KR101168450B1

KR101168450B1 - 산화인듐-산화세륨계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명도전막의 제조 방법

Info

Publication number: KR101168450B1
Application number: KR1020067020450A
Authority: KR
Inventors: 가즈요시 이노우에; 마사또 마쯔바라; 시게가즈 도마이
Original assignee: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2005-02-21
Publication date: 2012-07-25
Also published as: TWI405004B; JP4428698B2; US8529739B2; TW200540519A; DE602005021958D1; EP1731629A4; EP1731629B1; KR20060134142A; WO2005098080A1; EP1731629A1; CN1930318A; JP2005290458A; US20070209928A1; CN1930318B

Abstract

본 발명에 따르면, 약산(유기산 등)에 의한 에칭에 의해 잔사 등이 발생하지 않는 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 제공한다. 또한, 그 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟을 제공한다. 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, X선 회절에 의해 결정 피크를 관찰한 경우, 산화인듐 및 산화세륨으로부터 유래하는 피크의 존재가 관찰되고, EPMA 측정을 행한 경우, 산화인듐 중에 분산된 산화세륨 입자의 직경이 5 ㎛ 이하로 측정되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟이다. 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 투명 도전막을 성막한다. 이 투명 도전막은 약산(유기산 등)에 의한 에칭에 의해 잔사 등이 거의 발생하지 않는다.

투명 도전막, 액정 구동용 전극 기판, 스퍼터링 타겟

Description

산화인듐-산화세륨계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조 방법 {Indium Oxide/Cerium Oxide Sputtering Target, Transparent Conductive Film and Process for Producing Transparent Conductive Film}

본 발명은 액정 구동용 전극 기판, EL용 전극 기판 등을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 또한, 그 스퍼터링 타겟을 사용하여 제조한 투명 도전막, 및 그 스퍼터링 타겟을 이용한 투명 도전막의 제조 방법에 관한 것이다.

종래부터 투명 도전막용 스퍼터링 타겟으로서 Sn을 도핑한 재료가 검토되고 있다. 특히, ITO(인듐ㆍ주석 산화물)는 널리 사용되고 있다.

그러나, ITO는 비저항을 낮추기 위해서는 결정화시킬 필요가 있다. 따라서, 고온에서 성막하거나, 또는 성막 후에 소정의 열 처리를 행할 필요가 있었다.

결정화한 ITO막의 에칭 가공에는 강산인 왕수(질산ㆍ염산의 혼합액)가 사용되고 있는데, 강산을 사용함에 따른 결함 발생이 문제가 되는 경우가 있었다. 즉, TFT(박막 트랜지스터: Thin Film Transistor) 등의 구성을 이용하는 액정 표시 장치에서는 게이트선, 소스ㆍ드레인선(또는 전극)에 금속 세선을 사용하는 경우가 있는데, 왕수에 의한 ITO막의 에칭시에 이들 배선 재료가 단선되거나, 선이 가늘어지는 문제가 발생하는 경우가 있다.

따라서, 성막시에 스퍼터링 가스 중에 수소나 물을 존재시킴으로써 비정질 ITO를 성막하고, 이 비정질 ITO를 약산으로 에칭하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, ITO 자체는 결정성이기 때문에 에칭 잔사가 발생한다는 문제가 있었다. 또한, 성막시에 스퍼터링 가스 중에 수소 또는 물을 산재시키면, ITO 스퍼터링 타겟 상에 노듈이라고 불리우는 돌기가 발생하고, 이상 방전의 원인이 되는 경우도 있었다.

Ce 를 첨가하는 종래예

한편, Sn 이외의 첨가 금속으로서 Ce를 첨가하는 스퍼터링 타겟이나 도전 재료, 투명 도전막에 관한 특허로서, 후술하는 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2가 개시되어 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에 따르면, Ce를 첨가함으로써 보다 저저항의 투명 도전막이 얻어진다고 되어 있다.

그러나, 개시되어 있는 이들 특허 문헌 1 내지 특허 문헌 6에서는 노듈(nodule)이 발생하지 않는 타겟을 얻는 것은 곤란하였다.

반투과 반반사형 액정

한편, 종래부터 반투과 반반사형 액정이 이하에 나타내는 이유에 의해 예의 연구 개발되고 있다.

(1) 반투과 반반사이기 때문에, 옥외 및 옥내를 불문하고 밝은 표시를 얻을 수 있다.

(2) 밝은 장소에서 사용하는 경우, 반사형으로서 사용할 수 있기 때문에 소비 전력을 절감할 수 있다.

(3) 저소비 전력 특성이 우수하기 때문에, 휴대용 디스플레이에 바람직하다.

(4) 풀 컬러화도 용이하다.

그러나, 반투과 반반사형 액정에서는 액정 구동용 전극부에서 반사 전극과 투과 전극을 동일 화소 내에 설치할 필요가 있어 제조 공정이 복잡해지고, 이하와 같은 문제점이 지적되고 있다.

ㆍ 수율의 저하

ㆍ 비용의 상승

ㆍ 투과 모드와 반사 모드에서 보이는 방법이 다르기 때문에 보기 어려움

따라서, 후술하는 특허 문헌 7이나 특허 문헌 8에서는, 은 반사막을 형성한 후, 보호층으로 덮고, 그 위에 액정 구동용 투명 전극을 설치한 구조가 채용되어 있으며, 은 반사층과 액정 구동용 투명 전극이 번갈아 배치됨으로써 반투과 반반사 액정 구동 전극이 형성되어 있다.

특허 문헌 7이나 8에 따르면, 상기 보호층의 가열 처리에 의해, 그 밑의 은 반사막의 반사율 저하를 방지할 수 있다고 기재되어 있다.

또한, 후술하는 특허 문헌 9에는 반투과 반사막을 형성하고, 또한 보조적인 반사 기능을 갖는 Si 박막 등을 설치하고 있다. 이 특허 문헌 9에 따르면, 보조적인 박막에 의해 표시 장치의 색조를 원하는 색조로 조정할 수 있다고 기재되어 있다.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)3-43911호 공보, 「투명 도전막」

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)7-54133호 공보, 「스퍼터링용 ITO 타겟」

특허 문헌 3: 일본 특허 공개 (평)8-260134호 공보, 「스퍼터링 타겟」

특허 문헌 4: 일본 특허 공개 (평)9-176841호 공보, 「스퍼터링 타겟」

특허 문헌 5: 일본 특허 공개 제2001-11613호 공보, 「산화아연을 포함하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법」

특허 문헌 6: 일본 특허 공개 제2003-105532, 「스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법」

특허 문헌 7: 일본 특허 공개 제2002-49034호 공보

특허 문헌 8: 일본 특허 공개 제2002-49033호 공보

특허 문헌 9: 일본 특허 공개 제2001-305529호 공보

<발명의 개시>

<발명이 해결하고자 하는 과제>

그러나, 상기의 특허 문헌에 따르면, 투과 전극 부분과 반사 전극 부분을 별개로 에칭할 필요가 있다. 즉, 각각의 층에 대하여 성막과 에칭을 행할 필요가 있다. 다시 말하면, 「성막-포토리소그래피에 의한 에칭-성막-포토리소그래피에 의한 에칭」과 같이 처리를 반복하게 된다.

그런데, 투명 전극과 반사 전극은 모두 동일 화소의 전극이기 때문에, 당연히 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 상기 처리시, 이들 전극층(투명 전극 및 반사 전극)을 에칭할 때 사용하는 현상액이나 에칭제ㆍ박리제에 의해 전지 반응이 발생하고, 국소적으로 반사 전극이 부식되는 경우가 있다. 즉, 에칭제 등이 전지의 전해액이 되고, 투명 전극과 반사 전극이 전지의 2개의 전극을 구성해 버리는 것이다.

또한, 투명 전극 상에 반사 전극을 구비하는 구성을 채용하는 경우에는, 반사 전극을 에칭할 때, 그 밑의 투명 전극에 손상을 줄 우려가 있었다. 특히, 일반적으로 사용되고 있는 투명 전극으로서는 ITO(인듐-주석 산화물: Indium Tin Oxide)을 들 수 있는데, 이 ITO는 알루미늄과 접촉되어 있는 경우, 전지 반응을 일으키기 쉽다는 문제가 있었다. 그 결과, 알루미늄으로 반사 전극을 구성하는 경우에는, 이 전지 반응이 발생하기 쉬웠다.

또한, 결정질의 ITO는 왕수나 염산 등의 강산이 아니면 에칭이 불가능하며, 예를 들어 이들 전극에 접속하는 TFT의 배선 재료 등이 부식되어 버린다는 문제도 있었다.

한편, 비정질의 ITO에서는, 이하와 같은 문제가 알려져 있다.

ㆍ바탕 기판과의 밀착성 저하가 보임.

ㆍ예를 들면, TFT 배선 재료와의 접촉 저항의 증대가 초래됨.

ㆍ에칭시에 잔사가 발생함.

ㆍ전극간의 쇼트를 일으킴.

ㆍ액정 구동시의 구동 불량 등의 문제가 발생함.

또한, Al 에칭제(인산, 아세트산, 질산의 혼합산) 중에서 측정한 ITO 박막의 Ag/AgCl 전극에 대한 표준 전극 전위는 0.80 V이다. 마찬가지로 Al 및 Al-Nd의 Ag/AgCl 전극에 대한 표준 전극 전위는 각각 -0.41 V, -0.54 V이다. 그 결과, Al과 ITO가 전기적으로 접촉된 상태에서 전해질인 Al 에칭제 중에 존재하는 경우, 전지 반응에 의해 Al이 용해되는 현상이 발생하였다. 그 결과, Al 배선이 단선되거나, 「선이 가늘어지는 현상」이 발생되는 경우가 있었다. 한편, 비정질계 재료로서 IZO(인듐-아연 산화물: 「IZO」는 등록 상표)가 고안되어 있는데, 이 재료는 알루미늄의 에칭제에서도 용해하는 성질이 있기 때문에, 투명 전극 상에 반사 전극을 구비하는 구성을 채용하는 경우에는 사용이 곤란하였다.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 약산(유기산 등)에 의한 에칭에 의해 잔사 등이 발생하지 않는 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 제공하는 것, 및 그 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 투명 전극의 상부 반사 전극을 에칭할 때, 해당 반사 전극의 에칭제에 대하여 내성이 있는 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 제공하는 것, 및 그 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 투명 전극의 상부 반사 전극을 에칭할 때, 해당 반사 전극과 전기적으로 접속되어 있는 것에 따른 전지 반응을 억제할 수 있는 상기 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 제공하는 것, 및 그 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟을 제공하는 것이다.

<과제를 해결하기 위한 수단>

(1) 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, X선 회절에 의해 결정 피크를 관찰한 경우, 산화인듐 및 산화세륨으로부터 유래하는 피크의 존재가 관찰되고, EPMA 측정을 행한 경우, 산화인듐 중에 분산된 산화세륨 입자의 직경이 5 ㎛ 이하로 측정되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟이다.

타겟 중에 산화세륨을 단체(單體)로 첨가한 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링을 행함으로써, 성막 기판 온도가 R.T.(실온) 내지 200 ℃인 경우에 비정질막을 성막할 수 있다.

또한, 이 비정질막은, 후술하는 바와 같이 이의 성막 후에 200 ℃ 이상의 온도로 열 처리를 행함으로써 결정화할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 산화세륨으로부터 유래하는 피크가 없는 경우나, EPMA(전자선 마이크로 애널라이저: Electron Probe Micro Analyzer)로 측정한 산화세륨의 입경이 5 ㎛를 초과하는 경우에는 이하와 같은 현상이 관찰된다.

ㆍ이상 방전의 발생.

ㆍ투명 도전막 중에 성막시에 결정질 입자가 존재함에 따라 에칭 가공시에 잔사를 발생시킴.

ㆍ200 ℃ 이상의 가열 처리에 의해서도 결정화되지 않음(이것에 대해서는 후에 다시 상술함).

(2) 상기 (1)에 있어서, 또한 본 발명은 EPMA 측정을 행한 경우, 산화인듐 중에 분산된 산화세륨 입자이며 그의 직경이 1 ㎛ 이상인 상기 산화세륨 입자의 존재가 관찰되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟이다.

상기 (1)의 발명에 있어서는, EPMA 측정에 의한 산화세륨의 입경은 상술한 바와 같이 5 ㎛ 이하이지만, 보다 바람직하게는 1 내지 3 ㎛이다. 그러나, 완전 분산 상태(1 ㎛ 이하의 산화세륨만 존재하는 경우)에서는 산화인듐의 이상 성장이 생기는 경우가 있다. 또한, 상기 완전 분산 상태는 이상 방전의 원인이 되는 경우도 있다. 또한, 상기 완전 분산 상태는 스퍼터링에 의한 성막 후, 그의 박막을 에칭했을 때, 에칭 잔사를 발생시키는 원인이 되는 경우도 있다. 따라서, 본 발명은 적어도 입경이 1 ㎛ 이상인 입자가 존재하는 것을 특징으로 하는 것이다.

(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 또한 본 발명은 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, [Ce]/([In]+[Ce])=0.005 내지 0.15인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟이다.

이와 같이 본 발명에 있어서 산화세륨의 조성은 [Ce]/([In]+[Ce])=0.005 내지 0.15가 되는 범위의 조성을 채용하고 있다. 여기서, [Ce]란 단위 중량ㆍ단위 부피당 세륨 원자의 수를 나타내고, [In]이란 단위 중량ㆍ단위 부피당 인듐 원자의 수를 나타낸다. 즉, [Ce]/([In]+[Ce])는 스퍼터링 타겟 중의 세륨 원자의 원자 조성 비율을 나타낸다.

상기 식의 값은 상술한 바와 같이 본 발명에서는 0.005 내지 0.15가 되는 범위 중의 수이다. 또한, 이 값은 바람직하게는 0.01 내지 0.1이고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.05이다.

상기 식의 값이 0.005 이하에서는 완전 분산 상태가 되어 산화인듐의 이상 성장이 발생할 우려가 있다. 즉, 상기 완전 분산 상태는 이상 방전의 원인이 되는 경우도 있다. 또한, 150 ℃ 이하의 기판 온도에서 성막한 경우, 성막 직후에 결정화가 진행되는 경우가 있다. 이 결정화가 진행되면, 에칭한 경우의 에칭 잔사를 야기하는 원인이 되는 경우도 있다.

또한, 상기 식의 값이 0.15을 초과하면 산화세륨의 입경이 5 ㎛를 초과하게 되고, 이상 방전이 발생하는 경우가 있으며, 200 ℃로 가열해도 결정화가 행해지지 않는 경우도 있다.

(4) 또한 본 발명은 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, 밀도가 6.6 이상이고, 벌크 저항이 1 mΩcm 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟이다.

이와 같이 스퍼터링 타겟의 밀도는 6.6 g/cc 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 6.7 g/cc 이상이고, 보다 바람직하게는 6.8 g/cc 이상이다. 또한, 벌크 저항은 상술한 바와 같이 본 발명에서는 1 mΩcm 이하이지만, 보다 바람직하게는 0.9 mΩcm 이하이다.

여기서, 스퍼터링 타겟의 밀도가 6.6 g/cc 미만에서는 벌크 저항도 1 mΩcm를 초과하게 되고, 이상 방전이 발생하는 경우가 있다. 또한, 벌크 저항이 1 mΩcm를 초과하는 경우에도 마찬가지로 이상 방전이 발생하는 경우가 있다.

(5) 또한 본 발명은 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, 세륨의 원자가가 +3가인 산화세륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟이다.

이와 같이 세륨의 원자가를 +3으로 함으로써 타겟 중의 세륨 원자의 분산성을 제어하는 것이 가능해진다. 따라서, 스퍼터링 타겟의 벌크 저항도 1 μΩcm 이하가 된다. 그 결과, 이상 방전이 발생하기 어려운 스퍼터링 타겟이 되어 공업적으로 유용하게 사용할 수 있게 된다.

또한, 3가 세륨의 존재율은 0.01 내지 0.6이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.4, 보다 더 바람직하게는 0.05 내지 0.4이다. 3가 세륨의 존재율이 0.01 미만에서는 세륨 원자의 분산성을 제어하는 것이 곤란한 경우가 있고, 한편 0.6을 초과해서는 분산 이상을 일으키는 경우가 있으며, 이것은 스퍼터링 중의 이상 방전의 원인이 될 가능성이 있다.

(6) 또한, 본 발명은 상기 (1) 내지 (5)에 기재된 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 성막한 투명 도전막이며, 비저항이 600 μΩcm 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전막이다.

특히, 상기 (5)의 스퍼터링 타겟을 사용한 경우에는, 박막 중에도 세륨의 +3가를 포함함으로써 분산성이 개선되고, 도전성의 향상(비저항의 감소)을 실현할 수 있다. 즉, 낮은 저항의 투명 도전막이 얻어진다. 상기 +3가 세륨의 검출 방법은 XPS(X선 광전자 분광법: X-ray Photoelectron Spectroscopy)나, 고휘도 방사광 등을 이용한 검출 방법을 이용할 수 있다.

(7) 또한 본 발명은 상기 (6)에 있어서, 200 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위에서 가열함으로써 결정화한 것을 특징으로 하는 투명 도전막이다.

상기 (6)의 투명 도전막은 성막시 및 성막 후에는 비정질이지만, 이것을 가열함으로써 결정화할 수 있다.

성막시 및 성막 후에 비정질인 것은, 예를 들면 X선 회절에 의해 확인하는 것이 바람직하다.

성막 온도

상기 (1) 내지 (5)의 스퍼터링 타겟을 사용하여 성막한 경우, 성막 온도가 실온 내지 200 ℃ 미만일 때에는, X선 회절의 결과로부터 판단하면 비정질의 투명 도전막을 얻을 수 있다. 또한, 성막 온도가 실온 이하인 경우에는 냉각에 비용이 들기 때문에 사실상 무의미하다. 또한, 성막 온도가 200 ℃ 이상인 경우에는 결정화하는 경우가 있으며, 그 결과 에칭시에 잔사가 발생할 우려가 있다.

성막 온도 범위는 바람직하게는 50 ℃ 내지 180 ℃ 미만의 범위, 보다 바람직하게는 100 ℃ 내지 180 ℃의 범위이다. 이러한 온도 범위에서 성막함으로써, 성막한 투명 도전막은 그 후의 200 ℃ 내지 250 ℃ 온도 범위의 가열에 의해 결정화된다.

성막 후의 가열

상술한 바와 같이, 본 발명에 있어서는 성막 후에 200 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위에서 가열함으로써 결정화하는 것을 특징으로 한다.

이 때, 가열 온도가 200 ℃ 미만인 경우에는 결정 속도(결정화되어 가는 속도)가 느린 경우가 있고, 결정화의 처리 시간이 과대해지는 경우가 있다.

한편, 가열 온도가 250 ℃ 이상에서는 가열에 요하는 비용이 증대될 우려가 있다. 또한, TFT 기판 등의 바탕에 영향을 줄 가능성이 있다.

이와 같이, 본 발명에서는 가열에 의해 투명 도전막을 결정화하였다. 이 결정화에 따라 옥살산 수용액이나 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산, 질산 세륨암모늄을 포함하는 에칭제 액체 등에 대한 내성을 상기 투명 도전막에 부여할 수 있다.

이러한 내성을 부여하는 것은 투명 도전막 상에 형성되는 Al, Ag 등의 반사막이나, TFT 어레이에서의 소스ㆍ드레인 배선인 Al이나, Cr, Mo, Ag 등의 배선 에칭제에 대한 내성이 있다는 것을 의미한다. 따라서, 이들 반사막이나 배선을 형성할 때에도 본 발명의 투명 도전막은 손상을 받지 않으며, 이들 반사막 등을 제조하는 데 있어서 유용해진다.

또한, 본 발명에서의 가열 처리의 온도 범위는 바람직하게는 210 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위, 보다 바람직하게는 220 ℃ 내지 240 ℃의 온도 범위이다.

(8) 또한 본 발명은 상기 (6) 또는 (7)에 있어서, Ag/AgCl에 대한 표준 전극 전위가 0.6 V 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막이다.

이와 같이, 본 발명에 따르면 표준 전극 전위가 낮기 때문에, 전기적으로 접합된, 반사막으로서의 Al이나 TFT 어레이에 사용되는 Al, Mo, Cr 배선 또는 전극에 손상을 주지 않고, 상기 투명 도전막을 에칭할 수 있다.

또한, 표준 전극 전위가 0.6 V를 초과하는 경우에는 전지 반응이 발생하기 쉽고, 그로부터 발생하는 국소적인 전압도 커지기 때문에, 반사막으로서의 Al에 큰 손상을 주는 경우가 많다. 또한, 액정 등의 구동 소자로서 TFT 어레이가 설치되는 경우에는, 그 TFT 어레이에 사용되는 Al, Mo, Cr 배선 또는 전극에 큰 손상을 주는 경우가 많다. 그 결과, 반사막ㆍ 배선의 열화나 배선의 단선, 선이 가늘어짐, 반사율의 저하 등의 문제를 일으킬 가능성이 높아지게 된다.

(9) 또한, 본 발명은 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 스퍼터링 타겟을 사용하여 투명 도전막을 제조하는 방법이며, 상기 어느 하나의 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 투명 도전막을 성막하는 단계 및 성막한 상기 투명 도전막을 200 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위에서 가열함으로써 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법이다.

성막 후에 가열함으로써 결정화하는 동작에 대해서는, 이미 설명한 바와 같다. 이러한 구성에 의해, 상기에서 설명한 투명 도전막을 얻는 것이 가능하다.

<발명의 효과>

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 약산(유기산 등)에 의한 에칭에 의해 잔사 등이 발생하지 않는 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 얻을 수 있다. 또한, 그러한 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟이 얻어진다.

또한, 본 발명에 따르면, 투명 전극의 상부 반사 전극을 에칭할 때, 해당 반사 전극의 에칭제에 대하여 내성이 있는 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 얻을 수 있다. 또한, 그러한 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟이 얻어진다.

또한, 본 발명에 따르면, 투명 전극의 상부 반사 전극을 에칭할 때, 해당 반사 전극과 전기적으로 접속되어 있는 것에 따른 전지 반응을 억제할 수 있는 상기 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 얻을 수 있다. 그러한 투명 도전막을 제조하기 위한 스퍼터링 타겟이 얻어진다.

또한, 상기 투명 도전막을 제조할 수 있는 투명 도전막의 제조 방법이 얻어진다.

도 1은 본 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 파라미터를 나타내는 표의 도면이다.

<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>

이하, 본 실시 형태의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.

<실시예 1>

평균 입경이 1 ㎛ 이하인 In₂O₃ 분말, 및 평균 입경이 1 ㎛ 이하인 CeO₂ 분말을 세륨/인듐 원자수 비가 0.012의 비율이 되도록 조합하여 수지제 포트에 넣고, 순수한 물을 첨가하여 경질 ZrO₂ 볼밀을 이용한 습식 볼밀 혼합을 행하였다. 혼합 시간은 20 시간으로 하였다.

혼합 결과, 얻어진 혼합 슬러리를 취출하여 여과, 건조 및 조립을 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 조립물을 294 MPa(3 t/cm²)의 압력을 가하여 냉간 정수압 프레스로 성형하였다.

이어서, 성형체를 이하와 같이 소결하였다.

우선, 소결로 내에 화로 내용적 0.1 m³당 5 L/분의 비율로 산소를 도입하는 분위기를 조성한다. 이 분위기하에서 1450 ℃로 8 시간 소결하였다. 이 때, 1000 ℃까지를 1 ℃/분, 1000부터 1450 ℃를 2 ℃/분으로 승온하였다. 그 후, 산소 도입을 멈추고, 1450 ℃부터 1300 ℃를 5 ℃/분으로 강온하였다. 또한, 화로 내용적 0.1 m³당 10 L/분의 비율로 아르곤 가스를 도입하는 분위기에서 1300 ℃를 3 시간 동안 유지한 후, 방냉하였다. 이에 따라, 벌크 저항 0.95 mΩcm, 밀도 6.6 g/cc 이상의 세륨 함유 In₂O₃ 소결체가 얻어졌다. 이 소결체의 스퍼터링면을 컵 지석으로 연마하여 직경 100 mm, 두께 5 mm로 가공하고, 인듐계 합금을 사용하여 배킹 플레이트를 접합시켜 소결체 타겟을 제조하였다.

본 실시예에 있어서 중요한 사항은, 세륨이 스퍼터링 타겟 중에 분산되어 있다는 것이다. 특히, 산화인듐의 인듐 위치에 세륨의 일부가 치환 고용되어 있고, 또한 세륨의 다른 일부가 단체의 산화세륨인 것이 바람직하다.

즉, 상기 세륨이 스퍼터링 타겟 내에 포함되는 형태는 세륨 원자가 산화인듐의 위치에 치환 고용된 부분 및 단체의 산화세륨으로서 존재하는 부분의 2종의 형태가 존재한다. 이러한 산화세륨의 존재는 X선 회절로 확인할 수 있다. 또한, 단체로 존재하는 산화세륨의 입자 크기는 EPMA(전자선 마이크로 애널라이저: Electron Probe Micro Analyzer)로 확인할 수 있다. 이와 같이 분산되어 있는 결정 입자의 직경은 2.8 ㎛였다. 이 직경은 화상 처리에 의해 구하였다.

이와 같이 산화세륨의 존재를 X선 회절로 확인할 수 있다는 것은, 즉 산화세륨으로부터 유래하는 피크가 관찰된다는 것이다. 또한, 본 실시예의 스퍼터링 타겟은 산화인듐을 포함하고 있기 때문에, 당연히 X선 회절에서는 산화인듐으로부터 유래하는 피크가 관찰된다. 따라서, 본 실시예의 스퍼터링 타겟은 X선 해석에 의해 산화인듐 및 산화세륨으로부터 유래하는 피크가 관찰된다.

본 실시예와 달리 세륨 원자가 산화인듐의 인듐 위치에 전부 치환 고용되어 있는 경우에는, 산화인듐 소결체 중의 산화인듐 자체의 결정 입경이 이상 성장(5 ㎛ 초과)하는 경우가 있고, 스퍼터링에 있어서 방전이 불안정해져 얻어지는 투명 도전성 박막을 안정적으로 제조하는 것이 어려워지는 경우가 있다.

그런데, 본 실시예에서는 얻어진 스퍼터링 타겟를 DC 마그네트론 스퍼터링 장치의 내부에 수용하고, 이것을 이용하여 150 ℃의 온도로 유지된 유리 기판 상에 두께 70 nm의 투명 박막을 성막하였다. 이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판의 파장 550 nm의 광에 대한 광 투과율을 측정했더니, 얻어진 광 투과율은 91 ％였다. 또한, 박막의 비저항은 360 μΩcm였다. 이 박막의 Ag/AgCl 표준 전극에 대한 전위를 측정했더니 0.38 V였다. 또한, X선 회절을 행했더니 피크는 관찰되지 않고, 비정질인 것이 확인되었다.

이 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후에 X선 해석을 행했더니, 인듐으로부터 유래하는 피크만이 관찰되고, 결정화되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 결정성 박막의 표준 전극 전위는 0.36 V이고, 그 비저항은 220 μΩcm였다. 또한, 상기 기판의 XPS 측정을 행하여 세륨 원자의 원자가를 관찰했더니, +3가 세륨이 관찰되었다.

피크 분리 처리 및 면적비로부터 구한 +3가 세륨의 존재율, 즉 [Ce⁺³]/([Ce⁺³]+[Ce⁺⁴])=0.15였다. 여기서, [Ce⁺³]은 자료 중의 단위 부피ㆍ단위 질량당 3가 세륨 원자의 수를 나타내고, [Ce⁺⁴]는 동일한 +4가 세륨 원자의 수를 나타낸다.

이어서, 동일한 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 마찬가지로 유리 기판을 설치하고, 두께 60 nm의 투명 도전막을 성막하였다. 이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판에 포토에칭법에 의해 패터닝을 실시하였다. 이 때, 3종의 에칭액을 사용하여 패터닝을 행하였다. 이 3종의 에칭액은 옥살산(3.4 중량％) 수용액, 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산 및 질산 세륨암모늄염을 포함하는 수용액이며, 이 중 어느 에칭액을 사용한 경우에도 잔사의 발생은 보이지 않았다.

얻어진 패터닝된 전극(투명 전극)을 갖는 유리 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후, 이 유리 기판 상에 Al을 막 두께 300 nm로 성막하였다. 이 Al막에 대하여 패턴이 상이한 포토마스크에 의한 패터닝을 행하였다. 패터닝 후, 에칭액을 사용하여 에칭(즉, 포토에칭)하였다. 이 포토에칭에서의 에칭액은 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산을 사용하였다. 에칭 후, 투명 전극 부분을 전자 현미경으로 관찰했지만, 손상은 없었다. 또한, 상기 패터닝에 의해 제조된 Al 전극에도 핀홀이나, 선 가늘어짐, 단선 등은 관찰되지 않았다.

또한, 본 실시예 1의 내용이 다른 실시예 및 다른 비교예와 함께 도 1에 도시되어 있다.

<실시예 2>

본 실시예 2에 있어서는, 단위 부피, 단위 질량당 세륨과 인듐 원자의 수의 비((세륨 원자의 수)/(인듐 원자의 수))가 0.035의 비율이 되도록 조합한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 동일한 처리ㆍ조작을 행하였다.

처리 결과, 벌크 저항이 0.84 mΩcm이며, 밀도가 6.8 g/cc 이상의 값인 세륨 을 함유하는 In₂O₃ 소결체가 얻어졌다. 소결체 중에 산화세륨이 존재한다는 것은 X선 회절로 확인할 수 있었다. 또한, 단체로 존재하는 산화세륨의 입자 크기는 EPMA로 확인할 수 있었다. 이와 같이 분산 포함되어 있음으로써, 결정 입자의 직경은 2.4 ㎛였다. 이 직경은 화상 처리에 의해 구하였다. 이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 두께 70 nm의 투명 박막을 성막하였다.

이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판의 파장 550 nm의 광에 대한 광투과율을 측정했더니, 광투과율은 90 ％였다. 또한, 박막의 비저항은 330 μΩcm였다. 상기 박막의 Ag/AgCl 표준 전극에 대한 전위를 측정했더니 0.36 V였다. 또한, X선 회절을 측정한 결과, 피크는 관찰되지 않고, 비정질인 것을 확인할 수 있었다. 이 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후의 X선 회절에서는 인듐으로부터 유래하는 피크만이 관찰되고, 결정화되어 있는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 상기 결정성 박막의 표준 전극 전위는 0.35 V이고, 비저항은 210 μΩcm였다. 또한, 상기 기판의 XPS 측정을 행하여 세륨 원자의 원자가를 관찰했더니, +3가 세륨이 관찰되었다. 또한, 이 +3가 세륨의 존재율은 0.24였다.

이어서, 상술한 스퍼터링 장치에 다시 유리 기판을 설치하여 두께 60 nm의 투명 도전막을 성막하였다. 이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판에 포토에칭법에 의해 패터닝을 실시하였다. 에칭액으로서는 옥살산(3.4 중량％) 수용액, 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산 및 질산 세륨암모늄염을 포함하는 수용액의 3종을 사용하였다. 어느 액체를 사용한 경우에도 잔사의 발생은 보이지 않았다.

이와 같이 하여 얻어진 패터닝된 전극을 갖는 유리 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후, 상기 기판 상에 Al을 막 두께 300 nm로 성막하였다. 상기 Al막은 실제 전극 기판에서는 투명 전극 상의 반사 전극에 상당하는 것이다.

상기 Al막을 패턴이 다른 포토마스크를 사용하여 패터닝한 후, 에칭(즉, 포토에칭)하였다. 상기 에칭액으로서는 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산을 사용하였다.

그 후, 투명 도전막(실제 전극 기판에서는 투명 전극이라고도 불리움) 부분을 전자 현미경으로 관찰했지만, 손상은 없었다. 또한, Al막(실제 전극 기판에서는 Al 전극, 반사 전극이라고도 불리움)에도 핀홀이나, 선 가늘어짐, 단선 등은 관찰되지 않았다. 또한, 본 실시예 2의 내용이 다른 실시예 및 다른 비교예와 함께 도 1에 도시되어 있다.

<실시예 3>

본 실시예 3에 있어서는, 단위 부피, 단위 질량당 세륨과 인듐 원자의 수의 비((세륨 원자의 수)/(인듐 원자의 수))가 0.07의 비율이 되도록 조합한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 동일한 처리ㆍ조작을 행하였다.

처리 결과, 벌크 저항이 0.82 mΩcm이며, 밀도가 6.9 g/cc 이상의 값인 세륨을 함유하는 In₂O₃ 소결체가 얻어졌다. 소결체 중에 산화세륨이 존재한다는 것은 X선 회절로 확인할 수 있었다. 또한, 단체로 존재하는 산화세륨의 입자 크기는 EPMA로 확인할 수 있었다. 이와 같이 분산 포함되어 있음으로써, 결정 입자의 직 경은 4.8 ㎛였다. 이 직경은 화상 처리에 의해 구하였다. 이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 두께 70 nm의 투명 박막을 성막하였다.

이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판의 파장 550 nm의 광에 대한 광투과율을 측정했더니, 광투과율은 89 ％였다. 또한, 박막의 비저항은 380 μΩcm였다. 상기 박막의 Ag/AgCl 표준 전극에 대한 전위를 측정했더니 0.37 V였다. 또한, X선 회절을 측정한 결과, 피크는 관찰되지 않고, 비정질인 것을 확인할 수 있었다. 이 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후의 X선 회절에서는 인듐으로부터 유래하는 피크만이 관찰되고, 결정화되어 있는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 상기 결정성 박막의 표준 전극 전위는 0.38 V이고, 비저항은 250 μΩcm였다. 또한, 상기 기판의 XPS 측정을 행하여 세륨 원자의 원자가를 관찰했더니, +3가 세륨이 관찰되었다. 또한, 이 +3가 세륨의 존재율은 0.36이었다.

상기 Al막을 패턴이 다른 포토마스크를 사용하여 패터닝한 후, 에칭(즉, 포 토에칭)하였다. 상기 에칭액으로서는 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산을 사용하였다.

그 후, 투명 도전막(실제 전극 기판에서는 투명 전극이라고도 불리움) 부분을 전자 현미경으로 관찰했지만, 손상은 없었다. 또한, Al막(실제 전극 기판에서는 Al 전극, 반사 전극이라고도 불리움)에도 핀홀이나, 선 가늘어짐, 단선 등은 관찰되지 않았다.

또한, 본 실시예 3의 내용이 상기 각 실시예 및 후술하는 비교예와 함께 도 1에 도시되어 있다.

<비교예 1>

본 비교예 1에 있어서는, 단위 부피, 단위 질량당 세륨과 인듐 원자의 수의 비((세륨 원자의 수)/(인듐 원자의 수))가 0.0005의 비율이 되도록 조합한 것 이외에는, 상기 실시예 1 내지 3과 동일한 처리ㆍ조작을 행하였다.

처리 결과, 벌크 저항이 10.5 mΩcm이며, 밀도가 6.4 g/cc 이상의 값인 세륨을 함유하는 In₂O₃ 소결체가 얻어졌다. 소결체 중에 산화세륨이 존재한다는 것은 X선 회절로 확인할 수 있었다. 또한, 단체로 존재하는 산화세륨의 입자 크기는 EPMA로도 확인할 수 없었다. 즉, 결정 입자의 직경은 구할 수 없었다. 이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 두께 70 nm의 투명 박막을 성막하였다.

이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판의 파장 550 nm의 광에 대한 광투과율을 측정했더니, 광투과율은 89 ％였다. 또한, 박막의 비저항은 450 μΩcm 였다. 상기 박막의 Ag/AgCl 표준 전극에 대한 전위를 측정했더니 0.80 V였다. 또한, X선 회절을 측정한 결과, 작은 피크가 관찰되고 미결정질이었다. 상기 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후의 X선 회절에서는 인듐으로부터 유래하는 피크만이 관찰되어 결정화되어 있다는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 상기 결정성 박막의 표준 전극 전위는 0.86 V이고, 비저항은 870 μΩcm였다. 또한, 상기 기판의 XPS 측정을 행하여 세륨 원자의 원자가를 관찰했더니, +3가 세륨이 관찰되지 않았다.

이어서, 상술한 스퍼터링 장치에 다시 유리 기판을 설치하여 두께 60 nm의 투명 도전막을 성막하였다. 이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판에 포토에칭법에 의해 패터닝을 실시하였다. 에칭액으로서는 옥살산(3.4 중량％) 수용액, 인산ㆍ아세트산ㆍ질산의 혼합산 및 질산 세륨암모늄염을 포함하는 수용액의 3종을 사용하였다. 어느 액체를 사용한 경우에도 잔사의 발생이 보였다.

그 후, 투명 도전막(실제 전극 기판에서는 투명 전극이라고도 불리움) 부분을 전자 현미경으로 관찰했는데, 일부 용해되어 손상되어 있다는 것이 판명되었다. 또한, Al막(실제 전극 기판에서는 Al 전극, 반사 전극이라고도 불리움)에는 일부에 핀홀이 관찰되고, 곳에 따라 선 가늘어짐이나 단선이 관찰되었다.

또한, 본 비교예 1의 내용이 상기 각 실시예 및 다른 비교예와 함께 도 1에 도시되어 있다.

<비교예 2>

본 비교예 2에 있어서는, 단위 부피, 단위 질량당 세륨과 인듐 원자의 수의 비((세륨 원자의 수)/(인듐 원자의 수))가 0.18의 비율이 되도록 조합한 것 이외에는, 상기 실시예 1 내지 3과 동일한 처리ㆍ조작을 행하였다.

처리 결과, 벌크 저항이 8.35 mΩcm이며, 밀도가 7.0 g/cc 이상의 값인 세륨을 함유하는 In₂O₃ 소결체가 얻어졌다. 소결체 중에 산화세륨이 존재한다는 것은 X선 회절로 확인할 수 있었다. 또한, 단체로 존재하는 산화세륨의 입자 크기는 EPMA로 확인할 수 있었는데, 즉 화상 처리에 의해 구한 결정 입자의 직경은 판별이 곤란하고, 연속상도 확인할 수 있었다. 이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 두께 70 nm의 투명 박막을 성막하였다.

이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판의 파장 550 nm의 광에 대한 광투과율을 측정했더니, 광투과율은 87 ％였다. 또한, 박막의 비저항은 1250 μΩcm였다. 상기 박막의 Ag/AgCl 표준 전극에 대한 전위를 측정했더니 0.7 V였다. 또한, X선 회절을 측정한 결과, 피크는 관찰되지 않고 비정질이었다. 상기 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후의 X선 회절에도 인듐으로부터 유래하는 피크는 관찰되지 않아 결정화되어 있지 않다는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 상기 결정성 박막의 표준 전극 전위는 0.76 V이고, 비저항은 1860 μΩcm였다. 또한, 상기 기판의 XPS 측정을 행하여 세륨 원자의 원자가를 관찰했더니 +3가 세륨이 관찰되지 않고, 관찰된 대부분의 세륨은 +4가 세륨으로 판단되었다.

그 후, 투명 도전막(실제 전극 기판에서는 투명 전극이라고도 불리움) 부분을 전자 현미경으로 관찰했는데, 거의 전 영역에 걸쳐 용해되어 손상되었다는 것이 판명되었다. 또한, Al막(실제 전극 기판에서는 Al 전극, 반사 전극이라고도 불리움)에는 일부에 핀홀이 관찰되고, 곳에 따라 선 가늘어짐이나, 단선ㆍ박리가 관찰 되었다.

또한, 본 비교예 2의 내용이 상기 각 실시예 및 다른 비교예와 함께 도 1에 도시되어 있다.

<비교예 3>

본 비교예 3에 있어서는, 상기 실시예 1 내지 3과 달리 세륨 대신에 주석을 사용하였다. 또한, 본 비교예 3에 있어서는, 단위 부피, 단위 질량당 주석과 인듐 원자의 수의 비((주석 원자의 수)/(인듐 원자의 수))가 0.10의 비율이 되도록 조합한 것 이외에는, 상기 실시예 1 내지 3과 동일한 처리ㆍ조작을 행하였다.

처리 결과, 벌크 저항이 0.35 mΩcm이며, 밀도가 6.8 g/cc 이상의 값인 주석을 함유하는 In₂O₃ 소결체가 얻어졌다. 소결체 중에 산화주석이 존재한다는 것은 X선 회절로 확인할 수 없었다. 또한, 단체로 존재하는 산화주석의 입자 크기는 EPMA로도 확인할 수 없어 균일하게 분산되어 있다고 판단되었다. 이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 두께 70 nm의 투명 박막을 성막하였다.

이와 같이 하여 얻어진 박막 부착 유리 기판의 파장 550 nm의 광에 대한 광투과율을 측정했더니, 광투과율은 90 ％였다. 또한, 박막의 비저항은 230 μΩcm였다. 상기 박막의 Ag/AgCl 표준 전극에 대한 전위를 측정했더니 0.83 V였다. 또한, X선 회절을 측정한 결과, 작은 피크가 관찰되고 미결정질이었다. 상기 기판을 230 ℃에서 30 분간 열 처리한 후의 X선 회절에서는 인듐으로부터 유래하는 피크가 관찰되어 결정화되어 있다는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 상기 결정성 박막의 표준 전극 전위는 0.86 V이고, 비저항은 180 μΩcm였다.

그 후, 투명 도전막(실제 전극 기판에서는 투명 전극이라고도 불리움) 부분을 전자 현미경으로 관찰했는데, 일부에 투명성이 낮은 부분이 있어 손상은 받았다는 것이 판명되었다. 또한, Al막(실제 전극 기판에서는 Al 전극, 반사 전극이라고도 불리움)에는 일부에 핀홀이 관찰되었다.

또한, 본 비교예 3의 내용이 상기 각 실시예 및 다른 비교예와 함께 도 1에 도시되어 있다.

정리

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 약산(유기산 등)에 의한 에칭에 의해 잔사 등이 발생하지 않는 등의 유용한 성질을 갖는 투명 전극을 구성하는 투명 도전막을 얻을 수 있다. 본 실시 형태는 여러가지 전극 기판에 사용하는 것이 가능하다. 액정 표시 장치를 구성하는 각종 기판, 특히 반투과 반반사형의 액정 표시 장치에 사용하는 전극 기판에 응용하는 것이 바람직하다. 또한, EL 표시 장치 등에 사용되는 전극 기판에 이용하는 것도 바람직하다. 그 밖에 종래부터 알려져 있는 투명 도전막의 여러가지 이용 분야에 본 발명을 이용하는 것이 가능하다.

Claims

산화인듐과 산화세륨을 포함하며,

X선 회절에 의해 결정 피크를 관찰한 경우, 산화인듐 및 산화세륨으로부터 유래하는 피크의 존재가 관찰되고,

EPMA 측정을 행한 경우, 산화인듐 중에 분산된 산화세륨 입자의 직경이 5 ㎛ 이하로 측정되며,

산화세륨의 원자가가 +3가인 산화세륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
제1항에 있어서, EPMA 측정을 행한 경우, 산화인듐 중에 분산된 산화세륨 입자로서, 그의 직경이 1 ㎛ 이상인 상기 산화세륨 입자의 존재가 관찰되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
제1항 또는 제2항에 있어서, 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, [Ce]/([In]+[Ce])=0.005 내지 0.15(여기서, [Ce]는 단위 중량ㆍ단위 질량당 세륨 원자의 수를 나타내고, [In]는 단위 중량ㆍ단위 질량당 인듐 원자의 수를 나타냄)인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
제1항 또는 제2항에 있어서, 산화인듐과 산화세륨을 포함하며, 밀도가 6.6 이상이고, 벌크 저항이 1 mΩcm 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
비저항이 600 μΩcm 미만인 것을 특징으로 하는, 제1항 또는 제2항에 기재된 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 성막한 투명 도전막.
제5항에 있어서, 200 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위에서 가열함으로써 결정화한 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제5항에 있어서, Ag/AgCl에 대한 표준 전극 전위가 0.6 V 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
제1항 또는 제2항에 기재된 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 투명 도전막을 성막하는 단계 및

성막한 상기 투명 도전막을 200 ℃ 내지 250 ℃의 온도 범위에서 가열함으로써 결정화하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는, 제1항 또는 제2항에 기재된 스퍼터링 타겟을 사용하여 투명 도전막을 제조하는 방법.
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