KR101182702B1 - 안트라센 유도체 호스트를 갖는 전기발광 디바이스 - Google Patents

안트라센 유도체 호스트를 갖는 전기발광 디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명의 전기발광 디바이스는 안트라센 그룹의 2 번 위치에 하나 이상의 아릴 고리를 갖고, 6 번 위치에 수소 또는 알킬 그룹을 가지며, 9 번 위치에 하나 이상의 나프탈렌 그룹을 포함하는 12 개 이하의 방향족 카보사이클릭 고리들을 갖는 안트라센 물질을 포함하는 발광 층을 포함하며, 상기 안트라센 물질은 이들 고리들 중에 오직 카보사이클릭 고리를 포함한다.

Description

안트라센 유도체 호스트를 갖는 전기발광 디바이스{ELECTROLUMINESCENT DEVICE WITH ANTHRACENE DERIVATIVE HOST}
본 발명은 호스트 및 발광 물질을 함유하는 발광 층을 포함하는 유기 전기발광(EL) 디바이스에 관한 것으로, 이때 상기 호스트는 양호한 작동 안정성을 갖는 특정한 안트라센 화합물을 포함한다.
유기(organic) 전기발광(EL, electroluminescent) 디바이스는 20년이 넘게 알려져 왔지만, 그의 성능 한계는 많은 바람직한 용도들에 장애를 나타내었다. 가장 단순한 형태에서 유기 EL 디바이스는 정공 주입용 애노드, 전자 주입용 캐소드, 및 이들 사이에 샌드위치되어 빛을 방출시키는 전하 재결합을 지원하는 유기 매질로 구성된다. 이러한 디바이스는 또한 통상적으로 유기 발광 다이오드, 또는 OLED라 칭한다. 전형적인 초기 유기 EL 디바이스는 1965년 3월 9일자로 허여된 구르니(Gurnee) 등의 미국 특허 제 3,172,862 호; 1965년 3월 9일자로 허여된 구르니의 미국 특허 제 3,173,050 호; 문헌[Dresner, "Double Injection Electroluminescence in Anthracene", RCA Review, Vol. 30, pp. 322-334, 1969]; 및 1973년 1월 9일자로 허여된 드레스너의 미국 특허 제 3,710,167 호이다. 이러한 디바이스에서 유기 층들은 대개 폴리사이클릭 방향족 탄화수소로 구성되며, 매우 두껍다(1 ㎛를 훨씬 초과한다). 결과적으로, 작동 전압이 종종 >100 V로 매우 높다.
보다 최근의 유기 EL 디바이스는 상기 애노드 캐소드 사이에 대단히 얇은 층(예를 들어 1.0 ㎛ 미만)으로 이루어진 유기 EL 소자를 포함한다. 여기에서, 상기 "유기 EL 소자"란 용어는 상기 애노드와 캐소드 전극 사이에 층들을 포함한다. 상기 두께의 감소는 상기 유기층의 저항을 낮추어 상기 디바이스를 훨씬 낮은 전압에서 작동할 수 있게 한다. 미국 특허 제 4,356,429 호에 처음으로 개시된 기본적인 2-층 EL 디바이스 구조에서, 애노드에 인접한 EL 소자의 하나의 유기층을 정공을 수송하도록 특별히 선택하고(따라서 상기를 정공 수송 층이라 칭한다), 다른 유기층은 전자를 수송하도록 특별히 선택한다(이를 전자 수송 층이라 칭한다). 유기 EL 소자 내부의 상기 주입된 정공 및 전자의 재결합은 효율적인 전기발광을 생성시킨다.
상기 정공 수송 층과 전자 수송 층 사이에 유기 발광 층(LEL)을 함유하는 3 층 유기 EL 디바이스(예를 들어 문헌[Tang et al., J. Applied Physics, Vol. 65, pages 3610-3616, 1989]에 개시된 바와 같은 디바이스)가 또한 제안되었다. 상기 발광 층은 통상적으로, 또한 도판트로서 공지된 게스트 물질로 도핑된 호스트 물질로 이루어진다. 더욱 또한, 미국 특허 제 4,769,292 호에는 정공 주입 층(HIL), 정공 수송 층(HTL), 발광 층(LEL) 및 전자 수송/주입 층(ETL)을 포함하는 4 층 EL 소자가 제안되어 있다. 이러한 구조는 개선된 디바이스 효율을 생성시켰다.
이러한 초기 발명 이래로, 디바이스 물질의 추가적인 개선은 특히, 예를 들어 미국 특허 제 5,061,569; 5,409,783; 5,554,450; 5,593,788; 5,683,823; 5,908,581; 5,928,802; 6,020,078; 및 6,208,077 호에 개시된 바와 같이 색상, 안정성, 휘도 효율 및 조립성 등의 특성에 있어서 개선된 수행성능을 발생시켰다.
안트라센 기재 호스트가 종종 EL 디바이스에 사용된다. 9,10-다이-(2-나프틸)안트라센 호스트의 유용한 부류가 미국 특허 제 5,935,721 호에 개시되어 있다. 개선된 디바이스 반감기를 갖는 발광 층에 사용되는 비스-안트라센 화합물들이 미국 특허 제 6,534,199 호 및 US 2002/0136922에 개시되어 있다. 안트라센 화합물을 사용하여 발광성을 개선시킨 전기발광 디바이스가 미국 특허 제 6,582,837 호에 개시되어 있다. 안트라센은 또한 미국 특허 제 6,465,115 호에 개시된 바와 같이 HTL에 사용되어 왔다. 또한 EL 디바이스에 안트라센 물질을 사용하는 것에 대한 다른 내용들이 존재한다(미국 특허 제 5,972,247 호, JP 2001/097897, JP 2000/273056, US 2002/0048687, WO 2003/060956, WO 2002/088274, WO 2003/087023, EP 0429821, WO 2003/007658, JP 2000/053677, 및 JP 2001/335516).
케이 킴(K. Kim)과 공동 연구자들(US 2004/0023060)은 이중 나선 안트라센 유도체를 개시한다. 보고된 물질들 중에는 9,10 치환된 안트라센의 2 번 위치에 이중 나선 그룹이 배치되어 있는 것들이 있지만, 이러한 성질의 물질들은 다수의 카보사이클릭 고리를 가지며 높은 승화 온도를 가질 수도 있다.
에스 윤(S Yoon)과 공동 연구자들(WO 2003/060956)은 9,10 치환된 안트라센의 2 또는 2,6 번 위치에 하나 내지 2 개의 이미다졸 그룹이 배치되어 있는 안트라 센 물질을 개시한다. JP 2004/059535에는 9,10 치환된 안트라센의 2- 또는 2,6 번 위치에 아릴 및 헤테로아릴 그룹이 배치되어 있는 안트라센 물질이 개시되어 있다. 그러나, 상기와 같은 위치에서 치환된 안트라센들은 제조하기가 어렵고 비용이 많이 들 수 있으며 호스트 물질의 모든 바람직한 실시태양들을 제공할 수 있지는 않다.
이러한 진보에도 불구하고, 높은 휘도 효율을 제공하고 개선된 작용 안정성, 바람직한 색조를 가지며 편리하게 제조되는 호스트가 끊임없이 요구되고 있다.
발명의 요약
본 발명은 안트라센 그룹의 2 번 위치에 하나 이상의 아릴 고리를 갖고, 6 번 위치에 수소 또는 알킬 그룹을 가지며, 9 번 위치에 하나 이상의 나프탈렌 그룹을 포함하는 12 개 이하의 방향족 카보사이클릭 고리 및 10 번 위치에 아릴 그룹을 갖는 안트라센 물질을 포함하는 발광 층을 포함하는 전기발광 디바이스를 제공하며, 상기 안트라센 물질은 이들 고리들 중에 오직 카보사이클릭 고리를 포함한다. 본 발명은 또한 안트라센 화합물뿐만 아니라 상기 전기발광 디바이스를 사용하는 디스플레이, 조명 장치, 및 방법을 포함한다.
본 발명의 실시태양은 높은 휘도 효율을 제공하고, 개선된 작용 안정성 및 바람직한 색조를 가지며 편리하게 제조된다.
도 1은 본 발명이 사용될 수 있는 전형적인 OLED 디바이스의 횡단면도를 나타낸다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 기판
103 애노드
105 정공 주입 층(HIL)
107 정공 수송 층(HTL)
109 발광 층(LEL)
111 전자 수송 층(ETL)
113 캐소드
본 발명은 일반적으로는 상기 요약한 바와 같다. 하나의 실시태양에서 본 발명의 전기발광 디바이스는 캐소드, 애노드, 전하 주입 층(필요한 경우), 전하 수송 층, 및 호스트 및 하나 이상의 발광 물질을 포함하는 하나 이상의 발광 층(LEL)을 포함하는 다층 디바이스이다.
상기 디바이스는 2 번 위치에 하나 이상의 아릴 고리, 예를 들어 페닐 그룹, 나프틸 그룹 또는 바이페닐 그룹을 갖는 안트라센 물질을 함유하는 층을 포함한다. 상기 안트라센 물질은 또한 6 번 위치에 수소 또는 알킬 그룹, 예를 들어 메틸 또는 t-부틸 그룹을 갖는다. 상기 안트라센 물질은 12 개까지의 방향족 카보사이클릭 고리들을 포함하며, 이들 고리들 중에 오직 카보사이클릭 고리를 포함한다. 하나의 바람직한 실시태양에서, 상기 안트라센은 10 개 이하의 방향족 카보사이클릭 고리를 포함한다. 상기 안트라센 물질은 상기 안트라센의 9 번 위치에 하나 이상의 나프탈렌 그룹을 포함한다. 하나의 적합한 실시태양에서, 상기 나프탈렌 그룹은 2-나프틸 그룹이다. 상기 안트라센의 10 번 위치는 아릴 치환된다. 하나의 실시태양에서, 상기 아릴 치환체는 나프틸 그룹, 예를 들어 2-나프틸 그룹 또는 바이페닐 그룹, 예를 들어 4-바이페닐 그룹이다. 하나의 바람직한 실시태양에서 상기 9 및 10 번 위치는 동일한 나프틸 그룹으로 치환된다. 적합하게는 상기 안트라센 물질은 단지 하나의 안트라센 잔기를 포함한다, 즉 상기 화합물 중에 단지 하나의 안트라센 그룹만이 존재한다. 또 다른 실시태양에서, 상기 안트라센 물질은 단지 2 개의 안트라센 잔기를 포함한다, 즉 상기 화합물 중에 2 개의 독립적으로 선택된 안트라센 그룹이 존재한다.
하나의 실시태양에서, 상기 안트라센 물질을 하기 화학식 1로 나타낸다:
Figure 112006068756024-pct00001
화학식 1에서, Ar2는 아릴 그룹, 예를 들어 페닐 그룹, 나프틸 그룹 또는 바 이페닐 그룹을 나타낸다. Ar9는 나프틸 그룹, 예를 들어 2-나프틸 그룹 또는 1-나프틸 그룹을 나타낸다. Ar10은 아릴 그룹을 나타낸다. 아릴 그룹의 예는 페닐 그룹, 톨릴 그룹, 나프틸 그룹 및 바이페닐 그룹이다. 화학식 1에서, v1, v3, v4, v5, v7 및 v8은 독립적으로 수소 또는 독립적으로 선택된 치환체 그룹, 예를 들어 아릴 그룹, 예를 들어 페닐 그룹, 또는 알킬 그룹, 예를 들어 t-부틸 그룹을 나타낸다. 화학식 1에서, v6은 수소 또는 알킬 그룹, 예를 들어 t-부틸 그룹을 나타낸다.
바람직하게는 상기 안트라센 물질은 발광 물질을 포함하는 층 중에 있다. 적합하게는, 상기 안트라센 물질은 호스트 물질을 포함하며, 하나보다 많은 호스트 물질이 존재할 수 있다. 상기 발광 물질(들)은 상기 호스트의 15 부피% 이하, 통상적으로는 0.1 내지 10 부피%, 보다 전형적으로는 0.1 내지 5.0 부피%의 양으로 존재한다.
상기 안트라센 물질은 또한 반복 단위의 주쇄 또는 측쇄를 갖는 올리고머 또는 중합체의 일부일 수 있다. 하나의 유용한 실시태양에서, 상기 EL 디바이스의 하나 이상의 층은 중합체성 물질을 포함한다. 또 다른 적합한 실시태양에서, 상기 EL 디바이스의 2 개 이상의 층은 중합체성 물질을 포함한다.
호스트와 함께 사용하기 위한 발광 형광 물질을 선택하는데 중요한 관계는 상기 호스트와 형광 물질의 여기된 단일 선 상태 에너지들의 비교이다. 상기 발광 물질의 여기된 단일 선 상태 에너지가 호스트 물질의 것보다 낮은 것이 매우 바람 직하다. 상기 여기된 단일 선 상태 에너지를 방출 단일 선 상태와 기저 상태간의 에너지 차이로서 정의한다. 비발광성(non-emissive) 호스트의 경우, 기저 상태와 동일한 전자 스핀의 최저 여기 상태를 방출 상태로 간주한다.
상기 층은 발광 물질의 성질에 따라 청색으로부터 적색 범위의 빛을 방출할 수 있다. 청색 광은 일반적으로 전자기 스펙트럼의 가시 영역에서 450 내지 480 ㎚, 청-녹색 480 내지 510 ㎚, 녹색 510 내지 550, 녹-황색 550 내지 570 ㎚, 황색 570 내지 590, 오렌지색 590 내지 630 ㎚ 및 적색 630 내지 700 ㎚의 파장 범위를 갖는 것으로서 규정된다(R.W. Hunt, The Reproduction of Colour in Photography, Printing & Television, 4th Edition 1987, Fountain Press). 이러한 성분들의 적합한 조합은 백색 광을 생성시킨다. 빛이 이러한 범위와 중복되는 스펙트럼 프로파일을 가질 때, 어느 정도이든 상기를 2 개의 색상 성분을 모두 갖는, 예를 들어 청-녹색, 황-오렌지색, 또는 오렌지-적색을 갖는 것으로서 막연히 언급한다.
본 발명의 안트라센 물질은 청색 또는 청-녹색 물질에 특히 유용한 호스트일 수 있다. 청색 또는 청-녹색 광을 방출하는 많은 물질들이 당해 분야에 공지되어 있으며 본 발명의 실시에 사용이 고려된다. 특히 유용한 부류의 청색 이미터에는 페릴렌 및 그의 유도체, 예를 들어 알킬 그룹 또는 아릴 그룹과 같은 하나 이상의 치환체를 갖는 페릴렌 핵이 포함된다. 방출 물질로서 사용하기에 바람직한 페릴렌 유도체는 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌이다.
형광 물질의 또 다른 유용한 부류에는 예를 들어 미국 특허 제 5,121,029 호에 개시된 화합물을 포함한, 다이스티릴아렌, 예를 들어 다이스티릴벤젠 및 다이스 티릴바이페닐의 청색 또는 청-녹색 발광 유도체가 포함된다. 청색 또는 청-녹색 발광을 제공하는 다이스티릴아렌의 유도체들 중에서 특히 유용한 것은 다이아릴아미노 그룹으로 치환된 것(또한 다이스티릴아민으로서 공지됨)이다. 예로서 하기 화학식 2a 및 2b(여기에서 Ra 내지 Rh는 동일하거나 상이할 수 있고, 개별적으로 수소 또는 하나 이상의 치환체를 나타낸다)가 포함된다. 예를 들어 치환체는 알킬 그룹, 예를 들어 메틸 그룹, 또는 아릴 그룹, 예를 들어 페닐 그룹일 수 있다.
Figure 112006068756024-pct00002
Figure 112006068756024-pct00003
유용한 다이스티릴아민의 예시적인 예는 하기 나타낸 청색 또는 청녹색 이미터 2c 및 2d이다.
Figure 112006068756024-pct00004
Figure 112006068756024-pct00005
또 다른 유용한 부류의 청색 또는 청-녹색 이미터는 붕소 원자를 포함한다. 붕소를 함유하는 바람직한 발광 물질로는 US 2003/0198829 및 US 2003/0201415에 개시된 것들이 있다. 적합한 청색 또는 청-녹색 발광 물질을 하기 화학식 3a로 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00006
화학식 3a에서, Ara 및 Arb는 독립적으로 5 또는 6원 방향족 고리 그룹, 예를 들어 피리딘 그룹을 형성하는데 필요한 원자들을 나타낸다. Za 및 Zb는 독립적으로 선택된 치환체, 예를 들어 플루오로 치환체를 나타낸다. 화학식 3a에서, w는 N 또는 C-Y를 나타내며, 여기에서 Y는 수소 또는 치환체, 예를 들어 방향족 그룹, 예를 들어 페닐 그룹 또는 톨릴 그룹, 알킬 그룹, 예를 들어 메틸 그룹, 시아노 치환체 또는 트라이플루오로메틸 치환체를 나타낸다.
유용한 붕소 함유 형광 물질의 예시적인 예들을 하기에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00007
Figure 112006068756024-pct00008
Figure 112006068756024-pct00009
Figure 112006068756024-pct00010
Figure 112006068756024-pct00011
Figure 112006068756024-pct00012
특히 유용한 부류의 녹색 발광 물질에는 퀴나크리돈 화합물이 포함된다. 유용한 퀴나크리돈들은 US 2004/0001969, 미국 특허 제 6,664,396 호, 제 5,593,788 호 및 JP 09-13026에 개시되어 있다. 하나의 실시태양에서, 상기 발광 층 중의 발 광 물질은 하기 화학식 4로 나타내는 퀴나크리돈 화합물이다.
Figure 112006068756024-pct00013
화학식 4에서, s1 내지 s10은 독립적으로 수소 또는 독립적으로 선택된 치환체, 예를 들어 페닐 그룹, 톨릴 그룹, 할로겐, 예를 들어 F, 또는 알킬 그룹, 예를 들어 메틸 그룹을 나타낸다. 인접한 치환체들은 결합하여 융합된 벤젠 고리 그룹과 같은 고리를 형성할 수 있다.
화학식 4에서, s11 및 s12는 독립적으로 알킬 그룹 또는 방향족 그룹을 나타낸다. 하나의 적합한 화합물에서, s11 및 s12는 독립적으로 페닐 고리 그룹, 예를 들어 페닐 고리 또는 톨릴 고리를 나타낸다.
유용한 퀴나크리돈 화합물의 예시적인 예를 하기에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00014
Figure 112006068756024-pct00015
Figure 112006068756024-pct00016
Figure 112006068756024-pct00017
또 다른 특히 유용한 부류의 녹색 발광 물질에는 쿠마린 화합물이 포함된다. 예를 들어, 유용한 쿠마린들이 탱(Tang) 등의 미국 특허 제 4,769,292 호 및 제 6,020,078 호에 개시되어 있다. 본 발명의 하나의 실시태양에서, 상기 발광 층 중의 제 3의 물질은 하기 화학식 5로 나타내는 쿠마린이다.
Figure 112006068756024-pct00018
화학식 5에서, w11 및 w12는 독립적으로 선택된 치환체, 예를 들어 알킬 그룹 또는 아릴 그룹을 나타내나, 단 w11및 w12는 서로 또는 w13 및 w14와 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 바람직하게는 w11 및 w12는 독립적으로 선택된 알킬 그룹을 나타내나, 단 w11및 w12는 서로 또는 w13 및 w14와 결합하여 포화된 고리를 형성할 수 있다. 화학식 5에서, w13 내지 w16은 독립적으로 수소 또는 독립적으로 선택된 치환체, 예를 들어 페닐 고리 그룹 또는 메틸 그룹을 나타낸다. 인접한 치환체들은 결합하여 고리, 예를 들어 융합된 벤젠 고리를 형성할 수 있다. 화학식 5에서, w17은 헤테로방향족 고리, 예를 들어 벤조티아졸 고리 그룹을 완성하는데 필요한 원자들을 나타낸다. 유용한 쿠마린 화합물의 예시적인 예를 하기에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00019
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추가로 유용한 방출 물질의 예에는 안트라센, 플루오렌, 페리플란텐, 및 인 데노페릴렌의 유도체들이 포함된다.
본 발명에 사용되는 안트라센은 높은 효율과 양호한 작용 안정성을 나타내는 EL 디바이스에 유용하다. 상기 화합물은 백색 광을 생성시키는 EL 디바이스뿐만 아니라 풀 컬러 EL 디바이스 및 이동 영상 디바이스에 유용하다.
하나의 바람직한 실시태양에서, 본 발명의 디바이스는 빛을 방출하는 층을 하나보다 많이 갖는다. 적합하게는 상기 디바이스는 백색 광을 생성시킨다. 바람직하게는, 상기 디바이스의 한 층은 루브렌 또는 루브렌의 유도체를 함유한다.
유용한 안트라센 물질들을 다양한 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 하기 반응식 Rx-A 내지 Rx-C에 나타낸 방법에 의해 제조할 수 있다. 브로모-아릴 화합물(Ar1Br)을 리튬 시약, 예를 들어 t-부틸리튬과 반응시켜 아릴 리튬 염을 형성시키고, 이어서 이를 화합물 E-1과 반응시켜 E-2를 형성시킬 수 있다(Rx-A). E-2의 탈수 및 예를 들어 KI, NaH2PO2 및 아세트산에 의한 방향족화에 의해 안트라센 E-3을 수득한다(Rx-B). 상기 안트라센을 스즈키 유형의 커플링 조건 하에서, 예를 들어 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐, 트라이사이클로헥실포스핀 및 칼륨 포스페이트 염기와 함께 아릴 붕소산(Ar2-B(OH)2)과 반응시켜 목적하는 안트라센 물질 E-4를 수득한다(Rx-C). 상기 스즈키 커플링 반응 및 유사 반응들에 대한 고찰을 위해 문헌[J. Hassan, M. Sevignon, C. Gozzi, E. Schulz, M. Lemaire, Marc, Chem. Rev, 102, 1359(2002)] 및 상기 문헌 중에 인용된 참고문헌들을 참조하시오.
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본 발명의 유용한 화합물은 하기를 포함한다:
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달리 구체적으로 나타내지 않는 한, "치환된" 또는 "치환체"란 용어의 사용은 수소 이외의 임의의 그룹 또는 원자를 의미한다. 또한, "그룹"이란 용어가 사용되는 경우, 상기는 치환체 그룹이 치환 가능한 수소를 함유하는 경우, 상기 그룹이 상기 치환체의 치환되지 않은 형태뿐만 아니라, 치환체가 디바이스 효용에 필요 한 성질들을 파괴하지 않는 한 본 발명에서 언급한 바와 같은 임의의 치환체 그룹 또는 그룹들에 의해 추가로 치환된 그의 형태를 포함함을 의미한다. 적합하게는 치환체 그룹은 할로겐이거나 또는 탄소, 규소, 산소, 질소, 인, 황, 셀레늄 또는 붕소의 원자에 의해 상기 분자의 나머지에 결합될 수 있다. 상기 치환체는 예를 들어 할로겐, 예를 들어 클로로, 브로모 또는 플루오로; 나이트로; 하이드록실; 시아노; 카복실; 또는 추가로 치환될 수 있는 그룹, 예를 들어 직쇄 또는 분지 쇄 또는 환상 알킬을 포함한 알킬, 예를 들어 메틸, 트라이플루오로메틸, 에틸, t-부틸, 3-(2,4-다이-t-펜틸페녹시)프로필, 및 테트라데실; 알케닐, 예를 들어 에틸렌, 2-부텐; 알콕시, 예를 들어 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 2-메톡시에톡시, 2급-부톡시, 헥실옥시, 2-에틸헥실옥시, 테트라데실옥시, 2-(2,4-다이-t-펜틸페녹시)에톡시, 및 2-도데실옥시에톡시; 아릴, 예를 들어 페닐, 4-t-부틸페닐, 2,4,6-트라이메틸페닐, 나프틸; 아릴옥시, 예를 들어 페녹시, 2-메틸페녹시, 알파- 또는 베타-나프틸옥시, 및 4-톨릴옥시; 카본아미도, 예를 들어 아세트아미도, 벤즈아미도, 부티르아미도, 테트라데칸아미도, 알파-(2,4-다이-t-펜틸-페녹시)아세트아미도, 알파-(2,4-다이-t-펜틸페녹시)부티르아미도, 알파-(3-펜타데실페녹시)-헥산아미도, 알파-(4-하이드록시-3-t-부틸페녹시)-테트라데칸아미도, 2-옥소-피롤리딘-1-일, 2-옥소-5-테트라데실피롤린-1-일, N-메틸테트라데칸아미도, N-숙신이미도, N-프탈이미도, 2,5-다이옥소-1-옥사졸리디닐, 3-도데실-2,5-다이옥소-1-이미다졸릴, 및 N-아세틸-N-도데실아미노, 에톡시카보닐아미노, 페녹시카보닐아미노, 벤질옥시카보닐아미노, 헥사데실옥시카보닐아미노, 2,4-다이-t-부틸페녹시카보닐아미노, 페닐카보 닐아미노, 2,5-(다이-t-펜틸페닐)카보닐아미노, p-도데실-페닐카보닐아미노, p-톨릴카보닐아미노, N-메틸유레이도, N,N-다이메틸유레이도, N-메틸-N-도데실유레이도, N-헥사데실유레이도, N,N-다이옥타데실유레이도, N,N-다이옥틸-N'-에틸유레이도, N-페닐유레이도, N,N-다이페닐유레이도, N-페닐-N-p-톨릴유레이도, N-(m-헥사데실페닐)유레이도, N,N-(2,5-다이-t-펜틸페닐)-N'-에틸유레이도, 및 t-부틸카본아미도; 설폰아미도, 예를 들어 메틸설폰아미도, 벤젠설폰아미도, p-톨릴설폰아미도, p-도데실벤젠설폰아미도, N-메틸테트라데실설폰아미도, N,N-다이프로필-설파모일아미노 및 헥사데실설폰아미도; 설파모일, 예를 들어 N-메틸설파모일, N-에틸설파모일, N,N-다이프로필설파모일, N-헥사데실설파모일, N,N-다이메틸설파모일, N-[3-(도데실옥시)프로필]설파모일, N-[4-(2,4-다이-t-펜틸페녹시)부틸]설파모일, N-메틸-N-테트라데실설파모일, 및 N-도데실설파모일; 카바모일, 예를 들어 N-메틸카바모일, N,N-다이부틸카바모일, N-옥타데실카바모일, N-[4-(2,4-다이-t-펜틸페녹시)부틸]카바모일, N-메틸-N-테트라데실카바모일, 및 N,N-다이옥틸카바모일; 아실, 예를 들어 아세틸, (2,4-다이-t-아밀페녹시)아세틸, 페녹시카보닐, p-도데실옥시페녹시카보닐 메톡시카보닐, 부톡시카보닐, 테트라데실옥시카보닐, 에톡시카보닐, 벤질옥시카보닐, 3-펜타데실옥시카보닐, 및 도데실옥시카보닐; 설포닐, 예를 들어 메톡시설포닐, 옥틸옥시설포닐, 테트라데실옥시설포닐, 2-에틸헥실옥시설포닐, 페녹시설포닐, 2,4-다이-t-펜틸페녹시설포닐, 메틸설포닐, 옥틸설포닐, 2-에틸헥실설포닐, 도데실설포닐, 헥사데실설포닐, 페닐설포닐, 4-노닐페닐설포닐, 및 p-톨릴설포닐; 설포닐옥시, 예를 들어 도데실설포닐옥시, 및 헥사데실설포닐옥시; 설피닐, 예 를 들어 메틸설피닐, 옥틸설피닐, 2-에틸헥실설피닐, 도데실설피닐, 헥사데실설피닐, 페닐설피닐, 4-노닐페닐설피닐, 및 p-톨릴설피닐; 티오, 예를 들어 에틸티오, 옥틸티오, 벤질티오, 테트라데실티오, 2-(2,4-다이-t-펜틸페녹시)에틸티오, 페닐티오, 2-부톡시-5-t-옥틸페닐티오, 및 p-톨릴티오; 아실옥시, 예를 들어 아세틸옥시, 벤조일옥시, 옥타데카노일옥시, p-도데실아미도벤조일옥시, N-페닐카바모일옥시, N-에틸카바모일옥시 및 사이클로헥실카보닐옥시; 아민, 예를 들어 페닐아닐리노, 2-클로로아닐리노, 다이에틸아민, 도데실아민; 이미노, 예를 들어 1(N-페닐이미도)에틸, N-숙신이미도, 또는 3-벤질하이단토이닐; 포스페이트, 예를 들어 다이메틸포스페이트 및 에틸부틸포스페이트; 포스파이트, 예를 들어 다이에틸 및 다이헥실포스파이트; 헤테로사이클릭 그룹, 헤테로사이클릭 옥시 그룹 또는 헤테로사이클릭 티오 그룹(이들 각각은 치환될 수 있고 탄소 원자, 및 산소, 질소, 황, 인 및 붕소로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자로 구성된 3 내지 7 원 헤테로사이클릭 고리를 함유한다), 예를 들어 2-퓨릴, 2-티에닐, 2-벤즈이미다졸릴옥시 또는 2-벤조티아졸릴; 4급 암모늄, 예를 들어 트라이에틸암모늄; 4급 포스포늄, 예를 들어 트라이페닐포스포늄; 및 실릴옥시, 예를 들어 트라이메틸실릴옥시일 수 있다.
경우에 따라, 상기 치환체 자체를 개시된 치환체 그룹으로 1 회 이상 추가 치환시킬 수 있다. 사용되는 특정한 치환체는 특정의 용도에 목적하는 바람직한 성질을 획득하기 위해 당해 분야의 숙련가에 의해 선택될 수 있으며, 예를 들어 전자 흡인 그룹, 전자 공여 그룹 및 입체 그룹을 포함할 수 있다. 분자가 2 개 이상 의 치환체를 가질 수 있는 경우, 달리 제공되지 않는한, 상기 치환체들을 함께 결합시켜 융합된 고리와 같은 고리를 형성시킬 수 있다. 일반적으로는, 상기 그룹 및 그의 치환체는 탄소수 48 이하, 전형적으로는 탄소수 1 내지 36, 대개는 탄소수 24 미만을 가질 수 있으나, 선택되는 특정 치환체에 따라 보다 큰 수도 가능하다.
일반적인 디바이스 구조
본 발명을 작은 분자 물질, 올리고머 물질, 중합체 물질 또는 이들의 조합을 사용하는 다수의 EL 디바이스 구성에 사용할 수 있다. 여기에는 단일 애노드 및 캐소드를 포함하는 매우 단순한 구조에서부터 보다 복잡한 디바이스, 예를 들어 애노드와 캐소드가 직교하는 배열로 구성되어 화소를 형성하는 수동 매트릭스 디스플레이, 및 예를 들어 박막 트랜지스터(TFT)의 경우, 각각의 화소가 독립적으로 조절되는 능동 매트릭스 디스플레이가 포함된다.
본 발명이 성공적으로 실행될 수 있는 다수의 유기 층들의 구성이 존재한다. OLED의 필수적인 요건은 애노드, 캐소드, 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기 발광 층이다. 추가의 층들을 이후에 보다 충분히 개시하는 바와 같이 사용할 수 있다.
본 발명에 따른, 작은 분자 디바이스에 특히 유용한 전형적인 구조를 도 1에 나타내며 이는 기판(101), 애노드(103), 정공 주입 층(105), 정공 수송 층(107), 발광 층(109), 전자 수송 층(111), 및 캐소드(113)를 포함한다. 이들 층은 하기에 상세히 개시된다. 한편으로 상기 기판(101)을 캐소드(113)에 인접 배치시키거나, 또는 상기 기판(101)이 실제로 애노드(103) 또는 캐소드(113)를 구성할 수도 있음 에 주목하시오. 상기 애노드(103)와 캐소드(113) 사이의 유기 층들을 편의상 유기 EL 소자라 칭한다. 또한, 상기 유기 층들의 전체 결합 두께는 바람직하게는 500 ㎚ 미만이다. 상기 디바이스가 인광 물질을 포함하는 경우, 상기 발광 층과 전자 수송 층 사이에 배치된 정공 차단 층이 존재할 수도 있다.
상기 OLED의 애노드(103) 및 캐소드(113)를 전기 전도체를 통해 전압/전원에 접속시킨다. 상기 OLED를 애노드(103)가 캐소드(113)보다 더 양의 전위에 있도록 애노드(103)와 캐소드(113) 사이에 전위를 걸어 작동시킨다. 정공을 상기 애노드(103)로부터 유기 EL 소자에 주입하고 전자를 캐소드(113)에서 유기 EL 소자에 주입한다. 상기 OLED를 AC 모드(AC 주기에서 얼마간은 전위 바이어스가 역전되고 전류가 흐르지 않는다)로 작동시키는 경우 때때로 향상된 디바이스 안정성이 성취될 수 있다. AC 구동된 OLED의 예가 미국 특허 제 5,552,678 호에 개시되어 있다.
기판
본 발명의 OLED 디바이스는 전형적으로는 지지 기판(101) 상에 제공되며 여기에서 캐소드(113) 또는 애노드(103)가 기판과 접촉할 수 있다. 상기 기판(101)과 접촉하는 전극을 편의상 하부 전극이라 칭한다. 통상적으로, 상기 하부 전극은 애노드(103)이지만, 본 발명을 상기 구성으로 제한하지 않는다. 기판(101)은 의도하는 발광 방향에 따라 광 투과성이거나 또는 불투명할 수 있다. 상기 광 투과성 성질은 상기 기판(101)을 통해 EL 방출을 관찰하는데 바람직하다. 투명한 유리 또는 유기 물질이 흔히 상기와 같은 경우에 사용된다. 상기 기판(101)은 다층의 물질을 포함하는 복잡한 구조일 수 있다. 이는 전형적으로는 TFT가 상기 OLDE 층의 아래에 제공되어 있는 능동 매트릭스 기판에 대한 경우이다. 상기 기판(101)을 적어도 방출 화소 처리된 영역에서 유리 또는 중합체와 같은 대부분 투명한 물질들로 구성할 것이 여전히 필요하다. EL 방출을 상부 전극을 통해 관찰하는 용도의 경우, 하부 지지층의 투과 특성은 중요하지 않으며, 따라서 상기 기판은 광 투과성이거나, 광 흡수성이거나 광 반사성일 수 있다. 이 경우에 사용하기 위한 기판은 비 제한적으로 유리, 플라스틱, 반도체 물질, 예를 들어 규소, 세라믹, 및 회로 기판 물질을 포함한다. 다시, 상기 기판(101)은 능동 매트릭스 TFT 디자인에서 발견되는 바와 같은 다층의 물질을 포함하는 복잡한 구조일 수 있다. 이러한 디바이스 구성에 광 투명한 상부 전극을 제공할 필요가 있다.
애노드
목적하는 전기발광성 발광(EL)을 애노드를 통해 시인하는 경우, 상기 애노드(103)는 관심 방출에 투명하거나 또는 실질적으로 투명해야 한다. 본 발명에 사용되는 통상적인 투명한 애노드 물질은 산화 인듐 주석(ITO), 산화 인듐 아연(IZO) 및 산화 주석이지만, 다른 금속 산화물들, 예를 들어 비 제한적으로 알루미늄- 또는 인듐-도핑된 산화 아연, 산화 마그네슘-인듐, 및 산화 니켈 텅스텐을 사용할 수 있다. 이들 산화물 이외에, 금속 질화물, 예를 들어 질화 갈륨, 및 금속 셀레나이드, 예를 들어 아연 셀레나이드, 및 금속 황화물, 예를 들어 황화 아연을 애노드(103)에 사용할 수 있다. EL 방출을 캐소드(113)를 통해 시인하는 제품에서, 애노드(103)의 투과 특성은 중요하지 않으며 임의의 전도성 물질, 즉 투명하거나, 불투명하거나 또는 반사성인 물질을 사용할 수 있다. 상기 용도에 대한 예시적인 전 도체로는 비 제한적으로 금, 이리듐, 몰리브덴, 팔라듐 및 백금이 있다. 전형적인 애노드 물질은 투과성이거나 또는 달리 4.1 eV 이상의 일 함수를 갖는다. 목적하는 애노드 물질을 통상적으로는 임의의 적합한 수단, 예를 들어 증발, 스퍼터링, 화학적 증착 또는 전기화학적 수단에 의해 침착시킨다. 애노드를 널리 공지된 포토리소그래피 공정을 사용하여 패턴화할 수 있다. 임의로, 애노드를 다른 층의 적용 전에 연마하여 표면 조도를 감소시켜 단락 회로를 최소화시키거나 또는 반사율을 향상시킬 수 있다.
캐소드
발광이 전적으로 애노드(103)를 통해 시인되는 경우, 본 발명에 사용되는 캐소드(113)는 거의 모든 전도성 물질로 구성될 수 있다. 바람직한 물질은 하부 유기층과 양호하게 접촉하고, 저 전압에서 전자 주입을 촉진시키고 양호한 안정성을 보장하는 양호한 필름 형성 성질을 갖는다. 유용한 캐소드 물질은 종종 낮은 일 함수(<4.0 eV) 금속 또는 금속 합금을 함유한다. 하나의 유용한 캐소드 물질은 Mg:Ag 합금으로 구성되며, 이때 은의 퍼센트는 미국 특허 제 4,885,221 호에 개시된 바와 같이 1 내지 20%의 범위이다. 또 다른 적합한 부류의 캐소드 물질은 캐소드, 및 유기 층(예를 들어 전자 수송 층(ETL))과 접촉하는 얇은 전자 주입 층(EIL)을 포함하는 2층을 포함하며, 상기 캐소드는 보다 두꺼운 전도성 금속 층으로 캡핑된다. 이때 상기 EIL은 바람직하게는 낮은 일 함수 금속 또는 금속염을 포함하고, 그런 경우 상기 보다 두꺼운 캡핑 층은 낮은 일 함수를 가질 필요가 없다. 하나의 상기와 같은 캐소드는 미국 특허 제 5,677,572 호에 개시된 바와 같이 LiF의 박층 에 이어서 보다 두꺼운 Al 층으로 구성된다. 알칼리 금속, 예를 들어 Li-도핑된 Alq로 도핑된 ETL 물질이 유용한 EIL의 또 다른 예이다. 다른 유용한 캐소드 물질 세트에는 비 제한적으로 미국 특허 제 5,059,861, 5,059,862 및 6,140,763 호에 개시된 것들이 포함된다.
발광을 캐소드를 통해 관찰하는 경우, 상기 캐소드(113)는 투명하거나 거의 투명해야 한다. 상기와 같은 용도를 위해서, 금속은 얇거나 또는 투명한 전도성 산화물, 또는 이들 물질의 조합을 사용해야 한다. 광학적으로 투명한 캐소드는 미국 특허 제 4,885,211, 5,247,190 호, JP 3,234,963, 미국 특허 제 5,703,436, 5,608,287, 5,837,391, 5,677,572, 5,776,622, 5,776,623, 5,714,838, 5,969,474, 5,739,545, 5,981,306, 6,137,223, 6,140,763, 6,172,459 호, EP 1 076 368, 미국 특허 제 6,278,236 및 6,284,3936 호에 보다 상세히 개시되었다. 캐소드 물질을 증발, 스퍼터링 또는 화학적 증착과 같은 임의의 적합한 방법에 의해 침착시킬 수 있다. 필요한 경우, 다수의 널리 공지된 방법, 예를 들어 비 제한적으로 마스크를 통한 침착, 미국 특허 제 5,276,380 호 및 EP 0 732 868에 개시된 바와 같은 일체형 쉐도우 마스킹, 레이저 융삭 및 선택적인 화학적 증착을 통해 패턴화를 달성할 수 있다.
정공 주입 층( HIL )
애노드(103)와 정공 수송 층(107) 사이에 정공 주입 층(105)을 제공할 수 있다. 상기 정공 주입 층은 후속 유기층들의 필름 형성 성질을 개선시키고 정공 수송 층(107) 내로의 정공의 주입을 촉진시키는 작용을 할 수 있다. 상기 정공 주입 층(105)에 사용하기에 적합한 물질에는 비 제한적으로 포르피린 화합물, 예를 들어 미국 특허 제 4,720,432 호에 개시된 것들, 플라스마 침착된 플루오로카본 중합체, 예를 들어 미국 특허 제 6,208,075 호에 개시된 것들, 및 일부 방향족 아민, 예를 들어 MTDATA(4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트라이페닐아민)이 포함된다. 유기 EL 디바이스에 유용하다고 하는 또 다른 정공 주입 물질들이 EP 0 891 121 A1 및 EP 1 029 909 A1에 개시되어 있다. 본 발명에서는 정공 주입 층이 편의상 사용되며, 상기 층은 바람직하게는 플라스마-침착된 플루오로카본 중합체이다. 플라스마 침착된 플루오로카본 중합체를 함유하는 정공 주입 층의 두께는 0.2 내지 15 ㎚, 적합하게는 0.3 내지 1.5 ㎚의 범위일 수 있다.
정공 수송 층( HTL )
항상 필요한 것은 아니지만, OLED 디바이스에 정공 수송 층을 포함시키는 것이 종종 유용하다. 유기 EL 디바이스의 정공 수송 층(107)은 하나 이상의 정공 수송 화합물, 예를 들어 방향족 3차 아민을 함유하며, 이때 상기 아민은 오직 탄소 원자들에만 결합된 하나 이상의 3 가 질소 원자(이중 하나 이상은 방향족 고리의 구성원이다)를 함유하는 화합물인 것으로 이해된다. 하나의 형태에서 상기 방향족 3차 아민은 아릴아민, 예를 들어 모노아릴아민, 다이아릴아민, 트라이아릴아민, 또는 중합체성 아릴아민일 수 있다. 예시적인 단량체성 트라이아릴아민들이 클루펠(Klupfel) 등의 미국 특허 제 3,180,730 호에 예시되어 있다. 하나 이상의 비닐 라디칼로 치환되고/되거나 하나 이상의 활성 수소 함유 그룹을 포함하는 다른 적합한 트라이아릴아민들은 브랜틀리(Brantley) 등의 미국 특허 제 3,567,450 호 및 3,658,520 호에 개시되어 있다.
방향족 3차 아민의 보다 바람직한 부류는 미국 특허 제 4,720,432 호 및 5,061,569 호에 개시된 바와 같은 2 개 이상의 방향족 3차 아민 잔기를 포함하는 것들이다. 상기와 같은 화합물은 하기 화학식 A로 나타내는 것들을 포함한다:
Figure 112006068756024-pct00033
상기 식에서,
Q1 및 Q2는 독립적으로 선택된 방향족 3차 아민 잔기이고,
G는 연결 그룹, 예를 들어 아릴렌, 사이클로알킬렌, 또는 탄소-탄소 결합의 알킬렌 그룹이다.
하나의 실시태양에서, Q1 및 Q2 중 하나 이상은 폴리사이클릭 융합된 고리 구조, 예를 들어 나프탈렌을 함유한다. G가 아릴 그룹인 경우, 상기는 편의상 페닐렌, 바이페닐렌 또는 나프탈렌 잔기이다.
화학식 A를 만족하고 2 개의 트라이아릴아민 잔기를 함유하는 트라이아릴아민의 유용한 부류를 하기 화학식 B로 나타낸다:
Figure 112006068756024-pct00034
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 아릴 그룹 또는 알킬 그룹을 나타내거나, 또는 R1 및 R2가 함께 사이클로알킬 그룹을 완성하는 원자들을 나타내고;
R3 및 R4는 각각 독립적으로 아릴 그룹을 나타내고, 차례로 이는 하기 화학식 C로 나타내는 바와 같은 다이아릴 치환된 아미노 그룹으로 치환되고:
Figure 112006068756024-pct00035
상기 식에서,
R5 및 R6은 독립적으로 선택된 아릴 그룹이다.
하나의 실시태양에서, R5 및 R6 중 하나 이상은 폴리사이클릭 융합된 고리 구조, 예를 들어 나프탈렌을 함유한다.
방향족 3차 아민의 또 다른 부류는 테트라아릴다이아민이다. 바람직한 테트라아릴다이아민 그룹은 아릴렌 그룹을 통해 결합된, 화학식 C로 나타내는 바와 같은 2 개의 다이아릴아미노 그룹을 포함한다. 유용한 테트라아릴다이아민은 하기 화학식 D로 나타내는 것들을 포함한다:
Figure 112006068756024-pct00036
상기 식에서,
각각의 Are는 독립적으로 선택된 아릴렌 그룹, 예를 들어 페닐렌 또는 안트라센 잔기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고,
Ar, R7, R8 및 R9는 독립적으로 선택된 아릴 그룹이다.
전형적인 실시태양에서, Ar, R7, R8 및 R9 중 하나 이상은 폴리사이클릭 융합된 고리 구조, 예를 들어 나프탈렌이다.
상기 화학식 A, B, C, D의 다양한 알킬, 알킬렌, 아릴 및 아릴렌 잔기는 각각 차례로 치환될 수 있다. 전형적인 치환체들로는 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 아릴 그룹, 아릴옥시 그룹, 및 할라이드, 예를 들어 플루오라이드, 클로라이드 및 브로마이드가 있다. 상기 다양한 알킬 및 알킬렌 잔기는 전형적으로는 탄소수 약 1 내지 6을 함유한다. 상기 사이클로알킬 잔기는 탄소수 3 내지 약 10을 함유할 수 있으나, 전형적으로는 5, 6 또는 7 개의 고리 탄소 원자, 예를 들어 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 사이클로헵틸 고리 구조를 함유할 수 있다. 상기 아릴 및 아릴렌 잔기는 대개는 페닐 및 페닐렌 잔기이다.
정공 수송 층은 단일의 3차 아민 화합물 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 구체적으로, 트라이아릴아민, 예를 들어 화학식 B를 만족하는 트라이아릴아민을 화학식 D로 나타내는 바와 같은 테트라아릴다이아민과 함께 사용할 수 있다. 예시적인 유용한 방향족 3차 아민은 하기와 같다:
1,1-비스(4-다이-p-톨릴아미노페닐)사이클로헥산(TAPC)
1,1-비스(4-다이-p-톨릴아미노페닐)-4-메틸사이클로헥산
1,1-비스(4-다이-p-톨릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥산
1,1-비스(4-다이-p-톨릴아미노페닐)-3-페닐프로판(TAPPP)
N,N,N',N'-테트라페닐-4,4"'-다이아미노-1,1':4',1":4",1"'-쿼터페닐
비스(4-다이메틸아미노-2-메틸페닐)-페닐메탄
1,4-비스[2-[4-[N,N-다이(p-톨릴)아미노]페닐]비닐]벤젠(BDTAPVB)
N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-다이아미노바이페닐(TTB)
N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-다이아미노바이페닐
N,N,N',N'-테트라-1-나프틸-4,4'-다이아미노바이페닐
N,N,N',N'-테트라-2-나프틸-4,4'-다이아미노바이페닐
N-페닐카바졸
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(NPB)
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]바이페닐(TNB)
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-터페닐
4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]바이페닐
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌
4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-터페닐
4,4'-비스[N-(2-펜안트릴)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(8-플루오르안테닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(2-파이레닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(2-나프타세닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]바이페닐
4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]바이페닐
2,6-비스(다이-p-톨릴아미노)나프탈렌
2,6-비스[다이-(1-나프틸)아미노]나프탈렌
2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌
N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4"-다이아미노-p-터페닐
4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)-페닐]아미노}바이페닐
2,6-비스[N,N-다이(2-나프틸)아미노]플루오렌
4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트라이페닐아민(MTDATA)
4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(TPD)
또 다른 부류의 유용한 정공 수송 물질은 EP 1 009 041에 개시된 바와 같은 폴리사이클릭 방향족 화합물을 포함한다. 올리고머 물질을 포함하여 2 개보다 많은 아민 그룹을 갖는 3 차 방향족 아민을 사용할 수 있다. 또한, 중합체성 정공 수송 물질, 예를 들어 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 공중합체, 예를 들어 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)/폴리(4-스타이렌설포네이트)(또한 PEDOT/PSS라 칭한다)를 사용할 수 있다. 상기 정공 수송 층은 또한 2 개 이상의 상이한 조성의 하위 층들을 포함할 수 있으며, 상기 각 하위 층의 조성은 상술한 바와 같다. 상기 정공 수송 층의 두께는 10 내지 약 500 ㎜, 적합하게는 50 내지 300 ㎜일 수 있다.
발광 층( LEL )
상기 EL 디바이스에 유용한 발광 물질은 형광 물질을 포함한다. 미국 특허 제 4,769,292 호 및 5,935,721 호에 보다 충분히 개시된 바와 같이, 유기 EL 소자의 발광 층(LEL)은 전자 정공 쌍 재결합의 결과로서 전기발광이 발생하는 발광 물질을 포함한다. 상기 발광 층은 단일 물질로 구성될 수 있으나, 보다 통상적으로는 발광이 주로 방출 물질로부터 나오고 임의의 색상을 가질 수 있는 게스트 방출 물질 또는 물질들로 도핑된 호스트 물질로 이루어진다.
본 발명의 호스트 물질을 추가적인 호스트 물질들(이들은 동일한 층 중에 있거나 상이한 층 중에 있을 수 있다)과 함께 사용할 수 있다. 상기 발광 층 중의 호스트 물질은 하기 정의되는 바와 같은 전자 수송 물질, 상기 정의한 바와 같은 정공 수송 물질, 또는 정공-전자 재결합을 지원하는 또 다른 물질 또는 물질들의 조합일 수 있다. 형광 방출 물질을 전형적으로는 호스트 물질의 0.01 내지 10 중량%로 혼입시킨다.
상기 호스트 및 방출 물질은 작은 비 중합체 분자 또는 중합체 물질, 예를 들어 폴리플루오렌 및 폴리비닐아릴렌(예를 들어 폴리(p-페닐렌비닐렌), PPV)일 수 있다. 중합체의 경우에, 소 분자 발광 물질을 중합체 호스트 중에 분자적으로 분산시키거나, 또는 상기 발광 물질을, 소수 성분을 호스트 중합체로 공중합시킴으로 써 가할 수 있다. 호스트 물질들을 필름 형성, 전기적 성질, 발광 효율, 작동 수명 또는 조립성을 개선시키기 위해서 함께 혼합시킬 수도 있다. 상기 호스트는 양호한 정공 수송 성질을 갖는 물질 및 양호한 전자 수송 성질을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
게스트 발광 물질로서 형광 물질을 선택하는데 중요한 관계는 상기 호스트와 형광 물질의 여기된 단일 선 상태 에너지들의 비교이다. 상기 형광 물질의 여기된 단일 선 상태 에너지가 호스트 물질의 것보다 낮은 것이 매우 바람직하다. 상기 여기된 단일 선 상태 에너지는 발광 단일 선 상태와 기저 상태간의 에너지 차이로서 정의된다. 비발광성 호스트의 경우, 기저 상태와 동일한 전자 스핀의 최저 여기 상태가 발광 상태로 간주된다.
유익한 것으로 공지된 호스트 및 발광 물질들에는 비 제한적으로 미국 특허 제 4,768,292, 5,141,671, 5,150,006, 5,151,629, 5,405,709, 5,484,922, 5,593,788, 5,645,948, 5,683,823, 5,755,999, 5,928,802, 5,935,720, 5,935,721 및 6,020,078 호에 개시된 것들이 포함된다.
8-하이드록시퀴놀린 및 유사 유도체의 금속 착체(또한 금속-킬레이트화된 옥시노이드 화합물이라고도 공지됨)(화학식 E)는 전기발광을 지원할 수 있는 유용한 호스트 화합물의 한 부류를 구성하며, 500 ㎚ 보다 긴 파장, 예를 들어 녹색, 황색, 오렌지색 및 적색의 발광에 특히 적합하다:
Figure 112006068756024-pct00037
상기 식에서,
M은 금속을 나타내고;
n은 1 내지 4의 정수이고;
Z는 각각의 경우에 독립적으로 2 개 이상의 융합된 방향족 고리를 갖는 핵을 완성하는 원자들을 나타낸다.
상기로부터, 상기 금속이 1 가, 2 가, 3 가 또는 4 가 금속일 수 있음은 자명하다. 상기 금속은 예를 들어 알칼리 금속, 예를 들어 리튬, 나트륨 또는 칼륨; 알칼리 토 금속, 예를 들어 마그네슘 또는 칼슘; 3 가 금속, 예를 들어 알루미늄 또는 갈륨, 또는 또 다른 금속, 예를 들어 아연 또는 지르코늄일 수 있다. 일반적으로는 유용한 킬레이트 금속인 것으로 공지된 임의의 1 가, 2 가, 3 가 또는 4 가 금속을 사용할 수 있다.
Z는 2 개 이상의 융합된 방향족 고리(이들 중 하나 이상은 아졸 또는 아진 고리이다)를 함유하는 헤테로사이클릭 핵을 완성한다. 지방족 및 방향족 고리 모두를 포함하여, 추가의 고리들을 경우에 따라 상기 2 개의 필요한 고리들과 축합시킬 수 있다. 작용에 대한 개선 없이 분자 부피만 증가시키는 것을 피하기 위해서 고리 원자들의 수를 대개는 18 이하로 유지시킨다.
예시적인 유용한 킬레이트화된 옥시노이드 화합물은 하기와 같다:
CO-1: 알루미늄 트리스옥신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)]
CO-2: 마그네슘 비스옥신[일명, 비스(8-퀴놀리놀레이토)마그네슘(II)]
CO-3: 비스[벤조{f}-8-퀴놀리놀레이토]아연(II)
CO-4: 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)
CO-5: 인듐 트리스옥신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)인듐]
CO-6: 알루미늄 트리스(5-메틸옥신)[일명, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)]
CO-7: 리튬 옥신[일명, (8-퀴놀리놀레이토)리튬(I)]
CO-8: 갈륨 옥신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)갈륨(III)]
CO-9: 지르코늄 옥신[일명, 테트라(8-퀴놀리놀레이토)지르코늄(IV)]
9,10-다이-(2-나프틸)안트라센(화학식 F)의 유도체는 전기발광을 지원할 수 있는 유용한 호스트 물질의 한 부류를 구성하며, 400 ㎚ 보다 긴 파장, 예를 들어 청색, 녹색, 황색, 오렌지색 또는 적색의 발광에 특히 적합하다:
Figure 112006068756024-pct00038
상기 식에서,
R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 고리 상의 하나 이상의 치환체들을 나타내며, 이때 각 치환체는 개별적으로 하기의 그룹 중에서 선택된다:
그룹 1: 수소, 전형적으로는 탄소수 1 내지 24의 알킬;
그룹 2: 탄소수 5 내지 20의 아릴 또는 치환된 아릴;
그룹 3: 안트라세닐, 피레닐 또는 페릴렌의 융합된 방향족 고리를 완성하는데 필요한 4 내지 24 개의 탄소 원자;
그룹 4: 퓨릴, 티에닐, 피리딜, 퀴놀리닐 또는 다른 헤테로사이클릭 시스템의 융합된 헤테로원자 고리를 완성하는데 필요한 탄소수 5 내지 24의 헤테로아릴 또는 치환된 헤테로아릴;
그룹 5: 탄소수 1 내지 24의 알콕실아미노, 알킬아미노 또는 아릴아미노; 및
그룹 6: 불소, 염소, 브롬 또는 시아노.
예시적인 예로는 9,10-다이-(2-나프틸)안트라센 및 2-t-부틸-9,10-다이-(2-나프틸)안트라센이 있다. 다른 안트라센 유도체들은, 예를 들어 9,10-비스[4-(2,2-다이페닐에테닐)페닐]안트라센의 유도체를 포함하여, LEL에서 호스트로서 유용할 수 있다.
벤즈아졸 유도체(화학식 G)는 전기발광을 지원할 수 있는 유용한 호스트 물질의 또 다른 부류를 구성하며, 400 ㎚ 보다 긴 파장, 예를 들어 청색, 녹색, 황색, 오렌지색 또는 적색의 발광에 특히 적합하다:
Figure 112006068756024-pct00039
상기 식에서,
n은 3 내지 8의 정수이고;
Z는 O, NR 또는 S이고;
R 및 R'는 개별적으로 수소; 탄소수 1 내지 24의 알킬, 예를 들어 프로필, t-부틸, 헵틸 등; 탄소수 5 내지 20의 아릴 또는 헤테로 원자 치환된 아릴, 예를 들어 페닐 및 나프틸, 퓨릴, 티에닐, 피리딜, 퀴놀리닐 및 다른 헤테로사이클릭 시스템; 또는 할로, 예를 들어 클로로, 플루오로; 또는 융합된 방향족 고리를 완성하는데 필요한 원자이고;
L은 다수의 벤즈아졸들을 함께 결합시키는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴로 이루어진 결합 단위이다.
L을 다수의 벤즈아졸들과 함께 공액 결합시키거나 공액 결합시키지 않을 수도 있다. 유용한 벤즈아졸의 예는 2,2',2"-(1,3,5-페닐렌)트리스[1-페닐-1H-벤즈이미다졸]이다.
미국 특허 제 5,121,029 호 및 JP 08333569에 개시된 바와 같은 스티릴아릴렌 유도체가 또한 청색 방출에 유용한 호스트이다. 예를 들어, 9,10-비스[4-(2,2-다이페닐에테닐)페닐]안트라센 및 4,4'-비스(2,2-다이페닐에테닐)-1,1'-바이페 닐(DPVBi)이 청색 방출에 유용한 호스트이다.
유용한 형광 방출 물질에는 비 제한적으로 안트라센, 테트라센, 잔텐, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 로다민, 및 퀴나크리돈의 유도체, 다이시아노메틸렌피란 화합물, 티오피란 화합물, 폴리메틴 화합물, 피릴륨 및 티아피릴륨 화합물, 플루오렌 유도체, 페리플란텐 유도체, 인데노페릴렌 유도체, 비스(아지닐)아민 붕소 화합물, 비스(아지닐)메탄 화합물, 및 카보스티릴 화합물이 포함된다. 유용한 물질의 예시적인 예로는 비 제한적으로 하기의 것들이 있다:
Figure 112006068756024-pct00040
Figure 112006068756024-pct00041
Figure 112006068756024-pct00042
Figure 112006068756024-pct00043
형광 발광 물질 이외에, 인광 발광 물질을 EL 디바이스에 사용할 수 있다. 편의상, 상기 인광 착체 게스트 물질을 본 발명에서는 인광 물질이라 칭할 수 있다. 상기 인광 물질은 전형적으로는 하나 이상의 리간드, 예를 들어 sp2 탄소 및 헤테로원자를 통해 금속에 배위될 수 있는 모노음이온성 리간드를 포함한다. 편의상, 상리 리간드는 페닐피리딘(ppy) 또는 그의 유도체 또는 동족체일 수 있다. 일부 유용한 인광 유기금속 물질의 예로는 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2)이리듐(III)(아세틸아세토네이트), 및 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')백금(II)이 있다. 유용하게는, 다수의 인광 유기금속 물질들이 스펙트럼의 녹색 영역에서 방출한다, 즉 최대 510 내지 570 ㎚ 범위에서 방출한다.
인광 물질을 단독으로 또는 다른 인광 물질들과 함께, 동일하거나 상이한 층 중에 사용할 수 있다. 인광 물질 및 적합한 호스트들이 WO 00/57676, WO 00/70655, WO 01/41512 A1, WO 02/15645 A1, US 2003/0017361 A1, WO 01/93642 A1, WO 01/39234 A2, 미국 특허 제 6,458,475 B1 호, WO 02/071813 A1, 미국 특허 제 6,573,651 B2 호, US 2002/0197511 A1, WO 02/074015 A2, 미국 특허 제 6,451,455 B1 호, US 2003/0072964 A1, US 2003/0068528 A1, 미국 특허 제 6,413,656 B1, 6,515,298 B2, 6,451,415 B1, 6,097,147 호, US 2003/0124381 A1, US 2003/0059646 A1, US 2003/0054198 A1, EP 1 239 526 A2, EP 1 238 981 A2, EP 1 244 155 A2, US 2002/0100906 A1, US 2003/0068526 A1, US 2003/0068535 A1, JP 2003073387A, JP 2003 073388A, US 2003/0141809 A1, US 2003/0040627 A1, JP 2003059667A, JP 2003073665 A, 및 US 2002/0121638 A1에 개시되어 있다.
유형 IrL3 및 IrL2L'의 사이클로금속화된 Ir(III) 착체, 예를 들어 녹색 방출 fac-트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III) 및 비스(2-페닐피리디네이토-NC2')이리듐(III)(아세틸아세토네이트)의 방출 파장을 상기 사이클로금속화 리간드 L 상의 적합한 위치에서의 전자 공여 또는 흡인 그룹의 치환에 의해, 또는 상기 사이클로금속화 리간드 L에 대한 상이한 헤테로사이클의 선택에 의해 이동시킬 수 있다. 상기 방출 파장을 또한 보조 리간드 L'의 선택에 의해 이동시킬 수 있다. 적색 이미터의 예는 비스(2-(2'-벤조티에닐)피리디네이토-NC3')이리듐(III)(아세틸아세토네이트) 및 트리스(2-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C)이리듐(III)이다. 청색 방 출 예는 비스(2-(4,6-다이플루오로페닐)-피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(피콜리네이트)이다.
인광 물질로서 비스(2-(2'-벤조[4,5-a]티에닐)피리디네이토-N,C3)이리듐(아세틸아세토네이트)[Btp2Ir(acac)]을 사용한 적색 전기인광이 보고되었다(C. Adachi, S. Lamansky, M.A. Baldo, R.C. Kwong, M.E. Thompson, and S.R. Forrest, App. Phys. Lett., 78, 1622-1624(2001)).
다른 중요한 인광 물질들로는 사이클로금속화된 Pt(II) 착체, 예를 들어 시스-비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')백금(II), 시스-비스(2-(2'-티에닐)피리디네이토-N,C3')백금(II), 시스-비스(2-(2'-티에닐)퀴놀리네이토-NC5')백금(II), 또는 (2-(4,6-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2')백금(II)(아세틸아세토네이트)가 있다. Pt(II)포르피린 착체, 예를 들어 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르핀 백금(II)이 또한 유용한 인광 물질이다.
유용한 인광 물질의 더욱 다른 예로는 3 가 란탄족, 예를 들어 Tb3 + 및 Eu3+의 배위 착체가 있다(J. Kido et al., Appl. Phys. Lett., 65, 2124(1994)).
인광 물질에 적합한 호스트 물질을 삼중선 여기의 이동이 상기 호스트 물질에서 인광 물질로 효율적으로 일어날 수 있지만 상기 인광 물질에서 호스트 물질로는 효율적으로 일어날 수 없도록 선택해야 한다. 따라서, 상기 인광 물질의 삼중 선 에너지는 호스트의 삼중선 에너지보다 낮은 것이 매우 바람직하다. 일반적으로 말하자면, 큰 삼중선 에너지는 큰 광학적 띠 간격을 암시한다. 그러나, 상기 호스트의 띠 간격을 너무 크게 선택하여 전하 수송체의 발광 층으로의 주입을 허용 가능하지 않게 차단하고 OLED의 구동 전압을 허용 가능하지 않게 증가시켜서는 안 된다. 적합한 호스트 물질들이 WO 00/70655 A2; 01/39234 A2; 01/93642 A1; 02/074015 A2; 02/15645 A1 및 US 20020117662에 개시되어 있다. 적합한 호스트는 몇몇 아릴 아민, 트라이아졸, 인돌 및 카바졸 화합물을 포함한다. 바람직한 호스트의 예에는 4,4'-N,N'-다이카바졸-바이페닐(달리 4,4'-비스(카바졸-9-일)바이페닐 또는 CBP로서 공지되어 있다); 4,4'-N,N'-다이카바졸-2,2'-다이메틸-바이페닐(달리 2,2'-다이메틸-4,4'-비스(카바졸-9-일)바이페닐 또는 CDBP로서 공지되어 있다); 1,3-비스(N,N'-다이카바졸)벤젠(달리 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠으로서 공지되어 있다) 및 폴리(N-비닐카바졸)이, 이들의 유도체와 함께 포함된다.
바람직한 호스트 물질은 연속적인 필름을 형성시킬 수 있다.
정공 차단 층( HBL )
적합한 호스트 이외에, 인광 물질을 사용하는 OLED 디바이스는 종종 전자 수송 층(111)과 발광 층(109) 사이에 놓인 하나 이상의 정공 차단 층이, 여기자 및 재결합 사건을 상기 호스트 및 인광 물질을 포함하는 발광 층으로 한정시키는데 일조할 것을 요한다. 이 경우, 전자를 상기 정공 차단 층으로부터 호스트 및 인광 물질을 포함하는 발광 층 내로 쉽게 통과시키면서 상기 호스트로부터 정공 차단 층으로의 정공 이동은 차단하는 에너지 차단 층이 존재해야 한다. 상기 제 1 요건은 정공 차단 층의 이온화 전위가 발광 층(109)의 것보다 바람직하게는 0.2 eV 이상 클 것을 필요로 한다. 제 2 요건은 상기 정공 차단 층의 전자 친화성이 발광 층(109)의 친화성을 크게 능가하지 않고 바람직하게는 발광 층의 친화성 미만이거나, 또는 상기 발광 층의 친화성을 약 0.2 배 넘게 초과하지 않을 것을 필요로 한다.
하기 개시하는 바와 같은 Alq-함유 전자 수송 층은 특징적인 발광이 녹색인 전자 수송 층과 함께 사용되는 경우, 상기 정공 차단 층 물질의 최고 점유 분자 오비탈(HOMO)과 최저 점유 분자 오비탈(LUMO)의 에너지에 관한 요건이 흔히 전자 수송 층의 파장보다 더 짧은 파장에서 상기 정공 차단 층의 특징적인 발광, 예를 들어 청색, 보라색 또는 자외선 광을 생성시킨다. 따라서, 정공 차단 층 물질의 특징적인 발광이 청색, 보라색 또는 자외선인 것이 바람직하다. 절대적으로 필요한 것은 아니지만, 상기 정공 차단 물질의 삼중 선 에너지가 인광 물질의 것보다 더 큰 것이 더욱 바람직하다. 적합한 정공 차단 물질들은 WO 00/70655 A2 및 WO 01/93642 A1에 개시되어 있다. 유용한 정공 차단 물질의 2 가지 예는 바토큐프로인(BCP) 및 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(BA1q)이다. BCP의 특징적인 발광은 자외선 중에 있으며 BA1q의 발광은 청색이다. BAlq 이외의 금속 착체가 또한 정공 및 여기자를 차단하는 것으로 공지되어 있다(US 20030068528에 개시되어 있음). 또한, US 20030175553 A1은 이런 목적에서의 fac-트리스(1-페닐피라졸레이토-N,C2')이리듐(III)(Irppz)의 사용을 개시한다.
정공 차단 층이 사용될 때 그의 두께는 2 내지 100 ㎚, 적합하게는 5 내지 10 ㎚일 수 있다.
전자 수송 층( ETL )
본 발명의 유기 EL 디바이스의 전자 수송 층(111)을 형성하는데 사용하기에 바람직한 박막 형성 물질은 금속 킬레이트화된 옥시노이드 화합물, 예를 들어 옥신 자체의 킬레이트(또한 통상적으로 8-퀴놀리놀 또는 8-하이드록시퀴놀린이라 칭함)이다. 상기와 같은 화합물은 전자의 주입 및 수송을 도우며 높은 수행성능 수준을 나타내고 박막의 형태로 쉽게 제조된다. 예시적으로 고려되는 옥시노이드 화합물은 앞서 개시된 화학식 E를 만족하는 것들이다.
상기 전자 수송 층(111)에 사용하기에 적합한 다른 전자 수송 물질은 미국 특허 제 4,356,429 호에 개시된 바와 같은 다양한 부타다이엔 유도체 및 미국 특허 제 4,539,507 호에 개시된 바와 같은 다양한 헤테로사이클릭 광학 광택제를 포함한다. 화학식 G를 만족하는 벤즈아졸은 또한 유용한 전자 수송 물질이다. 트라이아진도 또한 전자 수송 물질로서 유용한 것으로서 공지되어 있다.
정공 차단 층과 전자 수송 층(111)을 모두 사용하는 경우, 전자는 상기 전자 수송 층(111)으로부터 정공 차단 층 내로 쉽게 통과해야 한다. 따라서, 상기 전자 수송 층(111)의 전자 친화성은 상기 정공 차단 층의 친화성을 크게 능가해서는 안 된다. 바람직하게는, 상기 전자 수송 층의 전자 친화성은 상기 정공 차단 층의 친화성 미만이거나 상기를 약 0.2 eV 보다 더 능가해서는 안 된다.
상기 전자 수송 층이 사용되는 경우 그의 두께는 2 내지 100 ㎚, 적합하게는 5 내지 20 ㎚일 수 있다.
다른 유용한 유기 층 및 디바이스 구조
일부의 경우, 층(109) 내지 (111)을 임의로, 발광 및 전자 수송을 모두 지원하는 기능으로 작용하는 단일 층으로 통합시킬 수 있다. 상기 정공 차단 층(존재하는 경우) 및 층(111)을, 또한 정공 또는 여기자를 차단하는 작용을 하고 전자 수송을 지원하는 단일 층으로 통합시킬 수 있다. 방출 물질이 상기 정공 수송 층(107)에 포함될 수 있음은 또한 당해 분야에 공지되어 있다. 이 경우, 상기 정공 수송 물질은 호스트로서 작용할 수 있다. 다수의 물질들을 백색 방출 OLED를 생성시키기 위해, 예를 들어 청색- 및 황색-방출 물질, 청록색- 및 적색-방출 물질, 또는 적색-, 녹색- 및 청색-방출 물질들을 결합시킴으로써 하나 이상의 층에 가할 수 있다. 백색 방출 디바이스는 예를 들어 EP 1 187 235, US 20020025419, EP 1 182 244, US 5,683,823, 미국 특허 제 5,503,910, 5,405,709 및 5,283,182 호에 개시되어 있으며, 적합한 필터 디바이스가 구비되어 있어 색상 방출을 생성시킬 수 있다.
본 발명을 소위 적층된 디바이스 구조, 예를 들어 미국 특허 제 5,703,436 호 및 6,337,492 호에 교시된 바와 같은 구조에 사용할 수 있다.
유기층의 침착
상기 언급한 유기 물질을 상기 유기 물질의 형태에 적합한 임의의 수단에 의해 적합하게 침착시킨다. 작은 분자의 경우, 상기를 편의상 승화 또는 증발을 통해 침착시키지만, 필름 형성을 개선시키기 위해 임의의 결합제와 함께 용매로부터 코팅과 같은 다른 수단에 의해 침착시킬 수 있다. 상기 물질이 중합체인 경우, 용매 침착이 대개 바람직하다. 승화 또는 증발에 의해 침착되는 물질을 종종 예를 들어 미국 특허 제 6,237,529 호에 개시된 바와 같은, 탄탈 물질로 구성된 승화기 "보트"로부터 기화시키거나, 또는 먼저 공여체 시트 상에 코팅시키고 이어서 기판에 아주 근접하여 승화시킬 수 있다. 물질들의 혼합물을 갖는 층은 별도의 승화기 보트를 사용하거나 또는 상기 물질들을 예비 혼합하고 단일 보트 또는 공여체 시트로부터 코팅시킬 수 있다. 쉐도우 마스크, 일체형 쉐도우 마스크(미국 특허 제 5,294,870 호), 공여체 시트로부터의 공간 한정된 열 염료 전달(미국 특허 제 5,688,551 호, 5,851,709 호 및 6,066,357 호) 및 잉크젯 방법(미국 특허 제 6,066,357 호)을 사용하여 패턴화된 침착을 달성할 수 있다.
캡슐화
대부분의 OLED 디바이스는 수분 또는 산소, 또는 이들 모두에 민감하며, 따라서 상기 디바이스를 통상적으로는 불활성 분위기, 예를 들어 질소 또는 아르곤 하에서 알루미나, 보크사이트, 황산 칼슘, 점토, 실리카겔, 제올라이트, 알칼리성 금속 산화물, 알칼리 토 금속 산화물, 설페이트 또는 금속 할라이드 및 퍼클로레이트와 같은 건조제와 함께 밀봉시킨다. 캡슐화 및 건조 방법은 비 제한적으로 미국 특허 제 6,226,890 호에 개시된 것들을 포함한다. 또한, 차단 층, 예를 들어 SiOx, 테플론, 및 교번하는 무기/중합체 층들이 캡슐화를 위해 당해 분야에 공지되어 있다. 이러한 밀봉 또는 캡슐화 및 건조 방법들 중 임의의 방법을 본 발명에 따라 구성된 EL 디바이스에 사용할 수 있다.
광학적 최적화
본 발명의 OLED 디바이스는, 바람직한 경우, 그의 방출 성질을 향상시키기 위해서 다양한 널리 공지된 광학적 효과들을 사용할 수 있다. 여기에는 최대 광 투과를 얻기 위해 층 두께를 최적화하거나, 유전성 거울 구조를 제공하거나, 반사 전극을 광 흡수 전극으로 대체하거나, 섬광방지 또는 반사방지 코팅층을 디스플레이 위에 제공하거나, 편광 매질을 디스플레이 위에 제공하거나, 착색 필터, 중성 밀도(neurral density) 필터, 또는 색 전환 필터를 디스플레이 위에 제공함이 포함된다. 필터, 편광자, 및 섬광방지 또는 반사방지 코팅층을 EL 디바이스 위에 또는 상기 EL 디바이스의 일부로서 특별히 제공할 수도 있다.
본 발명의 실시태양은 보다 큰 휘도 수율, 보다 낮은 구동 전압, 보다 큰 전력 효율, 개선된 안정성, 제조 용이성, 및 감소된 승화 온도뿐만 아니라, 백색 광의 방출에 유용한 것들을 포함한 바람직한 색조(직접 또는 필터를 통해 다색 디스플레이플 제공한다)와 같은 유리한 특징들을 제공할 수 있다. 본 발명의 실시태양은 또한 상기 EL 디바이스가 통합된 장치, 예를 들어 전자 디스플레이 및 영역 조명 장치(area lighting device)를 제공할 수 있다.
본 발명 및 그의 이점을 하기의 실시예에 의해 더욱 잘 인식할 수 있다.
합성 실시예: Inv-1의 제조
Figure 112006068756024-pct00044
중간체 Int-1을 하기의 과정에 따라 제조하였다(반응식 1). 2-브로모나프탈렌(9.2 g, 44.4 밀리몰)을 무수 THF(118 ㎖)에 용해시키고 -78 ℃로 냉각시켰다. t-BuLi(1.7 M, 52.3 g, 89 밀리몰)를 5 분에 걸쳐 적가하고, 이어서 반응물을 상기 온도에서 추가로 5 분 동안 교반하였다. 2-클로로안트라퀴논(4.3 g, 17.8 밀리몰)의 첨가 시, 반응물을 상기 아세톤-무수 빙욕으로부터 제거하여 실온에서 밤새 교반하였다. 상기 반응 혼합물을 염화 암모늄 수용액에 가하고 생성물을 염화 메틸렌으로 추출하였다. 유기 상을 황산 마그네슘으로 건조시키고, 여과하고 농축시켰다. 결정화(85% 에테르/헵탄)에 의한 정제로 Int-1을 제공하였다.
Figure 112006068756024-pct00045
중간체 Int-2를 하기의 과정에 의해 제조하였다(반응식 2). 요오드화 칼륨(17.6 g, 106.02 밀리몰) 및 차아인산 나트륨 수화물(16.5 g, 188.1 밀리몰)을 아세트산(181 ㎖) 중의 Int-1(5.7 g, 11.4 밀리몰)의 혼합물에 가하였다. 상기 혼합물을 3 시간 동안 가열 환류시키고, 이어서 실온으로 냉각시켰다. 황색 고체를 여과하고 물 및 메탄올로 세척하여 Int-2를 수득하였다.
Figure 112006068756024-pct00046
(c)트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0), 트라이사이클로헥실포스핀, 톨루엔
중간체 Inv-1을 하기의 과정에 의해 제조하였다(반응식 3). 4-톨릴붕소산(1.2 당량), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.03 당량), 트라이사이클로헥실포스핀(0.045 당량), 및 인산 칼륨(2 당량)을 무수 조건 하에서 탈기된 톨루엔 중의 Int-2(1 당량)의 혼합물에 가하였다. 상기 반응 혼합물을 밤새 가열 환류하였다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 셀라이트를 통해 여과하고, 물에 가하였다. 생성물을 염화 메틸렌으로부터 추출하고, 황산 마그네슘으로 건조시키고, 여과하고 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피(95% 헵탄/염화 메틸렌 용출제와 함께 실리카젤)에 의해 Inv-1을 수득한다.
디바이스 실시예 1 - 샘플 1 내지 6의 EL 디바이스 제작
본 발명의 요건을 만족하는 EL 디바이스(샘플 1)를 하기의 방식으로 제작하였다:
1. 애노드로서 85 ㎚ 층의 산화 인듐 주석(ITO)으로 코팅된 유리 기판을 순차적으로 상업적인 세제로 초음파 처리하고, 탈이온수로 헹구고, 톨루엔 증기로 탈기시키고, 산소 플라스마에 약 1 분간 노출시켰다.
2. 상기 ITO 상에 1 ㎚ 플루오로카본(CFx) 정공 주입 층(HIL)을 플라스마 지원된 CHF3 침착에 의해 침착시켰다.
3. 이어서 75 ㎚의 두께를 갖는 N,N'-다이-1-나프틸-N,N'-다이페닐-4,4'-다이아미노바이페닐(NPB)의 정공 수송 층(HTL)을 탄탈 보트로부터 증발시켰다.
4. 이어서 호스트 물질 Inv-1 및 발광 물질 TBP(2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌, 1.00 부피%)를 포함한 20 ㎚의 발광 층(LEL)을 상기 정공 수송 층 상에 침착시켰다. 상기 물질들을 또한 탄탈 보트로부터 증발시켰다.
5. 이어서 35 ㎚의 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(AlQ3)의 전자 수송 층(ETL)을 상기 발광 층 상에 침착시켰다. 상기 물질을 또한 탄탈 보트로부터 증발시켰다.
6. 상기 AlQ3 층의 상부에 10:1 부피 비의 Mg와 Ag로부터 형성된 220 ㎚ 캐소드를 침착시켰다.
상기 시퀀스는 EL 디바이스의 침착을 완성시켰다. 이어서 상기 디바이스를 주변 환경에 대한 보호를 위해서 건조한 글러브 상자에 밀봉 포장하였다.
Inv-1을 포함하는 EL 디바이스, 샘플 2 내지 5를 샘플 1과 동일한 방식으로 제작하였지만, 단 사용된 Inv-1의 양(즉 Inv-1의 층 두께) 및 TBP의 수준은 표 1에 나타낸다. 샘플 6을 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 TBADN, (2-t-부틸-9,10-다이-(2-나프틸)안트라센)으로 대체하였으며 TBP 수준은 1.50 부피%이었다.
상기와 같이 형성된 디바이스를 20 mA/㎠의 작동 전류에서 효율성 및 색상에 대해 시험하였으며, 결과를 출력 효율(W/A), 발광 수율(cd/A) 및 CIE(Commission Internationale de L'Eclairage) 좌표의 형태로 표 1에 기록한다. 상기 디바이스를 70 ℃에서 250 시간 동안 20 mA/㎠로 셀을 작동시킴으로써 안정성에 대해 시험 하였다. 초기 발광에 대한 상기 시간 동안 작동 후의 발광을 퍼센트로서 표 1에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00047
본 발명의 안트라센 물질, Inv-1이 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 매우 양호한 작동 안정성을 제공함을 표 1로부터 알 수 있다 상기 Inv-1/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 2 - 샘플 7 내지 12의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 7 내지 11을 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-2로 대체시켰다. 샘플 12를 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였으나, 단 상기 디바이스를 70 ℃에서 200 시간 동안 20 mA/㎠로 셀을 작동시킴으로써 안정성에 대해 시험하였다. 시험 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00048
본 발명의 안트라센 물질, Inv-2가 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 양호한 발광 수율 및 작동 안정성을 제공함을 표 2로부터 알 수 있다 상기 Inv-2/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 3 - 샘플 13 내지 18의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 7 내지 11을 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-3으로 대체시켰다. 샘플 18을 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였으나, 단 상기 디바이스를 70 ℃에서 200 시간 동안 20 mA/㎠로 셀을 작동시킴으로써 안정성에 대해 시험하였다. 시험 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00049
본 발명의 안트라센 물질, Inv-3이 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 매우 양호한 작동 안정성을 제공함을 표 3으로부터 알 수 있다 상기 Inv-3/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 4 - 샘플 19 내지 24의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 19 내지 23을 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-4로 대체시켰다. 샘플 25를 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였으나, 단 상기 디바이스를 70 ℃에서 200 시간 동안 20 mA/㎠로 셀을 작동시킴으로써 안정성에 대해 시험하였다. 시험 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00050
본 발명의 안트라센 물질, Inv-4가 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 유사한 안정성을 제공함을 표 4로부터 알 수 있다 상기 Inv-4/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 5 - 샘플 25 내지 30의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 25 내지 29를 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-5로 대체시켰다. 샘플 30을 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였다. 시험 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00051
본 발명의 안트라센 물질, Inv-5가 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 매우 양호한 작동 안정성을 제공함을 표 5로부터 알 수 있다 상기 Inv-5/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 6 - 샘플 31 내지 36의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 31 내지 35를 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-7로 대체시켰다. 샘플 36을 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였으나, 단 상기 디바이스를 70 ℃에서 200 시간 동안 20 mA/㎠로 셀을 작동시킴으로써 안정성에 대해 시험하였다. 시험 결과를 표 6에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00052
본 발명의 안트라센 물질, Inv-7이 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 유사하거나 양호한 작동 안정성을 제공함을 표 6으로부터 알 수 있다 상기 Inv-7/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 7 - 샘플 37 내지 42의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 37 내지 41을 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-8로 대체시켰다. 샘플 42를 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였으나, 단 상기 디바이스를 70 ℃에서 200 시간 동안 20 mA/㎠로 셀을 작동시킴으로써 안정성에 대해 시험하였다. 시험 결과를 표 7에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00053
본 발명의 안트라센 물질, Inv-8이 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 매우 양호한 작동 안정성을 제공함을 표 7로부터 알 수 있다 상기 Inv-8/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
디바이스 실시예 8 - 샘플 43 내지 48의 EL 디바이스 제작
EL 디바이스, 샘플 43 내지 47을 실시예 1 내지 5와 동일한 방식으로 제조하였으나, 단 Inv-1을 Inv-9로 대체시켰다. 샘플 48을 샘플 6과 동일한 방식으로 제조하였다. 상기와 같이 형성된 디바이스를 실시예 1 내지 6과 동일한 방식으로 시험하였다. 시험 결과를 표 8에 나타낸다.
Figure 112006068756024-pct00054
본 발명의 안트라센 물질, Inv-9가 대조용 안트라센 물질에 비해, 상기 두 물질을 유사한 수준에서 비교할 때 높은 발광 수율 및 매우 양호한 작동 안정성을 제공함을 표 8로부터 알 수 있다 상기 Inv-9/TBP 조합은 TBADN/TBP 조합보다 더 청-녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 디바이스에 사용하기에 바람직할 수 있다.
본 명세서에서 언급한 특허들 및 다른 공보들의 전체 내용은 본 발명에 참고로 인용된다. 본 발명을 본 발명의 몇몇 바람직한 실시태양들을 특별히 참고로 상세히 개시하였지만, 본 발명의 진의 및 범위 내에서 변화 및 변경을 수행할 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (33)

  1. 안트라센 물질을 포함하는 발광 층을 포함하는 EL(electroluminescent, 전기발광) 디바이스로서, 상기 안트라센 물질은 안트라센 그룹의 2 번 위치에 하나 이상의 아릴 고리를 가지고, 6 번 위치에 수소 또는 알킬 그룹을 가지며, 9 번 위치에 하나 이상의 나프탈렌 그룹을 포함한 12 개 이하의 방향족 카보사이클릭 고리들을 가지고, 10번 위치에 아릴 그룹을 가지며, 상기 안트라센 물질은 고리 중에 카보사이클릭 고리만을 포함하고, 상기 안트라센 물질은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 것인 EL 디바이스.
    화학식 1
    Figure 112012022399282-pct00080
    (상기 식에서,
    Ar2는 모노사이클릭 페닐 그룹을 나타내고;
    Ar9는 나프틸 그룹을 나타내고;
    Ar10은 아릴 그룹을 나타내고;
    v1, v3, v4, v5, v7 및 v8은 독립적으로 수소 또는 치환체를 나타내고;
    v6은 수소 또는 알킬 그룹을 나타낸다).
  2. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 고리 중에 카보사이클릭 고리만을 포함한 10 개의 방향족 카보사이클릭 고리를 포함하는 것인 EL 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 하나 이상의 2-나프틸 그룹을 포함하는 EL 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 9 번 및 10 번 위치에 독립적으로 선택된 나프틸 그룹을 포함하는 EL 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    나프틸 그룹이 독립적으로 선택되는 2-나프틸 그룹인 것인 EL 디바이스.
  6. 제 4 항에 있어서,
    9 번 및 10 번 위치의 나프틸 그룹이 동일한 그룹인 것인 EL 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 10 번 위치에 바이페닐 그룹을 포함하는 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질의 6 번 위치에 수소를 가지는 EL 디바이스.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 단 하나의 안트라센 잔기를 포함하는 EL 디바이스.
  11. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 2 개의 안트라센 잔기를 포함하는 EL 디바이스.
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    Ar9 및 Ar10이 독립적으로 선택된 나프틸 그룹을 나타내는 EL 디바이스.
  14. 제 1 항에 있어서,
    Ar10이 바이페닐 그룹을 나타내는 EL 디바이스.
  15. 제 1 항에 있어서,
    v6이 수소를 나타내는 EL 디바이스.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 1 항에 있어서,
    발광 층이 청색 또는 청-녹색 발광 물질을 포함하는 EL 디바이스.
  19. 제 1 항에 있어서,
    발광 층이 녹색 발광 물질을 포함하는 EL 디바이스.
  20. 제 1 항에 있어서,
    발광 층이 적색 발광 물질을 포함하는 EL 디바이스.
  21. 제 1 항에 있어서,
    발광 층이 페릴렌 또는 페릴렌의 유도체를 포함하는 EL 디바이스.
  22. 제 1 항에 있어서,
    발광 층이 화학식 2a 또는 2b의 물질을 포함하는 EL 디바이스:
    화학식 2a
    Figure 112012022399282-pct00056
    화학식 2b
    Figure 112012022399282-pct00057
    (상기 식들에서,
    Ra 내지 Rh는 수소 또는 독립적으로 선택된 치환체를 나타낸다).
  23. 제 1 항에 있어서,
    발광 층이 하기 화학식 3a의 화합물을 포함하는 EL 디바이스:
    화학식 3a
    Figure 112012022399282-pct00058
    (상기 식에서,
    w는 N 또는 C-Y를 나타내고, 여기에서 Y는 수소 또는 치환체를 나타내며;
    Ara 및 Arb는 독립적으로 방향족 고리 그룹을 형성하는데 필요한 원자들을 나타내고;
    Za 및 Zb는 독립적으로 선택된 치환체를 나타낸다).
  24. 제 1 항에 있어서,
    안트라센 물질이 하기 중에서 선택되는 것인 EL 디바이스:
    Figure 112012022399282-pct00081
    Figure 112012022399282-pct00082
    Figure 112012022399282-pct00083
    Figure 112012022399282-pct00062
    Figure 112012022399282-pct00084
    Figure 112012022399282-pct00085
    Figure 112012022399282-pct00086
    Figure 112012022399282-pct00087
    .
  25. 제 1 항에 있어서,
    백색 발광을 제공하는 제 2의 발광 층을 추가로 포함하는 EL 디바이스.
  26. 제 25 항에 있어서,
    제 2의 발광 층이 루브렌 또는 루브렌의 유도체를 포함하는 EL 디바이스.
  27. 제 1 항에 있어서,
    백색 광이 직접 또는 필터를 사용하여 생성되는 EL 디바이스.
  28. 제 1 항의 EL 디바이스를 포함하는 디스플레이.
  29. 제 1 항의 EL 디바이스를 포함하는 영역 조명 디바이스.
  30. 제 1 항의 EL 디바이스에 전위를 인가함을 포함하는 발광 방법.
  31. 하기 화학식 1로 표시되되, 12 개 이하의 방향족 카보사이클릭 고리가 존재하고, 고리 중에 카보사이클릭 고리만을 포함하는 화합물:
    화학식 1
    Figure 112012022399282-pct00068
    (상기 식에서,
    Ar2는 모노사이클릭 페닐 그룹을 나타내고;
    Ar9는 나프틸 그룹을 나타내고;
    Ar10은 아릴 그룹을 나타내고;
    v1, v3, v4, v5, v7 및 v8은 독립적으로 수소 또는 치환체를 나타내고;
    v6은 수소 또는 알킬 그룹을 나타낸다).
  32. 제 31 항에 있어서,
    Ar2 및 Ar10이 독립적으로 선택된 페닐 그룹, 나프틸 그룹 또는 바이페닐 그룹을 나타내는 것인 화합물.
  33. 제 31 항에 있어서,
    하기 중에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure 112012022399282-pct00088
    Figure 112012022399282-pct00089
    Figure 112012022399282-pct00090
    Figure 112012022399282-pct00072
    Figure 112012022399282-pct00091
    Figure 112012022399282-pct00092
    Figure 112012022399282-pct00093
    Figure 112012022399282-pct00094
    .
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Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040126617A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Eastman Kodak Company Efficient electroluminescent device
US7329466B2 (en) * 2004-01-30 2008-02-12 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
CN100519492C (zh) * 2004-09-02 2009-07-29 Lg化学株式会社 蒽衍生物以及使用该衍生物作为发光材料的有机发光器件
US20060204783A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Conley Scott R Organic electroluminescent device
US20060269782A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Eastman Kodak Company OLED electron-transporting layer
US8766023B2 (en) * 2005-07-20 2014-07-01 Lg Display Co., Ltd. Synthesis process
KR100788254B1 (ko) 2005-08-16 2007-12-27 (주)그라쎌 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는발광소자
KR100828173B1 (ko) * 2005-11-22 2008-05-08 (주)그라쎌 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고 있는 표시소자
US9666826B2 (en) * 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070252515A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070252517A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including an anthracene derivative
KR100893044B1 (ko) * 2006-07-26 2009-04-15 주식회사 엘지화학 안트라센 유도체, 이를 이용한 유기 전자 소자 및 이 유기전자 소자를 포함하는 전자 장치
WO2008056510A1 (fr) * 2006-11-08 2008-05-15 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément d'affichage
KR20090077831A (ko) * 2006-11-09 2009-07-15 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 재료 함유 용액, 유기 ｅｌ 재료의 합성법, 이 합성법에 의해 합성된 화합물, 유기 ｅｌ 재료의 박막 형성 방법, 유기 ｅｌ 재료의 박막, 유기 ｅｌ 소자
KR100903203B1 (ko) * 2006-11-30 2009-06-18 에스에프씨 주식회사 안트라센 유도체 및 이를 채용한 유기전계발광소자
TWI437075B (zh) * 2006-12-28 2014-05-11 Semiconductor Energy Lab 蒽衍生物及使用該蒽衍生物之發光裝置
US8795855B2 (en) * 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
EP2031036B1 (en) * 2007-08-31 2012-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
KR100935356B1 (ko) * 2007-11-19 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기 전기 발광 소자
KR100940938B1 (ko) * 2007-12-04 2010-02-08 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
JP4662384B2 (ja) * 2007-12-25 2011-03-30 財団法人山形県産業技術振興機構 有機エレクトロルミネッセンス材料およびそれを用いた素子
KR100991416B1 (ko) * 2007-12-31 2010-11-03 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR100974562B1 (ko) * 2007-12-31 2010-08-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR101001384B1 (ko) * 2008-02-29 2010-12-14 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자
KR100901887B1 (ko) * 2008-03-14 2009-06-09 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 발광소자
KR100989815B1 (ko) * 2008-03-20 2010-10-29 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR100946411B1 (ko) * 2008-03-28 2010-03-09 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR100910150B1 (ko) * 2008-04-02 2009-08-03 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
KR101495547B1 (ko) * 2008-04-17 2015-02-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 전자 재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자소자
KR20090111915A (ko) * 2008-04-23 2009-10-28 (주)그라쎌 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
WO2009154207A1 (ja) * 2008-06-17 2009-12-23 出光興産株式会社 アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20100000772A (ko) * 2008-06-25 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
EP2145936A3 (en) * 2008-07-14 2010-03-17 Gracel Display Inc. Fluorene and pyrene derivatives and organic electroluminescent device using the same
KR20100041043A (ko) * 2008-10-13 2010-04-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자
DE102009005746A1 (de) 2009-01-23 2010-07-29 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009009277B4 (de) 2009-02-17 2023-12-07 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung von Verbindungen
KR20100109050A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자
US9153790B2 (en) * 2009-05-22 2015-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
EP2436679B1 (en) 2009-05-29 2016-01-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Anthracene derivative and organic electroluminescent element using the same
WO2010149259A2 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Merck Patent Gmbh Conducting formulation
US8877356B2 (en) * 2009-07-22 2014-11-04 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized yellow light-emitting layer
WO2011015265A2 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Merck Patent Gmbh Electronic devices comprising multi cyclic hydrocarbons
DE102009042693A1 (de) 2009-09-23 2011-03-24 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
US8716699B2 (en) * 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8716700B2 (en) * 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
DE102009053191A1 (de) 2009-11-06 2011-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
JP5968786B2 (ja) 2009-12-22 2016-08-10 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネッセンス配合物
WO2011076326A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent functional surfactants
JP5836970B2 (ja) 2009-12-22 2015-12-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 機能性材料を含む調合物
CN102668152A (zh) 2009-12-23 2012-09-12 默克专利有限公司 包括聚合粘结剂的组合物
WO2011076324A1 (en) 2009-12-23 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Compositions comprising organic semiconducting compounds
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102010009193B4 (de) 2010-02-24 2022-05-19 MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung Zusammensetzung enthaltend Fluor-Fluor Assoziate, Verfahren zu deren Herstellung, deren Verwendung sowie organische elektronische Vorrichtung diese enthaltend
DE102010009903A1 (de) 2010-03-02 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
JP6246468B2 (ja) 2010-03-11 2017-12-13 メルク パテント ゲーエムベーハー 治療および化粧品におけるファイバー
EP2545600A2 (en) 2010-03-11 2013-01-16 Merck Patent GmbH Radiative fibers
DE102010013068A1 (de) 2010-03-26 2011-09-29 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
EP2559078A1 (en) 2010-04-12 2013-02-20 Merck Patent GmbH Composition having improved performance
EP2559079B1 (en) 2010-04-12 2020-04-01 Merck Patent GmbH Composition and method for preparation of organic electronic devices
EP2576723B1 (en) 2010-05-27 2017-09-20 Merck Patent GmbH Compositions comprising quantum dots
RU2012156386A (ru) 2010-05-27 2014-07-10 Мерк Патент Гмбх Состав и способ получения органических электронных устройств
DE102010024335A1 (de) 2010-06-18 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE102010024542A1 (de) 2010-06-22 2011-12-22 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
JP2013539584A (ja) 2010-07-26 2013-10-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 量子ドットおよびホスト
CN106887522B (zh) 2010-07-26 2018-09-18 默克专利有限公司 包含纳米晶体的器件
DE102010033548A1 (de) 2010-08-05 2012-02-09 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102010048074A1 (de) 2010-10-09 2012-04-12 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
DE102010048607A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
DE112011104715A5 (de) 2011-01-13 2014-02-06 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP6351974B2 (ja) 2011-02-14 2018-07-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 細胞および細胞組織の処置のためのデバイスおよび方法
DE102011011539A1 (de) 2011-02-17 2012-08-23 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
JP6356060B2 (ja) 2011-03-24 2018-07-11 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機イオン性機能材料
JP5922223B2 (ja) 2011-04-13 2016-05-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子デバイス用化合物
EP2697225B1 (de) 2011-04-13 2015-10-07 Merck Patent GmbH Materialien für elektronische vorrichtungen
JP6022541B2 (ja) 2011-04-18 2016-11-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子デバイスのための化合物
WO2012149992A1 (de) 2011-05-04 2012-11-08 Merck Patent Gmbh Vorrichtung zur aufbewahrung von frischwaren
EP2707911B1 (en) 2011-05-12 2017-07-05 Merck Patent GmbH Compositions and electronic devices
JP6223984B2 (ja) 2011-10-27 2017-11-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための材料
CN104081553B (zh) 2012-01-30 2017-07-04 默克专利有限公司 在纤维上的纳米晶体
CN105218302B (zh) 2012-02-14 2018-01-12 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的螺二芴化合物
JP2013207139A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Kaneka Corp 発光材料および有機ｅｌ素子
EP3077475B1 (en) 2013-12-06 2018-07-04 Merck Patent GmbH Compositions containing a polymeric binder which comprises acrylic and/or methacrylic acid ester units
CN106687563B (zh) 2014-09-05 2023-03-14 默克专利有限公司 制剂和电子器件
EP3241248A1 (de) 2014-12-30 2017-11-08 Merck Patent GmbH Formulierungen und elektronische vorrichtungen
JP7030519B2 (ja) 2015-01-30 2022-03-07 メルク パテント ゲーエムベーハー 低粒子含有量をもつ調合物
WO2016155866A1 (en) 2015-03-30 2016-10-06 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material comprising a siloxane solvent
US10808170B2 (en) 2015-06-12 2020-10-20 Merck Patent Gmbh Esters containing non-aromatic cycles as solvents for OLED formulations
KR102643183B1 (ko) 2015-07-15 2024-03-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도전성 화합물들을 포함하는 조성물
EP3341981B1 (en) 2015-08-28 2020-08-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent
EP3147961A1 (en) * 2015-09-28 2017-03-29 Novaled GmbH Organic electroluminescent device
WO2017097391A1 (en) 2015-12-10 2017-06-15 Merck Patent Gmbh Formulations containing ketones comprising non-aromatic cycles
KR20180095854A (ko) 2015-12-15 2018-08-28 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자 제형을 위한 용매로서의 방향족기를 함유하는 에스테르
JP7438661B2 (ja) 2015-12-16 2024-02-27 メルク パテント ゲーエムベーハー 固体溶媒を含む調合物
EP3390550B1 (en) 2015-12-16 2022-09-28 Merck Patent GmbH Formulations containing a mixture of at least two different solvents
KR20180110125A (ko) 2016-02-17 2018-10-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
DE102016003104A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Merck Patent Gmbh Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter
WO2017194435A1 (de) 2016-05-11 2017-11-16 Merck Patent Gmbh Zusammensetzungen für elektrochemische zellen
WO2017216129A1 (en) 2016-06-16 2017-12-21 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
JP2019523998A (ja) 2016-06-17 2019-08-29 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
TW201815998A (zh) 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
CN109563402B (zh) 2016-08-04 2022-07-15 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
WO2018077662A1 (en) 2016-10-31 2018-05-03 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
KR102451842B1 (ko) 2016-10-31 2022-10-07 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
TWI756292B (zh) 2016-11-14 2022-03-01 德商麥克專利有限公司 具有受體基團與供體基團之化合物
TWI769198B (zh) 2016-12-06 2022-07-01 德商麥克專利有限公司 電子裝置之製備方法
CN110168047B (zh) 2016-12-13 2023-08-08 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
TW201835300A (zh) 2016-12-22 2018-10-01 德商麥克專利有限公司 包含至少二種有機官能性化合物之混合物
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
CN110446611B (zh) 2017-03-31 2021-05-25 默克专利有限公司 用于有机发光二极管(oled)的印刷方法
KR102632027B1 (ko) 2017-04-10 2024-01-31 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 제형
KR20230117645A (ko) 2017-04-26 2023-08-08 오티아이 루미오닉스 인크. 표면의 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을포함하는 장치
CN110546236A (zh) 2017-05-03 2019-12-06 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
TWI813576B (zh) 2017-07-03 2023-09-01 德商麥克專利有限公司 具有低含量苯酚類雜質的調配物
CN110892543B (zh) 2017-07-18 2023-07-28 默克专利有限公司 有机功能材料的制剂
KR102072922B1 (ko) 2017-10-30 2020-02-10 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102186088B1 (ko) 2017-11-16 2020-12-03 주식회사 엘지화학 다환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2019115573A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
WO2019162483A1 (en) 2018-02-26 2019-08-29 Merck Patent Gmbh Formulation of an organic functional material
EP3807367B1 (en) 2018-06-15 2023-07-19 Merck Patent GmbH Formulation of an organic functional material
EP3857621A1 (de) 2018-09-24 2021-08-04 Merck Patent GmbH Verfahren zur herstellung von granulat
JP2022506510A (ja) 2018-11-06 2022-01-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子デバイスの有機素子を形成する方法
US11812624B2 (en) * 2019-01-30 2023-11-07 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
CN113785411B (zh) 2019-03-07 2023-04-11 Oti照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置
JP2021103714A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR20230002655A (ko) 2020-04-21 2023-01-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료의 포뮬레이션
EP4139971A1 (en) 2020-04-21 2023-03-01 Merck Patent GmbH Emulsions comprising organic functional materials
EP4169082A1 (de) 2020-06-23 2023-04-26 Merck Patent GmbH Verfahren zur herstellung einer mischung
CN116635491A (zh) 2020-12-08 2023-08-22 默克专利有限公司 油墨体系和用于喷墨印刷的方法
JP2024515366A (ja) 2021-04-23 2024-04-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
KR20240012506A (ko) 2021-05-21 2024-01-29 메르크 파텐트 게엠베하 적어도 하나의 기능성 물질의 연속 정제 방법 및 적어도 하나의 기능성 물질의 연속 정제를 위한 디바이스
WO2023012084A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Merck Patent Gmbh A printing method by combining inks
TW202349760A (zh) 2021-10-05 2023-12-16 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
WO2023237458A1 (en) 2022-06-07 2023-12-14 Merck Patent Gmbh Method of printing a functional layer of an electronic device by combining inks

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1094101A2 (en) * 1999-10-20 2001-04-25 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices having naphthylanthracene-based polymers
US6582837B1 (en) * 1997-07-14 2003-06-24 Nec Corporation Organic electroluminescence device
KR20060134956A (ko) * 2003-12-15 2006-12-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기 전기 발광 소자

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3588978B2 (ja) 1997-06-12 2004-11-17 凸版印刷株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3148176B2 (ja) 1998-04-15 2001-03-19 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5972247A (en) 1998-03-20 1999-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices
JP3769933B2 (ja) 1998-05-20 2006-04-26 凸版印刷株式会社 発光材料及び有機薄膜ｅｌ素子
JP2000053676A (ja) * 1998-08-10 2000-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族炭化水素化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
TW484341B (en) * 1999-08-03 2002-04-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance and polymer light emitting device
KR100329571B1 (ko) * 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
US6998487B2 (en) 2001-04-27 2006-02-14 Lg Chem, Ltd. Double-spiro organic compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR100691543B1 (ko) * 2002-01-18 2007-03-09 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US6670053B2 (en) * 2002-02-26 2003-12-30 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high luminance
US6661023B2 (en) * 2002-02-28 2003-12-09 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
US20040001969A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-01 Eastman Kodak Company Device containing green organic light-emitting diode
JP4025136B2 (ja) 2002-07-31 2007-12-19 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
ATE555182T1 (de) 2002-08-23 2012-05-15 Idemitsu Kosan Co Organische elektrolumineszenz vorrichtung und anthracenderivat
US6828044B2 (en) * 2002-10-25 2004-12-07 Eastman Kodak Company Dopant in an electroluminescent device
US20050058853A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Eastman Kodak Company Green organic light-emitting diodes
US7252893B2 (en) * 2004-02-17 2007-08-07 Eastman Kodak Company Anthracene derivative host having ranges of dopants
US7033681B2 (en) * 2004-03-18 2006-04-25 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6582837B1 (en) * 1997-07-14 2003-06-24 Nec Corporation Organic electroluminescence device
EP1094101A2 (en) * 1999-10-20 2001-04-25 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices having naphthylanthracene-based polymers
KR20060134956A (ko) * 2003-12-15 2006-12-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기 전기 발광 소자

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