KR101167894B1 - 다이 본딩 - Google Patents

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KR101167894B1
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아드리안 보일
데이비드 길렌
마리아 파사리
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일렉트로 사이언티픽 인더스트리즈, 아이엔씨
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Abstract

다이 본딩 방법 및 장치에 의해 접착층(12)에 의해 캐리어 테이프(13)에 접착된 웨이퍼 기판(11)이, 접착층(12)과 캐리어 테이프(13)의 실질적인 박리(delamination) 또는 접착층(12)으로부터의 버(burr)의 실질적인 발생 없이, 싱귤레이트 접착층이 부착된 싱귤레이트 다이(15)를 형성하도록 상기 웨이퍼 기판 및 상기 접착층을 통과하여 상기 캐리어 베이스 수단까지 제거하여(scribing) 레이저 가공된다. 캐리어 테이프(13)는 바람직하게 자외선에 의해 경화되어, 상기 접착층을 상기 캐리어 테이프로부터 분리시킨다. 상기 싱귤레이트 다이는 다이 패드 상에 픽앤플레이스되고, 접착층(12)은 바람직하게 열에 의해 경화되어 다이를 다이 패드에 접착시킨다.
다이 본딩, 접착층, 캐리어 베이스, 레이저 가공, 다이 패드, 낱개 절단

Description

다이 본딩 {DIE BONDING}
본 발명은 다이 본딩에 관한 것이다.
다이 패드에 다이를 직접 접합하기 위해 기재 캐리어 테이프 상에서 이송되는 다이부착필름(DAF; die attach film)을 가진 다이의 사용은 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 분야에서 공지된 것이다. 캐리어 테이프로부터 싱귤레이트 다이(singulated die)를 픽업할 때, 접착층은 하부면 상에서 이송되고, 다이가 다이 패드 위에 놓인 후, 접착층은 가열에 의해 경화되어 다이가 다이 패드에 접착된다. 다이싱(dicing) 전에 접착층(12) 및 캐리어 베이스(13) 상에 장착되는 웨이퍼(11)의 이러한 구성에 대한 단면을 도 1에 나타내었다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11) 및 DAF(12)는, DAF가 없는 웨이퍼를 다이싱하는 것으로서, 웨이퍼 및 DAF를 통과하여 채널(14)을 커팅하고 베이스 필름 캐리어 테이프(13)에 얕은 트렌치(16)를 남김으로써 싱귤레이트 다이 및 DAF(15)를 형성한다.
DAF를 구비하는 웨이퍼의 공지된 다이싱은 기계톱을 사용하지만 DAF를 구비하지 않은 웨이퍼의 다이싱에 사용하는 것보다 고속인 다이싱 톱날을 사용하여 접착층이 톱날에 접착되는 것을 방지한다. 그러나, 이러한 고속의 기계식 절삭은 DAF 및 베이스 필름의 박리를 유발하고 버(burr)를 발생시켜서 손실을 가져온다. 기계톱에 의해 발생되는 버는 1 밀리미터 정도의 기다란 접착층 스트랜드(strand)이다. 이들 스트랜드는 다이의 상부면과 접촉하게 되거나 톱날이나 후속 취급에 의해 상부면으로 이동되어, 특히 다이 접착 공정에 방해를 줄 수 있다. 일부의 경우, DAF를 사용하는 경우의 박리 문제 및 버의 발생을 방지하기 위해 기계톱 다이싱 후에 각각의 다이 상에 접착제가 제공된다. 이러한 절차는 상당한 시간을 소모하고 비효율적이다.
본 발명의 목적은 종래 기술의 전술한 문제점을 개선하기 위한 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 접착층에 의해 캐리어 베이스 수단과 격리된 웨이퍼 기판을 가지는 구조체를 제공하는 단계, 싱귤레이트 접착층이 부착된 싱귤레이트 다이를 형성하도록 상기 웨이퍼 기판 및 상기 접착층을 통과하여 상기 캐리어 베이스 수단까지 제거하는(scribing) 레이저 가공 단계, 상기 캐리어 베이스 수단으로부터 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 분리하도록 상기 구조체를 경화시키는 단계, 상기 다이 및 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 다이 패드 상에 픽앤플레이스하는(picking and placing) 단계, 및 상기 다이를 상기 다이 패드에 접착시키기 위해 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 경화시키는 단계를 포함하는 다이 본딩 방법이 제공된다.
바람직하게, 상기 구조체를 제공하는 단계는 제1 접착제에 의해 상기 캐리어 베이스 수단에 접착되는 접착층을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 구조체를 경화시키는 단계는 상기 제1 접착제를 경화시키는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 레이저 가공 단계는, 상기 접착층과 상기 캐리어 베이스 수단의 실질적인 박리 또는 버의 실질적인 발생 없이, 소정 품질의 싱귤레이트 다이를 제공하면서 가공 속도가 최대화되도록, 선택된 레이저 펄스 파워, 레이저 펄스 반복 속도, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 레이저 파장의 제1 가공 프로파일을 가진 제1 레이저 빔을 사용하여 상기 웨이퍼 기판을 레이저 가공하고, 상기 접착층을 가공하기 위해 선택된 레이저 펄스 파워, 레이저 펄스 반복 속도, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 레이저 파장의 제2 가공 프로파일을 가진 제2 레이저 빔을 사용하고, 상기 캐라어 베이스 수단을 가공하기 위해 선택된 레이저 펄스 파워, 레이저 펄스 반복 속도, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 레이저 파장의 제3 가공 프로파일을 가진 제3 레이저 빔을 사용하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 가공 프로파일, 상기 제2 가공 프로파일, 및 상기 제3 가공 프로파일 중 적어도 2개는 동일한 가공 프로파일이다.
바람직하게, 상기 구조체를 경화시키는 단계는 자외선에 의해 경화시키는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 경화시키는 단계는 상기 접착층을 열 경화시키는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 웨이퍼 기판을 가공하는 단계는 상기 웨이퍼 내의 블라인드 비아(blind via) 또는 상기 웨이퍼 기판 및 상기 다이 부착 필름을 관통하는 비아를 가공하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 레이저 가공 단계는, 레이저 가공 후에 상기 싱귤레이트 다이로부터 축적된 레이저 가공 파편들을 제거하기 위해 상기 구조체를 세정하는 단계를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 구조체를 제공하는 단계는 레이저 가공 중에 발생된 파편들로부터 상기 구조체를 보호하기 위해 보호 필름을 구비한 구조체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 구조체를 세정하는 단계는 상기 보호 필름 및 상기 보호 필름에 축적된 파편들을 제거하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 구조체를 제공하는 단계는 두께가 800㎛ 미만인 웨이퍼 기판을 가지는 구조체를 제공하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 레이저 가공 단계는 레이저 가공용 보조 기체 분위기를 제공하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 보조 기체 분위기를 제공하는 단계는 광해리(photo-dissociation)에 의해 활성 라디칼(active radical)이 생성되는 기체 분위기를 제공하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 상기 기체 분위기를 제공하는 단계는 레이저 가공 장소 주위에 고체의 가공 파편들이 축적되는 것을 저감시킨다.
바람직하게, 상기 캐리어 베이스 수단은, 다이싱 테이프, 얇은 웨이퍼의 다이싱이나 백그라인딩(backgrinding)에 적절한 비유연성(inflexible) 테이프, 및 유리나 다른 투명한 고체 중 하나이다.
바람직하게, 상기 구조체를 제공하는 단계는 상기 접착층에 의해 실질적으로 비유연성인 하부의 투명 백그라인딩 테이프 수단과 격리되어 있는 웨이퍼 기판을 구비하는 구조체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 레이저 가공 단계는 상기 웨이퍼 기판을 백그라인딩하는 단계에 후속하여 실행된다.
대안적으로, 상기 다이 및 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 픽앤플레이스하는 단계는, 다층 다이 패키지를 형성하기 위해 상기 다이 및 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 다른 다이에 픽앤플레이스하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 웨이퍼 기판 및 상기 웨이퍼 기판에 부착된 접착층을 가공하고 싱귤레이트 접착층을 가진 싱귤레이트 다이를 형성하도록 하부에 놓인 캐리어 베이스 수단까지 제거하는 레이저 가공 수단, 상기 싱귤레이트 접착층을 상기 캐리어 베이스 수단으로부터 분리하도록 상기 캐리어 베이스 수단을 경화시키는 제1 경화 수단, 상기 싱귤레이트 다이 및 상기 접착층을 상기 캐리어 베이스 수단으로부터 집어서 상기 싱귤레이트 다이 및 상기 접착층을 다이 패드 수단에 위치시키는 픽앤플레이스(pick and place) 수단, 및 상기 싱귤레이트 다이를 상기 다이 패드 수단에 접착시키기 위해 상기 싱귤레이트 다이의 싱귤레이트 접착층을 경화시키는 제2 경화 수단을 포함하는 다이 본딩 장치가 제공된다.
바람직하게, 상기 레이저 가공 수단은, 펄스식 레이저 빔을 제공하는 레이저원(laser source) 수단, 레이저 빔 스캐닝 수단, 및 레이저 펄스 에너지와 레이저 파장과 레이저 반복 회수와 레이저 펄스 폭과 레이저 빔 스캐닝 속도와 상기 펄스식 레이저 빔에 의한 스캔 수 중 적어도 하나를 제어하는 제어 수단을 포함한다.
바람직하게, 상기 레이저 가공 수단은, 상기 제어 수단을 사용하여, 레이저 펄스 에너지, 레이저 파장, 레이저 반복 회수, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 상기 펄스식 레이저 빔에 의한 스캔 수 중 적어도 하나의 가공 프로파일을 저장하는 메모리 수단을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 경화 수단은 자외선 경화 수단을 포함한다.
바람직하게, 상기 제2 경화 수단은 열 경화 수단을 포함한다.
바람직하게, 상기 다이 본딩 장치는 상기 싱귤레이트 다이로부터 레이저 가공 파편들을 세정하는 세정 수단을 포함한다.
바람직하게, 상기 웨이퍼 기판에는 상기 레이저 가공 파편들로부터 상기 웨이퍼 기판을 보호하기 위한 보호 필름이 제공되고, 상기 세정 수단은 상기 싱귤레이트 다이로부터 상기 보호 필름을 제거하기 위해 배치된다.
바람직하게, 상기 다이 본딩 장치는, 다이싱 테이프, 얇은 웨이퍼의 다이싱이나 백그라인딩에 적절한 비유연성 테이프, 및 유리나 다른 투명한 고체 중 하나인 캐리어 베이스 수단에 적합하다.
바람직하게, 상기 다이 본딩 장치는, 상기 접착층에 의해 실질적으로 비유연성인 하부의 투명 백그라인딩 테이프 수단과 격리되어 있는 웨이퍼 기판을 구비하는 구조체를 가공하기에 적합하다.
도 1은 공지된 웨이퍼, 접착층, 및 캐리어 필름 구조체의 수직단면도이다.
도 2는 도 1의 구조체를 다이싱 한 후의 수직단면도이다.
도 3은 도 1의 구조체의 웨이퍼를 본 발명에 따라 레이저 가공하는 것을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 1의 구조체의 접착층을 본 발명에 따라 레이저 가공하는 것을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 1의 구조체의 캐리어 필름을 본 발명에 따라 레이저로 제거하는 것을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도면에서, 동일한 부품에는 동일한 참조부호를 부여하였다.
도면을 참조하면, 캐리어 베이스(13) 상에 장착되는 DAF(12)를 가진 웨이퍼(11)를 포함하는 구조체(10)를 다이스하기 위해 레이저 빔(31, 32, 33)을 사용하면, 접착층(12) 및 캐리어 베이스(13)의 실질적인 박리 유발 또는 예를 들어 접착층(12)으로부터 실질적인 버의 유발 없이 상기 웨이퍼 및 상기 DAF를 통과하여 가공할 수 있다.
캐리어 베이스(13)는, 예를 들어 당해 분야에서 사용되고 있는 임의의 공지된 캐리어 필름으로서 얇은 필름을 다이싱하거나 백그라인딩하는데 사용되는 실질적으로 비유연성의 서포트 또는 유리 또는 다른 투명성 고체이다. 또는, 상기 캐리어 베이스는 백그라인딩 공정 후에 다이싱을 위해 백그라인딩 테이프 상에 하방을 향해 장착되는 웨이퍼를 가진 비유연성의 투명한 백그라인딩 테이프일 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 펄스 파워, 펄스 반복 속도, 펄스 폭, 레이저 파장, 및 레이저 빔(31, 32, 33)의 레이저 빔 스캐닝 속도의 가공 임계 파라미터를 조절함으로써, 캐리어 베이스(13)는 제거만을 하면서 웨이퍼(11) 및 DAF(12)를 다 이싱하여 박리 및 버의 문제없이 낱개 절단을 완성할 수 있다. 이들 레이저 빔의 임계 파라미터는 각각의 층(11, 12, 13)에 대하여 최적화될 수 있어서, 이들 3개의 층 각각에 대하여 상이한 절삭 계획 또는 가공 프로파일을 가지는 레이저 빔(31, 32, 33)을 사용할 수 있으며, 가공된 다이가 소망의 품질을 얻으면서 가공 속도를 최대화할 수 있다.
이 경우, 각각의 층(11, 12, 13)은 층 재질의 공지된 두께 및 공지된 가공성에 따라 소정의 가공 파라미터에 의해 하나 이상의 스캔의 소정 회수로 스캐닝된다. 두께 및/또는 재질이 알려지지 않은 경우, 가공되는 재질의 특성, 및 층간 인터페이스는 가공 특성의 관찰에 의해 결정될 수 있다. 또는, 파라미터는 가공될 웨이퍼 샘플로부터 경험적으로 결정될 수 있다.
낱개 절단의 효율을 최적화하기 위해, 웨이퍼의 모든 가공은 캐리어 베이스의 모든 가공 전에 실행되는 접착층의 모든 가공 전에 실행될 수 있거나, 각각의 다이스 레인이 다시 완전히 가공될 수 있거나, 이러한 계획의 조합이 이용될 수 있다.
또는, 각각의 층의 가공 품질이 전체적인 공정 속도를 위해 양보될 수 있는 경우, 2개 또는 3개의 층(11, 12, 13)을 절삭하기 위해 하나의 절삭 계획 또는 가공 프로파일이 사용되며, 이 때 이들 복수의 층의 조합에 대하여 최적화된 가공 프로파일을 사용한다.
가공될 웨이퍼의 모든 부품에 대하여 레이저 빔의 액세스를 허용하기 위해 공지된 대응표(translation table)가 제공될 수 있다.
이상, 캐리어 베이스를 편리하게 제거하는 것으로 레이저 가공 공정을 설명하였으나, 레이저 가공은 캐리어 베이스를 상당히 또는 전혀 제거하지 않고 접착층 및 캐리어 베이스의 인터페이스에서 중단될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 레이저 가공 공정은 두께가 800㎛ 이하인 웨이퍼에 적절한 것을 확인하였다.
이러한 레이저 가공 공정은 웨이퍼의 다이싱뿐만 아니라 DAF를 가진 웨이퍼의 구조체를 가공하는 데에도 적절하다.
본 발명의 레이저 가공 공정은, 활성 기체 분위기 또는 광해리가 활성 라디칼을 생성하는 기체 분위기 내에서, 공지된 방식으로 선택적으로 실행될 수 있다. 적절한 활성 기체 분위기 내에서의 레이저 가공은 발생된 파편들의 화학적 성질을 변화시킨다. 특히, 적절한 조건에서는, 용융 상태에 있는 동안 적절한 활성 기체와 파편 사이의 화학 반응이 기체 형태의 파편들을 제거시키는 결과를 낳아, 레이저 가공 장소 주위에 고체 파편들이 축적되는 것을 감소시킨다.
낱개 절단 후에, 싱귤레이트 다이는, 레이저 가공 중에 발생된 파편들을 제거하기 위해 DAF의 경화 전에 세정될 수 있다. 또는, 웨이퍼 기판은 보호 필름에 의해 상기와 같은 파편들로부터 보호될 수 있고, 상기 보호 필름 및 축적된 파편들은 세정에 의해 제거될 수 있다.
일단 구조체가 가공되면, 싱귤레이트 다이의 다이 본딩은 종래 기술에서와 같이 진행된다. 캐리어 베이스(13), 또는 캐리어 베이스, 테이프 또는 필름과 접착층 사이의 접착제(미도시)는 자외선에 의해 경화되어 싱귤레이트 다이(15)가 캐리어 테이프 또는 필름(13)으로부터 분리된다. 싱귤레이트 다이(15)는 캐리어 베이스, 테이프 또는 필름(13)으로부터 다이 패드 상에 픽앤플레이스 된다. 또는, 다이(15)는 다른 다이 상에 픽앤플레이스 되어 다층 다이 패키지를 형성한다. 추가의 공지된 공정을 위해, 싱귤레이트 다이(15) 상의 접착층은 열 경화되어 싱귤레이트 다이를 다이 패드 또는 다른 다이에 접합한다.

Claims (24)

  1. 제1 접착제에 의해 캐리어 베이스 수단(13)에 접착된 접착층(12)에 의해 상기 캐리어 베이스 수단(13)과 격리된 웨이퍼 기판(11)을 가지는 구조체(10)를 제공하는 단계,
    싱귤레이트 접착층(12)이 부착된 싱귤레이트 다이(singulated die)를 형성하도록 상기 웨이퍼 기판 및 상기 접착층을 통과하여 상기 캐리어 베이스 수단까지 제거하는(scribing) 레이저 가공 단계,
    상기 캐리어 베이스 수단으로부터 상기 싱귤레이트 접착층이 부착된 싱귤레이트 다이를 분리하도록 상기 제1 접착제를 경화시키는 단계,
    상기 싱귤레이트 다이 및 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 다이 패드 상에 픽앤플레이스하는(picking and placing) 단계, 및
    상기 싱귤레이트 다이를 상기 다이 패드에 접착시키기 위해 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 경화시키는 단계
    를 포함하는 다이 본딩 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 가공 단계는, 상기 접착층과 상기 캐리어 베이스 수단의 박리(delamination) 또는 버(burr)의 발생 없이, 싱귤레이트 다이를 제공하면서 가공 속도가 증가되도록, 선택된 레이저 펄스 파워, 레이저 펄스 반복 속도, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 레이저 파장의 제1 가공 프로파일을 가진 제1 레이저 빔(31)을 사용하여 상기 웨이퍼 기판(11)을 레이저 가공하고, 상기 접착층(12)을 가공하기 위하여 선택된 레이저 펄스 파워, 레이저 펄스 반복 속도, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 레이저 파장의 제2 가공 프로파일을 가진 제2 레이저 빔(32)을 사용하며, 그리고 상기 캐리어 베이스 수단(13)을 가공하기 위하여 선택된 레이저 펄스 파워, 레이저 펄스 반복 속도, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 레이저 파장의 제3 가공 프로파일을 가진 제3 레이저 빔(33)을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 가공 프로파일, 상기 제2 가공 프로파일, 및 상기 제3 가공 프로파일 중 2개 이상은 동일한 가공 프로파일인 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 접착제를 경화시키는 단계는, 자외선에 의해 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 부착된 싱귤레이트 접착층(12)을 경화시키는 단계는, 상기 접착층을 열 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 기판을 가공하는 단계는, 상기 웨이퍼 기판(11)에 블라인드 비아(blind via)(14) 또는 상기 웨이퍼 기판(11) 및 상기 접착층(12)을 관통하는 비아를 가공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 가공 단계는, 레이저 가공 후에 상기 싱귤레이트 다이(15)로부터 축적된 레이저 가공 파편들을 제거하기 위해 상기 구조체를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 구조체를 제공하는 단계는, 레이저 가공 중에 발생된 파편들로부터 상기 구조체를 보호하기 위해 보호 필름을 갖는 구조체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 구조체를 세정하는 단계는 상기 보호 필름 및 상기 보호 필름에 축적된 파편들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 구조체를 제공하는 단계는 최대 800㎛까지의 두께를 갖는 웨이퍼 기판(11)을 가지는 구조체를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 가공 단계는 레이저 가공용 보조 기체 분위기를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 보조 기체 분위기를 제공하는 단계는, 광해리(photo-dissociation)에 의해 활성 라디칼(active radical)이 생성되는 기체 분위기를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 기체 분위기를 제공하는 단계는 레이저 가공 장소 주위에 고체의 가공 파편들이 축적되는 것을 저감시키는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 베이스 수단은, 다이싱 테이프, 얇은 웨이퍼의 다이싱이나 백그라인딩(backgrinding) 용의 비유연성(inflexible) 테이프, 및 유리나 다른 투명한 고체 중 하나인 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 베이스 수단(13)은 비유연성인 투명 백그라인딩 테이프 수단이며, 그리고
    여기서 상기 레이저 가공 단계는 상기 웨이퍼 기판을 백그라인딩하는 단계에 후속하여 실행되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 싱귤레이트 다이 및 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 픽앤플레이스하는 단계는, 다층 다이 패키지를 형성하기 위해 상기 싱귤레이트 다이 및 상기 부착된 싱귤레이트 접착층을 다른 다이에 픽앤플레이스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 방법.
  16. 싱귤레이트 접착층을 가진 싱귤레이트 다이(15)를 형성하기 위하여, 적어도 웨이퍼 기판(11) 및 상기 웨이퍼 기판에 부착된 접착층(12)까지 제거하기(scribing) 위해, 웨이퍼 기판(11) 및 상기 웨이퍼 기판에 부착되고 캐리어 베이스 수단(13)과 접착층(12) 사이의 제1의 접착제에 의하여 상기 캐리어 베이스 수단(13)에 접착된 접착층(12)을 가공하도록 배치되는 레이저 가공 수단,
    상기 싱귤레이트 접착층(12)을 상기 캐리어 베이스 수단(13)으로부터 분리하도록 상기 캐리어 베이스 수단을 경화시키기 위해 배치되는 제1 경화 수단,
    싱귤레이트 접착층을 가진 싱귤레이트 다이(15)를 상기 캐리어 베이스 수단(13)으로부터 집어서 싱귤레이트 접착층을 가진 싱귤레이트 다이(15)를 다이 패드에 위치시키는 픽앤플레이스(pick and place) 수단, 및
    상기 싱귤레이트 다이를 상기 다이 패드에 접착시키기 위해 상기 싱귤레이트 다이의 싱귤레이트 접착층(12)을 경화시키는 제2 경화 수단
    을 포함하는 다이 본딩 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 레이저 가공 수단은,
    펄스식 레이저 빔(31, 32, 33)을 제공하기 위해 배치되는 레이저원(laser source) 수단,
    레이저 빔 스캐닝 수단, 및
    레이저 펄스 에너지, 레이저 파장, 레이저 반복 회수, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 상기 펄스식 레이저 빔에 의한 스캔 수 중 하나 이상을 제어하기 위해 배치되는 제어 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 레이저 가공 수단은, 상기 제어 수단을 사용하여, 레이저 펄스 에너지, 레이저 파장, 레이저 반복 회수, 레이저 펄스 폭, 레이저 빔 스캐닝 속도, 및 상기 펄스식 레이저 빔에 의한 스캔 수 중 하나 이상의 가공 프로파일을 저장하는 메모리 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  19. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 경화 수단은 자외선 경화 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제2 경화 수단은 열 경화 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 다이 본딩 장치는 상기 싱귤레이트 다이로부터 레이저 가공 파편들을 세정하기 위해 배치되는 세정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 웨이퍼 기판 상에 보호 필름이 배치되어 상기 레이저 가공 파편들로부터 상기 웨이퍼 기판을 보호하고,
    상기 세정 수단은 상기 싱귤레이트 다이로부터 상기 보호 필름을 제거하기 위해 배치되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  23. 제16항에 있어서,
    상기 캐리어 베이스 수단은, 다이싱 테이프, 얇은 웨이퍼의 다이싱이나 백그라인딩 용의 비유연성 테이프, 및 유리나 다른 투명한 고체 중 하나인 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 캐리어 베이스 수단(13)은 비유연성인 투명 백그라인딩 테이프 수단임을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.
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