JP2013207139A - 発光材料および有機el素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機EL素子は、陽極および陰極からなる一対の電極間に発光層を有する。発光層を構成する発光材料は、ホスト化合物としてアントラセン誘導体を含有し、ドーパント化合物としてビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルを含有する。前記発光材料は、アントラセン誘導体100重量部に対して、ビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルを1重量部〜50重量部含有することが好ましい。
【選択図】図3
Description
ドーパント化合物としての上記一般式(1)で表されるビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルの置換基について説明する。
上記ビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルの合成方法は特に限定されず、各種公知の反応を組み合わせて、目的の化合物を得ることができる。例えば、上記一般式(1)において、R1およびR2が置換基R13を有していてもよいフェニル基である場合、目的とするビス(ジアリールアミノ)テレフタル酸エステル(一般式(2)の化合物)は、例えば下記の合成スキームにより得ることができる。
ホスト化合物となるアントラセン誘導体としては、発光材料として使用可能なものであれば特に限定されず、各種公知の化合物が用いられる。例としては、9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(略称:ADN)、2‐tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(略称:TBADN)、2−メチル−9,10−ビス(ナフタレン−2−イル)アントラセン(略称:MADN)、2,2’−ジ(9,10−ジフェニル−アントラセン)(略称:TPBA)、4,4’−ジ(10−(ナフタレン−1−イル)アントラセン−9−イル)ビフェニル(略称:BUBH−3)、等が挙げられる。
本発明の有機EL素子は、陽極4および陰極6からなる一対の電極の間に少なくとも発光層を備え、発光層が上記した本発明の発光材料を有するものである。図1は、有機EL装置の層構成の一例である。図1に示される有機EL装置は、透明基板3側から光が取り出される、「ボトムエミッション型」と称される構成である。有機EL装置1は、透明基板3上に、有機EL素子2を有し、有機EL素子は、封止部7によって封止されている。有機EL素子2は、透明電極層(陽極)4および裏面電極層(陰極)6からなる一対の電極間に、機能層5を有する。
透明基板3は、透光性を有する材料からなるものであれば特に限定はない。図1に示す実施形態では、透明基板3側から光が取り出されるため(ボトムエミッション方式)、透明基板3は可視光域における透過率が80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。透明基板3としては、ガラス基板、フレキシブルな透明フィルム基板等を使用してもよい。なお、有機EL装置がトップエミッション方式を採用する場合、基板は不透明なものであってもよい。
透明基板3上には、透明電極層(陽極)4が積層される。透明電極層4を構成する材料は特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO)、インジウム・亜鉛酸化物(IZO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)等の材料からなるものが挙げられる。中でも、発光層12からの光の取出し効率や、電極のパターニングの容易性の観点からは、ITOあるいはIZOが好ましく用いられる。
透明電極層4上には、正孔注入層10が積層されている。正孔注入層10を構成する材料は特に限定されず、有機EL素子の正孔注入層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化マンガン等の金属酸化物が挙げられる。その他、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノ−キノジメタン(略称:F4−TCNQ)が挙げられる。さらに、三酸化モリブデンとN,N−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)との混合層を正孔注入層10として採用することができる。
正孔注入層10上には、正孔輸送層11が積層されている。正孔輸送層11を構成する材料は特に限定されず、有機EL素子の正孔輸送層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、下記一般式(3)で表されるアリールアミン系化合物が挙げられる。
正孔輸送層11上には、発光層12が積層されている。発光層12は、上記した本発明の発光材料、すなわち、ホスト化合物としてのアントラセン誘導体にビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルがドープされた発光材料を主成分として構成されている。発光層12を成膜する方法としては、アントラセン誘導体とビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルとを同時に堆積させる方法が挙げられる。具体的には、真空蒸着法を用い、アントラセン誘導体とビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルとを共蒸着させる方法が挙げられる。この際、ホスト化合物とドーパント化合物の蒸着速度を制御することにより、所望の蒸着比(ドープ濃度)を実現することができる。真空蒸着法以外の方法としては、発光材料を含む溶液を塗布する方法(コート法、印刷法等)や転写法(レーザー転写、熱転写等)が挙げられる。
発光層12上には、電子輸送層15が積層されている。電子輸送層15を構成する材料は特に限定されず、有機EL素子の電子輸送層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、トリス(8−ヒドロキシ−キノリナト)アルミニウム(略称:Alq3)や1,3−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]ベンゼン(略称:Bpy−OXD)、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(略称:Bphen)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンジントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(略称:TPBi)、2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチフフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、ビス(2−メチルl−8−キノリノラト)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−tert−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、等が挙げられる。
電子輸送層15上には、電子注入層16が積層されている。電子注入層16を構成する材料は特に限定されず、有機EL素子の電子注入層として用いられている公知の材料を採用することができる。例えば、Li等のアルカリ金属;Mg、Ca等のアルカリ土類金属;前記金属を1種類以上含む合金;前記金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物;並びにこれらの混合物が挙げられる。具体的には、8−ヒドロキシキノリノラト(リチウム)(Liq)、フッ化リチウム(LiF)等が例示される。
電子注入層16上には、裏面電極層(陰極)6が積層されている。裏面電極層6に用いられる材料は、好ましくは仕事関数が小さい金属、またはこれらを含む合金、金属酸化物等が用いられる。例えば、アルカリ金属ではLi等、アルカリ土類金属ではMg,Ca等が例示される。また希土類金属等からなる金属単体、あるいはこれらの金属とAl,In,Ag等の合金等が用いられてもよい。また、特開2001−102175号公報等に開示された技術を使用して、陰極に接する有機層を、アルカリ土類金属イオンおよびアルカリ金属イオンからなる群から選択される少なくとも1種を含む有機金属錯体化合物を用いて構成する場合、該錯体化合物中に含有される金属イオンを真空中で金属に還元する金属、例えばAl,Zr,Ti,Si等もしくはこれらの金属を含有する合金を用いることもできる。
(2,5−ジ(アリールアミノ)テレフタル酸ジメチルエステルの合成)
撹拌子および還流冷却器を備える1口丸底フラスコ(300mL)に、ジメチルシクロヘキサン−2,5−ジオン−1,4−ジカルボキシレート(5.6g,25mmol)、アニリン(75mmol)、エタノール(50mL)、および酢酸(25mL)を投入し、混合物を120℃で2時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、エタノール(50mL)を加えた。吸引濾過により沈殿物を回収し、エタノール(150mL)で洗浄し、減圧下で乾燥して、ジメチル2,5−ジ(アリールアミノ)−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチルエステルと、2,5−ジ(アリールアミノ)テレフタル酸ジメチルの混合物を得た。
撹拌子および還流冷却器を備えるアルゴン雰囲気下2口丸底フラスコに、2,5−ジ(アリールアミノ)テレフタル酸ジメチル(5mmol)、ヨウ化アリール(50mmol)、銅粉(64mg,1mmol)、および炭酸カリウム(0.90g、6.5mmol)を投入し、混合物を180℃で48時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却した後、混合物にジクロロメタン(50mL)を加えた。吸引濾過により沈殿物を除去し、減圧下で蒸発させて濾液を濃縮した。残渣をエタノール(50mL)で洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=2:1〜1:1)により精製し、下記式で表される2,5−ビス(ジフェニルアミノ)テレフタル酸ジメチルエステル(緑みかかった黄色固体、収率87%)を得た。
パターニングされたITO電極(膜厚150nm)を有するガラス基板上に、以下の手順で、2mm×2mmの発光領域を有するボトムエミッション型評価素子を作製した。
上記実施例1の発光層の形成において、ビス(ジフェニルアミノ)テレフタル酸ジメチルエステルのドープ濃度を、アントラセン誘導体100重量部に対して7重量部とした。それ以外は実施例1と同様にして、評価素子を作製し、I−V−L特性および発光強度スペクトルを測定した。
上記実施例1の発光層の形成において、ビス(ジフェニルアミノ)テレフタル酸ジメチルエステルのみを真空蒸着して発光層(膜厚5nm)を形成した。それ以外は実施例1と同様にして、評価素子を作製し、I−V−L特性および発光強度スペクトルを測定した。
比較例2においては、発光層のドーパント材料として、国際公開第2010/047335号パンフレットに開示されているケイ素架橋インドール誘導体が用いられた。
(発光効率)
各実施例および比較例の発光素子を輝度2000cd/m2の光量とした場合の電流効率(cd/A)を表1に示す。
実施例1,2および比較例1の有機EL素子の電流密度10mA/cm2における発光強度スペクトルを図3に示す。また、各発光強度スペクトルを、発光極大波長における強度(ピーク強度)で規格化したものを図4に示す。実施例1および比較例1の有機EL素子の輝度を電流密度に対してプロットしたグラフを図5に、電流効率を電流密度に対してプロットしたグラフを図6に、それぞれ示す。
4 透明電極層(陽極)
5 機能層
6 裏面電極層(陰極)
12 発光層
Claims (5)
- 前記アントラセン誘導体100重量部に対して、前記ビス(ジオルガノアミノ)テレフタル酸エステルを1重量部〜50重量部含有する、請求項1に記載の発光材料。
- 前記一般式(1)において、R1およびR2が、置換基を有していてもよいアリール基である、請求項1または2に記載の発光材料。
- 前記一般式(1)において、R3およびR4が、炭素数1〜6のアルキル基である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光材料。
- 陽極および陰極からなる一対の電極の間に少なくとも発光層を備える有機EL素子であって、
前記発光層が、請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光材料を有する有機EL素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105693536A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-06-22 | 温州永宏科技孵化有限公司 | 一种合成喹吖啶酮颜料中间体dxta的制备方法 |
WO2020039708A1 (ja) | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005500666A (ja) * | 2001-08-21 | 2005-01-06 | センシエント イマージング テクノロジイ ズ ゲーエムベーハー | 2,5−ジアミノテレフタール酸誘導体を基礎とした有機エレクトロルミネセンスデバイス。 |
JP2007531273A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-11-01 | イーストマン コダック カンパニー | アントラセン誘導体ホストを有するエレクトロルミネッセンス・デバイス |
WO2009081857A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2009154207A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005500666A (ja) * | 2001-08-21 | 2005-01-06 | センシエント イマージング テクノロジイ ズ ゲーエムベーハー | 2,5−ジアミノテレフタール酸誘導体を基礎とした有機エレクトロルミネセンスデバイス。 |
JP2007531273A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-11-01 | イーストマン コダック カンパニー | アントラセン誘導体ホストを有するエレクトロルミネッセンス・デバイス |
WO2009081857A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2009154207A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MASAKI SHIMIZU, YUIGA ASAI, YOUHEI TAKEDA, AKINORI YAMATANI, TAMEJIRO HIYAMA: "Twisting strategy applied to N,N-diorganoquinacridones leads to organic chromophores exhibiting effi", TETRAHEDRON LETTERS, vol. Volume 52, Issue 32,, JPN6015038247, 10 August 2011 (2011-08-10), pages 4084 - 4089, ISSN: 0003160040 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105693536A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-06-22 | 温州永宏科技孵化有限公司 | 一种合成喹吖啶酮颜料中间体dxta的制备方法 |
WO2020039708A1 (ja) | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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