JP3101854B2 - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
- Publication number
- JP3101854B2 JP3101854B2 JP06110241A JP11024194A JP3101854B2 JP 3101854 B2 JP3101854 B2 JP 3101854B2 JP 06110241 A JP06110241 A JP 06110241A JP 11024194 A JP11024194 A JP 11024194A JP 3101854 B2 JP3101854 B2 JP 3101854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- offset
- capillary
- camera
- bonding
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/789—Means for monitoring the connection process
- H01L2224/78901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Description
に係り、特にカメラで検出する試料検出中心軸とキャピ
ラリ中心軸とのオフセットの修正手段に関する。
半導体チップ2が付着された試料3は、図5に示すワイ
ヤボンデイング装置10により半導体チップ2のパッド
P1 、P2 ・・・とリードフレーム1のリード部L1 、
L2 ・・・にワイヤ4をワイヤボンデイングにより接続
する。
は、一般に、まずカメラ11によって半導体チップ2上
の少なくとも2つの定点、及びリードフレーム1上の少
なくとも2つの定点の正規の位置からのずれを検出し
て、この検出値に基づいて予め記憶されたボンデイング
座標を演算部で修正する。このカメラ11による検出の
場合は、カメラ11の中心軸11aが測定点の真上に位
置するようにX軸モータ12及びY軸モータ13が駆動
される。前記したようにボンデイング座標が修正された
後、キャピラリ15がXY軸方向及びZ軸方向に移動さ
せられ、キャピラリ15に挿通されたワイヤ4を半導体
チップ2のパッドP1 、P2 ・・・とリードフレーム1
のリード部L1 、L2 ・・・にワイヤボンデイングす
る。
ャピラリ15の中心軸15aとは距離Wだけオフセット
されているので、カメラ11によって定点のずれを検出
してボンデイング座標を修正した後、X軸モータ12及
びY軸モータ13によってXYテーブル16がオフセッ
ト量Wだけ移動させられ、キャピラリ15が試料3の第
1ボンド点の上方に位置させられる。その後、X軸モー
タ12及びY軸モータ13によるXYテーブル16のX
Y軸方向の移動と、Z軸モータ14によるキャピラリア
ーム17の上下動(又は揺動)によるキャピラリ15の
Z軸方向の移動により、前記修正されたボンデイング座
標にワイヤ4がワイヤボンデイングされる。図5におい
て、キャピラリアーム17はボンデイングヘッド18に
揺動自在に設けられ、カメラ11はカメラ保持アーム1
9を介してボンデイングヘッド18に固定されている。
なお、Xwはオフセット量WのX軸成分、Ywはオフセ
ット量WのY軸成分を示す。
して、例えば特開平4−317342号公報、特開平4
−320350号公報等があげられる。また試料の位置
補正方法として、例えば特開昭51−78174号公
報、特公昭57−50059号公報等があげられる。
aとキャピラリ15の中心軸15aとは、機械的に決め
られた一定のオフセット量Wを有している。従って、前
記したようにカメラ11によって試料3のずれ量を検出
してボンデイング座標を修正し、前記オフセット量Wだ
け移動させて前記修正されたボンデイング座標に予め定
められたプログラムに従ってキャピラリ15を順次移動
させることにより、ボンデイング点に正確にボンデイン
グさせることができる。
リードフレーム1を加熱するためのヒートブロックを有
し、キャピラリ15を保持するキャピラリアーム17
は、ヒートブロックの上方に位置している。またワイヤ
ボンデイング装置10は、発熱源として前記したヒート
ブロックの他に、XYテーブル16をXY軸方向に駆動
するX軸モータ12及びY軸モータ13、キャピラリア
ーム17に内蔵された超音波発振源、キャピラリアーム
17を揺動又は上下動させるZ軸モータ14等を備えて
いる。
作発熱等によって、キャピラリアーム17の熱膨張とカ
メラ11を保持するカメラ保持アーム19の熱膨張とに
差が生じ、カメラ11の中心軸11aとキャピラリ15
の中心軸15aとのオフセット(量及び方向)が変動す
る。この変動による誤差分がボンデイング位置ずれとし
て表れる。
業者が定期的に次のような方法による手動で行ってい
た。半導体チップ2のパッドP1 とリードフレーム1の
リード部L1 にワイヤボンデイングした後、パッドP1
の座標にオフセット量Wを加えた量だけXYテーブル1
6を駆動してカメラ11の中心軸11aをパッドP1 の
上方に移動させ、カメラ11で写し出されたパッドP1
にボンデイングされたボールがモニタ画面中心のクロス
ラインに対してずれているかを調べる。次にテンキー又
はチェスマンを手動操作してXYテーブル16を駆動さ
せ、ボールをモニタ画面中心のクロスラインに合わせ
る。そして、この合わせ操作によるXYテーブル16の
移動量を予め設定されているオフセット量Wに加えて修
正を行っていた。
フセットの修正作業は、装置を一時停止し、手動入力手
段のテンキー等を操作してボールを画面中心のクロスラ
インに合わせる手動操作であるので、多大の修正作業時
間を要するという問題があった。また作業者のミスや個
人差などによる修正誤差が生じる。また手動修正方法で
は、対象画像の分解能がテレビモニタの分解能で決まっ
てしまうため、これより細かい位置が判断できなく、位
置精度はピクセル(画素)単位であった。また経時的な
変動に対する修正が非常に困難であるという問題があっ
た。
動的に修正され、また修正精度の向上が図れると共に、
経時的なオフセットの変動も修正可能なワイヤボンデイ
ング装置を提供することにある。
の本発明の装置は、リードフレームに半導体チップが付
着された試料にワイヤボンデイングするキャピラリと、
このキャピラリと一定のオフセット量を持って配設され
た試料検出中心軸を有するカメラと、キャピラリ及びカ
メラを共にXY軸方向に駆動するXYテーブルと、前記
カメラで撮像した画像を処理して画像の位置ずれ量を算
出する画像処理部の演算制御部とを備えたワイヤボンデ
イング装置において、ワイヤボンデイング後にボンデイ
ングされたボール又はキャピラリの圧痕の上方に前記試
料検出中心軸を移動させるオフセットの修正時期及びオ
フセット修正手順が記憶されたオフセット修正用制御メ
モリと、前記オフセット量が記憶されたオフセットメモ
リと、前記オフセット修正用制御メモリにより前記XY
テーブルを駆動して前記試料検出中心軸を前記ボール又
はキャピラリの圧痕の上方に移動させ、前記画像処理部
の演算制御部で算出したずれ量によって前記オフセット
メモリに記憶されているオフセットの量を補正する装置
駆動部の演算制御部とを備えたことを特徴とする。
フセット修正用制御メモリに設定した時間になると、オ
フセット修正用制御メモリにより演算制御部はボンデイ
ングされたボール又はキャピラリの圧痕の上方に試料検
出中心軸を移動させる。これにより、カメラによってボ
ール又はキャピラリの圧痕が撮像される。この撮像され
た映像は、画像処理部の演算制御部によって画像処理さ
れ、ずれ量を算出する。装置駆動部の演算制御部は、前
記算出されたずれ量によってオフセットメモリに記憶さ
れているオフセット量を補正する。以後、次のオフセッ
トの修正が行われるまで前記オフセットメモリに記憶さ
れているオフセット量が使用される。
及び図5により説明する。図1に示すように、制御回路
部は、主としてカメラ11の映像を画像処理する画像処
理部20と、図5に示すワイヤボンデイング装置10を
駆動する装置駆動部30と、座標等のデータを装置駆動
部30に手動で入力する手動入力手段45とからなって
いる。
力手段21を介して入力された映像の画像形状を記憶す
る画像メモリ22と、この画像メモリ22の画像処理手
順が記憶された制御メモリ23と、この制御メモリ23
の手順に従って画像メモリ22の画像を処理して画像の
中心ずれ量を演算する演算制御部24とからなってい
る。また前記画像メモリ22の画像はテレビモニタ25
に写し出される。
モータ13、Z軸モータ14を制御するX軸モータ制御
部31、Y軸モータ制御部32、Z軸モータ制御部33
と、ボンデイング動作のために前記モータ12、13、
14を制御する制御手順及びボンデイング座標の算出手
順が記憶されたボンデイング用制御メモリ34と、オフ
セット量Wの修正時期及びオフセット修正手順が記憶さ
れたオフセット修正用制御メモリ35と、X軸モータ制
御部31、Y軸モータ制御部32、Z軸モータ制御部3
3、ボンデイング用制御メモリ34及びオフセット修正
用制御メモリ35を制御すると共に、前記演算制御部2
4によって算出された中心ずれ量と手動入力手段45に
より入力されたボンデイング座標データにより実際のボ
ンデイング座標を算出及びオフセット修正量を算出する
演算制御部36と、この演算制御部36で算出されたボ
ンデイング座標を記憶するバッテリーバックアップ37
されたボンデイング座標メモリ38と、前記修正された
オフセットを記憶するオフセットメモリ39とからなっ
ている。前記手動入力手段45は、テンキー46及びチ
ェスマン47よりなり、ボンデイング座標及びオフセッ
トはそのいずれかを使用して装置駆動部30に入力す
る。
正用制御メモリ35には、予め手動入力手段45を用い
て一定時間毎にオフセットの修正を行うように入力して
おき、またオフセット修正に使用する任意のパッド、例
えばパッドP1 を入力しておく。そこで、従来の技術の
項で説明したように、図5に示すワイヤボンデイング装
置10により図4に示すように、試料3にワイヤボンデ
イングが行われる。
れ、オフセット修正用制御メモリ35に設定した時間に
なると、その試料3へのワイヤボンデイングが完了した
後、オフセット修正用制御メモリ35によりボンデイン
グ座標メモリ37に記憶されているパッドP1 の座標と
オフセットメモリ40に記憶されているオフセット量W
を演算制御部36は読み出す。そして、演算制御部36
はパッドP1 の座標にオフセット量Wを加えた座標にX
軸モータ制御部31及びY軸モータ制御部32を制御す
る。これにより、X軸モータ12及びY軸モータ13が
駆動し、カメラ11の中心軸11aはワイヤボンデイン
グされたパッドP1 の上方に移動する。これにより、カ
メラ11によってパッドP1 が撮像される。この撮像さ
れた映像は、画像入力手段21によってデジタル信号に
変換されて画像メモリ22に記憶される。この画像メモ
リ22に記憶された画像形状は、演算制御部24によっ
て画像処理され、パッドP1 にワイヤボンデイングされ
たボールの中心ずれ量を算出する。
れたボール4aがテレビモニタ25に映っている撮像画
像例を示す。ボール4aの中心をPc(xc,yc)、
カメラ画像の中心をPs(xs,ys)とすると、数1
によりカメラ画像の中心Psからボール4aの中心Pc
のずれ量Δx,Δyが求まる。本来、カメラ画像とボン
デイング中心の位置関係をオフセットとしているので、
Δx,Δyがその時点のオフセットのずれ量となる。
クセル(副画素)精度をもって検出できる。サブピクセ
ル演算については、多値化(階調付画像)相関処理に加
え、HILL−CLIMB技法及び補間法演算などを用
いることにより、副画素精度で最大の相関値を持つ点を
見つけ出せることが知られている。またこのずれ量Δ
x,Δyは画像メモリ22のピクセル数として求まる
が、カメラ11の倍率により、1ピクセル当たりの実寸
法(XYテーブル16の移動量)は装置の固有値である
ので、XYテーブル16の移動量に換算することがで
き、この換算の係数をkx,kyとすると、実寸法ずれ
量dx1 ,dy1 は数2で算出される。
39に記憶されているオフセット量WのX軸成分Xw、
Y軸成分Ywに前記オフセットΔx,Δyを数3のよう
に加えて修正し、この新たなオフセットXw1 、Yw1
をオフセットメモリ39に記憶させる。以後、次のオフ
セットの修正が行われるまで前記オフセットXw1 、Y
w1 が使用される。
一定時間毎に行う場合について説明したが、この方法に
限定されるものではない。例えば、電源をオンにした
時、またヒートブロックをオンにした時などには、温度
変化が大きくオフセットの大きな変動が予想される。こ
のように、大きな変動が予想される期間では修正回数を
増やし、時間が経過して変動が飽和した期間では回数を
減らす等のプログラムを用いたりしてもよい。また前記
実施例は、任意のパッド、例えばパッドP1 のみにカメ
ラ11を戻してオフセットのずれ量を求めた。しかし、
1点のみのずれ量で補正すると、より余計にずれてしま
ったりすることがあるので、複数点についてずれ量を検
出、即ち複数回のサンプリングによりずれ方向とずれ量
の平均や偏差を計算する等の統計的手法を用いて修正し
てもよい。
ングされたボール4aのずれ量を検出してオフセットを
補正したが、図3に示すように、リード部Lにワイヤボ
ンデイングした場合に生じるキャピラリ15の圧痕マー
ク5を用いても同様に適用できることは言うまでもな
い。
動的に行われ、オフセットに起因するボンデイングの位
置ずれ検出が自動的に行われ、一連のボンデイング作業
を全自動的に行うことができる。即ち、画像のクロスラ
インにボール4a又はキャピラリ15の圧痕マーク5の
中心に合わせ込む操作を必要としないので、作業時間が
大幅に短縮されると共に、作業者のミスや個人差などに
よる位置合わせ誤差がなく、ボンデイング座標の位置精
度が向上する。また本実施例の場合、テレビモニタ25
の分解能は6μm/ピクセルであり、手動で位置合わせ
する場合は、これより細かい位置の判断ができない。本
実施例においては、サブピクセル演算が可能であるの
で、1/32ピクセルの検出精度があり、外乱の要因を
含めても1/4ピクセル、即ち1.5μmの精度が得ら
れる。
にボンデイングされたボール又はキャピラリの圧痕の位
置ずれを検出してオフセットのずれ量が自動的に修正さ
れ、また修正精度の向上が図れると共に、経時的なオフ
セットの変動も修正可能である。
制御回路部の一実施例を示すブロック図である。
である。
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】 リードフレームに半導体チップが付着さ
れた試料にワイヤボンデイングするキャピラリと、この
キャピラリと一定のオフセット量を持って配設された試
料検出中心軸を有するカメラと、キャピラリ及びカメラ
を共にXY軸方向に駆動するXYテーブルと、前記カメ
ラで撮像した画像を処理して画像の位置ずれ量を算出す
る画像処理部の演算制御部とを備えたワイヤボンデイン
グ装置において、ワイヤボンデイング後にボンデイング
されたボール又はキャピラリの圧痕の上方に前記試料検
出中心軸を移動させるオフセットの修正時期及びオフセ
ット修正手順が記憶されたオフセット修正用制御メモリ
と、前記オフセット量が記憶されたオフセットメモリ
と、前記オフセット修正用制御メモリにより前記XYテ
ーブルを駆動して前記試料検出中心軸を前記ボール又は
キャピラリの圧痕の上方に移動させ、前記画像処理部の
演算制御部で算出したずれ量によって前記オフセットメ
モリに記憶されているオフセットの量を補正する装置駆
動部の演算制御部とを備えたことを特徴とするワイヤボ
ンデイング装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06110241A JP3101854B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ワイヤボンデイング装置 |
KR1019950008246A KR0161330B1 (ko) | 1994-04-27 | 1995-04-10 | 와이어본딩방법 및 장치 |
US08/429,708 US5615821A (en) | 1994-04-27 | 1995-04-27 | Wire bonding method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06110241A JP3101854B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07297220A JPH07297220A (ja) | 1995-11-10 |
JP3101854B2 true JP3101854B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=14530691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06110241A Expired - Fee Related JP3101854B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5615821A (ja) |
JP (1) | JP3101854B2 (ja) |
KR (1) | KR0161330B1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3329623B2 (ja) * | 1995-06-27 | 2002-09-30 | 株式会社東芝 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
JP3425492B2 (ja) * | 1995-08-18 | 2003-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体実装方法およびその装置 |
JP3106345B2 (ja) * | 1995-10-23 | 2000-11-06 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置 |
KR100332128B1 (ko) * | 1995-11-02 | 2002-12-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 와이어본더의툴오프셋방법및장치 |
JPH11191568A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンディング方法及び装置 |
JP2982000B1 (ja) * | 1998-07-03 | 1999-11-22 | 株式会社新川 | ボンディング方法及びその装置 |
JP2001015536A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプボンディング方法 |
US7069102B2 (en) * | 2000-05-16 | 2006-06-27 | Texas Instruments Incorporated | System and method to customize bond programs compensating integrated circuit bonder variability |
JP3802403B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2006-07-26 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング方法及び装置 |
TWI221648B (en) * | 2002-03-19 | 2004-10-01 | Esec Trading Sa | Method and device for determining the vectorial distance between the capillary and the image recognition system of a wire bonder |
JP3742359B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2006-02-01 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
JP4530984B2 (ja) | 2005-12-28 | 2010-08-25 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法 |
JP2008252080A (ja) | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Shinkawa Ltd | ボンディング部の圧着ボール検出方法及び圧着ボール検出装置 |
JP4247299B1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-04-02 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
JP4264458B1 (ja) | 2008-06-13 | 2009-05-20 | 株式会社新川 | 圧着ボール径検出装置および方法 |
JP2010056106A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Nec Electronics Corp | ワイヤボンディング装置、これを用いたワイヤボンディング方法 |
US20100072262A1 (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Wire bonding method |
US9314869B2 (en) * | 2012-01-13 | 2016-04-19 | Asm Technology Singapore Pte. Ltd. | Method of recovering a bonding apparatus from a bonding failure |
CN110899893A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-03-24 | 上海和达汽车配件有限公司 | 一种焊接机器人偏移量十字检查方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5434669B2 (ja) * | 1974-12-27 | 1979-10-29 | ||
JPS5750059A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Nec Corp | Status history memory system |
JPH0278239A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法 |
JP2879244B2 (ja) * | 1990-05-29 | 1999-04-05 | 横浜ゴム株式会社 | 動的粘弾性測定方法 |
JP2841126B2 (ja) * | 1991-04-19 | 1998-12-24 | 株式会社新川 | ワイヤボンデイング方法及び装置 |
JP3009564B2 (ja) * | 1993-07-16 | 2000-02-14 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング装置及びその方法 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP06110241A patent/JP3101854B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-10 KR KR1019950008246A patent/KR0161330B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-04-27 US US08/429,708 patent/US5615821A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5615821A (en) | 1997-04-01 |
KR0161330B1 (ko) | 1999-02-01 |
JPH07297220A (ja) | 1995-11-10 |
KR950030291A (ko) | 1995-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3101854B2 (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JP2001223238A (ja) | ツール位置測定方法、オフセット測定方法、基準部材およびボンディング装置 | |
JP3235008B2 (ja) | ワイヤボンデイング部のボール検出方法及び検出装置 | |
JP3106345B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3101853B2 (ja) | ボンデイング座標のティーチング方法 | |
US5292050A (en) | Wire bonder | |
JP3020191B2 (ja) | ボンデイング座標のティーチング方法及びティーチング手段 | |
KR20080082546A (ko) | 본딩 장치에서의 본딩부의 압착 볼 검출 장치 및 본딩부의압착 볼 검출 방법 | |
JP3404755B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
KR100243086B1 (ko) | 리드프레임 다이본딩장치 및 그 방법 | |
JPH08111430A (ja) | ワイヤボンダーのボンディング位置補正方法、およびその装置 | |
JP2005079412A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるワイヤボンダ | |
JP3462298B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS61119054A (ja) | 自動ワイヤボンデイング装置 | |
JP2872158B2 (ja) | ワイヤボンディング方法およびその装置 | |
JP3379392B2 (ja) | ワイヤボンディングにおけるカメラオフセットの調整方法 | |
JPH03136341A (ja) | ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2002299369A (ja) | ボンディング装置 | |
JPS5923107B2 (ja) | ワイヤボンダにおける位置検出方法 | |
JPS63236340A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH11214428A (ja) | ボンディング装置 | |
JPH0521506A (ja) | 画像認識手段による電子部品の位置検出装置 | |
JPH11204622A (ja) | 位置合わせ装置及び方法 | |
JP2002151527A (ja) | ダイボンド精度自動補正システム | |
JPH0527253B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000710 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070825 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |