
す。
はボンディングの加圧時にボンディング間隔時間測定手
段12をスタートさせている。次のボンディング時、演
算手段11はボンディング間隔時間測定手段12から計
測時間Tを受け取り、また主制御部9を介してデータ記
憶部10から読み出したボンディングの条件データを受
け取り、決められた演算を行い、加圧力・時間制御手段
13と超音波発振出力・時間制御手段8に対し指令を出
す。
【0020】ボンディングワイヤ2は、加圧ツール3に
よりボンディング対象物5に加圧され、また超音波発振
によりボンディングワイヤ2とボンディング対象物5の
接合が完了する。
よりボンディング対象物5に加圧され、また超音波発振
によりボンディングワイヤ2とボンディング対象物5の
接合が完了する。
【0021】この結果、ボンディング間隔を検知して接
合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化を
防止できる。なお、接合方法に熱接合方式のみを用いる
場合には超音波発振子7、および超音波発振出力・時間
制御手段8は不必要であり、超音波接合のみを用いる場
合には加熱部5が不必要であることは明らかである。
合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化を
防止できる。なお、接合方法に熱接合方式のみを用いる
場合には超音波発振子7、および超音波発振出力・時間
制御手段8は不必要であり、超音波接合のみを用いる場
合には加熱部5が不必要であることは明らかである。
【0022】図2は第2の実施の形態を示す。この第2
の実施の形態では、加圧ツール温度測定手段より得られ
た結果をもとに、加圧力、加圧時間、超音波発振出力、
超音波発振時間の一部または全てを変化させて実装する
具体例である。
の実施の形態では、加圧ツール温度測定手段より得られ
た結果をもとに、加圧力、加圧時間、超音波発振出力、
超音波発振時間の一部または全てを変化させて実装する
具体例である。
【0023】14は加圧ツール3の温度を測定する加圧
ツール温度測定センサで、例としては、熱電対や非接触
熱センサが挙げられる。15は加圧ツール温度測定セン
サ14の出力に基づいて加圧ツールの温度を計測する加
圧ツール温度測定手段である。その他の構成のワイヤー
供給部1、ボンディングワイヤー2、ボンディング加圧
ツール3、加圧部4、加熱部5、ボンディング対象物
6、超音波発振子7、超音波出力時間制御手段8、主制
御部9、データ記憶部10は、第1の実施の形態と同様
である。
ツール温度測定センサで、例としては、熱電対や非接触
熱センサが挙げられる。15は加圧ツール温度測定セン
サ14の出力に基づいて加圧ツールの温度を計測する加
圧ツール温度測定手段である。その他の構成のワイヤー
供給部1、ボンディングワイヤー2、ボンディング加圧
ツール3、加圧部4、加熱部5、ボンディング対象物
6、超音波発振子7、超音波出力時間制御手段8、主制
御部9、データ記憶部10は、第1の実施の形態と同様
である。
【0024】この第2の実施の形態の演算手段11は、
加圧ツール温度測定手段15より得られた計測温度を基
にデータを変化させ、加圧力・時間制御手段13および
超音波発振出力・時間制御手段8へ指令を送るように接
続されており、計測温度が低下した場合に演算手段11
は接合条件が強くなるように構成されている。
加圧ツール温度測定手段15より得られた計測温度を基
にデータを変化させ、加圧力・時間制御手段13および
超音波発振出力・時間制御手段8へ指令を送るように接
続されており、計測温度が低下した場合に演算手段11
は接合条件が強くなるように構成されている。
【0025】ボンディング時に演算手段11は加圧ツー
ル温度計測手段12から計測温度を受け取り、データ記
憶部10からボンディングの条件データを受け取り、決
められた演算を行い、加圧力・時間制御手段13と超音
波発振出力・時間制御手段8に対し指令を出す。
ル温度計測手段12から計測温度を受け取り、データ記
憶部10からボンディングの条件データを受け取り、決
められた演算を行い、加圧力・時間制御手段13と超音
波発振出力・時間制御手段8に対し指令を出す。
【0026】ボンディングワイヤ2は、加圧ツール3に
よりボンディング対象物6に加圧され、また超音波発振
によりボンディングワイヤ2とボンディング対象物6の
接合が完了する。
よりボンディング対象物6に加圧され、また超音波発振
によりボンディングワイヤ2とボンディング対象物6の
接合が完了する。
【0027】この結果、加圧ツールの温度を検知して接
合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化を
防止できる。図3は第3の実施の形態を示す。
合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化を
防止できる。図3は第3の実施の形態を示す。
【0028】この第3の実施の形態では、ボール形成後
に次のボンディングまでの時間を計測する時間計測手段
より得られた結果をもとに、加圧力、加圧時間、超音波
発振出力、超音波発振時間の一部または全てを変化させ
て実装する具体例である。
に次のボンディングまでの時間を計測する時間計測手段
より得られた結果をもとに、加圧力、加圧時間、超音波
発振出力、超音波発振時間の一部または全てを変化させ
て実装する具体例である。
【0029】図3において、16はエネルギー発生装置
で、ワイヤー先端にエネルギーを与えてワイヤーの先端
にボール17を形成する。一例としては高電圧放電装置
が挙げられる。
で、ワイヤー先端にエネルギーを与えてワイヤーの先端
にボール17を形成する。一例としては高電圧放電装置
が挙げられる。
【0030】演算手段11は、エネルギー発生装置によ
りボール17を形成後に次のボンディングまでの時間を
計測する時間計測手段18より得られた計測時間を基に
データを変化させ、加圧力・時間制御手段13および超
音波発振出力・時間制御手段8へ指令を送るように構成
されている。演算手段11は、計測時間が長くなった場
合に接合条件が強くなるように作られている。その他の
構成のワイヤー供給部1、ボンディングワイヤー2、ボ
ンディング加圧ツール3、加圧部4、加熱部5、ボンデ
ィング対象物6、超音波発振子7、超音波出力時間制御
手段8、主制御部9、データ記憶部10は、第1の実施
の形態と同様である。
りボール17を形成後に次のボンディングまでの時間を
計測する時間計測手段18より得られた計測時間を基に
データを変化させ、加圧力・時間制御手段13および超
音波発振出力・時間制御手段8へ指令を送るように構成
されている。演算手段11は、計測時間が長くなった場
合に接合条件が強くなるように作られている。その他の
構成のワイヤー供給部1、ボンディングワイヤー2、ボ
ンディング加圧ツール3、加圧部4、加熱部5、ボンデ
ィング対象物6、超音波発振子7、超音波出力時間制御
手段8、主制御部9、データ記憶部10は、第1の実施
の形態と同様である。
【0031】ボンディング時、演算手段11は時間計測
手段18から計測時間を受け取り、データ記憶部10か
らボンディングの条件データを受け取り、決められた演
算を行い、加圧力・時間制御手段13と超音波発振出力
・時間制御手段8に対し指令を出す。
手段18から計測時間を受け取り、データ記憶部10か
らボンディングの条件データを受け取り、決められた演
算を行い、加圧力・時間制御手段13と超音波発振出力
・時間制御手段8に対し指令を出す。
【0032】ボンディングワイヤ2は加圧ツール3によ
りボンディング対象物6に加圧され、また超音波発振に
よりボンディングワイヤ2とボンディング対象物6の接
合が完了する。
りボンディング対象物6に加圧され、また超音波発振に
よりボンディングワイヤ2とボンディング対象物6の接
合が完了する。
【0033】この結果、ボール形成後の時間を検知して
接合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化
を防止できる。図4は第4の実施の形態を示す。
接合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化
を防止できる。図4は第4の実施の形態を示す。
【0034】この第4の実施の形態では、ボール温度計
測手段より得られた結果をもとに、加圧力、加圧時間、
超音波発振出力、超音波発振時間の一部または全てを変
化させて実装する具体例である。
測手段より得られた結果をもとに、加圧力、加圧時間、
超音波発振出力、超音波発振時間の一部または全てを変
化させて実装する具体例である。
【0035】19はボール温度測定センサで、例として
は、非接触熱センサが挙げられる。20はボール温度測
定センサ14の出力に基づいてボールの温度を計測する
ボール温度測定手段である。その他の構成のワイヤー供
給部1、ボンディングワイヤー2、ボンディング加圧ツ
ール3、加圧部4、加熱部5、ボンディング対象物6、
超音波発振子7、超音波出力時間制御手段8、主制御部
9、データ記憶部10は、第1の実施の形態と同様であ
る。
は、非接触熱センサが挙げられる。20はボール温度測
定センサ14の出力に基づいてボールの温度を計測する
ボール温度測定手段である。その他の構成のワイヤー供
給部1、ボンディングワイヤー2、ボンディング加圧ツ
ール3、加圧部4、加熱部5、ボンディング対象物6、
超音波発振子7、超音波出力時間制御手段8、主制御部
9、データ記憶部10は、第1の実施の形態と同様であ
る。
【0036】演算手段11は、ボール17の温度を計測
するボール温度測定手段20より得られた計測温度を基
にデータを変化させ、加圧力・時間制御手段13および
超音波発振出力・時間制御手段8へ指令を送るように構
成されている。演算手段11は、計測温度が低下した場
合に接合条件が強くなるように作られている。
するボール温度測定手段20より得られた計測温度を基
にデータを変化させ、加圧力・時間制御手段13および
超音波発振出力・時間制御手段8へ指令を送るように構
成されている。演算手段11は、計測温度が低下した場
合に接合条件が強くなるように作られている。
【0037】ボンディング時、演算手段11はボール温
度計測手段20から計測温度を受け取り、データ記憶部
10からボンディングの条件データを受け取り、決めら
れた演算を行い、加圧力・時間制御手段13と超音波発
振出力・時間制御手段8に対し指令を出す。
度計測手段20から計測温度を受け取り、データ記憶部
10からボンディングの条件データを受け取り、決めら
れた演算を行い、加圧力・時間制御手段13と超音波発
振出力・時間制御手段8に対し指令を出す。
【0038】ボンディングワイヤ2は、加圧ツール3に
よりボンディング対象物5に加圧され、また超音波発振
によりボンディングワイヤ2とボンディング対象物5の
接合が完了する。
よりボンディング対象物5に加圧され、また超音波発振
によりボンディングワイヤ2とボンディング対象物5の
接合が完了する。
【0039】この結果、ボール温度の低下を検知して接
合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化を
防止できる。なお、接合条件を変更する際、加圧時間、
加圧力、超音波発振出力、超音波発振時間のいずれかの
みの変更であってもボンダビリティの向上を計ることが
可能なため、必ずしも全てのデータをデータ記憶部10
で記憶している必要はなく、いずれかのデータが固定さ
れているボンディング方法、ボンディング装置を構成す
ることも可能である。
合条件を強くすることができ、ボンダビリティの悪化を
防止できる。なお、接合条件を変更する際、加圧時間、
加圧力、超音波発振出力、超音波発振時間のいずれかの
みの変更であってもボンダビリティの向上を計ることが
可能なため、必ずしも全てのデータをデータ記憶部10
で記憶している必要はなく、いずれかのデータが固定さ
れているボンディング方法、ボンディング装置を構成す
ることも可能である。
【0040】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体チ
ップの搬送時や、停止後の再スタート時のように、ボン
ディング後次のボンディングまでの時間が長くなった場
合であっても、加圧ツールやボールの温度の低下に影響
されることなく、ワイヤーと半導体チップの接合を行う
ことが可能となり、ボンダビリティが低下しないという
効果がある。
ップの搬送時や、停止後の再スタート時のように、ボン
ディング後次のボンディングまでの時間が長くなった場
合であっても、加圧ツールやボールの温度の低下に影響
されることなく、ワイヤーと半導体チップの接合を行う
ことが可能となり、ボンダビリティが低下しないという
効果がある。
【図1】本発明の第1の実施の形態の具体的な構成図で
ある。
ある。
【図2】本発明の第2の実施の形態の具体的な構成図で
ある。
ある。
【図3】本発明の第3の実施の形態の具体的な構成図で
ある。
ある。
【図4】本発明の第4の実施の形態の具体的な構成図で
ある。
ある。
1 ワイヤー供給部
2 ボンディングワイヤー
3 ボンディング加圧ツール
4 加圧部
6 ボンディング対象物
7 超音波発振子
8 超音波発振出力・時間制御手段
9 主制御部
10 データ記憶部
11 演算手段
12 時間計測手段
13 加圧力・時間制御手段
14 加圧ツール温度測定センサ
15 加圧ツール温度測定手段
16 エネルギー発生装置
17 ボール
18 時間計測手段
19 ボール温度測定センサ
20 ボール温度測定手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平7−14871(JP,A)
特開 昭62−126643(JP,A)
特開 昭61−231728(JP,A)
特開 昭62−128130(JP,A)
特開 平3−257838(JP,A)
特開 平6−204300(JP,A)
特開 昭60−202948(JP,A)
特開 平4−23340(JP,A)
特開 平6−275674(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/60
Claims (3)
- 【請求項1】 ボンディング加圧ツールでボンディング
ワイヤーをボンディング対象物に押し付けて熱接合,超
音波接合の少なくとも何れか一方の接合方法でボンディ
ングワイヤーをボンディング対象物に接合するに際し、
加圧ツールの温度を計測し、計測温度に基づいて次の接
合時の加圧力,加圧時間,超音波発振出力,超音波発振
時間のうちの少なくとも1つの接合条件を変更する半導
体実装方法。 - 【請求項2】 ボンディングワイヤーにエネルギーを加
えてボンディングワイヤーの先端にボールを形成し、こ
れをボンディング加圧ツールでボンディング対象物に押
し付けて接合する請求項1記載の半導体実装方法。 - 【請求項3】 ボンディング加圧ツールでボンディング
ワイヤーをボンディング対象物に押し付けて熱接合,超
音波接合の少なくとも何れか一方の接合方法でボンディ
ングワイヤーをボンディング対象物に接合する半導体実
装装置において、加圧ツールの温度を検出する加圧ツー
ル温度測定手段と、加圧ツール温度測定手段の検出温度
をパラメータとし演算し接合条件を変更する演算手段と
を設けた半導体実装装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20982295A JP3425492B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 半導体実装方法およびその装置 |
US08/689,912 US5934996A (en) | 1995-08-18 | 1996-08-16 | Semiconductor assembling method and apparatus |
CN96113279A CN1126165C (zh) | 1995-08-18 | 1996-08-17 | 半导体装配方法和装置 |
KR1019960034155A KR100254570B1 (ko) | 1995-08-18 | 1996-08-19 | 반도체 조립방법 및 장치 |
US09/307,727 US6214718B1 (en) | 1995-08-18 | 1999-05-10 | Semiconductor assembling method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20982295A JP3425492B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 半導体実装方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964081A JPH0964081A (ja) | 1997-03-07 |
JP3425492B2 true JP3425492B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=16579195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20982295A Expired - Fee Related JP3425492B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 半導体実装方法およびその装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5934996A (ja) |
JP (1) | JP3425492B2 (ja) |
KR (1) | KR100254570B1 (ja) |
CN (1) | CN1126165C (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6165888A (en) * | 1997-10-02 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Two step wire bond process |
DE59810602D1 (de) * | 1997-10-13 | 2004-02-19 | Hesse & Knipps Gmbh | Verfahren zur qualitätskontrolle |
JP3942738B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2007-07-11 | 松下電器産業株式会社 | バンプ接合装置及び方法、並びに半導体部品製造装置 |
JP2000277568A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-10-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の実装方法及び実装構造 |
JP3474132B2 (ja) | 1999-09-28 | 2003-12-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ワイヤボンディング方法および装置 |
JP3966217B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2007-08-29 | 松下電器産業株式会社 | ボンディング装置およびボンディングツール |
KR100548008B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2006-02-01 | 삼성테크윈 주식회사 | 와이어 본딩 기기의 자동 볼 형성방법 |
JP4260721B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2009-04-30 | 富士通株式会社 | 電子部品の基板実装方法、及び基板実装装置 |
EP1897119B1 (en) * | 2005-06-13 | 2010-03-17 | Panasonic Corporation | Semiconductor device bonding apparatus and method for bonding semiconductor device using the same |
CN100414679C (zh) * | 2006-04-12 | 2008-08-27 | 中南大学 | 热超声倒装芯片键合机 |
US7612895B2 (en) * | 2007-05-18 | 2009-11-03 | Suss Microtec Inc | Apparatus and method for in-situ monitoring of wafer bonding time |
JP2011066191A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびボンディング装置 |
KR101417252B1 (ko) * | 2012-02-24 | 2014-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈의 기판 접합 장치 |
US8899469B2 (en) * | 2013-03-04 | 2014-12-02 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Automatic rework processes for non-stick conditions in wire bonding operations |
US9165902B2 (en) * | 2013-12-17 | 2015-10-20 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Methods of operating bonding machines for bonding semiconductor elements, and bonding machines |
US11610860B2 (en) * | 2019-09-19 | 2023-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wire bonding apparatus and wire bonding method |
CN111863652A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-30 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种弹坑超敏感产品生产参数优化方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH039540A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンデイング方法 |
JPH03208354A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0423340A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-27 | Fujitsu Ten Ltd | ワイヤボンダ |
JP2657709B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1997-09-24 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング装置並びにその方法 |
JPH04129235A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-30 | Nec Corp | ワイヤーボンディング装置 |
JP3007195B2 (ja) * | 1991-09-18 | 2000-02-07 | 株式会社日立製作所 | ボンディング装置およびボンディング部検査装置 |
JP3178567B2 (ja) * | 1993-07-16 | 2001-06-18 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング装置及びその方法 |
JP3101854B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2000-10-23 | 株式会社新川 | ワイヤボンデイング装置 |
US5402927A (en) * | 1994-06-09 | 1995-04-04 | Kulicke And Soffa Investments, Inc. | Adjustable wire tensioning apparatus |
JP3075100B2 (ja) * | 1994-10-06 | 2000-08-07 | 松下電器産業株式会社 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
US5773311A (en) * | 1996-04-26 | 1998-06-30 | Honeywell Inc. | Method for providing a test connection and a permanent connection site on an unpackaged semiconductor die |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP20982295A patent/JP3425492B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-16 US US08/689,912 patent/US5934996A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-17 CN CN96113279A patent/CN1126165C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-19 KR KR1019960034155A patent/KR100254570B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-10 US US09/307,727 patent/US6214718B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6214718B1 (en) | 2001-04-10 |
CN1149762A (zh) | 1997-05-14 |
JPH0964081A (ja) | 1997-03-07 |
KR970013133A (ko) | 1997-03-29 |
US5934996A (en) | 1999-08-10 |
CN1126165C (zh) | 2003-10-29 |
KR100254570B1 (ko) | 2000-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3425492B2 (ja) | 半導体実装方法およびその装置 | |
JP3276421B2 (ja) | 制御システム | |
WO2018143410A1 (ja) | 超音波接合装置、超音波接合検査方法および超音波接合部の製造方法 | |
JP4469503B2 (ja) | バンプ接合判定装置及び方法、並びに半導体部品製造装置及び方法 | |
US20140054277A1 (en) | Wire bonding apparatus and wire bonding method | |
JPH0713988B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2004047944A (ja) | 接合装置および接合の良否判別方法を有する接合方法 | |
JPH0550136B2 (ja) | ||
US3763545A (en) | Method for control of welding apparatus | |
JP3724875B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法とそのワイヤーボンディング方法を使用した半導体実装方法ならびにワイヤーボンディング装置とそのワイヤーボンディング装置を備えた半導体実装装置。 | |
JP2888335B2 (ja) | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 | |
JPH08330366A (ja) | ワイヤボンディング装置およびその方法 | |
JP3531378B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2003258021A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
TW201834092A (zh) | 打線接合裝置 | |
JP2980275B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2725117B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びその方法 | |
JP2770094B2 (ja) | ボンディング装置におけるボンディングツール装着状態判定装置並びにその判定方法 | |
JP2799938B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びその方法 | |
JP2976602B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP4401655B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3399679B2 (ja) | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 | |
JP2972762B1 (ja) | 半導体装置の測定装置及びその測定方法 | |
KR20210033909A (ko) | 와이어 본딩 장치 및 와이어 본딩 방법 | |
JPS62126647A (ja) | ワイヤボンデイング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100502 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |